JP4279786B2 - バンプの形成方法、半導体装置の製造方法、及び基板処理装置 - Google Patents
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- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
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Description
本発明の半導体装置の製造方法は、一対の半導体基板の各表面に、絶縁膜内に埋め込まれるように各バンプを形成する工程と、バイトを用いた切削加工により、前記各バンプの表面及び前記絶縁膜の表面が連続して平坦となるように平坦化処理する工程と、前記絶縁膜を除去する工程と、前記各半導体基板を、前記各バンプの平坦化された前記表面同士を対向させて接続し、一体化する工程とを含み、前記半導体基板の表面を基準として、前記半導体基板の裏面を機械加工により平坦化処理する工程を更に含み、前記各半導体基板の前記裏面を基準として、前記バンプの表面及び前記絶縁膜の表面の前記平坦化処理を行う。
本発明のバンプの形成方法は、基板の表面に外部と電気的接続を行うためのバンプを形成する方法であって、前記基板の表面に、複数の前記バンプを形成する工程と、バイトを用いた切削加工により、前記複数のバンプの表面が連続して平坦となるように平坦化処理する工程とを含み、前記基板の表面を基準として、前記基板の裏面を機械加工により平坦化処理する工程を更に含み、前記基板の前記裏面を基準として、前記バンプの表面の前記平坦化処理を行う。
本発明の半導体装置の製造方法は、一対の半導体チップの各表面に、それぞれ複数の前記バンプを形成する工程と、バイトを用いた切削加工により、前記複数のバンプの表面が連続して平坦となるように平坦化処理する工程と、前記複数のバンプの表面が平坦化された前記一対の半導体チップを、前記各バンプ同士が対向するように接続して一体化する工程とを含み、前記一対の半導体チップの各表面を基準として、各裏面を機械加工により平坦化処理する工程を更に含み、前記裏面を基準として、前記切削加工により前記バンプの表面の前記平坦化処理を行う。
本発明のバンプの形成方法は、半導体基板の表面に外部と電気的接続を行うためのバンプであり、ワイヤボンディング法を用いたスタッドバンプを形成する方法であって、前記半導体基板の表面の電気的接続箇所にボンディングワイヤを用いて複数の突起部を形成する工程と、バイトを用いた切削加工により、前記複数の突起部の上面が連続して平坦となるように平坦化処理し、前記スタッドバンプを形成する工程とを含み、前記半導体基板の表面を基準として、前記半導体基板の裏面を機械加工により平坦化処理する工程を更に含み、前記半導体基板の前記裏面を基準として、前記複数の突起部の上面の前記平坦化処理を行う。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に複数のバンプを形成する工程と、バイトを用いた切削加工により、前記複数のバンプの表面が連続して平坦となるように平坦化処理する工程と、前記複数のバンプの表面が平坦化された前記半導体基板から、各半導体チップを切り出す工程と、前記半導体チップの前記バンプとリード端子の一端部とを接続する工程とを含み、前記半導体基板の表面を基準として、裏面を機械加工により平坦化処理する工程を更に含み、前記裏面を基準として、前記切削加工により前記バンプの表面の前記平坦化処理を行う。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面の電気的接続箇所にワイヤボンディング法を用いた複数の突起部を形成する工程と、バイトを用いた切削加工により、前記複数の突起部の上面が連続して平坦となるように平坦化処理し、スタッドバンプを形成する工程と、複数のスタッドバンプの形成された前記半導体基板から、各半導体チップを切り出す工程と、前記半導体チップの前記スタッドバンプとリード端子の一端部とを接続する工程とを含み、前記半導体基板の表面を基準として、裏面を機械加工により平坦化処理する工程を更に含み、前記裏面を基準として、前記切削加工により前記バンプの表面の前記平坦化処理を行う。
本発明の基板処理装置は、基板の表面に外部と電気的接続を行うためのバンプを形成する際の基板処理装置であって、平坦な支持面を有しており、基板をその一面で前記支持面に吸着させ、前記一面を強制的に平坦な基準面として支持固定する基板支持台と、前記基板の他面を切削加工するバイトとを含み、表面に複数の前記バンプ及び前記バンプ間に絶縁膜が形成されてなる基板を前記基板支持台に支持固定し、前記バイトを用いた切削加工により、前記各バンプの表面及び前記絶縁膜の表面が連続して平坦となるように平坦化処理するものであって、前記基板支持台により前記基板の表面を基準面として、前記バイトにより前記基板の裏面を切削加工した後、前記基板支持台により前記基板の前記裏面を基準面として、前記バイトにより前記基板の前記表面を切削加工し、前記各バンプの表面及び絶縁膜の表面が連続して平坦となるように平坦化処理する。
初めに、本発明の基本骨子について説明する。
本発明者は、CMP法に替わり、基板上に形成された多数の微細バンプの表面を安価に高速で一斉に平坦化する手法として、バイトを用いた切削加工を適用することに想到した。この切削加工によれば、半導体基板上で絶縁膜内にバンプが埋め込み形成されているような場合でも、CMP法のように金属と絶縁物の研磨速度等に依存することなく、基板上で一斉に金属と絶縁物を連続して切削し、ディッシング等を発生せしめることなく全体的に両者を均一に平坦化することができる。銅、アルミニウム、ニッケル等の金属やポリイミド等の絶縁材料は、容易にバイトで切削可能な材料である。本発明では、バンプの金属材料及び絶縁材料としては、前者が延性金属であり、後者が例えば200GPa以上の剛性率を有する樹脂等であれば、好適である。
通常、TAB接続は、メッキバンプ法による場合では、金メッキバンプに直接に金の表面処理を施された短冊状の銅箔リードを位置合わせして300℃以上に加熱し、1つのバンプ当たり30g以上の加圧圧着を必要とする。他方、スタッドバンプ法にいる場合では、予めスタッドバンプの形成された半導体チップを、ガラス板又は金属板に押し当て加熱し、スタッドバンプ先端を平坦に加工して用いることが必要である。
以下、上述した基本骨子を踏まえ、本発明の具体的な諸実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
ここでは、基板としてシリコン半導体基板を例示し、この半導体基板上に外部と電気的接続を行うために設けられてなるバンプを形成する方法及びこの方法を用いた半導体装置及びその製造方法について開示する。
図1A〜図1D,図2A,図2Bは、本実施形態によるバンプの形成方法を工程順に示す概略断面図である。
具体的には、図2Aに示すように、基板支持台11の支持面11aに例えば真空吸着により裏面1bを吸着させ、半導体基板1を基板支持台11に固定する。このとき、裏面1bへの図1Bの平坦化処理により半導体基板1の厚みが一定の状態とされており、更に裏面1bが支持面11aへの吸着により強制的にうねり等もない状態となり、これにより裏面1bが表面1aの平坦化の基準面となる。この状態で、表面1aにおける各Au突起2及びフォトレジスト12の表層を機械加工、ここではダイヤモンド等からなるバイト10を用いて切削加工し、各Au突起2及びレジストマスク12の表面が連続して平坦となるように平坦化処理する。これにより、Au突起2の上面が鏡面状に平坦化される。
切削加工前には、図3AのようにAu突起の表面は凹凸状であったのに対して、切削加工後には、図3Bに示すように、Au突起の表面が高精度に平坦化されていることが判る。
ここで、上述した切削加工工程を実行するための具体的な装置構成を説明する。
図6は切削加工装置の構成を表したブロック図、図7は同様の概略構成図である。この切削加工装置は、半導体基板を収納する収納部101、半導体基板1を各処理部へ搬送するためのハンド部102、半導体基板1の位置決めを行うセンシング部103、切削時の半導体基板1をチャックするチャックテーブル部104、半導体基板1の平坦化切削を行う切削部105、切削後の洗浄を行う洗浄部106、そしてこれらをコントロールする制御部107を有して構成されている。チャックテーブル部104は、上述したように半導体基板1を載置固定する基板支持台(チャックテーブル)11を構成しており、切削部105はダイヤモンド等からなる切削工具である硬質のバイト10を有している。
先ず、半導体基板1が収納された収納部101の収納カセット111から、ハンド部102の搬送ハンドが半導体基板1を取り出す。収納部101にはエレベータ機構があり、搬送ハンドの半導体基板1の取り出し高さまで昇降する。次に搬送ハンドが半導体基板をバキューム吸着し、センシング部103へ搬送する。搬送ハンドは、Θ3軸とZ軸のスカラー型ロボットになっており、各処理部へ容易にハンドリングすることができる。ロボットの機構はこの限りではなく、XY軸直行型でも良い。
次に、上述したバンプの形成方法を実行する半導体製造装置を用いて、半導体装置を製造する方法について説明する。なおここでは、半導体装置の構成をその製造方法と共に述べる。
図9A〜図9Cは、本実施形態による半導体装置の製造方法を工程順に示す概略平面図である。
次に、第2の実施形態について説明する。第1の実施形態では、バンプ材料としてAuを例示したが、本実施形態ではニッケル(Ni)を用いる場合を例示する。
図10A〜図10Fは、本実施形態によるバンプの形成方法を工程順に示す概略断面図である。
この半導体基板1を用い、図10Aに示すように、半導体基板1の表面アルミニウム系金属からなる電極31をパターン形成した後、この電極31に無電解メッキ法によりニッケルリンメッキ膜32を膜厚5μm〜10μm程度に形成する。
具体的には、先ず図10Bに示すように、基板表面を覆うように保護膜34として液状レジストを被覆し、後述の切削加工による物理的衝撃の緩和層とする。保護膜34は、回転塗布等で10μm〜15μm程度の厚みに塗布し、キュアすることにより形成する。
次に、第3の実施形態について説明する。第1の実施形態では、半導体基板に多数の半導体チップを接合する場合について例示したが、本実施形態では半導体チップの状態で上述の平坦化処理を実行し、この半導体チップ同士を接合する場合について開示する。
図11A,図11Bは、本実施形態による半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
ここで、本実施形態の変形例1について説明する。
図12A〜図12Cは、変形例1による半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
次いで、本実施形態の変形例2について説明する。
図13A〜図13Cは、変形例2による半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
続いて、図13Bに示すように、平坦化処理された半導体チップ41を2つ一組で一対の半導体チップ41とし、一方の半導体チップ41の表面にAuバンプ42を完全に埋め込む厚みに、絶縁性の樹脂に導電性微粒子45を含有する樹脂層44を形成する。
次に、第4の実施形態について説明する。第1の実施形態では、半導体基板に外部接続用のバンプを形成する場合について例示したが、本実施形態ではワイヤボンディング法を用いたスタッドバンプを形成する場合について開示する。
図14A〜図14Fは、本実施形態による半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
次に、第5の実施形態について説明する。ここでは、いわゆるTABボンディング法による半導体装置を例示する。
図16及び図17は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。
具体的には、銅箔75からなりAuの表面処理が施されてAu膜76が形成されており、一端に位置する箇所が接続部位に該り、他端に樹脂層77が設けられてなるTABリード74を用意する。そして、半導体チップ21をボンディングステージ80上に載置固定して、半導体チップ21の平坦化及び清浄化されたバンプ3の上面にTABリード74の接続部位のAu膜76を接触させ、ヒータ78により加熱しながら加圧し、両者を接合する。ここで、加熱温度は200℃程度の比較的低温で良く、接着荷重も約20gと従来の2/3程度に低減が可能となる。結果として40μmピッチ以下の微細ピッチのTABリードを位置ずれなく接続することが可能となる。
次に、第6の実施形態について説明する。ここでは、上述した諸実施形態を実行するに際して、一対の基体(ここでは、フリップチップ法による半導体チップ及び回路基板を例示する。)について、上述の切削加工工程及び接合工程を実行するための装置構成を開示する。
この半導体製造装置は、表面にバンプの形成された半導体チップを導入するためのチップ導入部81と、表面に電極の形成された回路基板を導入するための回路基板導入部82と、上述したバイトを用いた切削加工により半導体チップのバンプ表面を平坦化する工程を実行する切削部83と、半導体チップと回路基板とを平坦化されたバンプと電極とで接合する工程を実行する接合部84と、接合され一体化されてなる半導体装置を搬出するための搬出部85とを備えており、更に、切削部83及び接合部84を不活性雰囲気で包含する清浄化保持部86を有して構成されている。ここで、切削部83では、半導体チップのみならず回路基板の電極表面も同様に切削加工により平坦化するようにしても良い。
Claims (27)
- 基板の表面に外部と電気的接続を行うためのバンプを形成する方法であって、
前記基板の表面に、複数の前記バンプ及び前記バンプ間に絶縁膜を形成する工程と、
バイトを用いた切削加工により、前記各バンプの表面及び前記絶縁膜の表面が連続して平坦となるように平坦化処理する工程と、
前記絶縁膜を除去する工程と
を含み、
前記基板の表面を基準として、前記基板の裏面を機械加工により平坦化処理する工程を更に含み、
前記基板の前記裏面を基準として、前記バンプの表面及び前記絶縁膜の表面の前記平坦化処理を行うことを特徴とするバンプの形成方法。 - 前記バンプを形成するに際して、
前記絶縁膜を加工して電極形状の複数の開口を有するマスクを形成した後、前記マスクの前記各開口を導電材料で埋め込むことを特徴とする請求項1に記載のバンプの形成方法。 - メッキ法により、前記マスクの前記各開口を前記導電材料で埋め込むことを特徴とする請求項2に記載のバンプの形成方法。
- 前記バンプをニッケル系無電解メッキ法により形成し、
前記バンプの表面を前記切削加工する際に、前記ニッケル系無電解メッキ法により前記バンプに表層に生成された高リン濃度の層を除去することを特徴とする請求項1に記載のバンプの形成方法。 - 前記バンプをニッケル系無電解メッキ法により形成した後、前記バンプを覆うように前記絶縁膜を形成することを特徴とする請求項4に記載のバンプの形成方法。
- 前記基板にはLSI素子が設けられており、前記バンプが前記LSI素子と接続されていることを特徴とする請求項1に記載のバンプの形成方法。
- 前記基板上で同一の高さとなるように、前記バンプの表面を前記切削加工することを特徴とする請求項1に記載のバンプの形成方法。
- 複数の前記基板に前記各工程を実行し、前記各基板の厚みを同一に均一化することを特徴とする請求項1に記載のバンプの形成方法。
- 前記バンプの表面及び前記絶縁膜の表面を平坦化処理するに際して、
前記裏面を基準に前記半導体基板の平行出しを行うとともに、前記表面の位置を検出し、検出された前記表面から削り量を算出して制御することを特徴とする請求項1に記載のバンプの形成方法。 - 前記基板の前記表面の位置を検出する際に、前記表面の周辺部位の複数箇所における絶縁膜にレーザ光を照射して絶縁物を加熱飛散させ、前記表面の一部を露出させることを特徴とする請求項9に記載のバンプの形成方法。
- 前記基板の前記表面の位置を検出する際に、前記裏面に赤外レーザ光を照射し、前記表面からの反射光を測定することを特徴とする請求項9に記載のバンプの形成方法。
- 一対の半導体基板の各表面に、絶縁膜内に埋め込まれるように各バンプを形成する工程と、
バイトを用いた切削加工により、前記各バンプの表面及び前記絶縁膜の表面が連続して平坦となるように平坦化処理する工程と、
前記絶縁膜を除去する工程と、
前記各半導体基板を、前記各バンプの平坦化された前記表面同士を対向させて接続し、一体化する工程と
を含み、
前記半導体基板の表面を基準として、前記半導体基板の裏面を機械加工により平坦化処理する工程を更に含み、
前記各半導体基板の前記裏面を基準として、前記バンプの表面及び前記絶縁膜の表面の前記平坦化処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記各半導体基板にはそれぞれLSI素子が設けられており、前記各半導体基板上で前記各バンプが前記各LSI素子と接続されていることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板の表面に外部と電気的接続を行うためのバンプを形成する方法であって、
前記基板の表面に、複数の前記バンプを形成する工程と、
バイトを用いた切削加工により、前記複数のバンプの表面が連続して平坦となるように平坦化処理する工程と
を含み、
前記基板の表面を基準として、前記基板の裏面を機械加工により平坦化処理する工程を更に含み、
前記基板の前記裏面を基準として、前記バンプの表面の前記平坦化処理を行うことを特徴とするバンプの形成方法。 - 一対の半導体チップの各表面に、それぞれ複数の前記バンプを形成する工程と、
バイトを用いた切削加工により、前記複数のバンプの表面が連続して平坦となるように平坦化処理する工程と、
前記複数のバンプの表面が平坦化された前記一対の半導体チップを、前記各バンプ同士が対向するように接続して一体化する工程と
を含み、
前記一対の半導体チップの各表面を基準として、各裏面を機械加工により平坦化処理する工程を更に含み、
前記裏面を基準として、前記切削加工により前記バンプの表面の前記平坦化処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記バンプを形成した後、前記バンプを覆うように樹脂膜を形成し、前記切削加工により、前記各バンプの表面及び前記樹脂膜の表面が連続して平坦となるように平坦化処理することを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の表面に外部と電気的接続を行うためのバンプであり、ワイヤボンディング法を用いたスタッドバンプを形成する方法であって、
前記半導体基板の表面の電気的接続箇所にボンディングワイヤを用いて複数の突起部を形成する工程と、
バイトを用いた切削加工により、前記複数の突起部の上面が連続して平坦となるように平坦化処理し、前記スタッドバンプを形成する工程と
を含み、
前記半導体基板の表面を基準として、前記半導体基板の裏面を機械加工により平坦化処理する工程を更に含み、
前記半導体基板の前記裏面を基準として、前記複数の突起部の上面の前記平坦化処理を行うことを特徴とするバンプの形成方法。 - レーザ発信器及び検出器を備えた検出装置を用い、前記切削加工後の前記突起部の前記上面にレーザビームを操引し、前記上面にて反射したレーザ光を前記検出器により検出する方法により、検出されたレーザ光の強度が全ての前記突起部について所定値に達するまで、前記切削加工を繰り返し実行することを特徴とする請求項17に記載のバンプの形成方法。
- 前記検出器を前記バイトの進行方向の後方に設置し、前記バイトの動作と同期するように前記検出器を移動させることを特徴とする請求項18に記載のバンプの形成方法。
- 前記複数の突起部を覆うように保護膜を形成する工程と、
前記切削加工により、前記複数の突起部の上面及び前記保護膜の表面が連続して平坦となるように平坦化処理した後、前記保護膜を除去する工程と
を更に含むことを特徴とする請求項17に記載のバンプの形成方法。 - 半導体基板の表面に複数のバンプを形成する工程と、
バイトを用いた切削加工により、前記複数のバンプの表面が連続して平坦となるように平坦化処理する工程と、
前記複数のバンプの表面が平坦化された前記半導体基板から、各半導体チップを切り出す工程と、
前記半導体チップの前記バンプとリード端子の一端部とを接続する工程と
を含み、
前記半導体基板の表面を基準として、裏面を機械加工により平坦化処理する工程を更に含み、
前記裏面を基準として、前記切削加工により前記バンプの表面の前記平坦化処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の表面の電気的接続箇所にワイヤボンディング法を用いた複数の突起部を形成する工程と、
バイトを用いた切削加工により、前記複数の突起部の上面が連続して平坦となるように平坦化処理し、スタッドバンプを形成する工程と、
複数のスタッドバンプの形成された前記半導体基板から、各半導体チップを切り出す工程と、
前記半導体チップの前記スタッドバンプとリード端子の一端部とを接続する工程と
を含み、
前記半導体基板の表面を基準として、裏面を機械加工により平坦化処理する工程を更に含み、
前記裏面を基準として、前記切削加工により前記バンプの表面の前記平坦化処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記バンプの表面を平坦化した後、前記リード端子と接続する前に、前記バンプの表面に試験用針を接触させて検査を行う工程を更に有することを特徴とする請求項22に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板の表面に外部と電気的接続を行うためのバンプを形成する際の基板処理装置であって、
平坦な支持面を有しており、基板をその一面で前記支持面に吸着させ、前記一面を強制的に平坦な基準面として支持固定する基板支持台と、
前記基板の他面を切削加工するバイトと
を含み、
表面に複数の前記バンプ及び前記バンプ間に絶縁膜が形成されてなる基板を前記基板支持台に支持固定し、前記バイトを用いた切削加工により、前記各バンプの表面及び前記絶縁膜の表面が連続して平坦となるように平坦化処理するものであって、
前記基板支持台により前記基板の表面を基準面として、前記バイトにより前記基板の裏面を切削加工した後、前記基板支持台により前記基板の前記裏面を基準面として、前記バイトにより前記基板の前記表面を切削加工し、前記各バンプの表面及び絶縁膜の表面が連続して平坦となるように平坦化処理することを特徴とする基板処理装置。 - 前記裏面を基準に前記半導体基板の平行出しを行うとともに、前記配線形成面の位置を検出し、検出された前記配線形成面から削り量を算出して制御することを特徴とする請求項24に記載の基板処理装置。
- 前記配線形成面の位置を検出する際に、前記配線形成面の周辺部位の複数箇所における絶縁膜にレーザ光を照射して絶縁物を加熱飛散させ、前記配線形成面の一部を露出させることを特徴とする請求項25に記載の基板処理装置。
- 前記配線形成面の位置を検出する際に、前記裏面に赤外レーザ光を照射し、前記配線形成面からの反射光を測定することを特徴とする請求項25に記載の基板処理装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI838070B (zh) * | 2023-01-07 | 2024-04-01 | 美商微相科技股份有限公司 | 應用於光罩保護組件之薄膜微塵去除系統及其方法 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4709535B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2011-06-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造装置 |
JP4796330B2 (ja) * | 2005-05-18 | 2011-10-19 | 株式会社ディスコ | バンプ加工方法 |
JP4768546B2 (ja) * | 2006-08-16 | 2011-09-07 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2008182015A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法 |
US7803693B2 (en) * | 2007-02-15 | 2010-09-28 | John Trezza | Bowed wafer hybridization compensation |
JP4466662B2 (ja) * | 2007-03-06 | 2010-05-26 | 株式会社デンソー | 半導体装置の金属電極形成方法 |
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JP2011009561A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの検査方法 |
JP2011018720A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Casio Computer Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011109067A (ja) | 2009-10-19 | 2011-06-02 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
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CN102228953B (zh) * | 2011-06-15 | 2012-12-19 | 山东潍坊福田模具有限责任公司 | 冲压模具镶块消失模制造方法 |
JP6021386B2 (ja) | 2012-03-30 | 2016-11-09 | オリンパス株式会社 | 配線基板の製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JP5970680B2 (ja) * | 2012-11-19 | 2016-08-17 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂モールド品の製造方法、および樹脂除去装置 |
JP6269682B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2018-01-31 | 富士通株式会社 | 基体の接合方法 |
CN105448750A (zh) * | 2014-08-28 | 2016-03-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制作方法和电子装置 |
JP6536024B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2019-07-03 | 日立化成株式会社 | 半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス |
JP6474892B2 (ja) | 2015-04-28 | 2019-02-27 | オリンパス株式会社 | 半導体装置 |
DE102015216619B4 (de) * | 2015-08-31 | 2017-08-10 | Disco Corporation | Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers |
TW201812887A (zh) * | 2016-09-23 | 2018-04-01 | 頎邦科技股份有限公司 | 晶圓切割方法 |
JP6985599B2 (ja) * | 2018-01-04 | 2021-12-22 | 富士通株式会社 | 電子装置及び電子装置の製造方法 |
JP7028152B2 (ja) * | 2018-12-14 | 2022-03-02 | トヨタ自動車株式会社 | レゾルバ |
WO2023079751A1 (ja) * | 2021-11-08 | 2023-05-11 | 株式会社レゾナック | 半導体チップ積層体、電子部品装置及び半導体チップ積層体の製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5188280A (en) * | 1989-04-28 | 1993-02-23 | Hitachi Ltd. | Method of bonding metals, and method and apparatus for producing semiconductor integrated circuit device using said method of bonding metals |
JP2570468B2 (ja) * | 1990-06-01 | 1997-01-08 | 日本電気株式会社 | Lsiモジュールの製造方法 |
JPH05315404A (ja) * | 1992-05-07 | 1993-11-26 | Nec Corp | Tab用半導体基板 |
JPH0766241A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 異方導電性接着剤を用いた電子部品の接続構造 |
JPH07297196A (ja) * | 1994-04-25 | 1995-11-10 | Sony Corp | バンプ電極の形成方法 |
JP3397265B2 (ja) * | 1994-11-25 | 2003-04-14 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH1140621A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Canon Inc | Tabフィルムのビームリードの接合装置および該接合装置によって電気的接合された半導体チップならびに液体噴射記録ヘッド |
JP3326382B2 (ja) * | 1998-03-26 | 2002-09-24 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3515917B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2004-04-05 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6267650B1 (en) * | 1999-08-09 | 2001-07-31 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for substantial planarization of solder bumps |
JP2001332577A (ja) * | 2000-05-25 | 2001-11-30 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002110851A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Rohm Co Ltd | 半導体チップおよびそれを用いた半導体装置 |
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Cited By (1)
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