CN1612053A - 光刻装置 - Google Patents

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Abstract

液体通过入口提供给投影系统最后元件和基底之间的贮液器。溢流口排出给定水平面上方的液体。该溢流口位于入口之上，这样液体就不断更新且液体压力保持基本恒定。

Description

光刻装置
技术领域
本发明涉及一种光刻装置及一种器件的制造方法。
背景技术
光刻装置是一种将预期图案应用于基底，通常是基底的靶部上的机械。光刻装置可用于，例如，集成电路(IC)的制造。在此情况下，构图装置可用于产生形成于IC一个单层上的电路图案，该构图装置可选择地为掩模或者中间掩模版。该图案可以转移到基底(例如硅晶片)上的靶部(例如包括一个或多个管芯)。通常图案的转印通过在基底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上成像来完成。一般地，单一的基底将包括依次形成图案的相邻靶部的网络。现有的光刻装置包括称作步进器的光刻装置和称作扫描器的光刻装置，在步进器中，通过将整个图案一次曝光于靶部上而辐射每一靶部，在扫描器中，通过辐射光束沿给定方向(即“扫描”-方向)上扫描该图案，同时沿与该方向平行或反向平行方向的方向同步扫描基底而辐射每一个靶部。还可以通过将图案刻在基底上以使图案由构图装置转印至基底。
已经提出将光刻投影装置中的基底浸没到具有比较高的折射率的液体，例如水中，以充满投影系统的最后元件和基底之间的空间。其目的在于使更小的特征成像，因为曝光辐射在液体中具有更短的波长。(液体的效果也可认为是增加系统的有效数值孔径(NA)和景深。)还提出了其它浸液，包括具有悬浮在其中的固体微粒(例如石英)的水。
然而，在液体浴(参见US4,509,852，在此全文引入作为参考)中浸湿基底或基底和基底台，意味着在扫描曝光过程中有大量的液体被加速。这需要额外的或更大功率的电动机，并且液体的紊流可能导致不良的且无法预测的效果。
提出的解决方案之一是，对于液体供给系统只在基底的局部区域上提供液体，并且在投影系统的最后元件和基底之间处使用液体密封系统(通常基底的表面比投影系统的最后元件的表面大)。WO99/49504中披露了这种解决方案的一种方式，在此全文引入作为参考。如图2和图3所示，通过至少一个入口IN将液体供给至基底上，优选沿着基底相对于最后元件的移动方向供给液体，并且在通过投影系统的下方后，由至少一个出口OUT排出液体。也就是，当沿负X方向在该元件下方扫描基底时，在该元件的正X侧供给液体，并在负X侧吸收液体。图2示意性示出了液体由入口IN供给，且通过与一低压源相连的出口OUT，在该元件的另一侧吸收的装置。图2中示出，沿着基底相对于最后元件的移动方向供给液体，尽管并不必需这样。可以在最后元件周围设置不同方向和数量的入口和出口，一个例子示于图3中，围绕最后元件以规则图案在其任一侧都设置四组带有出口的入口。
提出的另一个解决方案是，提供一个具有密封元件的液体供给系统，该密封元件沿着投影系统的最后元件和基底台之间的空间的边界的至少一部分延伸。该解决方案示于图10中。该密封元件相对于投影系统在XY平面上基本静止，尽管在Z方向上(光轴的方向上)可能存在一些相对移动。密封形成于密封元件和基底表面之间。该密封优选无接触密封，例如气密封。在欧洲专利申请No.03252955.4中披露了这样一个具有气密封的系统，在此全文引入作为参考。
在欧洲专利申请No.03257072.3中披露了双台浸没式光刻装置的构思。该装置设有两个用于支撑基底的台。在第一位置的台上进行水平测量，没有浸液，在第二位置的台上进行曝光，此处存在浸没液体。或者，该装置只有一个台。
但是，如果液体保持静止，温度波动会导致投影光束中的波前干扰，从而在投影图像中产生误差。由此提出周期性更新液体。然而，利用上述密封，或者位于该密封附近的出口排出液体导致机械振动从而干扰曝光。而且，液体的更新涉及的压力很高并且投影系统对压力变化高度敏感，该压力变化会导致投影系统最后元件的变形和干扰。因此，围绕投影系统的液体的深度应保持恒定。
基底相对于投影系统的移动会产生压力梯度。在某些情况下，这将导致液体被从投影系统的下方带走。除非液体在投影系统下方是均匀的，或者如果在投影系统下方存在气泡，曝光的精度将受到损害。
如果在该装置中出现误差，例如密封失效或从投影系统下方突然移开基底台，除非很快排出液体，否则液体将在装置中流散，很可能损坏该装置。上面所提出的液体供给系统，特别是包括气密封的那个液体供给系统，没有提供足够快排出液体的方式。
发明内容
本发明的一个目的是提供一个系统，在该系统中，液体中的压力波动和/或温度变化最小化，而不引入由于机械振动而引起的不必要的干扰。
根据本发明，这些和其它的目的在一种光刻投影装置中实现，该光刻投影装置包括：
—一用于提供辐射投影光束的辐射系统；
—一用于支撑构图装置的支撑结构，该构图装置根据所需的图案使投影光束带有图案；
—一用于支撑基底的基底台；
—一投影系统，用于将带有图案的光束投影至基底的靶部上；以及
—一液体供给系统，用于将所述投影系统的最后元件和所述基底之间的空间至少部分充满液体，以形成贮液器，
其特征在于，还包括来自所述贮液器的溢流口。
溢流口来自由浸渍液形成的贮液器，过剩的液体被排出至其它地方。该溢流口可用于将液体深度保持在一基本恒定的水平面，因此减少由于液体深度变化导致的投影系统最后元件上的压力变化。由于液体是由出口而不是由气密封内或气密封周围所使用的物体排出，因此将降低机械振动。由于溢流口的存在，可以以比在常规系统中更高的流速供给液体。更高的液体更换速度确保液体不会加热太快，并且还防止了由光致抗蚀剂产生的浸渍液的污染。根据一个实施例，该溢流口是出口液体供给系统。该装置还包括一用于向投影系统的最后元件和基底之间的空间提供液体的入口，溢流口设置在该入口上方，以确保该溢流口有效地排出液体。液体以一阻挡件为边界，溢流口的入口位于该阻挡件的对侧。由此只有当液体超出阻挡件的边界时，液体才会由溢流口排出。溢流口优选设置为当所述液体流出所述阻挡件的顶端时，使所述液体只流入所述溢流口。该溢流口可以设置为使其位于与阻挡件顶端相同高度处或者低于阻挡件的高度处。例如，该阻挡件形成一个脊，该脊的面积与投影系统的最后元件的面积相比不是很小。为简化起见，该阻挡件构成液体供给系统的一部分。本说明书中所指的液体供给系统不仅限于提供液体的装置，还包括控制液体的位置、数量、形状、流速或任何其他特征的元件。液体以恒定速率不断更新以减少温度变化。
为将液体上方的压力维持在一个已知的水平上，液体上方的空间由一气密元件密封。此外，通过，例如，提供一个已知的抽吸力出口可以将液体上方的气压维持在一个恒定水平。将液体上方的气压维持在一个恒定水平减少了投影系统上的压力变化。
根据本发明的另一个方面，提供一种在开始的段落中描述的光刻投影装置，其中，辐射系统提供正对基底的靶部的辐射投影光束，该液体供给系统包括入口，用于向位于投影系统的最后元件和基底之间的空间提供液体，以及密封元件，该密封元件沿着位于投影系统的最后元件和基底台之间的所述空间的至少一部分边界延伸，该装置的特征在于，该入口与密封元件的内周相邻，并对着基底的靶部。
由此更新了位于投影系统正下方的液体。液体由入口流向投影系统正下方的区域，在该处，液体循环直到从出口排出。这还借助于设置了使通道形成于投影系统元件和所述密封元件之间以使液体流向出口的液体供给系统。因此液体向出口的流动受到限制。出口可以设置在通道的末端。液体因此具有最小自由液面使得没有表面波纹并且使静态水压区域最小。浸渍液通过一腔室供给该入口。该腔室设置成使该腔室和入口之间只产生很小的压降。例如该腔室具有比入口的横截面更大的横截面。
根据本发明的另一个方面，提供一种在开始的段落中描述的光刻投影装置，其中，辐射系统提供对着基底的靶部的辐射投影光束，液体供给系统包括一出口，用于从投影系统的最后元件和基底之间的空间中排出液体，以及一密封元件，该密封元件沿着投影系统的最后元件和基底台之间的所述空间的至少一部分的边界延伸，该装置的特征在于，所述密封元件和所述投影系统形成一毛细通道，所述出口设置为用于排出位于所述毛细通道的至少一部分末端处的液体。
因此，液体的深度被小心地控制在由毛细通道限定的水平面处。该装置还包括用于向所述空间提供液体的入口，所述入口与所述密封元件的内周相邻，并对着所述基底的靶部。因而，投影系统正下方的液体，即基底的靶部处的液体不断更新。这是对过热和污染最敏感的液体。入口优选地是围绕投影系统的连续的槽。出口的流速比入口更高，这样过剩的液体不会聚积，而且液体的深度保持在由毛细通道限定的水平面上。
本发明的另一个目的在于，防止由于液体深度的变化而导致围绕投影系统的最后元件的液体压力的突然变化。
根据本发明的又一个方面，在开始的段落中描述的光刻投影装置实现了该目的和其它目的，其特征在于，所述液体以阻挡件为边界，该阻挡件具有一个面积与投影系统最后元件的面积相比不是很小的脊。因而，脊应当具有使得当投影系统最后元件和基底之间的浸渍液的容量增加到脊的水平面之上时，浸渍液的深度只是非常缓慢地增加的面积。为简化起见，阻挡件是液体供给系统的一部分。
本发明的又一个目的在于，提供一个系统，在该系统中，当出现系统误差时可以快速高效地排出液体。
根据本发明的又一个方面，液体供给系统还包括一用于向投影系统最后元件和基底之间的空间提供液体的入口，以及用于将所述入口连接到一高真空源的装置。如果存在系统故障(例如突然移动基底台)，该入口可用于将液体从该装置中排出，从而防止液体从该装置流出而损坏精密元件。由于入口通常更接近于液体容积的下端，从入口排出液体是比仅使用出口排出液体更有效的方法。因此，在紧急情况下，入口用作附加出口加速液体排出速度。阀是一个特别适于将入口连接到高真空源的装置。当系统出现故障时，阀快速且简单地将入口与高真空源相连。或者，当系统故障时可以自动操纵该阀。
对本领域技术人员而言，显然任何从属权利要求都可从属于任何其它独立权利要求。
根据现有技术，提供了一种器件的制造方法，包括步骤：
—提供一基底，该基底至少部分涂覆辐射敏感材料层；
—提供一利用辐射系统的辐射投影光束；
—利用构图装置在该投影光束的横截面上赋予该投影光束一图案；
—通过入口向投影系统的最后元件和所述基底之间供给液体，该投影系统在所述投影步骤中使用；以及
—将带有图案的辐射光束投影至辐射敏感材料层的靶部上。
根据本发明的又一个方面，提供上述方法所述的器件制造方法，其特征在于，还提供溢流口。
根据本发明的又一个方面，提供如上所述的器件制造方法，其特征在于，当液体量超过给定水平面时，液体量的增加不会导致液体深度的显著变化。
根据本发明的又一个方面，提供如上所述的器件制造方法，其中，投影光束投向基底的靶部，液体由入口供给且以密封元件为边界，其特征在于，液体流出入口并流向基底的靶部。入口与密封元件的内周相邻地设置。
根据本发明的又一个方面，提供如上所述的器件制造方法，其特征在于，所述液体的深度由毛细作用力控制。该毛细作用力存在于密封元件和用于将辐射投影光束投向基底的装置之间。
根据本发明的又一个方面，提供如上所述的器件制造方法，液体由入口供给，其特征在于，还提供用于将所述入口连接到高真空源的装置。
尽管本文中根据本发明的装置具体用于IC的制造，但应当明确理解这样的装置可能具有许多其它应用。例如，该装置可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示器、薄膜磁头等等。本领域的技术人员可以理解，在这种可替换的用途范围中，说明书中任何术语“中间掩模版”、“晶片”或“管芯”的使用应认为分别由更普通的术语“掩模”，“基底”或“靶部”代替。
在本文中，术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如波长为365，248，193，157或126nm)。
附图说明
下面仅以实例的方式参照附图描述本发明的实施例，其中相应的参考标记表示相应部分，以及其中：
图1示出根据本发明一实施例的光刻装置；
图2和图3示出用于现有光刻投影装置的液体供给系统；
图4为根据本发明一实施例的光刻投影装置的详图；
图5为根据本发明显示溢流口的另一实施例的光刻投影装置的详图；
图6为根据本发明另一实施例的可替换的光刻投影装置的详图；
图7为根据本发明另一实施例的可替换的光刻投影装置的详图；
图8为根据本发明另一实施例的可替换的光刻投影装置的详图；
图9示出本发明一实施例的详图；以及
图10示出根据另一现有技术的光刻投影装置的液体供给系统；
图中，相应参考标记表示相应部分。
具体实施方式
实施例1
图1示意性地示出根据本发明一实施例的光刻装置。该装置包括：
—一照射系统(照射器)IL用于调节辐射光束B(例如UV辐射或DUV辐射)。
—一支撑结构(例如掩模台)MT用于支撑构图装置(例如掩模)MA，并与第一定位装置PM相连，该第一定位装置PM根据某些参数精确定位该构图装置。
—一基底台(例如晶片台)WT用于支撑基底(例如涂有抗蚀剂的晶片)W，并与第二定位装置PW相连，该第二定位装置PW根据某些参数精确定位该基底；及
—一投影系统(例如折射投影透镜系统)PS用于将通过构图装置MA赋予辐射光束B的图案投影至基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)。
该照射系统可以包括各种类型的光学元件，例如折射的，反射的，磁的，电磁的，静电的或其它类型的光学元件，或它们的组合，用于定向，整形或控制辐射。
该支撑结构支撑构图装置，也就是承受构图装置的重量。该支撑结构支撑构图装置的方式，依赖于该构图装置的方向，光刻装置的设计，和其它条件，例如是否在真空环境中支撑该构图装置。该支撑结构可以使用机械，真空，静电或其它夹紧技术以保持该构图装置。该支撑结构可以是一个框架或一个工作台，例如，可以根据需要固定或者可移动。该支撑结构可以确保该构图装置位于一所需位置，例如相对于投影系统。此处使用的任何术语“中间掩模版”或“掩模”可以看作与更普通的术语“构图装置”的含义相同。
此处使用的术语“构图装置”应广义地解释为任何可用于给辐射光束赋予带图案的截面的器件，例如在基底的靶部产生图案。应该注意到，该赋予辐射光束的图案可以与基底靶部上的所需图案不完全相同，例如如果该图案包含相移特征或者所谓的辅助特征。通常，赋予辐射光束的图案与在靶部产生的器件的特定功能层，例如集成电路一致。
该构图装置可以是透射的或是反射的。构图装置的实例包括掩模、可编程的反射镜阵列及可编程的LCD面板。在光刻领域中，掩模是众所周知的，包括例如二进制、交替相移、衰减相移及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个实例采用小反射镜排列成矩阵，每一个小反射镜各自倾斜以在不同方向上反射入射辐射光束。该倾斜的反射镜将图案赋予由反射镜矩阵反射的辐射光束。
此处使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含任何类型的投影系统，包括折射的、反射的、反射折射的、磁的、电磁的以及静电的光学系统，或任何它们的组合，如适于采用曝光辐射，或诸如采用浸液或真空等其它因素的投影系统。此处术语“投影透镜”的任何使用可以当作与更普通的术语“投影系统”的含义相同。
正如此处所述，该装置为透射类型(例如使用透射掩模)。或者，该装置可以是反射型(例如使用如上所述的一种可编程反射镜阵列，或者使用反射掩模)。
该光刻装置可以具有两个(双级)或更多个基底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多级式”机构中，可以并行使用附加的工作台，或者在一个或多个工作台上进行准备步骤，而一个或多个其它的工作台用于曝光。
参照图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。该辐射源与该光刻装置可以是分离的机构，例如当辐射源是受激准分子激光器时。在这种情况下，不认为该辐射源形成光刻装置的一部分，且辐射光束是借助光束传送系统BD，例如合适的导向反射镜和/或扩束器通过辐射源SO到达照射器IL。在其它情况下，辐射源可以与光刻装置成一体，例如当辐射源是汞灯时。辐射源SO和照射器IL，如果需要的话加上光束传送系统BD，称为辐射系统。
照射器IL包括用于调整辐射光束的角光强分布的调整器AD。通常，至少可以调整在照射器的光瞳平面内的光强分布的外和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外，照射器IL包括各种其它元件，例如积分器IN和聚光器CO。照射器可用于调节辐射光束，以在其横截面获得所需的均匀性和光强分布。
辐射光束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的构图装置(例如，掩模MA)，并由该构图装置形成图案。横穿掩模MA后，辐射光束B通过投影系统PS，该投影系统将光束聚焦在基底W的靶部C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如干涉测量装置、线性编码器或电容传感器)，基底台WT可以精确移动，例如在辐射光束B的光路中定位不同的靶部C。类似的，例如，从掩模库中机械地取出掩模后，或者在扫描过程中，可以使用第一定位器PM和另一个定位传感器(该定位传感器在图1中没有明确显示)相对于辐射光束B精确定位掩模MA。总之，掩模台MT的移动可以借助于形成第一定位器PM的一部分的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)实现。类似的，基底台WT的移动可以借助于形成第二定位器PW的一部分的长行程模块和短行程模块实现。在步进器(与扫描器相对)中，掩模台MT可以只与短行程传动器连接，或者被固定。使用掩模对准标记M1，M2和基底对准标记P1，P2对准掩模MA和基底W。虽然图示的基底对准标记占据专用的靶部，但是可以将它们设置在靶部之间的空间中(这些被认为是划道对准标记)。类似的，在掩模MA上具有多于一个管芯的情况下，该掩模对准标记可位于管芯之间。
所描述的装置可用于下述模式中的至少一种：
1.在步进模式中，当整个赋予辐射光束的图像被一次投射(即单次静态曝光)到靶部C上时，掩模台MT和基底台WT基本上保持静止。然后基底台WT在X和/或Y方向移动以使不同的靶部C曝光。在步进模式中，曝光区域的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在扫描模式中，当赋予辐射光束的图案投影到靶部C上(即单次动态曝光)时，同步扫描掩模台MT和基底台WT。基底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可由投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性决定。在扫描模式中，曝光区域的最大尺寸限制了在单次动态曝光中靶部的宽度(在非扫描方向上)，而扫描移动的长度决定了靶部的高度(在扫描方向上)。
3.在其它模式中，当赋予辐射光束的图案投影到靶部C上时，掩模台MT基本上保持静止，支撑可编程构图装置，并且移动或扫描基底台WT。在该模式中，通常使用脉冲辐射源，并且在基底台WT的每一次移动后或者在一次扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新可编程构图装置。该操作模式可以很容易地被用于使用可编程构图装置的无掩模光刻中，诸如上文所述的可编程反射镜阵列类型。
也可以使用上述模式的组合和/或变形，或者使用完全不同的模式。
如图4所示，位于投影透镜和基底之间的贮液器10以围绕投影透镜形成环的气密封16为边界。该密封优选由气体形成的气密封，例如空气或合成气但优选N2或其它惰性气体，该气体在压力下通过入口15提供给位于密封元件12和基底之间的间隙，并由第一出口14排出。将气体入口15上的过压、第一出口14上的真空水平以及间隙的几何形状设置成产生向内地限制液体的高速气流。气体入口和气体出口与基底W之间的距离很小。
贮液器由入口21和22提供液体，过剩的液体通过出口14排出。贮液器从投影系统PS的最后元件的底部向上延伸至一水平面，在该水平面处，围绕该贮液器并形成阻挡件的密封元件12突然加宽，如图4所示。密封元件的顶部形成一个脊，该脊的面积类似或大于投影系统PL的最后元件的底部的面积。因此，如果贮液器中的液体量急剧增加，贮液器10的深度不会较大地增加，因为位于密封元件12顶部的大面积之上的浸渍液体积的大幅增加，将不会导致浸渍液深度的大幅改变。因此由于贮液器深度的改变而产生的压力变化将是极小的。
实施例2
图5示出了在实施例1中所描述的结构的一种替换方案。溢流结构25聚集所有过剩的液体。因为溢流结构25中可以容纳大量的过剩液体，由于液体量的增加而导致的贮液器10深度的增加可能非常小。环形堤27形成了限制液体的阻挡件，当液体量增加，液体流出堤27并流入通道26，该通道26是一个出口，将液体从贮液器10排出。在本实例中，大部分液体通过通道26而不是出口14排出。因此液体的深度由堤27的高度控制。由于大量液体不是通过出口14被排出，在密封元件12中引起更少的振动，并且气密封16的作用更有效。通道26的流速应足够低以确保气体含量很小。通道26设置在入口21和22之上以使液体溢流入通道26。
实施例3
图6中所示的实施例，除了下述的几个方面之外，其它部分和上述实施例相同。只有一个入口22，与密封元件12分离。入口22形成于投影系统PS和密封元件12之间，液体在低于堤27但高于投影系统PS的最后元件的底部的高度上由入口22流出。以恒速R供给液体，但是，类似于实施例3，液体主要通过通道26而不是气体出口14排出。通过通道26排出的物质的速率也是恒速R。密封32限制围绕贮液器10的气体，并阻止充满湿气的气体蔓延到整个装置，从而损坏精密零件且损害测量精度，例如干涉仪读数。为保持贮液器10上部的气压恒定，从而保持投影系统PL的最后元件的压力恒定，通道33通过密封32，气体可以通过该通道33流动。通道33通向该装置的外部，由此排出充满湿气的气体。该通道33优选地具有较低阻力以使气体通畅地流动。
实施例4
在本实施例中，如图7所示液体由设置在密封元件12内周上的同心环形(即环)入口23提供。入口23的缝隙宽度约为20μm至300μm，优选150μm，该入口23位于距基底W大约0.5mm远处，并将液体通道导向投影系统PS正下方的区域(即靶部)，使得投影系统PS正下方区域的液体不断更新。在本实例中，入口形成密封元件12的内缘，但也可以将其设置为正好与密封元件12的内周邻接。或者，入口23可以是多个设置在密封元件12内周上的管子。如图7所示，在投影系统PS的元件和密封元件12之间形成一通道。环绕投影系统PS的最后元件的液体在通过出口28排出之前，流过该通道并且溢出堤27。但是，不像前面实施例那样，投影系统PS的元件或该装置的其它部分限制贮液器10的上水平面。因此不会出现表面波动且限制静态水压产生投影系统PS上的持续均匀压力。
实施例5
本实施例除了下述的几个方面之外其它部分和实施例4相同。环形入口33的直径大约为50-100mm，宽度为20μm至300μm，优选150μm。如图8所示，入口33可以在密封元件12的底部之上终止，或者可以延伸至密封元件12的底部，或这两部分之间的任何位置。浸渍液通过腔室34供给入口33，腔室34的横截面面积大于入口33的横截面面积，以确保腔室34对流动的限制更小。
在本实施例中，密封元件12和投影系统PS设置为使浸渍液通过堤27的水平面上的毛细管作用力而保持在密封元件12和投影系统PL之间。
密封元件12的边缘以与辐射光束B的传播方向约为45°的角度向投影系统PS倾斜。堤27与该斜面相交，并形成一基本垂直于辐射光束B传播方向的宽的脊。投影系统PS的边缘形成对密封元件12而言互补的形状，该密封元件12具有一与辐射光束B的传播方向约为45°角的斜面，以及垂直于辐射光束B传播方向在该斜面径向向外的较宽的区域。
出口38位于堤27之外，其流速远大于入口33的流速，以确保贮液器10中的浸渍液量受到控制。因此一些气体也由出口38排出。距离d3由密封元件12的作用高度所决定，且在本实例中至少为2mm。但是，距离d3应尽可能大以确保出口38有足够的气流。该装置的设置确保了浸渍液的深度在堤27之上的投影系统PS的水平面39处保持恒定。
为防止投影系统的最后元件受到损坏，堤27和投影系统PS之间的距离为2mm，而投影系统的最后元件与基底之间的距离大于2mm。
实施例6
在本实施例中，由如图9所示的阀45控制通过入口的液体的流动。在该装置的常规操作中阀45允许液体自由流过入口33。但是，当系统或装置中检测到错误时，例如基底W和基底台WT的意外移动或者伺服误差，阀45自动地将入口33连接到一高真空腔室(附图中未示出)。因此液体可以很快由贮液器流出。阀45和连带的真空腔可与其它入口相连，例如实施例4至7中所示的入口21和23。
尽管在本申请中，光刻装置具体用于IC的制造中，但是可以理解这里所述的光刻装置可以有其它应用，例如制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)薄膜磁头等等。本领域的技术人员可以理解，在这种可替换用途的范围内，此处任何术语“晶片”或“管芯”的使用可认为分别与更普通的术语“基底”或“靶部”的含义相同。在曝光前或曝光后，可以在例如一轨迹器(一种主要用于在基底上涂覆抗蚀剂层并显影已曝光的抗蚀剂的工具)一计量工具和/或一检验工具中加工此处所指的基底。如果需要，可以使用这种或其它基底加工工具对这里披露的基底加工。此外，该基底可以加工多次，例如为了制造多层IC，因此这里所使用的术语基底也可认为是已经具有多个加工层的基底。
尽管上面已经给出了本发明实施例在光学光刻方面的具体应用，但是，可以理解的是本发明可应用于其它方面，例如压印光刻(imprint lithography)，而且，本文中所提到的并不限于光学光刻。在压印光刻中，构图装置的图像限定了基底上产生的图案。可将该构图装置的图像压入应用于基底上的抗蚀层，随之通过应用电磁辐射、热、压力或它们的组合，固化该抗蚀层。抗蚀层固化后，将该构图装置移开抗蚀层，在抗蚀层内留下图案。
此处所使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如波长为或约为365，248，193，157或126nm)和极远紫外(EUV)辐射(例如波长在5-20nm范围内)，以及粒子光束，例如离子束或电子束。
本文中所提到的术语“透镜”可认为是各种光学元件中的任意一种或其组合，包括折射、反射、磁、电磁和静电光学元件。
尽管本发明的具体实施例已在上文中描述，但是，可以理解，本发明可以应用于除上述用途之外。例如，本发明可以采取包含一个或多个描述上面所披露的方法的机器可读指令的计算机程序的形式，或者采取内部存有所述计算机程序的数据存贮介质(例如半导体存储器，磁盘或光盘)的形式。
本发明可用于任何浸湿式光刻装置，特别是，但不特指上述那些类型。
上面的描述是说明性的，非限制性的。因此，对于本领域技术人员来说，在不背离下述权利要求的范围下可对本发明作出改进。

Claims (29)

1、一种光刻投影装置，包括：
—用于提供辐射投影光束的辐射系统；
—用于支撑构图装置的支撑结构，该构图装置根据所需图案使投影光束带有图案；
—用于支撑基底的基底台；
—投影系统，用于将带有图案的光束投影至基底的靶部上；以及
—液体供给系统，用于将所述投影系统的最后元件和所述基底之间的空间至少部分充满液体，以形成贮液器，其特征在于，还包括来自所述贮液器的溢流口。
2、一种如权利要求1所述的光刻投影装置，还包括入口，用于将液体提供给所述空间，其中，所述溢流口位于所述入口之上。
3、一种如权利要求1或2所述的光刻投影装置，其中所述液体以阻挡件为边界，所述液体的入口位于阻挡件的对侧。
4、一种如权利要求3所述的光刻投影装置，其中，设置所述溢流口使得当所述液体流过阻挡件顶部时，所述液体只流入该溢流口。
5、一种如上述任一权利要求所述的光刻投影装置，其中所述的阻挡件形成液体供给系统的一部分。
6、一种如上述任一权利要求所述的光刻投影装置，其中所述的阻挡件形成脊，该脊的面积与投影系统的最后元件的面积相比不是很小。
7、一种如上述任一权利要求所述的光刻投影装置，其中位于所述液体上部的空间由气密元件密封。
8、一种如上述任一权利要求所述的光刻投影装置，其中所述溢流口使所述液体上部的压力维持在恒定水平。
9、一种如上述任一权利要求所述的光刻投影装置，还包括沿着位于所述投影系统的最后元件和所述基底台之间的所述空间的至少一部分边界延伸的密封元件，所述密封元件和所述投影系统形成毛细通道，所述溢流口设置为在至少部分所述毛细通道的末端处排出液体。
10、一种如上述任一权利要求所述的光刻投影装置，还包括沿着位于所述投影系统的最后元件和所述基底台之间的所述空间的至少一部分边界延伸的密封元件，以及用于向该空间提供液体的入口，所述入口与所述密封元件的内周相邻，并对着所述基底的靶部。
11、一种光刻投影装置，包括：
—用于提供辐射投影光束的辐射系统；
—用于支撑构图装置的支撑结构，该构图装置根据所需图案使投影光束带有图案；
—用于保持基底的基底台；
—投影系统，用于将带有图案的光束投影至基底的靶部上；以及
—液体供给系统，用于将所述投影系统的最后元件和所述基底之间的空间至少部分充满液体，
其特征在于，所述液体以阻挡件为边界，该阻挡件具有面积与投影系统的最后元件的面积相比不是很小的脊。
12、一种如权利要求11所述的光刻投影装置，其中所述阻挡件是所述液体供给系统的一部分。
13、一种如权利要求11或12所述的光刻投影装置，还包括沿着位于所述投影系统的最后元件和所述基底台之间的所述空间的至少一部分边界延伸的密封元件，以及用于从所述空间排出液体的出口，所述密封元件和所述投影系统形成毛细通道，所述出口设置为在至少部分所述毛细通道的末端处以排出液体。
14、一种如权利要求11至13中任一权利要求所述的光刻投影装置，还包括沿着位于所述投影系统的最后元件和所述基底台之间的所述空间的至少一部分边界延伸的密封元件，以及用于向所述空间提供液体的入口，所述入口与所述密封元件的内周相邻，并对着所述基底的靶部。
15、一种光刻投影装置，包括：
—用于支撑基底的基底台；
—辐射系统，用于对着所述基底的靶部提供辐射投影光束；
—用于支撑构图装置的支撑结构，该构图装置根据所需图案使投影光束带有图案；
—投影系统，用于将已形成图案的光束投影至基底的靶部上；以及
—液体供给系统，用于将所述投影系统的最后元件和所述基底之间的空间至少部分充满液体，所述液体供给系统包括：
—用于向所述空间提供液体的入口；以及
—沿着位于所述投影系统的最后元件和所述基底台之间的所述空间的至少一部分边界延伸的密封元件，
其特征在于，所述入口与所述密封元件的内周相邻，并对着所述基底的靶部。
16、一种如权利要求15所述的光刻投影装置，其中所述液体供给系统设置为在所述投影系统的元件和所述密封元件之间形成通道，用于使液体流向出口。
17、一种如权利要求16所述的光刻投影装置，其中所述出口位于所述通道的末端。
18、一种如权利要求15至17中任一权利要求所述的光刻投影装置，还包括腔室，通过该腔室向所述入口提供液体，所述腔室的横截面比所述入口的横截面大。
19、一种如权利要求15至18中任一权利要求所述的光刻投影装置，还包括用于从所述空间排出液体的出口，所述密封元件和所述投影系统形成毛细通道，所述出口设置为在至少部分所述毛细通道的末端处排出液体。
20、一种如权利要求15至19中任一权利要求所述的光刻投影装置，还包括溢流口。
21、一种光刻投影装置，包括：
—用于支撑基底的基底台；
—辐射系统，用于对着所述基底的靶部提供辐射的投影光束；
—用于支撑构图装置的支撑结构，该构图装置根据所需图案使投影光束带有图案；
—投影系统，用于将带有图案的光束投影至基底的靶部上；以及
—液体供给系统，用于将所述投影系统的最后元件和所述基底之间的空间至少部分充满液体，所述液体供给系统包括：
—沿着位于所述投影系统的最后元件和所述基底台之间的至少一部分所述空间的边界延伸的密封元件，
—用于从所述空间排出液体的出口，
其特征在于，所述密封元件和所述投影系统形成毛细通道，所述出口设置为在至少部分所述毛细通道的末端处排出液体。
22、一种如权利要求21所述的光刻投影装置，还包括用于向所述空间提供液体的入口，其中所述出口的流速大于所述入口的流速。
23、一种如权利要求21或22所述的光刻投影装置，还包括用于向所述空间提供液体的入口，所述入口与所述密封元件的内周相邻，并对着所述基底的靶部。
24、一种如权利要求21至23中任一权利要求所述的光刻投影装置，还包括用于向所述空间提供液体的入口，所述入口与所述密封元件的内周相邻，并对着所述基底的靶部
25、一种如权利要求21至25中任一权利要求所述的光刻投影装置，还包括溢流口。
26、一种光刻投影装置，包括：
—辐射系统，用于提供辐射投影光束；
—用于支撑构图装置的支撑结构，该构图装置根据所需图案使投影光束带有图案；
—用于保持基底的基底台；
—投影系统，用于将带有图案的光束投影至基底的靶部上；以及
—液体供给系统，用于将所述投影系统的最后元件和所述基底之间的空间至少部分充满液体，所述液体供给系统包括用于向所述空间提供液体的入口，
其特征在于，还包括用于将所述入口与高真空源相连的装置。
27、一种如权利要求26所述的光刻投影装置，其中，当与高真空源相连时，所述入口用作出口的作用。
28、一种如权利要求26或27所述的光刻投影装置，其中当系统故障时，所述用于将所述入口与高真空源相连的装置自动地工作。
29、一种如上述任一权利要求所述的光刻投影装置，其中所述贮液器覆盖的面积比所述基底的面积小。
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TW (1) TWI263116B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102117018B (zh) * 2005-06-28 2012-09-26 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN104678713A (zh) * 2013-11-28 2015-06-03 佳能株式会社 曝光装置和器件制造方法

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201908879A (zh) 2003-02-26 2019-03-01 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
JP4315198B2 (ja) 2003-04-11 2009-08-19 株式会社ニコン 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
EP3401946A1 (en) 2003-06-13 2018-11-14 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101146962B1 (ko) 2003-06-19 2012-05-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR20180077311A (ko) * 2003-08-29 2018-07-06 가부시키가이샤 니콘 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
TWI470371B (zh) 2003-12-03 2015-01-21 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, an element manufacturing method, and an optical component
KR101499405B1 (ko) 2003-12-15 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
US8064044B2 (en) 2004-01-05 2011-11-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8373843B2 (en) * 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4515335B2 (ja) * 2004-06-10 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、ノズル部材、及びデバイス製造方法
US8717533B2 (en) * 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8508713B2 (en) * 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
KR20180072867A (ko) * 2004-06-10 2018-06-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
EP1756663B1 (en) * 2004-06-17 2015-12-16 Nikon Corporation Fluid pressure compensation for immersion lithography lens
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006078292A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Nikon Corporation Offset partial ring seal in immersion lithographic system
EP2506289A3 (en) 2005-01-31 2013-05-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4072543B2 (ja) * 2005-03-18 2008-04-09 キヤノン株式会社 液浸露光装置及びデバイス製造方法
US7330238B2 (en) * 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
US7411654B2 (en) * 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317507B2 (en) * 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4720293B2 (ja) * 2005-05-30 2011-07-13 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイスの製造方法
US7411658B2 (en) * 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4889331B2 (ja) * 2006-03-22 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN100590173C (zh) * 2006-03-24 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源
US9477158B2 (en) * 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7701551B2 (en) * 2006-04-14 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8027023B2 (en) 2006-05-19 2011-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device and method for reducing dynamic fluctuations in pressure difference
DE102006023876A1 (de) * 2006-05-19 2007-11-22 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung
US7443483B2 (en) * 2006-08-11 2008-10-28 Entegris, Inc. Systems and methods for fluid flow control in an immersion lithography system
US7866330B2 (en) 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) * 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) * 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US7900641B2 (en) * 2007-05-04 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US8681308B2 (en) * 2007-09-13 2014-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1036715A1 (nl) * 2008-04-16 2009-10-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
JP5097166B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置の動作方法
SG159467A1 (en) * 2008-09-02 2010-03-30 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI457714B (zh) * 2008-09-17 2014-10-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及其操作方法
NL2003392A (en) 2008-09-17 2010-03-18 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus.
US8896806B2 (en) * 2008-12-29 2014-11-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5407383B2 (ja) * 2009-02-05 2014-02-05 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
NL2004497A (en) 2009-05-01 2010-11-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus.
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
US8746975B2 (en) 2011-02-17 2014-06-10 Media Lario S.R.L. Thermal management systems, assemblies and methods for grazing incidence collectors for EUV lithography
US8731139B2 (en) 2011-05-04 2014-05-20 Media Lario S.R.L. Evaporative thermal management of grazing incidence collectors for EUV lithography
NL2014915A (en) * 2014-07-01 2016-03-31 Asml Netherlands Bv A Lithographic Apparatus and a Method of Manufacturing a Lithographic Apparatus.
US10095129B2 (en) 2014-07-04 2018-10-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus
US9588446B2 (en) * 2015-05-29 2017-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Calibration apparatus and an adjustment method for a lithography apparatus
KR102446678B1 (ko) 2017-12-15 2022-09-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 유체 핸들링 구조체, 리소그래피 장치, 유체 핸들링 구조체를 사용하는 방법 및 리소그래피 장치를 사용하는 방법
US11543754B1 (en) * 2021-06-16 2023-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extractor piping on outermost sidewall of immersion hood apparatus

Family Cites Families (194)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE206607C (zh)
DE242880C (zh)
DE224448C (zh)
DE221563C (zh)
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
DE2102922C3 (de) 1971-01-22 1978-08-24 Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar Anordnung zum selbsttätigen Fokussieren auf in optischen Geräten zu betrachtende Objekte
US3837731A (en) * 1973-06-22 1974-09-24 Corning Glass Works Oil dispenser for microscope objective
US4040020A (en) * 1975-12-05 1977-08-02 International Business Machines Corporation Bubble lattice device
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS6265326U (zh) 1985-10-16 1987-04-23
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS62121417U (zh) 1986-01-24 1987-08-01
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPS63157419U (zh) 1987-03-31 1988-10-14
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH0297239A (ja) 1988-09-30 1990-04-09 Canon Inc 露光装置用電源装置
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JP3374413B2 (ja) 1992-07-20 2003-02-04 株式会社ニコン 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
DE19604363A1 (de) 1995-02-23 1996-08-29 Zeiss Carl Fa Zusatzmodul zur ortsaufgelösten Fokusvermessung
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JP3433403B2 (ja) 1995-10-16 2003-08-04 三星電子株式会社 ステッパのインタフェース装置
US6104687A (en) 1996-08-26 2000-08-15 Digital Papyrus Corporation Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
EP1039511A4 (en) 1997-12-12 2005-03-02 Nikon Corp PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JPH11285167A (ja) 1998-03-27 1999-10-15 Canon Inc 半導体デバイス等の製造装置と製造方法、ならびに電力供給システム
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
US6995930B2 (en) 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
JP2001272604A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
US20020129838A1 (en) 2001-03-15 2002-09-19 Larry Myland Substrate aspiration assembly
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
KR20050044371A (ko) 2001-11-07 2005-05-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 광학 스폿 그리드 어레이 프린터
US7092069B2 (en) 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
JP4117530B2 (ja) 2002-04-04 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 液量判定装置、露光装置、および液量判定方法
JP4370554B2 (ja) 2002-06-14 2009-11-25 株式会社ニコン オートフォーカス装置およびオートフォーカス付き顕微鏡
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420302A1 (en) 2002-11-18 2004-05-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121829A1 (en) 2002-11-29 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4362867B2 (ja) 2002-12-10 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
WO2004053957A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
EP1429190B1 (en) 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
JP4232449B2 (ja) * 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
KR101036114B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
CN100429748C (zh) 2002-12-10 2008-10-29 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
KR20050062665A (ko) 2002-12-10 2005-06-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
KR20050085236A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TW200421444A (en) 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
JP4184346B2 (ja) 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
DE60307322T2 (de) 2002-12-19 2007-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
KR100971440B1 (ko) 2002-12-19 2010-07-21 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치
US7010958B2 (en) 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7090964B2 (en) 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
WO2004090956A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
SG141425A1 (en) * 2003-04-10 2008-04-28 Nikon Corp Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
KR101177330B1 (ko) 2003-04-10 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
JP4315198B2 (ja) 2003-04-11 2009-08-19 株式会社ニコン 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法
KR101508809B1 (ko) * 2003-04-11 2015-04-06 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP2004356205A (ja) 2003-05-27 2004-12-16 Tadahiro Omi スキャン型露光装置および露光方法
EP1482372B1 (en) 2003-05-30 2014-10-08 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
EP1494079B1 (en) 2003-06-27 2008-01-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic Apparatus
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1639391A4 (en) 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS
US7738074B2 (en) 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
US20070132969A1 (en) * 2003-07-24 2007-06-14 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and method for introducing an immersion liquid into an immersion space
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7700267B2 (en) 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7579135B2 (en) 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US7157275B2 (en) 2003-08-15 2007-01-02 Becton, Dickinson And Company Peptides for enhanced cell attachment and growth
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
KR20180077311A (ko) * 2003-08-29 2018-07-06 가부시키가이샤 니콘 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101748923B1 (ko) 2003-09-03 2017-06-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4378136B2 (ja) * 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2007525824A (ja) 2003-11-05 2007-09-06 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー．ブイ． マイクロチップを製造するための方法および装置
US7924397B2 (en) 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
WO2005054953A2 (en) 2003-11-24 2005-06-16 Carl-Zeiss Smt Ag Holding device for an optical element in an objective
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
KR101200654B1 (ko) 2003-12-15 2012-11-12 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈
WO2005059654A1 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
US7460206B2 (en) * 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
CN102169226B (zh) 2004-01-14 2014-04-23 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射折射投影物镜
US8279524B2 (en) 2004-01-16 2012-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
EP1706793B1 (en) 2004-01-20 2010-03-03 Carl Zeiss SMT AG Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US7026259B2 (en) 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
EP1723467A2 (en) 2004-02-03 2006-11-22 Rochester Institute of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
EP1716454A1 (en) 2004-02-09 2006-11-02 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007522508A (ja) 2004-02-13 2007-08-09 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー マイクロリソグラフィック投影露光装置のための投影対物レンズ
WO2005081030A1 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Corning Incorporated Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102117018B (zh) * 2005-06-28 2012-09-26 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN104678713A (zh) * 2013-11-28 2015-06-03 佳能株式会社 曝光装置和器件制造方法
US9360764B2 (en) 2013-11-28 2016-06-07 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method

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