JP3786976B2 - サセプタ駆動及びウエハ変位機構を備える熱反応チャンバ - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 22
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 title claims description 10
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 22
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 78
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/26—Bombardment with radiation
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体ウエハ処理操作に使用される熱反応炉に関し、特に、サセプタを回転、垂直変位させ、熱反応炉からのウエハ除去を支援する機構に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウエハは、通常、熱反応炉内で処理される。これを実現する為に、ウエハはロボットアームにより反応炉内に挿入され、グラファイト製サセプタ上に置かれる。ウエハはそれから処理され、一旦プロセス操作が完了すると、ロボットアームは当該ウエハをサセプタ及び反応炉から除去する。
【0003】
上記ウエハが上記サセプタに、あるいは上記サセプタから移送される従来の方式は、図8に図示されている。この図は、サセプタ14上に置かれるように示されたウエハ12を備えた半導体熱反応炉10の一部に至る概略断面図である。明確にする為に、熱反応炉10の下部、すなわち、サセプタ駆動機構及びドーム形上部石英窓は図示していない。
【0004】
ウエハ移送操作を始める為に、2ステップ工程で、サセプタ14は下方に移動する。これらのステップの第1ステップの間、サセプタの下方に配置されているウエハ支持用クレードル16と共にサセプタ14は、破線16’で示されたクレードルにより表示された低位置まで下降する。それから、クレードルが静止状態になっている、これらのステップの第2ステップの間、サセプタは破線14’で表示された低位置へとさらに下降する。その結果、サセプタ14を貫通して形成された孔20の中に配置されているウエハ支持用ピン18は、サセプタを貫通し、位置12’にてウエハ12を支持する。この位置12’はサセプタの低位置14’より幾分高いが、移送操作がなされる前はウエハの位置よりは低い。この下げられた外形におけるウエハ12とサセプタ14間の間隔は、ロボットアームがチャンバにアクセスし、ウエハの下方位置に移動することを許容するのに充分である。
【0005】
その後、サセプタ14及びクレードル16の両方は、ウエハ12が全体的にロボットアームで支持されウエハ支持用ピン18から離れるまで、さらに一緒に下降する。ここで、ロボットアームはウエハを熱反応炉から取り出す。
【0006】
ウエハ12の表面を横切る反応ガスの均一な加熱及び分配を確実にするため、サセプタ14は処理操作の間、回転する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
残念ながら、図8に表示されている装置、特に、サセプタ14の回転について、一定の問題がある。
【0008】
この図に示されているように、ウエハ支持用ピン18はサセプタ14の本体を貫いて形成された孔20の中に配置されている。これは、クレードル16がサセプタと同一速度で回転しなければならないことを意味する。もし、そのように回転しなければ、支持用ピン18は孔20の内壁を支え、摩滅が生じるか、熱反応炉10内の処理環境を汚染し得る粒子が生じる。半導体処理反応炉10内の汚染が処理済み半導体ウエハの品質にとって非常に有害である点は周知なので、この摩滅により発生される汚染粒子が一定のウエハ処理操作において許容できないことは明白であろう。
【0009】
汚染粒子の問題は、さらに、サセプタ14がグラファイトで形成されており、クレードル16が通常はステンレス鋼あるいは石英で形成されていることから、一層、増大する。また、構成が異なる材料でなされているという理由から、サセプタ14およびクレードル16に対する異なる熱膨張率が存在する。熱反応炉10内での処理温度は1000℃を越え得るとした場合、膨張におけるこれらの差異は無視できるものではない。そのため、ピン18を正確に孔20内に位置決めすることは不可能になる。その結果、一定温度で、ピン18は強く孔20の内壁と当たり(bear)、これが、上述した摩滅に寄与し、もって生成される粒子数を増加する。
【0010】
図示された装置に伴う更なる問題は、支持用ピン18の直径と孔20との間のかなり大きな許容誤差が結果として生じる点である。この大きな許容誤差はピン18と孔20との間の整列を維持する為、また、上述した摩滅の影響を可能な限り減少させる為に必要である。しかし、これらの許容誤差の結果、ピン18と孔20の内壁間に隙間が存在する。熱反応炉10内の処理ガスは、その為、ピンと孔20の内壁との間から通過することができ、ウエハ12の裏面に傷跡を付ける(mark)か”焼き付け”(burn)を起こす。このウエハ12の焼き付けは、一定状況の下では、品質管理という観点から許容できない。よって、非常に好ましくない。
【0011】
そのため、上述したことから、サセプタを回転でき、ウエハをそこから変位できる機構に対する要求が存在する。これは、熱反応炉内の最小限の汚染、同時に、ウエハの裏面における焼き付け量を減少する結果を生じる。
【0012】
【課題を解決するための手段および作用】
従って、本発明は半導体ウエハ処理操作の為の熱反応チャンバであって、(i) チャンバ内で半導体ウエハを支持し、垂直に形成された複数の貫通孔を有するサセプタと、(ii)少なくとも第1位置から第2位置の間で垂直に当該サセプタを変位させる変位手段と、(iii) 複数のウエハ支持要素であって、各々が前記孔内で垂直に移動自在に吊り下げられており、各々が当該サセプタの下部を越えて伸びているもの、(iv)当該ウエハ支持要素の下方移動を規制する規制手段(means for restricting) とを備える。
【0013】
サセプタはその第1の位置から第2の位置に至る前の中間位置を通って変位するので、規制手段はウエハ支持要素の連続した下方移動を停止させるように作動し、もって、上記要素を下方移動サセプタに対し垂直上方に移動させ、ウエハをサセプタから離間させる。
【0014】
装置は、サセプタを回転させる駆動手段をも有する。
【0015】
変位手段は、クレードルを垂直下方に変位するように作動する一方、同時にサセプタを第2の位置から、より低い位置である第3の位置へと変位させる。各ウエハ支持用ピンは円錐台形(frusto-conical)頭部を有し、これはサセプタの中の孔の補助形状部(complementally shaped portion) 内で受容され、サセプタが当該第1の位置にあるときには孔の拡張部の内側を封止し、孔を通過する半導体ウエハ処理ガスの移動を実質的に防止する。
【0016】
【実施例】
図1には、符号30で全般的に示す、本発明を具体化した熱反応炉が示されている。反応炉30は反応チャンバ32、及び34で全般的に示される駆動機構を含んで示されている。この駆動機構は、サセプタを上下に動かすデイスプレーサ(displacer) 35、及びサセプタを回転させる回転駆動装置37を含んでいる。これらは両方とも、図6及び7を参照して、以下に説明される。
【0017】
反応炉30は、上下の石英窓40及び42、ステンレス鋼のベースリング44並びにベースリング44を通して形成されたロボットアーム用のアクセスポート46のような標準的要素をさらに含んでいる。半導体処理ガスは反応チャンバ32に注入され、そこには通常の方法により熱が供給される。
【0018】
反応チャンバ32は、ウエハ38を上部に支持するサセプタ36を収納する。前述のように、サセプタ36は半導体処理操作の間、回転する。これは、サセプタを順番に回転させるサセプタ支持用クレードル50を駆動するための中空駆動シャフト52を回転させる、駆動機構34の回転駆動装置37によってなされる。クレードル50は心出し用ピン54、3個の支持アーム56(2個だけが示されている)、及び3個の支持ピン57を含む。支持ピン57の各々は、各アーム56の端部に配置されている。クレードル及びドライブシャフトの全ての部品は、透明な石英(clear quartz) から形成されている。これらの部品のサセプタに対する配列は、図3を参照して以下に説明される。
【0019】
この図には、中空シャフト60を含むウエハ支持用クレードル58も示されている。この中空シャフト60は、ドライブシャフト52を収容するために十分大きな内径を有している。ウエハ支持用クレードル58は(2個のみが示されているが)3個のアーム62も備えている。各アーム62の自由端には、平坦パッド64が配置されている。ウエハ移送処理の間、各パッド64はウエハ支持用ピン66の真下に配置される。
【0020】
ウエハ支持用ピン66は、サセプタ内の穴68及びサセプタ支持用クレードル50の支持アーム56の穴70を通過している。図示のウエハ処理用の配置において、ピン66はパッド64から離れて吊り下げられ、この位置においてサセプタ36によって保持される。
【0021】
この図からは明らかではないが、サセプタ支持用クレードル50のみが回転することができる。他方、サセプタ支持用クレードル50及び支持クレードル58の両方とも、垂直に上下に移動することができる。以下に説明されるように、これはデイスプレーサ35の異なる部品の選択的操作によって達成される。
【0022】
サセプタ36によりピン66が支持される方式は、図2により詳細に図示されており、この図によれば、円錐台形(frusto-conical)頭部72によって、ピン66が受け部から吊り下がっていることが分る。頭部72は、サセプタ36の上部から形成された、相補的な(complemental)さら状の穴74にぴったりと適合する。この配列の結果、頭部72はさら状の穴74の内壁に対し、かなり優れたシールを与え、これにより、処理ガスがピン66と孔68の内壁との間を通って漏れること、およびウエハ38の下側が焼けること(burning )が防止される。さらに、頭部72は、その上面が、サセプタ36の上面であるウエハ受け面と同一平面となるような寸法になっており、これにより、均一なウエハ支持面が得られる。
【0023】
図3には、サセプタ36の下側が、これに重ねて破線でサセプタ支持部及びサセプタ支持用クレードル50と共に示されている。ここで分るように、サセプタ36は中心に形成されたキャビテイ78を有し、これがサセプタ支持部とサセプタ支持用クレードル50の心出し用ピン54を受容するのに役立つ。さらに、サセプタ36の下側には一対のポケット80、およびその中に形成された楕円形キャビテイ82を有する。一対のポケットはサセプタ支持用クレードル50の支持アーム56の端部に配置されるピンの内の2本を受容し、楕円形キャビテイ82はそのような第3のピンを受容する。このポケット80は個々に直径がピンの外径よりかなり大きくなっており、サセプタ36に対する水平支持(level support) を与えることだけに役立つ。しかし、サセプタの方向付け(orientation) は、キャビテイ78内で配置された心出し用ピン54、および楕円形キャビテイ82の中で比較的に小さな許容誤差で配置された第3のピン55との組合せによって与えられる。駆動シャフトが回転するとき、サセプタに対し回転運動を伝えるのは、この第3のピンである。サセプタ36は、単にピン55の上に置かれ、ピン55及び心出し用ピン54と共に回転するので、サセプタの摩滅(abrasion)は生じない。その結果、不要な粒子は発生しない。
【0024】
一旦、ウエハが反応チャンバ内で処理されると、ロボットアームアクセスポート46を通って反応チャンバ32の中に入ってくるロボットアームにより、ウエハはそこから除去される。
【0025】
このウエハの除去は、2つの工程から成る。第1ステップは、図3に表示されている。このサセプタ支持アームおよびサセプタ支持用クレードル50は、図1で表示された位置から図4で表示されたところまで、垂直方向に下方に移動される。これがなされると、サセプタから吊り下げられているピン66は、支持用パッド64上にそれらの自由端が置かれるまで、下方に移動する。ピンの下方移動は停止する、この位置では、これらがウエハ38の下方に位置するので、ウエハはピンにより支持され、下方移動も停止する。しかし、サセプタ36は、それとウエハが充分に離れて間隔が開きロボットアーム76がアクセスポートに入ってウエハ38の下方に直接位置決めされるように、下方に移動し続ける。
【0026】
この時点で、図5に表示された次のステップが起こる。一旦、ロボットアーム76が所定の場所にくると、サセプタ支持用クレードル50とウエハ支持用クレードル58の両方は、共に下方に移動する。ウエハ38は、それがロボットアーム76上に置かれるようになるまで、この下方移動に従う。しかし、2つのサセプタ支持用クレードル50、ウエハ支持用クレードル58は下方に移動し続け、ピン66の頭部72はウエハ38から離れて移動する。これにより、ロボットアーム76はウエハ38を反応チャンバ32から取り出すことができる。
【0027】
その後で、ロボットアーム46は未処理ウエハをチャンバ内に戻し、上記プロセスは逆となり、図1R>1で表示された処理位置にウエハが戻される。
【0028】
図6に戻って、垂直デイスプレーサ35の詳細はより充分に説明される。この図では、いかにサセプタ支持用クレードル50およびウエハ支持クレードル58が上下方向に垂直移動するか、を説明するのに必要な部品だけが示されている。残りの部品は、図7に示されるか、明確さの為に省略されている。
【0029】
デイスプレーサ35は上方および下方空気圧シリンダー90、92をそれぞれ有し、これらはブラケット94により互いに固定されている。上方シリンダー90のピストン96は(関連部品だけが示されている)剛体固定式支持フレーム(rigid immobile support frame)98に保持され、下部シリンダー92のピストン100はコネクター101によって、直接、ベース102に接続されている。シリンダー90、92をブラケット止め(bracketing)するのに加えて、ブラケット94は、(ウエハ支持用クレードル58の)シャフト60と外側のステンレス鋼のシース106の両方を支持するステンレス鋼の支持リング104に接続されている。
【0030】
ベース102と支持リング104は、それぞれ、スライド110上に取り付けられたランナー108に保持されている。スライドは、順番に同一の剛体支持フレーム98上に取り付けられている。この支持フレーム98にはピストン96が保持されている。この配列により、全体の駆動機構はその個々の部品と同様に、剛体フレーム98に対し垂直方向に上下にスライドすることができる。
【0031】
(図4に図示された)ウエハ除去工程の第1ステップは、主にサセプタ支持用クレードル50の垂直下方移動からなる。これは下方空気圧シリンダーにそのピストン100を延ばさせ、もって、ベース102を下方に移動させることにより実現される。ベース102は駆動シャフト52を支持するので、駆動シャフト52も下方に移動し、サセプタ支持用クレードル50を図4に示された位置に持ち込む。上方シリンダー90は剛体支持フレーム98に固定されているので、ブラケット94は下方に移動しない。そのため、ウエハ支持用クレードルのシャフト60は静止した状態になっている。
【0032】
一旦、ロボットアーム46がウエハの下方に挿入されたら、(図5で表示された)第2ステップを開始することができる。これを行なうに、上方空気圧シリンダー90はそのピストン96を延ばす。このピストン96は剛体フレーム98に保持されているので、これにより、上方シリンダー90およびブラケット94が下方に移動する。その結果、支持リング104および同時にシャフト60が下方に移動する。さらに、下方シリンダー92が上方シリンダー90にブラケット止めされているので、下方シリンダーも下方に移動し、これにより、これにより支持された駆動シャフト52と同様に、駆動機構のベース102が下方に移動する。
【0033】
この図から明らかなように、このシリンダー及びブラケット装置の効果は、駆動シャフト52がシャフト60に対し独立して上下動する点にある。
【0034】
一方、シャフト60は駆動シャフト52に対し独立して移動しない。それが下方に移動するときには駆動シャフトも下方に移動する。
【0035】
前に示したように、シャフト60のベース部はステンレス鋼のシース106に収容されている。同様な形式で、駆動シャフト52はそれ自身のステンレス鋼のシース112の中に収容されている。両方のシース106、112は、それらが支持するシャフト60、52の各端部に安定性を与える。この支持を強化し、シャフト60、52がシース106、112と擦りあうことを防止する為に、シャフトとそれらの各ステンレス鋼シースとの間で、シャフトに形成された溝内に多数のOリング114が配置されている。これらのOリング114は、シースとシャフト間のキャビテイに対し気密シールを提供する。
【0036】
回転運動は駆動シャフト60、そして、それによって、図7に示された機構によりサセプタ36へと伝えられる。この図は、空気圧駆動モータ120を示し、これは駆動ギア122を回転させ、もって、回転運動をベース102に取り付けられたリングギア124に伝える。ベース102は、上方開口形カップ(upwardly open cup) の形状をなし、その内壁に沿って永久磁石126のリングが配置されている。ベース102は、2種類のボールベアリング130によって内側ペデスタル128に装着されている。この図からは明示されていないが、内側ペデスタルは図6に表示されたランナ108に装着されている。そのため、垂直方向のみの動きに限定されている。この装置は、ペデスタル128がベース102が自由に回転する間、静止していることを意味する。
【0037】
ペデスタル128は、順番に、中空円柱132を支持し、中空円柱の内側には駆動シャフト52、およびその包容(encasing)ステンレス鋼シース112が吊り下げられている。これは他の2種類のボールベアリング134によりなされている。2種類のボールベアリングの各々の一つは中空円柱132の反対側の端部に配置されている。これらの2種類のボールベアリング134がシース112を中空円柱132の内側で回転させる。
【0038】
駆動シャフト52はシース112の内側に配置され、テフロン素地(teflon-based)の材料から作製されたベース136により支持されている。ベース136はシースの底部に固定され、その上部に形成された多くの歯138を有する。これらの歯138は駆動シャフト52の底に形成された補助スロット140と係合し、ベース136から駆動シャフト52にトルクが伝達させる。
【0039】
シース112の底には、磁石から成る細長い要素の冠状部(crown) 142が配置されている。上述した装置およびベース102内に配置された要素の寸法であることから、冠状部142は冠状部の外面及びペデスタル128の内面との間でおよそ2.3mm(0.09インチ)の間隔を開けて中空ペデスタル128内に自由に吊り下がっている。同様に、ペデスタル128の内面は永久磁石126の内面から間隔が開けられている。この外形は、ベース102と冠状部142が固定されたペデスタル128に対し、相互に接触する、どんな金属部品を有することなく、自由に回転することを意味する。
【0040】
操作において、トルクはギア122によってモータ120からリングギア124に伝達される。リングギアはベース102に保持されているので、ベースが回転する。ベース102が回転すると、永久磁石のリングが回転し、磁力を伝達することにより、順次、冠状部142(さらにベース136及びシャフト52)を回転させる。この方法によると、金属接触する最小量の金属をもって回転運動はサセプタ36に伝達され、よって、汚染金属粒子の発生は最小量になる。
【0041】
この図は、また、本発明の多数の特徴をも示している:リングギア124は、そこから下方に延びる円周状スカート144を有する。このスカート144は、固定されたペデスタル128に保持された位置センサー146に形成された溝の中を回転する。位置センサー146は溝の一方の側から他方の側に照射された光を検知することにより作動する。単一のスロット148はスカート144に形成されており、このスロットが位置センサー146の溝内で整列したとき、光は一方の側から他方の側へと通過することができる。スカート144の他の全ての位置では、この光信号は妨げられる。
【0042】
処理サイクルの終端では、信号が与えられ、位置センサー146が起動される。スカート144のスロット148が位置センサー146と整列状態になると、位置検出器がこれを(上述したように)検知し第2の信号が生成されてモータが停止し、もって、駆動シャフトおよびサセプタ36の回転が終了する。スカート144の中には単一のスロットのみが形成されているので、サセプタは常に正確に同一の位置で停止する。ウエハ支持用クレードルは回転せず、処理操作が終了する度にパッド64とピン66の底部との間の整列がなされる必要があることから、このことは重要である。
【0043】
この図は、また、一対の種類のボールベアリング134の上部の種類は、シール150が被せられている。このシールは気密ではないが、シース112の外壁とステンレス鋼のべロー(bellows) との間の容積内で生成され得る粒子がシースと中空円柱132との間の空間に入り込むことを防止する。
【0044】
べロー152は、この図および図6に説明された要素に対する保護を与えると同時に生じる、図6を参照して説明された垂直上下動を許容する。
【0045】
最後に、連続した中空キャビテイが駆動シャフト52、ベース136及びペデスタル128の中心に至るまで存在する点に注目すべきである。このキャビテイはペデスタル128の出口でプラグ154により終端している。
【0046】
この配列により、反応チャンバ32に引かれた真空は、この場所の他、ペデスタル128及び中空円柱132とべロー152及びシース112との間の、他の全てのキャビテイの中にも真空を生じさせる。この真空が破られるのを防止するために、様々な部品間の界面封止に対し、特別の注意が払われるべきであり、これはOリングにより達成される。Oリングの多くは図6にも図7にも示されていないが、これらの配置は当業者にとって明白である。
【0047】
これらのキャビテイの全ては、ウエハ処理が完了した後、窒素により洗浄される。この窒素は図1に示された供給ポート156を通じて発生源(図示せず)から供給される。この窒素の通路は、当該ポート156から、べロー152とシール150及び一対の種類のボールベアリング134を貫通したシャフト60との間の空間、さらに、シース112及びペデスタル、中空円柱128、132間の空間に至る。そこから、窒素を除去できる加熱反応炉へと導く連続した窪んだキャビテイに沿って、窒素は通過することができる。あるいは、図1に示されている窒素除去用ポート158から除去される。
【0048】
【発明の効果】
本発明の一つの効果は、サセプタの摩滅によって生じる汚染粒子の量を減少するサセプタ駆動およびウエハ変位機構を提供することにある。
【0049】
さらに、本発明の効果は、サセプタを通る穴の全てをウエハ変位機構が遮断し、もって、処理中のウエハ裏面の焼き付き(burning) を減少する点にある。
【0050】
また、本発明の他の効果はウエハ支持用ピンがサセプタから緩く吊り下がっており、しっかりとクレードルに装着されていない点である。そのようにすることにより、機構の構成要素による異なる膨張を原因とする摩滅の程度が減少される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明を示す加熱炉の概要部の断面図。
【図2】 図1のA部の詳細図。
【図3】 図1に示されたサセプタ底部の平面図。
【図4】 ウエハ移送処理を表示する図1に示された熱反応炉の上部全体の断面図。
【図5】 ウエハ移送処理を表示する図1に示された熱反応炉の上部全体の断面図。
【図6】 図1の熱反応炉の中でサセプタ及びウエハを垂直に移動する、駆動及び昇降機構を表示する一部断面図。
【図7】 熱反応炉の中でサセプタを回転させる機構を表示する、図6の平面での縦断面図。
【図8】 従来技術の問題点を図示する加熱炉の一部の概要を示す断面図。
【符号の説明】
10…熱反応炉、12…ウエハ、14…サセプタ、16…ウエハ支持用クレードル、18…ウエハ支持用ピン、20…孔、30…反応炉、32…反応チャンバ、34…駆動機構、35…デイスプレーサ、36…サセプタ、37…回転駆動装置、40、42…石英窓、44…ベースリング、46…アクセスポート、50…サセプタ支持用クレードル、52…中空駆動シャフト、54…心出し用ピン、55…ピン、56…支持アーム、57…支持ピン、58…ウエハ支持用クレードル、60…中空シャフト、62…アーム、64…平坦パッド、66…ウエハ支持用ピン、68…孔、72…頭部、74…さら状の穴、76…ロボットアーム、78…キャビテイ、80…ポケット、82…楕円形キャビテイ、90、92…空気圧シリンダー、94…ブラケット、96…ピストン、98…剛体フレーム、100…ピストン、101…コネクタ、102…ベース、104…支持リング、106…シース、108…ランナ、110…スライド、112…シース、114…Oリング、120…空気圧駆動モータ、122…駆動ギア、124…リングギア、126…永久磁石、128…ペデスタル、130…ボールベアリング、132…中空円柱、134…ボールベアリング、136…ベース、140…スロット、142…冠状部、144…スカート、146…位置センサー、148…スロット、152…べロー、154…プラグ、156…供給ポート、158…窒素除去用ポート。
Claims (9)
- 半導体ウエハ処理操作の為の熱反応チャンバであって、
(i) 前記チャンバ内で前記半導体ウエハを支持し、垂直に形成された複数の貫通孔を有するサセプタと、
(ii)少なくとも第1の位置から第2の位置の間で垂直に前記サセプタを変位させる変位手段(displacer) と、
(iii) 複数のウエハ支持要素であって、各々が前記孔内で垂直に移動自在に吊り下げられており(is suspended)、各々が前記サセプタの下部を越えて伸びているもの、
(iv)前記ウエハ支持要素の下方移動を規制する規制手段(means for restricting)と、
を備え、前記サセプタが第1の位置から前記第2の位置の前にある中間位置を通って変位するとき、前記ウエハ支持要素の連続した下方移動を停止させる為に前記規制手段が作動し、もって、前記要素が下方に移動するサセプタに対し垂直上方に移動し、前記ウエハを前記サセプタから離間させ、
前記下方移動を規制する手段は、前記サセプタの下方に配置されたウエハ支持用クレードルを含み、前記サセプタがその第1の位置にあるとき、ウエハ支持要素は前記クレードルから離れて吊り下げられ、前記サセプタが前記中間位置を通って移動するにつれて前記ウエハ支持要素が前記クレードルによって係合され連続した下方移動が妨げられ、
前記変位手段は、前記クレードルを垂直下方に変位するようにも作動する、
前記熱反応チャンバ。 - 前記サセプタに回転運動を伝達する手段をさらに備える、請求項1記載の熱反応チャンバ。
- 前記ウエハ支持要素は前記サセプタに形成された貫通孔内で吊り下げられている、請求項2記載の熱反応チャンバ。
- 前記変位手段は、前記クレードルを垂直下方に変位するように作動し、同時に前記サセプタを第2の位置から、より下方の第3の位置へと変位させる、請求項3記載の熱反応チャンバ。
- 前記ウエハ支持要素の各々は、拡大された頭部(enlarged head)と胴体部(body)を有するピンで構成され、前記頭部は前記サセプタの第1の位置で当該孔の拡大された部分に配置され、前記ピンの前記胴体部が前記拡大された部分の下方に吊り下げられており、
各ピンの前記頭部は円錐台形(frusto-conical)になっており、前記孔の拡大された部分は、ピンが前記サセプタから吊り下げられるとき、前記円錐台形ヘッドが前記孔の拡大された部分の内側を封止し実質的に前記孔を通る半導体処理ガスの移動が妨げられるように、相補的な形状になっている(iscomplementallyshaped)、請求項4記載の熱反応チャンバ。 - 前記サセプタに回転運動を伝達する手段は、(i) 前記サセプタを支持し回転運動を伝達する駆動シャフト、(ii)モータ、及び(iii) 前記モータから前記駆動シャフトにトルクを伝達するトルク伝達手段を含む、請求項4記載の熱反応チャンバ。
- 前記トルク伝達手段は、
(i) 回転自在に固定され窪んだ(hollow)ペデスタル;
(ii)前記ペデスタルの周りに装着され、前記モータにより係合され、さらに、その内面に沿って配置された磁気要素(magnetic elements) 第1リングを含む回転カップ(cup rotationally);および
(iii) 前記窪んだペデスタルの内側に回転自在に装着され、前記駆動シャフトを支持し、前記磁気要素第1リングと同一中心となるように、その外周付近に配置された磁気要素第2リングを含むベース;
を含み、前記カップが前記モータにより回転させられるとき、磁気要素第1リングは回転運動を磁気要素第2リングに伝達し、もって、前記駆動シャフトを回転させる、請求項6記載の熱反応チャンバ。 - 前記磁気要素第1リングは永久磁石で構成され、前記磁気要素第2リングは永久磁石で構成されている、請求項7記載の熱反応チャンバ。
- 前記変位手段は、(i) 前記クレードルを垂直に変位させる第1空気圧シリンダー、および(ii)前記駆動シャフトを垂直に変位させる第2空気圧シリンダーを含み、前記第1シリンダーは固定されたマウンテイング(mounting)に取り付けられ、前記第2のシリンダーは前記第1のシリンダーに取り付けられ、前記第1のシリンダーの操作により前記クレードル及び前記第2シリンダーの垂直変位が生じて前記サセプタを変位させ、同時に、前記第2シリンダーにより前記サセプタの変位のみが生じる、請求項8記載の熱反応チャンバ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US2384493A | 1993-02-26 | 1993-02-26 | |
US08/023844 | 1993-02-26 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004326911A Division JP3737505B2 (ja) | 1993-02-26 | 2004-11-10 | サセプタ駆動及びウエハ変位機構 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06318630A JPH06318630A (ja) | 1994-11-15 |
JP3786976B2 true JP3786976B2 (ja) | 2006-06-21 |
Family
ID=21817531
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2532794A Expired - Fee Related JP3786976B2 (ja) | 1993-02-26 | 1994-02-23 | サセプタ駆動及びウエハ変位機構を備える熱反応チャンバ |
JP2004326911A Expired - Fee Related JP3737505B2 (ja) | 1993-02-26 | 2004-11-10 | サセプタ駆動及びウエハ変位機構 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004326911A Expired - Fee Related JP3737505B2 (ja) | 1993-02-26 | 2004-11-10 | サセプタ駆動及びウエハ変位機構 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5421893A (ja) |
EP (3) | EP0852393A3 (ja) |
JP (2) | JP3786976B2 (ja) |
KR (1) | KR100280575B1 (ja) |
DE (1) | DE69428618T2 (ja) |
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USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
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- 1993-11-29 US US08/159,062 patent/US5421893A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-23 KR KR1019930029357A patent/KR100280575B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-02-23 JP JP2532794A patent/JP3786976B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-02-28 DE DE69428618T patent/DE69428618T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-02-28 EP EP98105302A patent/EP0852393A3/en not_active Withdrawn
- 1994-02-28 EP EP00121439A patent/EP1067588A3/en not_active Withdrawn
- 1994-02-28 EP EP94103000A patent/EP0613173B1/en not_active Expired - Lifetime
-
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- 2004-11-10 JP JP2004326911A patent/JP3737505B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP1067588A3 (en) | 2006-05-31 |
EP0613173B1 (en) | 2001-10-17 |
DE69428618T2 (de) | 2002-08-08 |
EP1067588A2 (en) | 2001-01-10 |
EP0852393A2 (en) | 1998-07-08 |
JPH06318630A (ja) | 1994-11-15 |
JP3737505B2 (ja) | 2006-01-18 |
DE69428618D1 (de) | 2001-11-22 |
EP0852393A3 (en) | 1999-08-04 |
EP0613173A1 (en) | 1994-08-31 |
KR940020471A (ko) | 1994-09-16 |
KR100280575B1 (ko) | 2001-11-30 |
JP2005150725A (ja) | 2005-06-09 |
US5421893A (en) | 1995-06-06 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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