WO2015050262A1 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2015050262A1
WO2015050262A1 PCT/JP2014/076633 JP2014076633W WO2015050262A1 WO 2015050262 A1 WO2015050262 A1 WO 2015050262A1 JP 2014076633 W JP2014076633 W JP 2014076633W WO 2015050262 A1 WO2015050262 A1 WO 2015050262A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
region
anode
trench
igbt
fwd
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/076633
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
正樹 田村
崇一 吉田
新一郎 安達
Original Assignee
富士電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士電機株式会社 filed Critical 富士電機株式会社
Priority to JP2015540577A priority Critical patent/JP5935951B2/ja
Priority to CN201480021099.1A priority patent/CN105210187B/zh
Priority to EP14850425.1A priority patent/EP2966683B1/en
Publication of WO2015050262A1 publication Critical patent/WO2015050262A1/ja
Priority to US14/882,427 priority patent/US9536875B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
    • H01L27/0641—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type
    • H01L27/0647—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. vertical bipolar transistor and bipolar lateral transistor and resistor
    • H01L27/0652—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
    • H01L27/0664—Vertical bipolar transistor in combination with diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
    • H01L29/0692—Surface layout
    • H01L29/0696—Surface layout of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
    • H01L29/0834—Anode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices, e.g. supplementary regions surrounding anode regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
    • H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
    • H01L29/66348—Vertical insulated gate bipolar transistors with a recessed gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
    • H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
    • H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
    • H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device.
  • MOS power semiconductor devices In response to the recent demand for miniaturization and high performance of power supply equipment in the field of power electronics, power semiconductor devices have high breakdown voltage and high current, as well as low loss, high destruction resistance, and high speed performance. Efforts are being made to improve.
  • a MOS power device driven by a MOS gate (insulated gate made of metal-oxide film-semiconductor) is known as a power semiconductor device capable of increasing current and reducing loss.
  • MOS gate structure of this MOS power device there are two types of structures: a planar gate structure in which a MOS gate is provided on a semiconductor substrate and a trench gate structure in which a MOS gate is embedded in a trench formed in the semiconductor substrate. Widely known. In recent vertical power devices, a trench gate structure has attracted attention because it is structurally easy to obtain low on-resistance characteristics.
  • each surface of the p-type channel region and the n-type semiconductor substrate is alternately arranged in the longitudinal direction between the parallel trenches, and is formed on the surface layer of the p-type channel region.
  • An apparatus has been proposed in which the surface shape of the selectively formed n + -type emitter region is wide on the trench side and narrow on the center side between the trenches (see, for example, Patent Document 1 below).
  • an insulated gate bipolar transistor (IGBT) and a free-wheeling diode (FWD) connected in antiparallel to the IGBT are made of the same semiconductor in order to reduce the size of the entire power conversion device.
  • RC-IGBT reverse conducting IGBT
  • FIG. 18 is a plan view showing the structure of a conventional RC-IGBT.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along section line AA-AA ′ of FIG.
  • the conventional RC-IGBT includes a general field stop type IGBT (FS-IGBT) and the FS ⁇ on the same n ⁇ type semiconductor substrate to be the n ⁇ drift region 101. And an FWD connected in antiparallel to the IGBT.
  • FS-IGBT general field stop type IGBT
  • FWD connected in antiparallel to the IGBT.
  • the p base region constituting the MOS gate structure on the front surface side of the n ⁇ type semiconductor substrate is defined as the p anode region 105-2 in order to connect the FWD in antiparallel to the FS-IGBT.
  • the p + collector region 111 provided on the back side of the n ⁇ type semiconductor substrate has a structure in which a part of the p + collector region 111 is replaced with an n + cathode region 112.
  • an IGBT section 121 provided with an FS-IGBT and an FWD section 122 provided with an FWD are provided on the same n ⁇ type semiconductor substrate.
  • trench 102, gate insulating film 103, gate electrode 104, p base region 105-1, n + emitter region 106, and p + contact region 107 are formed on the front surface side of the n ⁇ type semiconductor substrate.
  • a trench gate type MOS gate structure and an emitter electrode 109 are provided.
  • the p base regions 105-1 are arranged at a predetermined interval in the longitudinal direction of the trench 102 in the mesa portion between the adjacent trenches 102 (region sandwiched between the adjacent trenches 102).
  • a trench gate including the trench 102, the gate insulating film 103, and the gate electrode 104 has a direction (longitudinal direction) orthogonal to a direction (short direction) in which the IGBT part 121 and the FWD part 122 are arranged from the IGBT part 121 to the FWD part 122. It is provided in a stripe shape extending in the direction.
  • a p anode region 105-2 is provided on the entire front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate in the mesa portion between the adjacent trenches 102.
  • the p anode region 105-2 is conductively connected to the emitter electrode 109.
  • a p + collector region 111 is provided in the IGBT portion 121, and an n + cathode region 112 is provided in the FWD portion 122.
  • An n buffer layer 110 is provided between the p + collector region 111 and the n + cathode region 112 and the n ⁇ drift region 101.
  • Collector electrode 113 is in contact with p + collector region 111 and n + cathode region 112.
  • Reference numeral 108 denotes an interlayer insulating film.
  • RC-IGBT a MOS gate structure is repeatedly arranged in the same pattern as a normal IGBT on the front surface of a semiconductor chip, and the n + cathode region of the FWD portion and the p portion of the IGBT portion are formed on the back surface of the semiconductor chip.
  • a collector short type device in which a + collector region is arranged in parallel has been proposed (see, for example, Patent Document 2 below).
  • an IGBT portion that operates as an IGBT element and a diode region that operates as a diode element are alternately and repeatedly laid out on a semiconductor substrate including an n ⁇ type drift layer. a part side, n - the surface portion of the type drift layer, n - -type drift layer device having a Schottky contact region of the p-type extract holes from has been proposed (for example, the following Patent Document 3. ).
  • Another RC-IGBT has a structure in which an emitter layer is provided in the first region on the first main surface side of the semiconductor substrate and no emitter layer is provided in the second region.
  • An apparatus having a structure in which a collector layer is provided in a first region on the surface side and a cathode layer is provided in a second region has been proposed (for example, see Patent Document 4 below).
  • a plurality of trench gates are formed at different intervals on the substrate front surface side of the diode part, and an n-type emitter region and a p-type base region are formed in the narrower interval between the trench gates.
  • a formed device has been proposed (for example, see Patent Document 5 below).
  • a barrier metal is formed on the surface of the interlayer insulating film and the inner surface of the second trench using titanium (Ti), tungsten (W), or the like.
  • the emitter (anode) electrode is in contact with the p base (anode) layer, the n emitter region and the p contact region through a barrier metal (see, for example, Patent Document 7 (paragraph 0054, 0080, FIG. 5) below).
  • the back electrode is formed on the second main surface so as to be in contact with both the p-type collector region and the n-type cathode region, and is laminated in order from the second main surface side, a nickel (Ni) layer and a gold layer It has an (Au) layer.
  • the titanium layer is in ohmic contact with both the p-type collector region and the n-type cathode region (see, for example, Patent Document 8 below).
  • Patent Document 9 (No. 1) described below. See paragraph 0068, FIG. 6)
  • Patent Document 9 by setting the width of the FWD region as the wide region (distance between two channels sandwiching the FWD region as the narrow region) to 170 ⁇ m or more, the ratio of the region that does not function as the FWD region is relatively Therefore, the snapback of the forward voltage is suppressed.
  • the following device has been proposed as another RC-IGBT.
  • a floating layer deeper than the emitter region and the contact region is provided in the depth direction of the trench in the p base layer of the IGBT portion.
  • the diode portion is not provided with a floating layer and an emitter region.
  • the gate electrode of the diode portion has an emitter potential (see, for example, Patent Document 10 below).
  • Patent Document 10 below excessive hole injection from the contact region of the IGBT portion to the diode portion is suppressed by providing a floating layer.
  • the trenches are arranged in the IGBT portion in a stripe shape extending in a direction orthogonal to the direction in which the trenches are arranged at a relatively narrow pitch.
  • the FWD portion when the trench penetrating the Schottky junction between the p anode region (p base region) and the n ⁇ drift layer from the front surface of the substrate is not provided, the FWD portion is provided closest to the FWD portion of the IGBT portion.
  • the electric field strength concentrates in the off state at the bottom of the trench, and the withstand voltage decreases.
  • Patent Document 2 since the FWD portion is partially provided in the entire IGBT portion, the carrier is pulled out from the FWD portion, the number of carriers in the IGBT portion is reduced, and the on-resistance is increased. May be higher.
  • the p anode region is provided on the entire substrate front side of the FWD portion as in Patent Document 4 described above, the electric field strength in the FWD portion is reduced, but the hole injection efficiency in the FWD portion is reduced. Since the reverse recovery current increases, the turn-on loss of the IGBT increases, and the reverse recovery tolerance of the FWD decreases.
  • the present invention improves the diode characteristics in a reverse conducting semiconductor device having a structure in which an insulated gate bipolar transistor and a diode are integrated and integrated in the same semiconductor substrate in order to eliminate the above-described problems caused by the prior art.
  • An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of performing
  • a semiconductor device includes a first element region in which an insulated gate bipolar transistor is provided on a semiconductor substrate serving as a first conductivity type drift region. And a second element region provided with a diode, and has the following characteristics.
  • a trench is provided.
  • a gate insulating film is provided along the side wall and bottom surface of the trench.
  • a gate electrode is provided inside the trench and inside the gate insulating film.
  • a base region of the second conductivity type is selectively provided in a mesa portion between the trenches adjacent to the first element region.
  • a second conductivity type anode region is selectively provided in a mesa between adjacent trenches of the second element region.
  • a first conductivity type emitter region is selectively provided in the base region.
  • a first electrode in contact with the base region, the emitter region, and the anode region is provided.
  • a second conductivity type collector region is provided on the back surface of the semiconductor substrate in the first element region.
  • a first conductivity type cathode region is provided on the back surface of the semiconductor substrate.
  • a second electrode in contact with the collector region and the cathode region is provided.
  • the anode region and the drift region are alternately and repeatedly arranged in the mesa portion between the adjacent trenches of the second element region along the longitudinal direction of the trench.
  • the proportion occupied by the anode region is 50 % Or more and less than 100%.
  • the semiconductor device according to the present invention is characterized in that, in the above-described invention, built-in depletion layers extending from the adjacent anode regions to the mesa portions are connected to each other.
  • a semiconductor device is a first semiconductor device in which an insulated gate bipolar transistor is provided on a semiconductor substrate serving as a first conductivity type drift region.
  • a semiconductor device including an element region and a second element region provided with a diode has the following characteristics.
  • a trench is provided.
  • a gate insulating film is provided along the side wall and bottom surface of the trench.
  • a gate electrode is provided inside the trench and inside the gate insulating film.
  • a base region of the second conductivity type is selectively provided in a mesa portion between the trenches adjacent to the first element region.
  • a second conductivity type anode region is selectively provided in a mesa between adjacent trenches of the second element region.
  • a first conductivity type emitter region is selectively provided in the base region.
  • a first electrode in contact with the base region, the emitter region, and the anode region is provided.
  • a second conductivity type collector region is provided on the back surface of the semiconductor substrate in the first element region.
  • a first conductivity type cathode region is provided on the back surface of the semiconductor substrate.
  • a second electrode in contact with the collector region and the cathode region is provided.
  • the anode region and the drift region are alternately and repeatedly arranged in the mesa portion between the adjacent trenches of the second element region along the longitudinal direction of the trench.
  • the first electrode is further in contact with the drift region in the second element region.
  • the proportion of the anode region in the unit region composed of the drift region in the anode region and the portion sandwiched between the anode region and the anode region adjacent to the longitudinal direction of the trench in the anode region. Is less than 50%.
  • the semiconductor device according to the present invention is characterized in that, in the above-described invention, built-in depletion layers extending from the adjacent trenches to mesa portions between the trenches are connected to each other.
  • reverse recovery current can be reduced and reverse recovery can be achieved in a reverse conducting semiconductor device having a structure in which an insulated gate bipolar transistor and a diode are integrated in a single semiconductor substrate. Since the loss can be reduced, the diode characteristics can be improved.
  • FIG. 1 is a plan view showing the structure of the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along section line A-A ′ of FIG.
  • FIG. 3 is a characteristic diagram illustrating reverse recovery characteristics of the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a characteristic diagram showing reverse recovery characteristics of the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating the semiconductor device according to the first embodiment in the middle of manufacturing.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in the middle of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a state in the middle of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating the semiconductor device according to the first embodiment in the middle of manufacturing.
  • FIG. 9 is an explanatory diagram of a state in the process of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram of a state in the process of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram of a state in the middle of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 12 is an explanatory diagram of a state in the process of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 13 is a plan view showing the structure of the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along section line C-C ′ of FIG. FIG.
  • FIG. 15 is a characteristic diagram illustrating reverse recovery characteristics of the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 16 is a characteristic diagram illustrating reverse recovery characteristics of the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view illustrating the structure of the semiconductor device according to the third embodiment.
  • FIG. 18 is a plan view showing the structure of a conventional RC-IGBT.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along section line AA-AA ′ of FIG.
  • FIG. 20A is a plan view illustrating the structure of the semiconductor device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 20B is a plan view illustrating a structure of another example of the semiconductor device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along the section line D-D ′ of FIGS. 20A and 20B.
  • FIG. 22A is a plan view illustrating the structure of the semiconductor device according to the fifth embodiment.
  • 22B is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along section line E-E ′ of FIG. 22A.
  • 22C is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along the section line F-F ′ of FIG. 22A.
  • FIG. 23A is a plan view illustrating the structure of the semiconductor device according to the sixth embodiment.
  • FIG. 23B is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along section line G-G ′ of FIG. 23A.
  • FIG. 23C is a cross-sectional view showing another example of the cross-sectional structure taken along section line G-G ′ of FIG. 23A.
  • FIG. 24 is a characteristic diagram illustrating a relationship between the width of the IGBT portion and the width of the FWD portion of the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 25 is a plan view illustrating a planar structure of the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 26 is a plan view of another example of the semiconductor device according to the second embodiment.
  • 27 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along the cutting line H-H ′ of FIG.
  • Figure 28 is a characteristic diagram showing the relationship between a trench spacing ratio Lb / La and the reverse recovery current I AK of the semiconductor device in FIG 26.
  • FIG. 29A is a characteristic diagram showing the relationship between the trench spacing ratio Lb / La and the forward voltage drop Vf of the semiconductor device of FIG.
  • FIG. 29B is a characteristic diagram showing the relationship between the trench spacing ratio Lb / La and the reverse recovery peak current Irp of the semiconductor device of FIG.
  • FIG. 31 is a cross-sectional view illustrating the structure of the semiconductor device according to the seventh embodiment.
  • FIG. 32 is a cross-sectional view illustrating the structure of another example of the semiconductor device according to the seventh embodiment.
  • FIG. 33 is a cross-sectional view showing the structure of a semiconductor device of a comparative example.
  • FIG. 1 is a plan view showing the structure of the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along section line AA ′ of FIG.
  • the semiconductor device according to the first embodiment includes an IGBT portion in which an insulated gate bipolar transistor (IGBT) is provided on the same n ⁇ type semiconductor substrate that becomes the n ⁇ drift region 1. 21 and an FWD section 22 provided with a reflux diode (FWD).
  • IGBT insulated gate bipolar transistor
  • FWD reflux diode
  • the FWD of the FWD unit 22 is connected in reverse parallel to the IGBT of the IGBT unit 21. That is, the semiconductor device according to the first embodiment is a reverse conducting IGBT (RC-IGBT). On the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate, a stripe shape extending from the IGBT portion 21 to the FWD portion 22 in a direction (longitudinal direction) orthogonal to the direction in which the IGBT portion 21 and the FWD portion 22 are arranged (short direction). A plurality of trenches 2 are provided at predetermined intervals.
  • RC-IGBT reverse conducting IGBT
  • a gate insulating film 3 is provided along the inner wall of the trench 2.
  • a gate electrode 4 is provided inside the gate insulating film 3 inside the trench 2.
  • p base regions 5-1 are provided in the mesa portion between adjacent trenches 2 at a predetermined interval along the longitudinal direction of the trench 2.
  • the p base region 5-1 is provided in contact with the trench 2 and at a depth shallower than the trench 2 (depth from the front surface of the substrate).
  • the p base region 5-1 and the n ⁇ drift region 1 are alternately exposed along the longitudinal direction of the trench 2 on the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate.
  • the width x11 in the longitudinal direction of the trench 2 of the p base region 5-1 is the width in the longitudinal direction of the trench 2 between the p base region 5-1 of the n ⁇ drift region 1, that is, the trench in the p base region 5-1. 2 Wider than the first pitch (arrangement interval) x12 in the longitudinal direction (x11> x12).
  • An n + emitter region 6 and a p + contact region 7 are selectively provided inside the p base region 5-1.
  • n + emitter region 6 is in contact with the gate insulating film 3 provided on the side wall of the trench 2 and faces the gate electrode 4 through the gate insulating film 3.
  • the width of the second n + region 6-2 in the longitudinal direction of the trench 2 is, for example, narrower than the width of the first n + region 6-1 in the longitudinal direction of the trench 2, and the n + emitter region 6 has, for example, an H-shaped planar shape.
  • the p + contact region 7 is provided between the first n + region 6-1 and is in contact with the n + emitter region 6. In this way, on the front surface side of the n ⁇ type semiconductor substrate of the IGBT portion 21, the p base region 5-1 is thinned out, and the trench 2, the gate insulating film 3, the gate electrode 4, and the p base region 5-1 are arranged.
  • the trench gate type MOS gate structure composed of the n + emitter region 6 and the p + contact region 7 is repeatedly arranged in the longitudinal direction of the trench 2. Each MOS gate constitutes an IGBT (cell part).
  • the trench 2 of the FWD portion 22 has a trench gate structure similarly to the trench 2 of the IGBT portion 21 in order to simplify the manufacturing process by unifying the wiring layout between the IGBT portion 21 and the FWD portion 22. ing.
  • p anode regions 5-2 are provided at predetermined intervals along the longitudinal direction of the trench 2 in the mesa portion between the adjacent trenches 2. That is, p anode regions 5-2 and n ⁇ drift regions 1 are alternately exposed along the longitudinal direction of trench 2 on the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate.
  • the p base region provided in the mesa portion between the adjacent trenches 2 constitutes the p anode region 5-2.
  • a p + contact region may be provided inside the p anode region 5-2.
  • the p anode region 5-2 is provided in contact with the trench 2 and at a depth shallower than the trench 2.
  • the impurity concentration of the p anode region 5-2 may be equal to the impurity concentration of the p base region 5-1, or may be lower than the impurity concentration of the p base region 5-1.
  • the front surface side of the n ⁇ -type semiconductor substrate of the FWD portion 22 has a structure in which p anode regions 5-2 are repeatedly arranged along the longitudinal direction of the trench 2, and each p anode region 5-2 has an FWD (cell Part). Specifically, in the mesa portion between adjacent trenches 2, a portion of n ⁇ drift region 1 sandwiched between p anode regions 5-2 adjacent in the longitudinal direction of trench 2 (hereinafter referred to as n ⁇ drift region 1). And a single p anode region 5-2 in contact with this portion as one unit (hereinafter referred to as a unit region) is formed.
  • the ratio (hereinafter referred to as anode ratio) ⁇ occupied by the p anode region 5-2 in one unit region will be described later.
  • the width w10 of the p anode region 5-2 in the longitudinal direction of the trench 2 is preferably wider than, for example, the width of the mesa portion in the lateral direction of the trench 2 (that is, the mesa width) w20. This is because it is easy to set the anode ratio ⁇ within a preferable range described later.
  • the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate is covered with an interlayer insulating film 8 having first and second contact holes 8-1 and 8-2.
  • the first contact hole 8-1 is provided for each cell portion of the IGBT portion 21, and the n + emitter region 6 and the p + contact region 7 of one cell portion are exposed in one first contact hole 8-1.
  • the second contact hole 8-2 is provided for each cell portion of the FWD portion 22, and the p anode region 5-2 of one cell portion is exposed in one second contact hole 8-2.
  • the n ⁇ drift region 1 is not exposed in the first and second contact holes 8-1 and 8-2.
  • the opening width w11 of the second contact hole 8-2 in the longitudinal direction of the trench 2 and the opening width w21 of the second contact hole 8-2 in the lateral direction of the trench 2 can substantially expose the entire p anode region 5-2. It is preferable to be large. This is because the contact resistance can be reduced and the on-voltage can be reduced. Specifically, the opening width w11 of the second contact hole 8-2 in the longitudinal direction of the trench 2 and the opening width w21 of the second contact hole 8-2 in the lateral direction of the trench 2 form the second contact hole 8-2.
  • the width w10 of the p anode region 5-2 in the longitudinal direction of the trench 2 and the width of the p anode region 5-2 in the lateral direction of the trench 2 (the mesa between the trenches 2) It is better to make it slightly narrower than the width w20).
  • the opening width w11 of the second contact hole 8-2 in the longitudinal direction of the trench 2 is such that both ends of the second contact hole 8-2 in the longitudinal direction of the trench 2 are p anode regions 5-2 and n ⁇ , respectively.
  • the width may be narrower from the boundary with the drift region 1 so as to be located inside the p anode region 5-2 by a width w12 (for example, about 0.5 ⁇ m to 1.0 ⁇ m).
  • the opening width w 21 of the second contact hole 8-2 in the short direction of the trench 2 is such that both ends of the second contact hole 8-2 in the short direction of the trench 2 are between the p anode region 5-2 and the side wall of the trench 2.
  • the width may be narrowed so as to be located inside the p anode region 5-2 by a width w22 (for example, about 0.5 ⁇ m to 1.0 ⁇ m) from the boundary.
  • the emitter electrode 9 is in contact with the n + emitter region 6 and the p + contact region 7 through the first contact hole 8-1.
  • the emitter electrode 9 also serves as an anode electrode and is in contact with the p anode region 5-2 through the second contact hole 8-2.
  • the emitter electrode 9 is electrically insulated from the gate electrode 4 by the interlayer insulating film 8.
  • a p + collector region 11 is provided in the IGBT portion 21 and an n + cathode region 12 is provided in the FWD portion 22 on the front surface layer of the back surface of the n ⁇ type semiconductor substrate.
  • n buffer layer 10 is provided between the p + collector region 11 and the n + cathode region 12 and the n ⁇ drift region 1.
  • the n buffer layer 10 suppresses the depletion layer extending from the pn junction between the p base region 5-1 and the p anode region 5-2 and the n ⁇ drift region 1 from reaching the p + collector region 11 when turned off. It functions as an n field stop layer.
  • Collector electrode 13 is in contact with p + collector region 11.
  • the collector electrode 13 also serves as a cathode electrode and is in contact with the n + cathode region 12.
  • the anode ratio ⁇ is based on the exposed area (surface area) of the substrate front surface of one unit region arranged in the mesa between the adjacent trenches 2 in the p anode region 5-2 in the unit region. It can be expressed as a ratio of the exposed area on the front surface. Specifically, the anode ratio ⁇ is expressed by the following formula (1).
  • the anode ratio ⁇ is a width in the longitudinal direction of the trench 2 of the p anode region 5-2 (not including an increment due to thermal diffusion) in consideration of misalignment of an ion implantation mask for forming the p anode region 5-2. ) Set based on Lp.
  • the anode ratio ⁇ is, for example, 50% to 75%. That is, in one unit region arranged in a mesa portion between adjacent trenches 2 of FWD portion 22, the exposed area of p anode region 5-2 before thermal diffusion is n ⁇ drift on the front surface of the substrate.
  • the p anode region 5-2 is thinned out so as to be equal to or larger than the exposed area of the region 1.
  • the anode ratio ⁇ is close to 75%.
  • the p anode region 5-2 is thinned out by providing a region where the p anode region 5-2 is not disposed and exposing the n ⁇ drift region 1 and the p anode region 5-2 alternately in the longitudinal direction of the trench 2. is there.
  • the width of the p anode region 5-2 in the longitudinal direction of the trench 2 (not including an increment due to thermal diffusion) Lp is an opening of an ion implantation mask for forming the p anode region 5-2 (p anode region 5- 2 is the width in the longitudinal direction of the trench 2. That is, the width of the p anode region 5-2 in the longitudinal direction of the trench 2 (not including the increment due to thermal diffusion) Lp is the same as that of the longitudinal direction of the trench 2 of the p anode region 5-2 diffused by the thermal diffusion treatment after ion implantation. It does not include the width increment and is narrower than the width w10 in the longitudinal direction of the trench 2 of the p anode region 5-2 after thermal diffusion.
  • Ln is the width in the longitudinal direction of the trench 2 between the n ⁇ drift region 1 and the p anode region 5-2 (that is, the second pitch in the longitudinal direction of the trench 2 of the p anode region 5-2).
  • Lc is the width of the p anode region 5-2 in the longitudinal direction of the trench 2 (not including an increment due to thermal diffusion) Lp and the length of the trench 2 in the longitudinal direction of the n ⁇ drift region 1 sandwiched between the p anode regions 5-2 And the width Ln (hereinafter referred to as unit length).
  • Lp, Ln, and Lc are the widths in the longitudinal direction of the trench 2 before thermal diffusion in each region. In order to clarify which region dimensions Lp, Ln, and Lc indicate, the symbols Lp, Ln and Lc are shown in FIG. 1 (the same applies to FIGS. 13, 20A, 20B, 22A, and 26).
  • FIGS. 3 and 4 are characteristic diagrams illustrating reverse recovery characteristics of the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 shows a reverse recovery current Iak waveform.
  • FIG. 4 shows the relationship between the anode ratio ⁇ and the reverse recovery peak current (the peak value of the reverse recovery current Iak waveform) Irp.
  • the reverse recovery current Iak was calculated when the anode ratio ⁇ of the semiconductor device according to the first embodiment described above was 12.5%, 25%, 50%, 75%, and 100%.
  • the repetition pitch of the trenches 2 was set to 5 ⁇ m.
  • the width in the short direction of the trench 2 is 1 ⁇ m, and the mesa width w20 between the trenches 2 is 4 ⁇ m.
  • the width of the p anode region 5-2 in the longitudinal direction of the trench 2 (not including the increment due to thermal diffusion) Lp was 5 ⁇ m.
  • the reverse recovery current Iak is calculated by changing the anode ratio ⁇ .
  • the anode ratio ⁇ is 100% when the p anode region 5-2 is not thinned out, that is, in the mesa portion between adjacent trenches 2 in the FWD portion 22, the p anode region 5-2 is formed on the entire front surface of the substrate. This is the case where it is exposed (the same applies to FIGS. 15 and 16).
  • the reverse recovery peak current Irp increases more than when the p anode region 5-2 is formed on the entire surface, that is, when the anode ratio ⁇ is 100%.
  • the anode ratio ⁇ is 50% or more and less than 100%, it does not increase, but rather decreases when the anode ratio ⁇ is 100%. This is a peculiar effect not seen in the conventional diode.
  • the reason is considered as follows.
  • the interval between the adjacent p anode regions 5-2 along the longitudinal direction of the trench 2 is smaller than the built-in depletion layer width of the pn junction. Therefore, the built-in depletion layers extending from the adjacent p anode regions 5-2 are connected to each other in the n ⁇ drift region 1 sandwiched between them. Since this built-in depletion layer is reverse-biased with respect to the pn junction, even if a forward bias is applied to the pn junction, holes are injected into the n ⁇ drift region 1 until the built-in depletion layer disappears. Not. That is, hole injection is suppressed by the well-known JFET effect.
  • the hole injection efficiency when the anode ratio ⁇ is 50% or more and less than 100% is lower than when the anode ratio ⁇ is 100%.
  • the carrier concentration distribution in the state where the rated current flows is a distribution in which the p anode region 5-2 side is relatively lower than the n + cathode region 12 side.
  • the series of operations described above has the effect of reducing the reverse recovery peak current Irp.
  • the reason why the reverse recovery peak current Irp increases when the anode ratio ⁇ is less than 50% is that the built-in depletion layers extending from the p anode region 5-2 on both sides to the n ⁇ drift region 1 are not connected to each other. This is because the effect is reduced. As the JFET effect is reduced, the number of accumulated carriers immediately under the oxide film starts to increase, so that the reverse recovery peak current Irp increases.
  • the interval between the adjacent p anode regions 5-2 is equal to or less than the distance at which the built-in depletion layers extending from the respective p anode regions 5-2 are connected to each other.
  • the width Lp of the p anode region 5-2 in the longitudinal direction of the trench 2 is made sufficiently smaller than the mesa width w20 between the trenches 2.
  • the width Lp in the longitudinal direction of the trench 2 of the p anode region 5-2 is short, the built-in depletion layers that spread from the p anode regions 5-2 are spaced apart from each other. It can be less than the distance of connection.
  • the reverse recovery peak current Irp is further reduced, and for example, the minimum value of the reverse recovery peak current Irp shown in FIG. 4 can be further reduced.
  • the anode ratio ⁇ at which the reverse recovery peak current Irp is minimized can be between 75% or more (and 80% or more) and less than 100%.
  • FIGS. 9 to 12 are explanatory diagrams showing a state in the middle of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment.
  • (b) shows a plan structure in the middle of manufacture
  • (a) shows a cross-sectional structure taken along the line BB ′ of (b).
  • the specific resistance of the silicon substrate is, for example, about 40 ⁇ cm to 80 ⁇ cm. For this reason, the specific resistance of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 may be about 55 ⁇ cm, for example.
  • the plane orientation of the main surface of the silicon substrate is, for example, (100).
  • a p guard ring that constitutes a breakdown voltage structure is formed on the front surface side of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 in a termination structure portion (not shown).
  • the termination structure portion is a region that maintains a breakdown voltage by relaxing an electric field applied to the n ⁇ drift region 1 of the active region.
  • the active region is a region where an RC-IGBT element structure is formed.
  • the termination structure is not shown.
  • a resist mask (not shown) having an opening for forming a p guard ring is formed on the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31.
  • a p-type impurity such as boron (B) is ion-implanted into the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 using the resist mask as a mask.
  • the p guard ring is formed by diffusing the p type impurity implanted into the n ⁇ type semiconductor substrate 31 by thermal diffusion treatment.
  • an oxide film 32 is formed on the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 by the thermal diffusion process for forming the p guard ring.
  • a portion of the oxide film 32 corresponding to the formation region of the trench 2 is removed by photolithography.
  • anisotropic dry etching is performed using the oxide film 32 as a mask to form the trench 2 with a predetermined depth on the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31.
  • a sacrificial oxide film (not shown) is formed on the inner wall of the trench 2 by sacrificial oxidation, and the sacrificial oxide film is removed, whereby a defect layer formed on the surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 by the formation of the trench 2.
  • the oxide film 32 covering the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 in the active region is removed.
  • the gate insulating film 3 is formed on the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 along the inner wall of the trench 2 by thermal oxidation.
  • the thickness of the gate insulating film 3 is, for example, 100 nm to 120 nm, and in the first embodiment, for example, 110 nm.
  • a conductive polycrystalline silicon film 33 is deposited on the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 and buried in the trench 2.
  • the conductive polycrystalline silicon film 33 is etched back until the gate insulating film 3 is exposed, and the conductive polycrystalline silicon film 33 that becomes the gate electrode 4 only inside the trench 2 is formed. leave.
  • the gate insulating film 3 and the oxide film 32 on the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 are removed.
  • a screen oxide film 34 is formed on the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 by a thermal oxidation method.
  • the screen oxide film 34 is omitted (the same applies to FIGS. 10 to 12B).
  • the first opening 35a exposing the formation region of the p base region 5-1 and the formation region of the p anode region 5-2 are exposed on the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 by photolithography.
  • a resist mask 35 having an exposed second opening 35b is formed.
  • the width Lp in the longitudinal direction of the trench 2 of the second opening 35b of the resist mask 35 is set so that the anode ratio ⁇ expressed by the above equation (1) is in the range of 50% to 75%.
  • a p-type impurity such as boron is first ion-implanted 41 over the screen oxide film 34 on the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31.
  • a p-type impurity regions 5-1a and 5-2a are formed in the n ⁇ drift region 1 exposed in the first and second openings 35a and 35b of the resist mask 35.
  • the resist mask 35 is removed.
  • the p base region 5-1 of the IGBT portion 21 and the p anode region 5-2 of the FWD portion 22 are formed with different impurity concentrations, further formation of a resist mask, ion implantation of p-type impurities, Just do.
  • the p base region 5-1 and the p anode region 5-2 are formed with different impurity concentrations, for example, only the formation region of the p base region 5-1 in the region of the IGBT portion 21 first is used.
  • a resist mask that is selectively opened is formed.
  • boron is ion-implanted at a dose of about 2 ⁇ 10 13 / cm 2 and an acceleration energy of about 100 keV, and then the resist mask is removed.
  • a resist mask that is selectively opened only in the formation region of the p anode region 5-2 in the region of the FWD portion 22 is formed.
  • boron is ion-implanted at a dose of about 1 ⁇ 10 12 / cm 2 to 1 ⁇ 10 13 / cm 2 at an acceleration energy of about 100 keV, and then the resist is removed. do it.
  • a thermal diffusion process is performed at a temperature in the range of about 1050 ° C. to 1150 ° C., and a p-type impurity region 5-1a is thermally diffused.
  • a p-type anode region 5-2 is formed by thermally diffusing the type impurity region 5-2a.
  • the gate threshold value of the semiconductor device is set to about 6V.
  • a resist mask 36 having an opening exposing the formation region of the p + contact region 7 is formed on the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 by photolithography.
  • the opening of the resist mask 36 is only in the region of the IGBT part 21 and is not formed in the FWD part 22.
  • a second ion implantation 42 of a p-type impurity such as boron is performed on the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 through the screen oxide film 34.
  • the dose of ion implantation may be, for example, in the range of about 1 ⁇ 10 15 / cm 2 to 5 ⁇ 10 15 / cm 2 and the acceleration energy may be about 100 keV.
  • the p-type impurity implanted by the second ion implantation 42 is thermally diffused at a temperature of about 1000 ° C., for example, so that only the IGBT portion 21 is formed in the p base region 5-1. + Contact region 7 is formed.
  • the resist mask 36 is not shown.
  • a resist mask 37 having an opening exposing the formation region of the n + emitter region 6 is formed on the front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 by photolithography.
  • a third ion implantation 43 of an n-type impurity such as arsenic (As) is performed on the front surface of the n ⁇ -type semiconductor substrate 31 through the screen oxide film 34 using the resist mask 37 as a mask.
  • the n + emitter region 6 is formed inside the p base region 5-1 by thermally diffusing the n-type impurity implanted by the third ion implantation 43.
  • the resist mask 37 is not shown.
  • an interlayer insulating film 8 such as BPSG (Boro Phospho Silicate Glass) is formed on the entire front surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31.
  • the interlayer insulating film 8 is selectively removed by photolithography to form first and second contact holes 8-1 and 8-2.
  • n - -type After forming the emitter electrode 9 on the front surface of the semiconductor substrate 31, n - the front side of the type semiconductor substrate 31 with a resist film (not shown) Protect.
  • the back surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 is ground to reduce the thickness of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 to, for example, 125 ⁇ m, and then etched to remove the grinding strain layer.
  • a fourth ion implantation of an n-type impurity such as selenium (Se) is performed from the back surface of the n ⁇ -type semiconductor substrate 31.
  • the fourth ion implantation is an ion implantation for forming the n buffer layer 10.
  • the dose may be about 3 ⁇ 10 14 / cm 2 and the acceleration energy may be about 100 keV.
  • a fifth ion implantation of a p-type impurity such as boron is performed from the back surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 into a region shallower than the fourth ion implantation.
  • the fifth ion implantation is an ion implantation for forming the p + collector region 11.
  • the dose may be about 8 ⁇ 10 13 / cm 2 and the acceleration energy may be about 40 keV.
  • a resist mask (not shown) having a thickness of, for example, about 2 ⁇ m having an n + cathode region 12 formation region, that is, an opening exposing the FWD portion 22 on the back surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 by photolithography.
  • a resist mask (not shown) having a thickness of, for example, about 2 ⁇ m having an n + cathode region 12 formation region, that is, an opening exposing the FWD portion 22 on the back surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 by photolithography.
  • a sixth ion implantation of an n-type impurity such as phosphorus (P) is performed on the back surface of the n ⁇ -type semiconductor substrate 31.
  • the dose may be about 2 ⁇ 10 15 / cm 2 and the acceleration energy may be about 110 keV.
  • n - -type semiconductor resist film and n protects the front surface of the substrate 31 - removing the back surface of the resist mask type semiconductor substrate 31.
  • the impurity region formed by the fourth to sixth ion implantations is activated by performing a heat treatment for about 30 minutes at a temperature of about 950 ° C., for example.
  • an aluminum silicon (Al—Si, eg, Al containing 1% Si) film having a thickness of about 5 ⁇ m is formed on the front surface side of the n ⁇ type semiconductor substrate 31.
  • the emitter electrode 9 is formed by patterning the Al—Si film.
  • helium (4He) is irradiated from the back surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 with an acceleration energy of about 23 MeV and a dose of about 1 ⁇ 10 13 / cm 2 .
  • annealing heat treatment
  • a temperature of about 370 ° C. for about 1 hour defects generated in the n ⁇ type semiconductor substrate 31 by helium irradiation are recovered.
  • an Al film, a Ti film, a Ni film, and a gold (Au) film are sequentially deposited on the back surface of the n ⁇ type semiconductor substrate 31 to a thickness of about 1 ⁇ m, 0.07 ⁇ m, 1 ⁇ m, and 0.3 ⁇ m, respectively.
  • the RC-IGBT shown in FIGS.
  • the reverse recovery current can be reduced and the reverse recovery loss can be reduced by setting the anode ratio to 50% to 75%. Can be improved.
  • the Schottky junction between the emitter electrode and the n ⁇ drift region is not formed in the FWD portion, it is possible to prevent an increase in leakage current at the time of OFF.
  • region (IGBT part) in which only IGBT was provided can be ensured more widely than the said patent document 2 by arrange
  • FIG. 13 is a plan view showing the structure of the semiconductor device according to the second embodiment.
  • 14 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along the section line CC ′ of FIG.
  • the semiconductor device according to the second embodiment is different from the semiconductor device according to the first embodiment in the following two points.
  • the first difference is that in the FWD portion 22, almost the entire mesa portion between the adjacent trenches 2 is exposed to the second contact hole 58-2, and the p anode region 5-2 and the n ⁇ drift region are exposed. 1 is connected to the emitter electrode 9 together.
  • a Schottky junction between the n ⁇ drift region 1 and the emitter electrode 9 is formed.
  • the constituent material of the emitter electrode 9 at least in the portion in contact with the silicon portion of the FWD portion 22 is, for example, Schottky at the interface with the silicon portion such as Al containing 1% of Si, platinum (Pt) or platinum silicide (PtSi). It is preferable to use a material having a barrier height ⁇ B of 0.8 eV or more. Thereby, the leakage current can be reduced. This is effective when a barrier metal is provided between the emitter electrode 9 and the silicon portion in the IGBT portion 21 due to miniaturization or the like.
  • the second difference is that the anode ratio ⁇ is preferably as low as possible ( ⁇ ⁇ 0%), for example, less than 50%, preferably 25% or less.
  • the reason is that the reverse recovery peak current Irp can be decreased as the anode ratio ⁇ is decreased.
  • 15 and 16 show the results of verifying the relationship between the anode ratio ⁇ and the reverse recovery characteristic.
  • 15 and 16 are characteristic diagrams showing reverse recovery characteristics of the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 15 shows the reverse recovery current Iak waveform.
  • FIG. 16 shows the relationship between the anode ratio ⁇ and the reverse recovery peak current Irp.
  • the manufacturing method of the semiconductor device according to the second embodiment is different from the manufacturing method of the semiconductor device according to the first embodiment in that the p anode region 5-2 is arranged so that the anode ratio ⁇ is low, and the FWD unit 22
  • the second contact hole 58-2 may be formed so that substantially the entire mesa portion between the adjacent trenches 2 is exposed.
  • the semiconductor device manufacturing method according to the second embodiment is the same as the semiconductor device manufacturing method according to the first embodiment except for these two points.
  • FIG. 24 is a characteristic diagram illustrating a relationship between the width of the IGBT portion and the width of the FWD portion of the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 25 is a plan view showing a planar structure of the semiconductor device in the second embodiment. As shown in FIG. 25, an edge termination region 72 is formed on the outer peripheral portion of the reverse conducting IGBT chip comprising the IGBT portion 21 and the FWD portion 22 so as to surround the active region.
  • the gate runner 73 is formed along the outer periphery of the active region and surrounded by the edge termination region 72.
  • the gate runner 73 is a wiring for supplying a gate signal from the gate pad 74 to the IGBT cell in the active region.
  • the IGBT portions 21 and the FWD portions 22 having a predetermined size are alternately and repeatedly arranged. As described above, by arranging the IGBT unit 21 and the FWD unit 22 alternately and repeatedly, the current is evenly distributed over the entire chip when the IGBT unit 21 is on and when the FWD unit 22 is reversely conductive. .
  • the width W IGBT of the IGBT part 21 is defined as a length between adjacent FWD parts 22 in a direction in which the IGBT parts 21 and the FWD parts 22 are alternately and repeatedly arranged. That is, for example, the shorter width of the substantially rectangular planar IGBT portion 21 is defined as W IGBT .
  • the width W FWD of the FWD portion 22 is set to the length between the adjacent IGBT portions 21 in the direction in which the IGBT portions 21 and the FWD portions 22 are alternately arranged. That is, for example, the shorter width of the substantially rectangular planar FWD portion 22 is defined as WFWD .
  • the width W FWD width W IGBT and FWD portion 22 of the IGBT 21, the current density is shown in FIG.
  • each ON voltage when the width W FWD of the FWD portion 22 is 1 ⁇ m, 3 ⁇ m, 10 ⁇ m, 100 ⁇ m, and 1000 ⁇ m is shown by an approximate curve connecting a plurality of data points.
  • the vertical axis represents the on-voltage
  • the horizontal axis represents the width W IGBT of the IGBT portion.
  • the on-voltage is 1.1 V
  • the position of the on-voltage 1.1 V is the highest in FIG. This is indicated by a thick broken line (horizontal line).
  • the position where the ON voltage is 1.3 V is indicated by a solid line (the horizontal line on the right side of the data point when the width W FWD of the FWD portion 22 is 1 ⁇ m), and an approximation of the portion where the ON voltage is greater than 1.3 V
  • a curve is indicated by a dotted line (in the case where the width W FWD of the FWD portion 22 is 1 ⁇ m, 3 ⁇ m, 10 ⁇ m, and 1000 ⁇ m, a data point having an ON voltage greater than 1.3 V is indicated by a white symbol).
  • the on-voltage of 1.3 V corresponds to the occurrence of snapback without increasing the current in the current-voltage curve.
  • Snapback is because electrons injected from the MOS gate of the IGBT part 21 flow into the n + cathode region 12 of the FWD part 22 adjacent to the IGBT part 21 through the field stop layer (n buffer layer 10). Furthermore, this is a phenomenon in which hole injection from the p + collector region 11 of the IGBT portion 21 is inhibited. In order to suppress this snapback phenomenon, the width W IGBT of the IGBT portion 21 needs to be set to a width that makes the ON voltage lower than 1.3V.
  • the width W FWD of the FWD part 22 needs to be at least 1 ⁇ m or more. Therefore, the width W IGBT of the IGBT part 21 is preferably 20 ⁇ m or more.
  • the width W FWD of the FWD portion 22 is 10 ⁇ m and the width W IGBT of the IGBT portion 21 is 20 ⁇ m or more, an increase in on-voltage can be suppressed. Further, when the width W FWD of the FWD portion 22 is, for example, 100 ⁇ m, the width W IGBT of the IGBT portion 21 is 100 ⁇ m or more, and when the width W FWD of the FWD portion 22 is, for example, 1000 ⁇ m, the width W IGBT of the IGBT portion 21 is 1000 ⁇ m. It is necessary to do it above.
  • the width W IGBT of the IGBT portion 21 is preferably 300 ⁇ m or less, and in this case, the width W FWD of the FWD portion 22 is preferably 150 ⁇ m or less depending on the current density ratio. From the above, the width W IGBT of the IGBT part 21 is preferably 20 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less, and the width W FWD of the FWD part 22 is preferably 10 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less.
  • the mesa width w20 between the trenches 2 may be further narrower than 4 ⁇ m.
  • a built-in depletion layer extends from the boundary between the trench 2 and the mesa portion to the mesa portion.
  • the depletion layer spreads from the trench 2 to the mesa portion and is pinched off. Will be able to.
  • the hole injection from the p anode region 5-2 is completely eliminated, and the hole injection amount is determined only by the barrier height of the barrier metal, so that the hole injection efficiency can be extremely reduced. .
  • the p anode region 5-2 may have a repetition pitch in the longitudinal direction of the trench 2 that is 10 times the mesa width w20 between the trenches 2 or more.
  • the reverse recovery peak current Irp can be dramatically reduced, and the p anode region 5-2 enhances the depletion layer pinch-off effect during reverse bias. Therefore, the leakage current is less affected by defects at the Schottky interface than in the case of only Schottky contact between the n ⁇ drift region 1 and the anode electrode, and the device characteristics can be stabilized.
  • FIG. 26 is a plan view of another example of the semiconductor device according to the second embodiment.
  • 27 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along the cutting line HH ′ of FIG.
  • the trench 2 of the FWD portion 22 may be arranged, for example, so as to have a first trench interval La and a second trench interval Lb wider than the first trench interval La.
  • FIG. 28 is a characteristic diagram showing the relationship between a trench spacing ratio Lb / La and the reverse recovery current I AK of the semiconductor device in FIG 26.
  • the reverse recovery peak current Irp is greater than when the first trench interval La and the second trench interval Lb are equal. It can be seen that decreases.
  • FIGS. 29A and 29B are characteristic diagram showing the relationship between the trench spacing ratio Lb / La and the forward voltage drop Vf of the semiconductor device of FIG.
  • FIG. 29B is a characteristic diagram showing the relationship between the trench spacing ratio Lb / La and the reverse recovery peak current Irp of the semiconductor device of FIG.
  • FIG. 30A (b) shows a current density distribution in each cross section taken along cutting lines II ′ and JJ ′ of FIG. 30A (a).
  • FIG. 30B (b) shows a current density distribution in each cross section cut along the cutting lines KK ′ and LL ′ of FIG. 30B (a).
  • FIGS. 30A (a) and 30B (a) only one trench 82 is shown, and adjacent trenches 82 on both sides in the lateral direction of the trench 82 are not shown.
  • the region on the right side is a region sandwiched between adjacent trenches 82 at the first trench interval La, and the region on the left side of the trench 82 is a region sandwiched between adjacent trenches 82 at the second trench interval Lb.
  • the vertical axis represents the hole current density
  • the different hatching shown inside the semiconductor substrate 81 indicates the level of the hole (hole) current density.
  • the hole current density inside the semiconductor substrate 81 is The lower the depth from the front surface of the semiconductor substrate 81, the lower the value.
  • the hole current density inside the semiconductor substrate 81 decreases as the distance from the trench 82 increases in the short direction of the trench 82.
  • the current density of the narrow region sandwiched between the trenches 82 adjacent to each other at the first trench spacing La of the semiconductor substrate 81 is higher than the current density of other regions.
  • the large pitch La + Lb is the reason why the increment of the forward voltage drop Vf is suppressed to about 2%.
  • the reverse recovery current IAK the anode region (not shown) is divided into a plurality of (divided) by the trench 82, so that the semiconductor substrate 81 is sandwiched between the adjacent trenches 82 at the first trench interval La. Since the operation is mainly performed in a narrow area, the injection efficiency is lowered. For this reason, it is easy to sweep holes during the reverse recovery operation, and the reverse recovery peak current Irp is reduced.
  • the trench spacing ratio Lb / La is larger than 1 (1 ⁇ Lb / La), preferably 2 or more (2 ⁇ Lb / La).
  • the trench spacing ratio Lb / La is preferably 10 or less because the characteristics are almost saturated at 10 or more (Lb / La ⁇ 10), and preferably 5 or less, which can lower the forward voltage. (Lb / La ⁇ 5). If attention is paid only to the reverse recovery current I AK, trench spacing ratio Lb / La may be 10 or more, but it becomes current easily concentrated in a narrow region sandwiched between trenches 82 adjacent the first trench distance La, the current From the viewpoint of preventing concentration, the trench spacing ratio Lb / La is preferably 10 or less.
  • the same effect can be obtained even when the anode ratio ⁇ is 100%, that is, the p anode region is formed on the entire surface of the FWD portion 22.
  • the reverse recovery peak current can be further reduced by forming the Schottky junction between the n ⁇ drift region and the emitter electrode in the FWD portion.
  • the p anode region is thinned and arranged, so that a pn junction between the p anode region and the n ⁇ drift region, and a depletion layer extending from the boundary between the trench and the n ⁇ drift region Since it becomes easy to pinch off, it is possible to prevent the leakage current from increasing at the time of off.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view illustrating the structure of the semiconductor device according to the third embodiment.
  • the semiconductor device according to the third embodiment is different from the semiconductor device according to the second embodiment in that the gate electrode 54 and the emitter electrode 9 in the FWD portion 22 are conductively connected. That is, the gate electrode 54 of the FWD portion 22 has an emitter potential.
  • the gate electrode 4 of the IGBT part 21 is electrically insulated from the gate electrode 54 of the FWD part 22 at a part not shown.
  • FIG. 20A is a plan view illustrating the structure of the semiconductor device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 20B is a plan view illustrating a structure of another example of the semiconductor device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along the section line DD ′ of FIGS. 20A and 20B.
  • the semiconductor device according to the fourth embodiment is a diode having a configuration in which only the FWD portion in the third embodiment is connected to the built-in depletion layers extending from the trenches 2 on both sides to the mesa portions.
  • Other configurations of the semiconductor device according to the fourth embodiment are the same as those in the third embodiment.
  • Reference numeral 59 denotes an anode electrode
  • reference numeral 63 denotes a cathode electrode.
  • the specific resistance of the n ⁇ -type silicon substrate serving as the n ⁇ drift region 1 is typically from 30 ⁇ cm to a unit converted from a value obtained by multiplying the rated voltage by 0.05. 325 ⁇ cm. Therefore, the width of the built-in depletion layer extending from the trench 2 on one side to the mesa is approximately 2.4 ⁇ m to 7.8 ⁇ m using the Poisson equation.
  • the mesa width w20 between the trenches 2 is shorter than 4.8 ⁇ m to 15.6 ⁇ m with respect to the rated voltage of 600 V to 6500 V, the built-in depletion layers extending from the trenches 2 on both sides of the mesa portion are connected. Become. More preferably, if the mesa width w20 between the trenches 2 is further shortened so that the rated voltage is 600 V to 6500 V, for example, 2.4 ⁇ m to 7.8 ⁇ m or less, which is half of the above value, respectively. An increase in leakage current due to the mirror image effect can be suppressed.
  • the mesa width w20 between the trenches 2 is 4.8 ⁇ m to 15.6 ⁇ m with respect to the rated voltage of 600 V to 6500 V
  • the rated voltage is V and the mesa width of the trench is W, and the following formula (2) is satisfied.
  • the mesa width w20 with respect to the rated voltage V may be calculated.
  • the above equation (2) defines a specific resistance of a typical semiconductor substrate with respect to the rated voltage V by the above-described method, and 7 points (600V, 1200V, 1700V, 2500V, (3300V, 4500V, 6500V), the built-in depletion layer width is obtained according to Poisson's equation, and the value is fitted with a 6th order polynomial.
  • the mesa width W20 calculated by the above equation (2) may be made smaller, for example, the mesa width w20 between the trenches 2 is calculated by the above equation (2).
  • the calculated mesa width W may be half of the calculated value.
  • the p anode region 5-2 is disposed so as to face a region (n ⁇ drift region 1) between two adjacent p anode regions 5-2 across the trench 2. May be. Since holes are injected from the p anode region 5-2, the current density under the p anode region 5-2 increases.
  • the adjacent p anode regions 5-2 are separated from each other with the trench 2 interposed therebetween, so that regions with high current density are dispersed and heat generation, current concentration, etc. are suppressed. can do.
  • the fourth embodiment by sufficiently narrowing the mesa width between the trenches, it is possible to obtain a diode that suppresses an increase in leakage current even when there is no p anode region.
  • FIG. 22A is a plan view illustrating the structure of the semiconductor device according to the fifth embodiment.
  • 22B is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along section line EE ′ of FIG. 22A.
  • 22C is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along the cutting line FF ′ of FIG. 22A.
  • the semiconductor device according to the fifth embodiment differs from the semiconductor device according to the fourth embodiment in the following two points. The first difference is that the p anode region 5-2 is selectively formed along the longitudinal direction of the trench 2 so that the anode ratio ⁇ is 10% or less.
  • the second difference is that the repetition pitch of the trench 2 is made sufficiently shorter than the built-in depletion layer width, for example, the mesa width w20 between the trenches 2 is less than half of the value of the above equation (2), and the short direction of the trench 2 It is the point which makes more than the width.
  • the built-in depletion layer 90 refers to an n ⁇ drift region from a pn junction between the p anode region 5-2 and the n ⁇ drift region 1 in a thermal equilibrium state without applying a voltage to both the anode electrode 59 and the cathode electrode (not shown). It is a depletion layer spreading to 1.
  • the mesa width w20 between the trenches 2 is equal to or less than half the value of the above equation (2), the built-in depletion layers 90 extending from the adjacent trenches 2 to the mesa portion are connected to each other as shown in FIG. 22B.
  • the depletion layer end 91 of the built-in depletion layer 90 has a depth equivalent to the depth of the p anode region 5-2, and the surface shape of the depletion layer end 91 of the built-in depletion layer 90 is substantially flat parallel to the substrate main surface. It becomes a state. Therefore, the depletion layer end 91 of the built-in depletion layer 90 has a shape close to a planar junction, and the breakdown voltage is improved.
  • the planar junction is a region between the p anode region 5-2 and the n ⁇ drift region 1 when the p anode region 5-2 is uniformly provided on the front surface layer of the n ⁇ type semiconductor substrate. It is a pn junction.
  • the depletion layer end 91 of the built-in depletion layer 90 has a shape close to a planar junction, it is possible to suppress a decrease in the barrier height at the Schottky contact, so that the leakage current almost increases even at a high applied voltage. do not do.
  • the second pitch in the longitudinal direction of the trench 2 of the p anode region 5-2 is sufficiently longer than the width of the built-in depletion layer 90 and the anode ratio ⁇ is 10% or less, both the breakdown voltage and the leakage current are increased in the p anode region. 5-2 no longer depends on the second pitch in the longitudinal direction of the trench 2.
  • the surface shape of the depletion layer end 91 of the built-in depletion layer 90 is sufficiently close to that of a planar junction.
  • the hole injection efficiency of the anode electrode 59 can be made extremely small (10% or less), resulting in a decrease in breakdown voltage and an increase in leakage current. Therefore, the reverse recovery current can be reduced.
  • FIG. 23A is a plan view illustrating the structure of the semiconductor device according to the sixth embodiment.
  • FIG. 23B is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along section line GG ′ of FIG. 23A.
  • FIG. 23C is a cross-sectional view showing another example of the cross-sectional structure taken along section line GG ′ of FIG. 23A.
  • the semiconductor device according to the sixth embodiment is different from the semiconductor device according to the fifth embodiment in that the p ⁇ anode region is not formed and the n ⁇ drift region 1 and the anode electrode 59 are made Schottky as shown in FIG. 23B. It is a point only to contact.
  • the surface shape of the depletion layer end 91 of the built-in depletion layer 90 can be obtained without the p anode region 5-2 by sufficiently reducing the repetition pitch of the trenches 2 as in the fifth embodiment. Is close enough for planar bonding. By not forming the p anode region 5-2, the breakdown voltage is not lowered and the leakage current is not increased, and the efficiency of hole injection from the p anode region 5-2 to the n ⁇ drift region 1 is almost zero. (Zero) is also possible.
  • the anode electrode 59 is formed using an aluminum-silicon (Al—Si) alloy or platinum silicide (PtSi) having a high Schottky barrier height, holes from the p anode region 5-2 to the n ⁇ drift region 1 are formed. Therefore, the hole injection efficiency cannot be reduced to zero, but the injection efficiency can be less than half that of the case where the p anode region 5-2 is formed.
  • Al—Si aluminum-silicon
  • PtSi platinum silicide
  • a shallow p layer 5-3 that is sufficiently shallower and lower in impurity concentration than the p anode region 5-2 of the fifth embodiment may be formed.
  • a depletion layer spreads with respect to a surface defect (surface level) introduced during the element formation process, and carriers are likely to be generated due to thermal excitation. . Therefore, there is a possibility that the leakage current increases and the yield decreases. Therefore, since the shallow p layer 5-3 is formed as in the modification of the sixth embodiment in FIG. 23C, the depletion layer can be prevented from hitting the surface defect (surface level), and thus the leakage current is low. It is stable at the value, and yield reduction can be suppressed.
  • the diode structure described in the fourth to sixth embodiments may be applied to the FWD portion 22 of the semiconductor device in the second embodiment.
  • shallow p layer 5-3 in the modification of Embodiment 6 may be formed. Thereby, an effect similar to that of the sixth embodiment can be obtained.
  • FIG. 31 is a cross-sectional view illustrating the structure of the semiconductor device according to the seventh embodiment.
  • the planar structure of the semiconductor device according to the seventh embodiment shown in FIG. 31 is the same as FIG. 1, and FIG. 31 is a cross-sectional structure taken along the section line AA ′ of FIG.
  • FIG. 32 is a cross-sectional view illustrating the structure of another example of the semiconductor device according to the seventh embodiment.
  • the planar structure of another example of the semiconductor device according to the seventh embodiment shown in FIG. 32 is the same as that of FIG. 13, and FIG. 32 is a sectional structure taken along the section line CC ′ of FIG. FIG.
  • the semiconductor device according to the seventh embodiment is different from the semiconductor device according to the first embodiment in that the p base region 5-1 and the p anode region 5-2 are electrically connected to the emitter electrode 9 through the contact electrode 18, respectively. It is a point connected to.
  • the contact electrode 18 is formed by sequentially laminating a titanium (Ti) layer 14, a titanium nitride (TiN) layer 15, and a tungsten (W) layer 16 from the substrate front surface side.
  • a p + contact region 17 is selectively provided inside the p anode region 5-2.
  • the p + contact region 17 realizes ohmic contact (ohmic electrical contact) with the titanium layer 14.
  • the p + contact region 17 differs from the p + contact region 7 of the IGBT portion 21 in depth and impurity concentration, and is adjusted (optimized) to obtain predetermined FWD characteristics based on design conditions.
  • the depth of the p + contact region 17 is shallower than the depth of the p + contact region 7, the impurity concentration of p + contact region 17 is preferably lower than the impurity concentration of p + contact region 7.
  • the contact electrode 18 is embedded in, for example, the first and second contact holes 8-1 and 8-2.
  • the contact electrode 18 has an opening width w31 of the first contact hole 8-1 in the width direction of the trench 2 and a width of the second contact hole 8-2 in the width direction of the trench 2 due to the repetition pitch L30 of the trench 2 being as narrow as 4 ⁇ m or less, for example. Even if the opening width w21 is narrow, good ohmic contact is realized.
  • the opening width w31 of the first contact hole 8-1 in the lateral direction of the trench 2 is reduced by reducing the repetition pitch L30 of the trench 2.
  • the opening width w21 of the second contact hole 8-2 in the lateral direction of the trench 2 is also narrowed. For this reason, the inside of the first and second contact holes 8-1 and 8-2 cannot be completely filled only with the emitter electrode 9 made of an aluminum silicon film. This creates a gap 19 between the emitter electrode 9 and the silicon portion (at least the p + contact region 7 of the IGBT portion 21 and the p anode region 5-2 of the FWD portion 22), thereby increasing the contact resistance. It is difficult to obtain a good ohmic contact between the electrode 9 and the silicon part.
  • the insides of the first and second contact holes 8-1 and 8-2 can be completely filled with the contact electrode 18 composed of the titanium layer 14, the titanium nitride layer 15 and the tungsten layer 16. For this reason, it is possible to prevent the gap 19 from being generated between the emitter electrode 9 and the silicon portion.
  • the titanium layer 14 is provided along the side wall and the substrate front surface inside each of the first and second contact holes 8-1 and 8-2. Titanium layer 14 is in contact with n + emitter region 6 and p + contact region 7 at IGBT portion 21, and is in contact with p anode region 5-2 and p + contact region 17 at FWD portion 22.
  • a titanium nitride layer 15 is provided along the titanium layer 14 inside the titanium layer 14, and a tungsten layer 16 is provided inside the titanium nitride layer 15. It has been.
  • the emitter electrode 9 is in contact with the titanium layer 14, the titanium nitride layer 15, and the tungsten layer 16.
  • the repetition pitch L30 of the trench 2 is 4 ⁇ m, it is about 10%, and when the repetition pitch L30 of the trench 2 is 2.3 ⁇ m, it is about 21%.
  • the rate of increase of the forward voltage increases in proportion to the magnitude of the gate voltage. The reason is as follows.
  • the gate voltage is applied, electrons are concentrated around the trench 2, so that the electrons concentrated around the trench 2 in the FWD portion 22 suppress the hole injection from the p anode region 5-2 to the n ⁇ drift region 1.
  • the repetition pitch L30 of the trench 2 is reduced, the width of the p anode region 5-2 in the short direction of the trench 2 (portion indicated by reference numeral w20 in FIG. 1) is narrowed. This is because the rate at which hole injection from 5-2 to n ⁇ drift region 1 is suppressed increases and conductivity modulation does not proceed.
  • the third embodiment may be applied to the seventh embodiment, and the gate electrode 4 and the emitter electrode 9 in the FWD portion 22 may be conductively connected.
  • the gate electrode 4 and the emitter electrode 9 in the FWD portion 22 By electrically connecting the gate electrode 4 and the emitter electrode 9 in the FWD portion 22, electrons are not concentrated around the trench 2 in the FWD portion 22 when a gate voltage is applied. For this reason, even if the repetition pitch L30 of the trench 2 is miniaturized, the hole injection from the p anode region 5-2 to the n ⁇ drift region 1 is not suppressed by electrons, so that a low forward voltage can be achieved. Further, as shown in FIG. 32, the seventh embodiment may be applied to the second embodiment.
  • the p + contact region is located inside the p anode region 5-2. 17 and the emitter electrode 9 and the p + contact region 17 may be connected via the contact electrode 18.
  • a good ohmic contact with the silicon portion can be realized by the contact electrode 18 regardless of the planar shape of the second contact hole 58-2.
  • the same effect as in the first and second embodiments can be obtained.
  • the forward voltage is prevented from increasing when the gate voltage is applied, and the FWD portion Good ohmic contact can be realized on the anode side.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
  • various dimensions, surface concentrations, and the like are set according to required specifications.
  • the first conductivity type is n-type and the second conductivity type is p-type.
  • the first conductivity type is p-type and the second conductivity type is n-type. It holds.
  • the semiconductor device according to the present invention is useful for a power semiconductor device used for a power conversion device or the like.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

　ＩＧＢＴ部（２１）にＩＧＢＴが配置され、ＦＷＤ部（２２）にＦＷＤが配置される。ＩＧＢＴ部（２１）において、隣り合うトレンチ（２）間のメサ部には、基板おもて面にトレンチ（２）長手方向に沿ってｐベース領域（５－１）とｎ-ドリフト領域（１）とが交互に露出される。ＦＷＤ部（２２）において、メサ部には、基板おもて面にトレンチ（２）長手方向に沿ってｐアノード領域（５－２）とｎ-ドリフト領域（１）とが交互に露出され、ｎ-ドリフト領域（１）の、ｐアノード領域（５－２）間に挟まれた部分と、この部分に接する１つのｐアノード領域（５－２）とを１つのユニット領域とする繰り返し構造が形成される。１つのユニット領域内でｐアノード領域（５－２）が占める割合（アノード比率）（α）は５０％～１００％である。これにより、ＩＧＢＴとＦＷＤとを同一半導体基板に内蔵したＲＣ－ＩＧＢＴのダイオード特性を向上させることができる。

Description

半導体装置
　この発明は、半導体装置に関する。
　近年のパワーエレクトロニクス分野における電源機器の小型化、高性能化への要求を受けて、電力用半導体装置では、高耐圧化、大電流化とともに、低損失化、高破壊耐量化、高速化に対する性能の改善に力が注がれている。これらの大電流化、低損失化が可能な電力用半導体装置として、ＭＯＳゲート（金属－酸化膜－半導体からなる絶縁ゲート）により駆動されるＭＯＳパワーデバイスが公知である。
　このＭＯＳパワーデバイスのＭＯＳゲート構造として、半導体基板上に平板状にＭＯＳゲートを設けたプレーナゲート構造、および、半導体基板に形成したトレンチ内にＭＯＳゲートを埋め込んだトレンチゲート構造の２種類の構造が広く知られている。最近の縦型パワーデバイスにおいては、構造的に低オン抵抗特性を得やすいことから、トレンチゲート構造が注目されている。
　このトレンチゲート構造の縦型ＭＯＳパワーデバイスとして、並列トレンチ間の長手方向にｐ型チャネル領域とｎ型半導体基板の各表面が交互に現われるように配設され、該ｐ型チャネル領域の表面層に選択的に形成されるｎ+型エミッタ領域の表面形状が、トレンチ側で広く、トレンチ間の中央側で狭くなっている装置が提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。
　また、別の縦型ＭＯＳパワーデバイスとして、電力変換装置全体の小型化を図るために、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）と当該ＩＧＢＴに逆並列に接続された還流ダイオード（ＦＷＤ）とを同一半導体基板（半導体チップ）に内蔵して一体化した構造の逆導通型ＩＧＢＴ（ＲＣ－ＩＧＢＴ）についても開発が進んでいる。
　従来のＲＣ－ＩＧＢＴについて説明する。図１８は、従来のＲＣ－ＩＧＢＴの構造を示す平面図である。図１９は、図１８の切断線ＡＡ－ＡＡ’における断面構造を示す断面図である。図１８，１９に示すように、従来のＲＣ－ＩＧＢＴは、ｎ-ドリフト領域１０１となる同一のｎ-型半導体基板上に、一般的なフィールドストップ型ＩＧＢＴ（ＦＳ－ＩＧＢＴ）と、当該ＦＳ－ＩＧＢＴに逆並列に接続されたＦＷＤと、を備える。
　通常、ＲＣ－ＩＧＢＴは、ＦＳ－ＩＧＢＴにＦＷＤを逆並列に接続するために、ｎ-型半導体基板のおもて面側のＭＯＳゲート構造を構成するｐベース領域をｐアノード領域１０５－２とし、ｎ-型半導体基板の裏面側に設けられるｐ+コレクタ領域１１１の一部をｎ+カソード領域１１２に置き換えた構造を有する。具体的には、同一のｎ-型半導体基板に、ＦＳ－ＩＧＢＴが設けられたＩＧＢＴ部１２１と、ＦＷＤが設けられたＦＷＤ部１２２と、が設けられている。
　ＩＧＢＴ部１２１において、ｎ-型半導体基板のおもて面側には、トレンチ１０２、ゲート絶縁膜１０３、ゲート電極１０４、ｐベース領域１０５－１、ｎ+エミッタ領域１０６およびｐ+コンタクト領域１０７からなるトレンチゲート型のＭＯＳゲート構造と、エミッタ電極１０９とが設けられている。ｐベース領域１０５－１は、隣り合うトレンチ１０２の間のメサ部（隣り合うトレンチ１０２間に挟まれた領域）において、トレンチ１０２の長手方向に所定の間隔で配置されている。
　トレンチ１０２、ゲート絶縁膜１０３およびゲート電極１０４からなるトレンチゲートは、ＩＧＢＴ部１２１からＦＷＤ部１２２にわたって、ＩＧＢＴ部１２１とＦＷＤ部１２２とが並ぶ方向（短手方向）と直交する方向（長手方向）に延びるストライプ状に設けられている。ＦＷＤ部１２２において、隣り合うトレンチ１０２の間のメサ部には、ｎ-型半導体基板のおもて面の全面にｐアノード領域１０５－２が設けられている。
　ｐアノード領域１０５－２は、エミッタ電極１０９に導通接続されている。ｎ-型半導体基板の裏面側には、ＩＧＢＴ部１２１にｐ+コレクタ領域１１１が設けられ、ＦＷＤ部１２２にｎ+カソード領域１１２が設けられている。ｐ+コレクタ領域１１１およびｎ+カソード領域１１２と、ｎ-ドリフト領域１０１との間に、ｎバッファ層１１０が設けられている。コレクタ電極１１３は、ｐ+コレクタ領域１１１およびｎ+カソード領域１１２に接する。符号１０８は層間絶縁膜である。
　このようなＲＣ－ＩＧＢＴとして、半導体チップのおもて面に通常のＩＧＢＴと同様のパターンでＭＯＳゲート構造を繰り返し配置し、半導体チップの裏面に、ＦＷＤ部のｎ+カソード領域とＩＧＢＴ部のｐ+コレクタ領域とを並列に配置したコレクタショート型の装置が提案されている（例えば、下記特許文献２参照。）。
　また、別のＲＣ－ＩＧＢＴとして、ｎ-型ドリフト層を含む半導体基板にＩＧＢＴ素子として動作するＩＧＢＴ部とダイオード素子として動作するダイオード領域とが交互に繰り返しレイアウトされており、ダイオード領域のうちもっともＩＧＢＴ部側であって、ｎ-型ドリフト層の表層部に、ｎ-型ドリフト層からホールを引き抜くｐ型のショットキーコンタクト領域を設けた装置が提案されている（例えば、下記特許文献３参照。）。
　また、別のＲＣ－ＩＧＢＴとして、半導体基板の第１主面側の第１領域にエミッタ層が設けられ、第２領域にはエミッタ層が設けられない構造とするとともに、半導体基板の第２主面側の第１領域にコレクタ層が設けられ、第２領域にカソード層が設けられた構造とした装置が提案されている（例えば、下記特許文献４参照。）。
　また、別のＲＣ－ＩＧＢＴとして、ダイオード部の基板おもて面側に異なる間隔で複数のトレンチゲートが形成され、さらにトレンチゲート間の間隔が狭い方にｎ型エミッタ領域およびｐ型ベース領域が形成された装置が提案されている（例えば、下記特許文献５参照。）。
　また、メサ部を備えた装置として、基板おもて面側にトレンチを備える縦型のダイオードであって、トレンチが異なる間隔で配置され、トレンチの短手方向におけるトレンチ間の間隔が長い領域と短い領域との２つの領域を備えた半導体装置が提案されている（例えば、下記特許文献６参照。）。
　また、別のＲＣ－ＩＧＢＴとして、次の装置が提案されている。層間絶縁膜の表面および第２トレンチの内表面には、チタン（Ｔｉ）やタングステン（Ｗ）等を用いてバリアメタルが形成されている。エミッタ（アノード）電極は、ｐベース（アノード）層、ｎエミッタ領域およびｐコンタクト領域とバリアメタルを介して接する（例えば、下記特許文献７（第００５４，００８０段落、第５図）参照。）。
　また、別のＲＣ－ＩＧＢＴとして、次の装置が提案されている。裏面電極は、ｐ型コレクタ領域およびｎ型カソード領域との双方に接するように第２主面上に形成され、かつ第２主面側から順に積層されたチタン層、ニッケル（Ｎｉ）層および金（Ａｕ）層を有している。チタン層はｐ型コレクタ領域およびｎ型カソード領域の双方にオーミック接触している（例えば、下記特許文献８参照。）。
　また、別のＲＣ－ＩＧＢＴとして、ＩＧＢＴ領域とＦＷＤ領域とが互いに隣接して交互に設けられ、幅の異なる２種類のＦＷＤ領域を有する装置が提案されている（例えば、下記特許文献９（第００６８段落、第６図）参照。）。下記特許文献９では、幅広領域としてのＦＷＤ領域の幅（幅狭領域としてのＦＷＤ領域を間に挟む２つのチャネル間距離）を１７０μｍ以上とすることで、ＦＷＤ領域として機能しない領域の割合を相対的に減少させて順方向電圧のスナップバックを抑制している。
　また、別のＲＣ－ＩＧＢＴとして、次の装置が提案されている。ＩＧＢＴ部のｐベース層に、トレンチの深さ方向にエミッタ領域およびコンタクト領域よりも深いフローティング層が設けられている。ダイオード部には、フローティング層およびエミッタ領域が設けられていない。ダイオード部のゲート電極はエミッタ電位となっている（例えば、下記特許文献１０参照。）。下記特許文献１０では、フローティング層を設けることで、ＩＧＢＴ部のコンタクト領域からダイオード部への過剰なホール注入を抑制している。
特開２００８－０３４７９４号公報 特開２００５－１０１５１４号公報 特開２００９－０７１２１７号公報 特開２００８－０５３６４８号公報 特開２０１２－００９６２９号公報 特開２００８－０４７５６５号公報 特開２００９－０２７１５２号公報 特開２０１３－０１２７８３号公報 特開２０１０－１７１３８５号公報 特開２０１２－０４３８９０号公報
　しかしながら、上述した従来技術では、ＩＧＢＴ部に、比較的狭いピッチで、トレンチが並ぶ方向と直交する方向に延びるストライプ状にトレンチを配置している。このため、ＦＷＤ部において基板おもて面からｐアノード領域（ｐベース領域）とｎ-ドリフト層とのショットキー接合を貫通するトレンチを設けない場合、ＩＧＢＴ部の最もＦＷＤ部側に設けられたトレンチの底部にオフ状態で電界強度が集中し、耐圧が低下するという問題がある。
　また、上述した特許文献２では、ＩＧＢＴ部全体に部分的にＦＷＤ部を設けているため、ＦＷＤ部からキャリアが引き抜かれ、ＩＧＢＴ部のキャリアが減少してオン抵抗が高くなるため、オン電圧が高くなる虞がある。また、上述した特許文献４のようにＦＷＤ部の基板おもて面側全体にｐアノード領域を設けた構成では、ＦＷＤ部における電界強度は緩和されるが、ＦＷＤ部で正孔の注入効率が増加し、逆回復電流が増加するため、ＩＧＢＴのターンオン損失が増加するほか、ＦＷＤの逆回復耐量が低下するという問題がある。
　この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとダイオードとを同一半導体基板に内蔵して一体化した構造の逆導通型半導体装置において、ダイオード特性を向上させることができる半導体装置を提供することを目的とする。
　上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、第１導電型のドリフト領域となる半導体基板に、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタが設けられた第１素子領域と、ダイオードが設けられた第２素子領域と、を備えた半導体装置であって、次の特徴を有する。前記半導体基板のおもて面に、前記第１素子領域から前記第２素子領域にわたって、前記第１素子領域と前記第２素子領域とが並ぶ方向と直交する長手方向に延びるストライプ状に複数のトレンチが設けられている。前記トレンチの側壁および底面に沿ってゲート絶縁膜が設けられている。前記トレンチの内部の、前記ゲート絶縁膜の内側にゲート電極が設けられている。前記第１素子領域の隣り合う前記トレンチの間のメサ部に、第２導電型のベース領域が選択的に設けられている。前記第２素子領域の隣り合う前記トレンチの間のメサ部に、第２導電型のアノード領域が選択的に設けられている。前記ベース領域の内部に第１導電型のエミッタ領域が選択的に設けられている。前記ベース領域、前記エミッタ領域および前記アノード領域に接する第１電極が設けられている。前記第１素子領域において前記半導体基板の裏面に第２導電型のコレクタ領域が設けられている。前記第２素子領域において前記半導体基板の裏面に第１導電型のカソード領域が設けられている。前記コレクタ領域および前記カソード領域に接する第２電極が設けられている。そして、前記第２素子領域の隣り合う前記トレンチの間のメサ部には、前記トレンチの長手方向に沿って前記アノード領域と前記ドリフト領域とが交互に繰り返し配置されている。前記アノード領域、および、当該アノード領域と当該アノード領域の前記トレンチの長手方向に隣り合う前記アノード領域とに挟まれた部分における前記ドリフト領域からなる単位領域のうち、当該アノード領域が占める割合は５０％以上１００％未満である。
　また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記隣り合う前記アノード領域からそれぞれ前記メサ部に広がるビルトイン空乏層同士が互いにつながっていることを特徴とする。
　また、上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、第１導電型のドリフト領域となる半導体基板に、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタが設けられた第１素子領域と、ダイオードが設けられた第２素子領域と、を備えた半導体装置であって、次の特徴を有する。前記半導体基板のおもて面に、前記第１素子領域から前記第２素子領域にわたって、前記第１素子領域と前記第２素子領域とが並ぶ方向と直交する長手方向に延びるストライプ状に複数のトレンチが設けられている。前記トレンチの側壁および底面に沿ってゲート絶縁膜が設けられている。前記トレンチの内部の、前記ゲート絶縁膜の内側にゲート電極が設けられている。前記第１素子領域の隣り合う前記トレンチの間のメサ部に、第２導電型のベース領域が選択的に設けられている。前記第２素子領域の隣り合う前記トレンチの間のメサ部に、第２導電型のアノード領域が選択的に設けられている。前記ベース領域の内部に第１導電型のエミッタ領域が選択的に設けられている。前記ベース領域、前記エミッタ領域および前記アノード領域に接する第１電極が設けられている。前記第１素子領域において前記半導体基板の裏面に第２導電型のコレクタ領域が設けられている。前記第２素子領域において前記半導体基板の裏面に第１導電型のカソード領域が設けられている。前記コレクタ領域および前記カソード領域に接する第２電極が設けられている。そして、前記第２素子領域の隣り合う前記トレンチの間のメサ部には、前記トレンチの長手方向に沿って前記アノード領域と前記ドリフト領域とが交互に繰り返し配置されている。前記第１電極は、さらに前記第２素子領域における前記ドリフト領域に接している。そして、前記アノード領域、および、当該アノード領域と当該アノード領域の前記トレンチの長手方向に隣り合う前記アノード領域とに挟まれた部分における前記ドリフト領域からなる単位領域のうち、当該アノード領域が占める割合は５０％未満である。
　また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記隣り合う前記トレンチからそれぞれ当該トレンチ間のメサ部に広がるビルトイン空乏層同士が互いにつながっていることを特徴とする。
　本発明にかかる半導体装置によれば、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとダイオードとを同一半導体基板に内蔵して一体化した構造の逆導通型半導体装置において、逆回復電流を低減することができ、逆回復損失を低減することができるため、ダイオード特性を向上させることができるという効果を奏する。
図１は、実施の形態１にかかる半導体装置の構造を示す平面図である。 図２は、図１の切断線Ａ－Ａ’における断面構造を示す断面図である。 図３は、実施の形態１にかかる半導体装置の逆回復特性を示す特性図である。 図４は、実施の形態１にかかる半導体装置の逆回復特性を示す特性図である。 図５は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。 図６は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。 図７は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。 図８は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。 図９は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す説明図である。 図１０は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す説明図である。 図１１は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す説明図である。 図１２は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す説明図である。 図１３は、実施の形態２にかかる半導体装置の構造を示す平面図である。 図１４は、図１３の切断線Ｃ－Ｃ’における断面構造を示す断面図である。 図１５は、実施の形態２にかかる半導体装置の逆回復特性を示す特性図である。 図１６は、実施の形態２にかかる半導体装置の逆回復特性を示す特性図である。 図１７は、実施の形態３にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。 図１８は、従来のＲＣ－ＩＧＢＴの構造を示す平面図である。 図１９は、図１８の切断線ＡＡ－ＡＡ’における断面構造を示す断面図である。 図２０Ａは、実施の形態４にかかる半導体装置の構造を示す平面図である。 図２０Ｂは、実施の形態４にかかる半導体装置の別の一例の構造を示す平面図である。 図２１は、図２０Ａ，２０Ｂの切断線Ｄ－Ｄ’における断面構造を示す断面図である。 図２２Ａは、実施の形態５にかかる半導体装置の構造を示す平面図である。 図２２Ｂは、図２２Ａの切断線Ｅ－Ｅ’における断面構造を示す断面図である。 図２２Ｃは、図２２Ａの切断線Ｆ－Ｆ’における断面構造を示す断面図である。 図２３Ａは、実施の形態６にかかる半導体装置の構造を示す平面図である。 図２３Ｂは、図２３Ａの切断線Ｇ－Ｇ’における断面構造を示す断面図である。 図２３Ｃは、図２３Ａの切断線Ｇ－Ｇ’における断面構造の別の一例を示す断面図である。 図２４は、実施の形態２にかかる半導体装置のＩＧＢＴ部の幅とＦＷＤ部の幅との関係を示す特性図である。 図２５は、実施の形態２にかかる半導体装置の平面構造を示す平面図である。 図２６は、実施の形態２にかかる半導体装置の別の一例を示す平面図である。 図２７は、図２６の切断線Ｈ－Ｈ’における断面構造を示す断面図である。 図２８は、図２６の半導体装置のトレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａと逆回復電流ＩAKとの関係を示す特性図である。 図２９Ａは、図２６の半導体装置のトレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａと順方向電圧降下Ｖｆとの関係を示す特性図である。 図２９Ｂは、図２６の半導体装置のトレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａと逆回復ピーク電流Ｉｒｐとの関係を示す特性図である。 図３０Ａは、定常的な順電流を導通させたときのダイオード内部の電流密度を示す特性図である（トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａ＝８）。 図３０Ｂは、定常的な順電流を導通させたときのダイオード内部の電流密度を示す特性図である（トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａ＝１）。 図３１は、実施の形態７にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。 図３２は、実施の形態７にかかる半導体装置の別の一例の構造を示す断面図である。 図３３は、比較例の半導体装置の構造を示す断面図である。
　以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。本明細書および添付図面においては、ｎまたはｐを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、ｎやｐに付す＋および－は、それぞれそれが付されていない層や領域よりも高不純物濃度および低不純物濃度であることを意味する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
（実施の形態１）
　実施の形態１にかかる半導体装置の構成について説明する。図１は、実施の形態１にかかる半導体装置の構造を示す平面図である。図２は、図１の切断線Ａ－Ａ’における断面構造を示す断面図である。図１，２に示すように、実施の形態１にかかる半導体装置は、ｎ-ドリフト領域１となる同一のｎ-型半導体基板上に、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）が設けられたＩＧＢＴ部２１と、還流用ダイオード（ＦＷＤ）が設けられたＦＷＤ部２２と、を備える。
　ＦＷＤ部２２のＦＷＤは、ＩＧＢＴ部２１のＩＧＢＴに逆並列に接続されている。すなわち、実施の形態１にかかる半導体装置は、逆導通型ＩＧＢＴ（ＲＣ－ＩＧＢＴ）である。ｎ-型半導体基板のおもて面には、ＩＧＢＴ部２１からＦＷＤ部２２にわたって、ＩＧＢＴ部２１とＦＷＤ部２２とが並ぶ方向（短手方向）と直交する方向（長手方向）に延びるストライプ状に所定の間隔で複数のトレンチ２が設けられている。
　トレンチ２の内部には、トレンチ２の内壁に沿ってゲート絶縁膜３が設けられている。また、トレンチ２の内部には、ゲート絶縁膜３の内側にゲート電極４が設けられている。ＩＧＢＴ部２１において、隣り合うトレンチ２の間のメサ部には、トレンチ２長手方向に沿って所定の間隔でｐベース領域５－１が設けられている。ｐベース領域５－１は、トレンチ２に接するように、かつトレンチ２よりも浅い深さ（基板おもて面からの深さ）で設けられている。
　すなわち、ＩＧＢＴ部２１において、ｎ-型半導体基板のおもて面には、トレンチ２長手方向に沿ってｐベース領域５－１とｎ-ドリフト領域１とが交互に露出される。ｐベース領域５－１のトレンチ２長手方向の幅ｘ１１は、ｎ-ドリフト領域１のｐベース領域５－１に挟まれた部分のトレンチ２長手方向の幅、すなわちｐベース領域５－１のトレンチ２長手方向の第１ピッチ（配置間隔）ｘ１２よりも広い（ｘ１１＞ｘ１２）。ｐベース領域５－１の内部には、ｎ+エミッタ領域６およびｐ+コンタクト領域７が選択的に設けられている。
　ｎ+エミッタ領域６は、トレンチ２の側壁に設けられたゲート絶縁膜３に接し、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極４に対向する。ｎ+エミッタ領域６は、例えば、ｐベース領域５－１を挟み込むトレンチ２側にそれぞれ設けられた第１ｎ+領域６－１と、第１ｎ+領域６－１間に設けられ当該第１ｎ+領域６－１同士を連結する第２ｎ+領域６－２とからなる。第２ｎ+領域６－２のトレンチ２長手方向の幅は例えば第１ｎ+領域６－１のトレンチ２長手方向の幅よりも狭く、ｎ+エミッタ領域６は例えばＨ形状の平面形状をなす。
　ｐ+コンタクト領域７は、第１ｎ+領域６－１間に設けられ、ｎ+エミッタ領域６に接する。このようにＩＧＢＴ部２１のｎ-型半導体基板のおもて面側は、ｐベース領域５－１を間引いて配置し、トレンチ２、ゲート絶縁膜３、ゲート電極４、ｐベース領域５－１、ｎ+エミッタ領域６およびｐ+コンタクト領域７からなるトレンチゲート型のＭＯＳゲート構造をトレンチ２長手方向に繰り返し配置した構造となっている。各ＭＯＳゲートはそれぞれＩＧＢＴ（セル部）を構成する。
　ＦＷＤ部２２において、ＩＧＢＴ部２１とＦＷＤ部２２とで配線レイアウトを統一して製造プロセスを簡略化するために、ＦＷＤ部２２のトレンチ２もＩＧＢＴ部２１のトレンチ２と同様にトレンチゲート構造となっている。ＦＷＤ部２２において、隣り合うトレンチ２の間のメサ部には、トレンチ２長手方向に沿って所定の間隔でｐアノード領域５－２が設けられている。すなわち、ｎ-型半導体基板のおもて面に、トレンチ２長手方向に沿ってｐアノード領域５－２とｎ-ドリフト領域１とが交互に露出されている。
　このように、ＦＷＤ部２２において、隣り合うトレンチ２の間のメサ部に設けられたｐベース領域はｐアノード領域５－２を構成する。ｐアノード領域５－２の内部にｐ+コンタクト領域が設けられていてもよい。以降、ＦＷＤ部２２にｐ+コンタクト領域を形成しない場合を例に説明する。ｐアノード領域５－２は、トレンチ２に接し、かつトレンチ２よりも浅い深さで設けられている。ｐアノード領域５－２の不純物濃度は、ｐベース領域５－１の不純物濃度と等しくてもよいし、ｐベース領域５－１の不純物濃度よりも低くてもよい。
　ＦＷＤ部２２のｎ-型半導体基板のおもて面側は、トレンチ２長手方向に沿ってｐアノード領域５－２が繰り返し配置された構造となり、各ｐアノード領域５－２はそれぞれＦＷＤ（セル部）を構成する。具体的には、隣り合うトレンチ２の間のメサ部には、ｎ-ドリフト領域１の、トレンチ２長手方向に隣り合うｐアノード領域５－２に挟まれた部分（以下、ｎ-ドリフト領域１のｐアノード領域５－２に挟まれた部分とする）と、この部分に接する１つのｐアノード領域５－２とを１単位（以下、ユニット領域する）とする繰り返し構造が形成されている。１つのユニット領域内においてｐアノード領域５－２が占める割合（以下、アノード比率とする）αについては後述する。ｐアノード領域５－２のトレンチ２長手方向の幅ｗ１０は、例えば、メサ部のトレンチ２短手方向の幅（すなわちメサ幅）ｗ２０よりも広いのがよい。その理由は、アノード比率αを後述する好適な範囲内に設定しやすいからである。
　ｎ-型半導体基板のおもて面は、第１，２コンタクトホール８－１，８－２を有する層間絶縁膜８で覆われている。第１コンタクトホール８－１はＩＧＢＴ部２１のセル部ごとに設けられ、１つの第１コンタクトホール８－１に１つのセル部のｎ+エミッタ領域６およびｐ+コンタクト領域７が露出されている。第２コンタクトホール８－２はＦＷＤ部２２のセル部ごとに設けられ、１つの第２コンタクトホール８－２に１つのセル部のｐアノード領域５－２が露出されている。第１，２コンタクトホール８－１，８－２にｎ-ドリフト領域１は露出されていない。
　第２コンタクトホール８－２のトレンチ２長手方向の開口幅ｗ１１および第２コンタクトホール８－２のトレンチ２短手方向の開口幅ｗ２１は、ｐアノード領域５－２全体をほぼ露出させることができる程度に大きいのが好ましい。その理由は、コンタクト抵抗を低減することができ、オン電圧を低減することができるからである。具体的には、第２コンタクトホール８－２のトレンチ２長手方向の開口幅ｗ１１および第２コンタクトホール８－２のトレンチ２短手方向の開口幅ｗ２１は、第２コンタクトホール８－２を形成するためのエッチング用マスクのアライメントずれを考慮して、それぞれｐアノード領域５－２のトレンチ２長手方向の幅ｗ１０およびｐアノード領域５－２のトレンチ２短手方向の幅（トレンチ２間のメサ幅ｗ２０）よりも若干狭くするのがよい。
　より具体的には、第２コンタクトホール８－２のトレンチ２長手方向の開口幅ｗ１１は、第２コンタクトホール８－２のトレンチ２長手方向の両端部がそれぞれｐアノード領域５－２とｎ-ドリフト領域１との境界から幅ｗ１２（例えば０．５μｍ～１．０μｍ程度）だけｐアノード領域５－２の内側に位置するように狭くしてもよい。第２コンタクトホール８－２のトレンチ２短手方向の開口幅ｗ２１は、第２コンタクトホール８－２のトレンチ２短手方向の両端部がそれぞれｐアノード領域５－２とトレンチ２の側壁との境界から幅ｗ２２（例えば０．５μｍ～１．０μｍ程度）だけｐアノード領域５－２の内側に位置するように狭くしてもよい。
　エミッタ電極９は、第１コンタクトホール８－１を介してｎ+エミッタ領域６およびｐ+コンタクト領域７に接する。また、エミッタ電極９は、アノード電極を兼ねており、第２コンタクトホール８－２を介してｐアノード領域５－２に接する。エミッタ電極９は、層間絶縁膜８によってゲート電極４と電気的に絶縁されている。ｎ-型半導体基板の裏面の表面層には、ＩＧＢＴ部２１においてｐ+コレクタ領域１１が設けられ、ＦＷＤ部２２において、ｎ+カソード領域１２が設けられている。
　ｐ+コレクタ領域１１およびｎ+カソード領域１２と、ｎ-ドリフト領域１との間には、ｎバッファ層１０が設けられている。ｎバッファ層１０は、オフ時にｐベース領域５－１およびｐアノード領域５－２とｎ-ドリフト領域１との間のｐｎ接合から広がる空乏層がｐ+コレクタ領域１１に達しないように抑制するｎフィールドストップ層としての機能を有する。コレクタ電極１３は、ｐ+コレクタ領域１１に接する。また、コレクタ電極１３は、カソード電極を兼ねており、ｎ+カソード領域１２に接する。
　次に、アノード比率αについて説明する。アノード比率αは、隣り合うトレンチ２の間のメサ部内に配置される１つのユニット領域の基板おもて面における露出面積（表面積）に対する、当該ユニット領域内のｐアノード領域５－２の基板おもて面における露出面積の割合であらわすことができる。具体的には、アノード比率αは、下記（１）式であらわされる。アノード比率αは、ｐアノード領域５－２を形成するためのイオン注入用マスクのアライメントずれなどを考慮して、ｐアノード領域５－２のトレンチ２長手方向の幅（熱拡散による増分を含まない）Ｌｐに基づいて設定される。
　α＝Ｌｐ／Ｌｃ＝Ｌｐ／（Ｌｐ＋Ｌｎ）　・・・（１）
　具体的には、アノード比率αは、例えば５０％～７５％とする。すなわち、ＦＷＤ部２２の隣り合うトレンチ２の間のメサ部に配置された１つのユニット領域内において、熱拡散前のｐアノード領域５－２の露出面積が、基板おもて面におけるｎ-ドリフト領域１の露出面積以上となるように、ｐアノード領域５－２を間引いて配置する。好ましくは、アノード比率αは７５％に近いのがよい。ｐアノード領域５－２を間引くとは、ｐアノード領域５－２を配置しない領域を設けて、トレンチ２長手方向にｎ-ドリフト領域１とｐアノード領域５－２とを交互に露出させることである。
　ｐアノード領域５－２のトレンチ２長手方向の幅（熱拡散による増分を含まない）Ｌｐとは、ｐアノード領域５－２を形成するためのイオン注入用マスクの開口部（ｐアノード領域５－２の形成領域を露出する開口部）のトレンチ２長手方向の幅である。すなわち、ｐアノード領域５－２のトレンチ２長手方向の幅（熱拡散による増分を含まない）Ｌｐは、イオン注入後の熱拡散処理によって拡散されるｐアノード領域５－２のトレンチ２長手方向の幅の増分を含んでおらず、熱拡散後のｐアノード領域５－２のトレンチ２長手方向の幅ｗ１０よりも狭い。
　Ｌｎは、ｎ-ドリフト領域１のｐアノード領域５－２に挟まれた部分のトレンチ２長手方向の幅（すなわちｐアノード領域５－２のトレンチ２長手方向の第２ピッチ）である。Ｌｃは、ｐアノード領域５－２のトレンチ２長手方向の幅（熱拡散による増分を含まない）Ｌｐと、ｎ-ドリフト領域１のｐアノード領域５－２に挟まれた部分のトレンチ２長手方向の幅Ｌｎとの総和（以下、ユニット長とする）である。Ｌｐ，Ｌｎ，Ｌｃは各領域の熱拡散前のトレンチ２長手方向の幅であるが、Ｌｐ，Ｌｎ，Ｌｃがいずれの領域の寸法を示すものであるかを明確にするために、符号Ｌｐ，Ｌｎ，Ｌｃを図１にそれぞれ図示する（図１３，２０Ａ，２０Ｂ，２２Ａ，２６についても同様）。
　次に、アノード比率αと逆回復特性との関係について検証した結果を図３，４に示す。図３，４は、実施の形態１にかかる半導体装置の逆回復特性を示す特性図である。図３には、逆回復電流Ｉａｋ波形を示す。図４には、アノード比率αと逆回復ピーク電流（逆回復電流Ｉａｋ波形のピーク値）Ｉｒｐとの関係を示す。シミュレーション技術を用いて、上述した実施の形態１にかかる半導体装置のアノード比率αを１２．５％、２５％、５０％、７５％および１００％とした場合の逆回復電流Ｉａｋを算出した。
　具体的には、トレンチ２の繰り返しピッチを５μｍとした。トレンチ２の短手方向の幅は１μｍであり、トレンチ２間のメサ幅ｗ２０は４μｍである。ｐアノード領域５－２のトレンチ２長手方向の幅（熱拡散による増分を含まない）Ｌｐを５μｍとした。そして、ユニット長Ｌｃを４０μｍ（α＝１２．５％）、２０μｍ（α＝２５％）、１０μｍ（α＝５０％）、約６．７μｍ（α＝７５％）および５μｍ（α＝１００％）とすることでアノード比率αを変更して逆回復電流Ｉａｋを算出している。アノード比率αが１００％とは、ｐアノード領域５－２を間引いていない場合、すなわちＦＷＤ部２２における隣り合うトレンチ２の間のメサ部において基板おもて面全体にｐアノード領域５－２が露出されている場合である（図１５，１６においても同様）。
　図３，４に示す結果より、アノード比率αを５０％以上１００％未満とすることで、アノード比率αが１００％である場合よりも逆回復ピーク電流Ｉｒｐを小さくすることができることが確認された。また、アノード比率αが７５％である場合に、逆回復ピーク電流Ｉｒｐを最も小さくすることができることが確認された。なお、図４にはデータ点は５点であるが、各点の間の条件も実験評価をしており、各点をむすぶ直線の特性を示すことを確認した。
　一般的には、ｎ-ドリフト領域１の表面がｐアノード領域５－２を介さずに直接酸化膜（層間絶縁膜８）と接する部分では、導通時に過剰キャリアがｐアノード領域５－２のドーピング濃度以上に蓄積される。そのため、逆回復ピーク電流Ｉｒｐはｐアノード領域５－２が全面に形成される場合、すなわちアノード比率αが１００％の場合よりも増加する。それに対して、本発明では、アノード比率αが５０％以上１００％未満の場合では増加せず、むしろアノード比率αが１００％のときよりも減少している。これは、従来のダイオードには見られない特異な効果である。
　この理由としては、以下のことが考えられる。アノード比率αが５０％以上１００％未満のときには、トレンチ２長手方向に沿って隣り合うｐアノード領域５－２の間隔が、ｐｎ接合のビルトイン空乏層幅よりも小さくなる。そのため、隣り合うｐアノード領域５－２からそれぞれ広がるビルトイン空乏層同士は、これらに挟まれるｎ-ドリフト領域１において互いにつながっている。このビルトイン空乏層は、ｐｎ接合に対して逆バイアスとなっているため、当該ｐｎ接合に順バイアスが印加されても、ビルトイン空乏層が消滅されるまではｎ-ドリフト領域１に正孔が注入されない。すなわち、周知のＪＦＥＴ効果により正孔の注入が抑制される。そのため、アノード比率αが５０％以上１００％未満の場合の正孔の注入効率は、アノード比率αが１００％の場合よりも低下する。これによって、定格電流が流れている状態のキャリア濃度分布は、ｎ+カソード領域１２側に比べて相対的にｐアノード領域５－２側が下がる分布となる。以上の一連の作用が、図３，４に示すように、逆回復ピーク電流Ｉｒｐの低減効果を奏する。
　アノード比率αが５０％未満であるときに逆回復ピーク電流Ｉｒｐが増加する理由は、両側のｐアノード領域５－２からそれぞれｎ-ドリフト領域１に広がるビルトイン空乏層同士がつながっていないため、ＪＦＥＴ効果が低減するからである。ＪＦＥＴ効果が低減することで、酸化膜直下の蓄積キャリアは増加に転じるため、逆回復ピーク電流Ｉｒｐが増加する。
　以上より、隣り合うｐアノード領域５－２の間隔は、各ｐアノード領域５－２からそれぞれ広がるビルトイン空乏層同士がつながる程度の距離以下であることが好ましい。この場合、さらに以下のような効果を奏する。例えばｐアノード領域５－２のトレンチ２長手方向の幅Ｌｐをトレンチ２間のメサ幅ｗ２０よりも十分小さくする。これにより、ｐアノード領域５－２のトレンチ２長手方向の幅Ｌｐが短くても、隣り合うｐアノード領域５－２の間隔を、当該各ｐアノード領域５－２からそれぞれ広がるビルトイン空乏層同士がつながる程度の距離以下とすることができる。このため、逆回復ピーク電流Ｉｒｐはさらに低減され、例えば図４に示す逆回復ピーク電流Ｉｒｐの最小値をさらに低下させることができる。これにより、逆回復ピーク電流Ｉｒｐが最小となるアノード比率αを７５％以上（さらには８０％以上）１００％未満の間にすることができる。
　次に、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法について、定格電圧１２００Ｖ、定格電流４００ＡのＲＣ－ＩＧＢＴを作製（製造）する場合を例に説明する。図５～８は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。図９～１２は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す説明図である。図９～１２では、それぞれ、（ｂ）に製造途中の平面構造を示し、（ａ）に（ｂ）のＢ－Ｂ’切断線における断面構造を示す。まず、図５に示すように、例えば厚さ６５０μｍで直径６インチの、ｎ-ドリフト領域１となるｎ-型シリコン（Ｓｉ）基板（ｎ-型半導体基板）３１を用意する。
　定格電圧１２００Ｖの場合、シリコン基板の比抵抗は例えば４０Ωｃｍ～８０Ωｃｍ程度である。このため、ｎ-型半導体基板３１の比抵抗は、例えば５５Ωｃｍ程度としてもよい。シリコン基板の主面の面方位は、例えば（１００）である。次に、図示を省略した終端構造部において、ｎ-型半導体基板３１のおもて面側に、耐圧構造を構成する例えばｐガードリングを形成する。終端構造部とは、活性領域のｎ-ドリフト領域１にかかる電界を緩和して耐圧を保持する領域である。活性領域とは、ＲＣ－ＩＧＢＴの素子構造が形成される領域である。図１，２，５～１４，１７，２０Ａ～２３Ｃ，２６，２７においても同様に終端構造部を図示省略する。
　具体的には、ｎ-型半導体基板３１のおもて面に、ｐガードリングの形成領域が開口したレジストマスク（不図示）を形成する。次に、レジストマスクをマスクとしてｎ-型半導体基板３１のおもて面に例えばボロン（Ｂ）などのｐ型不純物をイオン注入する。次に、レジストマスクを除去した後、熱拡散処理によりｎ-型半導体基板３１に注入したｐ型不純物を拡散させることでｐガードリングが形成される。また、図６に示すように、ｐガードリングを形成するための熱拡散処理により、ｎ-型半導体基板３１のおもて面に酸化膜３２が形成される。
　次に、フォトリソグラフィにより、トレンチ２の形成領域に対応する部分の酸化膜３２を除去する。次に、酸化膜３２をマスクとして例えば異方性乾式エッチングを行い、ｎ-型半導体基板３１のおもて面に所定の深さでトレンチ２を形成する。次に、犠牲酸化により、トレンチ２の内壁に犠牲酸化膜（不図示）を形成し、この犠牲酸化膜を除去することで、トレンチ２の形成によりｎ-型半導体基板３１表面に生じた欠陥層を除去する。次に、活性領域においてｎ-型半導体基板３１のおもて面を覆う酸化膜３２を除去する。
　次に、図７に示すように、熱酸化により、ｎ-型半導体基板３１のおもて面に、トレンチ２の内壁に沿うようにゲート絶縁膜３を形成する。ゲート絶縁膜３の厚さは、例えば１００ｎｍ～１２０ｎｍであり、実施の形態１においては例えば１１０ｎｍである。次に、導電性多結晶シリコン膜３３をｎ-型半導体基板３１のおもて面に堆積してトレンチ２の内部に埋め込む。次に、図８に示すように、ゲート絶縁膜３が露出されるまで導電性多結晶シリコン膜３３をエッチバックし、トレンチ２の内部にのみゲート電極４となる導電性多結晶シリコン膜３３を残す。次に、ｎ-型半導体基板３１のおもて面上のゲート絶縁膜３および酸化膜３２を除去する。
　次に、図９に示すように、熱酸化法により、ｎ-型半導体基板３１のおもて面にスクリーン酸化膜３４を形成する。図９（ｂ）では、スクリーン酸化膜３４を図示省略する（図１０～１２の（ｂ）も同様）。次に、フォトリソグラフィにより、ｎ-型半導体基板３１のおもて面に、ｐベース領域５－１の形成領域を露出する第１開口部３５ａ、および、ｐアノード領域５－２の形成領域を露出する第２開口部３５ｂを有するレジストマスク３５を形成する。レジストマスク３５の第２開口部３５ｂのトレンチ２長手方向の幅Ｌｐは、上記（１）式であらわされるアノード比率αが５０％～７５％の範囲内となるように設定される。
　次に、レジストマスク３５をマスクとして、ｎ-型半導体基板３１のおもて面に、スクリーン酸化膜３４越しに例えばボロンなどのｐ型不純物を第１イオン注入４１する。この第１イオン注入４１により、レジストマスク３５の第１，２開口部３５ａ，３５ｂに露出されたｎ-ドリフト領域１にｐ型不純物領域５－１ａ，５－２ａが形成される。その後、レジストマスク３５を除去する。このとき、ＩＧＢＴ部２１のｐベース領域５－１と、ＦＷＤ部２２のｐアノード領域５－２とを異なる不純物濃度で形成する場合には、さらにレジストマスクの形成とｐ型不純物のイオン注入とを行えばよい。
　具体的には、ｐベース領域５－１とｐアノード領域５－２とを異なる不純物濃度で形成する場合、例えば、最初にＩＧＢＴ部２１の領域内の、ｐベース領域５－１の形成領域のみ選択的に開口したレジストマスクを形成する。次に、このレジストマスクをマスクとして例えばボロンをドーズ量が２×１０13／ｃｍ2程度で加速エネルギーが１００ｋｅＶ程度にてイオン注入した後、レジストマスクを除去する。次に、ＦＷＤ部２２の領域内の、ｐアノード領域５－２の形成領域のみ選択的に開口したレジストマスクを形成する。そして、このレジストマスクをマスクとして例えばボロンをドーズ量が１×１０12／ｃｍ2以上１×１０13／ｃｍ2以下程度の範囲で、加速エネルギーが１００ｋｅＶ程度にてイオン注入した後、レジストを除去すればよい。
　次に、図１０に示すように、１０５０℃以上１１５０℃以下程度の範囲の温度で熱拡散処理を行い、ｐ型不純物領域５－１ａが熱拡散されてなるｐベース領域５－１と、ｐ型不純物領域５－２ａが熱拡散されてなるｐアノード領域５－２とを形成する。以上の処理により、半導体装置のゲートしきい値を約６Ｖとする。
　次に、図１１に示すように、フォトリソグラフィにより、ｎ-型半導体基板３１のおもて面に、ｐ+コンタクト領域７の形成領域を露出する開口部を有するレジストマスク３６を形成する。レジストマスク３６の開口部はＩＧＢＴ部２１の領域内のみとし、ＦＷＤ部２２には形成しない。次に、レジストマスク３６をマスクとして、ｎ-型半導体基板３１のおもて面に、スクリーン酸化膜３４越しに例えばボロンなどのｐ型不純物を第２イオン注入４２する。例えば、イオン注入のドーズ量は例えば１×１０15／ｃｍ2以上５×１０15／ｃｍ2以下程度の範囲で、加速エネルギーが１００ｋｅＶ程度であってもよい。次に、レジストマスク３６を除去した後、第２イオン注入４２されたｐ型不純物を例えば１０００℃程度の温度で熱拡散させることで、ＩＧＢＴ部２１のみ、ｐベース領域５－１の内部にｐ+コンタクト領域７を形成する。図１１（ｂ）では、レジストマスク３６を図示省略する。
　次に、図１２に示すように、フォトリソグラフィにより、ｎ-型半導体基板３１のおもて面に、ｎ+エミッタ領域６の形成領域を露出する開口部を有するレジストマスク３７を形成する。次に、レジストマスク３７をマスクとして、ｎ-型半導体基板３１のおもて面に、スクリーン酸化膜３４越しに例えば砒素（Ａｓ）などのｎ型不純物を第３イオン注入４３する。次に、レジストマスク３７を除去した後、第３イオン注入４３されたｎ型不純物を熱拡散させることで、ｐベース領域５－１の内部にｎ+エミッタ領域６を形成する。図１２（ｂ）では、レジストマスク３７を図示省略する。
　次に、ｎ-型半導体基板３１のおもて面全面にＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ　Ｐｈｏｓｐｈｏ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ）等の層間絶縁膜８を形成する。次に、フォトリソグラフィにより層間絶縁膜８を選択的に除去し、第１，２コンタクトホール８－１，８－２を形成する。次に、一般的な方法により、ｎ-型半導体基板３１のおもて面にエミッタ電極９を形成した後、ｎ-型半導体基板３１のおもて面側を例えばレジスト膜（不図示）で保護する。次に、ｎ-型半導体基板３１の裏面を研削して、ｎ-型半導体基板３１の厚さを例えば１２５μｍにまで薄くした後、エッチングして研削歪層を除去する。
　次に、ｎ-型半導体基板３１の裏面から例えばセレン（Ｓｅ）などのｎ型不純物を第４イオン注入する。第４イオン注入は、ｎバッファ層１０を形成するためのイオン注入であり、例えば、ドーズ量を３×１０14／ｃｍ2程度とし、加速エネルギーを１００ｋｅＶ程度としてもよい。ｎ-型半導体基板３１の裏面から、第４イオン注入よりも浅い領域に例えばボロンなどのｐ型不純物を第５イオン注入する。第５イオン注入は、ｐ+コレクタ領域１１を形成するためのイオン注入であり、例えば、ドーズ量を８×１０13／ｃｍ2程度とし、加速エネルギーを４０ｋｅＶ程度としてもよい。
　次に、フォトリソグラフィにより、ｎ-型半導体基板３１の裏面に、ｎ+カソード領域１２の形成領域、すなわちＦＷＤ部２２を露出する開口部を有する例えば２μｍ程度の厚さのレジストマスク（不図示）を形成する。次に、このレジストマスクをマスクとして、ｎ-型半導体基板３１の裏面に例えばリン（Ｐ）などのｎ型不純物を第６イオン注入する。第６イオン注入は、例えば、ドーズ量を２×１０15／ｃｍ2程度とし、加速エネルギーを１１０ｋｅＶ程度としてもよい。
　次に、ｎ-型半導体基板３１のおもて面を保護するレジスト膜およびｎ-型半導体基板３１の裏面のレジストマスクを除去する。次に、例えば９５０℃程度の温度で３０分間程度の熱処理を行うことにより、第４～６イオン注入で形成された不純物領域を活性化する。次に、ｎ-型半導体基板３１のおもて面側に例えば５μｍ程度の厚さのアルミニウムシリコン（Ａｌ－Ｓｉ、例えばＳｉを１％含有するＡｌ）膜を形成する。そして、このＡｌ－Ｓｉ膜をパターニングすることでエミッタ電極９を形成する。
　次に、ｎ-型半導体基板３１の裏面から例えばヘリウム（４Ｈｅ）を２３ＭｅＶ程度の加速エネルギーでドーズ量１×１０13／ｃｍ2程度照射する。次に、３７０℃程度の温度で１時間程度のアニール（熱処理）を行い、ヘリウム照射によってｎ-型半導体基板３１の内部に生じた欠陥を回復させる。その後、ｎ-型半導体基板３１の裏面にＡｌ膜、Ｔｉ膜、Ｎｉ膜および金（Ａｕ）膜をそれぞれ１μｍ、０．０７μｍ、１μｍおよび０．３μｍ程度の厚さで順に堆積してコレクタ電極１３を形成することにより、図１，２に示すＲＣ－ＩＧＢＴが完成する。
　以上、説明したように、実施の形態１によれば、アノード比率を５０％～７５％とすることで逆回復電流を低減することができ、逆回復損失を低減することができるため、ダイオード特性を向上させることができる。また、実施の形態１によれば、ＦＷＤ部においてエミッタ電極とｎ-ドリフト領域とのショットキー接合が形成されていないため、オフ時に漏れ電流が増加することを防止することができる。また、実施の形態１によれば、ＩＧＢＴ部とＦＷＤ部とを分けて配置することで、ＩＧＢＴのみが設けられた領域（ＩＧＢＴ部）を上記特許文献２よりも広く確保することができる。これにより、ＦＷＤ部からキャリアが引き抜かれたとしても、ＩＧＢＴ部でのキャリア濃度を高く維持することができる。このため、オン抵抗を低減させることができ、オン電圧を低減させることができる。
（実施の形態２）
　次に、実施の形態２にかかる半導体装置の構成について説明する。図１３は、実施の形態２にかかる半導体装置の構造を示す平面図である。図１４は、図１３の切断線Ｃ－Ｃ’における断面構造を示す断面図である。実施の形態２にかかる半導体装置が実施の形態１にかかる半導体装置と異なる点は、次の２点である。１つ目の相違点は、ＦＷＤ部２２において、隣り合うトレンチ２の間のメサ部のほぼ全面が第２コンタクトホール５８－２に露出されており、ｐアノード領域５－２とｎ-ドリフト領域１とがともにエミッタ電極９に接続されている点である。
　すなわち、ＦＷＤ部２２において、ｎ-ドリフト領域１とエミッタ電極９とのショットキー接合が形成されている。エミッタ電極９の、少なくともＦＷＤ部２２のシリコン部と接触する部分における構成材料は、例えばＳｉを１％含有するＡｌ、プラチナ（Ｐｔ）またはプラチナシリサイド（ＰｔＳｉ）など、シリコン部との界面におけるショットキーバリアの障壁の高さΔφBが０．８ｅＶ以上となる材料を用いるのが好ましい。これにより、漏れ電流を低減することができる。小型化などによりＩＧＢＴ部２１におけるエミッタ電極９とシリコン部との間にバリアメタルを設ける場合に有効である。
　２つ目の相違点は、アノード比率αが低いほど好ましく（α≠０％）、例えば、５０％未満、好適には２５％以下であるのがよい点である。その理由は、アノード比率αを低くするほど逆回復ピーク電流Ｉｒｐを小さくすることができるからである。アノード比率αと逆回復特性との関係について検証した結果を図１５，１６に示す。図１５，１６は、実施の形態２にかかる半導体装置の逆回復特性を示す特性図である。図１５には、逆回復電流Ｉａｋ波形を示す。図１６には、アノード比率αと逆回復ピーク電流Ｉｒｐとの関係を示す。
　シミュレーション技術を用いて、上述した実施の形態２にかかる半導体装置のアノード比率αを１５％、２５％、５０％、７５％および１００％とした場合の逆回復電流Ｉａｋを算出した。具体的には、ｐアノード領域５－２のトレンチ２長手方向の幅（熱拡散による増分を含まない）Ｌｐを５μｍとした。そして、ユニット長Ｌｃを約３３μｍ（α＝１５％）、２０μｍ（α＝２５％）、１０μｍ（α＝５０％）、約６．７μｍ（α＝７５％）および５μｍ（α＝１００％）とすることでアノード比率αを変更して逆回復電流Ｉａｋを算出している。
　図１５，１６に示す結果より、アノード比率αを低くするほど、アノード比率αが１００％である場合よりも逆回復ピーク電流Ｉｒｐを最も小さくすることができることが確認された。
　実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法において、アノード比率αが低くなるようにｐアノード領域５－２を配置することと、ＦＷＤ部２２において隣り合うトレンチ２の間のメサ部のほぼ全面が露出されるように第２コンタクトホール５８－２を形成することとを行えばよい。実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法の、これら２点以外は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法と同様である。
　次に、ＩＧＢＴ部２１およびＦＷＤ部２２の好ましい幅について説明する。図２４は、実施の形態２にかかる半導体装置のＩＧＢＴ部の幅とＦＷＤ部の幅との関係を示す特性図である。図２５は、実施の形態２における半導体装置の平面構造を示す平面図である。図２５に示すように、ＩＧＢＴ部２１およびＦＷＤ部２２からなる逆導通型ＩＧＢＴのチップの外周部に、活性領域を取り囲むようにエッジ終端領域７２が形成されている。ゲートランナー７３は、活性領域の外周部に沿って、かつエッジ終端領域７２に取り囲まれるように形成されている。ゲートランナー７３は、ゲートパッド７４から活性領域内部のＩＧＢＴセルにゲート信号を供給するための配線である。ゲートランナー７３で囲まれる領域（活性領域の内側の領域）には、所定の大きさを備えるＩＧＢＴ部２１とＦＷＤ部２２とが交互に繰り返し配置される。このように、ＩＧＢＴ部２１とＦＷＤ部２２とを交互に繰り返し複数配置することで、ＩＧＢＴ部２１のオン時、およびＦＷＤ部２２の逆導通時のそれぞれにおいて、チップ全体に電流を均等に分散させる。
　ＩＧＢＴ部２１の幅ＷIGBTを、ＩＧＢＴ部２１とＦＷＤ部２２とが交互に繰り返し配置される方向の、隣り合うＦＷＤ部２２間の長さとする。すなわち、例えば略矩形状の平面形状のＩＧＢＴ部２１の短いほうの幅をＷIGBTとする。同様に、ＦＷＤ部２２の幅ＷFWDを、ＩＧＢＴ部２１とＦＷＤ部２２とが交互に繰り返し配置される方向の、隣り合うＩＧＢＴ部２１間の長さとする。すなわち、例えば略矩形状の平面形状のＦＷＤ部２２のうち短いほうの幅をＷFWDとする。このＩＧＢＴ部２１の幅ＷIGBTおよびＦＷＤ部２２の幅ＷFWDについて、電流密度が４００Ａ／ｃｍ2で温度が１２５℃におけるオン電圧を示すグラフを図２４に示す。図２４には、ＦＷＤ部２２の幅ＷFWDを１μｍ，３μｍ，１０μｍ，１００μｍ，１０００μｍとしたときのそれぞれのオン電圧を複数のデータ点を結ぶ近似曲線で示す。図２４において、縦軸はオン電圧であり、横軸はＩＧＢＴ部の幅ＷIGBTである。ここで、ゲートランナー７３で囲まれる領域が全てＩＧＢＴ部である場合（すなわちＦＷＤ部を設けていない）のオン電圧は１．１Ｖであり、図２４にはオン電圧＝１．１Ｖの位置を最も太い破線（横線）で示す。
　図２４に示すように、それぞれのＦＷＤ部２２の幅ＷFWDにおいて、ＩＧＢＴ部２１の幅ＷIGBTがある程度の幅より短くなると、オン電圧が増加する。特に、全てのＦＷＤ部２２の幅ＷFWDにおいて、オン電圧が１．３Ｖ以上では、ＩＧＢＴ部２１の幅ＷIGBTの減少に対して急激にオン電圧が増加することが分かった。図２４には、オン電圧＝１．３Ｖの位置を実線（ＦＷＤ部２２の幅ＷFWD＝１μｍの場合のデータ点よりも右側の横線）で示し、オン電圧が１．３Ｖより大きい部分の近似曲線を点線で示す（ＦＷＤ部２２の幅ＷFWDが１μｍ，３μｍ，１０μｍ，１０００μｍの場合については、オン電圧が１．３Ｖより大きいデータ点を白抜きの記号で示す）。オン電圧が１．３Ｖであることは、電流－電圧カーブにおいて、電流が増加せずにスナップバックが発生することに対応する。スナップバックとは、ＩＧＢＴ部２１のＭＯＳゲートから注入された電子が、フィールドストップ層（ｎバッファ層１０）を通って、ＩＧＢＴ部２１に隣接するＦＷＤ部２２のｎ+カソード領域１２に流入するために、ＩＧＢＴ部２１のｐ+コレクタ領域１１からの正孔注入が阻害される現象である。このスナップバック現象を抑制するには、ＩＧＢＴ部２１の幅ＷIGBTを、オン電圧が１．３Ｖよりも低くなる幅とする必要がある。
　具体的には、ＩＧＢＴ部２１の単位セルの寸法、すなわちトレンチ２の繰り返しピッチにもよるが、トレンチ２の繰り返しピッチが１μｍ以上の場合、ＦＷＤ部２２の幅ＷFWDは少なくとも１μｍ以上必要であるので、ＩＧＢＴ部２１の幅ＷIGBTは２０μｍ以上であるのがよい。ただし、通常はＦＷＤ部２２がＩＧＢＴ部２１よりも大きい電流密度を担い、電流密度比はＦＷＤ部２２がＩＧＢＴ部２１の２倍以上である。そのため、ＩＧＢＴ部２１とＦＷＤ部２２との幅の比（＝ＷIGBT／ＷFWD）は、２以上とする。この場合、ＦＷＤ部２２の幅ＷFWDを１０μｍとし、ＩＧＢＴ部２１の幅ＷIGBTを２０μｍ以上とすれば、オン電圧の増大を抑制することができる。また、ＦＷＤ部２２の幅ＷFWDが例えば１００μｍの場合、ＩＧＢＴ部２１の幅ＷIGBTは１００μｍ以上であり、ＦＷＤ部２２の幅ＷFWDが例えば１０００μｍの場合、ＩＧＢＴ部２１の幅ＷIGBTは１０００μｍ以上とする必要がある。ＩＧＢＴ部２１およびＦＷＤ部２２のそれぞれの領域の幅が正孔の拡散長よりも長くなると、電流はＩＧＢＴ部２１およびＦＷＤ部２２のそれぞれに流れるようになるため、電流に偏りが生じる。したがって、特にＩＧＢＴ部２１の幅ＷIGBTは３００μｍ以下が好ましく、この場合ＦＷＤ部２２の幅ＷFWDは、電流密度比にもよるが１５０μｍ以下が好ましい。以上より、ＩＧＢＴ部２１の幅ＷIGBTは２０μｍ以上３００μｍ以下であり、ＦＷＤ部２２の幅ＷFWDは１０μｍ以上１５０μｍ以下であるのが好ましい。特に、ＩＧＢＴ部２１の幅ＷIGBTを２０μｍ以上１００μｍ以下とし、ＦＷＤ部２２の幅ＷFWDを１０μｍ以上５０μｍ以下とすることで、スナップバック現象の抑制とチップ内電流分散の効果とを両立することができる。
　他に、実施の形態２の変形例１として、トレンチ２間のメサ幅ｗ２０を４μｍよりもさらに狭くしてもよい。トレンチ２とメサ部との境界からビルトイン空乏層がメサ部に広がっている。このメサ部のメサ幅ｗ２０をさらに狭くして、両側のトレンチ２から広がるビルトイン空乏層同士をつなげることで、メサ部をゼロバイアスで完全に空乏化させることができる。これにより、ＦＷＤ部２２において、ｐアノード領域５－２を形成せずにｎ-ドリフト領域１とアノード電極とのショットキー接触のみとしても、メサ部にトレンチ２から空乏層が広がってピンチオフさせることができるようになる。これよって、素子の耐圧に近い程度の逆バイアスにおける周知のバリア高さ低減現象を抑えることが可能となる。このため、例えば従来のＭＰＳ（Ｍｅｒｇｅｄ　ＰｉＮ／Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）ダイオードのようなｐアノード領域５－２が無い場合でも、逆バイアス増加に伴う漏れ電流の増加を抑えることができる。さらに、ｐアノード領域５－２からの正孔注入は完全に無くなり、前述のバリアメタルのバリア高さのみで正孔注入量が決まるため、正孔の注入効率を極めて小さくすることが可能となる。
　実際には、ｎ-ドリフト領域１とアノード電極とのショットキー接触だけでなく、トレンチ２間のメサ幅ｗ２０に対してさらにトレンチ２短手方向の幅が狭いｐアノード領域５－２をメサ部に形成し、そのｐアノード領域５－２のトレンチ２長手方向の繰り返しピッチをトレンチ２間のメサ幅ｗ２０の１０倍かそれ以上にしてもよい。これにより、アノード比率αは１０％未満となり、ｐアノード領域５－２からの正孔注入はｎ-ドリフト領域１とアノード電極とのショットキー接触のみ（アノード比率α＝０％）程度まで十分低減することができる。これよって、逆回復ピーク電流Ｉｒｐを劇的に低減することができるとともに、逆バイアス時にはｐアノード領域５－２が空乏層のピンチオフ効果を増強する。このため、ｎ-ドリフト領域１とアノード電極とのショットキー接触だけの場合よりも、漏れ電流がショットキー界面の欠陥の影響を受けにくく、素子特性を安定化させることができる。
　また、実施の形態２の変形例２として、ＦＷＤ部２２のトレンチ２を異なるトレンチ間隔で設けてもよい。図２６は、実施の形態２にかかる半導体装置の別の一例を示す平面図である。図２７は、図２６の切断線Ｈ－Ｈ’における断面構造を示す断面図である。図２６，２７に示すように、ＦＷＤ部２２のトレンチ２を、例えば、第１トレンチ間隔Ｌａと、第１トレンチ間隔Ｌａよりも広い第２トレンチ間隔Ｌｂとなるように配置してもよい。実施の形態２の変形例２において、ＦＷＤ部２２のアノード比率αを５０％とした場合の、トレンチ２の第１トレンチ間隔Ｌａに対する第２トレンチ間隔Ｌｂの比（＝Ｌｂ／Ｌａ、以下、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａとする）と、逆回復電流ＩAKとの関係を図２８に示す。図２８は、図２６の半導体装置のトレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａと逆回復電流ＩAKとの関係を示す特性図である。図２８には、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａ＝８としたときの逆回復電流波形と、比較として、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａ＝１としたときの逆回復電流波形とを示す。図２８に示すように、トレンチ２の第２トレンチ間隔Ｌｂを第１トレンチ間隔Ｌａよりも大きくすることで、第１トレンチ間隔Ｌａと第２トレンチ間隔Ｌｂとが等しい場合よりも逆回復ピーク電流Ｉｒｐが減少することがわかる。
　また、トレンチ２の第２トレンチ間隔Ｌｂを第１トレンチ間隔Ｌａよりも大きくしたときの、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａと順方向電圧降下Ｖｆとの関係、およびトレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａと逆回復ピーク電流Ｉｒｐとの関係をそれぞれ図２９Ａ，２９Ｂに示す。図２９Ａは、図２６の半導体装置のトレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａと順方向電圧降下Ｖｆとの関係を示す特性図である。図２９Ｂは、図２６の半導体装置のトレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａと逆回復ピーク電流Ｉｒｐとの関係を示す特性図である。図２９Ａ，２９Ｂにおいて最も左側のデータ点が、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａ＝１の場合である。図２９Ａに示すように、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａが１より大きい場合、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａが大きくなるにしたがって、順方向電圧降下Ｖｆは徐々に増加するが、順方向電圧降下Ｖｆの増加分はトレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａ＝２０の場合でも約３％である。一方、図２９Ｂに示すように、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａが大きくなるにしたがって、逆回復ピーク電流Ｉｒｐは徐々に減少する。逆回復ピーク電流Ｉｒｐの減少分は、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａ＝２０で約１０％である。すなわち、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａが１より大きい場合、順方向電圧降下Ｖｆに比べて逆回復電流ＩAKの減少効果が大きい。
　トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａが１より大きい場合に、順方向電圧降下Ｖｆに比べて逆回復電流ＩAKの減少効果が大きい理由を、図３０Ａ，３０Ｂを用いて説明する。図３０Ａ，３０Ｂは、定常的な順電流（＝４００Ａ／ｃｍ2）を導通させたときのダイオード内部の電流密度を示す特性図である。図３０Ａ（ａ）には、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａ＝８のときの電流密度分布を示す。図３０Ａ（ｂ）には、図３０Ａ（ａ）の切断線Ｉ－Ｉ’，Ｊ－Ｊ’で切断した各断面における電流密度分布を示す。図３０Ｂ（ａ）には、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａ＝１のときの電流密度分布を示す。図３０Ｂ（ｂ）には、図３０Ｂ（ａ）の切断線Ｋ－Ｋ’，Ｌ－Ｌ’で切断した各断面における電流密度分布を示す。図３０Ａ（ａ），３０Ｂ（ａ）では、トレンチ８２を１つのみ図示し、このトレンチ８２の短手方向の両隣に隣り合うトレンチ８２を図示省略するが、半導体基板８１の、トレンチ８２よりも右側の領域は第１トレンチ間隔Ｌａで隣り合うトレンチ８２間に挟まれた領域であり、トレンチ８２よりも左側の領域は第２トレンチ間隔Ｌｂで隣り合うトレンチ８２間に挟まれた領域である。図３０Ａ（ｂ），３０Ｂ（ｂ）において、縦軸はホール電流密度であり、横軸は半導体基板８１のおもて面（深さ＝０μｍ）からの深さである。半導体基板８１の内部に図示した異なるハッチングはホール（正孔）電流密度の高低を示しており、図３０Ａ（ｂ），３０Ｂ（ｂ）にそれぞれ示すように半導体基板８１の内部のホール電流密度は半導体基板８１のおもて面から深くなるほど低い。また、半導体基板８１の内部のホール電流密度は、トレンチ８２の短手方向にトレンチ８２から離れるほど低い。
　トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａ＝８の場合、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａ＝８をなす自然数のうち最小の数値（すなわち１および８）の総和（以下、ピッチＬａ＋Ｌｂとする）は９（＝１＋８）であり、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａ＝１の場合、ピッチＬａ＋Ｌｂは２（＝１＋１）である。すなわち、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａ＝８のピッチＬａ＋Ｌｂはトレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａ＝１のピッチＬａ＋Ｌｂの４．５倍であり、その分、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａ＝８の電流密度は全体的にトレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａ＝１の電流密度よりも低くなっている。さらに、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａ＝８においては、半導体基板８１の、第１トレンチ間隔Ｌａで隣り合うトレンチ８２間に挟まれた狭い領域の電流密度が他の領域の電流密度よりも高い。特に、ピッチＬａ＋Ｌｂが大きいことが、順方向電圧降下Ｖｆの増分を２％程度に抑えている理由である。一方、逆回復電流ＩAKの場合、トレンチ８２によりアノード領域（不図示）を複数に区切る（分割する）ことで、半導体基板８１の、第１トレンチ間隔Ｌａで隣り合うトレンチ８２間に挟まれた狭い領域での動作が主となるため、注入効率が低下していく。そのため、逆回復動作時のホールの掃出しが容易となり、逆回復ピーク電流Ｉｒｐが低下する。
　以上より、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａは１よりも大きく（１＜Ｌｂ／Ｌａ）、好ましくは２以上であるのがよい（２≦Ｌｂ／Ｌａ）。また、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａは、１０以上で特性がほぼ飽和するので１０以下であるのがよく（Ｌｂ／Ｌａ≦１０）、好ましくは順方向電圧を低くすることができる５以下であるのがよい（Ｌｂ／Ｌａ≦５）。逆回復電流ＩAKのみに着目すれば、トレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａは１０以上でもよいが、第１トレンチ間隔Ｌａで隣り合うトレンチ８２間に挟まれた狭い領域に電流集中しやすくなるため、電流集中を防ぐ観点からもトレンチ間隔比Ｌｂ／Ｌａは１０以下であるのが好ましい。
　なお、この実施の形態２の変形例２の場合は、アノード比率αが１００％、すなわちＦＷＤ部２２の全面にｐアノード領域が形成されていても同様の効果を奏する。
　以上、説明したように、実施の形態２によれば、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、実施の形態２によれば、ＦＷＤ部においてｎ-ドリフト領域とエミッタ電極とのショットキー接合が形成されていることにより、逆回復ピーク電流をさらに低減することができる。また、実施の形態２によれば、ｐアノード領域を間引いて配置することで、ｐアノード領域とｎ-ドリフト領域との間のｐｎ接合、およびトレンチとｎ-ドリフト領域との境界から伸びる空乏層がピンチオフしやすくなるため、オフ時に漏れ電流が増加することを防止することができる。
（実施の形態３）
　次に、実施の形態３にかかる半導体装置の構成について説明する。図１７は、実施の形態３にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。実施の形態３にかかる半導体装置が実施の形態２にかかる半導体装置と異なる点は、ＦＷＤ部２２におけるゲート電極５４とエミッタ電極９とが導通接続されている点である。すなわち、ＦＷＤ部２２のゲート電極５４はエミッタ電位となっている。この場合、ＩＧＢＴ部２１のゲート電極４は、図示省略する部分でＦＷＤ部２２のゲート電極５４と電気的に絶縁される。
　以上、説明したように、実施の形態３によれば、実施の形態１，２と同様の効果を得ることができる。
（実施の形態４）
　次に、実施の形態４にかかる半導体装置の構成について説明する。図２０Ａは、実施の形態４にかかる半導体装置の構造を示す平面図である。図２０Ｂは、実施の形態４にかかる半導体装置の別の一例の構造を示す平面図である。図２１は、図２０Ａ，２０Ｂの切断線Ｄ－Ｄ’における断面構造を示す断面図である。実施の形態４にかかる半導体装置は、実施の形態３におけるＦＷＤ部のみとし、両側のトレンチ２からメサ部にそれぞれ広がるビルトイン空乏層同士がつながった構成のダイオードである。実施の形態４にかかる半導体装置のそれ以外の構成は、実施の形態３と同様である。符号５９はアノード電極であり、符号６３はカソード電極である。
　例えば、定格電圧が６００Ｖ～６５００Ｖの場合、ｎ-ドリフト領域１となるｎ-型シリコン基板の比抵抗は、典型的には、定格電圧を０．０５倍した値について単位を換算した、３０Ωｃｍ～３２５Ωｃｍである。そのため、片側のトレンチ２からメサ部に広がるビルトイン空乏層の幅は、ポアソンの式を用いて、およそ２．４μｍ～７．８μｍである。したがって、定格電圧が６００Ｖ～６５００Ｖに対して、トレンチ２間のメサ幅ｗ２０をそれぞれ４．８μｍ～１５．６μｍよりも短くすれば、メサ部の両側のトレンチ２から広がるビルトイン空乏層はつながるようになる。より好ましくは、トレンチ２間のメサ幅ｗ２０をさらに短くして、定格電圧が６００Ｖ～６５００Ｖに対して、それぞれ例えば上記の値の半分の２．４μｍ～７．８μｍ以下とすれば、さらに確実に鏡像効果による漏れ電流の増加を抑えることができる。
　定格電圧が６００Ｖ～６５００Ｖに対して、トレンチ２間のメサ幅ｗ２０を４．８μｍ～１５．６μｍとする場合は、定格電圧をＶ、トレンチのメサ幅をＷとして、下記（２）式に沿って定格電圧Ｖに対するメサ幅ｗ２０を算出すればよい。
　Ｗ＝－１．１２５９０×１０-21・Ｖ6＋２．３６０８１×１０-17・Ｖ5－２．００９４７×１０-13・Ｖ4＋９．１５８９９×１０-10・Ｖ3－２．５５８０８×１０-6・Ｖ2＋６．１１４０３×１０-3・Ｖ＋２．０１００５×１０0　・・・（２）
　上記（２）式は、上述の方法により定格電圧Ｖに対して典型的な半導体基板の比抵抗を定義し、定格電圧Ｖが６００Ｖ～６５００Ｖの間の７点（６００Ｖ，１２００Ｖ，１７００Ｖ，２５００Ｖ，３３００Ｖ，４５００Ｖ，６５００Ｖ）においてポアソンの式に従ってビルトイン空乏層幅を求めて、その値を６次の多項式でフィッティングさせたものである。トレンチ２間のメサ幅ｗ２０を狭める場合は、上記（２）式によって算出されたメサ幅Ｗの算出値よりも小さくすればよく、例えばトレンチ２間のメサ幅ｗ２０を上記（２）式によって算出されたメサ幅Ｗの算出値の半分とすればよい。
　また、図２０Ｂに示すように、ｐアノード領域５－２は、トレンチ２を挟んだ隣の２つのｐアノード領域５－２の間の領域（ｎ-ドリフト領域１）に対向するように配置してもよい。ｐアノード領域５－２からは正孔が注入されるため、ｐアノード領域５－２下部の電流密度は増加する。図２０Ｂのようにｐアノード領域５－２を配置すれば、トレンチ２を挟んで隣り合うｐアノード領域５－２同士が離れるため、電流密度の高い領域が分散され、発熱、電流集中等を抑制することができる。
　このように、実施の形態４によれば、トレンチ間のメサ幅を十分狭くすることで、ｐアノード領域が無い場合でも、漏れ電流の増加を抑えたダイオードとすることができる。
（実施の形態５）
　次に、実施の形態５にかかる半導体装置の構成について説明する。図２２Ａは、実施の形態５にかかる半導体装置の構造を示す平面図である。図２２Ｂは、図２２Ａの切断線Ｅ－Ｅ’における断面構造を示す断面図である。図２２Ｃは、図２２Ａの切断線Ｆ－Ｆ’における断面構造を示す断面図である。実施の形態５にかかる半導体装置が実施の形態４にかかる半導体装置と異なる点は、次の２点である。１つ目の相違点は、アノード比率αが１０％以下となるように、ｐアノード領域５－２をトレンチ２長手方向に沿って選択的に形成した点である。２つ目の相違点は、トレンチ２の繰り返しピッチをビルトイン空乏層幅よりも十分短くし、例えばトレンチ２間のメサ幅ｗ２０を上記（２）式の値の半分以下、トレンチ２の短手方向の幅以上とする点である。
　図２２Ｂ，２２Ｃには、ビルトイン空乏層９０の広がる様子を示す。ビルトイン空乏層９０とは、アノード電極５９およびカソード電極（不図示）ともに電圧を印加せず、熱平衡状態においてｐアノード領域５－２とｎ-ドリフト領域１との間のｐｎ接合からｎ-ドリフト領域１に広がる空乏層のことである。トレンチ２間のメサ幅ｗ２０を上記（２）式の値の半分以下とした場合、図２２Ｂに示すように、隣り合うトレンチ２からメサ部に広がるビルトイン空乏層９０は互いに接続される。これによって、ビルトイン空乏層９０の空乏層端９１はｐアノード領域５－２の深さと同等の深さとなり、ビルトイン空乏層９０の空乏層端９１の面形状が基板主面に平行な略平坦な状態となる。そのため、ビルトイン空乏層９０の空乏層端９１が平面接合に近い形状となり、耐圧が向上する。平面接合とは、ｎ-型半導体基板のおもて面の表面層にｐアノード領域５－２を一様に設けた場合の、ｐアノード領域５－２とｎ-ドリフト領域１との間のｐｎ接合である。
　また、ビルトイン空乏層９０の空乏層端９１が平面接合に近い形状となることで、ショットキー接触におけるバリア高さが低下することも抑制することができるため、高い印加電圧でも漏れ電流がほとんど増加しない。さらに、ｐアノード領域５－２のトレンチ２長手方向の第２ピッチを、ビルトイン空乏層９０の幅よりも十分長くして、アノード比率αを１０％以下としても、耐圧および漏れ電流ともにｐアノード領域５－２のトレンチ２長手方向の第２ピッチに依存しなくなる。これにより、ｐアノード領域５－２からｎ-ドリフト領域１への正孔の注入をほとんど無視することができる。また、図２２Ｃに示すように、切断線上にｐアノード領域５－２が設けられていない領域においても、ビルトイン空乏層９０の空乏層端９１の面形状は十分平面接合の場合に近くなる。このような構造において、アノード比率αを１０％以下とすることにより、アノード電極５９の正孔の注入効率を極めて小さく（１０％以下に）できるので、耐圧の低下および漏れ電流の増加を生じさせることなく、逆回復電流の低下が可能である。
　以上、説明したように、実施の形態５によれば、実施の形態３，４と同様の効果を得ることができる。
（実施の形態６）
　次に、実施の形態６にかかる半導体装置の構成について説明する。図２３Ａは、実施の形態６にかかる半導体装置の構造を示す平面図である。図２３Ｂは、図２３Ａの切断線Ｇ－Ｇ’における断面構造を示す断面図である。図２３Ｃは、図２３Ａの切断線Ｇ－Ｇ’における断面構造の別の一例を示す断面図である。実施の形態６にかかる半導体装置が実施の形態５にかかる半導体装置と異なる点は、ｐアノード領域を形成せずに、図２３Ｂに示すようにｎ-ドリフト領域１とアノード電極５９とをショットキー接触のみとする点である。
　実施の形態６においても、実施の形態５と同様に、トレンチ２の繰り返しピッチを十分小さくすることで、ｐアノード領域５－２がなくても、ビルトイン空乏層９０の空乏層端９１の面形状は十分に平面接合の場合に近くなる。そして、ｐアノード領域５－２を形成しないことで、耐圧の低下および漏れ電流の増加を生じさせず、かつｐアノード領域５－２からｎ-ドリフト領域１への正孔の注入効率をほとんど０（ゼロ）にすることも可能である。ショットキー障壁高さが高いアルミニウム－シリコン（Ａｌ－Ｓｉ）合金や白金シリサイド（ＰｔＳｉ）等を用いてアノード電極５９を形成する場合、ｐアノード領域５－２からｎ-ドリフト領域１への正孔の注入が生じるため、正孔の注入効率をゼロにすることはできないが、ｐアノード領域５－２を形成する場合に比べると、その半分以下の注入効率とすることができる。
　また、図２３Ｃに示すように、実施の形態６の変形例として、実施の形態５のｐアノード領域５－２よりも十分浅くて不純物濃度の低い、浅いｐ層５－３を形成してもよい。ｎ-ドリフト領域１とアノード電極５９とのショットキー接触の場合、素子形成プロセスの途中で導入される表面欠陥（表面準位）に対して空乏層が広がり、熱励起によるキャリアの発生が起きやすい。そのため、漏れ電流が増加し、歩留りが低下する虞がある。そこで、図２３Ｃの実施の形態６の変形例のように浅いｐ層５－３を形成することで、空乏層が表面欠陥（表面準位）にあたることを防ぐことができるため、漏れ電流は低い値で安定し、歩留り低下を抑制することができる。
　なお、実施の形態２における半導体装置のＦＷＤ部２２においても、実施の形態４～６に記載のダイオードの構造を適用してもよい。また、実施の形態４～５において、実施の形態６の変形例における浅いｐ層５－３を形成してもよい。これにより、実施の形態６と同様の効果を奏することができる。
　以上、説明したように、実施の形態６によれば、実施の形態３～５と同様の効果を得ることができる。
（実施の形態７）
　次に、実施の形態７にかかる半導体装置の構成について説明する。図３１は、実施の形態７にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。図３１に示す実施の形態７にかかる半導体装置の平面構造は図１と同様であり、図３１は図１の切断線Ａ－Ａ’における断面構造である。図３２は、実施の形態７にかかる半導体装置の別の一例の構造を示す断面図である。図３２に示す実施の形態７にかかる半導体装置の別の一例の平面構造は図１３と同様であり、図３２は図１３の切断線Ｃ－Ｃ’における断面構造である。図３３は、比較例の半導体装置の構造を示す断面図である。実施の形態７にかかる半導体装置が実施の形態１にかかる半導体装置と異なる点は、ｐベース領域５－１およびｐアノード領域５－２とをそれぞれコンタクト電極１８を介してエミッタ電極９に電気的に接続している点である。コンタクト電極１８は、基板おもて面側からチタン（Ｔｉ）層１４、窒化チタン（ＴｉＮ）層１５およびタングステン（Ｗ）層１６を順に積層してなる。
　具体的には、図３１に示すように、ｐアノード領域５－２の内部には、ｐ+コンタクト領域１７が選択的に設けられている。ｐ+コンタクト領域１７は、チタン層１４とのオーミックコンタクト（オーミック性の電気的接触）を実現する。ｐ+コンタクト領域１７は、ＩＧＢＴ部２１のｐ+コンタクト領域７と深さおよび不純物濃度が異なっており、設計条件に基づく所定のＦＷＤ特性が得られるように調整（最適化）されている。例えば、ｐ+コンタクト領域１７の深さはｐ+コンタクト領域７の深さよりも浅く、ｐ+コンタクト領域１７の不純物濃度はｐ+コンタクト領域７の不純物濃度よりも低いことが好ましい。その理由は、ＩＧＢＴ部２１のｐ+コンタクト領域７と同程度に深く、かつ高不純物濃度なｐ+コンタクト領域１７をｐアノード領域５－２に形成した場合、ＦＷＤのオン時にｐアノード領域５－２からｎ-ドリフト領域１への正孔注入が増えすぎてハードリカバリーになるからである。
　コンタクト電極１８は、例えば第１，２コンタクトホール８－１，８－２の内部にそれぞれ埋め込まれている。コンタクト電極１８は、トレンチ２の繰り返しピッチＬ３０が例えば４μｍ以下と狭いことによって第１コンタクトホール８－１のトレンチ２短手方向の開口幅ｗ３１および第２コンタクトホール８－２のトレンチ２短手方向の開口幅ｗ２１も狭くなっている場合であっても良好なオーミックコンタクトを実現する。例えば、図３３に示す比較例のようにコンタクト電極１８を備えていない場合、トレンチ２の繰り返しピッチＬ３０を狭くすることで、第１コンタクトホール８－１のトレンチ２短手方向の開口幅ｗ３１および第２コンタクトホール８－２のトレンチ２短手方向の開口幅ｗ２１も狭くなる。このため、アルミニウムシリコン膜からなるエミッタ電極９のみでは第１，２コンタクトホール８－１，８－２の内部を完全に埋め込むことができない。これによって、エミッタ電極９とシリコン部（ＩＧＢＴ部２１の少なくともｐ+コンタクト領域７、ＦＷＤ部２２のｐアノード領域５－２）との間に隙間１９が生じて、コンタクト抵抗が増大するため、エミッタ電極９とシリコン部との良好なオーミックコンタクトを得ることが難しい。
　一方、本発明においては、チタン層１４、窒化チタン層１５およびタングステン層１６からなるコンタクト電極１８によって、第１，２コンタクトホール８－１，８－２の内部を完全に埋め込むことができる。このため、エミッタ電極９とシリコン部との間に隙間１９が生じることを防止することができる。具体的には、チタン層１４は、第１，２コンタクトホール８－１，８－２それぞれの内部において側壁および基板おもて面に沿って設けられている。チタン層１４は、ＩＧＢＴ部２１においてｎ+エミッタ領域６およびｐ+コンタクト領域７に接し、ＦＷＤ部２２においてｐアノード領域５－２およびｐ+コンタクト領域１７に接する。第１，２コンタクトホール８－１，８－２の内部において、チタン層１４の内側にはチタン層１４に沿って窒化チタン層１５が設けられ、窒化チタン層１５の内側にタングステン層１６が設けられている。エミッタ電極９は、チタン層１４、窒化チタン層１５およびタングステン層１６に接する。
　また、例えば、ＦＷＤ部２２におけるゲート電極４がゲート電位である場合、トレンチ２の繰り返しピッチＬ３０を例えば４μｍ以下と狭くしてＩＧＢＴ部での低オン電圧化を図ったときに、ゲート電圧印加時の順方向電圧が大幅に上昇することが発明者らによって確認されている。例えば、一般的に用いられるゲート電圧１５Ｖの印加時では、順方向電圧の上昇率は、ゲート電圧を印加しない場合（＝０Ｖ）に比べて、トレンチ２の繰り返しピッチＬ３０＝５μｍでは３％程度であるのに対して、トレンチ２の繰り返しピッチＬ３０＝４μｍでは１０％程度となり、トレンチ２の繰り返しピッチＬ３０＝２．３μｍで２１％程度となる。また、順方向電圧の上昇率は、ゲート電圧の大きさに比例して増加する。その理由は、次の通りである。ゲート電圧印加時、トレンチ２の周辺には電子が集中するため、ＦＷＤ部２２におけるトレンチ２の周辺に集中した電子によってｐアノード領域５－２からｎ-ドリフト領域１への正孔注入が抑制される。トレンチ２の繰り返しピッチＬ３０を狭くするほど、ｐアノード領域５－２のトレンチ２短手方向の幅（図１の符号ｗ２０で示す部分）が狭くなるため、トレンチ２の周辺の電子によってｐアノード領域５－２からｎ-ドリフト領域１への正孔注入が抑制される割合が大きくなり、伝導度変調が進まなくなるからである。
　このため、実施の形態７に実施の形態３を適用し、ＦＷＤ部２２におけるゲート電極４とエミッタ電極９とを導通接続してもよい。ＦＷＤ部２２におけるゲート電極４とエミッタ電極９とを導通接続することで、ゲート電圧を印加したときにＦＷＤ部２２におけるトレンチ２の周辺に電子が集中しない。このため、トレンチ２の繰り返しピッチＬ３０を微細化したとしても、ｐアノード領域５－２からｎ-ドリフト領域１への正孔注入が電子によって抑制されないため、低順方向電圧化が可能となる。また、図３２に示すように、実施の形態２に実施の形態７を適用してもよい。具体的には、ＦＷＤ部２２において隣り合うトレンチ２の間のメサ部のほぼ全面を第２コンタクトホール５８－２に露出させた場合においても、ｐアノード領域５－２の内部にｐ+コンタクト領域１７を設け、かつコンタクト電極１８を介してエミッタ電極９とｐ+コンタクト領域１７とを接続してもよい。このように第２コンタクトホール５８－２の平面形状によらず、コンタクト電極１８によってシリコン部との良好なオーミックコンタクトを実現することができる。
　以上、説明したように、実施の形態７によれば、実施の形態１，２と同様の効果を得ることができる。実施の形態７によれば、トレンチの繰り返しピッチを例えば４μｍ以下と狭くして低オン電圧化を図った場合においても、ゲート電圧印加時に順方向電圧が上昇することを抑制するとともに、ＦＷＤ部のアノード側において良好なオーミックコンタクトを実現することができる。
　以上において本発明は、上述した実施の形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、上述した各実施の形態において各部の寸法や表面濃度等は要求される仕様等に応じて種々設定される。また、各実施の形態では第１導電型をｎ型とし、第２導電型をｐ型としたが、本発明は第１導電型をｐ型とし、第２導電型をｎ型としても同様に成り立つ。
　以上のように、本発明にかかる半導体装置は、電力変換装置などに使用されるパワー半導体装置に有用である。
　１　ｎ-ドリフト領域
　２　トレンチ
　３　ゲート絶縁膜
　４，５４　ゲート電極
　５－１　ｐベース領域
　５－２　ｐアノード領域
　６　ｎ+エミッタ領域
　６－１　ｎ+エミッタ領域の構成部（第１ｎ+領域）
　６－２　ｎ+エミッタ領域の構成部（第２ｎ+領域）
　７　ｐ+コンタクト領域
　８　層間絶縁膜
　８－１　ＩＧＢＴ部のコンタクトホール（第１コンタクトホール）
　８－２　ＦＷＤ部のコンタクトホール（第２コンタクトホール）
　９　エミッタ電極
　１０　ｎバッファ層
　１１　ｐ+コレクタ領域
　１２　ｎ+カソード領域
　１３　コレクタ電極
　２１　ＩＧＢＴ部
　２２　ＦＷＤ部
　Ｌｃ　ユニット長
　Ｌｐ　ｐアノード領域のトレンチ長手方向の幅（熱拡散による増分を含まない）
　Ｌｎ　ｎ-ドリフト領域のｐアノード領域に挟まれた部分のトレンチ長手方向の幅（熱拡散による増分を含まない）
　ｗ１０　ｐアノード領域のトレンチ長手方向の幅
　ｗ２０　ｐアノード領域のトレンチ短手方向の幅（メサ幅）
　ｗ１１　第２コンタクトホールのトレンチ長手方向の開口幅
　ｗ２１　第２コンタクトホールのトレンチ短手方向の開口幅
　ｘ１１　ｐベース領域のトレンチ長手方向の幅
　ｘ１２　ｎ-ドリフト領域のｐベース領域に挟まれた部分のトレンチ長手方向の幅
　α　アノード比率

Claims (4)

  1. 　第１導電型のドリフト領域となる半導体基板に、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタが設けられた第１素子領域と、ダイオードが設けられた第２素子領域と、を備えた半導体装置であって、
    　前記半導体基板のおもて面に、前記第１素子領域から前記第２素子領域にわたって、前記第１素子領域と前記第２素子領域とが並ぶ方向と直交する長手方向に延びるストライプ状に設けられた複数のトレンチと、
    　前記トレンチの側壁および底面に沿って設けられたゲート絶縁膜と、
    　前記トレンチの内部の、前記ゲート絶縁膜の内側に設けられたゲート電極と、
    　前記第１素子領域の隣り合う前記トレンチの間のメサ部に選択的に設けられた第２導電型のベース領域と、
    　前記第２素子領域の隣り合う前記トレンチの間のメサ部に選択的に設けられた第２導電型のアノード領域と、
    　前記ベース領域の内部に選択的に設けられた第１導電型のエミッタ領域と、
    　前記ベース領域、前記エミッタ領域および前記アノード領域に接する第１電極と、
    　前記第１素子領域において前記半導体基板の裏面に設けられた第２導電型のコレクタ領域と、
    　前記第２素子領域において前記半導体基板の裏面に設けられた第１導電型のカソード領域と、
    　前記コレクタ領域および前記カソード領域に接する第２電極と、
    　を備え、
    　前記第２素子領域の隣り合う前記トレンチの間のメサ部には、前記トレンチの長手方向に沿って前記アノード領域と前記ドリフト領域とが交互に繰り返し配置されており、
    　前記アノード領域、および、当該アノード領域と当該アノード領域の前記トレンチの長手方向に隣り合う前記アノード領域とに挟まれた部分における前記ドリフト領域からなる単位領域のうち、当該アノード領域が占める割合は５０％以上１００％未満であることを特徴とする半導体装置。
  2. 　前記隣り合う前記アノード領域からそれぞれ前記メサ部に広がるビルトイン空乏層同士が互いにつながっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　第１導電型のドリフト領域となる半導体基板に、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタが設けられた第１素子領域と、ダイオードが設けられた第２素子領域と、を備えた半導体装置であって、
    　前記半導体基板のおもて面に、前記第１素子領域から前記第２素子領域にわたって、前記第１素子領域と前記第２素子領域とが並ぶ方向と直交する長手方向に延びるストライプ状に設けられた複数のトレンチと、
    　前記トレンチの側壁および底面に沿って設けられたゲート絶縁膜と、
    　前記トレンチの内部の、前記ゲート絶縁膜の内側に設けられたゲート電極と、
    　前記第１素子領域の隣り合う前記トレンチの間のメサ部に選択的に設けられた第２導電型のベース領域と、
    　前記第２素子領域の隣り合う前記トレンチの間のメサ部に選択的に設けられた第２導電型のアノード領域と、
    　前記ベース領域の内部に選択的に設けられた第１導電型のエミッタ領域と、
    　前記ベース領域、前記エミッタ領域および前記アノード領域に接する第１電極と、
    　前記第１素子領域において前記半導体基板の裏面に設けられた第２導電型のコレクタ領域と、
    　前記第２素子領域において前記半導体基板の裏面に設けられた第１導電型のカソード領域と、
    　前記コレクタ領域および前記カソード領域に接する第２電極と、
    　を備え、
    　前記第２素子領域の隣り合う前記トレンチの間のメサ部には、前記トレンチの長手方向に沿って前記アノード領域と前記ドリフト領域とが交互に繰り返し配置されており、
    　前記第１電極は、さらに前記第２素子領域における前記ドリフト領域に接しており、
    　前記アノード領域、および、当該アノード領域と当該アノード領域の前記トレンチの長手方向に隣り合う前記アノード領域とに挟まれた部分における前記ドリフト領域からなる単位領域のうち、当該アノード領域が占める割合は５０％未満であることを特徴とする半導体装置。
  4. 　前記隣り合う前記トレンチからそれぞれ当該トレンチ間のメサ部に広がるビルトイン空乏層同士が互いにつながっていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
PCT/JP2014/076633 2013-10-04 2014-10-03 半導体装置 WO2015050262A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015540577A JP5935951B2 (ja) 2013-10-04 2014-10-03 半導体装置
CN201480021099.1A CN105210187B (zh) 2013-10-04 2014-10-03 半导体装置
EP14850425.1A EP2966683B1 (en) 2013-10-04 2014-10-03 Semiconductor device
US14/882,427 US9536875B2 (en) 2013-10-04 2015-10-13 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-209632 2013-10-04
JP2013209632 2013-10-04

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US14/882,427 Continuation US9536875B2 (en) 2013-10-04 2015-10-13 Semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015050262A1 true WO2015050262A1 (ja) 2015-04-09

Family

ID=52778844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/076633 WO2015050262A1 (ja) 2013-10-04 2014-10-03 半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9536875B2 (ja)
EP (1) EP2966683B1 (ja)
JP (1) JP5935951B2 (ja)
CN (1) CN105210187B (ja)
WO (1) WO2015050262A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018046249A (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JPWO2018092787A1 (ja) * 2016-11-17 2019-03-07 富士電機株式会社 半導体装置
WO2019220940A1 (ja) * 2018-05-17 2019-11-21 富士電機株式会社 半導体装置
JP2021122076A (ja) * 2017-01-17 2021-08-26 富士電機株式会社 半導体装置
JPWO2022009582A1 (ja) * 2020-07-07 2022-01-13
WO2023188561A1 (ja) * 2022-03-28 2023-10-05 株式会社日立パワーデバイス 半導体装置および電力変換装置

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6641983B2 (ja) * 2015-01-16 2020-02-05 株式会社デンソー 半導体装置
JP2017055046A (ja) * 2015-09-11 2017-03-16 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
JP6614326B2 (ja) 2016-02-15 2019-12-04 富士電機株式会社 半導体装置
DE112017000079T5 (de) 2016-03-10 2018-05-17 Fuji Electric Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9768285B1 (en) * 2016-03-16 2017-09-19 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor device and method of manufacture
JP6801324B2 (ja) * 2016-09-15 2020-12-16 富士電機株式会社 半導体装置
JP6540906B2 (ja) * 2016-10-17 2019-07-10 富士電機株式会社 半導体装置
CN108010881B (zh) 2016-10-31 2021-03-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体装置的制造方法
CN109219888B (zh) * 2016-12-08 2022-03-29 富士电机株式会社 半导体装置
JP6652515B2 (ja) * 2017-02-09 2020-02-26 株式会社東芝 半導体装置
KR20180104236A (ko) 2017-03-10 2018-09-20 매그나칩 반도체 유한회사 전력 반도체 소자의 제조 방법
JP2018152426A (ja) * 2017-03-10 2018-09-27 富士電機株式会社 半導体装置
JP6952483B2 (ja) * 2017-04-06 2021-10-20 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電力変換装置
JP6804379B2 (ja) * 2017-04-24 2020-12-23 三菱電機株式会社 半導体装置
WO2018225571A1 (ja) * 2017-06-09 2018-12-13 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6958093B2 (ja) * 2017-08-09 2021-11-02 富士電機株式会社 半導体装置
US10847617B2 (en) * 2017-12-14 2020-11-24 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
JP7095303B2 (ja) 2018-02-14 2022-07-05 富士電機株式会社 半導体装置
JP6970632B2 (ja) * 2018-03-16 2021-11-24 株式会社東芝 半導体装置
JP7024626B2 (ja) * 2018-06-27 2022-02-24 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法
US10692988B2 (en) * 2018-11-26 2020-06-23 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor device having integrated MOS-gated or Schottky diodes
CN110797403B (zh) * 2019-10-18 2023-08-01 上海睿驱微电子科技有限公司 一种rc-igbt半导体装置
CN113809145B (zh) * 2020-06-16 2024-03-29 芯恩（青岛）集成电路有限公司 窄台面绝缘栅双极型晶体管器件及形成方法
CN111987089A (zh) * 2020-08-19 2020-11-24 株洲中车时代半导体有限公司 逆导型igbt功率集成模块
CN115117152A (zh) * 2022-08-26 2022-09-27 深圳芯能半导体技术有限公司 一种逆导型igbt器件及制备方法
CN116884996A (zh) * 2023-09-08 2023-10-13 深圳芯能半导体技术有限公司 一种降低关断损耗的igbt芯片及其制作方法
CN117650161A (zh) * 2023-10-31 2024-03-05 海信家电集团股份有限公司 半导体装置和半导体装置的制造方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10163469A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Toshiba Corp ダイオードおよびその駆動方法
JP2005101514A (ja) 2003-08-27 2005-04-14 Mitsubishi Electric Corp 絶縁ゲート型トランジスタ及びインバータ回路
JP2008034794A (ja) 2006-04-27 2008-02-14 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 縦型トレンチ型絶縁ゲートｍｏｓ半導体装置
JP2008047565A (ja) 2006-08-10 2008-02-28 Denso Corp ダイオード
JP2008053648A (ja) 2006-08-28 2008-03-06 Mitsubishi Electric Corp 絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法
JP2009027152A (ja) 2007-06-20 2009-02-05 Denso Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2009071217A (ja) 2007-09-18 2009-04-02 Denso Corp 半導体装置
JP2010171385A (ja) 2008-12-24 2010-08-05 Denso Corp 半導体装置
US20110140180A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having diode characteristic
JP2012009629A (ja) 2010-06-24 2012-01-12 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2012043890A (ja) 2010-08-17 2012-03-01 Denso Corp 半導体装置
JP2012231092A (ja) * 2011-04-27 2012-11-22 Toyota Motor Corp 半導体装置の製造方法
JP2013012783A (ja) 2012-10-10 2013-01-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3807107B2 (ja) * 1998-07-27 2006-08-09 日産自動車株式会社 双極性整流素子
JP2008192737A (ja) 2007-02-02 2008-08-21 Denso Corp 半導体装置
US8716746B2 (en) 2010-08-17 2014-05-06 Denso Corporation Semiconductor device
JP5561376B2 (ja) * 2010-11-30 2014-07-30 富士電機株式会社 半導体装置
US9520465B2 (en) 2011-07-27 2016-12-13 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Diode, semiconductor device, and MOSFET
JP2013197122A (ja) 2012-03-15 2013-09-30 Toshiba Corp 半導体装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10163469A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Toshiba Corp ダイオードおよびその駆動方法
JP2005101514A (ja) 2003-08-27 2005-04-14 Mitsubishi Electric Corp 絶縁ゲート型トランジスタ及びインバータ回路
JP2008034794A (ja) 2006-04-27 2008-02-14 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 縦型トレンチ型絶縁ゲートｍｏｓ半導体装置
JP2008047565A (ja) 2006-08-10 2008-02-28 Denso Corp ダイオード
JP2008053648A (ja) 2006-08-28 2008-03-06 Mitsubishi Electric Corp 絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法
JP2009027152A (ja) 2007-06-20 2009-02-05 Denso Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2009071217A (ja) 2007-09-18 2009-04-02 Denso Corp 半導体装置
JP2010171385A (ja) 2008-12-24 2010-08-05 Denso Corp 半導体装置
US20110140180A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having diode characteristic
JP2011146682A (ja) * 2009-12-15 2011-07-28 Toshiba Corp 半導体装置
JP2012009629A (ja) 2010-06-24 2012-01-12 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2012043890A (ja) 2010-08-17 2012-03-01 Denso Corp 半導体装置
JP2012231092A (ja) * 2011-04-27 2012-11-22 Toyota Motor Corp 半導体装置の製造方法
JP2013012783A (ja) 2012-10-10 2013-01-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2966683A4

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018046249A (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JPWO2018092787A1 (ja) * 2016-11-17 2019-03-07 富士電機株式会社 半導体装置
JP2021122076A (ja) * 2017-01-17 2021-08-26 富士電機株式会社 半導体装置
JP7295162B2 (ja) 2017-01-17 2023-06-20 富士電機株式会社 半導体装置
WO2019220940A1 (ja) * 2018-05-17 2019-11-21 富士電機株式会社 半導体装置
JPWO2019220940A1 (ja) * 2018-05-17 2020-12-10 富士電機株式会社 半導体装置
JP6996621B2 (ja) 2018-05-17 2022-01-17 富士電機株式会社 半導体装置
US11276771B2 (en) 2018-05-17 2022-03-15 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
JPWO2022009582A1 (ja) * 2020-07-07 2022-01-13
WO2022009582A1 (ja) * 2020-07-07 2022-01-13 富士電機株式会社 半導体モジュール
JP7294540B2 (ja) 2020-07-07 2023-06-20 富士電機株式会社 半導体モジュール
WO2023188561A1 (ja) * 2022-03-28 2023-10-05 株式会社日立パワーデバイス 半導体装置および電力変換装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105210187A (zh) 2015-12-30
CN105210187B (zh) 2017-10-10
EP2966683A1 (en) 2016-01-13
JP5935951B2 (ja) 2016-06-15
US20160043073A1 (en) 2016-02-11
US9536875B2 (en) 2017-01-03
EP2966683B1 (en) 2020-12-09
EP2966683A4 (en) 2016-10-26
JPWO2015050262A1 (ja) 2017-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5935951B2 (ja) 半導体装置
JP6418340B2 (ja) 逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法および逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
JP6683228B2 (ja) 半導体装置
JP5366297B2 (ja) 半導体装置
JP6524666B2 (ja) 半導体装置
CN107534042B (zh) 半导体装置
JP2018092968A (ja) 半導体装置、ｒｃ−ｉｇｂｔ及び半導体装置の製造方法
JP7486373B2 (ja) 半導体装置
JP5011634B2 (ja) 半導体装置およびその半導体装置を用いた双方向スイッチ素子
TWI741185B (zh) 半導體裝置及半導體裝置之製造方法
JP2020191441A (ja) 超接合半導体装置および超接合半導体装置の製造方法
JP2022123036A (ja) 半導体装置
JP2009043782A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US9257544B2 (en) Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device
JP7403401B2 (ja) 半導体装置
JP7403386B2 (ja) 半導体装置
JP6658955B2 (ja) 半導体装置
JP2013251467A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP7486407B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
WO2023127253A1 (ja) 半導体装置
US20240088275A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
US20230083162A1 (en) Semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14850425

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015540577

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2014850425

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE