JP5208011B2 - メモリ回路装置 - Google Patents
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Description
(1)レーザーヒューズ法:ヒューズにレーザーを照射して溶断する方法
(2)電気ヒューズ法:ヒューズに大電流を流して溶断する方法
(3)メモリ法:EPROMのようなメモリ素子に情報を記憶させる方法
ヒューズは広義には1回プログラムできるメモリの1種と言える。しかし、通常はヒューズをメモリと呼ばないことから、ここではメモリとして扱わない。EPROMには浮遊ゲートにFNトンネル電流やホットキャリアを用いてキャリアを注入することでトランジスタのVthを変化させるものが広く使われている。
抵抗比=(各行〜Vss間の抵抗)/(全抵抗)
により求められる。
Data=0.98V以下の時、NOR回路の出力は(1行,2行,・・・,6行)=(111111)
Data=1.32Vの時、NOR回路の出力は(1行,2行,・・・,6行)=(100000)
Data=1.79Vの時、NOR回路の出力は(1行,2行,・・・,6行)=(010000)
となる。このようにData端子の電圧によって、任意の1行を選択することが出来る。
2 メモリセル
3 トリミング用メモリセル
4 BL制御用メモリセル
5 NOR回路
6 インバータ回路
7 抵抗体
8 ヒューズ
9 メモリセル
10 Nchトランジスタ
11 負荷抵抗
12 メモリ素子
13 比較回路
14 NAND回路
15 定電流源
Claims (11)
- メモリセルAが行列状に配置され、行と列を選択することで所望のメモリセルAを選択して情報を書き込むメモリ回路装置であって、
各列を構成する前記メモリセルAの書込が完了しているか完了していないかの書込情報を記憶するために前記各列に備えられたメモリセルBと、
前記メモリセルBの前記書込情報を利用して列の選択を行う回路と、
を備え、
選択されている第1の列の前記メモリセルAへの書込が完了した後に前記第1の列に備えられた前記メモリセルBに書込完了を示す着込情報の書込を行うと、前記回路がこの書込によって生じる前記メモリセルBの出力電圧の変化を前記第1の列および次列となる第2の列へ直接伝えることで、前記第1の列は選択状態から否選択状態に変わり、前記第2の列は否選択状態から選択状態に変わるので前記第2の列への書込が可能になり、本動作を繰り返すことで、書込を行う列が順次選択されていくことを特徴とするメモリ回路装置。 - 前記メモリセルBを利用した誤書込防止機能をさらに備えていることを特徴とする請求項1記載のメモリ回路装置。
- 前記メモリセルBが隣接する列の異なる行にわたって配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載のメモリ回路装置。
- 前記メモリセルBの記憶する書込情報の変化と、列選択信号の変化との間に遅延時間を持たせたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のメモリ回路装置。
- アナログ・デジタル変換回路から構成される行デコーダをさらに有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のメモリ回路装置。
- 前記アナログ・デジタル変換回路から成る行デコーダからの出力であるワード線にプルアップ、もしくはプルダウン機能をさらに備えることを特徴とする請求項5記載のメモリ回路装置。
- 前記アナログ・デジタル変換回路に流れる電流を遮断する機能をさらに備えることを特徴とする請求項5または6に記載のメモリ回路装置。
- 前記メモリセルAおよび前記メモリセルBからの情報をラッチ回路に読み出して情報を保持する機能と、前記メモリセルAおよび前記メモリセルBに流れる電流を遮断する機能とをさらに備えることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のメモリ回路装置。
- 行列配置された前記メモリセルAの第1列の前にさらにメモリセルCを備え、前記メモリセルCの記憶情報によって、前記第1列目の前記メモリセルAへの書込の可否を制御することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のメモリ回路装置。
- 情報を記憶する素子として電気的に溶断可能なヒューズを用いることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載のメモリ回路装置。
- 参照電位を有する半導体チップ上に設けられた、前記半導体チップの参照電位と前記アナログ・デジタル変換回路の参照電位とを共通化したことを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載のメモリ回路装置。
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