JP4020608B2 - 層間絶縁膜の損傷を防止しうる半導体メモリ素子及びその製造方法 - Google Patents
層間絶縁膜の損傷を防止しうる半導体メモリ素子及びその製造方法 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体メモリ素子及びその製造方法に係り、特に白金族金属膜をキャパシタの下部電極として採用した半導体メモリ素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体メモリ素子のキャパシタの静電容量を向上させるためには、3次元構造として下部電極を形成することが非常に有利である。ところが、半導体メモリ素子のデザインルールが0.2μm以下に減少することによって3次元構造よりなるキャパシタの下部電極を形成する時、多くの問題点がある。
【0003】
図1ないし図4は従来の技術によるキャパシタを含む半導体メモリ素子の製造方法を説明するために示した断面図である。
【0004】
図1を参照すれば、半導体基板11、例えばシリコン基板上に層間絶縁膜13を形成した後、前記層間絶縁膜13内にチタン窒化膜(TiN)プラグ15を形成する。前記層間絶縁膜13はシリコン酸化膜で形成する。前記層間絶縁膜13及びチタン窒化膜プラグ15上にシリコン窒化膜(SiN膜)17を形成する。前記シリコン窒化膜17上にモールド膜19を形成する。前記モールド膜19はシリコン酸化膜を用いる。
【0005】
図2を参照すれば、前記モールド膜19及びシリコン窒化膜17をパターニングして前記チタン窒化膜プラグ15を露出させる凹状溝20を形成する。これにより、前記モールド膜19及びシリコン窒化膜17は各々モールド膜パターン19a及びシリコン窒化膜パターン17aとなる。
【0006】
次いで、前記凹状溝20が形成された半導体基板11の全面に下部電極用導電膜21を形成する。前記下部電極用導電膜21は白金族貴金属膜、例えば白金膜(Pt)、ルテニウム膜(Ru)、イリジウム(Ir)膜で形成する。次いで、前記下部電極用導電膜21が形成された半導体基板11の全面に前記凹状溝20を充填するように犠牲膜23を形成する。前記犠牲膜23はフォトレジストやシリコン酸化膜で形成する。
【0007】
図3を参照すれば、前記モールド膜パターン19aの表面を蝕刻停止点として前記犠牲膜23及び下部電極用導電膜21を順次に蝕刻して犠牲膜パターン23a及び下部電極21aを形成する。
【0008】
図4を参照すれば、前記犠牲膜パターン23a及びモールド膜パターン19aを湿式蝕刻で除去することによって最終的にキャパシタの下部電極21aが形成される。引き続き、前記下部電極21aが形成された半導体基板11の全面に誘電膜(図示せず)及び上部電極(図示せず)を形成することによって半導体メモリ素子のキャパシタを完成する。
【0009】
ところが、従来の半導体メモリ素子の製造方法において、前記下部電極用導電膜21、例えばルテニウム膜はモールド膜パターン19aやシリコン窒化膜パターン17aとの接着力が劣って前記下部電極21aが倒れる等の問題が生じて安定的に形成されない。
【0010】
さらに、従来の半導体メモリ素子の製造方法において、前記モールド膜パターン19aの除去時、下部電極21aとシリコン窒化膜パターン17aとの接着性が劣って界面(図3の矢印方向)に酸化膜蝕刻液が浸透して層間絶縁膜13が損傷される問題点がある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明が解決しようとする技術的課題は、キャパシタの下部電極を安定的に形成しつつ層間絶縁膜の損傷を防止しうる半導体メモリ素子を提供することである。
【0012】
また、本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記半導体メモリ素子の製造方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
前記技術的課題を達成するために本発明の半導体メモリ素子は、半導体基板の一部を露出させるコンタクトホールが形成された層間絶縁膜パターンと前記層間絶縁膜パターン上に形成された接着層パターンとを具備する。前記コンタクトホールは、その内部にプラグが充填されるように形成し、前記プラグは、前記コンタクトホールに充填されつつ前記接着層パターンの表面より高く突出させる。前記接着層パターンは、キャパシタの下部電極と層間絶縁膜パターンとをよく接着してキャパシタの下部電極が倒れないようにする。また、前記接着層パターンはプラグとの接着力が良好で、キャパシタの形成時、層間絶縁膜パターンの損傷を防止する。前記接着層パターンは、タンタル酸化膜(Ta2O5)で構成することが望ましい。
【0014】
前記プラグ上にはキャパシタの下部電極が形成されている。前記キャパシタの下部電極は底面と壁面とを有し、前記底面の一部は前記プラグの上面の一部分と接触する。前記キャパシタの下部電極はスタック型下部電極またはシリンダー型下部電極で構成されうる。前記キャパシタの下部電極は白金族貴金属膜で構成することが望ましい。
【0015】
前記接着層パターンと、前記接着層パターンと隣接した前記下部電極の壁面の一部上には漏れ電流防止膜パターンが形成されている。前記漏れ電流防止膜パターンはキャパシタの下部電極がミスアラインされてもキャパシタの誘電膜とプラグとが直接接触することを防止して漏れ電流を防止する。前記漏れ電流防止膜パターンはタンタル酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの組み合わせ膜で構成することが望ましい。
【0016】
前記他の技術的課題を達成するために、本発明に係る半導体メモリ素子の製造方法によれば、半導体基板上に前記半導体基板を露出するコンタクトホールがその内部に形成された接着層パターン及び層間絶縁膜パターンを形成する。前記接着層パターンは形成されるキャパシタの下部電極と層間絶縁膜パターンとがよく接着されてキャパシタの下部電極が倒れないようにする。また、前記接着層パターンは形成されるプラグとの接着力が良くてキャパシタの形成時、層間絶縁膜パターンの損傷を防止する。前記接着層パターンはTa2O5で形成することが望ましい。前記層間絶縁膜パターンはシリコン酸化膜を用いて形成することが望ましい。
【0017】
次いで、前記コンタクトホールを充填するプラグや、前記コンタクトホールを充填しつつ前記接着層パターンの表面より高く突出されたプラグを形成する。前記プラグ及び接着層パターン上に前記プラグを露出する凹状溝がその内部に形成されたモールド膜パターン及び漏れ電流防止膜パターンを形成する。前記モールド膜パターンはシリコン酸化膜を用いて形成することが望ましい。前記漏れ電流防止膜パターンはキャパシタの下部電極がミスアラインされても漏れ電流の発生を防止する。前記漏れ電流防止膜パターンはTa2O5、SiN膜またはこれらの組み合わせ膜を用いて形成することが望ましい。
【0018】
次いで、前記凹状溝によって露出されたプラグの上面と接触するキャパシタの下部電極を形成する。前記キャパシタの下部電極は白金族貴金属膜で形成することが望ましい。前記キャパシタの下部電極はスタック型下部電極またはシリンダー型下部電極として形成されうる。
【0019】
次いで、前記モールド膜パターンを湿式蝕刻方法で除去することによって半導体メモリ素子のキャパシタを完成する。以後の製造工程は一般の製造工程による。
【0020】
前述したように本発明の半導体メモリ素子は、キャパシタの下部電極が接着力に優れたTa2O5で構成された接着層パターンと直接接触するためキャパシタの下部電極が倒れない。本発明の半導体メモリ素子は、接着層パターンとプラグとの接着力が良好でキャパシタの形成時、層間絶縁膜パターンの損傷を防止しうる。また、本発明の半導体メモリ素子には、下部電極上に形成される誘電膜とプラグとが直接接触しないように漏れ電流防止膜パターンが形成されており、漏れ電流が増加することを防止しうる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。しかし、本発明の実施の形態は様々な他の形に変形でき、本発明の範囲が下記実施の形態に限定されるものではない。本発明の実施の形態は当業者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。図面において、膜または領域の大きさまたは厚さは明細書の明確性のために誇張されたものである。また、いずれの膜が他の膜または基板の“上”にあると記載された場合、前記いずれの膜が前記他の膜上に直接存在しても、その間に第3の他の膜が介在されても良い。
【0022】
図5は本発明に係る半導体メモリ素子のレイアウト図である。
【0023】
具体的に、本発明に係る半導体メモリ素子はトランジスタなどが形成されるアクティブ領域ARとその他のフィールド領域FRとに区分される。前記アクティブ領域AR内には埋没コンタクトホール(buried contacthole:BC)が形成される。前記埋没コンタクトホールBC内にはプラグ(図示せず)が充填され、前記プラグとキャパシタの下部電極(図示せず)とが連結される。
【0024】
図6A及び図6Bは本発明の第1実施例を示す図面であって、各々図5の半導体メモリ素子のa-a及びb-b断面図である。
【0025】
具体的に、半導体基板40上に前記半導体基板40を露出するコンタクトホール45を有する層間絶縁膜パターン42a及び接着層パターン44aが形成されている。すなわち、層間絶縁膜パターン42a及び接着層パターン44aの内部にコンタクトホール45が形成されている。前記層間絶縁膜パターン42aはシリコン酸化膜で構成する。前記接着層パターン44aはタンタル酸化膜で形成する。
【0026】
前記コンタクトホール45内にはプラグ46aが充填されており、前記プラグ46aの表面は前記接着層パターン44aと同一か低く形成する。前記プラグ46aはチタン窒化膜で構成する。そして、前記プラグ46a上にはキャパシタのスタック型下部電極52aが形成されている。前記スタック型下部電極52aは底面と壁面とを有し、前記底面の少なくとも一部は前記プラグ46aの上面の一部と接触する。前記スタック型下部電極52aは白金族貴金属膜、例えばPt、Ru、Ir膜で構成する。
【0027】
前記接着層パターン44aと前記接着層パターン44aと隣接した前記スタック型下部電極52aの壁面の一部上には漏れ電流防止膜パターン48aが形成されている。前記漏れ電流防止膜パターン48aはタンタル酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの組み合わせ膜で構成する。
【0028】
特に、本発明の半導体メモリ素子は、白金族貴金属膜で構成されたスタック型下部電極52aが従来とは異なって接着力に劣るシリコン酸化膜で構成された層間絶縁膜パターン42aと直接接触しない。その代りに、本発明の半導体メモリ素子のキャパシタのスタック型下部電極52aは、図6Bにおいてd1と表したように前記スタック型下部電極52aが接着力に優れたタンタル酸化膜で構成された接着層パターン44aと接触されてスタック型下部電極52aと層間絶縁膜パターン42aとの接着力を大きく向上させうる。
【0029】
また、前記接着層パターン44aは製造工程上、モールド膜パターン(図14Gの50a)の湿式蝕刻時、図6AにおいてC1と表した部分のプラグ46aと接着層パターン44aとの接着力が大きいために従来の図3の矢印で表した酸化蝕刻液浸透経路が存在せず層間絶縁膜パターン42aの蝕刻損傷を防止する役割をする。
【0030】
また、本発明の半導体メモリ素子はスタック型下部電極52aの形成のための写真蝕刻工程時、ミスアラインされてもスタック型下部電極52a上に形成される誘電膜(図示せず)とプラグ46aとが直接接触されて漏れ電流が増加しないように漏れ電流防止膜パターン48aが形成されている。
【0031】
図7A及び図7Bは本発明の第2実施例を示す図面であって、各々図5の半導体メモリ素子のa-a及びb-bの断面図である。図7A及び図7Bにおいて、図6A及び図6Bと同じ部材番号は同じ部材を示す。本発明の第2実施例は第1実施例と比較して下部電極がシリンダー型に形成された点を除いては同一である。
【0032】
具体的に、本発明の半導体メモリ素子のキャパシタは白金族貴金属膜で構成されたシリンダー型下部電極80aが図7Bにおいてd2と表したように接着力に優れたタンタル酸化膜で構成された接着層パターン44aと接触されてシリンダー型下部電極80aと層間絶縁膜パターン42aとの接着力を大きく向上させうる。
【0033】
また、前記接着層パターン44aは製造工程上、モールド膜パターン(図15Bの50a)の湿式蝕刻時、図7AにおいてC2と表した部分のプラグ46aと接着層パターン44aとの接着力が大きいために従来の図3の矢印で表した酸化蝕刻液浸透経路が存在せず層間絶縁膜パターン42aの蝕刻損傷を防止する役割をする。
【0034】
また、本発明の半導体メモリ素子はシリンダー型下部電極80aの形成のための写真蝕刻工程時、ミスアラインされてもシリンダー型下部電極80a上に形成される誘電膜(図示せず)とプラグ46aとが直接接触されて漏れ電流が増加しないように漏れ電流防止膜パターン48aが形成されている。
【0035】
図8A及び図8Bは本発明の第3実施例を示す図面であって、各々図5の半導体メモリ素子のa-a及びb-b断面図である。
【0036】
具体的に、半導体基板100上にコンタクトホール107を有する層間絶縁膜パターン102a、接着層パターン104a及び漏れ電流防止膜パターン110aが形成されている。前記層間絶縁膜パターン102aはシリコン酸化膜で構成する。前記接着層パターン104aはタンタル酸化膜で形成する。前記漏れ電流防止膜パターン110aはタンタル酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの組み合わせ膜で構成する。前記接着層パターン104aは前記第1及び第2実施例の接着層パターン44aと比較して薄く形成される。前記コンタクトホール107は第1及び第2実施例のコンタクトホール45と比較して前記漏れ電流防止膜パターン110a内にも形成されている。
【0037】
前記コンタクトホール107内にはプラグ108bが充填されており、前記プラグ108bは第1実施例及び第2実施例と異なって前記接着層パターン104aの表面より高く突出されている。前記プラグ108bはチタン窒化膜で構成する。そして、前記プラグ108上にはスタック型下部電極114aが形成されている。前記スタック型下部電極114aは底面と壁面とを有し、前記底面の少なくとも一部は前記プラグ108aの上面の一部と接触する。前記スタック型下部電極114aは白金族貴金属膜、例えばPt、Ru、Ir膜で構成する。
【0038】
特に、本発明の半導体メモリ素子は白金族貴金属膜で構成されたスタック型下部電極114aが従来と異なって接着力に劣るシリコン酸化膜で構成された層間絶縁膜パターン102aと接しない。その代りに、本発明の半導体メモリ素子のキャパシタのスタック型下部電極114aは図8Bにおいてd3と表したように前記スタック型下部電極114aが漏れ電流防止膜パターン110aと接触されてスタック型下部電極114aと層間絶縁膜パターン102aとの接着力を大きく向上させうる。
【0039】
また、前記接着層パターン104aは製造工程上、モールド膜パターン(図19Hの112a)の湿式蝕刻時、図8AにおいてC3と表した部分のプラグ108bと接着層パターン104aとの接着力が大きいために従来の図3の矢印で表した酸化蝕刻液の浸透経路が存在せず層間絶縁膜パターン102aの蝕刻損傷を防止する役割をする。
【0040】
また、本発明の半導体メモリ素子のキャパシタはスタック型下部電極114aの形成のための写真蝕刻工程時、ミスアラインされてもスタック型下部電極114a上に形成される誘電膜(図示せず)とプラグ108bとが直接接触されて漏れ電流が増加しないように前記接着層パターン104aと、前記接着層パターンと隣接したスタック型下部電極114aの壁面の一部上には漏れ電流防止膜パターン110aが形成されている。
【0041】
図9A及び図9Bは本発明の第4実施例を示す図面であって、各々図5の半導体メモリ素子のa-a及びb-b断面図である。図9A及び図9Bにおいて、図8A及び図8Bと同一な部材番号は同一な部材を示す。本発明の第4実施例は第3実施例と比較して下部電極がシリンダー型に形成された点を除いては同一である。
【0042】
具体的に、本発明の半導体メモリ素子のキャパシタは白金族貴金属膜で構成されたシリンダー型下部電極140aが図9Bにおいてd4と表したように漏れ電流防止膜パターン110aと接触されてシリンダー型下部電極140aと層間絶縁膜パターン102aとの接着力を大きく向上させうる。
【0043】
また、前記接着層パターン104aは製造工程上、モールド膜パターン(図20Bの112a)の湿式蝕刻時、図9AにおいてC4と表した部分のプラグ108bと接着層パターン104aが接着力が大きいために従来の図3の矢印で表した酸化蝕刻液の浸透経路が存在せず層間絶縁膜パターン102aの蝕刻損傷を防止する役割をする。
【0044】
また、本発明の半導体メモリ素子のキャパシタはシリンダー型下部電極140aの形成のための写真蝕刻工程時、ミスアラインされてもシリンダー型下部電極140a上に形成される誘電膜(図示せず)とプラグ108bとが直接接触されて漏れ電流が増加しないように前記接着層パターン104aと、前記接着層パターン104aと隣接したシリンダー下部電極140aの壁面の一部上に漏れ電流防止膜パターン110aが形成されている。
【0045】
図10A及び図10Bは本発明の第5実施例を示す図面であって、各々図5の半導体メモリ素子のa-a及びb-b断面図である。図10A及び図10Bにおいて、図8A及び図8Bと同一な部材番号は同一な部材を示す。本発明の第5実施例は第3実施例と比較してプラグ108aがさらに多く突出された点を除いては同一である。
【0046】
具体的に、本発明の半導体メモリ素子のキャパシタは白金族貴金属膜で構成されたスタック型下部電極114aが図10Bにおいてd5と表したように接着力に劣るシリコン酸化膜で構成された層間絶縁膜パターン102aと接しない。その代りに、本発明の半導体メモリ素子のキャパシタのスタック型下部電極114aは漏れ電流防止膜パターン110aと接触されてスタック型下部電極114aと層間絶縁膜パターン102aとの接着力を大きく向上させうる。
【0047】
また、前記接着層パターン104aは製造工程上、モールド膜パターン(図22Cの112a)の湿式蝕刻時、図10AにおいてC5と表した部分のプラグ108aと接着層パターン104aとが接着力が大きいために従来の図3の矢印で表した酸化蝕刻液の浸透経路が存在せず層間絶縁膜パターン102aの蝕刻損傷を防止する役割をする。
【0048】
また、本発明の半導体メモリ素子はスタック型下部電極114aの形成のための写真蝕刻工程時、ミスアラインされてもスタック型下部電極114a上に形成される誘電膜(図示せず)とプラグ108aとが直接接触されて漏れ電流が増加しないように前記接着層パターン104aと、前記接着層パターン104aと隣接したスタック型下部電極114aの壁面の一部上に漏れ電流防止膜パターン110aが形成されている。
【0049】
また、本発明の半導体メモリ素子は図10Bに示されたようにスタック型下部電極の下部にアンダーカット部分が形成されてキャパシタのキャパシタンスを増加させうる。
【0050】
図11A及び図11Bは本発明の第6実施例を示す図面であって、各々図5の半導体メモリ素子のa-a及びb-b断面図である。図11A及び図11Bにおいて、図10A及び図10Bと同じ部材番号は同じ部材を示す。本発明の第6実施例は第5実施例と比較して下部電極がシリンダー型に形成された点を除いては同一である。
【0051】
具体的に、本発明の半導体メモリ素子のキャパシタは白金族貴金属膜で構成されたシリンダー型下部電極140aが従来と異なって接着力に劣るシリコン酸化膜で構成された層間絶縁膜パターン102aと接しない。その代りに、図11Bにおいてd6と表したように前記シリンダー型下部電極140aが漏れ電流防止膜パターン110aと接触されてシリンダー型下部電極140aと層間絶縁膜パターン102aとの接着力を大きく向上させうる。
【0052】
また、前記接着層パターン104aは製造工程上、モールド膜パターン(図17Bの112a)の湿式蝕刻時、図11AにおいてC6と表した部分のプラグ108aと接着層パターン104aとが接着力が大きいために従来の図3の矢印で表した酸化蝕刻液の浸透経路が存在せず層間絶縁膜パターン102aの蝕刻損傷を防止する役割をする。
【0053】
また、本発明の半導体メモリ素子のキャパシタはシリンダー型下部電極140aの形成のための写真蝕刻工程時、ミスアラインされてもシリンダー型下部電極140a上に形成される誘電膜(図示せず)とプラグ108aとが直接接触されて漏れ電流が増加しないように前記接着層パターン104a上に漏れ電流防止膜パターン110aが形成されている。
【0054】
図12Aないし図14Gは前記図6Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【0055】
図12Aを参照すれば、半導体基板40、例えばシリコン基板上に層間絶縁膜42を形成する。前記層間絶縁膜42はシリコン酸化膜で形成する。前記層間絶縁膜42上に接着層44を形成する。前記接着層44はタンタル酸化膜で形成する。前記接着層44は図6Bで説明したようにキャパシタの下部電極と層間絶縁膜42との接着力を向上させる役割をする。前記接着層44は後続するモールド膜パターンの湿式蝕刻時、層間絶縁膜の蝕刻損傷を防止する役割をする。前記接着層44は後続する凹状溝の形成時に一部が蝕刻されうるので、蝕刻マージンのために厚く形成しなければならない。
【0056】
図12Bを参照すれば、前記接着層44及び層間絶縁膜42をパターニングして前記半導体基板40を露出するコンタクトホール45を形成すると同時に接着層パターン44a及び層間絶縁膜パターン42aを形成する。すなわち、前記接着層パターン44a及び層間絶縁膜パターン42aの内部にはコンタクトホール45が形成される。次いで、前記接着層パターン44a及び層間絶縁膜パターン42aが形成された半導体基板40の全面に前記コンタクトホール45を充填するようにプラグ用導電膜46を形成する。前記プラグ用導電膜46はチタン窒化膜で形成する。
【0057】
図12Cを参照すれば、前記接着層パターン44aの表面を蝕刻停止点として前記プラグ用導電膜46を蝕刻してプラグ46aを形成する。前記プラグ用導電膜46の蝕刻はエッチバック方法または化学機械的研磨方法を用いる。
【0058】
図13Dを参照すれば、前記プラグ46a及び接着層パターン44a上に漏れ電流防止膜48を形成する。前記漏れ電流防止膜48は図16Aで後述するように誘電膜及びプラグ膜が直接接触されて漏れ電流が増加することを防止する役割をする。前記漏れ電流防止膜48はタンタル酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの組み合わせ膜を用いて形成する。前記漏れ電流防止膜48上にモールド膜50を形成する。前記モールド膜50はシリコン酸化膜を用いて形成する。
【0059】
図13Eを参照すれば、前記モールド膜50、漏れ電流防止膜48をパターニングして前記プラグ46aを露出する凹状溝51を形成する。これにより、凹状溝51を有するモールド膜パターン50a及び漏れ電流防止膜パターン48aが形成される。前記凹状溝51は図13Eのように前記接着層パターン44aを一部蝕刻しつつ形成することもできる。ただし、図6AにおいてC1と表した接着力に優れた部分が存在して後続のモールド膜パターン除去時に酸化膜蝕刻液の浸透を防止しなければならないので前記接着層パターン44aの適正厚さは保証されるべきである。
【0060】
図14Fを参照すれば、前記モールド膜パターン50a及び漏れ電流防止膜パターン48aが形成された半導体基板40の全面に前記凹状溝51を充填するようにキャパシタの下部電極用導電膜52を形成する。前記下部電極用導電膜52は白金族貴金属膜、例えばPt、Ru、Ir膜で形成する。
【0061】
図14Gを参照すれば、前記モールド膜パターン50aを蝕刻停止点として前記下部電極用導電膜52を蝕刻してスタック型下部電極52aをセル別に分離させる。前記下部電極用導電膜52の蝕刻はエッチバック方法または化学機械的研磨方法を用いて行う。
【0062】
引き続き、モールド膜パターン50aを湿式蝕刻方法で除去すれば図6Aに示したように最終的にキャパシタのスタック型下部電極52aが形成される。前記モールド膜パターン50aの湿式蝕刻時、前記接着層パターン44aは図6AにおいてC1のように接着力に優れた部分により層間絶縁膜パターン42aの蝕刻損傷を防止しうる。次いで、前記スタック型下部電極52a上に誘電膜(図示せず)及び上部電極(図示せず)を形成して半導体素子のキャパシタを完成する。以後の製造工程は一般の工程による。
【0063】
図15A及び図15Bは前記図7Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。図15A及び図15Bにおいて、図12Aないし図14Gと同一な部材番号は同一な部材を示す。図15A及び図15Bに示した半導体メモリ素子の製造方法はシリンダー型下部電極80aを形成する点を除いては図12Aないし図14Gと同一である。
【0064】
具体的に、図12Aないし図13Eと同様に製造工程を進行する。次いで、図15Aを参照すれば、凹状溝51が形成された半導体基板40の全面に下部電極用導電膜80を薄く形成する。前記下部電極用導電膜80は白金族貴金属膜、例えばPt、Ru、Ir膜で形成する。引き続き、前記下部電極用導電膜80上に前記凹状溝51を充填するように犠牲層82を形成する。前記犠牲層82はシリコン酸化膜で形成する。
【0065】
図15Bを参照すれば、前記モールド膜パターン50aの表面を蝕刻停止点として前記犠牲層82及び下部電極用導電膜80を蝕刻してシリンダー型下部電極82aをセル別に分離させる。この際、前記シリンダー型下部電極80aの間には犠牲層パターン82aが形成される。前記犠牲層82及び下部電極用導電膜80の蝕刻はエッチバック方法または化学機械的研磨方法を用いて行う。
【0066】
次いで、モールド膜パターン50a及び犠牲層パターン82aを湿式蝕刻方法で除去すれば、図7Aに示したように、最終的にキャパシタのシリンダー型下部電極80aが形成される。次いで、前記シリンダー型下部電極80a上に誘電膜(図示せず)及び上部電極(図示せず)を形成して半導体メモリ素子のキャパシタを完成する。以後の製造工程は一般の製造工程による。
【0067】
図16Aないし図19Hは前記図8Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【0068】
図16Aを参照すれば、半導体基板100、例えばシリコン基板上に層間絶縁膜102を形成する。前記層間絶縁膜102はシリコン酸化膜で形成する。前記層間絶縁膜102上に接着層104を形成する。前記接着層104はタンタル酸化膜で形成する。前記接着層104は図8Bで説明したようにキャパシタの下部電極114aと層間絶縁膜パターン102aとの接着力を向上させる役割をする。前記接着層104は後続するモールド膜パターンの湿式蝕刻時、層間絶縁膜パターン102aの蝕刻損傷を防止する役割をする。特に、図16Aの接着層104は図12Aの接着層と比較して薄く形成する。次いで、前記接着層104上に第1犠牲層106を形成する。前記第1犠牲層106はシリコン酸化膜で形成する。
【0069】
図16Bを参照すれば、前記第1犠牲層106、接着層104及び層間絶縁膜102をパターニングして前記半導体基板100を露出するコンタクトホール107を形成すると同時に第1犠牲層パターン106a、接着層パターン104a及び層間絶縁膜パターン102aを形成する。すなわち、半導体基板100を露出するコンタクトホール107が第1犠牲層パターン106a、接着層パターン104a及び層間絶縁膜パターン102aの内部に形成される。
【0070】
次いで、前記第1犠牲層パターン106a、接着層パターン104a及び層間絶縁膜パターン102aが形成された半導体基板100の全面に前記コンタクトホール107を充填するようにプラグ用導電膜108を形成する。前記プラグ用導電膜108はチタン窒化膜で形成する。
【0071】
図16Cを参照すれば、前記第1犠牲層パターン106aの表面を蝕刻停止点として前記プラグ用導電膜108を蝕刻して前記コンタクトホールに充填されるプラグ108aを形成する。前記プラグ用導電膜108の蝕刻はエッチバック方法または化学機械的研磨方法を用いる。
【0072】
図17Dを参照すれば、前記第1犠牲層パターン106aを選択的に除去して前記プラグ108aが接着層パターン104aの表面より高く突出されるように形成する。このようにプラグ108aを接着層パターン104aの表面より高く突出させると後続の凹状溝の形成時、蝕刻マージンを十分に確保できて接着層を薄くしうる。
【0073】
図17Eを参照すれば、前記突出されたプラグ108a及び接着層パターン104a上に漏れ電流防止膜110を形成する。前記漏れ電流防止膜110は前記プラグ108aの突出形状によってそのまま突出して形成される。前記漏れ電流防止膜110は、図24Bで後述されるように、誘電膜とプラグ膜とが直接接触して漏れ電流が増加することを防止する役割をする。前記漏れ電流防止膜110はタンタル酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの組み合わせ膜を用いて形成する。前記漏れ電流防止膜110上にモールド膜112を形成する。前記モールド膜112はシリコン酸化膜を用いて形成する。
【0074】
図18Fを参照すれば、前記モールド膜112、漏れ電流防止膜110をパターニングして前記プラグ108aを露出する凹状溝113を有するモールド膜パターン112a及び漏れ電流防止膜パターン110aを形成する。この際、前記プラグ108aの上面は蝕刻されて前記モールド膜パターン112aの下面よりは低く、前記接着層パターン104aよりは若干突出されたプラグ108bとなる。そして、前記凹状溝113の形成時、前記プラグ108aが突出されているために接着層パターン104aが蝕刻されないように蝕刻マージンを有しうる。したがって、前記接着層パターン104aが薄くても接着層パターン104aは蝕刻されず、図8AにおいてC3と表した接着力に優れた部分が存在して後続のモールド膜パターンの除去時、酸化膜蝕刻液の浸透を防止しうる。
【0075】
図18Gを参照すれば、前記モールド膜パターン112a及び漏れ電流防止膜パターン110aが形成された半導体基板100の全面に前記凹状溝113を充填するようにキャパシタの下部電極用導電膜114を形成する。前記下部電極用導電膜114は白金族貴金属膜、例えばPt、Ru、Ir膜で形成する。
【0076】
図19Hを参照すれば、前記モールド膜パターン112aの表面を蝕刻停止点として前記下部電極用導電膜114を蝕刻してスタック型下部電極114aをセル別に分離させる。前記下部電極用導電膜114の蝕刻はエッチバック方法または化学機械的研磨方法を用いて行う。
【0077】
次いで、モールド膜パターン112aを湿式蝕刻方法で除去すれば図8Aに示されたように最終的にキャパシタのスタック型下部電極114aが形成される。前記モールド膜パターンの湿式蝕刻時、前記接着層パターンは図8AにおけるC3部分により層間絶縁膜が蝕刻損傷されることを防止しうる。次いで、前記スタック型下部電極114a上に誘電膜(図示せず)及び上部電極(図示せず)を形成して半導体メモリ素子のキャパシタを完成する。以後の製造工程は一般の製造工程による。
【0078】
図20A及び図20Bは前記図9Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。図20A及び図20Bにおいて、図16Aないし図19Hと同一な部材番号は同一な部材を示す。図20A及び図20Bの半導体メモリ素子の製造方法はシリンダー型下部電極140aを形成する点を除いては図16Aないし図19Hと同一である。
【0079】
具体的に、図16Aないし図18Fと同一に製造工程を進行する。次いで、図20Aを参照すれば、凹状溝113が形成された半導体基板100の全面に下部電極用導電膜140を薄く形成する。前記下部電極用導電膜140は白金族貴金属膜、例えばPt、Ru、Ir膜で形成する。次いで、前記下部電極用導電膜140上に前記凹状溝113を充填するように第2犠牲層142を形成する。前記犠牲層142はシリコン酸化膜で形成する。
【0080】
図20Bを参照すれば、前記モールド膜パターン112aの表面を蝕刻停止点として前記第2犠牲層142及び下部電極用導電膜140を蝕刻してシリンダー型下部電極140aをセル別に分離させる。この際、前記シリンダー型下部電極140aの間には第2犠牲層パターン142aが形成される。前記犠牲層142及び下部電極用導電膜140の蝕刻はエッチバック方法または化学機械的研磨方法を用いて行う。
【0081】
次いで、モールド膜パターン112a及び犠牲層パターン142aを湿式蝕刻方法で除去すれば、図9Aに示されたように最終的にキャパシタのシリンダー型下部電極140aが形成される。次いで、前記シリンダー型下部電極140a上に誘電膜(図示せず)及び上部電極(図示せず)を形成して半導体メモリ素子のキャパシタを完成する。以後の製造工程は一般の製造工程による。
【0082】
図21Aないし図22Cは前記図10Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。図21Aないし図22Cにおいて、図16Aないし図19Hと同一な部材番号は同一な部材を示す。
【0083】
まず、図16Aないし図17Eと同一に製造工程を進行する。次いで、図21Aを参照すれば、前記モールド膜112、漏れ電流防止膜110をパターニングして前記プラグ108aを露出する凹状溝113を有するモールド膜パターン112a及び漏れ電流防止膜パターン110aを形成する。この際、前記凹状溝113の底は前記プラグ108aの表面に位置させる。具体的に、前記プラグ108aの上面は前記モールド膜パターン112aの下面より高く位置する。そして、前記凹状溝113の形成時、前記プラグ108aが突出されているために接着層パターン104aが蝕刻されないように蝕刻マージンを有しうる。したがって、前記接着層パターン104aが薄くても接着層パターン104aは蝕刻されず、図10AにおいてC5と表した接着力に優れた部分が存在することになって後続のモールド膜の除去時に酸化膜蝕刻液の浸透を防止しうる。
【0084】
図21Bを参照すれば、前記モールド膜パターン112a及び漏れ電流防止膜パターン110aが形成された半導体基板100の全面に前記凹状溝113を充填するようにキャパシタの下部電極用導電膜114を形成する。前記下部電極用導電膜114は白金族貴金属膜、例えばPt、Ru、Ir膜で形成する。
【0085】
図22Cを参照すれば、前記モールド膜パターン112aの表面を蝕刻停止点として前記下部電極用導電膜114を蝕刻してスタック型下部電極114aをセル別に分離させる。前記下部電極用導電膜114の蝕刻はエッチバック方法または化学機械的研磨方法を用いて行う。
【0086】
引き続き、モールド膜パターン112aを湿式蝕刻方法で除去すれば、図10Aに示されたように、最終的にキャパシタのスタック型下部電極114aが形成される。前記モールド膜パターンの湿式蝕刻時、前記接着層パターンは図10AのC5部分により層間絶縁膜が蝕刻損傷されることを防止しうる。次いで、前記スタック型下部電極114a上に誘電膜(図示せず)及び上部電極(図示せず)を形成し、半導体メモリ素子のキャパシタを完成する。以後の製造工程は一般の製造工程による。
【0087】
図23A及び図23Bは前記図11Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。図23A及び図23Bにおいて、図21Aないし図22Cと同一な部材番号は同一な部材を示す。図23A及び図23Bに示した半導体メモリ素子の製造方法はシリンダー型下部電極140aを形成する点を除いては図21Aないし図22Cと同一である。
【0088】
具体的に、図21Aまでは同一に製造工程を進行する。次いで、図23Aを参照すれば、凹状溝113が形成された半導体基板100の全面に下部電極用導電膜140を薄く形成する。前記下部電極用導電膜140は白金族貴金属膜、例えばPt、Ru、Ir膜で形成する。次いで、前記下部電極用導電膜140上に前記凹状溝113を充填するように第2犠牲層142を形成する。前記犠牲層142はシリコン酸化膜で形成する。
【0089】
図23Bを参照すれば、前記モールド膜パターン112aの表面を蝕刻停止点とし、前記第2犠牲層142及び下部電極用導電膜140を蝕刻してシリンダー型下部電極140aをセル別に分離させる。この際、前記シリンダー型下部電極140aの間には第2犠牲層パターン142aが形成される。前記犠牲層142及び下部電極用導電膜140の蝕刻はエッチバック方法または化学機械的研磨方法を用いて行う。
【0090】
引き続き、モールド膜パターン112a及び犠牲層パターン142aを湿式蝕刻方法で除去すれば、図11Aに示されたように最終的にキャパシタのシリンダー型下部電極140aが形成される。次いで、前記シリンダー型下部電極140a上に誘電膜(図示せず)及び上部電極(図示せず)を形成して半導体メモリ素子のキャパシタを完成する。以後の製造工程は一般の製造工程による。
【0091】
図24A及び図24Bは各々図6A及び図8Aの半導体メモリ素子の製造においてスタック型下部電極がミスアラインされた時の断面図である。
【0092】
具体的に、本発明の半導体メモリ素子の製造において、スタック型下部電極52aを形成のための写真蝕刻工程時、ミスアラインされると図24A及び図24Bに示されたようにスタック型下部電極52a、114aがプラグ46a、108aで一方に偏ることになる。こうなっても、本発明はスタック型下部電極52a、114a上に形成される誘電膜(図示せず)がe1、e2と表したように漏れ電流防止膜パターン48a、110aによってプラグ46a、108aと直接接触されない。これにより、誘電膜とプラグが直接接触されて発生する漏れ電流を防止しうる。
【0093】
【発明の効果】
前述したように本発明の半導体メモリ素子は白金族貴金属膜で構成された下部電極が接着力に劣るシリコン酸化膜で構成された層間絶縁膜パターンと接触せず、接着力に優れたタンタル酸化膜で構成された接着層パターンと接触する。これにより、下部電極と層間絶縁膜パターンとの接着力を大きく向上させうる。
【0094】
また、本発明の半導体メモリ素子は製造工程上、モールド膜パターンの湿式蝕刻時、酸化蝕刻液の浸透経路が存在せず、層間絶縁膜パターンの蝕刻損傷が生じない。
【0095】
また、本発明の半導体メモリ素子は下部電極の形成のための写真蝕刻工程時、ミスアラインされても下部電極上に形成される誘電膜とプラグとが直接接触しないようにする漏れ電流防止膜パターンが形成されていて漏れ電流が増加しない。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の技術によるキャパシタを含む半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図2】従来の技術によるキャパシタを含む半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図3】従来の技術によるキャパシタを含む半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図4】従来の技術によるキャパシタを含む半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図5】本発明に係る半導体メモリ素子のレイアウト図である。
【図6】A及びBは本発明の第1実施例を示す図面であって、各々図5の半導体メモリ素子のa-a及びb-b断面図である。
【図7】A及びBは本発明の第2実施例を示す図面であって、各々図5の半導体メモリ素子のa-a及びb-b断面図である。
【図8】A及びBは本発明の第3実施例を示す図面であって、各々図5の半導体メモリ素子のa-a及びb-b断面図である。
【図9】A及びBは本発明の第4実施例を示す図面であって、各々図5の半導体メモリ素子のa-a及びb-b断面図である。
【図10】A及びBは本発明の第5実施例を示す図面であって、各々図5の半導体メモリ素子のa-a及びb-b断面図である。
【図11】A及びBは本発明の第6実施例を示す図面であって、各々図5の半導体メモリ素子のa-a及びb-b断面図である。
【図12】AないしCは前記図6Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図13】D、Eは前記図6Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図14】F、Gは前記図6Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図15】A及びBは前記図7Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図16】AないしCは前記図8Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図17】D、Eは前記図8Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図18】F、Gは前記図8Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図19】Hは前記図8Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図20】A及びBは前記図9Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図21】A、Bは前記図10Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図22】Cは前記図10Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図23】A及びBは前記図11Aの半導体メモリ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図24】A及びBは各々図6A及び図8Aの半導体メモリ素子の製造においてスタック型下部電極がミスアラインされた時の断面図である。
【符号の説明】
40…半導体基板
42a…層間絶縁膜パターン
44a…接着層パターン
45…コンタクトホール
Claims (18)
- 半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜上に形成されるキャパシタの下部電極と層間絶縁膜との接着性を向上させうるタンタル酸化膜よりなる接着層を形成する段階と、
前記接着層及び層間絶縁膜をパターニングして前記半導体基板を露出するコンタクトホールがその内部に形成された接着層パターン及び層間絶縁膜パターンを形成する段階と、前記コンタクトホールを充填するチタン窒化膜よりなるプラグを形成する段階と、
前記プラグ及び接着層パターン上に漏れ電流を防止しうる漏れ電流防止膜を形成する段階と、
前記漏れ電流防止膜上にモールド膜を形成する段階と、
前記モールド膜、漏れ電流防止膜をパターニングして前記プラグを露出する凹状溝がその内部に形成されたモールド膜パターン及び漏れ電流防止膜パターンを形成する段階と、
前記凹状溝によって露出されたプラグの上面と接触するキャパシタの下部電極を形成する段階と、
前記モールド膜パターンを湿式蝕刻方法で除去する段階とを含んでなることを特徴とする半導体メモリ素子の製造方法。 - 前記漏れ電流防止膜はタンタル酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの組み合わせ膜を用いて形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
- 前記層間絶縁膜及びモールド膜はシリコン酸化膜を用いて形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
- 前記キャパシタの下部電極は白金族貴金属膜で形成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
- 前記キャパシタの下部電極はスタック型下部電極またはシリンダー型下部電極であることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
- 前記スタック型下部電極は、前記モールド膜パターン及び漏れ電流防止膜パターンが形成された半導体基板の全面に前記凹状溝を充填するように導電膜を形成し、前記モールド膜パターンを蝕刻停止点として前記下部電極用の導電膜を蝕刻して形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
- 前記シリンダー型下部電極は、前記モールド膜パターン及び漏れ電流防止膜パターンが形成された半導体基板の全面に前記下部電極用の導電膜を形成する段階と、前記下部電極用の導電膜上に前記凹状溝を充填するように犠牲層を形成する段階と、前記モールド膜パターンを蝕刻停止点として前記下部電極用の導電膜を蝕刻する段階と、前記凹状溝内に形成された犠牲層を除去する段階とによって形成されることを特徴とする請求項5に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
- 半導体基板の一部を露出するコンタクトホールが形成された層間絶縁膜パターンと、
前記層間絶縁膜パターン上に形成されたタンタル酸化膜よりなる接着層パターンと、
前記コンタクトホール内に充填されつつ前記接着層パターンの表面より高く突出していることを特徴とするチタン窒化膜よりなるプラグと、
底面と壁面とを有し、前記底面の少なくとも一部は前記プラグの上面の一部と接触するキャパシタの下部電極と、
前記接着層パターンと、前記下部電極の底面と壁面の一部上に形成された漏れ電流防止膜パターンよりなり、
前記接着層パターン及び前記漏れ電流防止膜パターンによって前記キャパシタの下部電極と層間絶縁膜パターンとが接着され、前記漏れ電流防止膜パターンによって漏れ電流を防止しうることを特徴とする半導体メモリ素子。 - 前記キャパシタの下部電極はスタック型下部電極またはシリンダー型下部電極であることを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ素子。
- 前記漏れ電流防止膜パターンはタンタル酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの組み合わせ膜で形成されていることを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ素子。
- 前記キャパシタの下部電極は白金族貴金属膜で形成されていることを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ素子。
- 半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜上に形成されるキャパシタの下部電極と前記層間絶縁膜との接着性を向上させうるタンタル酸化膜よりなる接着層を形成する段階と、
前記接着層上に第1犠牲層を形成する段階と、
前記第1犠牲層、接着層及び層間絶縁膜をパターニングして前記半導体基板を露出するコンタクトホールがその内部に形成された第1犠牲層パターン、接着層パターン及び層間絶縁膜パターンを形成する段階と、
前記コンタクトホールを充填するチタン窒化膜よりなるプラグを形成する段階と、
前記第1犠牲層を選択的に除去して前記プラグを前記接着層パターンの表面より高く突出させる段階と、
前記突出されたプラグ及び接着層パターン上に漏れ電流を防止しうる漏れ電流防止膜を形成する段階と、
前記漏れ電流防止膜上にモールド膜を形成する段階と、
前記モールド膜、漏れ電流防止膜をパターニングして前記突出されたプラグを露出する凹状溝がその内部に形成されたモールド膜パターン及び漏れ電流防止膜パターンを形成する段階と、
前記凹状溝によって露出されたプラグの上面と接触するキャパシタの下部電極を形成する段階と、
前記モールド膜パターンを湿式蝕刻方法で除去する段階とを含んでなることを特徴とする半導体メモリ素子の製造方法。 - 前記漏れ電流防止膜はタンタル酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの組み合わせ膜を用いて形成することを特徴とする請求項12に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
- 前記層間絶縁膜及びモールド膜はシリコン酸化膜を用いて形成することを特徴とする請求項12に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
- 前記キャパシタの下部電極は白金族貴金属膜で形成することを特徴とする請求項12に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
- 前記キャパシタの下部電極はスタック型下部電極またはシリンダー型下部電極で形成することを特徴とする請求項12に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
- 前記スタック型下部電極は、前記モールド膜パターン及び漏れ電流防止膜パターンが形成された半導体基板の全面に前記凹状溝を充填するように下部電極用の導電膜を形成し、前記モールド膜パターンを蝕刻停止点として前記下部電極用導電膜を蝕刻して形成することを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
- 前記シリンダー型下部電極は、前記モールド膜パターン及び漏れ電流防止膜パターンが形成された半導体基板の全面に前記下部電極用導電膜を形成する段階と、前記導電膜上に前記凹状溝を充填するように第2犠牲層を形成する段階と、前記モールド膜パターンを蝕刻停止点として前記下部電極用導電膜を蝕刻する段階と、前記凹状溝内に形成された第2犠牲層を除去する段階とによって形成されることを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ素子の製造方法。
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JP3452763B2 (ja) * | 1996-12-06 | 2003-09-29 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置および半導体記憶装置の製造方法 |
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US6114201A (en) * | 1998-06-01 | 2000-09-05 | Texas Instruments-Acer Incorporated | Method of manufacturing a multiple fin-shaped capacitor for high density DRAMs |
JP2000077622A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Texas Instr Inc <Ti> | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
KR20000026348A (ko) * | 1998-10-20 | 2000-05-15 | 윤종용 | 식각 저지층을 이용한 반도체 메모리 소자의 커패시터 형성방법 |
KR20000028090A (ko) * | 1998-10-30 | 2000-05-25 | 김영환 | 커패시터 제조방법 |
US6274899B1 (en) * | 2000-05-19 | 2001-08-14 | Motorola, Inc. | Capacitor electrode having conductive regions adjacent a dielectric post |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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