RU2009128751A - Сапфировые подложки и способы их изготовления - Google Patents
Сапфировые подложки и способы их изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009128751A RU2009128751A RU2009128751/05A RU2009128751A RU2009128751A RU 2009128751 A RU2009128751 A RU 2009128751A RU 2009128751/05 A RU2009128751/05 A RU 2009128751/05A RU 2009128751 A RU2009128751 A RU 2009128751A RU 2009128751 A RU2009128751 A RU 2009128751A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- flat surface
- sapphire substrate
- approximately
- plane
- normalized
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
Abstract
1. Сапфировая подложка, которая содержит: ! плоскую поверхность, имеющую кристаллографическую ориентацию, выбранную из группы, в которую входят ориентации в a-плоскости, r-плоскости, m-плоскости и c-плоскости, и которая имеет nTTV ориентировочно не более 0,037 мкм/см2, причем nTTV представляет собой изменение полной толщины, нормализованное относительно площади плоской поверхности, при этом подложка имеет диаметр ориентировочно не меньше чем 9,0 см. ! 2. Сапфировая подложка по п.1, у которой nTTV ориентировочно не превышает 0,035 мкм/см2. ! 3. Сапфировая подложка по п.1, у которой плоская поверхность имеет шероховатость Ra ориентировочно не более 10,0 Å. ! 4. Сапфировая подложка по п.1, имеющая n плоскостность не более 0,100 мкм/см2, причем n плоскостность представляет собой плоскостность плоской поверхности, нормализованную по площади плоской поверхности. ! 5. Сапфировая подложка по п.1, имеющая n изгиб не более 0,100 мкм/см2, причем n изгиб представляет собой изгиб подложки, нормализованный по площади плоской поверхности. ! 6. Сапфировая подложка по п.1, имеющая n коробление не более 0,190 мкм/см2, причем n коробление представляет собой коробление подложки, нормализованное по площади плоской поверхности. ! 7. Сапфировая подложка по п.1, у которой плоская поверхность сапфировой подложки имеет плотность дислокации не более 1Е8/см2. !8. Сапфировая подложка по п.1, у которой плоская поверхность имеет площадь поверхности ориентировочно не меньше чем 70 см2. ! 9. Сапфировая подложка по п.1, имеющая диаметр ориентировочно не меньше чем 10,0 см. ! 10. Сапфировая подложка, которая содержит: ! плоскую поверхность, имеющую кристаллографическую ориентацию, выбранную из груп
Claims (15)
1. Сапфировая подложка, которая содержит:
плоскую поверхность, имеющую кристаллографическую ориентацию, выбранную из группы, в которую входят ориентации в a-плоскости, r-плоскости, m-плоскости и c-плоскости, и которая имеет nTTV ориентировочно не более 0,037 мкм/см2, причем nTTV представляет собой изменение полной толщины, нормализованное относительно площади плоской поверхности, при этом подложка имеет диаметр ориентировочно не меньше чем 9,0 см.
2. Сапфировая подложка по п.1, у которой nTTV ориентировочно не превышает 0,035 мкм/см2.
3. Сапфировая подложка по п.1, у которой плоская поверхность имеет шероховатость Ra ориентировочно не более 10,0 Å.
4. Сапфировая подложка по п.1, имеющая n плоскостность не более 0,100 мкм/см2, причем n плоскостность представляет собой плоскостность плоской поверхности, нормализованную по площади плоской поверхности.
5. Сапфировая подложка по п.1, имеющая n изгиб не более 0,100 мкм/см2, причем n изгиб представляет собой изгиб подложки, нормализованный по площади плоской поверхности.
6. Сапфировая подложка по п.1, имеющая n коробление не более 0,190 мкм/см2, причем n коробление представляет собой коробление подложки, нормализованное по площади плоской поверхности.
7. Сапфировая подложка по п.1, у которой плоская поверхность сапфировой подложки имеет плотность дислокации не более 1Е8/см2.
8. Сапфировая подложка по п.1, у которой плоская поверхность имеет площадь поверхности ориентировочно не меньше чем 70 см2.
9. Сапфировая подложка по п.1, имеющая диаметр ориентировочно не меньше чем 10,0 см.
10. Сапфировая подложка, которая содержит:
плоскую поверхность, имеющую кристаллографическую ориентацию, выбранную из группы, в которую входят ориентации в a-плоскости, r-плоскости, m-плоскости и c-плоскости, и которая имеет TTV ориентировочно не более 3,00 мкм, причем TTV представляет собой изменение полной толщины плоской поверхности, при этом подложка имеет диаметр ориентировочно не меньше чем 9,5 см и толщину ориентировочно не больше чем 525 мкм.
11. Сапфировая подложка по п.10, у которой толщина ориентировочно не превышает 500 мкм.
12. Сапфировая подложка по п.10, у которой плоская поверхность имеет шероховатость Ra ориентировочно не более 5,0 Å.
13. Сапфировая подложка по п.10, имеющая n плоскостность не более 0,100 мкм/см2, причем n плоскостность представляет собой плоскостность плоской поверхности, нормализованную по площади поверхности плоской поверхности.
14. Сапфировая подложка по п.13, у которой площадь поверхности составляет ориентировочно не меньше чем 70 см2.
15. Сапфировая подложка, которая содержит:
плоскую поверхность, имеющую кристаллографическую ориентацию, выбранную из группы, в которую входят ориентации в a-плоскости, r-плоскости, m-плоскости и c-плоскости, и которая имеет nTTV ориентировочно не более 0,025 мкм/см2, причем nTTV представляет собой изменение полной толщины, нормализованное относительно площади плоской поверхности, при этом подложка имеет диаметр ориентировочно не меньше чем 9,0 см.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US88234306P | 2006-12-28 | 2006-12-28 | |
| US60/882,343 | 2006-12-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2009128751A true RU2009128751A (ru) | 2011-02-10 |
| RU2414550C1 RU2414550C1 (ru) | 2011-03-20 |
Family
ID=39272277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009128751/05A RU2414550C1 (ru) | 2006-12-28 | 2007-12-21 | Сапфировая подложка (варианты) |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7956356B2 (ru) |
| EP (3) | EP2865790A1 (ru) |
| JP (2) | JP2010514581A (ru) |
| KR (1) | KR101203932B1 (ru) |
| CN (1) | CN101600820B (ru) |
| CA (1) | CA2673660C (ru) |
| RU (1) | RU2414550C1 (ru) |
| TW (1) | TWI372796B (ru) |
| UA (1) | UA97969C2 (ru) |
| WO (1) | WO2008083073A1 (ru) |
Families Citing this family (107)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110124355A (ko) | 2006-12-28 | 2011-11-16 | 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 | 사파이어 기판 및 그 제조 방법 |
| US8740670B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-06-03 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrates and methods of making same |
| US8847249B2 (en) | 2008-06-16 | 2014-09-30 | Soraa, Inc. | Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions |
| US8259769B1 (en) | 2008-07-14 | 2012-09-04 | Soraa, Inc. | Integrated total internal reflectors for high-gain laser diodes with high quality cleaved facets on nonpolar/semipolar GaN substrates |
| US8805134B1 (en) | 2012-02-17 | 2014-08-12 | Soraa Laser Diode, Inc. | Methods and apparatus for photonic integration in non-polar and semi-polar oriented wave-guided optical devices |
| US8143148B1 (en) | 2008-07-14 | 2012-03-27 | Soraa, Inc. | Self-aligned multi-dielectric-layer lift off process for laser diode stripes |
| US8124996B2 (en) | 2008-08-04 | 2012-02-28 | Soraa, Inc. | White light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and phosphors |
| US8284810B1 (en) | 2008-08-04 | 2012-10-09 | Soraa, Inc. | Solid state laser device using a selected crystal orientation in non-polar or semi-polar GaN containing materials and methods |
| JP2010161354A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-07-22 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子用テンプレート基板、半導体発光素子用テンプレート基板の製造方法、半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子 |
| US8247886B1 (en) | 2009-03-09 | 2012-08-21 | Soraa, Inc. | Polarization direction of optical devices using selected spatial configurations |
| EP2390685A4 (en) * | 2009-03-09 | 2012-09-26 | Olympus Medical Systems Corp | METHOD FOR MANUFACTURING A MONOCRYSTAL OPTICAL LENS |
| US8422525B1 (en) | 2009-03-28 | 2013-04-16 | Soraa, Inc. | Optical device structure using miscut GaN substrates for laser applications |
| US8254425B1 (en) | 2009-04-17 | 2012-08-28 | Soraa, Inc. | Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications |
| US8837545B2 (en) | 2009-04-13 | 2014-09-16 | Soraa Laser Diode, Inc. | Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications |
| US8634442B1 (en) | 2009-04-13 | 2014-01-21 | Soraa Laser Diode, Inc. | Optical device structure using GaN substrates for laser applications |
| US8294179B1 (en) | 2009-04-17 | 2012-10-23 | Soraa, Inc. | Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications |
| US8242522B1 (en) | 2009-05-12 | 2012-08-14 | Soraa, Inc. | Optical device structure using non-polar GaN substrates and growth structures for laser applications in 481 nm |
| CN102396083B (zh) | 2009-04-13 | 2015-12-16 | 天空激光二极管有限公司 | 用于激光器应用的使用gan衬底的光学装置结构 |
| US8416825B1 (en) | 2009-04-17 | 2013-04-09 | Soraa, Inc. | Optical device structure using GaN substrates and growth structure for laser applications |
| US8791499B1 (en) | 2009-05-27 | 2014-07-29 | Soraa, Inc. | GaN containing optical devices and method with ESD stability |
| US9829780B2 (en) | 2009-05-29 | 2017-11-28 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser light source for a vehicle |
| US10108079B2 (en) | 2009-05-29 | 2018-10-23 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser light source for a vehicle |
| US9800017B1 (en) | 2009-05-29 | 2017-10-24 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser device and method for a vehicle |
| US8509275B1 (en) | 2009-05-29 | 2013-08-13 | Soraa, Inc. | Gallium nitride based laser dazzling device and method |
| US9250044B1 (en) | 2009-05-29 | 2016-02-02 | Soraa Laser Diode, Inc. | Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use |
| US8427590B2 (en) | 2009-05-29 | 2013-04-23 | Soraa, Inc. | Laser based display method and system |
| US8247887B1 (en) * | 2009-05-29 | 2012-08-21 | Soraa, Inc. | Method and surface morphology of non-polar gallium nitride containing substrates |
| US9000466B1 (en) | 2010-08-23 | 2015-04-07 | Soraa, Inc. | Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening |
| US8314429B1 (en) | 2009-09-14 | 2012-11-20 | Soraa, Inc. | Multi color active regions for white light emitting diode |
| US8750342B1 (en) | 2011-09-09 | 2014-06-10 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser diodes with scribe structures |
| US8355418B2 (en) | 2009-09-17 | 2013-01-15 | Soraa, Inc. | Growth structures and method for forming laser diodes on {20-21} or off cut gallium and nitrogen containing substrates |
| DE112010003700T5 (de) | 2009-09-18 | 2013-02-28 | Soraa, Inc. | Power-leuchtdiode und verfahren mit stromdichtebetrieb |
| US9293644B2 (en) | 2009-09-18 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | Power light emitting diode and method with uniform current density operation |
| US9583678B2 (en) | 2009-09-18 | 2017-02-28 | Soraa, Inc. | High-performance LED fabrication |
| US8933644B2 (en) | 2009-09-18 | 2015-01-13 | Soraa, Inc. | LED lamps with improved quality of light |
| WO2011084887A1 (en) * | 2010-01-06 | 2011-07-14 | Avantor Performance Materials, Inc. | Chemical compositions for wet chemical modification of sapphire surfaces |
| US8905588B2 (en) | 2010-02-03 | 2014-12-09 | Sorra, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
| US10147850B1 (en) | 2010-02-03 | 2018-12-04 | Soraa, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
| KR101139481B1 (ko) * | 2010-03-25 | 2012-04-30 | 주식회사 크리스탈온 | 인조 단결정 강옥 잉곳 절단 방법 |
| US9927611B2 (en) | 2010-03-29 | 2018-03-27 | Soraa Laser Diode, Inc. | Wearable laser based display method and system |
| US8451876B1 (en) | 2010-05-17 | 2013-05-28 | Soraa, Inc. | Method and system for providing bidirectional light sources with broad spectrum |
| US9450143B2 (en) | 2010-06-18 | 2016-09-20 | Soraa, Inc. | Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices |
| JP2012009695A (ja) | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、電子機器及び機械装置 |
| US9064836B1 (en) * | 2010-08-09 | 2015-06-23 | Sandisk Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. | Extrinsic gettering on semiconductor devices |
| US8816319B1 (en) | 2010-11-05 | 2014-08-26 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method of strain engineering and related optical device using a gallium and nitrogen containing active region |
| US8975615B2 (en) | 2010-11-09 | 2015-03-10 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method of fabricating optical devices using laser treatment of contact regions of gallium and nitrogen containing material |
| US9048170B2 (en) | 2010-11-09 | 2015-06-02 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method of fabricating optical devices using laser treatment |
| US9318875B1 (en) | 2011-01-24 | 2016-04-19 | Soraa Laser Diode, Inc. | Color converting element for laser diode |
| US9025635B2 (en) | 2011-01-24 | 2015-05-05 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a support member |
| US8786053B2 (en) | 2011-01-24 | 2014-07-22 | Soraa, Inc. | Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture |
| US9595813B2 (en) | 2011-01-24 | 2017-03-14 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a substrate member |
| US9093820B1 (en) | 2011-01-25 | 2015-07-28 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method and structure for laser devices using optical blocking regions |
| US9287684B2 (en) | 2011-04-04 | 2016-03-15 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters with color wheel |
| US8686431B2 (en) | 2011-08-22 | 2014-04-01 | Soraa, Inc. | Gallium and nitrogen containing trilateral configuration for optical devices |
| US8971370B1 (en) | 2011-10-13 | 2015-03-03 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser devices using a semipolar plane |
| US8912025B2 (en) | 2011-11-23 | 2014-12-16 | Soraa, Inc. | Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process |
| US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
| WO2013134432A1 (en) | 2012-03-06 | 2013-09-12 | Soraa, Inc. | Light emitting diodes with low refractive index material layers to reduce light guiding effects |
| US9020003B1 (en) | 2012-03-14 | 2015-04-28 | Soraa Laser Diode, Inc. | Group III-nitride laser diode grown on a semi-polar orientation of gallium and nitrogen containing substrates |
| US9343871B1 (en) | 2012-04-05 | 2016-05-17 | Soraa Laser Diode, Inc. | Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode |
| US9800016B1 (en) | 2012-04-05 | 2017-10-24 | Soraa Laser Diode, Inc. | Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode |
| US10559939B1 (en) | 2012-04-05 | 2020-02-11 | Soraa Laser Diode, Inc. | Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode |
| US9088135B1 (en) | 2012-06-29 | 2015-07-21 | Soraa Laser Diode, Inc. | Narrow sized laser diode |
| US9221289B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Sapphire window |
| US9184563B1 (en) | 2012-08-30 | 2015-11-10 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser diodes with an etched facet and surface treatment |
| US9978904B2 (en) | 2012-10-16 | 2018-05-22 | Soraa, Inc. | Indium gallium nitride light emitting devices |
| US8802471B1 (en) | 2012-12-21 | 2014-08-12 | Soraa, Inc. | Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices |
| US9232672B2 (en) | 2013-01-10 | 2016-01-05 | Apple Inc. | Ceramic insert control mechanism |
| TW201430177A (zh) * | 2013-01-22 | 2014-08-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 藍寶石襯底的製造方法 |
| US9166372B1 (en) | 2013-06-28 | 2015-10-20 | Soraa Laser Diode, Inc. | Gallium nitride containing laser device configured on a patterned substrate |
| US8994033B2 (en) | 2013-07-09 | 2015-03-31 | Soraa, Inc. | Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices |
| US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US9520695B2 (en) | 2013-10-18 | 2016-12-13 | Soraa Laser Diode, Inc. | Gallium and nitrogen containing laser device having confinement region |
| US9362715B2 (en) | 2014-02-10 | 2016-06-07 | Soraa Laser Diode, Inc | Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material |
| US9379525B2 (en) | 2014-02-10 | 2016-06-28 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable laser diode |
| US9368939B2 (en) | 2013-10-18 | 2016-06-14 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable laser diode formed on C-plane gallium and nitrogen material |
| US9419189B1 (en) | 2013-11-04 | 2016-08-16 | Soraa, Inc. | Small LED source with high brightness and high efficiency |
| US9154678B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-10-06 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
| US9209596B1 (en) | 2014-02-07 | 2015-12-08 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturing a laser diode device from a plurality of gallium and nitrogen containing substrates |
| US9520697B2 (en) | 2014-02-10 | 2016-12-13 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable multi-emitter laser diode |
| US9871350B2 (en) | 2014-02-10 | 2018-01-16 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable RGB laser diode source |
| US9225056B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
| US9564736B1 (en) | 2014-06-26 | 2017-02-07 | Soraa Laser Diode, Inc. | Epitaxial growth of p-type cladding regions using nitrogen gas for a gallium and nitrogen containing laser diode |
| CN208557082U (zh) | 2014-08-27 | 2019-03-01 | 苹果公司 | 一种电子设备和用于电子设备的盖 |
| US9246311B1 (en) | 2014-11-06 | 2016-01-26 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method of manufacture for an ultraviolet laser diode |
| US9666677B1 (en) | 2014-12-23 | 2017-05-30 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable thin film gallium and nitrogen containing devices |
| US9653642B1 (en) | 2014-12-23 | 2017-05-16 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable RGB display based on thin film gallium and nitrogen containing light emitting diodes |
| US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
| US10938182B2 (en) | 2015-08-19 | 2021-03-02 | Soraa Laser Diode, Inc. | Specialized integrated light source using a laser diode |
| US11437775B2 (en) | 2015-08-19 | 2022-09-06 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Integrated light source using a laser diode |
| US10879673B2 (en) | 2015-08-19 | 2020-12-29 | Soraa Laser Diode, Inc. | Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package |
| US11437774B2 (en) | 2015-08-19 | 2022-09-06 | Kyocera Sld Laser, Inc. | High-luminous flux laser-based white light source |
| US9787963B2 (en) | 2015-10-08 | 2017-10-10 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser lighting having selective resolution |
| JP6135954B2 (ja) * | 2015-10-22 | 2017-05-31 | ウシオ電機株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
| JP6628133B2 (ja) * | 2015-11-05 | 2020-01-08 | 学校法人 名城大学 | 紫外線受光素子 |
| RU2635132C1 (ru) * | 2017-02-20 | 2017-11-09 | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Компас" (ООО "НТЦ "Компас") | Полировальная суспензия для сапфировых подложек |
| JP6785176B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2020-11-18 | 日本碍子株式会社 | 窒化ガリウム結晶からなる自立基板の製造方法 |
| CN109314159B (zh) | 2017-05-26 | 2022-03-22 | 创光科学株式会社 | 模板、氮化物半导体紫外线发光元件和模板的制造方法 |
| US10771155B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-09-08 | Soraa Laser Diode, Inc. | Intelligent visible light with a gallium and nitrogen containing laser source |
| US10222474B1 (en) | 2017-12-13 | 2019-03-05 | Soraa Laser Diode, Inc. | Lidar systems including a gallium and nitrogen containing laser light source |
| US10551728B1 (en) | 2018-04-10 | 2020-02-04 | Soraa Laser Diode, Inc. | Structured phosphors for dynamic lighting |
| US11239637B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-02-01 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Fiber delivered laser induced white light system |
| US11421843B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-08-23 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Fiber-delivered laser-induced dynamic light system |
| US11884202B2 (en) | 2019-01-18 | 2024-01-30 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser-based fiber-coupled white light system |
| US11228158B2 (en) | 2019-05-14 | 2022-01-18 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Manufacturable laser diodes on a large area gallium and nitrogen containing substrate |
| US10903623B2 (en) | 2019-05-14 | 2021-01-26 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method and structure for manufacturable large area gallium and nitrogen containing substrate |
Family Cites Families (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795899A (en) * | 1980-12-09 | 1982-06-14 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Correcting method for deformed sapphire single crystal sheet |
| JPS6296400A (ja) | 1985-10-23 | 1987-05-02 | Mitsubishi Metal Corp | ウエハの製造方法 |
| JP2509265B2 (ja) * | 1987-12-22 | 1996-06-19 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェ―ハの製造方法及びその装置 |
| JPH05235312A (ja) * | 1992-02-19 | 1993-09-10 | Fujitsu Ltd | 半導体基板及びその製造方法 |
| JPH10166259A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-23 | Okamoto Kosaku Kikai Seisakusho:Kk | サファイア基板研削研磨方法および装置 |
| JP3526509B2 (ja) * | 1997-03-27 | 2004-05-17 | 京セラ株式会社 | 磁気ディスク用基板 |
| JP4264992B2 (ja) | 1997-05-28 | 2009-05-20 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6102789A (en) | 1998-03-27 | 2000-08-15 | Norton Company | Abrasive tools |
| US6019668A (en) | 1998-03-27 | 2000-02-01 | Norton Company | Method for grinding precision components |
| US6394888B1 (en) | 1999-05-28 | 2002-05-28 | Saint-Gobain Abrasive Technology Company | Abrasive tools for grinding electronic components |
| US6685539B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
| US6495463B2 (en) | 1999-09-28 | 2002-12-17 | Strasbaugh | Method for chemical mechanical polishing |
| US6346036B1 (en) | 1999-10-28 | 2002-02-12 | Strasbaugh | Multi-pad apparatus for chemical mechanical planarization |
| US20020052169A1 (en) | 2000-03-17 | 2002-05-02 | Krishna Vepa | Systems and methods to significantly reduce the grinding marks in surface grinding of semiconductor wafers |
| EP1280631B1 (en) | 2000-05-09 | 2005-08-17 | 3M Innovative Properties Company | Porous abrasive article having ceramic abrasive composites, methods of making, and methods of use |
| JP4651207B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2011-03-16 | 京セラ株式会社 | 半導体用基板とその製造方法 |
| US6685755B2 (en) | 2001-11-21 | 2004-02-03 | Saint-Gobain Abrasives Technology Company | Porous abrasive tool and method for making the same |
| JP2003165798A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-10 | Hitachi Cable Ltd | 窒化ガリウム単結晶基板の製造方法、窒化ガリウム単結晶のエピタキシャル成長自立基板、及びその上に形成したデバイス素子 |
| US6844084B2 (en) * | 2002-04-03 | 2005-01-18 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Spinel substrate and heteroepitaxial growth of III-V materials thereon |
| JP3613345B2 (ja) * | 2002-09-11 | 2005-01-26 | 株式会社Ｎｅｏｍａｘ | 研磨装置および研磨装置用キャリア |
| US6921719B2 (en) | 2002-10-31 | 2005-07-26 | Strasbaugh, A California Corporation | Method of preparing whole semiconductor wafer for analysis |
| US6869894B2 (en) * | 2002-12-20 | 2005-03-22 | General Chemical Corporation | Spin-on adhesive for temporary wafer coating and mounting to support wafer thinning and backside processing |
| CA2515762A1 (en) * | 2003-02-28 | 2004-09-16 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Annealing method for halide crystal |
| KR100550491B1 (ko) * | 2003-05-06 | 2006-02-09 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 질화물 반도체 기판 및 질화물 반도체 기판의 가공 방법 |
| US7115480B2 (en) * | 2003-05-07 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Micromechanical strained semiconductor by wafer bonding |
| JP4345357B2 (ja) | 2003-05-27 | 2009-10-14 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 半導体ウェーハの製造方法 |
| US7439158B2 (en) * | 2003-07-21 | 2008-10-21 | Micron Technology, Inc. | Strained semiconductor by full wafer bonding |
| DE102004010377A1 (de) | 2004-03-03 | 2005-09-22 | Schott Ag | Herstellung von Substratwafern für defektarme Halbleiterbauteile, ihre Verwendung, sowie damit erhaltene Bauteile |
| JP2005255463A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | サファイア基板とその製造方法 |
| JP3888374B2 (ja) | 2004-03-17 | 2007-02-28 | 住友電気工業株式会社 | ＧａＮ単結晶基板の製造方法 |
| WO2006031641A2 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Cree, Inc. | Method of manufacturing carrier wafer and resulting carrier wafer structures |
| GB2423819B (en) * | 2004-09-17 | 2008-02-06 | Pacific Biosciences California | Apparatus and method for analysis of molecules |
| US20060130767A1 (en) | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Applied Materials, Inc. | Purged vacuum chuck with proximity pins |
| JP4646638B2 (ja) | 2005-01-14 | 2011-03-09 | 株式会社リコー | 表面研磨加工法及び加工装置 |
| DE102005021099A1 (de) | 2005-05-06 | 2006-12-07 | Universität Ulm | GaN-Schichten |
| KR101225470B1 (ko) | 2006-09-22 | 2013-01-24 | 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 | Ｃ－플레인 사파이어 장치 |
| RU2422259C2 (ru) | 2006-12-28 | 2011-06-27 | Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк. | Способ механической обработки сапфировой подложки |
-
2007
- 2007-12-21 WO PCT/US2007/088550 patent/WO2008083073A1/en active Application Filing
- 2007-12-21 CN CN2007800487932A patent/CN101600820B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-21 EP EP20140198335 patent/EP2865790A1/en not_active Withdrawn
- 2007-12-21 KR KR1020097013038A patent/KR101203932B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-12-21 EP EP13183176.0A patent/EP2671975B1/en not_active Not-in-force
- 2007-12-21 EP EP07865951.3A patent/EP2099955B1/en not_active Not-in-force
- 2007-12-21 JP JP2009544218A patent/JP2010514581A/ja active Pending
- 2007-12-21 CA CA2673660A patent/CA2673660C/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-21 TW TW096149563A patent/TWI372796B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-12-21 RU RU2009128751/05A patent/RU2414550C1/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-12-21 US US11/963,369 patent/US7956356B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-21 UA UAA200906860A patent/UA97969C2/ru unknown
-
2012
- 2012-08-24 JP JP2012185056A patent/JP5596090B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2671975A1 (en) | 2013-12-11 |
| TWI372796B (en) | 2012-09-21 |
| JP2012250344A (ja) | 2012-12-20 |
| US20080164578A1 (en) | 2008-07-10 |
| EP2099955A1 (en) | 2009-09-16 |
| TW200848557A (en) | 2008-12-16 |
| CA2673660A1 (en) | 2008-07-10 |
| UA97969C2 (ru) | 2012-04-10 |
| KR101203932B1 (ko) | 2012-11-23 |
| JP2010514581A (ja) | 2010-05-06 |
| JP5596090B2 (ja) | 2014-09-24 |
| WO2008083073A1 (en) | 2008-07-10 |
| CN101600820A (zh) | 2009-12-09 |
| EP2671975B1 (en) | 2015-02-11 |
| EP2099955B1 (en) | 2015-09-23 |
| RU2414550C1 (ru) | 2011-03-20 |
| CN101600820B (zh) | 2012-08-15 |
| KR20090088417A (ko) | 2009-08-19 |
| EP2865790A1 (en) | 2015-04-29 |
| US7956356B2 (en) | 2011-06-07 |
| CA2673660C (en) | 2012-07-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2009128751A (ru) | Сапфировые подложки и способы их изготовления | |
| UA98314C2 (ru) | Сапфирные подложки и процессы их изготовления | |
| ATE545481T1 (de) | Verfahren zum schleifen eines substrats aus saphir | |
| TW200741043A (en) | GaN crystal substrate and method of manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor device | |
| TWI644346B (zh) | Ｉｉｉ族氮化物複合基板與其製造方法、及ｉｉｉ族氮化物半導體裝置之製造方法 | |
| JP2007217216A5 (ja) | ＧａＮ結晶基板 | |
| JP2006108435A (ja) | 窒化物半導体ウエハ | |
| EP1732145A3 (en) | Method for manufacturing nitride-based semiconductor device | |
| JP2005298319A5 (ru) | ||
| JP2008538658A5 (ru) | ||
| CN107881557A (zh) | 氮化物晶体衬底的制造方法及氮化物晶体层叠体 | |
| JP2017071551A5 (ru) | ||
| EP1860168A3 (en) | Pressure-sensitive adhesive sheet | |
| CN106068546B (zh) | 半导体外延晶圆的制造方法及半导体外延晶圆 | |
| DE602005020911D1 (de) | Sequentielle lithographische verfahren zur reduktion von stapelfehler-nukleierungsstellen und strukturen mit verringerten stapelfehler-nukleierungsstellen | |
| RU2008128490A (ru) | КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДЛОЖКА ИЗ AlxGayIn1-x-yN, ПОЛУПРОВОДНИКОВ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | |
| TW200701340A (en) | Gan film generating method, semiconductor element, thin film generating method of group iii nitride, and semiconductor element having thin film of group iii nitride | |
| JP2008127252A5 (ru) | ||
| SG178974A1 (en) | Semiconductor substrate, method for producing semiconductor substrate, substrate for semiconductor growth, method for producing substrate for semiconductor growth, semiconductor element, light-emitting element, display panel, electronic element, solar cell element, and electronic device | |
| WO2003065465A3 (en) | Boron phosphide-based semiconductor device, production method thereof, light-emitting diode and boron phosphide-based semiconductor layer | |
| TW201232773A (en) | Method for manufacturing hexagonal semiconductor plate crystal | |
| JP2010235392A (ja) | 支持基板、貼り合わせ基板、支持基板の製造方法、及び貼り合わせ基板の製造方法 | |
| JP2008290919A5 (ru) | ||
| JP2011146506A5 (ru) | ||
| CN105826438B (zh) | 一种具有金属缓冲层的发光二极管及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20171222 |