JP2017071551A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 第１主面を有する炭化珪素単結晶基板と、
   前記第１主面上の炭化珪素層とを備え、
   前記炭化珪素層は、前記炭化珪素単結晶基板と接する面と反対側の第２主面を含み、
   前記第２主面は、｛０００１｝面がオフ方向に傾斜した面であり、
   前記第２主面の最大径は、１００ｍｍ以上であり、
   前記第２主面は、前記第２主面の外縁から３ｍｍ以内の外周領域と、前記外周領域に取り囲まれた中央領域とを有し、
   前記中央領域には、前記オフ方向に対して垂直な直線に沿って並ぶ第１ハーフループの第１転位列があり、
   前記第１ハーフループは、前記第２主面に露出する一対の貫通刃状転位を含み、
   前記中央領域における前記第１転位列の面密度は、８本／ｃｍ ^２ 以下である、炭化珪素エピタキシャル基板。
2. 前記最大径は、１５０ｍｍ以上である、請求項１に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
3. 前記オフ方向は、＜１１−２０＞方向である、請求項１または請求項２に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
4. 前記中央領域には、前記オフ方向に対して傾斜する直線に沿って並ぶ第２ハーフループの第２転位列があり、
   前記第２ハーフループは、前記第２主面に露出する一対の貫通刃状転位を含み、
   前記中央領域おいて、前記第１転位列の面密度は、前記第２転位列の面密度よりも低い、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
5. 前記第２主面は、（０００１）面が４°以下傾斜した面である、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
6. 前記第２主面は、（０００−１）面が４°以下傾斜した面である、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
7. 第１主面を有する炭化珪素単結晶基板と、
   前記第１主面上の炭化珪素層とを備え、
   前記炭化珪素層は、前記炭化珪素単結晶基板と接する面と反対側の第２主面を含み、
   前記第２主面は、（０００１）面が＜１１−２０＞方向に４°以下傾斜した面であり、
   前記第２主面の最大径は、１５０ｍｍ以上であり、
   前記第２主面は、前記第２主面の外縁から３ｍｍ以内の外周領域と、前記外周領域に取り囲まれた中央領域とを有し、
   前記中央領域には、＜１１−２０＞方向に対して垂直な直線に沿って並ぶハーフループの転位列があり、
   前記ハーフループは、前記第２主面に露出する一対の貫通刃状転位を含み、
   前記中央領域における前記転位列の面密度は、８本／ｃｍ ^２ 以下である、炭化珪素エピタキシャル基板。
8. 請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板を準備する工程と、
   前記炭化珪素エピタキシャル基板を加工する工程とを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。