KR100733124B1 - 리소그래피장치 - Google Patents

리소그래피장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100733124B1
KR100733124B1 KR1020040086230A KR20040086230A KR100733124B1 KR 100733124 B1 KR100733124 B1 KR 100733124B1 KR 1020040086230 A KR1020040086230 A KR 1020040086230A KR 20040086230 A KR20040086230 A KR 20040086230A KR 100733124 B1 KR100733124 B1 KR 100733124B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
substrate
inlet
projection
space
Prior art date
Application number
KR1020040086230A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050040764A (ko
Inventor
후겐담크리스티안알렉산더
스트리프케르크밥
물켄스요한네스카타리누스후베르투스
비요라트에릭데오도루스마리아
콜레스니첸코알렉세이유리에비치
루프스트라에릭로엘로프
메르텐스예뢴요한네스소피아마리아
슬라그헤케베르나르두스안토니우스
틴네만스파트리시우스알로이시우스야코부스
판산텐헬마르
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20050040764A publication Critical patent/KR20050040764A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100733124B1 publication Critical patent/KR100733124B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus

Abstract

본 발명에 따르면, 유입구에 의해 투영시스템의 최종 요소와 기판 사이의 저장소에 액체가 공급된다. 오버플로우는 주어진 레벨 이상의 액체를 제거한다. 오버플로우는 유입구 위에 배치되고, 따라서 액체는 계속 재공급되며 액체의 압력은 실질적으로 일정하게 유지된다.

Description

리소그래피장치{Lithographic Apparatus}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피장치를 도시하는 도면;
도 2 및 도 3은 종래의 리소그래피 투영장치에서 사용되는 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 투영장치의 상세도;
도 5는 오버플로우를 보여주는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리소그래피 투영장치의 상세도;
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 대안적인 리소그래피 투영장치의 상세도;
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 대안적인 리소그래피 투영장치의 상세도;
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 대안적인 리소그래피 투영장치의 상세도;
도 9는 본 발명의 일 실시예의 상세도; 및
도 10은 종래의 또 다른 리소그래피 투영장치에 따른 액체 공급 시스템을 도시하는 도면이다.
상기 도면에서, 대응하는 참조 부호는 대응하는 부분을 나타낸다.
본 발명은 리소그래피장치 및 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피장치는 기판, 주로 기판의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피장치는, 예를 들어 집적회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 마스크 또는 레티클이라 대안적으로 일컬어지는 패터닝수단이 IC의 개별층상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘웨이퍼)상의 (예를 들어, 1 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상에 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판상에 제공된 방사선감응재(레지스트)층으로의 이미징(imaging)을 거친다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피장치는, 한번에 타겟부상에 전체패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스테퍼, 및 투영빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 이는 패턴을 기판상에 임프린트(imprint)시킴으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사하는 것도 가능하다.
리소그래피 투영장치에서, 투영시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체, 예를 들어 물에 기판을 침지 (immerse)시키는 것이 제안되었다. 이것의 핵심은, 노광방사선이 액체내에서 보다 짧은 파장을 가지기 때문에 보다 작은 피처들을 이미징할 수 있다는 것에 있다. (또한, 액체의 효과는 상기 시스템의 유효 NA 및 초점심도를 증가시키는 것으로도 간주될 수 있다.) 다른 침지 액체(immersion liquid)로서 고체 입자(예를 들어, 쿼츠)가 그 안에 부유되어 있는(suspended) 물이 제안되었다.
하지만, 액체의 배스(bath)내에 웨이퍼 또는 기판 및 기판테이블을 담그는(submersing) 것(예를 들어 본 명세서에서 전문이 인용참조되고 있는 US 제 4,509,852호 참조)은, 스캐닝 노광 중에 가속되어야만 하는 큰 몸체(body)의 액체가 존재한다는 것을 의미한다. 이는 추가의 또는 보다 강력한 모터들을 필요로 하며, 액체내에서의 요동(turbulence)은 바람직하지 않고 또한 예상할 수 없는 영향들을 초래할 수 있다.
제안된 해결책 중 하나는, 액체 공급 시스템이 액체 한정 시스템(liquid confinement system)을 이용하여 기판의 국부적인 영역에만 그리고 투영시스템의 최종 요소와 기판 사이에 액체를 제공하는 것이다(일반적으로, 기판은 투영시스템의 최종 요소보다 큰 표면적을 가진다). 이렇게 배치시키기 위해서 제안된 한가지 방법이 WO 99/49504호에 개시되어 있으며, 그 전문이 본 명세서에서 인용참조되고 있다. 도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이, 액체는 1이상의 유입구(IN)에 의하여, 바람직하게는 최종 요소에 대한 기판의 이동방향을 따라 기판상으로 공급되며, 투영시스템 아래를 통과한 후에는 1이상의 유출구(OUT)에 의하여 제거된다. 즉, 기판이 -X 방향으로 요소의 밑에서 스캐닝됨에 따라, 액체는 상기 요소의 +X 쪽에서 공급 되고 -X 쪽에서 흡수된다. 도 2는, 액체가 유입구(IN)를 통하여 공급되고 저압력원에 연결된 유출구(OUT)에 의하여 요소의 다른 쪽상에서 흡수되는 구성을 개략적으로 도시한다. 도 2의 예시에서, 액체는 최종 요소에 대한 기판의 이동방향을 따라 공급되나, 반드시 이와 같을 필요는 없다. 최종 요소 주위에 위치된 유입구들 및 유출구들의 방위 및 개수는 다양할 수 있으며, 도 3에는 양쪽에 유출구를 갖는 유입구의 4개의 세트들이 최종 요소 주위에 규칙적인 패턴으로 제공되는 일례가 예시된다.
제안된 또 다른 해결책은, 투영시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간의 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장되는 시일 부재를 갖는 액체 공급 시스템을 제공하는 것이다. 이러한 해결책은 도 1에 도시되어 있다. 시일 부재는 XY 평면에서 투영시스템에 대해 실질적으로 정지해 있으나 Z 방향(광축선의 방향)으로는 약간의 상대 이동이 있을 수 있다. 시일 부재와 기판의 표면사이에 시일이 형성된다. 시일은 가스 시일과 같은 무접촉 시일인 것이 바람직하다. 이러한 가스 시일을 구비한 시스템은 유럽 특허 출원 제 03252955.4호에 개시되어 있으며, 그 전문이 본 명세서에서 인용참조되고 있다.
유럽 특허 출원 제 03257072.3호에서, 트윈 또는 듀얼 스테이지 침지 리소그래피장치의 개념이 개시된다. 이러한 장치에는 기판을 지지하는 2개의 스테이지가 제공된다. 제1위치에서는 스테이지에서 침지 액체 없이 레벨링 측정들이 수행되며, 제2위치에서는 침지액체가 존재하는 스테이지에서 노광이 수행된다. 대안적으로, 상기 장치는 1개의 스테이지만을 가진다.
하지만, 액체가 정지 상태로 남아 있는 경우, 온도 변화(temperature fluctuation)는 투영빔에 파면 요동(wave front disturbance)을 유발할 수 있어 투영된 이미지내에 오차를 유발한다. 그러므로, 액체를 주기적으로 재공급(refresh)시키는 것이 제안되었다. 하지만, 액체를 제거하기 위해 상술된 시일 또는 시일의 부근에 있는 유출구를 이용하면, 기계적인 진동을 유발시켜 노광을 방해한다. 또한, 액체 재공급에 수반된 압력은 높으며, 투영시스템은 투영시스템의 최종 요소의 변형 및 요동을 유발할 수 있는 압력 변동에 매우 민감하다. 따라서, 투영시스템 주위의 액체의 깊이가 일정하게 유지되어야 한다.
투영시스템에 대한 기판의 이동은 압력 그레디언트(pressure gradient)를 생성할 수 있다. 어떤 환경에서, 이는 액체가 투영시스템 바로 밑에서부터 휙지나가게(sweep) 할 수 있게 한다. 액체가 투영시스템 아래에서 균일하지 않거나, 가스 버블이 투영시스템 아래에 존재하는 경우, 노광의 정확성이 떨어지게 될 것이다.
시일의 실패와 같은 에러가 장치내에서 발생하거나 기판테이블이 투영시스템 아래로부터 우발적으로 제거되는 경우, 액체가 신속히 제거되지 않는다면 액체가 장치의 전역에 퍼져 잠재적으로 장치를 손상시킬 것이다. 상기에 제안된 액체 공급 시스템, 특히 가스 시일을 포함하는 시스템은 액체를 충분히 빠르게 배출(evacuate)하는 방법이 제공되지 않는다.
본 발명의 목적은, 기계 진동으로 인한 불필요한 요동을 도입시키지 않으면서 액체 내의 압력 변동 및/또는 온도 변화를 최소화시키는 시스템을 제공하는 것 이다.
이들 목적 및 다른 목적들은 본 발명에 따른 리소그래피 투영장치에서 달성되며, 상기 리소그래피 투영장치는,
- 방사선의 투영빔을 제공하는 방사선시스템;
- 원하는 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
- 기판을 잡아주는 기판테이블;
- 상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템; 및
- 액체 저장소(liquid reservoir)를 형성하기 위해 상기 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판 사이의 공간을 액체로 전체적으로 또는 부분적으로 채우는 액체 공급 시스템을 포함하고,
상기 액체 저장소로부터의 오버플로우(overflow)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 오버플로우는 침지 액체에 의해 형성되는 액체 저장소로부터이며, 잉여 액체가 또 다른 위치로 제거된다. 오버플로우는 실질적으로 일정한 레벨로 액체 깊이를 유지하는데 사용되며, 따라서 액체 깊이의 변동으로 인한 투영시스템의 최종 요소상의 압력 변동을 감소시킬 수 있다. 유체가 가스 시일내에 또는 그 주위에 사용되는 것이 아닌 유출구에 의해 제거되고 있기 때문에, 기계적인 진동이 감소된다. 오버플로우의 존재로 인해, 액체는 종래 시스템에서보다 높은 유동 속도로 공 급될 수 있다. 보다 높은 속도로 액체를 대체시키면, 액체가 너무 많이 가열되지 않는다는 것이 확실시 되고, 또한 포토레지스트에 의한 침지 액체의 오염이 방지된다. 일 실시예에 따르면, 오버플로우는 유출구 액체 공급 시스템이다. 상기 장치는 투영시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간에 액체를 공급하는 유입구를 더 포함하며, 오버플로우는 상기 오버플로우가 액체를 효과적으로 제거할 수 있도록 상기 유입구 위에 배치된다. 액체는 배리어에 의해 경계지어지고(bounded), 오버플로우로의 입구는 배리어의 반대쪽상에 위치된다. 따라서, 액체가 배리어의 경계 외부에 있는 경우에만 오버플로우에 의해 제거된다. 상기 액체가 상기 배리어의 최상부 너머로 유동하는 경우, 오버플로우는 상기 액체가 상기 오버플로우 안으로만 유입되도록 배치되는 것이 바람직하다. 오버플로우는 배리어의 최상부와 같은 높이 또는 배리어보다 낮은 위치에 위치하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 배리어는 융기부(ridge)를 형성하는데, 상기 융기부의 면적(area)은 투영시스템의 최종 요소의 면적에 비해 작지 않다. 편의상, 배리어는 액체 공급 시스템의 일부분을 형성한다. 본 명세서에서 언급되는 액체 공급 시스템은 단순히 유체를 공급하는 장치로 제한되지 않으며, 유체의 위치, 양, 형상, 유속 또는 여하한의 특성을 제어하는 요소를 포함할 수 있다. 유체는 온도 변화를 감소시키기 위해 일정한 속도로 계속 재공급된다.
공지된 레벨로 액체 위의 압력을 유지하기 위해, 액체 위의 공간은 기밀한(airtight) 부재로 밀봉된다. 또한, 유출구는, 예를 들어 공지된 흡입력(suction force)을 제공함으로써 일정한 레벨로 유체 위의 공기 압력을 유지시킬 수 있다. 액체 위의 가스 압력을 일정한 레벨로 유지시키면, 투영시스템상의 압력 변동이 감소된다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 서두문에 개시된 바와 같은 리소그래피 장치가 제공되며, 상기 방사선시스템은 기판의 타겟부를 향하도록 지향된 방사선의 투영빔을 제공하고, 상기 액체 공급 시스템은 상기 투영시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간에 액체를 공급하는 유입구 및 상기 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판테이블 사이의 상기 공간의 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장되는 시일 부재를 포함하며, 상기 장치는, 상기 유입구가 상기 시일 부재의 내주면에 인접하고 상기 기판의 타겟부를 향하도록 지향되는 것을 특징으로 한다.
그러므로, 투영시스템 바로 아래의 유체가 재공급된다. 유체는 유입구로부터 투영시스템 바로 아래의 영역으로 유동하는데, 이 영역에서 상기 유체는 유출구를 통해 제거되기 이전에 순환된다. 이는 유출구쪽으로의 액체의 유동을 위해 투영시스템의 요소와 상기 시일 부재 사이에 통로가 형성되도록 배치된 액체 공급 시스템에 의해 더욱 도움을 받는다. 따라서, 유출구쪽으로의 유체의 유동은 한정(confine)된다. 유출구는 통로의 단부에 배치될 수 있다. 따라서, 액체는 표면파(surface wave)가 없고 정적 수압(static hydraulic pressure)이 최소화되도록 최소 자유면(minimal free surface)을 가진다. 침지 유체는 챔버를 통해 유입구로 공급된다. 챔버는 상기 챔버와 유입구 사이에 작은 압력 강하만을 생성하도록 배치된다. 예를 들어, 챔버는 유입구의 단면적보다 큰 단면적을 가져야 한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 서두문에 개시된 바와 같은 리소그래피 투 영장치가 제공되고, 상기 방사선시스템은 기판의 타겟부를 향하도록 지향되는 방사선의 투영빔을 제공하며, 상기 액체 공급 시스템은 상기 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판 사이의 공간에 액체를 제공하는 유출구 및 상기 투영시스템의 최종 요소와 기판테이블 사이의 상기 공간의 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장되는 시일 부재를 포함하고, 상기 장치는, 상기 시일 부재 및 상기 투영시스템이 모세관 통로(capillary passage)를 형성하고, 상기 유출구는 상기 모세관 통로의 전체 또는 일부분의 단부에서 액체를 제거하도록 배치되는 것을 특징으로 한다.
그러므로, 유체의 깊이는 모세관 통로에 의해 정의되는 레벨로 세밀하게(carefully) 제어된다. 상기 장치는 상기 공간에 액체를 공급하는 유입구를 더 포함할 수 있으며, 상기 유입구는 상기 시일 부재의 내주면에 인접하고 기판의 타겟부를 향하도록 지향된다. 따라서, 투영시스템 바로 아래의, 즉 기판의 타겟부에 있는 유체는 계속하여 재공급된다. 이 유체가 과열 및 오염에 가장 영향을 받기 쉬운 유체이다. 유입구는 투영시스템 주위의 연속 홈인 것이 바람직하다. 유출구의 유속은 유입구의 유속보다 크므로, 잉여 유체가 모이지 않으며 유체의 깊이는 모세관 통로에 의해 정의되는 레벨로 유지된다.
본 발명의 또 다른 목적은, 액체 깊이의 변동으로 인해 투영시스템의 최종 요소를 둘러싸는 액체의 압력이 갑작스럽게 변동하는 것을 방지하는 것이다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 상기 목적 및 다른 목적들은 서두문에 개시된 바 있는 리소그래피 투영장치에서 달성되며, 상기 액체는 투영시스템의 최종 요소의 면적에 비해 작지 않은 면적을 가지는 융기부를 갖는 배리어에 의해 경계지어지는 것을 특징으로 한다. 따라서, 투영시스템의 최종 요소와 기판 사이의 침지 액체의 부피가 융기부의 레벨 이상 증가함에 따라, 침지 액체의 깊이는 단지 매우 느리게 증가하도록 하는 소정 면적을 가져야 한다. 편의상, 배리어는 액체 공급 시스템의 일부분이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 시스템이 에러가 난 경우, 액체가 신속하고 효율적으로 제거될 수 있는 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 액체 공급 시스템은 투영시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간에 액체를 공급하는 유입구 및 상기 유입구를 고진공원에 연결시키는 수단을 더 포함한다. 따라서, 시스템이 고장인 경우(예를 들어, 기판테이블이 갑작스럽게 제거되는 경우), 상기 유입구는 장치로부터 액체를 제거하는데 사용될 수 있으며, 이에 의해 액체가 장치에 걸쳐 누수되어 정밀한(delicate) 구성요소들을 손상시키는 것을 방지할 수 있다. 상기 유입구는 액체 부피의 하단부에 흔히 가까이 있기 때문에, 상기 유입구를 통해 액체를 제거하는 것은 단순히 유출구를 사용하는 것보다 효율적일 수 있다. 그러므로, 상기 유입구는 긴급한 상황시 액체의 배출 속도를 증가시키는 추가 유출구로서 작동한다. 상기 유입구를 고진공원에 연결시키는 특히 적절한 수단이 밸브임이 밝혀졌다. 시스템 고장이 발생한 경우, 상기 밸브는 상기 유입구를 고진공원에 신속하고 간단히 연결시킨다. 선택적으로, 상기 밸브는 시스템 고장시 자동으로 작동될 수 있다.
당업자라면, 어떠한 종속항도 다른 독립항의 어느 것에도 종속적일 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
종래 기술에 따르면,
- 전체적으로 또는 부분적으로 방사선감응재층으로 덮인 기판을 제공하는 단계;
- 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
- 패터닝수단을 사용하여 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;
- 투영하는 단계에서 사용되는 투영시스템의 최종요소와 상기 기판 사이에 유입구를 통해 액체를 제공하는 단계; 및
- 상기 방사선감응재층의 타겟부상으로 방사선의 상기 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 상술된 방법에 따른 디바이스 제조방법이 제공되며, 오버플로우를 더 제공하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 상술된 바와 같은 디바이스 제조방법이 제공되며, 유체의 양이 주어린 레벨을 초과하는 경우, 상기 유체의 양의 증가는 유체의 깊이에 현저한 변화를 유발하지 않는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 상술된 바와 같은 디바이스 제조방법이 제공되며, 투영빔은 기판의 타겟부를 향하도록 지향되고, 액체는 유입구에 의해 공급되고 시일 부재에 의해 경계지어지며, 상기 액체는 유입구로부터 흘러나와 기판의 타겟부를 향하도록 지향되는 것을 특징으로 한다. 상기 유입구는 시일 부재의 내주면에 인접하여 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 상술된 바와 같은 디바이스 제조방법 이 제공되며, 상기 액체의 깊이는 모세관 힘(capillary force)에 의해 제어되는 것을 특징으로 한다. 상기 모세관 힘은 기판을 향해 방사선의 상기 패터닝된 빔을 투영시키는 수단과 시일 부재 사이에서 발생한다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 상술된 바와 같은 디바이스 제조방법이 제공되고, 상기 액체는 유입구에 의해 제공되며, 상기 유입구를 고진공원에 연결시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서 본 발명에 따른 리소그래피장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치는 많은 여타의 응용례를 가짐을 이해하여야 한다. 예를 들어, 상기 리소그래피장치는 집적 광학시스템, 자기도메인메모리용 유도 및 검출패턴, 액정 디스플레이 패널, 박막자기헤드의 제조에도 채택될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어가 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주되어야 함을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외선을 포함한 모든 형태의 전자기방사선을 포괄하여 사용된다.
이하, 대응하는 참조 부호가 대응하는 부분을 나타내는 첨부한 개략적인 도면을 참조하여 단지 예시의 방식으로 본 발명의 실시예들을 서술한다.
제1실시예
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는;
- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크)을 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제1위치설정수단(PM)에 연결된 지지구조체(예를 들어, 마스크테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트코팅된 웨이퍼)(W)을 잡아주도록 구성되고, 소정 파라미터에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제2위치설정수단(PW)에 연결된 기판테이블(예를 들어, 웨이퍼테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함)에 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영시키도록 구성된 투영시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명시스템은 방사선의 지향, 성형 또는 제어를 위하여 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 종류의 광학 구성요소와 같이 다양한 종류의 광학구성요소를 포함할 수 있다.
지지구조체는 패터닝 디바이스를 지지, 즉 패터닝 디바이스의 무게를 견딘다. 상기 지지구조체는, 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 여타의 조건에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 잡아준다. 지지구조체는 기계, 진공, 정전기 또는 여타의 클램핑 기술을 이용하여 패터닝 디바이스를 잡아줄 수 있다. 지 지구조체는 필요에 따라 고정되거나 이동일 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지구조체는 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영시스템에 대하여 원하는 위치에 있을 것을 확실히 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
여기서 사용되는 "패터닝 디바이스"이라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 투영빔의 단면에 패턴을 부여하도록 사용될 수 있는 여하한의 수단을 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 투영빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처 또는 소위 어시스트 피처를 포함하는 경우에는, 기판의 타겟부내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수 있다는 것을 유의한다. 일반적으로, 투영빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정기능층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하는데, 그 각각은 상이한 방향으로 입사하는 방사선 빔을 반사시키도록 개별적으로 경사질 수 있다. 경사진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부연한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 예를 들어 사용되는 노광방사선에 대하여, 또는 침지 유체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭, 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과마스크를 채택하는) 투과형이다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 위에서 언급한 바와 같은 형태의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하는 또는 반사마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수도 있다.
리소그래피장치는 2개(듀얼스테이지)이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 마스크테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수스테이지" 장치에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에서 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조로, 일루미네이터(IL)는 방사선소스(S0)로부터 방사선의 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피장치는 별도의 개체들일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어, 적절한 지향거울 및/또는 빔 익스펜더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램 프인 경우, 상기 소스는 상기 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선시스템이라고도 칭해질 수 있다.
일루미네이터(IL)는 빔의 각도세기분포를 조정하는 조정수단(AD)을 포함한다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필평면내의 세기분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이 다양한 다른 구성요소들을 포함한다. 일루미네이터는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 컨디셔닝할 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지구조체(예를 들어, 마스크테이블(MT))상에 잡혀있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA))상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 마스크(MA)를 가로지르면, 상기 방사선 빔(B)은 투영시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)상에 상기 빔을 포커스한다. 제2위치설정수단(PW) 및 위치센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 선형 엔코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단(PM) 및 (도 1에 명확히 도시되지 않은) 또 다른 위치센서는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 대물테이블(MT)의 이동은, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미 세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 제1위치설정수단(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판테이블(WT)의 이동은 긴 행정 모듈 및 짧은 행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제2위치설정수단(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 상기 마스크테이블(MT)은 단지 짧은 행정액츄에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 예시된 바와 같은 기판 정렬 마크는 전용 타겟부(dedicated target portion)를 차지하나, 상기 마크는 타겟부들 사이의 공간내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크로 알려져 있다). 이와 유사하게, 1이상의 다이가 마스크(MA)상에 제공되는 경우, 마스크 정렬 마크는 다이들 사이에 위치될 수 있다.
상술한 장치는 다음의 바람직한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서, 마스크테이블(MT) 및 기판테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 전체 패턴은 한번에 타겟부(C)상에 투영된다(즉, 단일 정적노광(single static exposure)). 그런 후, 기판테이블(WT)은 X 및/또는 Y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일 정적노광시에 이미징된 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크테이블(MT)과 기판테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다(즉, 단일 동적노광(single dynamic exposure)). 마스크테이블(MT)에 대한 기판테이블(WT)의 속도 및 방향은 확대(축소) 및 투영시스템(PL)의 이미지반전특성에 의하여 판정된다. 스 캔 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일 동적노광시 타켓부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 투영빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안, 기판테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 상기 모드에서는, 일반적으로 펄스방사선소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝 수단은 기판테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 상기 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 종류의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 활용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들을 채용할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 투영 렌즈와 기판 사이의 액체 저장소(liquid reservoir; 10)는 가스 시일(16)에 의하여 경계지어져 투영 렌즈 주위에 고리(annulus)를 형성한다. 시일 부재(12)와 기판 사이의 갭으로 유입구(15)를 통해 압력하에 있고 제1유출구(14)를 통해 배출된다면, 시일(16), 바람직하게는 가스 시일은 가스, 예를 들어 공기 또는 합성 공기에 의해 형성되나 바람직하게는 N2 또는 또 다른 불활성 가스에 의해서도 형성된다. 가스 유입구(15)상의 과도한 압력(over pressure), 제1유출구(14)상의 진공 레벨 및 갭의 지오메트리는, 액체를 한정하는 고속의 공기 유동이 안쪽으로 존재하도록 배치된다. 가스 유입구와 유출구와 기판(W) 사이의 거리는 짧다.
액체 저장소에는 유입구(21, 22)에 의해 액체가 공급되고, 잉여 액체는 유출구(14)를 통해 제거된다. 액체 저장소는, 시일 부재(12)가 도 4에 도시된 바와 같이 갑자기 넓어지는 액체 저장소를 경계짓고 배리어를 형성하는 레벨까지 투영시스템(PS)의 최종 요소의 저부 위로 연장된다. 시일 부재의 최상부는 융기부를 형성하며, 그 면적은 투영시스템의 최종 요소(PL)의 저부 면적과 비슷하거나 그 보다 큰 영역으로 되어 있다. 그러므로, 저장소내의 액체의 양이 급격히 증가하는 경우, 시일 부재(12)의 최상부의 더 큰 면적 위에서 침지 액체의 부피가 크게 증가하여도 침지 유체의 깊이를 크게 변화시키기 않을 것이기 때문에, 저장소(10)의 깊이는 현저히 증가하지 않을 것이다. 그러므로, 저장소의 깊이에서의 변화로 인한 압력 변동도 최소일 것이다.
제2실시예
도 5는 제1실시예에 도시된 구조에 대해 대안적인 배치를 나타내고 있다. 오버플로우 구조체(25)는 여하한의 잉여 액체를 수집한다. 많은 양의 잉여 액체가 오버플로우 구조체(25)로 수용될 수 있기 때문에, 액체의 양의 증가로 인한 액체 저장소(10)의 깊이의 증가는 매우 작을 것이다. 유체를 경계짓는 배리어를 형성하는 고리형 제방부(annular shaped dyke; 27)가 있어서, 액체의 양이 증가하는 경우 상 기 액체는 제방부(27) 위를 넘어 그리고 유출구인 채널(26)로 흐르므로, 저장소(10)로부터 액체가 제거된다. 이 예시에서, 대부분의 액체는 유출구(14)보다는 채널을 통해 제거된다. 따라서, 유체의 깊이는 제방부(27)의 높이에 의해 제어된다. 많은 양의 액체가 유출구(14)를 통해 제거되지 않기 때문에, 시일 부재(12)내에는 보다 적은 진동이 유도되고, 가스 시일(16)이 보다 효율적으로 기능한다. 채널(26)의 유속은 가스 함유량(gas content)이 작다는 것을 보장하도록 충분히 낮아야 한다. 채널(26)은 유입구(21, 22) 위에 배치되므로 유체는 채널(26)안으로 넘쳐 흐른다.
제3실시예
도 6에 도시된 실시에는 하기에 서술된 형태를 제외하고는 상기의 실시예와 동일하다. 단지 1개의 유입구(22)만이 있으며, 시일 부재(12)와 분리되어 있다. 유입구(22)는 투영시스템(PS)과 시일 부재(12) 사이에 형성되며, 유체는 제방부(27)의 높이보다 낮은, 하지만 투영시스템(PS)의 최종 요소 저부보다는 높은 높이에서 유입구(22)로부터 흘러나온다. 유체는 일정한 속도(R)로 공급되지만 제2실시예와 유사하게 유체는 가스 유출구(14)보다는 채널(26)을 통해 지배적으로 제거된다. 채널(26)을 통한 물질 제거 속도 또한 일정한 속도(R)이다. 시일(32)은 저장소(10) 주위의 가스를 한정하며, 수분 함유 가스(moisture laden gas)가 장치 전체에 퍼져서 정밀한 부분들을 손상시키고 측정치, 예를 들어 간섭계 판독치의 정확성을 떨어뜨리는 것을 방지한다. 저장소(10) 위의 가스 압력 그리고 그에 따른 투영시스템(PL)의 최종 요소에서의 압력을 일정하게 유지시키기 위해서, 가스가 그를 통해 흐 를 수 있는 시일(32)을 통과하는 통로(33)가 있다. 통로(33)는 장치 외부로 나와 있으며, 따라서 수분을 함유한 공기를 제거한다. 통로(33)는 가스가 자유롭게 유동하도록 낮은 저항을 가지는 것이 바람직하다.
제4실시예
이 실시예에서는, 도 7에 도시된 시일 부재(12)의 내주면상에 배치된 동심링(즉, 고리)형 유입구(23)를 통해 유체가 공급된다. 유입구(23)는 약 20㎛ 내지 300㎛, 바람직하게는 150㎛의 슬릿 폭을 가지고, 기판(W)과 약 0.5mm 떨어져 배치되며 투영시스템(PS) 바로 아래의 유체가 계속 재공급되도록 투영시스템(PS) 바로 아래의 영역(즉, 타겟부)을 향해 유체의 채널을 지향시킨다. 이 예시에서, 유입구는 시일 부재(12)의 내측 에지를 형성하나, 시일 부재(12)의 내주면에 바로 인접하도록 배치될 수도 있다. 대안적으로, 유입구(23)는 시일부재(12)의 내주면상에 배치된 복수의 파이프일 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 투영시스템(PS)의 요소들와 시일 부재(12) 사이에는 통로가 형성된다. 투영시스템(PS)의 최종 요소 아래에서 순환된 후, 유체는 유출구(28)를 통해 제거되기 이전에 이 통로를 통과하여 제방부(27)를 넘어 흐르게 된다. 하지만, 이전의 실시예들과는 달리, 투영시스템(PS)의 요소들, 또는 장치의 또 다른 부분이 저장소(10)의 상부 레벨을 경계짓는다. 그러므로, 표면파가 생길 수 없고, 수압이 제한되어 투영시스템(PS)상에는 균일한 압력이 계속 유지된다.
제5실시예
이 실시예는 하기에 서술되는 형태를 제외하고는 제4실시예와 동일하다. 유 입구(33)는 직경이 약 50 내지 10mm이고 폭이 200㎛ 내지 300㎛ 바람직하게는 150㎛인 고리형이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 유입구(33)는 시일 부재(12)의 저부 이전에 단부를 형성할 수 있거나, 또는 시일 부재(12)의 저부까지 연장될 수도 있으며, 또는 그 사이의 어느 곳까지도 연장될 수 있다. 침지 액체는 챔버(34)가 유동에 대해 제약을 덜 가하는 것을 보장하도록 유입구(33)보다 큰 단면적을 가지는 챔버(34)를 통해 유입구(33)로 공급된다.
이 실시예에서, 시일 부재(12) 및 투영시스템(PS)은, 침지 유체가 모세관 힘에 의해 제방부(27)의 레벨로 시일 부재(12)와 투영시스템(PS) 사이에 유지되도록 배치된다.
시일 부재(12)의 에지는 방사선 빔(B)의 전파 방향과 약 45°도 기울어진 채로 투영시스템(PS)을 향해 경사져 있다. 제방부(27)는 이 경사와 교차하고 방사선 빔(B)의 전파 방향과 실질적으로 수직인 넓은 융기부를 형성한다. 투영시스템(PS)의 에지는, 투영빔(B)의 전파 방향과 약 45°경사져 있으며 상기 경사의 반경방향 바깥쪽으로 방사선 빔(B)의 전파 방향과 수직인 넓은 면적을 갖는 시일 부재(12)에 대해 상보적인 형상(complementary shape)을 형성한다.
유출구(38)는 제방부(27) 너머에 배치되며 저장소(10)내의 침지 유체의 양이 제어되는 것을 보장하도록 유입구(33)를 통한 유속보다 큰 유속을 가진다. 따라서, 약간의 가스 또한 유출구(38)를 통해 제거된다. 거리 d3는 시일 부재(12)의 작동 높이에 의해 좌우되며 이 예시에서는 2mm이상이다. 하지만, 거리 d3는 유출구(38)에 대한 공기의 유동이 충분하도록 보장하기 위해 가능한 한 커야 한다. 장치의 이러한 배치는 침지 유체의 깊이가 제방부(27) 바로 위의 투영시스템(PS)의 레벨(39)로 일정하게 유지되는 것을 보장한다.
투영시스템의 최종 요소가 손상되지 않게 하려면, 제방부(27)와 투영시스템(PS) 사이의 거리(d1)는 2mm로 하는 반면, 투영시스템의 최종 요소와 기판 사이의 거리(d2)는 2mm보다 크게 하여야 한다.
제6실시예
이 실시예에서, 유입구를 통한 유체의 유동은 도 9에 도시된 밸브(45)에 의해 제어된다. 장치가 통상적으로 작동하고 있는 중에는, 밸브(45)는 유체가 유입구(33)를 통해 자유롭게 유동하도록 한다. 하지만, 시스템 또는 장치에서 에러, 예를 들어 기판(W) 및 기판테이블(WT)의 갑작스런 제거 또는 서보 에러(servo error)가 검출된 경우, 밸브(45)는 고진공챔버(첨부한 도면에는 도시되지 않음)에 유입구(33)를 자동으로 연결시킨다. 그러므로, 액체는 저장소로부터 신속하게 제거될 수 있다. 밸브(45) 및 그와 관련된 진공 챔버는 여타의 유입구, 예를 들어 제4 내지 제7실시예에 도시된 유입구(21, 23)에 연결될 수 있다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서 리소그래피장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 상기 리소그래피장치는 집적 광학시스템, 자기도메인메모리용 유도 및 검출패턴, 액정디스플레이(LCD), 박막자기헤드의 제조와 같이 여타의 응용례를 가짐을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세 서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 또는 검사툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판처리툴과 여타의 기판처리툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 여러번 처리된 층들을 이미 포함한 기판을 칭할 수 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 사용례에 대해 언급하였으나, 본 발명은 다른 응용례, 예를 들어 임프린트 리소그래피(imprint lithography)에도 사용될 수 있으며, 본 명세서에서 사용되는 광학 리소그래피로 제한되지 않는다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스의 토포그래피(topography)는 기판상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 기판에 공급되는 레지스트층내에 찍힐(pressed) 수 있으며, 레지스트는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 가함으로써 경화(cure)된다. 레지스트가 경화된 후에, 패터닝 디바이스는 그 안에 패턴이 남겨진 레지스트로부터 제거된다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)선 및 (예를 들어, 파장이 5 내지 20㎚ 범위인) 극자외(EUV)선을 포함한 모든 형태의 전자기방사선 뿐만 아니라 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포괄하여 사용된다.
본 명세서에서 사용되는 "렌즈"라는 용어는 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소를 포함하는 다양한 종류의 광학 구성요소 중 어느 하나 또는 그 조합을 지칭할 수 있다.
이상, 본 발명의 특정한 실시예가 서술되었으나, 본 발명은 서술된 바와 다르게 실시될 수도 있다. 예를 들어, 본 발명은 상기 서술된 바와 같은 방법을 기술하는 기계-판독가능 명령어로 된 1이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 그 안에 저장되는 데이터 저장 미디어(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형식을 취할 수도 있다.
본 발명은 여하한의 침지 리소그래피 장치, 특히 이에 제한되는 것은 아니나 상술된 이러한 종류의 장치에 적용될 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면, 하기에 서술되는 청구항의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형례가 행해질 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명에 따르면, 기계 진동으로 인한 불필요한 요동없이 액체의 압력 변동과 온도 변화가 최소화되고, 투영시스템 주위의 액체의 깊이가 일정하게 유지되며, 시스템에 에러가 생긴 경우 액체가 신속하고 효율적으로 제거될 수 있는 시스템이 제공된다.

Claims (29)

  1. 리소그래피 투영장치에 있어서,
    - 방사선의 투영빔을 제공하는 방사선시스템;
    - 원하는 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
    - 기판을 잡아주는 기판테이블;
    - 상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템; 및
    - 액체 저장소를 형성하기 위해 상기 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판 사이의 공간을 액체로 전체적으로 또는 부분적으로 채우는 액체 공급 시스템을 포함하고,
    상기 액체 저장소로부터의 오버플로우를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공간에 액체를 공급하는 유입구를 더 포함하고, 상기 오버플로우는 상기 유입구 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 액체는 배리어에 의해 경계지어지며, 상기 오버플로우의 입구는 상기 배리어의 반대쪽상에 위치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 오버플로우는, 상기 액체가 상기 배리어의 최상부 너머로 흐르는 경우 상기 액체는 상기 오버플로우내로만 흐르도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 배리어는 상기 액체 공급 시스템의 일부분을 형성하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 배리어는 상기 투영시스템의 최종 요소의 면적에 비해 작지 않은 면적을 가지는 융기부를 형성하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 액체 위의 공간은 기밀한 부재로 밀봉되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 오버플로우는 상기 유체 위의 압력을 일정한 레벨로 유지하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판테이블 사이의 상기 공간의 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장되는 시일 부재를 더 포함하며, 상기 시일 부재 및 상기 투영시스템은 모세관 통로를 형성하고, 상기 오버플로우는 상기 모세관 통로의 전체 또는 일부분의 단부에서 액체를 제거하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판테이블 사이의 상기 공간의 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장되는 시일 부재 및 상기 공간으로 액체를 공급하는 유입구를 더 포함하며, 상기 유입구는 상기 시일 부재의 내주면에 인접하고 상기 기판의 타겟부를 향하도록 지향되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 리소그래피 투영장치에 있어서,
    - 방사선의 투영빔을 제공하는 방사선시스템;
    - 원하는 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
    - 기판을 잡아주는 기판테이블;
    - 상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템; 및
    - 액체 저장소를 형성하기 위해 상기 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판 사이의 공간을 액체로 전체적으로 또는 부분적으로 채우는 액체 공급 시스템을 포함하고,
    상기 액체는 상기 투영시스템의 최종 요소의 면적에 비해 작지 않은 면적을 가지는 융기부를 갖는 배리어에 의해 경계지어지며,
    상기 배리어는 상기 액체 공급 시스템의 일부분이고,
    상기 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판테이블 사이의 상기 공간의 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장되는 시일 부재 및 상기 공간으로부터 액체를 제거하는 유출구를 더 포함하며, 상기 시일 부재 및 상기 투영시스템은 모세관 통로를 형성하고, 상기 유출구는 상기 모세관 통로의 전체 또는 일부분의 단부에서 액체를 제거하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판테이블 사이의 상기 공간의 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장되는 시일 부재 및 상기 공간으로 액체를 공급하는 유입구를 더 포함하며, 상기 유입구는 상기 시일 부재의 내주면에 인접하고 상기 기판의 타겟부를 향하도록 지향되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  15. 리소그래피 투영장치에 있어서,
    - 기판을 잡아주는 기판테이블;
    - 상기 기판의 타겟부를 향하도록 지향되는 방사선의 투영빔을 제공하는 방사선시스템;
    - 원하는 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
    - 상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템;
    - 상기 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판 사이의 공간을 액체로 전체적으로 또는 부분적으로 채우는 액체 공급 시스템을 포함하고,
    상기 액체 공급 시스템은,
    - 상기 공간에 액체를 제공하는 유입구; 및
    - 상기 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판테이블 사이의 상기 공간의 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장되는 시일 부재를 더 포함하며,
    상기 유입구는 상기 시일 부재의 내주면에 인접하고 상기 기판의 타겟부를 향하도록 지향되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 액체 공급 시스템은, 상기 액체의 유동이 유출구를 향하게 하기 위해 상기 투영시스템의 요소와 상기 시일 부재 사이에 통로가 형성되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 유출구는 상기 통로의 단부에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  18. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    챔버를 더 포함하고, 상기 챔버를 통해 상기 액체가 상기 유입구로 공급되며, 상기 챔버는 상기 유입구의 단면적보다 큰 단면적을 가지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  19. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공간으로부터 액체를 제거하는 유출구를 더 포함하고, 상기 시일 부재 및 상기 투영시스템은 모세관 통로를 형성하며, 상기 유출구는 상기 모세관 통로의 전체 또는 일부분의 단부에서 액체를 제거하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  20. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    오버플로우를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  21. 리소그래피 투영장치에 있어서,
    - 기판을 잡아주는 기판테이블;
    - 상기 기판의 타겟부를 향하도록 지향되는 방사선의 투영빔을 제공하는 방사선시스템;
    - 원하는 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
    - 상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템;
    - 상기 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판 사이의 공간을 액체로 전체적으로 또는 부분적으로 채우는 액체 공급 시스템을 포함하고,
    상기 액체 공급 시스템은,
    - 상기 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판테이블 사이의 상기 공간의 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장되는 시일 부재; 및
    - 상기 공간으로부터 액체를 제거하는 유출구를 포함하며,
    상기 시일 부재 및 상기 투영시스템은 모세관 통로를 형성하고, 상기 유출구는 상기 모세관 통로의 전체 또는 일부분의 단부에서 액체를 제거하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 공간으로 액체를 공급하는 유입구를 더 포함하고, 상기 유출구의 유속은 상기 유입구의 유속보다 큰 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  23. 제21항 또는 제22항에 있어서,
    상기 공간으로 액체를 공급하는 유입구를 더 포함하고, 상기 유입구는 상기 시일 부재의 내주면에 인접하고 상기 기판의 타겟부를 향하도록 지향되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  24. 제21항 또는 제22항에 있어서,
    상기 공간으로 액체를 공급하는 유입구를 더 포함하고, 상기 유입구는 상기 시일 부재의 내주면에 인접하고 상기 기판의 타겟부를 향하도록 지향되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  25. 제21항 또는 제22항에 있어서,
    오버플로우를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  26. 리소그래피 투영장치에 있어서,
    - 방사선의 투영빔을 제공하는 방사선시스템;
    - 원하는 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
    - 기판을 잡아주는 기판테이블;
    - 상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템; 및
    - 상기 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판 사이의 공간을 액체로 전체적으로 또는 부분적으로 채우는 액체 공급 시스템을 포함하고,
    상기 액체 공급시스템은 상기 공간에 액체를 공급하는 유입구를 포함하며,
    상기 유입구를 고진공원에 연결시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 유입구는 상기 고진공원에 연결되는 경우 유출구로서 작동하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  28. 제26항 또는 제27항에 있어서,
    상기 유입구를 고진공원에 연결시키는 상기 수단은 시스템 고장 시 자동으로 작동되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  29. 제1항, 제2항, 제15항 내지 제17항, 제21항 내지 제22항, 및 제26항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액체 저장소는 상기 기판보다 작은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
KR1020040086230A 2003-10-28 2004-10-27 리소그래피장치 KR100733124B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP03256820.6 2003-10-28
EP03256820 2003-10-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050040764A KR20050040764A (ko) 2005-05-03
KR100733124B1 true KR100733124B1 (ko) 2007-06-27

Family

ID=34717260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040086230A KR100733124B1 (ko) 2003-10-28 2004-10-27 리소그래피장치

Country Status (5)

Country Link
US (9) US7411653B2 (ko)
JP (4) JP4174043B2 (ko)
KR (1) KR100733124B1 (ko)
CN (1) CN100480861C (ko)
TW (1) TWI263116B (ko)

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101381538B1 (ko) 2003-02-26 2014-04-04 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
SG139736A1 (en) 2003-04-11 2008-02-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
EP1614000B1 (en) 2003-04-17 2012-01-18 Nikon Corporation Immersion lithographic apparatus
EP3104396B1 (en) 2003-06-13 2018-03-21 Nikon Corporation Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101265450B1 (ko) 2003-06-19 2013-05-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
KR101296501B1 (ko) 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101345020B1 (ko) * 2003-08-29 2013-12-26 가부시키가이샤 니콘 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP3139214B1 (en) 2003-12-03 2019-01-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR101281397B1 (ko) 2003-12-15 2013-07-02 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
ATE467902T1 (de) * 2004-01-05 2010-05-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8482716B2 (en) * 2004-06-10 2013-07-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8508713B2 (en) * 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8373843B2 (en) * 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8717533B2 (en) * 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4515335B2 (ja) * 2004-06-10 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、ノズル部材、及びデバイス製造方法
US7688421B2 (en) * 2004-06-17 2010-03-30 Nikon Corporation Fluid pressure compensation for immersion lithography lens
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006078292A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Nikon Corporation Offset partial ring seal in immersion lithographic system
WO2006080516A1 (ja) 2005-01-31 2006-08-03 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4072543B2 (ja) * 2005-03-18 2008-04-09 キヤノン株式会社 液浸露光装置及びデバイス製造方法
US7330238B2 (en) * 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317507B2 (en) * 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4720293B2 (ja) * 2005-05-30 2011-07-13 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイスの製造方法
US7834974B2 (en) * 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4889331B2 (ja) * 2006-03-22 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN100590173C (zh) * 2006-03-24 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源
US9477158B2 (en) * 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7701551B2 (en) * 2006-04-14 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8027023B2 (en) * 2006-05-19 2011-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device and method for reducing dynamic fluctuations in pressure difference
DE102006023876A1 (de) * 2006-05-19 2007-11-22 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung
US7443483B2 (en) * 2006-08-11 2008-10-28 Entegris, Inc. Systems and methods for fluid flow control in an immersion lithography system
US8011377B2 (en) * 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US7900641B2 (en) * 2007-05-04 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) * 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7866330B2 (en) 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8681308B2 (en) * 2007-09-13 2014-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1036715A1 (nl) 2008-04-16 2009-10-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
JP5097166B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置の動作方法
SG159467A1 (en) * 2008-09-02 2010-03-30 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI457714B (zh) * 2008-09-17 2014-10-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及其操作方法
NL2003392A (en) * 2008-09-17 2010-03-18 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus.
US8896806B2 (en) * 2008-12-29 2014-11-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5407383B2 (ja) * 2009-02-05 2014-02-05 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
NL2004497A (en) * 2009-05-01 2010-11-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus.
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
US8746975B2 (en) 2011-02-17 2014-06-10 Media Lario S.R.L. Thermal management systems, assemblies and methods for grazing incidence collectors for EUV lithography
US8731139B2 (en) 2011-05-04 2014-05-20 Media Lario S.R.L. Evaporative thermal management of grazing incidence collectors for EUV lithography
JP6332948B2 (ja) 2013-11-28 2018-05-30 キヤノン株式会社 露光装置およびそれを用いたデバイスの製造方法
WO2016000903A1 (en) * 2014-07-01 2016-01-07 Asml Netherlands B.V. A lithographic apparatus and a method of manufacturing a lithographic apparatus
NL2014893A (en) 2014-07-04 2016-03-31 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus.
US9588446B2 (en) * 2015-05-29 2017-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Calibration apparatus and an adjustment method for a lithography apparatus
EP3724722A1 (en) 2017-12-15 2020-10-21 ASML Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus, and method of using a fluid handling structure
US11543754B1 (en) * 2021-06-16 2023-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extractor piping on outermost sidewall of immersion hood apparatus

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06168866A (ja) * 1992-11-27 1994-06-14 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH10154659A (ja) * 1996-10-07 1998-06-09 Nikon Corp リソグラフィーアライナー、製造装置、または検査装置用の焦点及びチルト調節システム
JP2003297735A (ja) * 2002-04-04 2003-10-17 Seiko Epson Corp 液量判定装置、露光装置、および液量判定方法

Family Cites Families (191)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE242880C (ko)
DE224448C (ko)
DE206607C (ko)
DE221563C (ko)
GB1242527A (en) * 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) * 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
DE2102922C3 (de) * 1971-01-22 1978-08-24 Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar Anordnung zum selbsttätigen Fokussieren auf in optischen Geräten zu betrachtende Objekte
US3837731A (en) 1973-06-22 1974-09-24 Corning Glass Works Oil dispenser for microscope objective
US4040020A (en) * 1975-12-05 1977-08-02 International Business Machines Corporation Bubble lattice device
ATE1462T1 (de) 1979-07-27 1982-08-15 Werner W. Dr. Tabarelli Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) * 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4390273A (en) * 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS6265326U (ko) 1985-10-16 1987-04-23
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS62121417U (ko) 1986-01-24 1987-08-01
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPS63157419U (ko) 1987-03-31 1988-10-14
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH0297239A (ja) 1988-09-30 1990-04-09 Canon Inc 露光装置用電源装置
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系
JP3374413B2 (ja) * 1992-07-20 2003-02-04 株式会社ニコン 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
DE19604363A1 (de) * 1995-02-23 1996-08-29 Zeiss Carl Fa Zusatzmodul zur ortsaufgelösten Fokusvermessung
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JP3433403B2 (ja) * 1995-10-16 2003-08-04 三星電子株式会社 ステッパのインタフェース装置
US6104687A (en) * 1996-08-26 2000-08-15 Digital Papyrus Corporation Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) * 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
AU1505699A (en) 1997-12-12 1999-07-05 Nikon Corporation Projection exposure method and projection aligner
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JPH11285167A (ja) * 1998-03-27 1999-10-15 Canon Inc 半導体デバイス等の製造装置と製造方法、ならびに電力供給システム
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
TWI242111B (en) * 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) * 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
JP2001272604A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
US20020129838A1 (en) * 2001-03-15 2002-09-19 Larry Myland Substrate aspiration assembly
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
US6600547B2 (en) * 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
US6897941B2 (en) * 2001-11-07 2005-05-24 Applied Materials, Inc. Optical spot grid array printer
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
JP4370554B2 (ja) * 2002-06-14 2009-11-25 株式会社ニコン オートフォーカス装置およびオートフォーカス付き顕微鏡
TWI242691B (en) 2002-08-23 2005-11-01 Nikon Corp Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6954993B1 (en) * 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7093375B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6988326B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100568101C (zh) * 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN101349876B (zh) * 2002-11-12 2010-12-01 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100585476B1 (ko) * 2002-11-12 2006-06-07 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
EP1420302A1 (en) 2002-11-18 2004-05-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) * 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
TWI255971B (en) * 2002-11-29 2006-06-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) * 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
WO2004053955A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
SG150388A1 (en) 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
AU2003302830A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
AU2003289271A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
JP4232449B2 (ja) * 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
EP1571696A4 (en) 2002-12-10 2008-03-26 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
CN1717776A (zh) 2002-12-10 2006-01-04 株式会社尼康 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
EP1429190B1 (en) * 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
DE60326384D1 (de) 2002-12-13 2009-04-09 Koninkl Philips Electronics Nv Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht
US7514699B2 (en) 2002-12-19 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
WO2004057590A1 (en) 2002-12-19 2004-07-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
TWI247339B (en) * 2003-02-21 2006-01-11 Asml Holding Nv Lithographic printing with polarized light
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7206059B2 (en) * 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
WO2004090956A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR20110104084A (ko) * 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
KR101129213B1 (ko) 2003-04-10 2012-03-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 액체를 수집하는 런-오프 경로
EP2950148B1 (en) * 2003-04-10 2016-09-21 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus
KR101431938B1 (ko) * 2003-04-10 2014-08-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
WO2004092830A2 (en) * 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
SG2013077797A (en) * 2003-04-11 2017-02-27 Nippon Kogaku Kk Cleanup method for optics in immersion lithography
SG139736A1 (en) 2003-04-11 2008-02-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
EP1614000B1 (en) * 2003-04-17 2012-01-18 Nikon Corporation Immersion lithographic apparatus
JP4025683B2 (ja) * 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) * 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP2004356205A (ja) 2003-05-27 2004-12-16 Tadahiro Omi スキャン型露光装置および露光方法
EP1482372B1 (en) 2003-05-30 2014-10-08 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1486827B1 (en) * 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4054285B2 (ja) * 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
EP1494079B1 (en) 2003-06-27 2008-01-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic Apparatus
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
US7236232B2 (en) 2003-07-01 2007-06-26 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
US7738074B2 (en) 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
JP2006528835A (ja) 2003-07-24 2006-12-21 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光装置および浸漬液体を浸漬空間へ導入する方法
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7779781B2 (en) * 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7061578B2 (en) * 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US7157275B2 (en) 2003-08-15 2007-01-02 Becton, Dickinson And Company Peptides for enhanced cell attachment and growth
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
KR101345020B1 (ko) * 2003-08-29 2013-12-26 가부시키가이샤 니콘 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
CN101430508B (zh) 2003-09-03 2011-08-10 株式会社尼康 为浸没光刻提供流体的装置和方法
JP4378136B2 (ja) * 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) * 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) * 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
WO2005050324A2 (en) 2003-11-05 2005-06-02 Dsm Ip Assets B.V. A method and apparatus for producing microchips
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
WO2005054953A2 (en) 2003-11-24 2005-06-16 Carl-Zeiss Smt Ag Holding device for an optical element in an objective
US7545481B2 (en) * 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
EP1697798A2 (en) 2003-12-15 2006-09-06 Carl Zeiss SMT AG Projection objective having a high aperture and a planar end surface
US7385764B2 (en) 2003-12-15 2008-06-10 Carl Zeiss Smt Ag Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
WO2005059645A2 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
US7460206B2 (en) * 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US20050185269A1 (en) * 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) * 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) * 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
KR101407204B1 (ko) * 2004-01-14 2014-06-13 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 투영 대물렌즈
KR101165862B1 (ko) 2004-01-16 2012-07-17 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
EP1706793B1 (en) 2004-01-20 2010-03-03 Carl Zeiss SMT AG Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US7026259B2 (en) * 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) * 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
US8852850B2 (en) 2004-02-03 2014-10-07 Rochester Institute Of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
WO2005076084A1 (en) 2004-02-09 2005-08-18 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007522508A (ja) 2004-02-13 2007-08-09 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー マイクロリソグラフィック投影露光装置のための投影対物レンズ
CN1922528A (zh) 2004-02-18 2007-02-28 康宁股份有限公司 用于具有深紫外光的高数值孔径成象的反折射成象系统
US20050205108A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) * 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) * 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7227619B2 (en) * 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7295283B2 (en) * 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06168866A (ja) * 1992-11-27 1994-06-14 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH10154659A (ja) * 1996-10-07 1998-06-09 Nikon Corp リソグラフィーアライナー、製造装置、または検査装置用の焦点及びチルト調節システム
JP2003297735A (ja) * 2002-04-04 2003-10-17 Seiko Epson Corp 液量判定装置、露光装置、および液量判定方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
06168866
10154659
15297735

Also Published As

Publication number Publication date
US20110090473A1 (en) 2011-04-21
JP2005167211A (ja) 2005-06-23
US10527955B2 (en) 2020-01-07
US20110157570A1 (en) 2011-06-30
US8542343B2 (en) 2013-09-24
US20190227444A1 (en) 2019-07-25
JP2009182359A (ja) 2009-08-13
US20120257178A1 (en) 2012-10-11
TW200525290A (en) 2005-08-01
US20080278696A1 (en) 2008-11-13
US20140375972A1 (en) 2014-12-25
CN100480861C (zh) 2009-04-22
US20120013869A1 (en) 2012-01-19
JP2008199069A (ja) 2008-08-28
JP4347398B2 (ja) 2009-10-21
CN1612053A (zh) 2005-05-04
US20050263068A1 (en) 2005-12-01
US7411653B2 (en) 2008-08-12
JP2010206225A (ja) 2010-09-16
JP4838333B2 (ja) 2011-12-14
TWI263116B (en) 2006-10-01
US8638418B2 (en) 2014-01-28
JP5216812B2 (ja) 2013-06-19
US8542344B2 (en) 2013-09-24
US9482962B2 (en) 2016-11-01
KR20050040764A (ko) 2005-05-03
JP4174043B2 (ja) 2008-10-29
US8860923B2 (en) 2014-10-14
US7868998B2 (en) 2011-01-11
US10248034B2 (en) 2019-04-02
US20170045830A1 (en) 2017-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100733124B1 (ko) 리소그래피장치
KR100632891B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR100767089B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP5345996B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP5286431B2 (ja) リソグラフィ装置
US20080273182A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100699567B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP4777933B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
EP2267536B1 (en) Lithographic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130614

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140616

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150612

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160613

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170609

Year of fee payment: 11