JP2000174166A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体素子を1個あるいは複数個搭載する半導体搭載パッケージにおいて、
半導体素子を搭載する1個又は複数個のダイヤモンド基板と、
前記ダイヤモンド基板の半導体素子を搭載するのと反対の面に接合された高熱伝導性金属部材と、
リードフレームのリードを高熱伝導性金属部材から絶縁するための枠状のセラミックス部材と、
枠状の低熱膨張率金属部材とを有し、
前記高熱伝導性金属部材と前記セラミックス部材との接合部に前記低熱膨張率金属部材が介在し、前記枠中に前記高熱伝導性金属部材が埋め込まれ、かつ前記高熱伝導性金属部材の底面は、前記低熱膨張率金属部材の底面より出ていることを特徴とする半導体搭載パッケージ。
【請求項2】
半導体素子を1個あるいは複数個搭載する半導体搭載パッケージにおいて、
表面の一部又は全部にダイヤモンドがコーティングされた1個又は複数個のダイヤモンドコーティング基板と、
このダイヤモンドコーティング基板の半導体素子を搭載するのと反対の面に接合された高熱伝導性金属部材と、
リードフレームのリードを高熱伝導性金属部材から絶縁するための枠状のセラミックス部材と、
枠状の低熱膨張率金属部材とを有し、
前記高熱伝導性金属部材と前記セラミックス部材との接合部に低熱膨張率金属部材が介在し、前記枠中に前記高熱伝導性金属部材が埋め込まれ、かつ前記高熱伝導性金属部材の底面は、前記低熱膨張率金属部材の底面より出ていることを特徴とする半導体搭載パッケージ。
【請求項3】
ダイヤモンドは気相合成法により製造されることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項4】
高熱伝導性金属部材の熱伝導率は、300W/m・K以上である請求項1又は請求項2記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項5】
高熱伝導性金属部材は、Cu若しくはCuを含む合金若しくはその焼結体、又はAu若しくはAuを含む合金若しくはその焼結体である請求項1又は請求項2記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項6】
高熱伝導性金属部材の厚さは 20μm〜3mmである請求項1又は請求項2記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項7】
高熱伝導性金属部材のダイヤモンド基板のある面と反対の面に金属基板を配置した請求項1記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項8】
高熱伝導性金属部材のダイヤモンドコーティング基板のある面と反対の面に金属基板を配置した請求項2記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項9】
金属基板が、Cu若しくはCuを含む合金、その焼結体、又はクラッド材からなる請求項7又は請求項8記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項10】
セラミックス部材がアルミナであるか、又はアルミナを主成分とするセラミックスである請求項1又は請求項2記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項11】
低熱膨張率金属部材の熱膨張率の、室温から800°Cまでの平均値が5〜13ppm/°Cである請求項1又は請求項2記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項12】
低熱膨張率金属部材がCu,W,Moのうち少なくとも2種類を含む合金若しくはその焼結体又はクラッド材である請求項1又は請求項2記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項1】
半導体素子を1個あるいは複数個搭載する半導体搭載パッケージにおいて、
半導体素子を搭載する1個又は複数個のダイヤモンド基板と、
前記ダイヤモンド基板の半導体素子を搭載するのと反対の面に接合された高熱伝導性金属部材と、
リードフレームのリードを高熱伝導性金属部材から絶縁するための枠状のセラミックス部材と、
枠状の低熱膨張率金属部材とを有し、
前記高熱伝導性金属部材と前記セラミックス部材との接合部に前記低熱膨張率金属部材が介在し、前記枠中に前記高熱伝導性金属部材が埋め込まれ、かつ前記高熱伝導性金属部材の底面は、前記低熱膨張率金属部材の底面より出ていることを特徴とする半導体搭載パッケージ。
【請求項2】
半導体素子を1個あるいは複数個搭載する半導体搭載パッケージにおいて、
表面の一部又は全部にダイヤモンドがコーティングされた1個又は複数個のダイヤモンドコーティング基板と、
このダイヤモンドコーティング基板の半導体素子を搭載するのと反対の面に接合された高熱伝導性金属部材と、
リードフレームのリードを高熱伝導性金属部材から絶縁するための枠状のセラミックス部材と、
枠状の低熱膨張率金属部材とを有し、
前記高熱伝導性金属部材と前記セラミックス部材との接合部に低熱膨張率金属部材が介在し、前記枠中に前記高熱伝導性金属部材が埋め込まれ、かつ前記高熱伝導性金属部材の底面は、前記低熱膨張率金属部材の底面より出ていることを特徴とする半導体搭載パッケージ。
【請求項3】
ダイヤモンドは気相合成法により製造されることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項4】
高熱伝導性金属部材の熱伝導率は、300W/m・K以上である請求項1又は請求項2記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項5】
高熱伝導性金属部材は、Cu若しくはCuを含む合金若しくはその焼結体、又はAu若しくはAuを含む合金若しくはその焼結体である請求項1又は請求項2記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項6】
高熱伝導性金属部材の厚さは 20μm〜3mmである請求項1又は請求項2記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項7】
高熱伝導性金属部材のダイヤモンド基板のある面と反対の面に金属基板を配置した請求項1記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項8】
高熱伝導性金属部材のダイヤモンドコーティング基板のある面と反対の面に金属基板を配置した請求項2記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項9】
金属基板が、Cu若しくはCuを含む合金、その焼結体、又はクラッド材からなる請求項7又は請求項8記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項10】
セラミックス部材がアルミナであるか、又はアルミナを主成分とするセラミックスである請求項1又は請求項2記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項11】
低熱膨張率金属部材の熱膨張率の、室温から800°Cまでの平均値が5〜13ppm/°Cである請求項1又は請求項2記載の半導体搭載パッケージ。
【請求項12】
低熱膨張率金属部材がCu,W,Moのうち少なくとも2種類を含む合金若しくはその焼結体又はクラッド材である請求項1又は請求項2記載の半導体搭載パッケージ。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体搭載パッケージは、図1に示すように、半導体素子8を搭載するダイヤモンド基板1と、前記ダイヤモンド基板1の半導体素子8を搭載するのと反対の面に接合された高熱伝導性金属部材3を含むものである。ダイヤモンド基板1の数は、1個でも複数個でもよい。
高熱伝導性金属部材に、半導体素子に信号を入出力するリードフレームを取り付ける場合、通常、リードと高熱伝導性金属部材は電気的に絶縁される必要があり、絶縁性のセラミックス部材を介してリードフレームを取り付けることになる。ここで、高熱伝導性金属部材とセラミックス部材との間に、セラミックスの熱膨張率に適合した低熱膨張率金属部材を介在させることによって、セラミックス部材と高熱伝導性金属部材との間の熱膨張率の差によって生じる反りやクラックを抑えることが可能となり、半導体素子及びパッケージ全体の信頼性をさらに向上させることができる。
図5及び図6に、リードフレームを取り付けるため、高熱伝導性金属部材3及び低熱膨張率金属部材5を用いたパッケージの具体例を示す。図6に示すように、セラミックス部材6及び低熱膨張率金属部材5は、枠状に形成する。そして、この枠の内部に高熱伝導性金属部材3を挿入し、その表面にダイヤモンド基板1あるいはダイヤモンドコーティング基板2を搭載する。この場合、低熱膨張率金属部材5に、プリント基板などに取り付けるためのネジ穴が設けられていてもよい。また、底面は、図5に示すように高熱伝導性金属部材3が低熱膨張率金属部材5の穴から若干飛び出していることが望ましい。こうすることによって、ダイヤモンドから高熱伝導性金属基板を介して伝導してきた熱を外部に効率よく排出することができる。
また本発明の半導体搭載パッケージは、図2に示すように、表面の一部又は全部にダイヤモンドがコーティングされたダイヤモンドコーティング基板2と、このダイヤモンドコーティング基板2の半導体素子8を搭載するのと反対の面に接合された高熱伝導性金属部材3を含むものである(請求項2)。ダイヤモンドコーティング基板2はSi,AlN,SiC,CuWの少なくとも一種を含むことが好ましく、さらにCuMo,CuWMoを含んでいてもよい。ダイヤモンドコーティング基板2の数は、1個でも複数個でもよい。
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体搭載パッケージは、図1に示すように、半導体素子8を搭載するダイヤモンド基板1と、前記ダイヤモンド基板1の半導体素子8を搭載するのと反対の面に接合された高熱伝導性金属部材3を含むものである。ダイヤモンド基板1の数は、1個でも複数個でもよい。
高熱伝導性金属部材に、半導体素子に信号を入出力するリードフレームを取り付ける場合、通常、リードと高熱伝導性金属部材は電気的に絶縁される必要があり、絶縁性のセラミックス部材を介してリードフレームを取り付けることになる。ここで、高熱伝導性金属部材とセラミックス部材との間に、セラミックスの熱膨張率に適合した低熱膨張率金属部材を介在させることによって、セラミックス部材と高熱伝導性金属部材との間の熱膨張率の差によって生じる反りやクラックを抑えることが可能となり、半導体素子及びパッケージ全体の信頼性をさらに向上させることができる。
図5及び図6に、リードフレームを取り付けるため、高熱伝導性金属部材3及び低熱膨張率金属部材5を用いたパッケージの具体例を示す。図6に示すように、セラミックス部材6及び低熱膨張率金属部材5は、枠状に形成する。そして、この枠の内部に高熱伝導性金属部材3を挿入し、その表面にダイヤモンド基板1あるいはダイヤモンドコーティング基板2を搭載する。この場合、低熱膨張率金属部材5に、プリント基板などに取り付けるためのネジ穴が設けられていてもよい。また、底面は、図5に示すように高熱伝導性金属部材3が低熱膨張率金属部材5の穴から若干飛び出していることが望ましい。こうすることによって、ダイヤモンドから高熱伝導性金属基板を介して伝導してきた熱を外部に効率よく排出することができる。
また本発明の半導体搭載パッケージは、図2に示すように、表面の一部又は全部にダイヤモンドがコーティングされたダイヤモンドコーティング基板2と、このダイヤモンドコーティング基板2の半導体素子8を搭載するのと反対の面に接合された高熱伝導性金属部材3を含むものである(請求項2)。ダイヤモンドコーティング基板2はSi,AlN,SiC,CuWの少なくとも一種を含むことが好ましく、さらにCuMo,CuWMoを含んでいてもよい。ダイヤモンドコーティング基板2の数は、1個でも複数個でもよい。
金属基板4の、高熱伝導性金属部材3を取り付ける部分の形状は、高熱伝導性金属部材3の厚さに応じて、薄くなっていてもよい。また、金属基板4はプリント基板などに取り付けるためのネジ穴が設けられていてもよい。
金属基板4を使用しない場合は、高熱伝導性金属部材3にプリント基板などに取り付けるためのネジ穴が設けられていてもよい。
金属基板4を使用しない場合は、高熱伝導性金属部材3にプリント基板などに取り付けるためのネジ穴が設けられていてもよい。
ここで、絶縁性のセラミックス部材としてはアルミナ、あるいはアルミナを主成分とするセラミックスを用いるのが好ましい(請求項10)。このセラミックス部材を高熱伝導性金属部材に取り付ける場合、介在させる低熱膨張率金属部材としては、室温からロウ付け温度までの平均の熱膨張率が5〜13ppm/°Cであるものが好ましく(請求項11)、そのようなものとしてCuW焼結体、コバール、Cu−Mo−Cuクラッド材等が挙げられる(請求項12)。特に、CuW焼結体は、アルミナセラミックスとの熱膨張係数が近く、非常に有効である。
なお、高熱伝導性金属部材、低熱膨張率金属部材、セラミックス部材、リードの表面には、Au,Mo,Ti,Ni,Pt,Cu,Alなどから選ばれた少なくとも一種からなるメタライズ層を形成し、AuSn,AuSi等の金系のロウ材、あるいはAg系のロウ材でロウ付けすることが可能である。
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