JP4057988B2 - 半導体装置において自己配列接点を供する方法 - Google Patents
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- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
Description
図3Bは、本発明の実施例の一つに従った、トレンチ形成工程を示している。図3Bは、図3Aでの記述にて列挙された構造に加えて、活性領域トレンチ311、ゲート領域トレンチ313、多結晶膜315、及びゲートオキサイド317を示している。実施例によると、トレンチ形成に、ドライエッチング工程を使用してもよい。一つの実施例によると、トレンチを形成するために、反応性イオンエッチング(RIE)工程を使用してもよい。トレンチを形成した後、トレンチ壁に整列するゲートオキサイド317の堆積を行ってもよい。その後、トレンチ溝を充填し、かつトレンチ内部にゲート材料を形成するため、ゲート酸化層317上に多結晶膜315を堆積してもよい。その後、ハードマスクのSiN層305の表面から、CMPにより過剰なポリシリコンを取り除いてもよく、平坦な露出表面を残存させることになる。
103 基板
104 トレンチ溝
105 厚い酸化層
107 ゲートバス金属
109 金属ストライプ
111 ソースコンタクト
113 ソース領域
117 ボティーウェル
201 ワイドトレンチ
301 基板
303 パッド酸化層
305 シリコンナイトライド膜
307 ボディーウェル
308 フローティングリング
309 マスク開口部
311 活性領域トレンチ
313 ゲート領域トレンチ
315 多結晶膜
317 ゲートオキサイド
319 絶縁体膜
321 ソース領域
323 接点窓
325 酸化スペーサー
327 接点トレンチ
329 接点インプラント
331 金属化接点
401 基板
403 パッド酸化層
405 シリコンナイトライド膜
411 活性領域トレンチ
412 活性領域トレンチ
413 ワイドトレンチ
415 多結晶膜
417 酸化膜
419 絶縁体膜
421 ソース領域
423 接点窓
425 酸化スペーサー
427 接点トレンチ
429 接点インプラント
431 金属化接点
501 ステップ
503 ステップ
505 ステップ
507 ステップ
509 ステップ
511 ステップ
513 ステップ
515 ステップ
517 ステップ
519 ステップ
521 ステップ
601 ステップ
603 ステップ
605 ステップ
Claims (22)
- マスク層を介して基板にトレンチをエッチングし;
前記トレンチの壁部にゲート酸化層を形成し;
前記トレンチを充填するようにポリシリコンを設け;
前記マスク層の表面から前記ポリシリコンを除去し;
ゲート配線の位置を覆うように、フォトレジストマスクを形成し;かつ
活性領域に位置するトレンチに形成されたポリシリコンプラグをエッチバックすることにより該ポリシリコンプラグ上に凹部を形成する;
ことを含む、半導体装置に自己配列接点を供する方法。 - 前記マスク層は、酸化層上に堆積されたシリコンナイトライドであり、前記ポリシリコンを設けるステップはシリコンナイトライドの前記マスク層の表面を覆うことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記活性領域の前記トレンチに形成された前記ポリシリコンプラグ上に形成された凹部を、絶縁体で充填するステップをさらに有する請求項1に記載の方法。
- 接点窓を定義するように、さらなるフォトレジストマスクを形成し;
前記活性領域に位置する前記トレンチ上の平坦表面化された絶縁体膜を形成し、その後、自己配列スペーサー法を用いて、活性領域の接触のための電気接点トレンチを定義し;かつ
前記活性領域に到達する金属接点をパターン化するように、別のフォトレジストマスクを形成する;
ステップをさらに有する請求項3に記載の方法。 - 前記活性領域に位置する前記トレンチに形成されている前記シリコンプラグ上に形成されている凹部を、絶縁体を用いて充填し;
前記マスク層に開口される接点窓を定義するように、さらなるフォトレジストマスクを形成し;
前記マスク層を選択的にエッチングし;
前記活性領域に位置している前記トレンチを覆う平坦表面化された絶縁体膜を残存させ;
自己配列スペーサー法を用いて、活性領域に接触するための、電気接点トレンチを定義し;かつ
前記活性領域に到達する金属接点をパターン化するように、別のフォトレジストマスクを形成する;
ことを含む請求項2又は4に記載の方法。 - 前記半導体装置のゲート配線領域に位置するポリシリコンプラグの上部への電気的接点を設ける;
ステップさらに有する請求項4又は5に記載の方法。 - 第一表面を有する半導体基板を設け;
前記半導体基板の前記第一表面にて電気的接点を形成可能な複数個の半導体装置を形成し;
酸化層上に堆積したシリコンナイトライドのマスク層を介して、前記基板にトレンチをエッチングし;
前記トレンチの壁上にゲート酸化層を形成し;
前記トレンチを充填し、かつ前記マスク層の表面を覆うようにポリシリコンを設け;
前記マスク層の前記表面から前記ポリシリコンを除去し;
ゲート配線の位置を覆うように、フォトレジストマスクを形成し;かつ
活性領域に位置するトレンチに形成されたポリシリコンプラグをエッチバックすることにより前記ポリシリコンプラグ上に凹部を形成する;
ことを含む、一体型MOSFET配列において自己配列接点を供する方法。 - 前記ポリシリコンプラグ上に形成された前記凹部を絶縁体で満たし;
前記マスク層に開口される接点窓を定義するように、さらなるフォトレジストマスクを形成し;
前記活性領域に位置している前記トレンチを覆う平坦表面化された絶縁体膜を残存させるように、前記マスク層を選択的にエッチングし;
自己配列スペーサー法を用いて、活性領域に接触させるための、電気接点トレンチを定義し;かつ
前記活性領域に到達する金属接点をパターン化するように、別のフォトレジストマスクを形成する;
ことをさらに有する請求項7に記載の方法。 - 第一表面を有する半導体基板を設け;
前記半導体基板の前記第一表面にて電気的接点を形成可能な複数個の半導体装置を形成し;
前記基板に形成された接点窓の壁部に沿って酸化スペーサーを形成し;
RIE法にて接点領域の接点トレンチを形成するように、前記第一表面をエッチングし;
接点界面にてボディーウェルにおけるドーパント濃度を増加すべく、前記接点トレンチの底部にて接点インプラントを形成する;
ことを含み、かつ
ソース領域は、前記接点トレンチの側壁に沿って接触されている;
ことを特徴とする、一体型MOSFET配列において自己配列接点を供する方法。 - 一体型半導体装置のゲート配線領域に位置しているポリシリコンプラグの上部への電気的接点を設ける、ことをさらに有する請求項5又は9に記載の方法。
- 前記半導体装置の前記ゲート配線領域を覆うようにフォトレジストマスクを形成することをさらに有する請求項10に記載の方法。
- 前記ポリシリコンプラグは、前記マスク層の前記表面と一致した前記ゲート配線領域の高さを有することを特徴とする請求項11に記載の方法。
- シリコンナイトライドの前記マスク層の表面から前記ポリシリコンを除去するステップは、CMP(化学的機械的研磨法)を含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記のフォトレジストマスクを形成するステップは、前記半導体装置の前記活性領域を覆わず、且つ前記ゲート配線領域を覆うように形成することを特徴とする請求項5又は13に記載の方法。
- 前記ポリシリコンプラグは、前記マスク層の前記表面と一致したゲート配線領域における高さを有することを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記絶縁体は、前記マスク層に対して選択的にエッチングされることを特徴とする請求項5又は8に記載の方法。
- 前記絶縁体は、酸化物又はBPSGで構成することを特徴とする請求項3又は16に記載の方法。
- 前記ポリシリコンプラグと前記ゲート配線を形成する金属との電気接点を形成することをさらに有する、請求項5、8又は10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記の、基板にトレンチをエッチングするステップは、ワイドトレンチをエッチングすることを有する特徴とする請求項6、10、又は18に記載の方法。
- 前記ワイドトレンチは、前記活性領域に形成されたトランジスターと一体化される半導体装置が形成される多結晶膜で充填され、かつ前記ワイドトレンチは、前記基板の表面にて電気的接点を形成可能であることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記接点窓の壁部に沿って酸化スペーサーを形成し;
RIE法にて、接触領域の接点トレンチを形成するように、前記基板の表面をエッチングし;
接点界面にて、ボディーウェルのドーパント濃度を増加するように、前記接点トレンチの底部にて接点インプラントを形成する;
ことをさらに有し、かつ
ソース領域は、前記接点トレンチの側壁に沿って接触されている、ことを特徴とする請求項5又は8に記載の方法。 - 前記ワイドトレンチは、半導体装置が形成される多結晶膜にて満たされることを特徴とする請求項19に記載の方法。
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