JP4174043B2 - リソグラフィ装置 - Google Patents
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Description
放射線の投影ビームを提供するための放射線システムと、
所望のパターンに従って投影ビームにパターンを形成するように働くパターン形成手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記パターン形成されたビームを基板のターゲット部分に投影するための投影システムと、
液体リザーバを形成するために、投影システムの最終要素と基板との間の空間を少なくとも部分的に液体で充填するための液体供給システムと
を有するリソグラフィ投影装置であって、液体リザーバからのオーバーフローをさらに有することを特徴とするリソグラフィ投影装置
によって達成される。
放射線感光材料の層によって少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、
放射線システムを使用して放射線の投影ビームを提供するステップと、
パターン形成手段を使用して、投影ビームの断面にパターンを与えるステップと、
前記投影ステップで使用される投影システムの最終要素と基板との間に、入口を通して液体を供給するステップと、
パターン形成された放射のビームを、放射線感光材料の層のターゲット部分に投影するステップと
を含むデバイス製造方法が提供されている。
図1に、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を模式的に示す。本装置は、
放射線ビームB(例えばUV放射線またはDUV放射線)を調整するように構成された照明システム(照明器)ILと、
パターン形成デバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成された支持構造であって、あるパラメータに従ってパターン形成デバイスを正確に位置決めするように構成された第1の位置決め手段PMに接続された支持構造(例えばマスク・テーブル)MTと、
基板(例えばレジスト被覆ウェハ)Wを保持するように構成された基板テーブルであって、あるパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決め手段PWに接続された基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WTと、
放射線ビームBに与えられたパターンを、パターン形成デバイスMAによって基板Wの(例えば1つまたは複数のダイを有する)ターゲット部分Cに投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズ・システム)PSと
を有している。
(1)ステップ・モードでは、マスク・テーブルMTおよび基板テーブルWTは基本的に静止したままであり、放射線ビームに与えられた全パターンが一括してターゲット部分Cに投影される(すなわち、ただ1回の静的露光)。次いで、異なるターゲット部分Cを露光することができるように、基板テーブルWTがXおよび/またはY方向に移動される。ステップ・モードでは、露光領域の最大サイズが、ただ1回の静的露光でイメージ形成されるターゲット部分Cのサイズを制限する。
(2)走査モードでは、放射線ビームに与えられたパターンがターゲット部分Cに投影される間に、マスク・テーブルMTと基板テーブルWTが同期して走査される(すなわちただ1回の動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)およびイメージ反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光領域の最大サイズが、ただ1回の動的露光におけるターゲット部分の(非走査方向での)幅を制限し、走査運動の長さが、ターゲット部分の(走査方向での)高さを決定する。
(3)別のモードでは、放射線ビームに与えられたパターンがターゲット部分Cに投影される間、マスク・テーブルMTは、プログラム可能パターン形成デバイスを保持して基本的に静止したままであり、基板テーブルWTが移動または走査される。このモードでは通常、パルス放射源が採用され、プログラム可能パターン形成デバイスは、基板テーブルWTの毎回の移動後に、または走査中に、連続する放射線パルスの合間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上で言及したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどプログラム可能パターン形成デバイスを利用するマスクレス・リソグラフィに簡単に適用することができる。
図5に、実施例1で説明した構造に対する代替構成を示す。オーバーフロー構造25が余剰の液体を収集する。大量の余剰液体をオーバーフロー構造25内に収容することができるので、液体の量の増加による液体リザーバ10の深さの上昇は非常に小さくなることが見込まれる。流体の境界を画す障壁を形成する環状堤防27が存在し、液体の量が増大したとき、液体は、堤防27を越えて、出口であるチャネル26内に流れ、リザーバ10から液体が除去される。この例では、大部分の液体が、出口14ではなくチャネル26を通して除去される。したがって流体の深さが堤防27の高さによって制御される。大量の液体が出口14を通して除去されないので、シール部材12で振動があまり引き起こされず、ガスシール16がより効果的に機能する。気体含有量が確実に小さくなるように、チャネル26の流量は充分に小さくされるべきである。チャネル26は、入口21および22よりも上に配置されており、したがって流体はチャネル26内に溢れる。
図6に示す実施例は、以下に示す態様を除いて上の実施例と同じである。シール部材12から離隔されているただ1つの入口22が存在する。入口22は、投影システムPSとシール部材12との間に形成されており、流体は、堤防27の高さよりも下であり、しかし投影システムPSの最終要素の底部の高さよりも上の高さで入口22から流出する。流体は、定速Rで供給され、しかし実施例2と同様に、大部分は気体出口14ではなくチャネル26を通して除去される。チャネル26を通した物質除去の速度も定速Rである。シール32がリザーバ10の周囲に気体を閉じ込めており、水分を含んだ気体が装置全体に浸透して精密な部品を損傷し、測定、例えば干渉計の読み取り精度を損なうのを防いでいる。リザーバ10の上方の気圧を一定に保つために、したがって投影システムPLの最終要素での圧力を一定に保つために、気体が流れることができるシール32を通る経路33が存在する。経路33は、装置の外側に延び、それにより水分を含んだ気体を除去する。経路33は、好ましくは低い抵抗を有し、気体が自由に流れることを可能にすべきである。
この実施例では、流体は、図7に示されるシール部材12の内周に構成された同心円状(すなわち環状)の入口23を通して供給される。入口23は、約20μm〜300μm、好ましくは150μmのスリット幅を有し、基板Wから約0.5mmの距離に配置されており、流体のチャネルを投影システムPSのすぐ下の領域(すなわちターゲット部分)に向けており、それにより投影システムPSのすぐ下の流体が常に新規補給される。この例では、入口は、シール部材12の内縁部を形成しているが、シール部材12の内周に近接するように配置することもできる。別法として、入口23を、シール部材12の内周に配置された複数のパイプとすることもできる。図7に示すように、投影システムPSの要素とシール部材12との間に経路が形成される。流体は、投影システムPSの最終要素の下を循環した後、この経路を通って流れ、堤防27を越えて、出口28を通して除去される。しかし前述の実施例と異なり、投影システムPSの要素、または装置の別の部分が、リザーバ10の上側の境界を定めている。したがって表面波が生じず、静止水圧が制限され、投影システムPSに対する継続的な一様の圧力が得られる。
この実施例は、以下に説明する態様を除いて実施例4と同じである。入口33は環状であり、直径が約50〜100mmであり、幅が20μm〜300μm、好ましくは150μmである。図8に示すように、入口33を、シール部材12の底部の前で終端させることができ、あるいはシール部材12の底部、または中間の任意の場所まで延びるようにすることもできる。浸液は、チャンバ34を通して入口33に供給され、チャンバ34は、流れに対する制約をより小さくすることを保証するために、入口33よりも大きい断面積を有している。
この実施例では、入口を通る液体の流れが図9に示される弁45によって制御される。装置の通常動作中、弁45は、流体が入口33を通って自由に流れることができるようにしている。しかしシステムまたは装置内でエラー、例えば基板Wおよび基板テーブルWTの偶発的な外れ、またはサーボ・エラーが検出されると、弁45は、自動的に入口33を高真空チャンバ(添付の図面には図示せず)に接続する。それにより、液体をリザーバから迅速に除去することができる。弁45と、それに関連する真空チャンバは、他の入口、例えば実施例4〜7に示す入口21および23に接続することもできる。
IL 照明システム、照明器
MA パターン形成デバイス
PM 第1の位置決め手段
MT 支持構造、マスク・テーブル
W 基板
PW 第2の位置決め手段
C ターゲット部分
PS 投影システム
SO 放射源
BD ビーム・デリバリ・システム
AD 調整器
IN 積分器
CO 集光器
10 液体リザーバ
12 シール部材
14 出口
15 入口
16 ガスシール
25 オーバーフロー構造
26、34 チャネル
27 堤防
45 弁
Claims (19)
- 放射線の投影ビームを提供するための放射線システムと、
所望のパターンに従って前記投影ビームにパターンを形成するように働くパターン形成手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記パターン形成されたビームを前記基板のターゲット部分に投影するための投影システムと、
液体リザーバを形成するために、前記投影システムの最終要素と前記基板との間の空間を少なくとも部分的に液体で充填するための液体供給システムと
を有するリソグラフィ投影装置であって、
前記液体リザーバからのオーバーフローをさらに有することを特徴とするリソグラフィ投影装置。 - 前記空間に液体を供給するための入口をさらに有し、前記オーバーフローが前記入口よりも上に配置されている請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記液体が障壁によって境界を画成され、前記オーバーフローへの進入口が前記障壁の反対側に配置されている請求項1または請求項2に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記オーバーフローは、前記液体が前記障壁の上部を越えて流れるときに該オーバーフロー内にのみ流入するように構成されている請求項3に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記障壁が、前記液体供給システムの一部を形成している請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記障壁が、前記投影システムの最終要素の面積よりも小さくない面積を有する稜部を形成している請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記液体の上方の空間が、気密部材によって封止されている請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記オーバーフローが、前記流体の上方の圧力を一定のレベルに保つ請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記投影システムの最終要素と前記基板テーブルとの間の前記空間の境界の少なくとも一部に沿って延びるシール部材をさらに有し、該シール部材と前記投影システムとが毛管経路を形成し、前記オーバーフローが、前記毛管経路の少なくとも一部の端部に、液体を除去するように配置されている請求項1から請求項8までのいずれか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記投影システムの最終要素と前記基板テーブルとの間の前記空間の境界の少なくとも一部に沿って延びるシール部材と、前記空間に液体を供給するための入口とをさらに有し、該入口が、前記シール部材の内周に近接しており、且つ前記基板のターゲット部分に向けられている請求項1から請求項9までのいずれか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 基板を保持するための基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分に向けられた放射線の投影ビームを提供するための放射線システムと、
所望のパターンに従って前記投影ビームにパターンを形成するように働くパターン形成手段を支持するための支持構造と、
前記パターン形成されたビームを前記基板のターゲット部分に投影するための投影システムと、
前記投影システムの最終要素と前記基板との間の空間を少なくとも部分的に液体で充填するための液体供給システムであって、前記空間に液体を供給するための入口と、前記投影システムの最終要素と前記基板テーブルとの間の前記空間の境界の少なくとも一部に沿って延びるシール部材とを有している液体供給システムとを有し、
前記入口が、前記シール部材の内周に近接しており、且つ基板のターゲット部分に向けられており、
オーバーフローをさらに有しているリソグラフィ投影装置。 - 前記液体供給システムは、液体が出口に向かって流れるように、また前記投影システムの要素と前記シール部材との間に経路が形成されるように構成されている請求項11に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記出口が前記経路の端部にある請求項12に記載のリソグラフィ投影装置。
- チャンバをさらに有し、該チャンバを通して前記液体が前記入口に供給され、また前記チャンバは、前記入口の断面積よりも大きい断面積を有している請求項11から請求項13までのいずれか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記空間から液体を除去するための出口をさらに有し、前記シール部材と前記投影システムとが毛管経路を形成し、前記出口が、前記毛細経路の少なくとも一部の端部に、液体を除去するように構成されている請求項11から請求項14までのいずれか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 基板を保持するための基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分に向けられた放射線の投影ビームを提供するための放射線システムと、
所望のパターンに従って前記投影ビームにパターンを形成するように働くパターン形成手段を支持するための支持構造と、
前記パターン形成されたビームを前記基板のターゲット部分に投影するための投影システムと、
前記投影システムの最終要素と前記基板との間の空間を少なくとも部分的に液体で充填するための液体供給システムであって、前記投影システムの最終要素と前記基板テーブルとの間の前記空間の境界の少なくとも一部に沿って延在するシール部材と、前記空間から液体を除去するための出口とを有している液体供給システムと
を有するリソグラフィ投影装置であって、
前記シール部材と前記投影システムとが毛管経路を形成し、前記出口が、前記毛細経路の少なくとも一部の端部に、液体を除去するように構成されており、
オーバーフローをさらに有しているリソグラフィ投影装置。 - 前記空間に液体を供給するための入口をさらに有し、前記出口の流量は前記入口の流量よりも大きい請求項16に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記空間に液体を供給するための入口をさらに有し、該入口が、前記シール部材の内周に近接しており、且つ前記基板のターゲット部分に向けられている請求項16または請求項17に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記空間に液体を供給するための入口をさらに有し、該入口が、前記シール部材の内周に近接しており、且つ前記基板のターゲット部分に向けられている請求項16から請求項18までのいずれか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
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SG10201607457PA (en) | 2003-08-29 | 2016-10-28 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
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US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8508713B2 (en) * | 2004-06-10 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
EP2605068A3 (en) * | 2004-06-10 | 2013-10-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8717533B2 (en) * | 2004-06-10 | 2014-05-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8373843B2 (en) * | 2004-06-10 | 2013-02-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP4515335B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、ノズル部材、及びデバイス製造方法 |
JP4623095B2 (ja) * | 2004-06-17 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィレンズの流体圧力補正 |
US7701550B2 (en) * | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7903233B2 (en) * | 2005-01-21 | 2011-03-08 | Nikon Corporation | Offset partial ring seal in immersion lithographic system |
US8692973B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
EP2506289A3 (en) | 2005-01-31 | 2013-05-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4072543B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2008-04-09 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置及びデバイス製造方法 |
US7330238B2 (en) * | 2005-03-28 | 2008-02-12 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method |
US7411654B2 (en) | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8248577B2 (en) * | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317507B2 (en) * | 2005-05-03 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4720293B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-07-13 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイスの製造方法 |
US7834974B2 (en) * | 2005-06-28 | 2010-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411658B2 (en) * | 2005-10-06 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4889331B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-03-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN100590173C (zh) * | 2006-03-24 | 2010-02-17 | 北京有色金属研究总院 | 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源 |
US7701551B2 (en) * | 2006-04-14 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9477158B2 (en) | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102006023876A1 (de) * | 2006-05-19 | 2007-11-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung |
US8027023B2 (en) * | 2006-05-19 | 2011-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical imaging device and method for reducing dynamic fluctuations in pressure difference |
US7443483B2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-10-28 | Entegris, Inc. | Systems and methods for fluid flow control in an immersion lithography system |
US7866330B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US8947629B2 (en) * | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US8011377B2 (en) * | 2007-05-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US9013672B2 (en) * | 2007-05-04 | 2015-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US8681308B2 (en) * | 2007-09-13 | 2014-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL1036715A1 (nl) * | 2008-04-16 | 2009-10-19 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus. |
EP2128703A1 (en) | 2008-05-28 | 2009-12-02 | ASML Netherlands BV | Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus |
SG159467A1 (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-30 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI457714B (zh) * | 2008-09-17 | 2014-10-21 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及其操作方法 |
NL2003392A (en) * | 2008-09-17 | 2010-03-18 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
US8896806B2 (en) * | 2008-12-29 | 2014-11-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5407383B2 (ja) * | 2009-02-05 | 2014-02-05 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
NL2004497A (en) | 2009-05-01 | 2010-11-02 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
US8746975B2 (en) | 2011-02-17 | 2014-06-10 | Media Lario S.R.L. | Thermal management systems, assemblies and methods for grazing incidence collectors for EUV lithography |
US8731139B2 (en) | 2011-05-04 | 2014-05-20 | Media Lario S.R.L. | Evaporative thermal management of grazing incidence collectors for EUV lithography |
JP6332948B2 (ja) | 2013-11-28 | 2018-05-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびそれを用いたデバイスの製造方法 |
US10324384B2 (en) * | 2014-07-01 | 2019-06-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of manufacturing a lithographic apparatus |
US10095129B2 (en) | 2014-07-04 | 2018-10-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus |
US9588446B2 (en) * | 2015-05-29 | 2017-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Calibration apparatus and an adjustment method for a lithography apparatus |
US11156921B2 (en) | 2017-12-15 | 2021-10-26 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus, and method of using a fluid handling structure |
US11543754B1 (en) * | 2021-06-16 | 2023-01-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extractor piping on outermost sidewall of immersion hood apparatus |
Family Cites Families (194)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE206607C (ja) | ||||
DE242880C (ja) | ||||
DE224448C (ja) | ||||
DE221563C (ja) | ||||
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
DE2102922C3 (de) | 1971-01-22 | 1978-08-24 | Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar | Anordnung zum selbsttätigen Fokussieren auf in optischen Geräten zu betrachtende Objekte |
US3837731A (en) * | 1973-06-22 | 1974-09-24 | Corning Glass Works | Oil dispenser for microscope objective |
US4040020A (en) * | 1975-12-05 | 1977-08-02 | International Business Machines Corporation | Bubble lattice device |
ATE1462T1 (de) | 1979-07-27 | 1982-08-15 | Werner W. Dr. Tabarelli | Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe. |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4390273A (en) | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD206607A1 (de) | 1982-06-16 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD242880A1 (de) | 1983-01-31 | 1987-02-11 | Kuch Karl Heinz | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS6265326U (ja) | 1985-10-16 | 1987-04-23 | ||
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS62121417U (ja) | 1986-01-24 | 1987-08-01 | ||
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPS63157419U (ja) | 1987-03-31 | 1988-10-14 | ||
US5040020A (en) | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH0297239A (ja) | 1988-09-30 | 1990-04-09 | Canon Inc | 露光装置用電源装置 |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JP3374413B2 (ja) | 1992-07-20 | 2003-02-04 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
DE19604363A1 (de) | 1995-02-23 | 1996-08-29 | Zeiss Carl Fa | Zusatzmodul zur ortsaufgelösten Fokusvermessung |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JP3433403B2 (ja) | 1995-10-16 | 2003-08-04 | 三星電子株式会社 | ステッパのインタフェース装置 |
WO1998009278A1 (en) | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Digital Papyrus Technologies | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) * | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
EP1039511A4 (en) | 1997-12-12 | 2005-03-02 | Nikon Corp | PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JPH11285167A (ja) | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Canon Inc | 半導体デバイス等の製造装置と製造方法、ならびに電力供給システム |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
TWI242111B (en) | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
JP2001272604A (ja) | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Olympus Optical Co Ltd | 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置 |
TW591653B (en) | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
US20020129838A1 (en) | 2001-03-15 | 2002-09-19 | Larry Myland | Substrate aspiration assembly |
WO2002091078A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6600547B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
US6897941B2 (en) | 2001-11-07 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Optical spot grid array printer |
US7092069B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
JP4117530B2 (ja) * | 2002-04-04 | 2008-07-16 | セイコーエプソン株式会社 | 液量判定装置、露光装置、および液量判定方法 |
JP4370554B2 (ja) | 2002-06-14 | 2009-11-25 | 株式会社ニコン | オートフォーカス装置およびオートフォーカス付き顕微鏡 |
JP2005536775A (ja) | 2002-08-23 | 2005-12-02 | 株式会社ニコン | 投影光学系、フォトリソグラフィ方法および露光装置、並びに露光装置を用いた方法 |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
CN101470360B (zh) | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10253679A1 (de) | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
EP1420302A1 (en) | 2002-11-18 | 2004-05-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60319658T2 (de) | 2002-11-29 | 2009-04-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
KR101101737B1 (ko) | 2002-12-10 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
KR101157002B1 (ko) | 2002-12-10 | 2012-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
CN1717776A (zh) | 2002-12-10 | 2006-01-04 | 株式会社尼康 | 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置 |
SG171468A1 (en) | 2002-12-10 | 2011-06-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
CN1723541B (zh) | 2002-12-10 | 2010-06-02 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
JP4232449B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
WO2004053955A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2004053950A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1429190B1 (en) | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
DE60326384D1 (de) | 2002-12-13 | 2009-04-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht |
EP1584089B1 (en) | 2002-12-19 | 2006-08-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
CN1316482C (zh) | 2002-12-19 | 2007-05-16 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 照射层上斑点的方法和装置 |
US7010958B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
US7090964B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
US6943941B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
JP4902201B2 (ja) | 2003-04-07 | 2012-03-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
WO2004093159A2 (en) * | 2003-04-09 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Immersion lithography fluid control system |
KR101364928B1 (ko) * | 2003-04-10 | 2014-02-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
WO2004093160A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
KR101238142B1 (ko) * | 2003-04-10 | 2013-02-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
KR101597475B1 (ko) * | 2003-04-11 | 2016-02-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
SG10201404132YA (en) | 2003-04-11 | 2014-09-26 | Nippon Kogaku Kk | Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly |
KR20050122269A (ko) * | 2003-04-17 | 2005-12-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피를 이용하기 위한 오토포커스 소자의광학적 배열 |
JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP2004356205A (ja) | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Tadahiro Omi | スキャン型露光装置および露光方法 |
EP1482372B1 (en) | 2003-05-30 | 2014-10-08 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261742A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
EP1494079B1 (en) | 2003-06-27 | 2008-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic Apparatus |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
US7236232B2 (en) | 2003-07-01 | 2007-06-26 | Nikon Corporation | Using isotopically specified fluids as optical elements |
SG109000A1 (en) | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
JP2006528835A (ja) | 2003-07-24 | 2006-12-21 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および浸漬液体を浸漬空間へ導入する方法 |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
US7326522B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7700267B2 (en) | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7579135B2 (en) | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US7157275B2 (en) | 2003-08-15 | 2007-01-02 | Becton, Dickinson And Company | Peptides for enhanced cell attachment and growth |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
SG10201607457PA (en) * | 2003-08-29 | 2016-10-28 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
JP4288426B2 (ja) | 2003-09-03 | 2009-07-01 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
US7678527B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
US7411653B2 (en) * | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
WO2005050324A2 (en) | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Dsm Ip Assets B.V. | A method and apparatus for producing microchips |
US7924397B2 (en) | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
JP4747263B2 (ja) | 2003-11-24 | 2011-08-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | オブジェクティブにおける光学素子のための保持装置 |
US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
WO2005059617A2 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
EP1700163A1 (en) | 2003-12-15 | 2006-09-13 | Carl Zeiss SMT AG | Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
US7460206B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
WO2005059645A2 (en) | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal elements |
US20050185269A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
JP5420821B2 (ja) | 2004-01-14 | 2014-02-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 反射屈折投影対物レンズ |
KR101230757B1 (ko) | 2004-01-16 | 2013-02-06 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
CN1938646B (zh) | 2004-01-20 | 2010-12-15 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 曝光装置和用于投影透镜的测量装置 |
US7026259B2 (en) | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
US8852850B2 (en) | 2004-02-03 | 2014-10-07 | Rochester Institute Of Technology | Method of photolithography using a fluid and a system thereof |
EP1716454A1 (en) | 2004-02-09 | 2006-11-02 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101727021A (zh) | 2004-02-13 | 2010-06-09 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 微平版印刷投影曝光装置的投影物镜 |
EP1721201A1 (en) | 2004-02-18 | 2006-11-15 | Corning Incorporated | Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light |
US20050205108A1 (en) | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
US7027125B2 (en) | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
US7084960B2 (en) | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
US7227619B2 (en) | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7034917B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7295283B2 (en) | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005098504A1 (en) | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
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