JP7040315B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
最初に本開示の実施形態を列記して説明する。以下の説明では、同一または対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。
以下、本開示の一実施形態(以下「本実施形態」と記す)について詳細に説明するが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
次に、本実施形態における縦型トランジスタとなる炭化珪素半導体装置について説明する。本実施形態における半導体装置は、図3に示されるように、ゲート電極151の上面151fの位置が、炭化珪素半導体層の表面11aよりも下であって、p型層22と第2のn型層23との界面23fよりも上になるように形成されている。尚、炭化珪素半導体層の表面11aとは、後述する炭化珪素半導体層と炭化珪素半導体層の上に形成される後述する酸化シリコン膜との界面となる面である。このようにゲート電極151を形成することにより、トランジスタに、高電圧を印加した場合であっても、ゲート電極151の端における電界集中を防ぐことができ、トランジスタが破壊されることを防ぎ、信頼性を向上させることができる。
次に、本実施形態における炭化珪素半導体装置の製造方法について、図4~図11に基づき説明する。
10a 第1の面
10b 第2の面
11 炭化珪素エピタキシャル層
11a 表面
21 第1のn型層
22 p型層
23 第2のn型層
23f 界面
24 高濃度p型領域
40 ゲート絶縁膜
41 酸化シリコン膜
51 ゲート電極
52 ソース電極
53 ドレイン電極
130 ゲートトレンチ
130a 側壁
130b 底面
141 酸化シリコン膜
141a ポリシリコン膜
142 酸化シリコン膜
151 ゲート電極
151a ポリシリコン膜
151f 上面
161 酸化シリコン膜
161a 開口部
162 窒化シリコン膜
162a 開口部
163 レジストパターン
164 酸化シリコン膜
170 層間絶縁膜
Claims (4)
- 縦型トランジスタとなる炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
表面が酸化されているゲートトレンチを有する炭化珪素エピタキシャル基板に、ポリシリコンを成膜し、表面が酸化されている前記ゲートトレンチを前記ポリシリコンにより埋め込む工程と、
前記ゲートトレンチを除く領域のポリシリコンを化学機械研磨により除去する工程と、
前記ゲートトレンチ内のポリシリコンを前記炭化珪素エピタキシャル基板の表面より深い位置まで酸化する工程と、
を有し、
前記ゲートトレンチは、
前記炭化珪素エピタキシャル基板の表面に酸化膜を形成し、前記酸化膜の上に窒化膜を形成する工程と、
前記ゲートトレンチが形成される領域の酸化膜及び窒化膜を除去し、開口部を形成する工程と、
前記酸化膜及び窒化膜の開口部における前記炭化珪素エピタキシャル基板を表面より除去し、ゲートトレンチを形成する工程と、
により形成されるものであって、
前記ポリシリコンは、前記ゲートトレンチ内及び窒化膜の上に成膜されるものであり、
化学機械研磨によるポリシリコンの除去は、前記窒化膜の表面が露出するまで行われる炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記炭化珪素エピタキシャル基板は、前記炭化珪素エピタキシャル基板の表面側の第1の導電型の層と、前記第1の導電型の層よりも深い前記第1の導電型と異なる第2の導電型の層とを有しており、
前記酸化する工程では、前記ゲートトレンチ内のポリシリコンを前記第1の導電型の層と前記第2の導電型の層の界面よりも浅い位置まで酸化する請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記ゲートトレンチは、前記第2の導電型の層よりも深くまで形成されている請求項2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記ポリシリコンが酸化される膜厚は、前記酸化膜の膜厚と前記窒化膜の膜厚の和よりも厚い請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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