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  1. 第1主面を有する炭化珪素単結晶基板と、
    前記第1主面上の炭化珪素層とを備え、
    前記炭化珪素層は、前記炭化珪素単結晶基板と接する面と反対側の第2主面を含み、
    前記第2主面は、{0001}面がオフ方向に傾斜した面であり、
    前記第2主面の最大径は、100mm以上であり、
    前記第2主面は、前記第2主面の外縁から3mm以内の外周領域と、前記外周領域に取り囲まれた中央領域とを有し、
    前記中央領域には、前記オフ方向に対して垂直な直線に沿って並ぶ第1ハーフループの第1転位列があり、
    前記第1ハーフループは、前記第2主面に露出する一対の貫通刃状転位を含み、
    前記中央領域における前記第1転位列の面密度は、8本/cm 以下である、炭化珪素エピタキシャル基板。
  2. 前記最大径は、150mm以上である、請求項1に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
  3. 前記オフ方向は、<11−20>方向である、請求項1または請求項2に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
  4. 前記中央領域には、前記オフ方向に対して傾斜する直線に沿って並ぶ第2ハーフループの第2転位列があり、
    前記第2ハーフループは、前記第2主面に露出する一対の貫通刃状転位を含み、
    前記中央領域おいて、前記第1転位列の面密度は、前記第2転位列の面密度よりも低い、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
  5. 前記第2主面は、(0001)面が4°以下傾斜した面である、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
  6. 前記第2主面は、(000−1)面が4°以下傾斜した面である、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
  7. 第1主面を有する炭化珪素単結晶基板と、
    前記第1主面上の炭化珪素層とを備え、
    前記炭化珪素層は、前記炭化珪素単結晶基板と接する面と反対側の第2主面を含み、
    前記第2主面は、(0001)面が<11−20>方向に4°以下傾斜した面であり、
    前記第2主面の最大径は、150mm以上であり、
    前記第2主面は、前記第2主面の外縁から3mm以内の外周領域と、前記外周領域に取り囲まれた中央領域とを有し、
    前記中央領域には、<11−20>方向に対して垂直な直線に沿って並ぶハーフループの転位列があり、
    前記ハーフループは、前記第2主面に露出する一対の貫通刃状転位を含み、
    前記中央領域における前記転位列の面密度は、8本/cm 以下である、炭化珪素エピタキシャル基板。
  8. 請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板を準備する工程と、
    前記炭化珪素エピタキシャル基板を加工する工程とを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。
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