JP2018181395A - 抵抗変化型ランダムアクセスメモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の抵抗変化型メモリは、可変抵抗素子とアクセス用トランジスタとを含むメモリセルMCが行列方向に複数配列され、各行方向のトランジスタの各ゲートがワード線WLに接続され、各列方向の可変抵抗素子の各一方の電極がビット線BLに結合可能であり、各列方向の可変抵抗素子の各他方の電極がソース線SLに結合可能である、メモリアレイを有する。ソース線SLは、複数のビット線BL0/BL1/BL2/BL3と直交する方向に延在し、かつ複数のビット線BL0/BL1/BL2/BL3によって共有されるローカルソース線250を含む。
【選択図】 図5
Description
110:メモリアレイ
120:行デコーダおよび駆動回路(X−DEC)
130:列デコーダおよび駆動回路(Y−DEC)
140:列選択回路(YMUX)
142:グローバルソース線選択回路(SLMUX)
144:グローバルビット線選択回路(BLMUX)
150:制御回路
160:センスアンプ
170:書込みドライバ・読出しバイアス回路170
200:領域
210:シリコン基板
220:絶縁領域
230:ソース領域
240:コンタクトプラグ
250、250A:ローカルソース線(M1)
252:中継コンタクト(M1)
260:コンタクトプラグ
270:可変抵抗素子
300:ACマッチングキャパシタ
MC:メモリセル
Claims (10)
- 可逆性かつ不揮発性の可変抵抗素子によりデータを記憶する抵抗変化型メモリであって、
前記可変抵抗素子と当該可変抵抗素子に接続されたアクセス用のトランジスタとを含むメモリセルが行列方向に複数配列され、各行方向のトランジスタの各ゲートがワード線に接続され、各列方向の可変抵抗素子の各一方の電極がビット線に結合可能であり、各列方向の可変抵抗素子の各他方の電極がソース線に結合可能である、メモリアレイを有し、
前記ソース線は、ビット線と並行に延在する第1のソース線と、当該第1のソース線から分割された第2のソース線とを含み、
第2のソース線は、複数のビット線と直交する方向に延在し、かつ複数のメモリセルに共通に結合される、抵抗変化型メモリ。 - 第1のソース線は、2mのビット線によって共有される(mは、1以上の整数)、請求項1に記載の抵抗変化型メモリ。
- 第1のソース線は、左側のmのビット線と右側のmのビット線によって共有される、請求項2に記載の抵抗変化型メモリ。
- 第1のソース線は、前記ビット線と同じ第1の配線層から構成され、第2のソース線は、第1の配線層より下層の第2の配線層から構成される、請求項1の抵抗変化型メモリ。
- 抵抗変化型メモリはさらに、
行アドレスに基づき前記メモリアレイの行方向のワード線を選択する行選択手段と、
列アドレスに基づき前記メモリアレイの列方向のビット線およびソース線を選択する列選択手段と、
前記列選択手段により選択されたビット線およびソース線に動作モードに応じた電圧を供給する電圧供給手段とを有し、
前記列選択手段により選択されたソース線およびビット線の双方向から書込み電圧を可変抵抗素子に印加可能である、請求項1ないし4いずれか1つに記載の抵抗変化型メモリ。 - 前記列選択手段は、前記メモリアレイのソース線に接続されたグローバルソース線と2mのビット線との間の選択的な接続を行う第1のスイッチ回路と、グローバルビット線と2mのビット線との間の選択的な接続を行う第2のスイッチ回路とを含む、請求項5に記載の抵抗変化型メモリ。
- 第1のスイッチ回路は、2mのビット線のうち非選択ビット線をグローバルソース線に接続し、選択ビット線をグローバルソース線から切断し、第2のスイッチ回路は、2mのビット線のうち選択ビット線をグローバスビット線に接続し、非選択ビット線をグローバルビット線から切断する、請求項6に記載の抵抗変化型メモリ。
- 前記グローバルソース線に書込み電圧が供給されるとき、非選択ビット線が前記書込み電圧にプリチャージされる、請求項6または7に記載の抵抗変化型メモリ。
- 前記グローバルビット線には、ソース線との負荷容量の差を補償するためのキャパシタが接続される、請求項6ないし8いずれか1つに記載の抵抗変化型メモリ。
- 前記電圧供給手段は、前記キャパシタを包含する、請求項9に記載の抵抗変化型メモリ。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020066529A1 (ja) | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 三井化学株式会社 | 環状オレフィン系樹脂組成物、成形体および光学部品 |
KR20220143542A (ko) | 2021-04-16 | 2022-10-25 | 고쿠리쯔 다이가쿠 호징 츠쿠바 다이가쿠 | 방사선 차폐재용 소결체, 방사선 차폐재 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT201800000555A1 (it) * | 2018-01-04 | 2019-07-04 | St Microelectronics Srl | Architettura di decodifica di riga per un dispositivo di memoria non volatile a cambiamento di fase e relativo metodo di decodifica di riga |
JP6734904B2 (ja) * | 2018-11-01 | 2020-08-05 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 記憶回路 |
CN111383685B (zh) * | 2018-12-27 | 2022-04-01 | 华邦电子股份有限公司 | 用于执行存储器操作的可变电阻式存储器装置与方法 |
JP6829733B2 (ja) | 2019-01-16 | 2021-02-10 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 抵抗変化型ランダムアクセスメモリ |
JP6723402B1 (ja) * | 2019-02-28 | 2020-07-15 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 抵抗変化型ランダムアクセスメモリ |
CN111769132B (zh) * | 2019-04-02 | 2023-06-02 | 华邦电子股份有限公司 | 电阻式随机存取存储器结构 |
CN111599396A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-08-28 | 厦门半导体工业技术研发有限公司 | 一种rram电路及rram行形成的方法 |
JP6899024B1 (ja) * | 2020-06-11 | 2021-07-07 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 抵抗変化型シナプスアレイ装置 |
US20220172762A1 (en) * | 2020-11-30 | 2022-06-02 | Arm Limited | Ramp Write Techniques |
US11705177B2 (en) * | 2021-03-12 | 2023-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof |
US11605431B2 (en) | 2021-05-20 | 2023-03-14 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device and operation method thereof |
TWI762325B (zh) * | 2021-05-20 | 2022-04-21 | 旺宏電子股份有限公司 | 記憶體裝置及其操作方法 |
JP2022181756A (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-08 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置 |
JP7074417B1 (ja) * | 2021-06-16 | 2022-05-24 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010225259A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-10-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2012221525A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
JP2013114726A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Toppan Printing Co Ltd | 抵抗変化型不揮発性メモリ |
JP2014063549A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Sharp Corp | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6055178A (en) * | 1998-12-18 | 2000-04-25 | Motorola, Inc. | Magnetic random access memory with a reference memory array |
KR100569565B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2006-04-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 분할 비트라인 구동장치 |
CN1212622C (zh) * | 2001-03-23 | 2005-07-27 | 华邦电子股份有限公司 | 介层码掩膜只读存储器电路 |
JP2005203389A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JP4655000B2 (ja) | 2006-08-01 | 2011-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 可変抵抗素子および抵抗変化型メモリ装置 |
JP4088323B1 (ja) * | 2006-12-06 | 2008-05-21 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP5351863B2 (ja) | 2010-09-17 | 2013-11-27 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の制御方法 |
US8787068B2 (en) | 2011-04-07 | 2014-07-22 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device |
JP6218353B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2017-10-25 | 凸版印刷株式会社 | 不揮発性デュアルポートメモリ |
KR20130139066A (ko) | 2012-06-12 | 2013-12-20 | 삼성전자주식회사 | 소스라인 전압 발생기를 포함하는 자기 저항 메모리 장치 |
KR20140108800A (ko) * | 2013-02-28 | 2014-09-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 기준 컬럼, 반도체 장치 및 프로세서와 시스템 |
US10037801B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-07-31 | Hefei Reliance Memory Limited | 2T-1R architecture for resistive RAM |
US9601194B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-03-21 | Crossbar, Inc. | NAND array comprising parallel transistor and two-terminal switching device |
JP5748877B1 (ja) * | 2014-03-07 | 2015-07-15 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 抵抗変化型メモリ |
TWI624933B (zh) * | 2014-05-20 | 2018-05-21 | 華邦電子股份有限公司 | 非揮發性半導體記憶體 |
US9105333B1 (en) * | 2014-07-03 | 2015-08-11 | Sandisk Technologies Inc. | On-chip copying of data between NAND flash memory and ReRAM of a memory die |
US9355717B1 (en) * | 2014-08-27 | 2016-05-31 | Crossbar, Inc. | Memory array with embedded source line driver and improved voltage regularity |
KR20160122912A (ko) * | 2015-04-14 | 2016-10-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 |
US9443587B1 (en) * | 2015-07-21 | 2016-09-13 | Winbond Electronics Corp. | Resistive memory apparatus and writing method thereof |
TWI574263B (zh) * | 2015-08-13 | 2017-03-11 | 華邦電子股份有限公司 | 電阻式記憶體裝置及其讀取方法 |
CN108155202B (zh) * | 2016-12-02 | 2020-12-08 | 联华电子股份有限公司 | 半导体结构及其制造方法 |
-
2017
- 2017-04-19 JP JP2017082443A patent/JP6430576B2/ja active Active
-
2018
- 2018-03-12 TW TW107108272A patent/TWI647698B/zh active
- 2018-03-27 CN CN201810259574.9A patent/CN108735262B/zh active Active
- 2018-04-13 KR KR1020180043416A patent/KR102167196B1/ko active IP Right Grant
- 2018-04-16 US US15/953,829 patent/US10395736B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010225259A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-10-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2012221525A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
JP2013114726A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Toppan Printing Co Ltd | 抵抗変化型不揮発性メモリ |
JP2014063549A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Sharp Corp | 半導体記憶装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020066529A1 (ja) | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 三井化学株式会社 | 環状オレフィン系樹脂組成物、成形体および光学部品 |
KR20220143542A (ko) | 2021-04-16 | 2022-10-25 | 고쿠리쯔 다이가쿠 호징 츠쿠바 다이가쿠 | 방사선 차폐재용 소결체, 방사선 차폐재 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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