JP2009182114A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の平面方向において連続して配置されるMOSトランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極および該ゲート電極間を接続する配線部(矢印13で図示する箇所)が、拡散層14が形成される基板10の表面より下層に埋め込まれている。基板10の表面には、ソース・ドレイン領域として機能する拡散層14どうしを分離するSTI構造の第一の素子分離領域12が形成されている。そして該第一の素子分離領域12が存在する層より下の層に、隣接するMOSトランジスタのチャネル領域どうしを分離するSTI構造の第二の素子分離領域11が形成されている。
【選択図】図2
Description
本発明を適用してDRAMのメモリセルを形成した場合の例について説明する。
次に、本発明の製法を図7〜21に示す主要工程の断面構造図を用いて説明する。図7〜21の各図中の(A),(B),(C),(D)は、図1におけるA-A'、B-B'、C-C'、D-D'それぞれの断面に対応している。
次に、本発明の他の実施例による製法を、図22〜36に示す主要工程の断面構造図を用いて説明する。図22〜36の各図中の(A),(B),(C),(D)は、図1におけるA-A'、B-B'、C-C'、D-D'それぞれの断面に対応している。
2 第二のアクティブフィールドパターン
3 ワード線用トレンチ形成パターン
4 キャパシタ接続用コンタクトパターン
5 ビット線接続用コンタクトパターン
6 ビット線
7 キャパシタパターン
10 P型Si基板
11 チャネル分離用STIを有する素子分離領域
11a チャネル分離用Siトレンチ
12 拡散層およびワード線分離用のSTIを有する素子分離領域
12a 拡散層およびワード線分離用の第一のSiトレンチ
12b 拡散層およびワード線分離用の第二のSiトレンチ
13 ワード線形成位置および延在方向
14 N型拡散層
20 ワード線を構成するゲート電極
21 拡散層上のコンタクトプラグ
22 蓄積電極接続用コンタクトプラグ
23 ビット線接続用コンタクトプラグ
30 酸化シリコン膜
31 アクティブパターン形成用チッ化シリコン膜
32 トレンチ内の酸化シリコン膜
33 トレンチ内のチッ化シリコン膜
34 STI埋め込み用酸化シリコン膜
35 拡散層形成用酸化シリコン膜
36 ゲート酸化シリコン膜
37 ゲート電極用ポリシリコン膜
38 ゲート電極用タングステン膜
40 ゲート電極上の層間絶縁膜
41 拡散層上のコンタクトホールの内壁のチッ化シリコン膜
50a 第一のアクティブフィールドパターンを形成するフォトレジスト膜
50b 第二のアクティブフィールドパターンを形成するフォトレジスト膜
50c ワード線用トレンチパターンを形成するフォトレジスト膜
50d 拡散層上にコンタクトパターンを形成するフォトレジスト膜
Claims (7)
- 基板の平面方向において連続して配置されるMOSトランジスタを有する半導体装置において、
ゲート電極および該ゲート電極間を接続する配線部が、拡散層が形成される基板表面よりも下の層に埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。 - 前記基板表面に、隣接するMOSトランジスタの、ソース・ドレイン領域として機能する拡散層どうしを分離する第一の素子分離領域を有し、該第一の素子分離領域が存在する層より下の層に、隣接するMOSトランジスタのチャネル領域どうしを分離する第二の素子分離領域を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記基板表面に複数のMOSトランジスタを配置してなるメモリセルに用いられる請求項1または2に記載の半導体装置。
- 基板の平面方向において連続して配置されるMOSトランジスタを有する半導体装置の製造方法であって、
基板表面に、隣接するMOSトランジスタの、ソース・ドレイン領域として機能する拡散層どうしを分離する第一の素子分離領域を形成し、該第一の素子分離領域が存在する層より下の層に、隣接するMOSトランジスタのチャネル領域どうしを分離する第二の素子分離領域を形成する、半導体装置の製造方法。 - 前記第一及び第二の素子分離領域を形成するために、まず前記基板表面をエッチングして複数の平行な第一のトレンチパターンを形成し、さらに、該第一のトレンチパターンが形成された基板表面をエッチングして該第一のトレンチパターンと垂直に、複数の平行な第二のトレンチパターンを形成する、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第一及び第二のトレンチパターンを直線形状に形成する、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 任意の前記トレンチパターンのトレンチ内に、ゲート電極および該ゲート電極間を接続する配線を埋め込む、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
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