JP2000174166A

JP2000174166A - 半導体搭載パッケ―ジ

Info

Publication number: JP2000174166A
Application number: JP11248983A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Yamamoto; 喜之山本; Takahiro Imai; 貴浩今井
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1998-10-02
Filing date: 1999-09-02
Publication date: 2000-06-23
Also published as: EP0991121A2; CA2284396A1; EP0991121A3; US6316826B1; KR20000028759A

Abstract

(57)【要約】【課題】ダイヤモンドを使用した高放熱性の半導体搭載
パッケージにおいて、パッケージの放熱特性をさらに向
上させ、かつコストパフォーマンスを改善することので
きる半導体搭載パツケージを提供する。【解決手段】半導体素子８を搭載するダイヤモンド基板
１と、前記ダイヤモンド基板１の半導体素子８を搭載す
るのと反対の面に接合された高熱伝導性金属部材３とを
有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、大出力トランジス
タ、マイクロ波モノリシックＩＣ（ＭＭＩＣ）等の大出
力半導体素子を１個あるいは複数個搭載する半導体搭載
パッケージに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子の出力電力、動作周波数の向
上に伴い、半導体素子から発生する熱量が増大してきて
いる。また、電子機器の小型化、軽量化への市場の要求
は大きく、半導体素子の実装密度は増加の一途をたどっ
ている。したがって、半導体素子を搭載するモジュール
に要求される放熱特性は、一層厳しいものとなってい
る。

【０００３】このように、放熱性が要求されるモジュー
ルでは、熱伝導性の高い材料をヒートシンクにして基板
を構成し、その上に半導体素子を搭載し、半導体素子か
らの発熱を効率的に拡散させて、半導体素子の加熱を防
いでいる。従来のヒートシンクの材料として、ＡｌＮ
（窒化アルミニウム）やＢｅＯ（酸化ベリリウム）が広
く使用されてきたが、ＢｅＯは放熱性が不十分である上
に加工性が悪く毒性も強いという欠点がある。ＡｌＮは
毒性がないものの放熱性がさらに低く、ＢｅＯの代替材
料としては不適切であった。

【０００４】そこで、ＢｅＯ又はＡｌＮにＣｕを張り合
わせて放熱性を向上させたセラミックスパッケージが開
示されているが（特開平７−９９２６８号公報）、それ
でも十分な放熱性を確保するのは困難であった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】一方、ダイヤモンドは
物質中最も熱伝導率が高く、前記のようなモジュールの
熱抵抗を下げるには理想的な材料である。ところが、こ
の用途に用いるには価格が高過ぎるという問題点があっ
た。近年開発が進んでいる気相合成ダイヤモンドは、天
然ダイヤモンド、高圧合成ダイヤモンドに比べて大面積
の合成ができ、価格が安いという利点がある。ただし、
熱膨張率は、搭載される半導体素子に比べて小さく、ロ
ウ付けをして素子を搭載した後割れてしまうという問題
がある。

【０００６】そこで、本願の発明者等は、Ｓｉ，Ｓｉ
Ｃ，ＡｌＮ等の基板の上にダイヤモンドを薄くコーティ
ングしたヒートスプレッダを提案した（「半導体モジュ
ール」特願平１０−６２３８号、平成10年１月１６日出
願）。それによれば、半導体素子からの発熱を、ダイヤ
モンドの薄膜を２次元的に拡散させることによって除去
し、薄膜であるのでダイヤモンドの製造コストは安く、
かつ薄膜であるので、ダイヤモンド表面の実効熱膨張率
が増大するため、半導体素子のロウ付けにも有利であ
る。

【０００７】本発明は、前記ダイヤモンドを利用した高
放熱性パッケージの放熱特性をさらに向上させ、コスト
パフォーマンスを改善し、かつ搭載する半導体素子の出
力増大に対応することのできる半導体搭載パッケージを
提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体搭載パッ
ケージは、図１に示すように、半導体素子８を搭載する
ダイヤモンド基板１と、前記ダイヤモンド基板１の半導
体素子８を搭載するのと反対の面に接合された高熱伝導
性金属部材３を含むものである（請求項１）。ダイヤモ
ンド基板１の数は、１個でも複数個でもよい。また本発
明の半導体搭載パッケージは、図２に示すように、表面
の一部又は全部にダイヤモンドがコーティングされたダ
イヤモンドコーティング基板２と、このダイヤモンドコ
ーティング基板２の半導体素子８を搭載するのと反対の
面に接合された高熱伝導性金属部材３を含むものである
（請求項２）。ダイヤモンドコーティング基板２はＳ
ｉ，ＡｌＮ，ＳｉＣ，ＣｕＷの少なくとも一種を含むこ
とが好ましく、さらにＣｕＭｏ，ＣｕＷＭｏを含んでい
てもよい。ダイヤモンドコーティング基板２の数は、１
個でも複数個でもよい。

【０００９】ダイヤモンドは気相合成法により製造され
ることが好ましい（請求項３）。気相合成法によれば、
高熱伝導性のダイヤモンドを大面積にわたり、かつ安価
に得ることができる。気相合成法としては種々提案され
ているが、十分な面積と熱伝導率（１０００Ｗ／ｍ・Ｋ
以上が好ましい）を有するダイヤモンドを得ることがで
きればどれを用いてもよい。例えば、マイクロ波プラズ
マＣＶＤ法、燃焼炎法、熱フィラメントＣＶＤ法等をあ
げることができる。

【００１０】ダイヤモンドの厚さは、ダイヤモンド基板
１を用いる場合には１００μｍ以上５００μｍ以下、ダ
イヤモンドがコーティングされたダイヤモンドコーティ
ング基板２を用いる場合には１０μｍ以上２００μｍ以
下であることが好ましい。ダイヤモンドは合成後、その
成長表面を鏡面研磨し、レーザ光等によって必要な大き
さにカットする。このときのサイズは搭載する半導体素
子の形状、半導体素子の発熱部分の分布状況によっても
異なるが、搭載する半導体素子の面積の２〜１０倍程度
が好ましい。

【００１１】ダイヤモンドの半導体素子を搭載する面に
は、半導体素子を接合するためにＡｕ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｐ
ｔ，Ｐｄ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ａｌ等から選ばれた少なくとも
１種を含むメタライズ層を形成する。そして、半導体素
子をこのメタライズ層の上に、ＡｕＳｎ，ＡｕＧｅ，Ａ
ｕＳｉ等のロウ材によって固定する。これらメタライズ
層及びロウ材層の厚さは合計で０．１μｍ〜５０μｍ程
度であることが好ましい。

【００１２】高熱伝導性金属部材３は、ダイヤモンドの
ヒートスプレッド効果を補助する目的で使用されるもの
で、これによりダイヤモンドの使用量を抑えつつ、その
放熱性を維持し又は向上させることができる。したがっ
て、パッケージ全体のコストパフォーマンスの改善を
し、搭載する半導体素子の発熱量の増加を許容すること
ができる。高熱伝導性金属部材３の熱伝導率は、大きい
程よいが、３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上（請求項４）、より好
ましくは３５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であれば、十分効果を発
揮する。このような材料の例として、Ｃｕ若しくはＣｕ
を含む合金若しくはその焼結体、又はＡｕ若しくはＡｕ
を含む合金若しくはその焼結体をあげることができる
（請求項５）。この中で、Ｃｕが最も熱伝導率が高く、
コストも安いので好ましい。

【００１３】高熱伝導性金属部材３は、厚さが薄すぎる
とそのヒートスプレッド効果を十分発揮することができ
ず、逆に厚すぎると厚さ方向の熱抵抗が大きくなり、パ
ッケージ全体の放熱特性を悪化させる。高熱伝導性金属
部材３の厚さは好ましくは２０μｍ〜３ｍｍ（請求項
６）がよく、より好ましくは４０μｍ〜１ｍｍがよい。
その面積はダイヤモンド基板１又はダイヤモンドコーテ
ィング基板２の面積と同じかそれ以上であることが好ま
しいが、特に金属基板４を使用する場合はそれ以下であ
っても効果を発揮する。

【００１４】なお、高熱伝導性金属部材３は、ダイヤモ
ンド基板１又はダイヤモンドコーティング基板２の半導
体素子８を搭載する面に配置してはならない。高熱伝導
性金属部材３の熱伝導率はダイヤモンドの熱伝導率（１
０００Ｗ／ｍ・Ｋ）よりも低いため、これが、ダイヤモ
ンド基板１又はダイヤモンドコーティング基板２の半導
体素子８を搭載する面と半導体素子８との間に入ると、
ダイヤモンドの熱拡散効果を阻害することになるからで
ある。

【００１５】この高熱伝導性金属部材３を直接プリント
基板等に取り付けてもよいが、機械的強度その他の面で
問題があるときは、金属基板４をさらに配置することが
できる。図３は、ダイヤモンド基板１に半導体素子８を
搭載する場合に、高熱伝導性金属部材３のダイヤモンド
基板１のある面と反対の面に金属基板４を配置した状態
を示す（請求項７）。

【００１６】図４は、ダイヤモンドコーティング基板２
に半導体素子８を搭載する場合に、高熱伝導性金属部材
３のダイヤモンドコーティング基板２のある面と反対の
面に金属基板４を配置した状態を示す（請求項８）。金
属基板４には、Ｃｕ若しくはＣｕを含む合金、その焼結
体、又はクラッド材を使用することができる（請求項
９）。例えば、Ｃｕ、ＣｕＷ合金、ＣｕＭｏ合金、Ｃｕ
−Ｍｏ−Ｃｕクラッド材などの一般的なパッケージベー
ス材を使用することができる。その際、金属基板４の表
面にはＡｕ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｌ等か
ら選ばれた少なくも１種からなるメタライズ層を形成
し、ＡｕＳｎやＡｕＳｉ、あるいはＡｇを主成分とする
ロウ材を用いて高熱伝導性金属部材３をロウ付けする。

【００１７】金属基板４の、高熱伝導性金属部材３を取
り付ける部分の形状は、高熱伝導性金属部材３の厚さに
応じて、薄くなっていてもよい。また、金属基板４はプ
リント基板などに取り付けるためのネジ穴が設けられて
いてもよい。金属基板４を使用しない場合は、高熱伝導
性金属部材３にプリント基板などに取り付けるためのネ
ジ穴が設けられていてもよい。高熱伝導性金属部材に、
半導体素子に信号を入出力するリードフレームを取り付
ける場合、通常、リードと高熱伝導性金属部材は電気的
に絶縁される必要があり、絶縁性のセラミックス部材を
介してリードフレームを取り付けることになる。ここ
で、高熱伝導性金属部材とセラミックス部材との間に、
セラミックスの熱膨張率に適合した低熱膨張率金属部材
を介在させることによって、セラミックス部材と高熱伝
導性金属部材との間の熱膨張率の差によって生じる反り
やクラックを抑えることが可能となり、半導体素子及び
パッケージ全体の信頼性をさらに向上させることができ
る（請求項１０）。

【００１８】ここで、絶縁性のセラミックス部材として
はアルミナ、あるいはアルミナを主成分とするセラミッ
クスを用いるのが好ましい（請求項１１）。このセラミ
ックス部材を高熱伝導性金属部材に取り付ける場合、介
在させる低熱膨張率金属部材としては、室温からロウ付
け温度までの平均の熱膨張率が５〜１３ppm/°Ｃである
ものが好ましく（請求項１２）、そのようなものとして
ＣｕＷ焼結体、コバール、Ｃｕ−Ｍｏ−Ｃｕクラッド材
等が挙げられる（請求項１３）。特に、ＣｕＷ焼結体
は、アルミナセラミックスとの熱膨張係数が近く、非常
に有効である。

【００１９】なお、高熱伝導性金属部材、低熱膨張率金
属部材、セラミックス部材、リードの表面には、Ａｕ，
Ｍｏ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｌなどから選ばれた
少なくとも一種からなるメタライズ層を形成し、ＡｕＳ
ｎ，ＡｕＳｉ等の金系のロウ材、あるいはＡｇ系のロウ
材でロウ付けすることが可能である。図５及び図６に、
リードフレームを取り付けるため、高熱伝導性金属部材
３及び低熱膨張率金属部材５を用いたパッケージの具体
例を示す。図６に示すように、セラミックス部材６及び
低熱膨張率金属部材５は、枠状に形成する。そして、こ
の枠の内部に高熱伝導性金属部材３を挿入し、その表面
にダイヤモンド基板１あるいはダイヤモンドコーティン
グ基板２を搭載する。この場合、低熱膨張率金属部材５
に、プリント基板などに取り付けるためのネジ穴が設け
られていてもよい。また、底面は、図５に示すように高
熱伝導性金属部材３が低熱膨張率金属部材５の穴から若
干飛び出していることが望ましい（請求項１４）。こう
することによって、ダイヤモンドから高熱伝導性金属基
板を介して伝導してきた熱を外部に効率よく排出するこ
とができる。

【００２０】

【実施例】＜実施例１＞ (1) ダイヤモンドコーティング基板の作製Ｓｉ，ＡｌＮ，ＣｕＷからなる基板(20mm×20mm×0.4m
m)をそれぞれ用意し、ダイヤモンドパウダーを使って傷
つけ処理をした後、熱フィラメントＣＶＤ法により、ダ
イヤモンドを成長させた。成長条件は、原料ガス 1.2
％メタン−水素、流量５００sccm、圧力７０Torr、基板
温度７１０°Ｃ、フィラメントタングステン、フィラ
メント温度２０９０°Ｃである。ダイヤモンドの膜厚
は、研磨後に２０μｍ、５０μｍ、１００μｍとなるよ
うにした。このダイヤモンドの熱伝導率をレーザフラッ
シュ法で測定したところ、１２４０Ｗ／ｍＫであった。

【００２１】研磨後、レーザで基板を１０ｍｍ×５ｍｍ
に切断し、全体の厚さが０．４ｍｍになるように研磨し
た後、側面を含む全表面にメタライズを施した。メタラ
イズ層の組成は表面よりＡｕ３μｍ／Ｐｔ０．０５μｍ
／Ｔｉ０．１μｍである。 (2)ダイヤモンド基板の作製Ｓｉ基板上に、(1)と同一の条件でダイヤモンドを成長
させた。ダイヤモンドの膜厚は、研磨後に２００，３０
０，４００μｍとなるようにした。研磨後、Ｓｉ基板を
除去し、ダイヤモンドの基板を得た。これもレーザで基
板を１０ｍｍ×５ｍｍに切断し、側面を含む全表面にメ
タライズを施した。

【００２２】(3) 高熱伝導性金属部材の配置高熱伝導性金属部材に相当する厚さＤの銅板を、厚さＤ
＝０．１ｍｍ，０．５ｍｍ，３ｍｍの３種類用意した。
この銅板の縦横寸法は１１ｍｍ×８ｍｍである。なお、
銅板のないもの（Ｄ＝０）も作製した。また、ＣｕＷか
らなる金属基板を用意した。金属基板の形状は１５ｍｍ
×１０ｍｍ×１．６ｍｍである。この金属基板の上に、
ロウ材(AuGe)／銅板／ロウ材(AuGe)を積み重ね、その上
に(1)で作製したダイヤモンドコーティング基板又は(2)
で作製したダイヤモンド基板を重ねて、加熱して貼り合
わせた。そして、ダイヤモンドの上にシリコンマイクロ
波パワー半導体素子を貼り付けて半導体搭載パッケージ
を作製した。

【００２３】また、(1)で作製したダイヤモンドコーテ
ィング基板又は(2)で作製したダイヤモンド基板の半導
体素子搭載面の反対面に、ロウ材(AuGe)を使って銅板を
貼り付けただけの金属基板なしの試料も作製した。金属
基板なしの試料は、図５に示した構造のものとした。低
熱膨張率金属部材としてＣｕＷ焼結体を使用し、セラミ
ックス部材としてアルミナを使用した。銅板をＣｕＷ焼
結体の枠にはめ込むため、銅板には全周にわたって幅
１．５ｍｍ，高さ０．２ｍｍの段を形成する。その段に
Ａｇロウを置き、ＣｕＷ焼結体の枠にはめ込んで、アル
ミナとともにＡｇロウ付けを行った後、(1)で作製した
ダイヤモンド基板又は(2)で作製したダイヤモンドコー
ティング基板をＡｕＧｅロウを用いて貼り付けた。銅板
の底面は、ＣｕＷ焼結体の底面より０．１ｍｍ程度飛び
出ているものと、０．１ｍｍ程度引っ込んでいるものを
作製した。

【００２４】そして、ダイヤモンドの上にシリコンマイ
クロ波パワー半導体素子を貼り付けて、所定の入力信号
を与えて半導体素子を動作させた。その際に、パッケー
ジ底面の温度を熱電対で測定し、半導体素子の表面の温
度を放射温度計によって測定し、パッケージ全体の熱抵
抗を次の式によって算出した。熱抵抗＝（素子表面温度−パッケージ底面温度）／（入
力電力−出力電力）測定結果を表１に示す。

【００２５】

【表１】

【００２６】数字は、半導体素子を金属基板に直接取り
付けた場合（下記(5)）の熱抵抗値を１とした相対値で
ある。この数字が低いほど熱抵抗は少なくなる。ここ
で、「金属基板なしａ」は、銅板の底面が、ＣｕＷ焼結
体の底面より０．１ｍｍ程度飛び出ているもの、「金属
基板なしｂ」は、０．１ｍｍ程度引っ込んでいるものを
いう。この表１から、ダイヤモンドコーティング基板を
使用すると、使用しない場合(5)に比べて熱抵抗は下が
っていることが分かる。ダイヤモンド単独の場合は熱抵
抗はさらに下がっている。

【００２７】また、高熱伝導性金属部材である銅板の厚
さＤが適度の厚さ（Ｄ＝０．１ｍｍ，０．５ｍｍ）であ
ると、銅板のない場合（Ｄ＝０）よりも、熱抵抗が下が
ることが分かる。しかし、銅板の厚さＤが極端に厚いと
（Ｄ＝３ｍｍ）、熱抵抗は増加している。また、金属基
板がないほうが、ある場合より熱抵抗は少し下がってい
るが、ごくわずかの変化である。この理由は、ダイヤモ
ンドと高熱伝導性金属部材により、半導体素子から発せ
られた熱は十分に２次元的に拡散され、金属基板に到達
するときにはその単位面積当たりに流入する熱量がごく
少量となっているからである。

【００２８】(4)ダイヤモンドと半導体素子の間に銅を
挿入前記 (2)で作製したダイヤモンド基板に、ロウ材(AuGe)
／１５ｍｍ×１０ｍｍ×厚さＤの銅板を積み重ね、加熱
して貼り合わせた。その上に半導体素子を貼り付けた。
測定結果を表２に示す。数字は (5)の熱抵抗値を１とし
た相対値である。

【００２９】

【表２】

【００３０】この表２から、ダイヤモンドと半導体素子
の間に銅板が挿入されていれば、銅板が挿入されていな
い表１の場合と比べて、放熱性が劣化することが分か
る。 (5)ダイヤモンドなし１５ｍｍ×１０ｍｍ×１．６ｍｍのＣｕＷからなる金属
基板に、半導体素子を直接貼り付けた。この場合の熱抵
抗の測定値を１としている。＜実施例２＞前記のダイヤモンド基板及びダイヤモンド
コーティング基板として、サイズ２．４ｍｍ×５ｍｍの
ものを４つ搭載し、それぞれに実施例１と同様の半導体
素子を１個ずつ搭載したものを作製し、熱抵抗を評価し
たところ、表３のようになった。

【００３１】

【表３】

【００３２】金属基板のない場合すなわち図５に示した
構造のものは、銅板の底面が飛び出ているものであれ
ば、金属基板のある場合すなわち図３や図４に示した構
造のものと比べて、熱抵抗値はほとんど変わらない。し
かし、銅板の底面が引っ込んでいるものは、熱抵抗値が
１に近くなり、かなり悪くなっている。銅板の底面が引
っ込んでいると、銅板からいったんＣｕＷ焼結体へ伝わ
った後そこから放熱されるので放熱効率が悪くなるから
である。

【００３３】

【発明の効果】以上のように本発明の半導体搭載パッケ
ージによれば、ダイヤモンド及び高熱伝導性金属部材を
使用することにより、パッケージ全体の放熱性を向上さ
せることができる。したがって、同一放熱性を前提とす
ると、ダイヤモンドの使用量が減り、コストダウンが可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体素子を搭載するダイヤモンド基板１と、
前記ダイヤモンド基板１の半導体素子を搭載するのと反
対の面に接合された高熱伝導性金属部材３を含む本発明
の半導体搭載パッケージを示す側面図である。

【図２】表面の一部又は全部にダイヤモンドがコーティ
ングされたダイヤモンドコーティング基板２と、このダ
イヤモンドコーティング基板２の半導体素子を搭載する
のと反対の面に接合された高熱伝導性金属部材３を含む
本発明の半導体搭載パッケージを示す側面図である。

【図３】高熱伝導性金属部材３のダイヤモンド基板１の
ある面と反対の面に金属基板４を配置した状態を示す側
面図である。

【図４】高熱伝導性金属部材３のダイヤモンドコーティ
ング基板２のある面と反対の面に金属基板４を配置した
状態を示す側面図である。

【図５】高熱伝導性金属部材及び低熱膨張率金属部材を
用いたパッケージの具体例を示す側断面図である。

【図６】図５のパッケージの斜視図である。

【符号の説明】

１ダイヤモンド基板２ダイヤモンドコーティング基板３高熱伝導性金属部材４金属基板５低熱膨張率金属部材６セラミックス部材７リード８半導体素子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子を１個あるいは複数個搭載する
半導体搭載パッケージにおいて、半導体素子を搭載する１個又は複数個のダイヤモンド基
板と、前記ダイヤモンド基板の半導体素子を搭載するの
と反対の面に接合された高熱伝導性金属部材とを含むこ
とを特徴とする半導体搭載パッケージ。
【請求項２】半導体素子を１個あるいは複数個搭載する
半導体搭載パッケージにおいて、表面の一部又は全部にダイヤモンドがコーティングされ
た１個又は複数個のダイヤモンドコーティング基板と、
このダイヤモンドコーティング基板の半導体素子を搭載
するのと反対の面に接合された高熱伝導性金属部材とを
含むことを特徴とする半導体搭載パッケージ。
【請求項３】ダイヤモンドは気相合成法により製造され
ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体
搭載パッケージ。
【請求項４】高熱伝導性金属部材の熱伝導率は、３００
Ｗ／ｍ・Ｋ以上である請求項１又は請求項２記載の半導
体搭載パッケージ。
【請求項５】高熱伝導性金属部材は、Ｃｕ若しくはＣｕ
を含む合金若しくはその焼結体、又はＡｕ若しくはＡｕ
を含む合金若しくはその焼結体である請求項１又は請求
項２記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項６】高熱伝導性金属部材の厚さは２０μｍ〜
３ｍｍである請求項１又は請求項２記載の半導体搭載パ
ッケージ。
【請求項７】高熱伝導性金属部材のダイヤモンド基板の
ある面と反対の面に金属基板を配置した請求項１記載の
半導体搭載パッケージ。
【請求項８】高熱伝導性金属部材のダイヤモンドコーテ
ィング基板のある面と反対の面に金属基板を配置した請
求項２記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項９】金属基板が、Ｃｕ若しくはＣｕを含む合
金、その焼結体、又はクラッド材からなる請求項７又は
請求項８記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項１０】リードフレームと、リードを高熱伝導性
金属部材から絶縁するためのセラミックス部材と、低熱
膨張率金属部材とを有し、高熱伝導性金属部材とセラミ
ックス部材との接合部に低熱膨張率金属部材が介在する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体搭
載パッケージ。
【請求項１１】セラミックス部材がアルミナであるか、
又はアルミナを主成分とするセラミックスである請求項
１０記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項１２】低熱膨張率金属部材の熱膨張率の、室温
から８００°Ｃまでの平均値が５〜１３ppm/°Ｃである
請求項１０記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項１３】低熱膨張率金属部材がＣｕ，Ｗ，Ｍｏの
うち少なくとも２種類を含む合金若しくはその焼結体又
はクラッド材である請求項１０記載の半導体搭載パッケ
ージ。
【請求項１４】低熱膨張率金属部材及び及びセラミック
ス部材は枠状であり、その枠中に高熱伝導性金属部材が
埋め込まれ、高熱伝導性金属部材の底面は、低熱膨張率
金属部材の底面より出ている請求項１０記載の半導体搭
載パッケージ。