JP2006344764A - 放熱基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 放熱性と熱膨張係数を両立させる放熱基板及びその安価な製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも2層以上の層構造からなるレーザダイオードを実装するための放熱基板であって、少なくとも最表面層の一部に基板の一辺に沿って平行な複数の溝が形成されている放熱基板である。また少なくとも2層以上の層構造からなる放熱基板の、少なくとも最表面層の一部に基板の一辺に沿って並行な複数の溝をエッチングまたはレーザ加工により形成する放熱基板の製造方法である。
【選択図】 図1
【解決手段】 少なくとも2層以上の層構造からなるレーザダイオードを実装するための放熱基板であって、少なくとも最表面層の一部に基板の一辺に沿って平行な複数の溝が形成されている放熱基板である。また少なくとも2層以上の層構造からなる放熱基板の、少なくとも最表面層の一部に基板の一辺に沿って並行な複数の溝をエッチングまたはレーザ加工により形成する放熱基板の製造方法である。
【選択図】 図1
Description
本発明は、レーザダイオードを実装するための安価で高放熱性の放熱基板に関する。
レーザダイオードの実装において問題は二つある。一つは放熱性能であり、もう一つは素子と放熱板の間に発生する熱応力である。放熱が不十分であるとレーザ発振が不安定になるし、また熱応力が大きいとレーザダイオードに歪みが入り素子を破壊することもある。特にレーザダイオードと放熱板の熱膨張係数が異なる場合に顕著に現れる。そのため半導体レーザ用の放熱基板は熱応力が小さく、かつ放熱性が十分でなければならない。
このような放熱基板は、実装する素子に適合した熱膨張係数を持ち、なおかつ高い熱伝導率を有する材料が望ましいことは言うまでもない。たとえば、W(タングステン)の骨格の中に Cu(銅)を含浸させたCu−W材は広く高熱伝導材料として用いられている。また、物質中最も熱伝導率の高い材料であるダイヤモンドをCuと混合させた材料も提案されている。
3次元的に混合させる以外に、熱膨張係数の異なる材料を積層した複合による熱伝導材も実用化されている。たとえば、Cu、Mo(モリブデン)、Cuを積層したものが実用化している。また、Si(珪素)や窒化アルミ(AlN)の上に薄膜状のダイヤモンドを形成したもの(特許文献1)も提案されている。特にレーザダイオードのような長い形状であって、且つ応力に敏感な素子では、十分に熱応力を低減させるためには、各層の比率や層の厚みを適宜制御することが必要であるが、それだけでは高放熱性を維持したままで熱膨張係数を調整することは十分にはできない場合もある。
複合化以外の方法としては、特許文献2(コイトルペーターら)は、自立したダイヤモンド基板について、素子の接合により生じるであろう応力に対して垂直な方向に少なくとも1つの長い凹みないし切欠きを設置することによって、応力を低減させることを提案している。しかしながら、自立したダイヤモンド膜は高価である。また、自立可能な厚みのダイヤ膜では刻み目を相当細かくいれなければ応力の低減は不可能であった。
そのため、レーザダイオードを実装するための放熱材料及びそれを得る方法であって、放熱性と熱膨張係数を両立させる基板及びその安価な製造方法を提供することを目的とする。
2層以上の異なる材質の層を結合させた複合によりなる放熱基板の実装面最上層に、基板の一辺に沿って平行な複数の溝を形成することで上記の目的を達成できることが見い出された。なお、実装に当たっては、レーザダイオードの長辺を上記の溝と直角若しくは略直角に実装するのが好ましい。
すなわち本発明は以下の通りである。
すなわち本発明は以下の通りである。
(1)少なくとも2層以上の層構造からなるレーザダイオードを実装するための放熱基板であって、少なくとも最表面層の一部に基板の一辺に沿って平行な複数の溝が形成されていることを特徴とする放熱基板。
(2)前記放熱基板が、セラミックもしくは半導体、またはセラミックもしくは半導体と金属の複合物より形成されていることを特徴とする上記(1)に記載の放熱基板。
(3)前記最表面層がダイヤモンドを含むことを特徴とする上記(1)又は(2)に記載の放熱基板。
(4)前記放熱基板が、2種類またはそれ以上の異なる金属圧延により融合したことを特徴とする上記(1)に記載の放熱基板。
(5)少なくとも2層以上の層構造からなる放熱基板の、少なくとも最表面層の一部に基板の一辺に沿って並行な複数の溝をエッチングまたはレーザ加工により形成することを特徴とする放熱基板の製造方法。
(2)前記放熱基板が、セラミックもしくは半導体、またはセラミックもしくは半導体と金属の複合物より形成されていることを特徴とする上記(1)に記載の放熱基板。
(3)前記最表面層がダイヤモンドを含むことを特徴とする上記(1)又は(2)に記載の放熱基板。
(4)前記放熱基板が、2種類またはそれ以上の異なる金属圧延により融合したことを特徴とする上記(1)に記載の放熱基板。
(5)少なくとも2層以上の層構造からなる放熱基板の、少なくとも最表面層の一部に基板の一辺に沿って並行な複数の溝をエッチングまたはレーザ加工により形成することを特徴とする放熱基板の製造方法。
本発明による放熱基板、すなわち2層以上の複合であって、かつ実装面側最上層に基板の一辺に沿って平行な複数の溝が形成されている放熱基板上に、レーザダイオードの長辺を上記の溝と直角若しくは略直角に実装することでレーザダイオードと放熱基板の熱膨張係数の相違を問わず高放熱特性と低熱応力の両立が可能となる。
積層された素材を放熱基板として用いる場合、放熱特性に最も影響のあるのは最表面層である。したがって、Cuやダイヤモンドなど熱伝度率の高い材料が最表面層としてもちいられる。積層型とすることで、放熱基板の熱膨張係数が下層の影響により、レーザダイオード導体素子と近くはなるが、十分ではないこともある。
最表面層の厚みを薄くすれば、レーザダイオードと一致させることは可能ではあるが、その場合は最表面層の厚みが小さくなりすぎて、放熱性が満足できない。
図1に示すように長軸の発熱体2の場合、応力の発生する軸方向と熱伝導の方向は直交することから、放熱基板1の最表面層上に、あらかじめ応力の発生する方向に溝3を入れることで応力は緩和でき、かつ熱伝導にはほとんど障害とならない。
図1に示すように長軸の発熱体2の場合、応力の発生する軸方向と熱伝導の方向は直交することから、放熱基板1の最表面層上に、あらかじめ応力の発生する方向に溝3を入れることで応力は緩和でき、かつ熱伝導にはほとんど障害とならない。
また溝3の幅、周期を調節することで、応力と熱伝導の両立が可能となる。
さらに溝3はたとえば、Si上のダイヤモンドの場合は、縞状のパターンにダイヤモンドを成膜させることにより形成できるが、溝のない層構造を形成した後に、エッチングやレーザ加工により形成するほうが、均一で安定した製造が可能である。
さらに溝3はたとえば、Si上のダイヤモンドの場合は、縞状のパターンにダイヤモンドを成膜させることにより形成できるが、溝のない層構造を形成した後に、エッチングやレーザ加工により形成するほうが、均一で安定した製造が可能である。
(実施例1)
Cu、Moのクラッド材(圧延により融合した板材)を2個用意し、一方にはあらかじめ最上層のCuに、100μm間隔で幅10μm、深さ400μmの溝をレーザ加工により形成した[図2(a)及び(b)]。
その後、放熱特性を評価するため、これらの上に3mm×1mm、厚み0.3mmのダイヤモンドヒータをAuSn半田付けにて設置した。溝を形成した放熱基板は、図2(b)に示すように溝とヒータ長辺が直角となるようにした。
それぞれの底面を、20℃に固定した冷却支持台の上に接触させ、いずれも同じ発熱量で発熱させた。それぞれのヒータ上面の温度を調べたところ、70±2℃及び75±2℃であった。ダイヤモンドヒータの熱伝導率は非常に大きいため、ヒータの上下面の温度はほぼ同一と考えられることから溝を形成した方[図2(b)]は、しない方[図2(a)]に対して89±4%の放熱特性を有していることが分かった。
Cu、Moのクラッド材(圧延により融合した板材)を2個用意し、一方にはあらかじめ最上層のCuに、100μm間隔で幅10μm、深さ400μmの溝をレーザ加工により形成した[図2(a)及び(b)]。
その後、放熱特性を評価するため、これらの上に3mm×1mm、厚み0.3mmのダイヤモンドヒータをAuSn半田付けにて設置した。溝を形成した放熱基板は、図2(b)に示すように溝とヒータ長辺が直角となるようにした。
それぞれの底面を、20℃に固定した冷却支持台の上に接触させ、いずれも同じ発熱量で発熱させた。それぞれのヒータ上面の温度を調べたところ、70±2℃及び75±2℃であった。ダイヤモンドヒータの熱伝導率は非常に大きいため、ヒータの上下面の温度はほぼ同一と考えられることから溝を形成した方[図2(b)]は、しない方[図2(a)]に対して89±4%の放熱特性を有していることが分かった。
(実施例2)
縦横5mm、厚み1mmのCu、Mo、Cuのクラッド材3個を用意し、このうち2個には、図2(b)の放熱基板1に示す如く、あらかじめ最上層のCuに、100μm間隔で幅10μm、深さ400μmの溝3をレーザ加工により形成した。溝3はクラッド材の1辺と平行とした。
そして裏面の反りを測定したところ、いずれも1〜2μmであった。
その後、これらの上に、メタライズしたGaN半導体2(3mm×1mm×0.5mm)をAuSn半田付けを行った。GaN基板の長辺がクラッド材の1辺と平行になるように中央に配置し、溝3を形成したもののうち、一方はGaN基板の長辺と溝とを平行とし、他方は直角[図2(b)]とした。
半田付けの後の反り(ここで、「反り」は、基板両端を結ぶ直線と実際の基板面との差の最大値と定義する)を測定したところ、
1)溝なし[図2(a)]、2)溝3とGaNの長辺が平行、3)溝3とGaNの長辺が直角[図2(b)]のそれぞれに対して、GaNの長辺の裏面側での測定結果は、それぞれ20μm、19μm、11μmと、溝3とGaNの長辺を直角としたもの[図2(b)]が最もそりが少なかった。
縦横5mm、厚み1mmのCu、Mo、Cuのクラッド材3個を用意し、このうち2個には、図2(b)の放熱基板1に示す如く、あらかじめ最上層のCuに、100μm間隔で幅10μm、深さ400μmの溝3をレーザ加工により形成した。溝3はクラッド材の1辺と平行とした。
そして裏面の反りを測定したところ、いずれも1〜2μmであった。
その後、これらの上に、メタライズしたGaN半導体2(3mm×1mm×0.5mm)をAuSn半田付けを行った。GaN基板の長辺がクラッド材の1辺と平行になるように中央に配置し、溝3を形成したもののうち、一方はGaN基板の長辺と溝とを平行とし、他方は直角[図2(b)]とした。
半田付けの後の反り(ここで、「反り」は、基板両端を結ぶ直線と実際の基板面との差の最大値と定義する)を測定したところ、
1)溝なし[図2(a)]、2)溝3とGaNの長辺が平行、3)溝3とGaNの長辺が直角[図2(b)]のそれぞれに対して、GaNの長辺の裏面側での測定結果は、それぞれ20μm、19μm、11μmと、溝3とGaNの長辺を直角としたもの[図2(b)]が最もそりが少なかった。
(実施例3)
熱フィラメントCVD法により加熱した3インチSi基板の上に水素ガス、メタンガスを吹き込んで15μm厚のダイヤモンド膜を合成した。条件は以下の通りである。
基板 :Si基板 76mmφ×0.5mmt
フィラメント温度:2100℃
基板温度 :850℃
ガス流量 :水素400sccm 、メタン5sccm
ガス圧力 :80Torr
合成時間と膜厚 :5時間
熱フィラメントCVD法により加熱した3インチSi基板の上に水素ガス、メタンガスを吹き込んで15μm厚のダイヤモンド膜を合成した。条件は以下の通りである。
基板 :Si基板 76mmφ×0.5mmt
フィラメント温度:2100℃
基板温度 :850℃
ガス流量 :水素400sccm 、メタン5sccm
ガス圧力 :80Torr
合成時間と膜厚 :5時間
このダイヤモンド 膜を合成後に研磨し、表面粗さを評価したところ、Rmax 40nm、Ra 10nmであった。Si基板からダイヤモンド膜を分離せず、基板に付いたままのダイヤモンドを次のように加工した。ダイヤモンド被覆Si基板を全面にわたって、YAGレーザによって、60μm間隔で幅8μmの図2(b)に示すような溝3を形成した。溝3の深さは、少なくともダイヤ膜の厚みよりは深いことを確認した。その後、3mm×3mmの正方形状に切断した。
溝3の部分を除く周囲全面(表面、裏面、側面)をTi、Pt、Auによってメタライズした。これはロウ付けを可能にするためである。メタライズしたダイヤモンド被覆板に、AuSn合金ロウ材を用いて、長さ0.7mm×幅0.3mm×厚さ0.1mmのInGaAsPからなる半導体レーザチップを、温度290℃でロウ付けした。
このとき、半導体レーザチップ2における長尺の方向が溝3に直角となるように配置させた。こうして実装した半導体レーザチップ2を、20℃の冷却支持台の上に設置し、500mWの出力パワーで連続発振させたところ、200時間安定した出力を示した。
溝3の部分を除く周囲全面(表面、裏面、側面)をTi、Pt、Auによってメタライズした。これはロウ付けを可能にするためである。メタライズしたダイヤモンド被覆板に、AuSn合金ロウ材を用いて、長さ0.7mm×幅0.3mm×厚さ0.1mmのInGaAsPからなる半導体レーザチップを、温度290℃でロウ付けした。
このとき、半導体レーザチップ2における長尺の方向が溝3に直角となるように配置させた。こうして実装した半導体レーザチップ2を、20℃の冷却支持台の上に設置し、500mWの出力パワーで連続発振させたところ、200時間安定した出力を示した。
(比較例1)
実施例3と同じ条件でダイヤ膜を成長させた。すなわち、熱フィラメントCVD法により加熱した3インチSi基板の上に水素ガス、メタンガスを吹き込んで15μm厚のダイヤモンド膜を合成した。
このダイヤモンド膜を合成後に研磨し、表面粗さを評価したところ、Rmax40nm、Ra 9nmであった。Si基板からダイヤモンド膜を分離せず、基板に付いたままのダイヤモンドを、図2(a)に示す如く、3mm×3mmの正方形状に切断し、さらに周囲全面をTi、Pt、Auによってメタライズした。メタライズしたダイヤモンド被覆板に、AuSn合金ロウ材を用いて、長さ0.7mm×幅0.3mm×厚さ0.1mmのInGaAsPからなる半導体レーザチップ2を、温度290℃でロウ付けした。
こうして実装した半導体レーザチップ2を、20℃の冷却支持台の上に設置し、500mWの出力パワーで連続発振させたところ、1時間以内にレーザ発振が停止した。
実施例3と同じ条件でダイヤ膜を成長させた。すなわち、熱フィラメントCVD法により加熱した3インチSi基板の上に水素ガス、メタンガスを吹き込んで15μm厚のダイヤモンド膜を合成した。
このダイヤモンド膜を合成後に研磨し、表面粗さを評価したところ、Rmax40nm、Ra 9nmであった。Si基板からダイヤモンド膜を分離せず、基板に付いたままのダイヤモンドを、図2(a)に示す如く、3mm×3mmの正方形状に切断し、さらに周囲全面をTi、Pt、Auによってメタライズした。メタライズしたダイヤモンド被覆板に、AuSn合金ロウ材を用いて、長さ0.7mm×幅0.3mm×厚さ0.1mmのInGaAsPからなる半導体レーザチップ2を、温度290℃でロウ付けした。
こうして実装した半導体レーザチップ2を、20℃の冷却支持台の上に設置し、500mWの出力パワーで連続発振させたところ、1時間以内にレーザ発振が停止した。
本発明は高発熱素子用の放熱基板に関する。とくに、レーザダイオードと放熱基板の間に発生する熱応力を緩和することのできる高放熱特性と低熱応力の両立が可能な放熱基板を安価に提供できる。
Claims (5)
- 少なくとも2層以上の層構造からなるレーザダイオードを実装するための放熱基板であって、少なくとも最表面層の一部に基板の一辺に沿って平行な複数の溝が形成されていることを特徴とする放熱基板。
- 前記放熱基板が、セラミックもしくは半導体、またはセラミックもしくは半導体と金属の複合物により形成されていることを特徴とする請求項1に記載の放熱基板。
- 前記最表面層が、ダイヤモンドを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の放熱基板。
- 前記放熱基板が、2種類またはそれ以上の異なる金属を圧延により融合したことを特徴とする請求項1に記載の放熱基板。
- 少なくとも2層以上の層構造からなる放熱基板の、少なくとも最表面層の一部に基板の一辺に沿って並行な複数の溝をエッチングまたはレーザ加工により形成することを特徴とする放熱基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005169090A JP2006344764A (ja) | 2005-06-09 | 2005-06-09 | 放熱基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005169090A JP2006344764A (ja) | 2005-06-09 | 2005-06-09 | 放熱基板及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006344764A true JP2006344764A (ja) | 2006-12-21 |
Family
ID=37641498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005169090A Pending JP2006344764A (ja) | 2005-06-09 | 2005-06-09 | 放熱基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012038875A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Toshiba Corp | 高周波半導体用パッケージおよびその作製方法 |
WO2014156629A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
WO2016158068A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
CN111740310A (zh) * | 2020-07-10 | 2020-10-02 | 西安立芯光电科技有限公司 | 一种实现半导体激光器芯片锁波中无跳模的方法 |
-
2005
- 2005-06-09 JP JP2005169090A patent/JP2006344764A/ja active Pending
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JP2012038875A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Toshiba Corp | 高周波半導体用パッケージおよびその作製方法 |
US8759838B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Package and fabrication method of the same |
WO2014156629A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2014197608A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP5652494B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2015-01-14 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
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