JP4615297B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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複数のワード線と、
複数のドレイン線と、
複数のソース線と、
ゲート、ドレイン、ソース、及びフローティングゲートを有する電界効果トランジスタで構成されたメモリセルを複数有し、前記複数のメモリセルのゲートのそれぞれは前記複数のワード線の一つに接続され、前記複数のメモリセルのドレインのそれぞれは前記複数のドレイン線の一つに接続され、前記複数のメモリセルのソースのそれぞれは前記複数のソース線の一つに接続されたメモリアレイと、
第1の制御信号及び書込みデータが入力され、前記メモリセルへのデータ書込みに際して、前記書込みデータに基づくソース駆動電位を前記ソース線に供給するデータ書込み回路と、
前記第1の制御信号よりも遅れて与えられる第2の制御信号が入力され、前記メモリセルへのデータ書込みに際して、前記第2の制御信号に基づくドレイン駆動電位を前記ドレイン線に供給する書込み制御回路と、
アドレス信号及び前記第2の制御信号が入力され、前記メモリセルへのデータ書込みに際して、前記第2の制御信号に基づくワード線駆動電位を前記アドレス信号に基づき選択されたワード線に供給するワード線駆動回路とを有し、
前記書込み制御回路は、前記第2の制御信号でデータ書込み動作が指示されたときに、前記ワード線駆動回路により選択されたメモリセルに前記ドレイン線を介してデータ書込み用の高レベルのドレイン駆動電位を出力し、前記第2の制御信号が与えられていないときには、前記ドレイン駆動電位を低レベルにして出力し、
前記データ書込み回路は、前記第2の制御信号でデータ書込み動作が指示されたときに、前記選択されたメモリセルに書込むべきデータの論理値に対応して前記ドレイン駆動電位と略同じ又は前記ドレイン駆動電位よりも低い書込み電位を生成し、前記選択されたメモリセルに前記ソース線を介して前記ソース駆動電位として与え、前記第2の制御信号でデータ書込み動作が指示されていないときには、前記書込み制御回路から出力される当該低レベルの前記ドレイン駆動電位に基づいてソース駆動電位を生成し、前記ソース線を介して前記メモリセルに与え、
前記データ書込み回路は、前記第2の制御信号でデータ書込み動作が指示されたときに前記ソース駆動電位として与えられる前記ドレイン駆動電位と略同じ当該書込み電位を、前記書込み制御回路から出力される前記ドレイン駆動電位に基づいて生成するものである。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体記憶装置であるEPROMの構成を概略的に示す図である。図1において、図16に示される構成と同一又は対応する構成には、同じ符号を付す。また、図2は、第1の実施形態に係るEPROMのデータ書込み動作を説明するための信号波形図である。さらに、図3乃至図5は、第1の実施形態に係るEPROMのデータ書込み動作を説明するための図(その1〜3)である。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る半導体記憶装置であるEPROMの構成を概略的に示す図である。図6において、図1又は図16と同一又は対応する構成には、同じ符号を付す。また、図7は、第2の実施形態に係るEPROMのデータ書込み動作を説明するための信号波形図である。
図8は、本発明の第3の実施形態に係る半導体記憶装置であるEPROMの構成を概略的に示す図である。図8において、図1、図6、又は図16と同一又は対応する構成には、同じ符号を付す。また、図9は、第3の実施形態に係るEPROMの制御信号生成回路70の構成を示す回路図である。
図10は、本発明の第4の実施形態に係る半導体記憶装置であるEPROMの構成を概略的に示す図である。図10において、図1、図6、図8、又は図16と同一又は対応する構成には、同じ符号を付す。また、図11は、第4の実施形態に係るEPROMのデータ書込み回路40Cの構成を示す回路図である。
11,11a,11b,11c,11d メモリセル、
120,122,…,12y1,12z1 偶数番目のドレイン線に接続されたMOSトランジスタ、
121,123,…,12y2,12z2 奇数番目のドレイン線に接続されたMOSトランジスタ、
13 書込み制御線、
140,141,…,14y,14z ソース線に接続されたNMOSトランジスタ、
200,201,…,20n ワード線駆動回路、
30A 書込み制御回路、
31 基準電位発生部、
40A1,40A2,40A3,40A4,40C データ書込み回路、
41 インバータ、
42,43 NORゲート、
44,45 NMOSトランジスタ、
50 遅延回路、
70 制御信号生成回路、
N40 データ書込み回路の出力ノード、
BL0,BL1,…,BLy,BLz ビット線、
DL0,DL1,…,DLy,DLz ドレイン線、
SL0,SL1,…,SLy,SLz ソース線、
WL0,WL1,…,WLn ワード線、
GA ゲート、
DRa,DRbc,DRd ドレイン、
SOUab,SOUcd ソース、
FGa,FGb,FGc,FGd フローティングゲート。
Claims (6)
- 複数のワード線と、
複数のドレイン線と、
複数のソース線と、
ゲート、ドレイン、ソース、及びフローティングゲートを有する電界効果トランジスタで構成されたメモリセルを複数有し、前記複数のメモリセルのゲートのそれぞれは前記複数のワード線の一つに接続され、前記複数のメモリセルのドレインのそれぞれは前記複数のドレイン線の一つに接続され、前記複数のメモリセルのソースのそれぞれは前記複数のソース線の一つに接続されたメモリアレイと、
第1の制御信号及び書込みデータが入力され、前記メモリセルへのデータ書込みに際して、前記書込みデータに基づくソース駆動電位を前記ソース線に供給するデータ書込み回路と、
前記第1の制御信号よりも遅れて与えられる第2の制御信号が入力され、前記メモリセルへのデータ書込みに際して、前記第2の制御信号に基づくドレイン駆動電位を前記ドレイン線に供給する書込み制御回路と、
アドレス信号及び前記第2の制御信号が入力され、前記メモリセルへのデータ書込みに際して、前記第2の制御信号に基づくワード線駆動電位を前記アドレス信号に基づき選択されたワード線に供給するワード線駆動回路とを有し、
前記書込み制御回路は、前記第2の制御信号でデータ書込み動作が指示されたときに、前記ワード線駆動回路により選択されたメモリセルに前記ドレイン線を介してデータ書込み用の高レベルのドレイン駆動電位を出力し、前記第2の制御信号でデータ書込み動作が指示されていないときには、前記ドレイン駆動電位を低レベルにして出力し、
前記データ書込み回路は、前記第2の制御信号でデータ書込み動作が指示されたときに、前記選択されたメモリセルに書込むべきデータの論理値に対応して前記ドレイン駆動電位と略同じ又は前記ドレイン駆動電位よりも低い書込み電位を生成し、前記選択されたメモリセルに前記ソース線を介して前記ソース駆動電位として与え、前記第2の制御信号でデータ書込み動作が指示されていないときには、前記書込み制御回路から出力される当該低レベルの前記ドレイン駆動電位に基づいてソース駆動電位を生成し、前記ソース線を介して前記メモリセルに与え、
前記データ書込み回路は、前記第2の制御信号でデータ書込み動作が指示されたときに前記ソース駆動電位として与えられる前記ドレイン駆動電位と略同じ当該書込み電位を、前記書込み制御回路から出力される前記ドレイン駆動電位に基づいて生成する
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1の制御信号を遅延させて前記第2の制御信号を生成する遅延回路をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1の制御信号でデータ書込み動作が指示されたときに、前記選択されたメモリセルに書込むべきデータによってフローティングゲートに電荷を蓄積することが指定されている場合に限り、前記第2の制御信号を生成して出力する制御信号生成回路をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 複数のワード線と、
複数のドレイン線と、
複数のソース線と、
ゲート、ドレイン、ソース、及びフローティングゲートを有する電界効果トランジスタで構成されたメモリセルを複数有し、前記複数のメモリセルのゲートのそれぞれは前記複数のワード線の一つに接続され、前記複数のメモリセルのドレインのそれぞれは前記複数のドレイン線の一つに接続され、前記複数のメモリセルのソースのそれぞれは前記複数のソース線の一つに接続されたメモリアレイと、
第1の制御電位又は第2の制御電位に設定される第1の制御信号、及び、第1又は第2の論理値に対応する書込みデータが入力され、前記メモリセルへのデータ書込みに際して、前記書込みデータに基づくソース駆動電位を前記ソース線に供給するデータ書込み回路と、
第3の制御電位又は第4の制御電位に設定される第2の制御信号が入力され、前記メモリセルへのデータ書込みに際して、前記第2の制御信号に基づくドレイン駆動電位を前記ドレイン線に供給する書込み制御回路と、
アドレス信号及び前記第2の制御信号が入力され、前記メモリセルへのデータ書込みに際して、前記第2の制御信号に基づくワード線駆動電位を前記アドレス信号に基づき選択されたワード線に供給するワード線駆動回路とを有し、
前記メモリセルへのデータ書込みに際して、
前記第1の制御信号は第1の制御電位から第2の制御電位に切り替わり、前記第2の制御信号は前記第1の制御信号の第2の制御電位への切り替わりよりも遅れて第3の制御電位から第4の制御電位に切り替わり、
前記書込み制御回路は、前記ドレイン駆動電位を、前記第2の制御信号が第3の制御電位のときに第1の駆動電位とし、前記第2の制御信号が第4の制御電位になると第1の駆動電位より高い第2の駆動電位とし、
前記ワード線駆動回路は、選択されたワード線を、前記第2の制御信号が第1の制御電位のときに第3の駆動電位とし、前記第2の制御信号が第4の制御電位になると第3の駆動電位より高い第4の駆動電位とし、
前記データ書込み回路は、前記ソース駆動電位を、前記第1の制御信号の第2の制御電位への切り替わり時点から前記第2の制御信号の第4の制御電位への切り替わり時点までの期間、ドレイン駆動電位よりも低い電位とし、前記第2の制御信号が第4の制御電位である期間、前記書込みデータが採るべき論理値に応じて、前記ドレイン駆動電位と略同じ第5の駆動電位又は前記ドレイン駆動電位よりも低い第6の駆動電位とし、
前記データ書込み回路は、前記書込み制御回路から出力される前記ドレイン駆動電位に基づいて前記第5の駆動電位を生成する
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 複数のワード線と、
複数のドレイン線と、
複数のソース線と、
ゲート、ドレイン、ソース、及びフローティングゲートを有する電界効果トランジスタで構成されたメモリセルを複数有し、前記複数のメモリセルのゲートのそれぞれは前記複数のワード線の一つに接続され、前記複数のメモリセルのドレインのそれぞれは前記複数のドレイン線の一つに接続され、前記複数のメモリセルのソースのそれぞれは前記複数のソース線の一つに接続されたメモリアレイと、
第1の制御信号、及び、第1又は第2の論理値に対応する書込みデータが入力され、前記メモリセルへのデータ書込みに際して、前記書込みデータに基づくソース駆動電位を前記ソース線に供給するデータ書込み回路と、
第1の制御電位又は第2の制御電位に設定される前記第1の制御信号を遅延させて第2の制御信号を生成する遅延回路と、
第3の制御電位又は第4の制御電位に設定される前記第2の制御信号が入力され、前記メモリセルへのデータ書込みに際して、前記第2の制御信号に基づくドレイン駆動電位を前記ドレイン線に供給する書込み制御回路と、
アドレス信号及び前記第2の制御信号が入力され、前記メモリセルへのデータ書込みに際して、前記第2の制御信号に基づくワード線駆動電位を前記アドレス信号に基づき選択されたワード線に供給するワード線駆動回路とを有し、
前記メモリセルへのデータ書込みに際して、
前記書込み制御回路は、前記ドレイン駆動電位を、前記第2の制御信号が第3の制御電位のときに第1の駆動電位とし、前記第2の制御信号が第4の制御電位になると第1の駆動電位より高い第2の駆動電位とし、
前記ワード線駆動回路は、選択されたワード線を、前記第2の制御信号が第3の制御電位のときに第3の駆動電位とし、前記第2の制御信号が第4の制御電位になると第3の駆動電位より高い第4の駆動電位とし、
前記データ書込み回路は、前記ソース駆動電位を、前記第1の制御信号の第2の制御電位への切り替わり時点から前記第2の制御信号の第4の制御電位への切り替わり時点までの期間、ドレイン駆動電位よりも低い電位とし、前記第2の制御信号が第4の制御電位である期間、前記データが採るべき論理値に応じて、前記ドレイン駆動電位と略同じ第5の駆動電位又は前記ドレイン駆動電位よりも低い第6の駆動電位とし、
前記データ書込み回路は、前記書込み制御回路から出力される前記ドレイン駆動電位に基づいて前記第5の駆動電位を生成する
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 複数のワード線と、
複数のドレイン線と、
複数のソース線と、
ゲート、ドレイン、ソース、及びフローティングゲートを有する電界効果トランジスタで構成されたメモリセルを複数有し、前記複数のメモリセルのゲートのそれぞれは前記複数のワード線の一つに接続され、前記複数のメモリセルのドレインのそれぞれは前記複数のドレイン線の一つに接続され、前記複数のメモリセルのソースのそれぞれは前記複数のソース線の一つに接続されたメモリアレイと、
第1の制御電位又は第2の制御電位に設定される第1の制御信号、及び、第1又は第2の論理値に対応するデータが入力され、前記メモリセルへのデータ書込みに際して、前記書込みデータに基づくソース駆動電位を前記ソース線に供給するデータ書込み回路と、
第3の制御電位又は第4の制御電位に設定される第2の制御信号が入力され、前記メモリセルへのデータ書込みに際して、前記第2の制御信号に基づくドレイン駆動電位を前記ドレイン線に供給する書込み制御回路と、
アドレス信号及び前記第2の制御信号が入力され、前記メモリセルへのデータ書込みに際して、前記第2の制御信号に基づくワード線駆動電位を前記アドレス信号に基づき選択されたワード線に供給するワード線駆動回路と、
前記メモリセルへのデータ書込みに際して、前記第1の制御信号が第2の制御電位であるときに、前記選択されたメモリセルに書込むべきデータによって前記フローティングゲートに電荷を蓄積することが指定されている場合に、前記第2の制御信号を前記第4の制御電位に切り替える制御信号生成回路とを有し、
前記書込み制御回路は、前記ドレイン駆動電位を、前記第2の制御信号が第3の制御電位のときに第1の駆動電位とし、前記第2の制御信号が第4の制御電位になると第1の駆動電位より高い第2の駆動電位とし、
前記ワード線駆動回路は、選択されたワード線を、前記第2の制御信号が第3の制御電位のときに第3の駆動電位とし、前記第2の制御信号が第4の制御電位になると第3の駆動電位より高い第4の駆動電位とし、
前記データ書込み回路は、前記ソース駆動電位を、前記第1の制御信号の第2の制御電位への切り替わり時点から前記第2の制御信号の第4の制御電位への切り替わり時点までの期間、ドレイン駆動電位よりも低い電位とし、前記第2の制御信号が第4の制御電位である期間、前記書込みデータが採るべき論理値に応じて、前記ドレイン駆動電位と略同じ第5の駆動電位又は前記ドレイン駆動電位よりも低い第6の駆動電位とし、
前記データ書込み回路は、前記書込み制御回路から出力される前記ドレイン駆動電位に基づいて前記第5の駆動電位を生成する
ことを特徴とする半導体記憶装置。
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JP2002032993A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶回路 |
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- 2004-11-24 JP JP2004338766A patent/JP4615297B2/ja not_active Expired - Fee Related
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