JP2008124362A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、n型SiCドリフト層2と、n型SiCドリフト層2表面に設けられ、電極10を有するMOSFETを形成する素子形成領域17とを備える。そして、n型SiCドリフト層2表面において素子形成領域17の終端側に形成される第1のp型領域5と、n型SiCドリフト層2表面において素子形成領域17とは反対側で第1のp型領域5に接して形成される第2のp型領域6とを備える。第1のp型領域5は、電極10と接続される。第2のp型領域6のドーピング濃度は、第1のp型領域5のドーピング濃度より低く、第2のp型領域6の下端は、第1のp型領域5の下端よりも下方に位置する。
【選択図】図1
Description
図1は、本実施の形態に係る半導体装置の断面図である。本発明に係る半導体装置は、n型SiC基板1上に、第1の導電型(n型)を有する半導体層であるn型SiCドリフト層2が設けられる。簡単のため、以下、n型SiC基板1を「n型基板1」、n型SiCドリフト層2を「n型ドリフト層2」と表記する。
図2は、本実施の形態に係る半導体装置の断面図である。本実施の形態において、実施の形態1と同じ構成については、同一の符号を付すものとする。本発明に係る半導体装置は、実施の形態1と同様、n型基板1上に、第1の導電型(n型)を有する半導体層であるn型ドリフト層2が設けられる。
図3は、本実施の形態に係る半導体装置の断面図である。実施の形態2では、MeVレベルのイオン注入した場合に相当する構造を示した。しかしながら、第1のp型領域5および第2のp型領域6両者とも0.7μm程度までの深さでよい場合には、掘り込み部15を形成しなくても、室温において活性化や注入損傷回復が十分可能な400keVレベルのAlイオン注入によって形成することが可能である。そこで、本実施の形態では、掘り込み部15が形成されていない場合を想定する。なお、本実施の形態において、実施の形態2と同じ構成については、同一の符号を付すものとする。
Claims (5)
- 第1の導電型を有する半導体層と、
前記半導体層表面に設けられ、電極部を有する素子を形成する素子形成領域と、
前記半導体層表面において前記素子形成領域の終端側に形成され、第2の導電型を有する第1の領域と、
前記半導体層表面において前記素子形成領域とは反対側で前記第1の領域に接して形成され、前記第2の導電型を有する第2の領域とを備え、
前記第1の領域は、前記電極部と接続され、
前記第2の領域のドーピング濃度は、前記第1の領域のドーピング濃度より低く、前記第2の領域の下端は、前記第1の領域の下端よりも下方に位置する、
半導体装置。 - 前記半導体層の表面は、第1の表面と、前記第1の表面よりも下方に位置する第2の表面を含み、
前記素子形成領域および前記第1の領域は、前記半導体層の前記第1の表面に形成され、
前記第2の領域は、前記半導体層の前記第2の表面に形成される、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記素子形成領域は、
前記第1の導電型を有し、前記半導体層よりもドーピング濃度が高い高濃度領域を含み、
前記高濃度領域の下端は、前記第2の表面よりも上方に位置する、
請求項2に記載の半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、
(a)前記半導体層の表面を掘り込むことにより、前記半導体層の表面に、前記第1の表面と前記第2の表面とを形成する工程と、
(b)前記ステップ(a)の後に、イオン注入することにより、前記半導体層の前記第2の表面に前記第2の領域を形成する工程とを備える、
半導体装置の製造方法。 - 請求項3に記載の半導体装置の製造方法であって、
(a)前記半導体層の表面に、前記高濃度領域を形成する工程と、
(b)前記半導体層の表面を掘り込むことにより、前記半導体層の表面に、前記第1の表面と前記第2の表面とを形成するとともに、前記第2の表面上方の前記高濃度領域を除去する工程とを備える、
半導体装置の製造方法。
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