JP4773169B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
102 素子分離領域
103 シリコン窒化膜
103a 開口
104 ゲートトレンチ
105 ゲート酸化膜
106 ポリシリコン膜
107 フォトレジスト
107a フォトレジストの開口
108 高濃度P型拡散層
109 高濃度N型拡散層
110 高融点金属膜
111 シリコン窒化膜
111a ゲートキャップ絶縁膜
112 ゲート電極
113 低濃度N型拡散層
114 層間絶縁膜
115 コンタクトプラグ
115a ビット線コンタクト
115b ストレージノードコンタクト
116 ビット線
117 セルキャパシタ
118 ワードライン
120 フォトレジスト
Claims (15)
- 半導体基板にゲートトレンチを形成する工程と、
前記ゲートトレンチの内壁面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
少なくとも前記ゲートトレンチの内部をゲート電極材料で埋める工程と、
前記ゲート電極材料が埋め込まれた前記ゲートトレンチと隣接する前記半導体基板の所定の位置にマスクを用いてパンチスルーストッパ領域を選択的に形成する工程と、
前記ゲート電極材料をパターニングすることによりゲート電極を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記パンチスルーストッパ領域を形成する際に用いた前記マスクを用いて、前記パンチスルーストッパ領域の上方に第1のソース/ドレイン領域を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ゲートトレンチから見て前記第1のソース/ドレイン領域とは反対側に第2のソース/ドレイン領域を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のソース/ドレイン領域は、前記第2のソース/ドレイン領域よりも高濃度であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のソース/ドレイン領域はビット線に接続され、前記第2のソース/ドレイン領域はセルキャパシタに接続されていることを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ゲートトレンチの内部を前記ゲート電極材料で埋める工程において、前記ゲート電極材料が積層膜からなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記積層膜は、少なくとも前記ゲートトレンチの内部に形成される第1の導電膜と、前記ゲートトレンチの上方に形成される第2の導電膜を含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の導電膜がシリコン膜であり、前記第2の導電膜が金属膜又は高融点金属シリサイド膜であることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板に第1及び第2のゲートトレンチを形成する第1の工程と、
前記第1及び第2のゲートトレンチの内壁面にゲート絶縁膜を形成する第2の工程と、
少なくとも前記第1及び第2のゲートトレンチの内部をゲート電極材料で埋める第3の工程と、
前記ゲート電極材料をパターニングすることによりゲート電極を形成する第4の工程と、
前記第1のゲートトレンチの形成領域と前記第2のゲートトレンチの形成領域との間の領域を露出させる開口を有するマスクを形成する第5の工程と、
前記マスクを用いて前記開口下の前記半導体基板に第1の導電型不純物をイオン注入することにより、パンチスルーストッパ領域を選択的に形成する第6の工程と、
前記マスクを用いて前記開口下の前記半導体基板に第2の導電型不純物をイオン注入することにより、前記パンチスルーストッパ領域よりも浅い第1のソース/ドレイン領域を選択的に形成する第7の工程と、
前記第1のゲートトレンチから見て前記第1のソース/ドレイン領域とは反対側の領域及び前記第2のゲートトレンチから見て前記第1のソース/ドレイン領域とは反対側の領域に前記第1のソース/ドレイン領域よりも低濃度な前記第2の導電型不純物をイオン注入することにより第2のソース/ドレイン領域を選択的に形成する第8の工程とを備え、
前記第5乃至第7の工程を前記第4の工程よりも前に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第5乃至第7の工程が、前記第3の工程の後に行われることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第5乃至第7の工程が、前記第1の工程よりも前に行われることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記マスクの前記開口が、前記第1及び第2のゲートトレンチの一部も露出させることを特徴とする請求項9乃至11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート電極材料は、第1及び第2の導電膜が順に積層された積層膜からなり、前記第1の導電膜がシリコン膜であり、前記第2の導電膜が金属膜又は高融点金属シリサイド膜であることを特徴とする請求項9乃至12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のソース/ドレイン領域はビット線に接続され、前記第2のソース/ドレイン領域はセルキャパシタに接続されていることを特徴とする請求項9乃至13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板にゲートトレンチを形成する工程と、
前記ゲートトレンチの内壁面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
少なくとも前記ゲートトレンチの内部をゲート電極材料で埋める工程と、
前記ゲート電極材料をパターニングすることによりゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極材料をパターニングする前に、前記ゲートトレンチと隣接する前記半導体基板の所定の位置にマスクを用いてパンチスルーストッパ領域を選択的に形成する工程と、
前記マスクを用いて、前記パンチスルーストッパ領域の上方に第1のソース/ドレイン領域を形成する工程をさらに備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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