JP2016164120A5 - - Google Patents

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JP2016164120A5
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本発明は、以下の構成より成るものである。
（１）表面の基底面転位密度が１００個/cm2以上１０００個/cm2以下、貫通螺旋転位密度が１６０個/cm2以上５００個/cm2以下、かつ、ラマン指数が０．０３以上０．２以下である、口径１５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下の炭化珪素単結晶ウェハ。
（２）表面の基底面転位密度が８０個/cm2以上５００個/cm2以下、貫通螺旋転位密度が１１０個/cm2以上３００個/cm2以下、かつ、ラマン指数が−０．０２以上０．１５以下である、口径１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下の炭化珪素単結晶ウェハ。
（３）ラマン指数が０．１５以下である（１）に記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
（４）ラマン指数が０．１以下である（１）又は（２）に記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
（５）表面の基底面転位密度が５００個/cm2以下である（１）に記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
（６）表面の基底面転位密度が３００個/cm2以下である（１）又は（２）に記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
（７）表面の基底面転位密度が１００個/cm2以下である（２）に記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
（８）貫通螺旋転位密度が３００個/cm2以下である（１）に記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
（９）貫通螺旋転位密度が２００個/cm2以下である（１）又は（２）に記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
（１０）表面の基底面転位密度と貫通螺旋転位密度との合計が２６０個/cm2以上１０００個/cm2以下である（１）に記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
（１１）表面の基底面転位密度と貫通螺旋転位密度との合計が１９０個/cm2以上１０００個/cm2以下である（２）に記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
（１２）表面の基底面転位密度と貫通螺旋転位密度との合計が５００個/cm2以下である（１）又は（２）に記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
（１３）表面の基底面転位密度と貫通螺旋転位密度との合計が３００個/cm2以下である（１）又は（２）に記載の炭化珪素単結晶ウェハ。

Claims (1)

  1. 表面の基底面転位密度が８０個/cm2以上５００個/cm2以下、貫通螺旋転位密度が１１０個/cm2以上３００個/cm2以下、かつ、ラマン指数が−０．０２以上０．１５以下である、口径１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下の炭化珪素単結晶ウェハ。
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