JPH05315404A - Ｔａｂ用半導体基板 - Google Patents
Ｔａｂ用半導体基板Info
- Publication number
- JPH05315404A JPH05315404A JP4114978A JP11497892A JPH05315404A JP H05315404 A JPH05315404 A JP H05315404A JP 4114978 A JP4114978 A JP 4114978A JP 11497892 A JP11497892 A JP 11497892A JP H05315404 A JPH05315404 A JP H05315404A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- inspection
- bump
- bumps
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バンプ済半導体ウェーハを、検査する場合に
バンプ形成用パッド、または、バンプ自体を針で傷つけ
ることなく検査でき、接合強度のある高品質・高歩留り
のバンプ済半導体ウェーハを生産できるようにする。 【構成】 バンプ形成用パッド４とは別に、バンプ形成
用パッドと接続された検査用パッド３を設けることによ
り、バンプ形成前に検査する場合は、バンプ形成用パッ
ド４を針で傷つけることがなく、正常な歩留りのよいバ
ンプを形成できる。また、バンプ形成後に検査する場合
は、針でバンプ自体を傷つけることがない。
バンプ形成用パッド、または、バンプ自体を針で傷つけ
ることなく検査でき、接合強度のある高品質・高歩留り
のバンプ済半導体ウェーハを生産できるようにする。 【構成】 バンプ形成用パッド４とは別に、バンプ形成
用パッドと接続された検査用パッド３を設けることによ
り、バンプ形成前に検査する場合は、バンプ形成用パッ
ド４を針で傷つけることがなく、正常な歩留りのよいバ
ンプを形成できる。また、バンプ形成後に検査する場合
は、針でバンプ自体を傷つけることがない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、素子が形成された半導
体チップをテープ状のポリエチレン製フィルムに描いた
リードフレームに接着するためのバンプを形成するため
の複数のバンプ形成用パッドを有するＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用半導体基板
（以下、ＴＡＢ用半導体ウェーハという。）に利用さ
れ、特に、ＴＡＢ用半導体ウェーハのパッド構造に関す
る。
体チップをテープ状のポリエチレン製フィルムに描いた
リードフレームに接着するためのバンプを形成するため
の複数のバンプ形成用パッドを有するＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用半導体基板
（以下、ＴＡＢ用半導体ウェーハという。）に利用さ
れ、特に、ＴＡＢ用半導体ウェーハのパッド構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のＴＡＢ用半導体ウェーハは、バン
プを形成するためのバンプ形成用パッドと検査を行うた
めに針当てする検査用パッドとは、同一であった。そし
て、拡散工程終了後、半導体チップを検査し、その後バ
ンプを形成する方式と、バンプ形成後検査する方式とが
ある。
プを形成するためのバンプ形成用パッドと検査を行うた
めに針当てする検査用パッドとは、同一であった。そし
て、拡散工程終了後、半導体チップを検査し、その後バ
ンプを形成する方式と、バンプ形成後検査する方式とが
ある。
【０００３】バンプ形成前に検査する方式は半田バンプ
等バンプの材質が柔らかく針により傷が付きやすい場
合、またパッドにある程度針傷があっても、問題なく接
合強度の強いバンプを形成できる場合に実施していた。
また、バンプ後検査する方式は、銅バンプのように針に
より損傷の影響の少ない材質の場合に実施していた。
等バンプの材質が柔らかく針により傷が付きやすい場
合、またパッドにある程度針傷があっても、問題なく接
合強度の強いバンプを形成できる場合に実施していた。
また、バンプ後検査する方式は、銅バンプのように針に
より損傷の影響の少ない材質の場合に実施していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来のＴＡＢ用半
導体ウェーハにおいて、半導体チップを検査する方式
は、２通りあり、バンプを形成する前に検査する方式と
バンプ形成後に検査する方式である。
導体ウェーハにおいて、半導体チップを検査する方式
は、２通りあり、バンプを形成する前に検査する方式と
バンプ形成後に検査する方式である。
【０００５】前者は、半田バンプ等のようなバンプ材質
が柔らかく針によりバンプ形状を損ねてしまう場合に実
施されるが、針でアルミパットを規定以上に傷付ける
と、アルミパットの上にバンプが正常に形成されず、ま
た、接合強度が弱くなり不良発生の原因となる欠点があ
った。
が柔らかく針によりバンプ形状を損ねてしまう場合に実
施されるが、針でアルミパットを規定以上に傷付ける
と、アルミパットの上にバンプが正常に形成されず、ま
た、接合強度が弱くなり不良発生の原因となる欠点があ
った。
【０００６】一方、後者では、銅バンプ等のように、バ
ンプ材質が比較的固い場合に実施されるが、パンプの高
さばらつきおよびバンプ形状により、検査時に針が変形
したり、必要以上の針圧を加えるとバンプ上部が球状の
ため、すべり落ちて半導体チップ内部を傷付けてしまう
欠点があった。
ンプ材質が比較的固い場合に実施されるが、パンプの高
さばらつきおよびバンプ形状により、検査時に針が変形
したり、必要以上の針圧を加えるとバンプ上部が球状の
ため、すべり落ちて半導体チップ内部を傷付けてしまう
欠点があった。
【０００７】本発明の目的は、前記の欠点を除去するこ
とにより、半導体チップの検査時に不良を発生すること
のないパッド構造を有するＴＡＢ用半導体ウェーハを提
供することにある。
とにより、半導体チップの検査時に不良を発生すること
のないパッド構造を有するＴＡＢ用半導体ウェーハを提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
をテープ状の有機樹脂製のフィルムに描いたリードフレ
ームに接着するためのバンプを形成するための複数のバ
ンプ形成用パッドを有するＴＡＢ用半導体基板におい
て、前記バンプ形成用パッドとは別にそれぞれ前記バン
プ形成用パッドに接続して設けられた複数の検査用パッ
ドを有することを特徴とする。
をテープ状の有機樹脂製のフィルムに描いたリードフレ
ームに接着するためのバンプを形成するための複数のバ
ンプ形成用パッドを有するＴＡＢ用半導体基板におい
て、前記バンプ形成用パッドとは別にそれぞれ前記バン
プ形成用パッドに接続して設けられた複数の検査用パッ
ドを有することを特徴とする。
【０００９】また、本発明は、前記検査用パッドは、前
記半導体チップを切り離すためのスクライブ線上に設け
られたものであることができる。
記半導体チップを切り離すためのスクライブ線上に設け
られたものであることができる。
【００１０】
【作用】半導体チップの検査は、バンプ形成用パッドと
は別に検査専用に設けた検査用パッドに針を押し付けて
行われる。
は別に検査専用に設けた検査用パッドに針を押し付けて
行われる。
【００１１】従って、バンプ形成前の検査では、なんら
バンプ形成用パッドを傷付けることはなくなる。また、
バンプ形成後検査では、なんらバンプおよび半導体チッ
プを傷付けることはなくなり、半導体チップの検査時に
おける不良発生を防止することが可能となる。
バンプ形成用パッドを傷付けることはなくなる。また、
バンプ形成後検査では、なんらバンプおよび半導体チッ
プを傷付けることはなくなり、半導体チップの検査時に
おける不良発生を防止することが可能となる。
【００１２】さらに、検査用パッドをスクライブ線上に
設けることにより、半導体チップ内に検査用パッドのた
めの領域を特別に設けなくともよくなる。
設けることにより、半導体チップ内に検査用パッドのた
めの領域を特別に設けなくともよくなる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１４】図１（ａ）は本発明の第一実施例の要部を
示す模式的平面図、図１（ｂ）はその全体を示す模式的
平面図、および図２はそのバンプ形成後の要部を示す模
式的断面図である。
示す模式的平面図、図１（ｂ）はその全体を示す模式的
平面図、および図２はそのバンプ形成後の要部を示す模
式的断面図である。
【００１５】本第一実施例は、半導体チップ６をテープ
状のポリエチレン製のフィルムに描いた図外のリードフ
レームに接着するためのバンプ５を形成するための複数
のバンプ形成用パッド４を有する半導体ウェーハ１にお
いて、本発明の特徴とするところの、バンプ形成用パッ
ド４とは別にそれぞれバンプ形成用パッドに接続して設
けられた複数の検査用パッド３を有している。そして、
この検査用パッド３はスクライブ線２上に設けられてい
る。
状のポリエチレン製のフィルムに描いた図外のリードフ
レームに接着するためのバンプ５を形成するための複数
のバンプ形成用パッド４を有する半導体ウェーハ１にお
いて、本発明の特徴とするところの、バンプ形成用パッ
ド４とは別にそれぞれバンプ形成用パッドに接続して設
けられた複数の検査用パッド３を有している。そして、
この検査用パッド３はスクライブ線２上に設けられてい
る。
【００１６】なお、本第一実施例は次のようにして得ら
れたものである。半導体ウェーハ１のスクライブ線２の
線幅を約１１０μｍ設け、スクライブ線２上にも、絶縁
膜を形成して、大きさ６０〜９０μｍ□の検査用パッド
３を形成する。この検査用パッド３はバンプ形成用パッ
ド４と接続しており、バンプ５は図２に示すように、バ
ンプ形成用パッド４のみに形成される。
れたものである。半導体ウェーハ１のスクライブ線２の
線幅を約１１０μｍ設け、スクライブ線２上にも、絶縁
膜を形成して、大きさ６０〜９０μｍ□の検査用パッド
３を形成する。この検査用パッド３はバンプ形成用パッ
ド４と接続しており、バンプ５は図２に示すように、バ
ンプ形成用パッド４のみに形成される。
【００１７】従って、本第一実施例においてバンプ５形
成前に検査する場合は、バンプ形成用パッド４を針で傷
つけることがなく、正常な歩留りのよいバンプを形成で
きる。また、バンプ５形成後に検査する場合は、針でバ
ンプ５自体を傷付けることがない。このため、半田バン
プのように柔らかくても損傷がなく、バンプのボンディ
ング歩留りも向上し、バンプ高さのばらつき、およびバ
ンプ形状不良による接触不良がなく、確実な検査を行う
ことができる。
成前に検査する場合は、バンプ形成用パッド４を針で傷
つけることがなく、正常な歩留りのよいバンプを形成で
きる。また、バンプ５形成後に検査する場合は、針でバ
ンプ５自体を傷付けることがない。このため、半田バン
プのように柔らかくても損傷がなく、バンプのボンディ
ング歩留りも向上し、バンプ高さのばらつき、およびバ
ンプ形状不良による接触不良がなく、確実な検査を行う
ことができる。
【００１８】なお、検査終了後は、組立するためダイシ
ングによりスクライブ線領域が無くなるので、無駄がな
くチップが大きくならなくてすむ。
ングによりスクライブ線領域が無くなるので、無駄がな
くチップが大きくならなくてすむ。
【００１９】図３は本発明の第二実施例による半導体チ
ップを示す模式的平面図、および図４はその要部を示す
模式的断面図である。
ップを示す模式的平面図、および図４はその要部を示す
模式的断面図である。
【００２０】本第二実施例は、本発明の特徴とするとこ
ろの、試験用パッド３を半導体チップ６内のバンプ形成
用パッド４に隣接して設けたものである。
ろの、試験用パッド３を半導体チップ６内のバンプ形成
用パッド４に隣接して設けたものである。
【００２１】本第二実施例も第一実施例と同様に、接合
強度のある高品質および高歩留りなバンプ済みのＴＡＢ
用半導体ウェーハを得ることができる。
強度のある高品質および高歩留りなバンプ済みのＴＡＢ
用半導体ウェーハを得ることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
バンプを形成するパッドと、半導体チップを検査をする
ため針当てするためのパッドが別に設けてあるので、バ
ンプ形成する前に検査する方式では、検査で使用するプ
ローブカードの針でバンプ形成用パッドを傷付けること
なく正常な接合強度の強いバンプを形成でき、また、バ
ンプ形成後検査する方式でも、バンプを傷付けることな
く、さらに、バンプの高さのばらつき等による針の接触
不良での誤検査を防止でき、高品質で高歩留りのバンプ
済ＴＡＢ用半導体ウェーハを生産することができ、その
効果は大である。
バンプを形成するパッドと、半導体チップを検査をする
ため針当てするためのパッドが別に設けてあるので、バ
ンプ形成する前に検査する方式では、検査で使用するプ
ローブカードの針でバンプ形成用パッドを傷付けること
なく正常な接合強度の強いバンプを形成でき、また、バ
ンプ形成後検査する方式でも、バンプを傷付けることな
く、さらに、バンプの高さのばらつき等による針の接触
不良での誤検査を防止でき、高品質で高歩留りのバンプ
済ＴＡＢ用半導体ウェーハを生産することができ、その
効果は大である。
【図１】本発明の第一実施例の全体およびその要部を示
す模式的平面図。
す模式的平面図。
【図２】そのバンプ済ウェーハの要部を示す模式的断面
図。
図。
【図３】本発明の第二実施例による半導体チップを示す
模式的平面図。
模式的平面図。
【図４】そのバンプ済ウェーハの要部を示す模式的断面
図。
図。
１ 半導体ウェーハ ２ スクライブ線 ３ 検査用パッド ４ バンプ形成用パッド ５ バンプ ６ 半導体チップ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップをテープ状の有機樹脂製の
フィルムに描いたリードフレームに接着するためのバン
プを形成するための複数のバンプ形成用パッドを有する
ＴＡＢ用半導体基板において、 前記バンプ形成用パッドとは別にそれぞれ前記バンプ形
成用パッドに接続して設けられた複数の検査用パッドを
有することを特徴とするＴＡＢ用半導体基板。 - 【請求項２】 請求項１記載のＴＡＢ用半導体基板にお
いて、 前記検査用パッドは、前記半導体チップを切り離すため
のスクライブ線上に設けられたものであることを特徴と
するＴＡＢ用半導体基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4114978A JPH05315404A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | Ｔａｂ用半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4114978A JPH05315404A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | Ｔａｂ用半導体基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315404A true JPH05315404A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14651332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4114978A Pending JPH05315404A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | Ｔａｂ用半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315404A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004061935A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Fujitsu Limited | バンプの形成方法、半導体装置及びその製造方法、並びに基板処理装置及び半導体製造装置 |
| US8962470B2 (en) | 2002-12-27 | 2015-02-24 | Fujitsu Limited | Method for forming bumps, semiconductor device and method for manufacturing same, substrate processing apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus |
-
1992
- 1992-05-07 JP JP4114978A patent/JPH05315404A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004061935A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Fujitsu Limited | バンプの形成方法、半導体装置及びその製造方法、並びに基板処理装置及び半導体製造装置 |
| US8962470B2 (en) | 2002-12-27 | 2015-02-24 | Fujitsu Limited | Method for forming bumps, semiconductor device and method for manufacturing same, substrate processing apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus |
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