JP2017500753A - 半導体及びインターポーザ加工のためのキャリア結合方法及び物品 - Google Patents
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Abstract
Description
キャリア結合表面を有するキャリア;
中に少なくとも1つのビアホールを有するシートであって、シート結合表面を更に備えるシート;
表面修飾層
を備える物品が提供され、
キャリア結合表面は、間に表面修飾層を有してシート結合表面に結合され、
表面修飾層は、チャンバ内において室温から500℃まで9.2℃/分の速度で加熱され、500℃の温度で10分保持された後、炉冷速度で300℃に冷却される温度サイクルに物品を供し、チャンバから物品を取り出して物品を室温まで冷却させた後、キャリア及びシートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離せず、シートは、室温で分離を実施する際にキャリア及びシートのうちの薄い方が2つ以上の片に破壊されることなく、キャリアから分離できることを特徴とする。
キャリア結合表面を有するキャリア;
中に少なくとも1つのビアホールを有するシートであって、シート結合表面を更に備えるシート;
表面修飾層
を備える物品が提供され、
キャリア結合表面は、間に表面修飾層を有してシート結合表面に結合され、
表面修飾層は、チャンバ内において室温から400℃まで9.2℃/分の速度で加熱され、400℃の温度で10分保持された後、炉冷速度で300℃に冷却される温度サイクルに物品を供し、チャンバから物品を取り出して物品を室温まで冷却させた後、キャリア及びシートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離せず、試験#2に従って表面修飾層からの脱気は存在せず、またシートは、室温で分離を実施する際にキャリア及びシートのうちの薄い方が2つ以上の片に破壊されることなく、キャリアから分離できることを特徴とする。
キャリア結合表面を有するキャリア;
厚さ≦200マイクロメートルのウェハシートであって、シート結合表面を更に備え、シリコン、石英又はサファイアを含む、ウェハシート;
表面修飾層
を備える物品が提供され、
キャリア結合表面は、間に表面修飾層を有してシート結合表面に結合され、
表面修飾層は、チャンバ内において室温から500℃まで9.2℃/分の速度で加熱され、500℃の温度で10分保持された後、炉冷速度で300℃に冷却される温度サイクルに物品を供し、チャンバから物品を取り出して物品を室温まで冷却させた後、キャリア及びシートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離せず、シートは、室温で分離を実施する際にキャリア及びシートのうちの薄い方が2つ以上の片に破壊されることなく、キャリアから分離できることを特徴とする。
キャリア結合表面を有するキャリア;
厚さ≦200マイクロメートルのウェハシートであって、シート結合表面を更に備え、シリコン、石英又はサファイアを含む、ウェハシート;
表面修飾層
を備える物品が提供され、
キャリア結合表面は、間に表面修飾層を有してシート結合表面に結合され、
表面修飾層は、チャンバ内において室温から400℃まで9.2℃/分の速度で加熱され、400℃の温度で10分保持された後、炉冷速度で300℃に冷却される温度サイクルに物品を供し、チャンバから物品を取り出して物品を室温まで冷却させた後、キャリア及びシートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離せず、試験#2に従って表面修飾層からの脱気は存在せず、またシートは、室温で分離を実施する際にキャリア及びシートのうちの薄い方が2つ以上の片に破壊されることなく、キャリアから分離できることを特徴とする。
(a)脱気試験#1に従って、試験限界温度600℃において、カバーの表面エネルギの変化が≧15mJ/m2であること;及び
(b)脱気試験#2に従って、試験限界温度600℃において、%気泡領域の変化が≧5であること
のうちの少なくとも1つとして定義される、態様1、3〜5、7〜12のいずれか1つの物品が提供される。
a)プラズマ重合化フルオロポリマー;及び
b)芳香族シラン
のうちの1つを含む、態様1〜13のいずれか1つの物品が提供される。
キャリア結合表面を有するキャリアを得るステップ;
中に少なくとも1つのビアホールを有するシートを得るステップであって、上記シートは、シート結合表面を更に備え、キャリア結合表面及びシート結合表面のうちの少なくとも1つはその上に表面修飾層を備える、ステップ;
結合表面及び表面修飾層を用いてキャリアをシートに結合して、物品を形成するステップ;
物品を基板工程(FEOL)加工に供するステップであって、FEOL加工後、キャリア及びシートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離しない、ステップ;
キャリア及びシートのうちの薄い方が2つ以上の片に破壊されることなく、キャリアからシートを取り外すステップ
を有してなる、インターポーザを作製する方法が提供される。
キャリア結合表面を有するキャリアを得るステップ;
厚さ≦200マイクロメートルのウェハシートを得るステップであって、上記シートはシリコン、石英又はサファイアを含み、上記シートは、シート結合表面を更に備え、キャリア結合表面及びシート結合表面のうちの少なくとも1つはその上に表面修飾層を備える、ステップ;
結合表面及び表面修飾層を用いてキャリアをシートに結合して、物品を形成するステップ;
物品を基板工程(FEOL)加工に供するステップであって、FEOL加工後、キャリア及びシートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離しない、ステップ;
キャリア及びシートのうちの薄い方が2つ以上の片に破壊されることなく、キャリアからシートを取り外すステップ
を有してなる、シリコンウェハシートを加工する方法が提供される。
(a)脱気試験#1に従って、試験限界温度600℃において、カバーの表面エネルギの変化が≧15mJ/m2であること;及び
(b)脱気試験#2に従って、試験限界温度600℃において、%気泡領域の変化が≧5であること
のうちの少なくとも1つとして定義される、態様18〜29のいずれか1つの方法が提供される。
a)プラズマ重合化フルオロポリマー;及び
b)芳香族シラン
のうちの1つを含む、態様18〜30のいずれか1つの方法が提供される。
(1)初期室温結合を促進するような、かつ非高温FPDプロセス、例えば真空加工、SRD加工及び/又は超音波加工に耐えるために十分な、(例えば表面結合前に表面あたり>40mJ/m2の表面エネルギを有する)中程度の接着エネルギを生成するための、ファンデルワールス(及び/又は水素)結合を制御することによって実施できる初期室温結合の制御による、1つ若しくは複数のキャリア及び/又は薄型シート結合表面の修飾;
(2)層間剥離並びに/又はデバイス製造において許容できない汚染、例えば上記物品を使用できる半導体及び/又はディスプレイ作製プロセスにとって許容できない汚染を引き起こし得る脱気が発生しない、高温プロセスに耐えられるよう熱的に安定した方法での、キャリア及び/又は薄型シートの表面修飾;並びに
(3)キャリア表面ヒドロキシル濃度、及び高温(例えば≧400℃の温度)において強い共有結合を形成できる他の種の濃度を制御することによって実施できる、高温での接着の制御であって、これにより、キャリアの結合表面と薄型シートの結合表面との間の結合エネルギを制御して、高温加工(特に500〜650℃の範囲の熱的プロセスを経る)高温加工の後でさえ、キャリアと薄型シートとの間の接着力を、少なくとも薄型シートを損傷せずに(及び好ましくは薄型シート又はキャリアを損傷せずに)薄型シートをキャリアから剥離できるものの、キャリアと薄型シートとの間の結合を、これらが加工中に層間剥離しないように維持するのに十分な範囲内のままとすることができる、高温での接着の制御。
物品2がFPD加工を良好に受けられる(即ち薄型シート20が加工中にキャリア10に結合したままであるにもかかわらず、高温加工を含む加工後にキャリア10から分離できる)ようにするための、表面修飾層30を有する結合表面14、24のうちの1つ又は複数の修正の利点は、キャリア10及び薄型シート20を有し、これらの間に表面修飾層30を有しない物品2を加工することによって実証した。具体的には、まず、加熱してヒドロキシル基を削減することによって、ただし表面修飾層30を用いずに、結合表面14、24の調製を試みた。キャリア10及び薄型シート20を洗浄し、結合表面14及び24を互いに結合した後、物品2を試験した。結合のためにガラスを調製するための典型的な洗浄プロセスは、ガラスを希釈過酸化水素及び塩基(通常は水酸化アンモニウムであるが、水酸化テトラメチルアンモニウム溶液、例えばJT Baker JTB‐100又はJTB‐111も使用してよい)中で洗浄する、SC1洗浄プロセスである。洗浄により結合表面から粒子が除去され、表面エネルギが明らかになった。即ち洗浄により、表面エネルギのベースラインが得られる。洗浄の方法はSC1である必要はなく、他のタイプの洗浄を用いてよい。というのは、その洗浄のタイプが表面上のシラノール基に対して極めて僅かな影響しか有しないためである。様々な試験の結果を以下の表1に示す。
例えば熱処理によるようなヒドロキシルの削減、及び表面修飾層30を共に用いて、結合表面14、24の相互作用を制御してよい。例えば、結合表面14、24の結合エネルギ(極性/分散エネルギ成分による室温でのファンデルワールス及び/又は水素結合、並びに共有結合エネルギ成分による高温での共有結合の両方)を制御して、室温結合が困難な結合強度から、室温での結合及び高温加工後の結合表面の分離を容易にできる結合強度まで、高温加工後に表面が損傷なしに分離するのを妨げる結合強度まで、変化する結合強度を提供できる。いくつかの用途では、結合が全くない、又は極めて弱い結合しかないことが望ましい場合がある。例えば(プロセス温度≧500℃又は≧600℃及び最高650℃が達成され得る)高温プロセスのためのキャリアを提供する、他の用途では、薄型シートとキャリアとを最初に一体としながら、高温での共有結合を防止又は制限するために、室温において十分なファンデルワールス及び/又は水素結合を有することが望ましい。更に他の用途に関しては、薄型シートとキャリアとを最初に一体とし、また高温において強力な共有結合を発現させるために、十分な室温での結合を有することが望ましい場合がある。理論によって拘束されることを望むものではないが、いくつかの例では、表面修飾層を用いて、薄型シート及びキャリアを最初に一体とする室温での結合を制御してよく、その一方で、(表面を加熱することによる、又は例えばヒドロキシル基と表面修飾層との反応によるもののような)表面上のヒドロキシル基の削減を用いて、共有結合、特に高温での共有結合を制御してよい。
結合表面がO2プラズマ及びSC1で処理されたガラスキャリアを、続いてトルエン中の1%ドデシルトリエトキシシラン(DDTS)で処理し、真空中で150℃で1時間アニーリングして、濃縮を完了した。DDTS処理済み表面は、45mJ/m2の表面エネルギを有する。表4に示すように、(SC1洗浄され、真空中で400℃で1時間加熱された)ガラス薄型シートを、DDTS表面修飾層をその上に有するキャリア結合表面に結合した。この物品は、湿式及び真空プロセス試験に耐えたが、400℃を超える熱的プロセスには、シランの熱分解によってキャリアの下側に気泡が形成されることなく耐えることはできなかった。この熱分解は、良好な熱安定性のコーティングを生成するメチル、ジメチル及びトリメチルシラン(x=1〜3、R1=CH3)を除く、全ての直鎖アルコキシ及びクロロアルキルシランR1xSi(OR2)y(Cl)z(ここでx=1〜3、及びy+z=4‐x)に関して予想される。
結合表面がO2プラズマ及びSC1で処理されたガラスキャリアを、続いてトルエン中の1%3,3,3,トリフルオロプロピルトリエトキシシラン(TFTS)で処理し、真空中で150℃で1時間アニーリングして、濃縮を完了した。TFTS処理済み表面は、47mJ/m2の表面エネルギを有する。表4に示すように、(SC1洗浄され、続いて真空中で400℃で1時間加熱された)ガラス薄型シートを、TFTS表面修飾層をその上に有するキャリア結合表面に結合した。この物品は、ガラスキャリアにガラス薄型シートが恒久的に結合することなく、真空、SRD及び400℃プロセス試験に耐えた。しかしながら、600℃試験は、シランの熱分解によってキャリアの下側に形成された気泡を生成した。これはプロピル基の熱安定性が限定されていることから、予想されないものではなかった。この試料は気泡発生により600℃試験を通過しなかったが、この実施例の材料及び熱処理は、気泡及びその悪影響、例えば表面の平坦性の低下又は波打ちの増大を許容できるようないくつかの用途のために使用してよい。
結合表面がO2プラズマ及びSC1で処理されたガラスキャリアを、続いてトルエン中の1%フェニルトリエトキシシラン(PTS)で処理し、真空中で200℃で1時間アニーリングして、濃縮を完了した。PTS処理済み表面は、54mJ/m2の表面エネルギを有する。表4に示すように、(SC1洗浄され、続いて真空中で400℃で1時間加熱された)ガラス薄型シートを、PTS表面修飾層を有するキャリア結合表面に結合した。この物品は、ガラス薄型シートとガラスキャリアとを恒久的に結合することなく、真空、SRD及び600℃までの熱的プロセスに耐えた。
結合表面がO2プラズマ及びSC1で処理されたガラスキャリアを、続いてトルエン中の1%ジフェニルジエトキシシラン(DPDS)で処理し、真空中で200℃で1時間アニーリングして、濃縮を完了した。DPDS処理済み表面は、47mJ/m2の表面エネルギを有する。表4に示すように、(SC1洗浄され、続いて真空中で400℃で1時間加熱された)ガラス薄型シートを、DPDS表面修飾層を有するキャリア結合表面に結合した。この物品は、ガラス薄型シートとガラスキャリアとを恒久的に結合することなく、真空及びSRD試験並びに600℃までの熱的プロセスに耐えた。
O2プラズマ及びSC1で処理された結合表面を有するガラスキャリアを、続いてトルエン中の1%4‐ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン(PFPTS)で処理し、真空中で200℃で1時間アニーリングして、濃縮を完了した。PFPTS処理済み表面は、57mJ/m2の表面エネルギを有する。表4に示すように、(SC1洗浄され、続いて真空中で400℃で1時間加熱された)ガラス薄型シートを、PFPTS表面修飾層を有するキャリア結合表面に結合した。この物品は、ガラス薄型シートとガラスキャリアとを恒久的に結合することなく、真空及びSRD試験並びに600℃までの熱的プロセスに耐えた。
典型的なウェハ結合用途で使用されるポリマー接着剤は一般に、厚さ10〜100マイクロメートルであり、温度限界において又は温度限界付近においてその質量の約5%を失う。厚いポリマーフィルムから発展したこのような材料に関して、質量損失、又は脱気の量を質量分析によって定量化することは容易である。一方、厚さおよそ10nm以下の薄型表面処理、例えば上述のプラズマポリマー又は自己集合単層表面修飾層、並びに熱分解されたシリコーン油の薄層からの脱気の測定は比較的困難である。このような材料に関して、質量分析は十分な感受性を有しない。しかしながら、脱気を測定するための多数の他の方法が存在する。
本明細書に記載の制御された結合の1つの使用法は、キャリア及びキャリアに結合した薄型シートを有するものを含む物品を作製するための使用であり、上記物品は、電子デバイス、例えばTFT、(有機発光材料を含む)OLED、PVデバイス、タッチセンサ、インターポーザ、集積回路、抵抗‐コンデンサ回路及びディスプレイを作製するために使用される。
(材料及び関連する結合表面熱処理を含む)表面修飾層を介した制御された結合の別の使用法は、例えばFEOL加工等、≧400℃(例えば≧450℃、≧500℃、≧550℃、≧600℃)の温度を必要とするプロセスにおいて薄型シートを加工するための、キャリア上の薄型シートの使用を提供するための使用である。即ち薄型シートは、後に薄化する必要のない厚さに加工されたウェハであってよい。上述の実施例2e、3a、3b、4c、4d及び4eによって例示されるような、(材料及び関連する結合表面熱処理を含む)表面修飾層を用いて、このような温度条件下でのキャリアの再使用を提供できる。具体的には、これらの表面修飾層を使用して、薄型シート及びキャリアの結合領域間の重複領域の表面エネルギを修正することにより、加工後に薄型シート全体をキャリアから分離できるようにすることができる。薄型シートは全体を1回で分離してよく、又は例えば、薄型シートの一部分上に製造されたデバイスを最初に取り外し、その後いずれの残りの部分を取り外して、キャリアを再使用のために洗浄する場合のように、複数のセクションで分離してよい。薄型シート全体の取り外しにより、又は合計すると薄型シート全体となる薄型シートの方形切断されたセクションの取り外しにより、薄型シート全体をキャリアから取り外す場合、キャリアは、別の薄型シートを単にその上に配置することによって再使用できる。あるいはキャリアを洗浄して、表面修飾層を改めて形成することによって薄型シートを搬送するために再び調製してよい。表面修飾層が薄型シートとキャリアとの恒久的な結合を防止するため、これらは、温度が≧600℃となるプロセスのために使用してよい。当然のことながら、これらの表面修飾層は、温度≧600℃での加工中に結合表面エネルギを制御できるが、これらを使用して、より低い温度、例えば≧400℃(例えば≧450℃、≧500℃、≧550℃)の温度における加工に耐えられる、薄型シートとキャリアとの組合せを製造することもでき、またこれらをこのような比較的低い温度で使用して、例えばBEOL加工において、(実施例3a、3b、4c、4d及び4eの材料の場合に)脱気することなく結合を制御することもできる。更に、物品の熱加工が400℃を超えない場合、実施例2c、2d、4bによって例示される表面修飾層も同一の様式で使用してよい。薄型シートは、厚さ≦200マイクロメートルのポリシリコン又は単結晶シリコンウェハ、シリコンウェハ、ガラス、セラミック、ガラス‐セラミック、石英、サファイアであってよく、またFEOL加工においてこれらを例えば≧500℃の温度で加工して、上記薄型シート上にRC回路、IC又は他の電子デバイスを形成してよい。FEOL加工後、ウェハは、電子デバイスを損傷することなく、キャリアから容易に取り外すことができる。しかしながら、取り外し前、ウェハは更に、例えばBEOL加工におけるもののような、比較的低温での加工を受けてよい。
本発明の上述の実施形態、特にいずれの「好ましい」実施形態は、単なる可能な実装例であり、単に本発明の様々な原理の明瞭な理解のために挙げられていることを強調しておく。本発明の上述の実施形態に対して、本発明の精神及び様々な原理から実質的に逸脱することなく、多くの変更及び修正を施してよい。本明細書において、全てのこのような修正及び変更は、本明細書において本開示及び本発明の範囲内に含まれ、かつ以下の請求項によって保護されることが意図されている。
8 物品2の厚さ
10 キャリア
12 キャリア10の第1の表面
14 キャリア10の結合表面
16 キャリア10の周縁部
18 キャリア10の厚さ
20 薄型シート
22 薄型シート20の第1の表面
24 薄型シート20の結合表面
26 薄型シート20の周縁部
28 薄型シート20の厚さ
30 表面修飾層
38 表面修飾層30の厚さ
50 アレイ
52 周縁部
56 インターポーザ
60 ビアホール
61 材料
62 ビアホール60の直径
64 ビアホール60のピッチ
66 デバイス
68 構造体
900 キャリア
901 試験物品
902 キャリア900の表面
910 カバー
912 カバー912の表面
920 スペーサ
930 加熱チャンバ
940 N2ガスを流す方向
Claims (15)
- キャリア結合表面を有するキャリア;
中に少なくとも1つのビアホールを有するシートであって、シート結合表面を更に備えるシート;
表面修飾層
を備える、物品であって、
前記キャリア結合表面は、間に前記表面修飾層を有して前記シート結合表面に結合され、
前記表面修飾層は:
(i)チャンバ内において室温から500℃まで9.2℃/分の速度で加熱され、500℃の温度で10分保持された後、炉冷速度で300℃に冷却される温度サイクルに前記物品を供し、前記チャンバから前記物品を取り出して前記物品を室温まで冷却させた後、前記キャリア及び前記シートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離せず、前記シートは、室温で分離を実施する際に前記キャリア及び前記シートのうちの薄い方が2つ以上の片に破壊されることなく、前記キャリアから分離できること;並びに
(ii)チャンバ内において室温から400℃まで9.2℃/分の速度で加熱され、400℃の温度で10分保持された後、炉冷速度で300℃に冷却される温度サイクルに前記物品を供し、前記チャンバから前記物品を取り出して前記物品を室温まで冷却させた後、前記キャリア及び前記シートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離せず、試験#に2よると表面修飾層からの脱気は存在せず、前記シートは、室温で分離を実施する際に前記キャリア及び前記シートのうちの薄い方が2つ以上の片に破壊されることなく、前記キャリアから分離できること
のうちの少なくとも一方を特徴とする、物品。 - 前記シートは、シリコン、石英、サファイアを含む、請求項1に記載の物品。
- キャリア結合表面を有するキャリア;
厚さ≦200マイクロメートルのウェハシートであって、シート結合表面を更に備え、シリコン、石英又はサファイアを含む、ウェハシート;
表面修飾層
を備える、物品であって、
前記キャリア結合表面は、間に前記表面修飾層を有して前記シート結合表面に結合され、
前記表面修飾層は:
(i)チャンバ内において室温から500℃まで9.2℃/分の速度で加熱され、500℃の温度で10分保持された後、炉冷速度で300℃に冷却される温度サイクルに前記物品を供し、前記チャンバから前記物品を取り出して前記物品を室温まで冷却させた後、前記キャリア及び前記シートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離せず、前記シートは、室温で分離を実施する際に前記キャリア及び前記シートのうちの薄い方が2つ以上の片に破壊されることなく、前記キャリアから分離できること;並びに
(ii)チャンバ内において室温から400℃まで9.2℃/分の速度で加熱され、400℃の温度で10分保持された後、炉冷速度で300℃に冷却される温度サイクルに前記物品を供し、前記チャンバから前記物品を取り出して物品を室温まで冷却させた後、前記キャリア及び前記シートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離せず、試験#2に従って前記表面修飾層からの脱気は存在せず、また前記シートは、室温で分離を実施する際に前記キャリア及び前記シートのうちの薄い方が2つ以上の片に破壊されることなく、前記キャリアから分離できること
のうちの少なくとも一方を特徴とする、物品。 - 前記少なくとも1つのビアホールは、直径≦150マイクロメートルであり、中に導電性材料を含む、請求項1又は2に記載の物品。
- 前記シートは、前記シート結合表面に対向するデバイス表面を備え、
前記デバイス表面は、シリコン、シリコン‐ゲルマニウム、ガリウムヒ素及び窒化ガリウム上に又はシリコン、シリコン‐ゲルマニウム、ガリウムヒ素及び窒化ガリウムから製造された:集積回路;MEMS;CPU;マイクロセンサ;電力半導体;発光ダイオード;フォトニック回路;インターポーザ;埋込み型パッシブデバイス;及びマイクロデバイスからなる群から選択されるデバイスのアレイを備える、請求項1〜4のいずれか1項に記載の物品。 - 加熱中に前記表面修飾層からの脱気が存在せず、
前記表面修飾層からの前記脱気は:
(a)脱気試験#1に従って、試験限界温度600℃において、前記カバーの表面エネルギの変化が≧15mJ/m2であること;及び
(b)脱気試験#2に従って、試験限界温度600℃において、%気泡領域の変化が≧5であること
のうちの少なくとも1つとして定義される、請求項1〜5のいずれか1項に記載の物品。 - 前記表面修飾層は:
a)プラズマ重合化フルオロポリマー;及び
b)芳香族シラン
のうちの1つを含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の物品。 - キャリア結合表面を有するキャリアを得るステップ;
中に少なくとも1つのビアホールを有するシートを得るステップであって、前記シートは、シート結合表面を更に備え、前記キャリア結合表面及び前記シート結合表面のうちの少なくとも1つはその上に表面修飾層を備える、ステップ;
前記結合表面及び前記表面修飾層を用いて前記キャリアを前記シートに結合して、物品を形成するステップ;
前記物品を基板工程(FEOL)加工に供するステップであって、前記FEOL加工後、前記キャリア及び前記シートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離しない、ステップ;
前記キャリア及び前記シートのうちの薄い方が2つ以上の片に破壊されることなく、前記キャリアから前記シートを取り外すステップ
を有してなる、インターポーザを作製する方法。 - 前記シートは、シリコン、石英、サファイア、セラミック又はガラスを含む、請求項8に記載の方法。
- キャリア結合表面を有するキャリアを得るステップ;
厚さ≦200マイクロメートルのウェハシートを得るステップであって、前記シートはシリコン、石英又はサファイアを含み、前記シートは、シート結合表面を更に備え、前記キャリア結合表面及び前記シート結合表面のうちの少なくとも1つはその上に表面修飾層を備える、ステップ;
前記結合表面及び前記表面修飾層を用いて前記キャリアを前記シートに結合して、物品を形成するステップ;
前記物品を基板工程(FEOL)加工に供するステップであって、前記FEOL加工後、前記キャリア及び前記シートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離しない、ステップ;
前記キャリア及び前記シートのうちの薄い方が2つ以上の片に破壊されることなく、前記キャリアから前記シートを取り外すステップ
を有してなる、シリコンウェハシートを加工する方法。 - 前記FEOL加工は:
(i)500℃〜700℃の加工チャンバ温度;及び
(ii)DRIE(乾式反応性イオンエッチング);PVD;CVD TiN;PECVD SiO2;電解Cuめっき;Cuアニーリング;計測;Cu CMP;Cu(H2O2+H2SO4)+Ti(DHF)湿式エッチング;スパッタ付着層;スパッタシード層;リソグラフィ(フォトレジスト、露光、ストリッピング、Cuのエッチング)のうちの少なくとも1つ
のうちの少なくとも一方を含む、請求項8〜10のいずれか1項に記載の方法。 - 前記少なくとも1つのビアホールは、直径≦150マイクロメートルであり、中に導電性材料を含む、請求項8、9又は11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記シートは、前記シート結合表面に対向するデバイス表面を備え、
前記デバイス表面は:
(i)シリコン、シリコン‐ゲルマニウム、ガリウムヒ素及び窒化ガリウム上に又はシリコン、シリコン‐ゲルマニウム、ガリウムヒ素及び窒化ガリウムから製造された:集積回路;MEMS;CPU;マイクロセンサ;電力半導体;発光ダイオード;フォトニック回路;インターポーザ;埋込み型パッシブデバイス;及びマイクロデバイスからなる群から選択されるデバイスのアレイ;並びに
(ii)はんだバンプ;金属ポスト;金属ピラー;相互接続ルーティング;相互接続配線;絶縁性酸化物層;並びにシリコン、ポリシリコン、二酸化シリコン、シリコン(オキシ)窒化物、金属、低k誘電体、ポリマー誘電体、金属窒化物及び金属ケイ化物からなる群から選択された材料から形成された構造体からなる群から選択される、少なくとも1つの構造体
のうちの少なくとも一方を備える、請求項8〜12のいずれか1項に記載の方法。 - 加熱中に前記表面修飾層からの脱気が存在せず、
前記表面修飾層からの脱気は:
(a)脱気試験#1に従って、試験限界温度600℃において、前記カバーの表面エネルギの変化が≧15mJ/m2であること;及び
(b)脱気試験#2に従って、試験限界温度600℃において、%気泡領域の変化が≧5であること
のうちの少なくとも1つとして定義される、請求項8〜13のいずれか1項に記載の方法。 - 前記表面修飾層は:
a)プラズマ重合化フルオロポリマー;及び
b)芳香族シラン
のうちの1つを含む、請求項8〜14のいずれか1項に記載の方法。
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