JP4698583B2 - 半導体装置及びその制御方法 - Google Patents
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Description
この結果、トランジスタ145はローカルワード線P2WLnのディスチャージに追従して行われることになり、図3に示すトランジスタ242がオンすることはなくなる。
Claims (10)
- ローカルワード線に接続されたメモリセルを有する複数のセクタと、
セクタを選択するデコーダと、
選択されたセクタをイレースする際、当該選択されたセクタに接続する前記デコーダをイレースの初期段階において非選択とする制御信号を生成する回路とを有する半導体装置。 - 各セクタは対応するグローバルワード線を介して接続される対応のデコーダにより駆動され、対応するローカルワード線を駆動するプルアップトランジスタを有し、該プルアップトランジスタは前記制御信号でOFFに保持される請求項1記載の半導体装置。
- 前記回路はイレースの初期段階において、対応するデコーダを非選択に保持する前記制御信号を生成する請求項1又は2記載の半導体装置。
- 前記回路は、対応する非選択のデコーダに接続された負電圧ポンプパスがイレース時に所定の中間負電圧に落ちるまで、当該デコーダを非選択に保持する前記制御信号を生成する請求項1から3のいずれか一項記載の半導体装置。
- ローカルワード線に接続されたメモリセルを有する複数のセクタと、
セクタを選択するデコーダと、
選択されたセクタをプログラムする際、非選択セクタのローカルワード線をフローティング状態にする制御信号を生成する回路とを有する半導体装置。 - 各セクタは対応するローカルワード線を駆動するプルアップトランジスタ及びプルダウントランジスタを有し、これらのトランジスタは対応するデコーダで駆動され、
前記制御信号はイレースの際、前記プルアップトランジスタ及びプルダウントランジスタをOFFにする請求項5記載の半導体装置。 - プログラムされるセクタに対応するデコーダは、当該デコーダと前記プログラムされるセクタとを接続するグローバルワード線を介して、当該選択されたセクタの非選択ローカルワード線を所定電位に設定する請求項5又は6に記載の半導体装置。
- 前記メモリセルは不揮発性メモリセルである請求項1から7のいずれか一項記載の半導体装置。
- ローカルワード線に接続されたメモリセルを有する複数のセクタから1つのセクタを選択するステップと、
選択されたセクタをイレースする際、当該選択されたセクタを選択的に駆動するためのデコーダをイレースの初期段階において非選択とする制御信号を生成するステップと
を有する半導体装置の制御方法。 - ローカルワード線に接続されたメモリセルを有する複数のセクタから1つのセクタを選択するステップと、
選択されたセクタをプログラムする際、非選択セクタのローカルワード線をフローティング状態にする制御信号を生成するステップと
を有する半導体装置の制御方法。
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