JP2012214376A5

JP2012214376A5 -

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Publication number: JP2012214376A5
Application number: JP2012123227A
Authority: JP
Filing date: 2012-05-30
Publication date: 2012-12-20

Claims

種結晶使用昇華システムにおいて炭化珪素（ＳｉＣ）のバルク単結晶を生産する方法において、
直径が少なくとも約７５ミリメートル（３インチ）のＳｉＣブールを成長させるステップと、
前記ＳｉＣブールを薄切りにして少なくとも１つのウェハを得るステップと、
その後、内層面損傷が前記ウェハの各側において実質的に同一となり、かつ、前記ウェハにおける歪みが約０．０５μｍ〜約５μｍの範囲で、反りが約０．０５μｍ〜約５μｍの範囲で、ＴＴＶが約０．５μｍ〜約２μｍの範囲となるように、前記ウェハをラッピングするステップと
から成ることを特徴とする方法。
請求項１記載の方法において、該方法はさらに、前記ウェハを研磨するステップを備えていることを特徴とする方法。
請求項１又は２記載の方法において、ＳｉＣブールを成長させるステップは、ＳｉＣの種結晶使用昇華成長から成ることを特徴とする方法。
請求項３記載の方法において、前記ＳｉＣの種結晶使用昇華成長は、単結晶ポリタイプの種結晶使用昇華成長から成ることを特徴とする方法。
請求項４記載の方法において、前記単結晶ポリタイプは、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈ、及び１５Ｒポリタイプから成るグループから選択されることを特徴とする方法。
単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハであって、
直径が少なくとも約７５ミリメートル（３インチ）であり、
前記ウェハの歪みが約０．０５μｍ〜約５μｍの範囲で、反りが約０．０５μｍ〜約５μｍの範囲で、ＴＴＶが約０．５μｍ〜約２μｍの範囲と約５μｍ未満である
ことを特徴とするウェハ。
請求項６記載のウェハにおいて、該ウェハは、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈ、及び１５Ｒポリタイプから成るグループから選択されたポリタイプを有することを特徴とするウェハ。
請求項７記載のウェハにおいて、該ウェハはさらに、該ウェハの表面上に少なくとも１つのエピタキシャル層を備え、該エピタキシャル層はＩＩＩ族窒化物及び炭化珪素からなるグループから選択された材料で構成されていることを特徴とするウェハ。
請求項８記載のウェハにおいて、前記ＩＩＩ族窒化物は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＮ、及びこれら組み合わせから成るグループから選択されることを特徴とするウェハ。
請求項７〜９いずれかに記載のウェハにおいて、該ウェハは、基板上に設けられた複数のデバイスを備え、該デバイスの各々は、
エピタキシャル層であって、該エピタキシャル層を第１導電型にするのに適したドーパント原子濃度と、ソース、チャネル、及びドレイン部分のそれぞれとを有する、エピタキシャル層と、
前記チャネル部分上にある金属酸化物層と、
前記金属酸化物層上にある金属ゲート・コンタクトであって、該金属ゲート・コンタクトにバイアスが印加されたときにアクティブ・チャネルを形成するための金属ゲート・コンタクトと、
を備えていることを特徴とするウェハ。
請求項７〜９いずれかに記載のウェハにおいて、該ウェハは、基板上に設けられた複数のデバイスを備え、該デバイスの各々は、
前記基板上にある導電性チャネルと、
前記導電性チャネル上にあるソース及びドレインと、
前記導電性チャネル上の前記ソース及び前記ドレインの間にある金属ゲート・コンタクトであって、該金属ゲート・コンタクトにバイアスが印加されたときにアクティブ・チャネルを形成するための金属ゲート・コンタクトと、
を備えていることを特徴とするウェハ。
請求項７記載のウェハにおいて、該ウェハは、単結晶炭化珪素基板上に配置された複数の接合型電界効果トランジスタを備えていることを特徴とするウェハ。
請求項７記載のウェハにおいて、該ウェハは、単結晶炭化珪素基板上に配置された複数のヘテロ電界効果トランジスタを備えていることを特徴とするウェハ。
請求項７記載のウェハにおいて、該ウェハは、単結晶炭化珪素基板上に配置された複数のダイオードを備えていることを特徴とするウェハ。