JP2016023123A5 - - Google Patents

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（４）本発明の一態様に係るＧａＮ基板においては、窒化ガリウム基板の表面の１辺が２ｍｍの正方形の領域に、酸素濃度が５×１０17ｃｍ -3 以上の領域と、５×１０17ｃｍ -3 未満の領域とが含まれることが好ましい。

Claims (5)

  1. 直径が１００ｍｍ以上の表面を有する窒化ガリウム基板であって、
    前記窒化ガリウム基板の前記表面の中央と周縁の４箇所の合計５箇所のそれぞれの箇所の１辺が２ｍｍの正方形の領域における顕微ラマン散乱マッピング測定におけるＥ2 Hフォノンモードに対応するピークの最大ピーク時の波数の最大値と最小値との差が０．１ｃｍ-1以上２ｃｍ-1以下であって、
    前記５箇所の全測定点におけるＥ2 Hフォノンモードに対応するピークの最大ピーク時の波数の最大値と最小値との差が２ｃｍ-1以下である、窒化ガリウム基板。
  2. 前記直径が１５０ｍｍ以上であって、
    前記窒化ガリウム基板の前記表面の前記中央と前記周縁の４箇所の合計５箇所のそれぞれの箇所の１辺が２ｍｍの正方形の領域における顕微ラマン散乱マッピング測定におけるＥ2 Hフォノンモードに対応するピークの最大ピーク時の波数の最大値と最小値との差が０．１ｃｍ-1以上１ｃｍ-1以下であって、
    前記５箇所の全測定点におけるＥ2 Hフォノンモードに対応するピークの最大ピーク時の波数の最大値と最小値との差が１ｃｍ-1以下である、請求項１に記載の窒化ガリウム基板。
  3. 前記窒化ガリウム基板の前記表面の１辺が２ｍｍの正方形の領域に、貫通転位密度が１×１０6ｃｍ-2以上の領域と、貫通転位密度が１×１０6ｃｍ-2未満の領域とが含まれる、請求項１または請求項２に記載の窒化ガリウム基板。
  4. 前記窒化ガリウム基板の前記表面の１辺が２ｍｍの正方形の領域に、酸素濃度が５×１０17ｃｍ -3 以上の領域と、５×１０17ｃｍ -3 未満の領域とが含まれる、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の窒化ガリウム基板。
  5. 請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の窒化ガリウム基板と、支持基板とが貼り合わされてなる、貼り合わせ基板。
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