JP2017130644A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数の部材と、前記複数の部材とは異なる材料を有する複数の中間体と、が交互に積層された積層体を形成する工程と、少なくとも2層の前記複数の部材の端部を、前記積層方向に順次加工し、前記複数の部材と、前記複数の中間体と、が積層された階段状の段差を形成する工程と、前記段差に接する複数の側壁膜を形成する工程と、前記複数の部材の端部を階段状にする工程と、を備える。前記複数の部材の端部を階段状にする工程は、前記複数の部材のうち、前記複数の側壁膜と離間し、前記積層体から露出する部分を後退させる工程を含む。
【選択図】図1
Description
図1は、第1実施形態の半導体装置の平面レイアウトを示す模式平面図である。図2は、第1実施形態の半導体装置のメモリセルアレイ1の模式斜視図である。
図4(b)に示すように、積層体100は、第1構造体〜第4構造体110−1〜110−4を含む。各構造体110−1〜110−4は、第1電極層〜第4電極層WL−1〜WL−4と、その上に設けられた第1絶縁体〜第4絶縁体40−1〜40−4とをそれぞれ1層ずつ含む。第2構造体110−2は、第1構造体110−1上に第1テラス111−1を除いて設けられている。第3構造体110−3は、第2構造体110−2上に第2テラス111−2を除いて設けられている。第4構造体110−4は、第3構造体110−3上に第3テラス111−3を除いて設けられている。
次に、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を、説明する。
図5(a)〜図12は、第1実施形態の半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
図5(a)に示すように、積層体100を、基板10上に形成する。積層体100は、置換部材41と、絶縁体40(中間体)とが交互に積層された状態である。置換部材41は、後に電極層(SGD、WL、SGS)に置換される部材である。置換部材41の材料は、絶縁体40とエッチング選択比をとることができる材料から選ばれる。例えば、絶縁体40としてシリコン酸化物を選んだとき、置換部材41には、シリコン窒化物が選ばれる。
次に、図5(b)に示すように、積層体100の一部を後退させる。図の矢印は、積層体100の後退部分を示す。これにより、段差211が形成される。積層体100を後退させる方法として、例えば、積層体100上に形成したフォトレジスト71をマスクとしたRIE法(Reactive Ion Etching)等の異方エッチングが用いられる。第1実施形態では、3層の置換部材41および絶縁体40の一部(端部)を除去し、段差211が形成される。3層の置換部材41および絶縁体40の側面は、段差211から露出している。
次に、図7(a)に示すように、各段差211に接する複数の側壁膜51を形成する。複数の側壁膜51は、それぞれ離間している。複数の側壁膜51は、例えば、積層体100上に、側壁膜51をコンフォーマルに形成する。このとき、第1置換部材41tの側面および第1絶縁体40tの側面は、側壁膜51と接している。その後、段差211と離間した部分の側壁膜51を除去する。これにより、それぞれ離間した複数の側壁膜51が形成される。このとき、第1置換部材41tの側面および第1絶縁体40tの側面は、側壁膜51と離間し、段差211から露出している。これに対し、第2置換部材41mおよび第3置換部材41bの側面は、側壁膜51と接しており、段差211から露出していない。
次に、図7(b)に示すように、側壁膜51と離間し、段差211から露出した置換部材41の側面を後退させる。図の矢印は、置換部材41の後退部分を示す。これにより、第1置換部材41tの後退部分には、スペース42が形成される。置換部材41を後退させる方法として、例えば、リン酸溶液を使用するウェットエッチング等の等方エッチングが用いられる。このとき、第2置換部材41mの側面および第3置換部材41bの側面は、側壁膜51と接しているため、後退しない。すなわち、複数の置換部材41のうち、各段差211から露出した置換部材41のみを一度に後退させることができる。
次に、図9(b)に示すように、絶縁層81を、絶縁体40を介して各テラス121上に一体に形成する。絶縁層81として、例えば、シリコン酸化物が用いられる。その後、絶縁層81の上面を、積層体100の上面と、ほぼ一致するまで後退させる。これにより、テラス121上に生じた凹部は、絶縁層81によって埋め込まれる。
次に、図10(a)に示すように、複数の柱状部CLを、積層体100内に形成する。柱状部CLは、ホールMH内に形成される。ホールMHは、例えば、RIE法を用いて形成され、積層体100内を貫通し、基板10に達する。ホールMHは、テラス121と離間する。柱状部CLは、メモリ膜30の形成工程と、半導体ボディ20の形成工程と、コア層50の形成工程と、を経て、ホールMH内に形成される。柱状部CLは、複数のテラス121と離間する。半導体ボディ20は、基板10と接する。
次に、図10(b)に示すように、複数のスリットSTを、積層体100内に形成する。スリットSTは、Z方向およびX方向に延びる。スリットSTは、積層体100を貫通し、基板10に達する。
次に、図2に示したように、スリットST内に、ソース線SLを形成する。ソース線SLと、積層体100との間には、図示しない絶縁膜が形成され、ソース線SLは、積層体100と離間している。
次に、図13(a)〜図13(c)を参照して、第1実施形態の他の製造方法について説明する。他の製造方法は、側壁膜51として、置換部材41と同じ材料を選んだときの製造方法の一例である。他の製造方法では、図7(a)〜図8(a)で示した置換部材41を後退させる工程と、側壁膜51を後退させる工程とを、同時に実施できる。そのため、工程数の削減が可能である。
図5(a)〜図7(a)に示した、積層体100の形成から側壁膜51の形成までの工程は、上述した製造方法と同様である。本製造方法では、側壁膜51および置換部材41は、それぞれ組成比の異なるシリコン窒化物を含み、置換部材41は、側壁膜51のエッチングレートよりも大きい。置換部材41および側壁膜51のエッチングレートは、例えば、シリコンの組成比を変更することにより任意に設定することが可能である。また、上述したシリコン窒化物以外の材料においても、絶縁体40とのエッチング選択比をとれる材料であれば、任意である。
次に、図13(a)に示すように、段差211から露出した第1置換部材41tの側面の後退と同時に、側壁膜51を後退させる。図の矢印は、置換部材41および側壁膜51の後退部分を示す。置換部材41および側壁膜51を後退させる方法として、例えば、リン酸溶液を使用するウェットエッチング等の等方エッチングが用いられる。
その後、図9(b)以降に示した工程を実施し、本実施形態の半導体装置を形成する。
図13(c)は、側壁膜51を形成したときの形状を示す模式断面図である。
図13(c)に示すように、側壁膜51の最上部51tは、第1置換部材41tの上面と、第2置換部材41mの上面との間の高さに形成される。この間に最上部51tが形成されていれば、側壁膜51と、第1置換部材41tとのエッチングを同じタイミングで開始することができ、第1置換部材41tの後退量のばらつきを低減させることができる。
D1>1+α (1)
D2>2+2α (2)
α=D3×(側壁膜のエッチングレート)/(置換部材のエッチングレート) (3)
式(1)〜(3)を満たすことにより、置換部材41を上層から順に後退させることができる。例えば、式(1)〜(3)を満たさない場合、置換部材41が、上層から順に段差211から露出する前に、側壁膜51のX方向の膜厚が薄くなり、保護膜として機能しなくなる可能性がある。このため、置換部材41を上層から順に後退させることができず、置換部材41の端部を階段状に加工できない。それに対し、第1実施形態では、式(1)〜(3)を満たす。このため、側壁膜51の後退量を利用して、置換部材41の側面が段差211から露出するタイミングを制御することができる。これにより、置換部材41を1層ずつ加工して階段構造を形成する方法に比較して、少ない工程数で置換部材41を階段状に加工できる。
次に、図14を参照して、第1実施形態の柱状部CLの一例について説明する。
図14は、図3中の破線枠14の拡大模式断面図である。
図15は、第2実施形態の半導体装置の模式断面図である。図15に示す断面図は、図3に示した断面図に対応する。図16は、図15中の破線枠16の拡大模式断面図である。
次に、第2実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。
図17(a)〜図19(b)は、第2実施形態の半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
例えば、図5(a)〜図6(b)を参照して説明した製造方法に従って、図17(a)に示す積層体100の構造を得る。図17(a)には、階段状の段差211を形成した後、積層体100上に、第1膜52aをコンフォーマルに形成した状態が示されている。
次に、図19(a)に示すように、第1膜52aを後退させる。図の破線部は、第1膜52aの後退させる前の上面の位置を示す。これにより、第1置換部材41tの側面および第1絶縁体40tの側面は、第1膜52aと離間し、段差211から露出する。第1膜52aを後退させる方法として、例えば、RIE等の異方エッチング、またはウェットエッチング等の等方エッチングが用いられる。このとき、第1膜52aの側面は、第2膜52bと接しているため、後退しない。
その後、例えば、上述した第1実施形態と同様の工程により、第2実施形態の半導体装置を形成する。詳細については、例えば、図9(a)〜図12を参照されたい。
図21は、第3実施形態の半導体装置の模式断面図である。図21に示す断面図は、図3に示した断面図に対応する。図22は、図21中の破線枠22の拡大模式断面図である。
次に、第3実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。
図23(a)〜図24は、第3実施形態の半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
例えば、図5(a)〜図6(b)を参照して説明した製造方法に従って、図23(a)に示す構造を得る。第3実施形態では、積層体100は、電極層(SGD、WL、SGS)と、絶縁体40とが交互に積層された状態である。電極層(SGD、WL、SGS)の材料は、導電性を有し、絶縁体40とエッチング選択比をとることができる材料である。例えば、絶縁体40としてシリコン酸化膜が選ばれたとき、電極層(SGD、WL、SGS)の材料としてタングステン等の金属部材が選ばれる。また、第3実施形態では、段差211の最上層に形成された電極層(SGD、WL、SGS)の上面は、積層体100から露出している。ここで、1つの段差211から露出した絶縁体40を、上から順に第1絶縁体40t、第2絶縁体40mおよび第3絶縁体40bとする。
次に、例えば、図17(a)〜図18(b)を参照して説明した製造方法に従って、図23(b)に示す第1膜52aおよび第2膜52bを形成する。第1膜52aおよび第2膜52bの材料の選定条件は、第2実施形態と同様である。
その後、例えば、上述した第1実施形態および第2実施形態と同様の工程(リプレイス工程を除く)により、第3実施形態の半導体装置を形成する。詳細については、例えば、図9(a)〜図10(b)を参照されたい。
図25は、第4実施形態の半導体装置の模式断面図である。図25に示す断面図は、図3に示した断面図に対応する。図26は、図25中の破線枠26の拡大模式断面図である。
次に、第4実施形態の半導体装置におけるテラス111の幅の例について説明する。
図27(a)は、比較例の半導体装置の階段構造部302の模式平面図である。図27(b)は、図27(a)中の27B−27B線に沿う模式断面図である。図28(a)は、第4実施形態の半導体装置の階段構造部2の模式平面図である。図28(b)は、図28(a)中の28B−28B線に沿う模式断面図である。
(第4実施形態:製造方法)
次に、第4実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。
図32(a)〜図33(b)は、第4実施形態の半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
例えば、図5(a)〜図6(b)を参照した製造方法に従って、図32(a)に示す構造を得る。第4実施形態では、段差211は、2層の置換部材41および絶縁体40を含む。2層の置換部材41および絶縁体40の側面は、各段差211から露出している。また、各段差211の最上層に形成された置換部材41の上面は、積層体100から露出している。ここで、1つの段差211から露出した置換部材41を、上から順に第1置換部材41tおよび第2置換部材41mとする。
次に、図32(b)に示すように、積層体100上に、側壁膜53をコンフォーマルに形成する。側壁膜53として、例えば、シリコン酸化物が選ばれる。
次に、図33(b)に示すように、積層体100から露出した第1置換部材41を除去する。図の破線部は、第1置換部材41tの除去前の表面の位置を示す。第1置換部材41tを除去する方法として、例えば、側壁膜53をマスクとしたRIE法等の異方エッチングが用いられる。このとき、第2置換部材41mは、絶縁体40または側壁膜53に保護され、除去されない。これにより、各置換部材41の端部は、階段状に加工され、各置換部材41の端部の上面には、テラス121が形成される。また、第1置換部材41tを除去した部分には、絶縁体40の上面が露出する。テラス121は、側壁膜53と接するテラス121tと、絶縁体40と接するテラス121mと、が交互に配置されている。
その後、例えば、第1実施形態において、図9(b)〜図12を参照して説明した工程と同様の工程により、第4実施形態の半導体装置を形成する。
Claims (20)
- 複数の部材と、前記複数の部材とは異なる材料を有する複数の中間体と、が交互に積層された積層体を形成する工程と、
少なくとも2層の前記複数の部材の端部を、前記積層体の積層方向に順次加工し、前記複数の部材と、前記複数の中間体と、が積層された階段状の段差を形成する工程と、
前記段差に接する複数の側壁膜を形成する工程と、
前記複数の部材のうち、前記複数の側壁膜と離間し、前記積層体から露出する部分を後退させる加工を行い、前記複数の部材の端部を階段状にする工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。 - 前記複数の部材の端部を階段状にする工程は、
前記段差から露出した前記複数の部材の側面を、前記積層方向と交わる第1方向に、後退させる工程と、
前記複数の側壁膜を、前記積層方向に、後退させる工程と、
を含み、
前記複数の部材の側面を後退させる工程と、前記複数の側壁膜を後退させる工程と、を交互に実施する請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記複数の部材の端部を階段状にする工程は、前記複数の部材および前記複数の側壁膜を同時に後退させる工程を含む請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記複数の部材のエッチングレートは、前記複数の側壁膜のエッチングレートよりも大きい請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記複数の中間体は、前記段差の最上層に形成された第1層中間体を含み、
前記複数の部材は、前記第1層中間体の下に形成された第1層部材を含み、
前記複数の側壁膜を形成する工程は、前記第1層中間体と、前記第1層部材と、に接する第1側壁膜を形成する工程を含み、
前記複数の部材の端部を階段状にする工程は、
前記第1側壁膜を、前記積層方向に、後退させる工程と、
前記第1層部材の側面を、前記積層方向と交わる第1方向に、後退させる工程と、
を含み、
前記第1層部材は、前記第1側壁膜と離間し、前記段差から露出する請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記複数の部材は、
前記第1層部材の下に形成された第2層部材と、
前記第2層部材の下に形成された第3層部材と、
を含み、
前記第1層部材、第2層部材および第3層部材は、それぞれの部材間に前記複数の中間体の1つが設けられて積層され、
前記第1側壁膜を形成する工程は、前記第2層部材と、前記第3層部材と、に接する前記第1側壁膜を形成する工程を含み、
前記複数の部材の端部を階段状にする工程は、前記第1層部材の側面を、前記第1方向に後退させたあと、
前記第1側壁膜を、前記第2層部材と離間するまで前記積層方向に、後退させる工程と、
前記第1層部材の側面および前記第2層部材の側面を、前記第1方向に、後退させる工程と、
を含む請求項5記載の半導体装置の製造方法。 - 前記複数の側壁膜は、
前記段差と接する複数の第1膜と、
前記段差と離間し、前記複数の第1膜のエッチングレートよりも小さい複数の第2膜と、
を有し、
前記複数の部材の端部を階段状にする工程は、
前記複数の第1膜と離間し、前記段差から露出した前記複数の部材を、前記積層方向と交わる第1方向に、後退させる工程と、
前記複数の第1膜を、前記積層方向に、後退させる工程と、
を含む請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記複数の部材の端部を階段状にする工程は、前記積層体から露出した前記複数の部材を、前記積層方向に除去し、前記複数の中間体の上面を、前記複数の部材の除去部分から露出させる工程を含む請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記複数の部材は、前記複数の部材の端部の上面に複数のテラスを有し、
前記複数のテラスは、
前記複数の側壁膜と接する複数の第1テラスと、
前記複数の第1テラスとは異なる複数の第2テラスと、
を有し、
前記積層方向と交わる第1方向に沿って、前記複数の第1テラスの幅のばらつきは、前記複数の第2テラスの幅のばらつきよりも小さい請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記複数の部材の端部上に、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層と、前記複数の側壁膜と、を貫通し、前記複数の部材の端部に達するコンタクト部を形成する工程と、
をさらに備えた請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記複数の側壁膜は、シリコン酸化物を含む請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記積層体内を貫通するホールを形成する工程と、
前記ホール内壁に、電荷蓄積膜を含む絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の側面に、半導体ボディを形成する工程と、
をさらに備え、
前記ホールは、前記複数の部材の端部と離間する請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 上面に第1テラスを有する第1電極層と、
前記第1電極層上に設けられた第1絶縁体と、
を含む第1構造体と、
上面に第2テラスを有する第2電極層と、
前記第2電極層上に設けられた第2絶縁体と、
を含み、前記第1構造体上に、前記第1テラス上を除いて設けられた第2構造体と、
を含む積層体と、
前記第1テラス上に設けられ、前記第2構造体の上面と離間する第1側壁膜と、
を備えた半導体装置。 - 前記第1側壁膜は、前記第2構造体の側面と接する請求項13記載の半導体装置。
- 前記第1側壁膜および前記第2構造体と離間する第2側壁膜をさらに備え、
前記積層体は、前記第2構造体上に、前記第2テラス上を除いて設けられた第3構造体を含み、
前記第3構造体は、
上面に第3テラスを有する第3電極層と、
前記第3電極層上に設けられた第3絶縁体と、
を含み、
前記第2側壁膜は、前記第3テラス上に設けられ、前記第3構造体と接する請求項13記載の半導体装置。 - 前記第1側壁膜は、
前記第2構造体の側面と接する第1膜と、
前記第2構造体と離間し、前記第1膜のエッチングレートよりも小さい第2膜と、
を有し、
前記第1膜は、前記第2膜と、前記第2構造体と、の間に設けられ、
前記積層体の積層方向に沿った、前記第2膜の厚さは、前記第1膜の厚さよりも厚い請求項13記載の半導体装置。 - 前記第1構造体および前記第2構造体上に一体に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層内に設けられ、前記積層体の積層方向に延びる第1コンタクト部および第2コンタクト部と、
をさらに備え、
前記第1コンタクト部は、前記第1側壁膜および前記第1電極層と接し、前記第2電極層と離間し、
前記第2コンタクト部は、前記第2電極層と接し、前記第1電極層および前記第1側壁膜と離間する請求項13記載の半導体装置。 - 前記積層体内に設けられ、前記積層体の積層方向に延びる半導体ボディと、
前記半導体ボディと、前記第1電極層と、の間および前記半導体ボディと、前記第2電極層と、の間に設けられた電荷蓄積膜と、
をさらに備え、
前記半導体ボディは、前記第1テラスおよび前記第2テラスと離間する請求項13記載の半導体装置。 - 絶縁体を介して積層され、階段状に設けられた複数のテラスを含む複数の電極層、を含む積層体と、
前記複数のテラス上に設けられ、1以上のテラスを隔てて配置される複数の側壁膜と、
前記積層体内に設けられ、前記積層体の積層方向に延び、前記複数のテラスと離間する半導体ボディと、
前記積層体と、前記半導体ボディと、の間に設けられた電荷蓄積膜と、
前記複数のテラス上に設けられ、前記積層方向に延び、前記複数の電極層のうち1つの電極層と接し、その他の複数の電極層と離間する複数のコンタクト部と、
を備えた半導体装置。 - 前記複数のテラスは、
前記複数の側壁膜が上に設けられた複数の第1テラスと、
前記複数の第1テラスとは異なる複数の第2テラスと、
を有し、
前記積層方向に対して交わる第1方向に沿って、前記複数の第1テラスの幅のばらつきは、前記複数の第2テラスの幅のばらつきよりも小さい請求項19記載の半導体装置。
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