JP4591827B2 - リセスチャネル構造を有するセルトランジスタを含む半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 193
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 200
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 200
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 136
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 136
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 136
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 132
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 66
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 44
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 43
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 36
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 7
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 22
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 19
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 13
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 3
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLJQDHDVZJXNQL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(oxomethylidene)benzenesulfonamide Chemical compound CC1=CC=C(S(=O)(=O)N=C=O)C=C1 VLJQDHDVZJXNQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005881 NiSi 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021340 platinum monosilicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
- H01L29/66613—Lateral single gate silicon transistors with a gate recessing step, e.g. using local oxidation
- H01L29/66621—Lateral single gate silicon transistors with a gate recessing step, e.g. using local oxidation using etching to form a recess at the gate location
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
- H01L21/823807—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the channel structures, e.g. channel implants, halo or pocket implants, or channel materials
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
- H01L21/823828—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes
- H01L21/823842—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes gate conductors with different gate conductor materials or different gate conductor implants, e.g. dual gate structures
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- H10B12/01—Manufacture or treatment
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- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
- H01L29/66575—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate
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Description
びその製造方法に関し、
さらに詳しくは、リセスチャネル構造を有するセルトランジスタ、N型ポリシリコンを
含むゲート電極を備えたnMOSFET構造を有する周辺トランジスタ、およびP型ポリ
シリコンを含むゲート電極を備えたpMOSFET構造を有する周辺トランジスタを有す
る半導体装置およびその製造方法に関する。
図1には、N型ポリシリコン層600を含むゲート電極6aがP型の半導体シリコン基
板1上に形成されたnMOSFET構造を有するトランジスタ200と、P型ポリシリコ
ン層601を含むゲート電極6bがNウエル領域360上に形成されたpMOSFET構
造を有するトランジスタ201を備えた半導体装置100が示されている。
れたゲート電極6aと、前記ゲート電極6aに対応する一対のソース・ドレイン領域3を
有するものである。
前記ゲート電極6aは、N型ポリシリコン層600と金属シリサイド7とからなるもの
である。前記ゲート電極6aの上部と側壁には、それぞれ窒化シリコンからなる絶縁膜8
および9が設けられている。
5を介して前記半導体シリコン基板1中のNウエル領域360上に形成されたゲート電極
6bと、前記ゲート電極6bに対応する一対のソース・ドレイン領域4を有するものであ
る。
前記ゲート電極6bは、P型ポリシリコン層601と金属シリサイド7とからなるもの
である。前記ゲート電極6bの上部と側壁には、それぞれ窒化シリコンからなる絶縁膜8
および9が設けられている。
より分離されている。
これらのトランジスタの組合せは相補型MOS(Complementary MOS、以下、「CMO
S」という。)構造と一般に呼ばれるものである。
み、また、前記トランジスタ201に対応するソース・ドレイン領域4はP型の不純物を
含む。
この様に、前記ゲート電極に含まれる不純物の導電型と、前記ソース・ドレイン領域に
含まれる不純物の導電型が一致するトランジスタは表面チャネル型トランジスタと呼ばれ
ている。
図1に示される前記CMOS構造を備えた半導体装置100は、前記トランジスタ20
0および201のそれぞれが表面チャネル型トランジスタから構成されている(特許文献
1)。
図2には、P型ポリシリコン層を含むゲート電極611がN型エピタキシャル層1b上
に形成されたpMOSFET構造を有するトランジスタ202と、P型ポリシリコン層を
含むゲート電極612がPウエル領域340の上に形成されたnMOSFET構造を有す
るトランジスタ203と、リセスチャネル構造を有するP型ポリシリコン層610を含む
ゲート電極がPウエル領域340に形成されたpMOSFET構造を有するトランジスタ
204とを備えた半導体装置101が示されている。
板1a上に設けられたN型エピタキシャル層1bの表面領域のP型高濃度不純物層により
形成されている。
さらに前記ソース・ドレイン領域301に重ねて、P型低濃度不純物層310が設けら
れている。
領域340の表面領域のN型高濃度不純物層により形成されている。
さらに前記ソース・ドレイン領域302に重ねて、N型低濃度不純物層320が設けら
れている。
スタ204に対応するソース・ドレイン領域303は、N型ボディ領域341の表面領域
に設けられたP型高濃度不純物層により形成されている。
さらに前記ソース・ドレイン領域303に重ねて、P型低濃度不純物層330が設けら
れている。
前記N型ボディ領域341は前記Pウエル領域340内部に形成されていて、前記Pウ
エル領域340の下部にはP型埋め込み層370が設けられている。
0により充填されており、さらに前記導電層700の上部および側面には窒化シリコンか
らなる絶縁膜800および9が設けられている。
加えて、前記トランジスタ202、前記トランジスタ203および前記トランジスタ2
04は、それぞれ素子間分離構造2により分離されている。
リコン層を含み、前記pMOSFET構造に対応するソース・ドレイン領域301がP型
の不純物を含むことから、表面チャネル型トランジスタである。
この一方、前記トランジスタ203は、前記ゲート電極612がP型ポリシリコン層を
含み、nMOSFET構造に対応するPウエルがP型不純物を含むことから、このタイプ
のトランジスタは、埋め込みチャネル型トランジスタと一般に呼ばれる。
この様に、表面チャネル型トランジスタ、埋め込みチャネル型トランジスタおよびリセ
スチャネル構造を有するトランジスタを備えた半導体装置101が知られている(特許文
献2)。
導体装置に適用しようとすると不具合が生じた。
造および表面チャネル型トランジスタのpMOSFET構造を有するトランジスタ構造を
有するデュアルゲート型周辺トランジスタと、リセスチャネル構造を備えたnMOSFE
T構造を有するセルトランジスタとを単に組み合わせただけでは、得られた半導体装置の
動作電圧の変動が大きい等、前記半導体装置が正常に動作しないという問題があった。
表面チャネル型pMOSFET構造を有備えたトランジスタ構造を有するデュアルゲート
型周辺トランジスタと、リセスチャネル構造を備えたnMOSFET構造を有するセルト
ランジスタと、を含む半導体装置であって、
動作電圧の変動が少なく、正常に動作する半導体装置を提供することにある。
セルトランジスタ中のゲート電極を構成するN型ポリシリコン層に含まれるN型不純物の
濃度が、略一定である半導体装置が上記課題を解決することを見出し、本発明を完成する
に至った。
すなわち本発明は、
前記半導体シリコン基板の所定の位置に設けられた素子間分離構造と、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第一の領域に設けられたリセスチャネル構造を有するセルトランジスタと、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第二の領域に設けられたnMOSFET構造を有する周辺トランジスタと、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第三の領域に設けられたpMOSFET構造を有する周辺トランジスタと、
を備えた半導体装置であって、
(A)前記リセスチャネル構造を有するセルトランジスタは、下記(1)〜(4)を有し、
(1)前記半導体シリコン基板の所定の位置に設けられたリセス
(2)前記リセス内部に接して設けられたゲート絶縁膜
(3)前記ゲート絶縁膜に接して設けられ、断面がU字のN型ポリシリコン層および前記N型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
を含むゲート電極
(4)前記半導体シリコン基板の表面領域であって前記ゲート電極の両側に設けられた一対のN型拡散層を含むソース・ドレイン領域
(B)前記第二の領域に設けられたnMOSFET構造を有する周辺トランジスタは、下記(5)〜(7)を有し、
(5)前記半導体シリコン基板上の所定の位置に設けられたゲート絶縁膜
(6)前記ゲート絶縁膜に接して設けられたN型ポリシリコン層および前記N型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
からなるゲート電極
(7)前記半導体シリコン基板の表面領域であって、前記ゲート電極の両側に設けられた一対のN型拡散層を含むソース・ドレイン領域
(C)前記第三の領域に設けられたpMOSFET構造を有する周辺トランジスタは、下記(8)〜(10)を有し、
(8)前記半導体シリコン基板上の所定の位置に設けられたゲート絶縁膜
(9)前記ゲート絶縁膜に接して設けられたP型ポリシリコン層および前記P型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
からなるゲート電極、
(10)前記シリコン基板内部に設けられたNウエルの表面領域であって、前記ゲート電極の両側に設けられた一対のP型拡散層を含むソース・ドレイン領域
かつ、上記に加えて前記セルトランジスタ中のN型ポリシリコン層に含まれるN型不純物の濃度は、略一定であり、
前記リセスチャネル構造を有するセルトランジスタに含まれるゲート電極は、
前記ゲート絶縁膜に接して設けられ、断面がU字の前記N型ポリシリコン層、
ならびに前記N型ポリシリコン層の前記U字の内部および前記N型ポリシリコン層の上部に接して設けられた前記導電層、
からなることを特徴とする半導体装置を提供するものであり。
前記半導体シリコン基板の所定の位置に設けられた素子間分離構造と、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第一の領域に設けられたリセスチャネル構造を有するセルトランジスタと、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第二の領域に設けられたnMOSFET構造を有する周辺トランジスタと、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第三の領域に設けられたpMOSFET構造を有する周辺トランジスタと、
を備えた半導体装置であって、
(A)前記リセスチャネル構造を有するセルトランジスタは、下記(1)〜(4)を有し、
(1)前記半導体シリコン基板の所定の位置に設けられたリセス
(2)前記リセス内部に接して設けられたゲート絶縁膜
(3)前記ゲート絶縁膜に接して設けられたN型ポリシリコン層および前記N型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
を含むゲート電極
(4)前記半導体シリコン基板の表面領域であって前記ゲート電極の両側に設けられた一対のN型拡散層を含むソース・ドレイン領域
(B)前記第二の領域に設けられたnMOSFET構造を有する周辺トランジスタは、下記(5)〜(7)を有し、
(5)前記半導体シリコン基板上の所定の位置に設けられたゲート絶縁膜
(6)前記ゲート絶縁膜に接して設けられたN型ポリシリコン層および前記N型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
からなるゲート電極
(7)前記半導体シリコン基板の表面領域であって、前記ゲート電極の両側に設けられた一対のN型拡散層を含むソース・ドレイン領域
(C)前記第三の領域に設けられたpMOSFET構造を有する周辺トランジスタは、下記(8)〜(10)を有し、
(8)前記半導体シリコン基板上の所定の位置に設けられたゲート絶縁膜
(9)前記ゲート絶縁膜に接して設けられたP型ポリシリコン層および前記P型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
からなるゲート電極、
(10)前記シリコン基板内部に設けられたNウエルの表面領域であって、前記ゲート電極の両側に設けられた一対のP型拡散層を含むソース・ドレイン領域
かつ、上記に加えて前記セルトランジスタ中のN型ポリシリコン層に含まれるN型不純物の濃度は、略一定であり、
前記リセスチャネル構造を有するセルトランジスタに含まれるゲート電極は、
前記ゲート絶縁膜に接して設けられた前記N型ポリシリコン層、
前記N型ポリシリコン層内部に設けられた、不純物濃度が1.0×1020/cm3未満の第二のポリシリコン層、
ならびに前記N型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
からなることを特徴とする半導体装置を提供するものであり、
前記半導体シリコン基板の所定の位置に設けられた素子間分離構造と、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第一の領域に設けられたリセスチャネル構造を有するセルトランジスタと、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第二の領域に設けられたnMOSFET構造を有する周辺トランジスタと、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第三の領域に設けられたpMOSFET構造を有する周辺トランジスタと、
を備えた半導体装置であって、
(A)前記リセスチャネル構造を有するセルトランジスタは、下記(1)〜(4)を有し、
(1)前記半導体シリコン基板の所定の位置に設けられたリセス
(2)前記リセス内部に接して設けられたゲート絶縁膜
(3)前記ゲート絶縁膜に接して設けられ、断面がU字のN型ポリシリコン層および前記N型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
を含むゲート電極
(4)前記半導体シリコン基板の表面領域であって前記ゲート電極の両側に設けられた一対のN型拡散層を含むソース・ドレイン領域
(B)前記第二の領域に設けられたnMOSFET構造を有する周辺トランジスタは、下記(5)〜(7)を有し、
(5)前記半導体シリコン基板上の所定の位置に設けられたゲート絶縁膜
(6)前記ゲート絶縁膜に接して設けられたN型ポリシリコン層および前記N型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
からなるゲート電極
(7)前記半導体シリコン基板の表面領域であって、前記ゲート電極の両側に設けられた一対のN型拡散層を含むソース・ドレイン領域
(C)前記第三の領域に設けられたpMOSFET構造を有する周辺トランジスタは、下記(8)〜(10)を有し、
(8)前記半導体シリコン基板上の所定の位置に設けられたゲート絶縁膜
(9)前記ゲート絶縁膜に接して設けられたP型ポリシリコン層および前記P型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
からなるゲート電極、
(10)前記シリコン基板内部に設けられたNウエルの表面領域であって、前記ゲート電極の両側に設けられた一対のP型拡散層を含むソース・ドレイン領域
かつ、上記に加えて前記セルトランジスタ中のN型ポリシリコン層に含まれるN型不純物の濃度は、略一定であり、
前記リセスチャネル構造を有するセルトランジスタに含まれるゲート電極は、
前記ゲート絶縁膜に接して設けられ、断面がU字の前記N型ポリシリコン層、
前記N型ポリシリコン層の前記U字の内部に埋設された、不純物濃度が1.0×1020/cm3未満の第二のポリシリコン層、
前記N型ポリシリコン層および前記第二のポリシリコン層の上部に接して設けられた第三のN型ポリシリコン層、
および前記第三のN型ポリシリコン層の上部に接して設けられた前記導電層、
からなることを特徴とする半導体装置を提供するものであり、
リコン基板に前記素子間分離構造により区画された第一ないし第三の領域を形成する工程
と、
(2)前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の前記第一の領域に
リセスを形成する工程と、
(3)前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の前記第三の位置に
Nウエルを形成する工程と、
(4)前記半導体シリコン基板上面および前記リセス内部表面にゲート絶縁膜を形成する
工程と、
(5)前記ゲート絶縁膜のうち、前記半導体シリコン基板上面に該当する部分および前記
リセス内部表面に該当する部分の上面ならびに前記素子間分離構造上面に、不純物濃度が
1.0×1020/cm3未満のポリシリコン層を形成する工程と、
(6)前記第一および第二のそれぞれの所定の位置にある前記不純物濃度が1.0×10
20/cm3未満のポリシリコン層に対し、気相拡散法および固相拡散法からなる群より
選ばれる少なくとも一つの方法によりN型不純物を導入することによりN型ポリシリコン
層を形成する工程と、
(7)前記第三の所定の位置にある前記不純物濃度が1.0×1020/cm3未満のポ
リシリコン層に対し、P型不純物を導入することにより、P型ポリシリコン層を形成する
工程と、
(8)上記(6)および(7)の工程後、前記N型ポリシリコン層およびP型ポリシリコ
ン層の上に、金属シリサイド膜および金属膜からなる群より選ばれる少なくとも一つを形
成する工程と、
(9)エッチング工程により、前記第一および第二の領域に、それぞれN型ポリシリコン
層を含むゲート電極を形成し、かつ前記第三の領域にP型ポリシリコン層を含むゲート電
極を形成する工程と、
(10)前記第一および第二の領域にそれぞれ形成された前記ゲート電極の両側の半導体
シリコン基板表面領域に対し、N型不純物を注入することにより、前記第一の領域にリセ
スチャネル構造を有するセルトランジスタおよび前記第二の領域にnMOSFET構造を
形成する工程と、
(11)前記第三の領域に形成された前記ゲート電極の両側の半導体シリコン基板表面領
域に対し、P型不純物を注入することにより、前記第三の領域にpMOSFET構造を形
成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するものであり、
気相拡散法およびリン含有ガラスを用いた固相拡散法からなる群より選ばれる少なくとも
一つであることを特徴とする上記[6]に記載の半導体装置の製造方法を提供するもので
ある。
ができる。
図3は、本発明の半導体装置の第一の実施態様を例示する模式的要部断面図である。
前記半導体装置102は、半導体シリコン基板1を備えるものである。
かかる半導体シリコン基板1に特に制限はなく、通常半導体用途に用いられるものを使
用することができる。本発明に使用する半導体シリコン基板1は、通常はホウ素等のP型
不純物を含有するシリコンウエハ等の市販品を使用することが可能である。
えるものである。
前記素子間分離構造2の形成方法に限定はないが、例えば、前記半導体シリコン基板1
を用いて、高密度プラズマCVD等の方法を行なうことにより、酸化シリコン等からなる
前記素子間分離構造2を形成することができる。
シリコン基板1の第一の領域に設けられたリセスチャネル構造を有するセルトランジスタ
205を備えるものである。
図3に示す様に、前記リセスチャネル構造を有するセルトランジスタ205は前記シリ
コン基板1の所定の位置に設けられたリセス(溝)を有するものである。
前記リセスは、前記半導体シリコン基板1を用いて、リソグラフィー技術およびドライ
エッチング技術等の方法により設けることができる。
設けられたゲート絶縁膜5を有するものである。
かかるゲート絶縁膜5は通常は酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンオキシナイトラ
イド等の一種もしくは二種以上からなるものであるが、この様なゲート絶縁膜は、例えば
、酸化シリコンの場合であれば、前記半導体シリコン基板1表面のシリコンと、水や酸素
等とを高温下に反応させることにより得ることができる。
に接して設けられたN型ポリシリコン層620および前記N型ポリシリコン層620に接
して設けられた導電層700を含むゲート電極を有するものである。
図3に例示される様に、前記N型ポリシリコン層620の断面はU字状の形状を有する
ものである。前記導電層700の一部は前記N型ポリシリコン層620のU字状の断面の
内部に接して設けられていて、前記導電層700の残りの部分は前記N型ポリシリコン層
620上部に接して設けられている。
含まれるN型不純物の濃度が略一定であることが必要である。
具体的には、N型ポリシリコン層620に含まれるN型不純物の濃度は、1.0×10
20〜1.0×1021/cm3の範囲である。
前記N型不純物の濃度が1.0×1020未満の場合には、得られた半導体装置の動作
電圧が一定せず、正常に動作しない。
また前記N型不純物の濃度が1.0×1021を超える場合には、不純物領域における
電気的短絡等の現象等により、得られた半導体装置が正常に動作しない。
の面ら前記N型不純物はリンであることが好ましい。
とができる。
すなわち、前記ゲート絶縁膜5に接して、不純物濃度が1.0×1020/cm3未満
のポリシリコン層を形成しておいてから、かかるポリシリコン層に対して、リン等のN型
不純物を気相拡散法、固相拡散法等の方法により導入することにより得ることができる。
前記気相拡散法としては、例えば、具体的には前記不純物を含有しないポリシリコン層
に対し、650〜750℃の温度範囲でPH3ガスを作用させる方法を挙げることができ
る。
また前記固相拡散法としては、例えば、具体的には前記不純物濃度が1.0×1020
/cm3未満のポリシリコン層に対し、リン含有ガラスを作用させる方法を挙げることが
できる。
かかるリン含有ガラスを使用する固相拡散法は、SiH4およびPOCl3を800〜
900℃の温度範囲で反応させ、前記不純物を含有しないポリシリコン層に作用させる方
法により実施することができる。
、NiSi2等の金属シリサイド、タングステン等の金属等の一種もしくは二種以上から
なるものである。
び上面には、窒化シリコン等からなる絶縁膜9および801が設けられている。
基板1の表面領域であって前記ゲート電極の両側に設けられた一対のN型拡散層を含むソ
ース・ドレイン領域304を有するものである。
前記ソース・ドレイン領域304は、前記半導体シリコン基板1の表面領域に、先のゲ
ート電極を保護マスクとして、リン等のN型不純物をイオン注入する等の方法によりN型
高濃度不純物層として得ることができる。
等のN型高濃度不純物層に加えて、リン等のN型低濃度不純物層等を適宜追加することが
できる。
シリコン基板1の第二の領域に設けられたnMOSFET構造を有する周辺トランジスタ
206を備えるものである。
タ206は前記半導体シリコン基板1の所定の位置に設けられたゲート絶縁膜5を有する
ものである。
かかるゲート絶縁膜5は、先の第一の領域に設けられたリセスチャネル構造を有するセ
ルトランジスタ205の場合と同様、前記半導体シリコン基板1表面のシリコンと、水や
酸素等とを高温下に反応させる等の方法により得ることができる。
は、前記ゲート絶縁膜5に接して設けられたN型ポリシリコン層620および前記N型ポ
リシリコン層620に接して設けられた導電層700からなるゲート電極を有するもので
ある。
このN型ポリシリコン層620は、先のリセスチャネル構造を有するセルトランジスタ
205の場合とは異なり、前記半導体シリコン基板1上に前記ゲート絶縁膜5を介して設
けられている。
含まれるN型不純物の濃度が略一定であることは先の場合と同様である。
前記N型ポリシリコン層620に接して前記導電層700が設けられている。前記導電
層700についても、前記リセスチャネル構造を有するセルトランジスタ205の場合と
同様である。
上面には、窒化シリコン等からなる絶縁膜9、801が設けられている。
前記半導体シリコン基板1の表面領域であって、前記ゲート電極の両側に設けられた一対
のN型拡散層を含むソース・ドレイン領域305を有するものである。
前記ソース・ドレイン領域305は、前記半導体シリコン基板1の表面に、先のゲート
電極を保護マスクとして、リン等のN型不純物をイオン注入する等の方法により、N型高
濃度不純物層として得ることができる。
リン等の前記N型高濃度不純物層に加えて、リン等の前記N型低濃度不純物層等を適宜追
加することができる。
体シリコン基板1の第三の領域に設けられたpMOSFET構造を有する周辺トランジス
タ207を備えるものである。
タ207は前記半導体シリコン基板1の所定の位置に設けられたゲート絶縁膜5を有する
ものである。
前記ゲート絶縁膜5を設ける方法等については先のセルトランジスタ205の場合と同
様である。
前記ゲート絶縁膜5に接して設けられたP型ポリシリコン層621および前記P型ポリシ
リコン層621に接して設けられた導電層700からなるゲート電極を有するものである
。
ート電極が前記N型ポリシリコン層620を有するのに対し、この第三の領域に設けられ
たpMOSFET構造を有する周辺トランジスタ207のゲート電極は、前記P型ポリシ
リコン層621を有する点が異なる。
すなわち、前記周辺トランジスタ206も前記周辺トランジスタ207も共に表面チャ
ネル型トランジスタである。
.0×1021/cm3の範囲であることが好ましい。
かかるP型不純物としては、例えば、ホウ素等を挙げることができる。
前記導電層700は、前記リセスチャネル構造を有するセルトランジスタ205の場合
と同様である。
上面には、窒化シリコン等からなる絶縁膜9、801が設けられている。
前記シリコン基板1内部に設けられたNウエル領域350の表面領域であって、前記ゲー
ト電極の両側に設けられた一対のN型拡散層を含むソース・ドレイン領域306を有する
ものである。
前記ソース・ドレイン領域306は、前記半導体シリコン基板1の表面に、先のゲート
電極をマスクとして、ホウ素等のP型不純物をイオン注入する等の方法によりP型高濃度
不純物層として得ることができる。
素等のP型高濃度不純物層に加えて、ホウ素等のP型低濃度不純物層等を適宜追加するこ
とができる。
図4は、本発明の半導体装置の第二の実施態様を例示する模式的要部断面図である。
チャネル構造を有するセルトランジスタ208のゲート電極の構成と、前記第二の領域に
設けられたnMOSFET構造を有する周辺トランジスタ209のゲート電極の構成を除
き、図3の場合における本発明の半導体装置102の場合と同様である。
そこで前記第一の実施態様である半導体装置102と異なる点を中心に説明する。
造を有するセルトランジスタ205の前記ゲート電極は、前記N型ポリシリコン層620
および前記導電層700からなるのに対し、
前記第二の実施態様である半導体装置103の前記リセスチャネル構造を有するセルト
ランジスタ208のゲート電極は、前記N型ポリシリコン層620、不純物濃度が1.0
×1020/cm3未満の第二のポリシリコン層630、第三のN型ポリシリコン層64
0および導電層700からなるものである。
前記半導体装置103の前記N型ポリシリコン層620および導電層700の構成等は
、先の半導体装置102の場合と同様である。
ン層630は、前記N型ポリシリコン層620および前記第三のN型ポリシリコン層64
0との間に充填されている。
前記第二のポリシリコン層に含まれる不純物としては、例えば、リン等のP型不純物を
挙げることができる。
また、前記第三のN型ポリシリコン層640は、そのポリシリコン層にN型不純物を含
むものであるが、かかるN型不純物としては、例えばリン等を挙げることができる。
ジスタ206のゲート電極は、N型ポリシリコン層620および前記導電層700からな
るのに対し、
図4に示す前記第二の実施態様である半導体装置103の前記nMOSFET構造を有
する周辺トランジスタ209のゲート電極は、前記N型ポリシリコン層620、前記第三
のN型ポリシリコン層640、および前記導電層700からなるものである。
N型不純物の濃度は、1.0×1020〜1.0×1021/cm3の範囲であることが
好ましい。
リコン層620と必ずしも一致する必要はないが、前記濃度は一致していることが好まし
い。
Dynamic Random Access Memory)等の用途に好適に使用することができる。
なお、本発明はこれらの実施例の態様により何ら限定されるものではない。
を示す模式的要部断面図である。
以下に本実施例の実施態様について、図面を参照しながら説明する。
構造2と前記Nウエル領域350を形成した後、リソグラフィー技術およびドライエッチ
ング技術等を用いて、溝幅90nm、深さ150nmのリセスを形成した。
厚みにより形成した。
前記ゲート絶縁膜5は、シリコンオキシナイトライド膜、窒化シリコン膜等により形成
することも可能である。また、かかるゲート絶縁膜5は一種もしくは二種以上を形成する
ことができる。
.0×1020/cm3未満のポリシリコン層630を形成した。このポリシリコン層6
30の厚みは40nmであった。
前記ポリシリコン層630の厚みは、ゲート電極の側壁や導電層等が前記ゲート絶縁膜
5に及ぼす応力に応じて適宜決定されるが、40nm以上の範囲であれば好ましい。
20nmの厚みで形成した後、さらにその上にフォトレジスト層900を形成した。前記
フォトレジスト層の不要な部分をリソグラフィー技術とドライエッチング技術とを用いて
除去した後、このフォトレジスト層900を保護マスクとして前記保護酸化シリコン層5
00の不要部分を、リソグラフィー技術とウエットエッチング技術とを用いて除去するこ
とにより、図7に示す様に、保護酸化膜500を形成した。
た後、前記保護酸化膜500を保護マスクとして、前記ポリシリコン層630に対し、温
度を700℃に設定した拡散炉中でPH3ガスを用いて気相拡散法を実施し、前記ポリシ
リコン層630のうち前記保護マスクのない部分にリンを導入した。この様にして図8に
示すN型ポリシリコン層620を形成した。
かかるN型ポリシリコン層620に含まれるN型不純物であるリンの濃度は、1.0×
1020〜1.0×1021/cm3の範囲であった。
層900を保護マスクとして、前記ポリシリコン層630に対し、ホウ素をイオンとして
1.0×1015〜1.0×1016/cm2の範囲により注入してP型ポリシリコン層
621を形成した。
、図10に示す様に、PVD法、CVD法等の方法により、導電層700を形成すること
ができる。
かかる導電層700としては、例えば、タングステンシリサイド、タングステン金属等
の一種もしくは二種以上からなるものを挙げることができる。
レジスト層(図示せず)を保護マスクとして、リソグラフィー技術とドライエッチング技
術等とを用いて除去することにより、図11に示す構造を形成することができる。
の方法により、図12に示す様に、絶縁膜801からなる各ゲート電極上部構造および絶
縁膜9からなる各ゲート電極側壁を形成することができる。
基板1の表面領域にイオン注入することにより、前記高濃度N型不純物層からなる前記ソ
ース・ドレイン領域304および305をそれぞれ形成することができる。
より、前記高濃度P型それぞれ不純物層からなる前記ソース・ドレイン領域306を形成
することができる。
このようにして図3に示す本発明の実施例1の構造を得ることができる。
型不純物を含むポリシリコン層620と、前記導電層700とからなるゲート電極は、タ
ングステンシリサイド、タングステン金属等が埋め込まれているため、配線抵抗が小さい
という特徴がある。
ことから、DRAM(Dynamic Random Access memory)等の用途に好適に使用することが
できる。
が、本実施例2に使用した前記半導体シリコン基板1に設けられたリセスの溝幅は70n
m、深さは150nmである点が異なる。
図15は、本発明の第二の実施例の製造方法の工程を説明するための半導体シリコン基
板の要部断面図である。
以下に本実施例の実施態様について、図面を参照しながら説明する。
30の全面に、不純物濃度が1.0×1020/cm3未満のポリシリコン層630を形
成することにより、図13に示した構造が得られる。
かかる不純物濃度が1.0×1020/cm3未満のポリシリコン層630の厚みは1
0〜20nmの範囲であった。
なお、前記不純物濃度が1.0×1020/cm3未満のポリシリコン層630の下の
前記ポリシリコン層620の厚みは30nmである。
00を設け、前記フォトレジスト層900を保護マスクとして、前記不純物を含有しない
ポリシリコン層630にリン等のN型不純物をイオン注入法により導入することにより、
第三のN型ポリシリコン層640を形成することができる。
リシリコン層640上に、新たにフォトレジスト層900を形成する。
前記フォトレジスト層900を保護マスクとして、前記Nウエル350上の対応する位
置にある、前記不純物濃度が1.0×1020/cm3未満のポリシリコン層630にホ
ウ素等のP型不純物をイオン注入法により導入することにより、前記P型ポリシリコン層
621を形成することができる。
21を形成する際等の場合に、前記イオン注入法によるエネルギーが強いと、それぞれ前
記リン等のN型不純物や前記ホウ素等のP型不純物が前記ポリシリコン層640等に留ま
らず、前記半導体シリコン基板1の表面領域にまで前記リン等のN型不純物や前記ホウ素
等のP型不純物の突き抜けが生じる。
この様な突き抜けが生じると、得られた半導体装置の閾値電圧の変動が生じ、正常に動
作しないという問題が生じる。
従って、前記ポリシリコン層640および前記半導体シリコン基板1表面より上部にあ
る前記ポリシリコン層620の合計の厚みが100nmの場合では、例えばリンの場合で
は10keV以下、ホウ素の場合では5KeV以下のエネルギーにより注入することが好
ましい。
、図16に示す様に、PVD法、CVD法等の方法により、導電層700を形成すること
ができる。
なお本実施例2に使用する導電層700の構成は、実施例1の場合と同様である。
レジスト層(図示せず)を保護マスクとして、リソグラフィー技術とドライエッチング、
アッシング技術等とを用いて除去することにより、図17に示す構造を形成することがで
きる。
2の構造を得ることができる。
、前記N型不純物を含むポリシリコン層620、前記不純物濃度が1.0×1020/c
m3未満の第二のポリシリコン層630、前記第三のN型不純物を含むポリシリコン層6
40および前記導電層700とからなるゲート電極は、タングステンシリサイド、タング
ステン金属等が埋め込まれているため、配線抵抗が小さいという特徴がある。
ここで、前記リセスチャネル構造を有するセルトランジスタ208の前記N型ポリシリ
コン層620に含まれるN型不純物であるリンの濃度は、1.0×1020〜1.0×1
021/cm3の範囲であった。
ことから、DRAM(Dynamic Random Access Memory)等の用途に好適に使用することが
できる。
るセルトランジスタ208のゲート電極を、温度650〜800℃の範囲で加熱処理する
ことにより、前記ゲート電極中の、前記N型不純物を含むポリシリコン層620、前記不
純物濃度が1.0×1020/cm3未満の第二のポリシリコン層630、および前記第
三のN型不純物を含むポリシリコン層640のそれぞれに含まれるリンは拡散し、それぞ
れの領域でリンの濃度を1.0×1020〜1.0×1021/cm3の範囲内で均一化
することができる。
前記温度が650℃未満の場合には、前記半導体シリコン基板1中のリンを活性化させ
ることができず、前記温度が800℃を超える場合には、前記周辺トランジスタ207の
ゲート電極中のP型ポリシリコンに含まれるホウ素等のP型不純物が前記半導体シリコン
基板1中に拡散し、前記半導体装置の正常な動作を妨げる。
常に動作することから、DRAM(Dynamic Random Access memory)等の用途に好適に使
用することができる。
実施例1の図5の構造に対し、不純物濃度が1.0×1020/cm3未満のポリシリ
コン層630を設けた後、さらに前記Nウエル350上の対応する部分を除く前記半導体
シリコン基板1の上にフォトレジスト層900を設け、前記フォトレジスト層900を保
護マスクとして、前記Nウエル350上の対応する位置にある、前記不純物濃度が1.0
×1020/cm3未満の第二のポリシリコン層630にホウ素等のP型不純物をイオン
注入法により導入することにより、図18に示す様に前記P型ポリシリコン層621を形
成することができる。
コン層621の上にフォトレジスト層900を設け、前記フォトレジスト層900を保護
マスクとして、前記ポリシリコン層630に対し、今度はリン等のN型不純物をイオン注
入法により導入することにより、図19に示す様に、前記N型ポリシリコン層620を形
成することができる。
このとき、前記リセス内部の最下部の前記ポリシリコン層630に含まれるリン等のN
型不純物濃度は、1.0×1020/cm3未満であった。
法等の方法により、導電層700を形成することができる。
なお本比較例1に使用する導電層700の構成は、実施例1の場合と同様である。
前記ポリシリコン層620、621および630ならびに前記導電層700を、フォト
レジスト層(図示せず)を保護マスクとして、リソグラフィー技術とドライエッチング技
術とを用いて除去することにより、図21に示す構造を形成することができる。
得ることができる。
極には空乏層が存在するため、動作電圧の変動が大きく、正常に動作しなかった。
1b N型エピタキシャル層
2 素子間分離構造
3、4、301〜306 ソース・ドレイン領域
5 ゲート絶縁膜
6a、6b、611、612 ゲート電極
7 金属シリサイド
8、9、800、801 絶縁膜
100、101、102、103 半導体装置
200 nMOSFET構造を有するトランジスタ
201、202、204、 207 pMOSFET構造を有するトランジスタ
203、206、209 nMOSFET構造を有するトランジスタ
205、208 リセスチャネル構造を有するセルトランジスタ
310、330 P型低濃度不純物層
320 N型低濃度不純物層
340 Pウエル領域
341 N型ボディ領域
350、360 Nウエル領域
370 P型埋め込み層
500 保護酸化シリコン層
600、620 N型ポリシリコン層
601、610、621 P型ポリシリコン層
630 不純物を含まないポリシリコン層
640 第二のN型ポリシリコン層
700 導電層
900 フォトレジスト層
Claims (6)
- 半導体シリコン基板と、
前記半導体シリコン基板の所定の位置に設けられた素子間分離構造と、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第一の領域に設けられたリセスチャネル構造を有するセルトランジスタと、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第二の領域に設けられたnMOSFET構造を有する周辺トランジスタと、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第三の領域に設けられたpMOSFET構造を有する周辺トランジスタと、
を備えた半導体装置であって、
(A)前記リセスチャネル構造を有するセルトランジスタは、下記(1)〜(4)を有し、
(1)前記半導体シリコン基板の所定の位置に設けられたリセス
(2)前記リセス内部に接して設けられたゲート絶縁膜
(3)前記ゲート絶縁膜に接して設けられ、断面がU字のN型ポリシリコン層および前記N型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
を含むゲート電極
(4)前記半導体シリコン基板の表面領域であって前記ゲート電極の両側に設けられた一対のN型拡散層を含むソース・ドレイン領域
(B)前記第二の領域に設けられたnMOSFET構造を有する周辺トランジスタは、下記(5)〜(7)を有し、
(5)前記半導体シリコン基板上の所定の位置に設けられたゲート絶縁膜
(6)前記ゲート絶縁膜に接して設けられたN型ポリシリコン層および前記N型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
からなるゲート電極
(7)前記半導体シリコン基板の表面領域であって、前記ゲート電極の両側に設けられた一対のN型拡散層を含むソース・ドレイン領域
(C)前記第三の領域に設けられたpMOSFET構造を有する周辺トランジスタは、下記(8)〜(10)を有し、
(8)前記半導体シリコン基板上の所定の位置に設けられたゲート絶縁膜
(9)前記ゲート絶縁膜に接して設けられたP型ポリシリコン層および前記P型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
からなるゲート電極、
(10)前記シリコン基板内部に設けられたNウエルの表面領域であって、前記ゲート電極の両側に設けられた一対のP型拡散層を含むソース・ドレイン領域
かつ、上記に加えて前記セルトランジスタ中のN型ポリシリコン層に含まれるN型不純物の濃度は、略一定であり、
前記リセスチャネル構造を有するセルトランジスタに含まれるゲート電極は、
前記ゲート絶縁膜に接して設けられ、断面がU字の前記N型ポリシリコン層、
ならびに前記N型ポリシリコン層の前記U字の内部および前記N型ポリシリコン層の上部に接して設けられた前記導電層、
からなることを特徴とする半導体装置。 - 半導体シリコン基板と、
前記半導体シリコン基板の所定の位置に設けられた素子間分離構造と、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第一の領域に設けられたリセスチャネル構造を有するセルトランジスタと、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第二の領域に設けられたnMOSFET構造を有する周辺トランジスタと、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第三の領域に設けられたpMOSFET構造を有する周辺トランジスタと、
を備えた半導体装置であって、
(A)前記リセスチャネル構造を有するセルトランジスタは、下記(1)〜(4)を有し、
(1)前記半導体シリコン基板の所定の位置に設けられたリセス
(2)前記リセス内部に接して設けられたゲート絶縁膜
(3)前記ゲート絶縁膜に接して設けられたN型ポリシリコン層および前記N型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
を含むゲート電極
(4)前記半導体シリコン基板の表面領域であって前記ゲート電極の両側に設けられた一対のN型拡散層を含むソース・ドレイン領域
(B)前記第二の領域に設けられたnMOSFET構造を有する周辺トランジスタは、下記(5)〜(7)を有し、
(5)前記半導体シリコン基板上の所定の位置に設けられたゲート絶縁膜
(6)前記ゲート絶縁膜に接して設けられたN型ポリシリコン層および前記N型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
からなるゲート電極
(7)前記半導体シリコン基板の表面領域であって、前記ゲート電極の両側に設けられた一対のN型拡散層を含むソース・ドレイン領域
(C)前記第三の領域に設けられたpMOSFET構造を有する周辺トランジスタは、下記(8)〜(10)を有し、
(8)前記半導体シリコン基板上の所定の位置に設けられたゲート絶縁膜
(9)前記ゲート絶縁膜に接して設けられたP型ポリシリコン層および前記P型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
からなるゲート電極、
(10)前記シリコン基板内部に設けられたNウエルの表面領域であって、前記ゲート電極の両側に設けられた一対のP型拡散層を含むソース・ドレイン領域
かつ、上記に加えて前記セルトランジスタ中のN型ポリシリコン層に含まれるN型不純物の濃度は、略一定であり、
前記リセスチャネル構造を有するセルトランジスタに含まれるゲート電極は、
前記ゲート絶縁膜に接して設けられた前記N型ポリシリコン層、
前記N型ポリシリコン層内部に設けられた、不純物濃度が1.0×1020/cm3未満の第二のポリシリコン層、
ならびに前記N型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
からなることを特徴とする半導体装置。 - 半導体シリコン基板と、
前記半導体シリコン基板の所定の位置に設けられた素子間分離構造と、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第一の領域に設けられたリセスチャネル構造を有するセルトランジスタと、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第二の領域に設けられたnMOSFET構造を有する周辺トランジスタと、
前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の第三の領域に設けられたpMOSFET構造を有する周辺トランジスタと、
を備えた半導体装置であって、
(A)前記リセスチャネル構造を有するセルトランジスタは、下記(1)〜(4)を有し、
(1)前記半導体シリコン基板の所定の位置に設けられたリセス
(2)前記リセス内部に接して設けられたゲート絶縁膜
(3)前記ゲート絶縁膜に接して設けられ、断面がU字のN型ポリシリコン層および前記N型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
を含むゲート電極
(4)前記半導体シリコン基板の表面領域であって前記ゲート電極の両側に設けられた一対のN型拡散層を含むソース・ドレイン領域
(B)前記第二の領域に設けられたnMOSFET構造を有する周辺トランジスタは、下記(5)〜(7)を有し、
(5)前記半導体シリコン基板上の所定の位置に設けられたゲート絶縁膜
(6)前記ゲート絶縁膜に接して設けられたN型ポリシリコン層および前記N型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
からなるゲート電極
(7)前記半導体シリコン基板の表面領域であって、前記ゲート電極の両側に設けられた一対のN型拡散層を含むソース・ドレイン領域
(C)前記第三の領域に設けられたpMOSFET構造を有する周辺トランジスタは、下記(8)〜(10)を有し、
(8)前記半導体シリコン基板上の所定の位置に設けられたゲート絶縁膜
(9)前記ゲート絶縁膜に接して設けられたP型ポリシリコン層および前記P型ポリシリコン層に接して設けられた導電層、
からなるゲート電極、
(10)前記シリコン基板内部に設けられたNウエルの表面領域であって、前記ゲート電極の両側に設けられた一対のP型拡散層を含むソース・ドレイン領域
かつ、上記に加えて前記セルトランジスタ中のN型ポリシリコン層に含まれるN型不純物の濃度は、略一定であり、
前記リセスチャネル構造を有するセルトランジスタに含まれるゲート電極は、
前記ゲート絶縁膜に接して設けられ、断面がU字の前記N型ポリシリコン層、
前記N型ポリシリコン層の前記U字の内部に埋設された、不純物濃度が1.0×1020/cm3未満の第二のポリシリコン層、
前記N型ポリシリコン層および前記第二のポリシリコン層の上部に接して設けられた第三のN型ポリシリコン層、
および前記第三のN型ポリシリコン層の上部に接して設けられた前記導電層、
からなることを特徴とする半導体装置。 - 前記リセスチャネル構造を有するセルトランジスタ中のN型ポリシリコン層に含まれるN型不純物の濃度は、1.0×1020〜1.0×1021/cm3の範囲であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
- (1)半導体シリコン基板の所定の領域に素子間分離構造を形成し、前記半導体シリコン基板に前記素子間分離構造により区画された第一ないし第三の領域を形成する工程と、
(2)前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の前記第一の領域にリセスを形成する工程と、
(3)前記素子間分離構造により区画された前記半導体シリコン基板の前記第三の位置にNウエルを形成する工程と、
(4)前記半導体シリコン基板上面および前記リセス内部表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
(5)前記ゲート絶縁膜のうち、前記半導体シリコン基板上面に該当する部分および前記リセス内部表面に該当する部分の上面ならびに前記素子間分離構造上面に、不純物濃度が1.0×1020/cm3未満のポリシリコン層を形成する工程と、
(6)前記第一および第二のそれぞれの所定の位置にある前記不純物濃度が1.0×1020/cm3未満のポリシリコン層に対し、気相拡散法および固相拡散法からなる群より選ばれる少なくとも一つの方法によりN型不純物を導入することによりN型ポリシリコン層を形成する工程と、
(7)前記第三の所定の位置にある前記不純物濃度が1.0×1020/cm3未満のポリシリコン層に対し、P型不純物を導入することにより、P型ポリシリコン層を形成する工程と、
(8)上記(6)および(7)の工程後、前記N型ポリシリコン層およびP型ポリシリコン層の上に、金属シリサイド膜および金属膜からなる群より選ばれる少なくとも一つを形成する工程と、
(9)エッチング工程により、前記第一および第二の領域に、それぞれN型ポリシリコン層を含むゲート電極を形成し、かつ前記第三の領域にP型ポリシリコン層を含むゲート電極を形成する工程と、
(10)前記第一および第二の領域にそれぞれ形成された前記ゲート電極の両側の半導体シリコン基板表面領域に対し、N型不純物を注入することにより、前記第一の領域にリセスチャネル構造を有するセルトランジスタおよび前記第二の領域にnMOSFET構造を形成する工程と、
(11)前記第三の領域に形成された前記ゲート電極の両側の半導体シリコン基板表面領域に対し、P型不純物を注入することにより、前記第三の領域にpMOSFET構造を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記工程(6)の前記N型ポリシリコン層を形成する方法は、PH3ガスを用いた気相拡散法およびリン含有ガラスを用いた固相拡散法からなる群より選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005151641A JP4591827B2 (ja) | 2005-05-24 | 2005-05-24 | リセスチャネル構造を有するセルトランジスタを含む半導体装置およびその製造方法 |
TW095117606A TWI302729B (en) | 2005-05-24 | 2006-05-18 | Semionductor device having cell transistor with recess channel structure and method of manufacturing the same |
CNB200610089841XA CN100444388C (zh) | 2005-05-24 | 2006-05-24 | 具有凹沟道结构单元晶体管的半导体器件及其制造方法 |
US11/439,230 US7456469B2 (en) | 2005-05-24 | 2006-05-24 | Semiconductor device having cell transistor with recess channel structure |
US12/257,114 US7622350B2 (en) | 2005-05-24 | 2008-10-23 | Method of manufacturing semiconductor device having cell transistor with recess channel structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005151641A JP4591827B2 (ja) | 2005-05-24 | 2005-05-24 | リセスチャネル構造を有するセルトランジスタを含む半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006332211A JP2006332211A (ja) | 2006-12-07 |
JP4591827B2 true JP4591827B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=37443870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005151641A Expired - Fee Related JP4591827B2 (ja) | 2005-05-24 | 2005-05-24 | リセスチャネル構造を有するセルトランジスタを含む半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7456469B2 (ja) |
JP (1) | JP4591827B2 (ja) |
CN (1) | CN100444388C (ja) |
TW (1) | TWI302729B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH11307729A (ja) | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Nec Corp | Cmosfet及びその製造方法 |
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JP4236848B2 (ja) | 2001-03-28 | 2009-03-11 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
KR100467357B1 (ko) * | 2002-09-24 | 2005-01-24 | 삼성전자주식회사 | 모오스 트랜지스터 제조 방법 |
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-
2005
- 2005-05-24 JP JP2005151641A patent/JP4591827B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-05-18 TW TW095117606A patent/TWI302729B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-05-24 US US11/439,230 patent/US7456469B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-24 CN CNB200610089841XA patent/CN100444388C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-10-23 US US12/257,114 patent/US7622350B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002261256A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7622350B2 (en) | 2009-11-24 |
US20090085108A1 (en) | 2009-04-02 |
TW200703570A (en) | 2007-01-16 |
US20060270154A1 (en) | 2006-11-30 |
TWI302729B (en) | 2008-11-01 |
JP2006332211A (ja) | 2006-12-07 |
US7456469B2 (en) | 2008-11-25 |
CN100444388C (zh) | 2008-12-17 |
CN1870271A (zh) | 2006-11-29 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
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