JP2003078084A - ヒートシンクおよびサブマウント - Google Patents
ヒートシンクおよびサブマウントInfo
- Publication number
- JP2003078084A JP2003078084A JP2001262285A JP2001262285A JP2003078084A JP 2003078084 A JP2003078084 A JP 2003078084A JP 2001262285 A JP2001262285 A JP 2001262285A JP 2001262285 A JP2001262285 A JP 2001262285A JP 2003078084 A JP2003078084 A JP 2003078084A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- submount
- heat sink
- sic
- heat
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課 題】 本発明は、熱膨張係数が小さく、かつ、
熱伝導率が大きく、さらに導電性を有するヒートシンク
またはサブマウントを提供することを目的とする。 【解決手段】 （ａ）熱伝導率が、０〜２００℃の範囲
内で１００〜３００Ｗ／ｍ・Ｋ、（ｂ）０〜２００℃の
平均熱膨張係数が２×１０−６〜６×１０−６／Ｋ、
（ｃ）抵抗率が１０−１〜１０−６Ωｃｍである材料か
らなることを特徴とするヒートシンクまたはサブマウン
ト。
熱伝導率が大きく、さらに導電性を有するヒートシンク
またはサブマウントを提供することを目的とする。 【解決手段】 （ａ）熱伝導率が、０〜２００℃の範囲
内で１００〜３００Ｗ／ｍ・Ｋ、（ｂ）０〜２００℃の
平均熱膨張係数が２×１０−６〜６×１０−６／Ｋ、
（ｃ）抵抗率が１０−１〜１０−６Ωｃｍである材料か
らなることを特徴とするヒートシンクまたはサブマウン
ト。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に発熱量の大き
い半導体素子に好適なヒートシンクおよびサブマウント
に関する。
い半導体素子に好適なヒートシンクおよびサブマウント
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、超高出力半導体レーザなどの熱を
大量に発生する半導体素子では、発熱による素子機能の
低下を避けるため、通常は金属放熱体をヒートシンクと
して用いるのが一般的である。しかし、半導体素子と金
属放熱体との熱膨張係数の差が、半導体素子に不要な歪
みをもたらす場合がある。かかる歪みは、半導体素子に
対し電気特性の変化または信頼性の低下などの悪影響を
与える。具体的に、例えば半導体レーザにおいては、熱
によって誘発された歪みにより半導体レーザ内部での転
位の増殖や不純物の拡散などが生じ、半導体レーザの劣
化が加速される等の問題がある。そこで、かかる問題を
解消すべく、金属放熱体の上に半導体レーザを構成する
材料と比較的熱膨張係数が近い材料、具体的にはＣｕＷ
などからなるサブマウントを配置し、その上にはんだ材
料を介して半導体素子を搭載し固着する方法がよく用い
られている。
大量に発生する半導体素子では、発熱による素子機能の
低下を避けるため、通常は金属放熱体をヒートシンクと
して用いるのが一般的である。しかし、半導体素子と金
属放熱体との熱膨張係数の差が、半導体素子に不要な歪
みをもたらす場合がある。かかる歪みは、半導体素子に
対し電気特性の変化または信頼性の低下などの悪影響を
与える。具体的に、例えば半導体レーザにおいては、熱
によって誘発された歪みにより半導体レーザ内部での転
位の増殖や不純物の拡散などが生じ、半導体レーザの劣
化が加速される等の問題がある。そこで、かかる問題を
解消すべく、金属放熱体の上に半導体レーザを構成する
材料と比較的熱膨張係数が近い材料、具体的にはＣｕＷ
などからなるサブマウントを配置し、その上にはんだ材
料を介して半導体素子を搭載し固着する方法がよく用い
られている。
【０００３】しかし、近年、半導体素子に対する小型
化、高集積化、大容量化などの要求から、半導体素子か
らの発熱量は増加しており、ＣｕＷなどからなる従来の
サブマウントでは、熱によって誘発される半導体素子の
歪みを十分に抑制することが困難となった。そのため、
出願人は上記サブマウント材料としてＳｉＣを用いた半
導体装置を開発し、先に特許出願した。かかるＳｉＣ
は、熱膨張係数が小さく、熱による体積変化が少ない。
そのため、ＳｉＣからなるサブマウントをヒートシンク
である金属放熱体と半導体素子の間に用いることによ
り、サブマウントが金属放熱体の熱による体積変化に抵
抗し、これを打ち消すことにより、搭載されている半導
体素子には金属放熱体の熱による体積変化が影響しにく
くなる。その結果、熱により誘発される半導体素子の歪
みを軽減することができる。
化、高集積化、大容量化などの要求から、半導体素子か
らの発熱量は増加しており、ＣｕＷなどからなる従来の
サブマウントでは、熱によって誘発される半導体素子の
歪みを十分に抑制することが困難となった。そのため、
出願人は上記サブマウント材料としてＳｉＣを用いた半
導体装置を開発し、先に特許出願した。かかるＳｉＣ
は、熱膨張係数が小さく、熱による体積変化が少ない。
そのため、ＳｉＣからなるサブマウントをヒートシンク
である金属放熱体と半導体素子の間に用いることによ
り、サブマウントが金属放熱体の熱による体積変化に抵
抗し、これを打ち消すことにより、搭載されている半導
体素子には金属放熱体の熱による体積変化が影響しにく
くなる。その結果、熱により誘発される半導体素子の歪
みを軽減することができる。
【０００４】しかしながら、上記先願発明で用いられて
いるＳｉＣは焼結体のセラミックスで電気伝導性がほと
んどないため、半導体素子をＳｉＣからなるサブマウン
トに搭載する際には、サブマウントの表面から裏面にま
たは裏面から表面に電流が流れるよう工夫をしなければ
ならないという問題が生じてきた。かかる問題に対し、
先願発明の半導体装置では、ＳｉＣからなるサブマウン
トの周りに金属を蒸着させることにより対処している。
しかし、かかる対処は、特に高出力半導体レーザなどの
ように大量に電流を流す必要のある半導体素子において
は、その性能を発揮するために十分効果的であるとは言
えない。すなわち、サブマウントにおいて電流が流れに
くいため、その上に搭載されている半導体素子に十分な
電流を流すことができない。また、サブマウントの電気
抵抗が大きいため、サブマウント部分からの発熱が多く
なり、発熱量増加に拍車がかかるという悪影響も生じて
いた。そこで、上記サブマウントの導電性という問題を
解決するために、より効果的な技術を開発が望まれる。
いるＳｉＣは焼結体のセラミックスで電気伝導性がほと
んどないため、半導体素子をＳｉＣからなるサブマウン
トに搭載する際には、サブマウントの表面から裏面にま
たは裏面から表面に電流が流れるよう工夫をしなければ
ならないという問題が生じてきた。かかる問題に対し、
先願発明の半導体装置では、ＳｉＣからなるサブマウン
トの周りに金属を蒸着させることにより対処している。
しかし、かかる対処は、特に高出力半導体レーザなどの
ように大量に電流を流す必要のある半導体素子において
は、その性能を発揮するために十分効果的であるとは言
えない。すなわち、サブマウントにおいて電流が流れに
くいため、その上に搭載されている半導体素子に十分な
電流を流すことができない。また、サブマウントの電気
抵抗が大きいため、サブマウント部分からの発熱が多く
なり、発熱量増加に拍車がかかるという悪影響も生じて
いた。そこで、上記サブマウントの導電性という問題を
解決するために、より効果的な技術を開発が望まれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、熱膨張係数
が小さく、かつ、熱伝導率が大きく、さらに導電性を有
するヒートシンクまたはサブマウントを提供することを
目的とする。
が小さく、かつ、熱伝導率が大きく、さらに導電性を有
するヒートシンクまたはサブマウントを提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成すべく鋭意検討したところ、ヒートシンクまたはサ
ブマウントに、（ａ）熱伝導率が、０〜２００℃の範囲
内で１００〜３００Ｗ／ｍ・Ｋ、（ｂ）０〜２００℃の
平均熱膨張係数が２×１０−６〜６×１０−６／Ｋ、
（ｃ）抵抗率が１０−１〜１０−６Ωｃｍである材料を
用いれば、上記従来の問題点を一挙に解決できることを
知見した。
達成すべく鋭意検討したところ、ヒートシンクまたはサ
ブマウントに、（ａ）熱伝導率が、０〜２００℃の範囲
内で１００〜３００Ｗ／ｍ・Ｋ、（ｂ）０〜２００℃の
平均熱膨張係数が２×１０−６〜６×１０−６／Ｋ、
（ｃ）抵抗率が１０−１〜１０−６Ωｃｍである材料を
用いれば、上記従来の問題点を一挙に解決できることを
知見した。
【０００７】すなわち、熱伝導率が上記基準値内であれ
ば、半導体素子から発生した熱を効率よく逃がすことが
できる。その結果、熱による半導体素子の機能の低下な
どを防ぐことができる。また、熱膨張係数が上記基準値
内であれば、熱により誘発される半導体素子の歪みを軽
減することができる。具体的には、かかる材料を用いた
ヒートシンクは、熱による体積変化が少ないので、その
上に搭載される半導体素子に与える歪みが小さい。ま
た、かかる材料を用いたサブマウントは、熱による体積
変化が少ないので、ヒートシンクに金属などの熱膨張係
数の大きいものを用いた場合でも、かかるヒートシンク
の熱による体積変化に対しサブマウントが抵抗し、体積
変化を打ち消してくれる。その結果、サブマウントの上
に搭載される半導体素子に与える歪みが小さい。
ば、半導体素子から発生した熱を効率よく逃がすことが
できる。その結果、熱による半導体素子の機能の低下な
どを防ぐことができる。また、熱膨張係数が上記基準値
内であれば、熱により誘発される半導体素子の歪みを軽
減することができる。具体的には、かかる材料を用いた
ヒートシンクは、熱による体積変化が少ないので、その
上に搭載される半導体素子に与える歪みが小さい。ま
た、かかる材料を用いたサブマウントは、熱による体積
変化が少ないので、ヒートシンクに金属などの熱膨張係
数の大きいものを用いた場合でも、かかるヒートシンク
の熱による体積変化に対しサブマウントが抵抗し、体積
変化を打ち消してくれる。その結果、サブマウントの上
に搭載される半導体素子に与える歪みが小さい。
【０００８】さらに、抵抗率が上記基準値内であれば、
十分な導電性を確保できる。そのため、ヒートシンクま
たはサブマウントの表面から裏面にまたは裏面から表面
に電流が流れるよう工夫をする必要がなくなる。また、
ヒートシンクまたはサブマウントの電気抵抗が小さくな
るため、ヒートシンクまたはサブマウントで発生する熱
を低減することができる。その結果、特に高出力半導体
レーザなどのように大量に電流を流す必要のある半導体
素子において、信頼性の向上を図ることができる。本発
明者は、さらに検討を重ねて、本発明を完成した。
十分な導電性を確保できる。そのため、ヒートシンクま
たはサブマウントの表面から裏面にまたは裏面から表面
に電流が流れるよう工夫をする必要がなくなる。また、
ヒートシンクまたはサブマウントの電気抵抗が小さくな
るため、ヒートシンクまたはサブマウントで発生する熱
を低減することができる。その結果、特に高出力半導体
レーザなどのように大量に電流を流す必要のある半導体
素子において、信頼性の向上を図ることができる。本発
明者は、さらに検討を重ねて、本発明を完成した。
【０００９】すなわち、本発明は、（１） （ａ）熱伝
導率が、０〜２００℃の範囲内で１００〜３００Ｗ／ｍ
・Ｋ、（ｂ）０〜２００℃の平均熱膨張係数が２×１０
−６〜６×１０−６／Ｋ、（ｃ）抵抗率が１０−１〜１
０−６Ωｃｍである材料からなることを特徴とするヒー
トシンク、（２） ＳｉＣ、ＧａＮまたはＡｌＮからな
ることを特徴とする前記（１）に記載のヒートシンク、
（３） 単結晶ＳｉＣからなることを特徴とする前記
（１）に記載のヒートシンク、（４） さらに、周囲が
金属膜で被覆されていることを特徴とする前記（１）に
記載のヒートシンク、に関する。
導率が、０〜２００℃の範囲内で１００〜３００Ｗ／ｍ
・Ｋ、（ｂ）０〜２００℃の平均熱膨張係数が２×１０
−６〜６×１０−６／Ｋ、（ｃ）抵抗率が１０−１〜１
０−６Ωｃｍである材料からなることを特徴とするヒー
トシンク、（２） ＳｉＣ、ＧａＮまたはＡｌＮからな
ることを特徴とする前記（１）に記載のヒートシンク、
（３） 単結晶ＳｉＣからなることを特徴とする前記
（１）に記載のヒートシンク、（４） さらに、周囲が
金属膜で被覆されていることを特徴とする前記（１）に
記載のヒートシンク、に関する。
【００１０】また、本発明は、（５） 前記（１）に記
載のヒートシンクを有する電子部品、（６） 半導体レ
ーザ、ＣＰＵ（central processing unit）、ＭＰＵ（m
icroprocessor unit）、大電力用スイッチング素子また
は高周波増幅素子が、前記（１）に記載のヒートシンク
に搭載されていることを特徴とする半導体装置、に関す
る。
載のヒートシンクを有する電子部品、（６） 半導体レ
ーザ、ＣＰＵ（central processing unit）、ＭＰＵ（m
icroprocessor unit）、大電力用スイッチング素子また
は高周波増幅素子が、前記（１）に記載のヒートシンク
に搭載されていることを特徴とする半導体装置、に関す
る。
【００１１】また、本発明は、（７） （ａ）熱伝導率
が、０〜２００℃の範囲内で１００〜３００Ｗ／ｍ・
Ｋ、（ｂ）０〜２００℃の平均熱膨張係数が２×１０
−６〜６×１０−６／Ｋ、（ｃ）抵抗率が１０−１〜１
０−６Ωｃｍである材料からなることを特徴とするサブ
マウント、（８） ＳｉＣ、ＧａＮまたはＡｌＮからな
ることを特徴とする前記（７）に記載のサブマウント、
（９） 単結晶ＳｉＣからなることを特徴とする前記
（７）に記載のサブマウント、（１０） さらに、周囲
が金属膜で被覆されていることを特徴とする前記（７）
に記載のサブマウント、に関する。
が、０〜２００℃の範囲内で１００〜３００Ｗ／ｍ・
Ｋ、（ｂ）０〜２００℃の平均熱膨張係数が２×１０
−６〜６×１０−６／Ｋ、（ｃ）抵抗率が１０−１〜１
０−６Ωｃｍである材料からなることを特徴とするサブ
マウント、（８） ＳｉＣ、ＧａＮまたはＡｌＮからな
ることを特徴とする前記（７）に記載のサブマウント、
（９） 単結晶ＳｉＣからなることを特徴とする前記
（７）に記載のサブマウント、（１０） さらに、周囲
が金属膜で被覆されていることを特徴とする前記（７）
に記載のサブマウント、に関する。
【００１２】また、本発明は、（１１） 前記（７）に
記載のサブマウントを有する電子部品、（１２） 半導
体レーザが、前記（７）に記載のサブマウントに搭載さ
れていることを特徴とする半導体装置、に関する。
記載のサブマウントを有する電子部品、（１２） 半導
体レーザが、前記（７）に記載のサブマウントに搭載さ
れていることを特徴とする半導体装置、に関する。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明に係るヒートシンクまたは
サブマウントを構成する材料は、熱伝導率が、０〜２０
０℃の範囲内で約１００〜３００Ｗ／ｍ・Ｋ程度、好ま
しくは約２００〜３００Ｗ／ｍ・Ｋ程度であることを特
長とする。上記熱伝導率は、公知の測定機、例えばレー
ザ熱膨張計ＬＩＸ−１（アルバック理工株式会社製）を
用いて容易に測定することができる。
サブマウントを構成する材料は、熱伝導率が、０〜２０
０℃の範囲内で約１００〜３００Ｗ／ｍ・Ｋ程度、好ま
しくは約２００〜３００Ｗ／ｍ・Ｋ程度であることを特
長とする。上記熱伝導率は、公知の測定機、例えばレー
ザ熱膨張計ＬＩＸ−１（アルバック理工株式会社製）を
用いて容易に測定することができる。
【００１４】本発明に係るヒートシンクまたはサブマウ
ントを構成する材料は、０〜２００℃の平均熱膨張係数
が約２×１０−６〜６×１０−６／Ｋ程度、好ましくは
約３×１０−６〜４×１０−６／Ｋ程度であることを特
長とする。上記平均熱膨張係数は、公知の測定機、例え
ばレーザ熱膨張計ＬＩＸ−１（アルバック理工株式会社
製）を用いて容易に測定することができる。
ントを構成する材料は、０〜２００℃の平均熱膨張係数
が約２×１０−６〜６×１０−６／Ｋ程度、好ましくは
約３×１０−６〜４×１０−６／Ｋ程度であることを特
長とする。上記平均熱膨張係数は、公知の測定機、例え
ばレーザ熱膨張計ＬＩＸ−１（アルバック理工株式会社
製）を用いて容易に測定することができる。
【００１５】本発明に係るヒートシンクまたはサブマウ
ントを構成する材料は、抵抗率が約１０−１〜１０−６
Ωｃｍ程度、好ましくは約１０−２〜１０−４Ωｃｍ程
度であることを特長とする。上記抵抗率は、公知の測定
機、例えばＶＲ−１２０Ｓ（国際電気アルファ株式会社
製）を用いて容易に測定することができる。
ントを構成する材料は、抵抗率が約１０−１〜１０−６
Ωｃｍ程度、好ましくは約１０−２〜１０−４Ωｃｍ程
度であることを特長とする。上記抵抗率は、公知の測定
機、例えばＶＲ−１２０Ｓ（国際電気アルファ株式会社
製）を用いて容易に測定することができる。
【００１６】本発明に係るヒートシンクまたはサブマウ
ントを構成する材料は、上記の基準値を満たすものであ
れば、特に限定されない。かかる材料として、具体的に
は、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＮまたはダイヤモンドなどが
挙げられる。中でも、本発明においては、ＳｉＣを用い
るのが好ましい。ＳｉＣは結晶成長させたときの表面の
平坦性が高く、その結果、本発明に係るヒートシンクま
たはサブマウント上に半導体素子などを搭載する際に該
半導体素子などとの接触がよくなるからである。
ントを構成する材料は、上記の基準値を満たすものであ
れば、特に限定されない。かかる材料として、具体的に
は、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＮまたはダイヤモンドなどが
挙げられる。中でも、本発明においては、ＳｉＣを用い
るのが好ましい。ＳｉＣは結晶成長させたときの表面の
平坦性が高く、その結果、本発明に係るヒートシンクま
たはサブマウント上に半導体素子などを搭載する際に該
半導体素子などとの接触がよくなるからである。
【００１７】上記ＳｉＣは、焼結体であっても、単結晶
であってもよいが、単結晶ＳｉＣを用いるほうが好まし
い。単結晶ＳｉＣのほうが、焼結体ＳｉＣよりも熱伝導
性が高く、半導体素子などから発生する熱をより効率よ
く逃がすことができるからである。単結晶ＳｉＣには、
３Ｃ形、４Ｈ形、６Ｈ形、１５Ｒ形など各種の結晶形が
存在する。本発明においては、いずれの結晶形を用いて
もよいが、４Ｈ形のＳｉＣを用いるのがより好ましい。
であってもよいが、単結晶ＳｉＣを用いるほうが好まし
い。単結晶ＳｉＣのほうが、焼結体ＳｉＣよりも熱伝導
性が高く、半導体素子などから発生する熱をより効率よ
く逃がすことができるからである。単結晶ＳｉＣには、
３Ｃ形、４Ｈ形、６Ｈ形、１５Ｒ形など各種の結晶形が
存在する。本発明においては、いずれの結晶形を用いて
もよいが、４Ｈ形のＳｉＣを用いるのがより好ましい。
【００１８】本発明に係るヒートシンクまたはサブマウ
ントとして好適なＳｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＮまたはダイヤ
モンドなどの結晶は、公知の方法により作製し、所望に
より上記特定の熱伝導率、平均熱膨張係数および抵抗率
を有するものを選択することにより取得することができ
る。
ントとして好適なＳｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＮまたはダイヤ
モンドなどの結晶は、公知の方法により作製し、所望に
より上記特定の熱伝導率、平均熱膨張係数および抵抗率
を有するものを選択することにより取得することができ
る。
【００１９】例えば、ＳｉＣ単結晶は、ＳｉＣ原材料の
分解・昇華を利用した昇華法、またはＳｉ化合物とＣ化
合物を高温で合成するアチソン法により作製することが
できる。例えば、昇華法によるＳｉＣ単結晶成長方法と
しては、雑誌「真空」第３０巻，第１１号，１９８７年
の第５２頁〜第５８頁に掲載されている方法などが挙げ
られる。より具体的に、昇華法による単結晶ＳｉＣの結
晶成長方法を、図面を用いて説明する。図２にＳｉＣ単
結晶成長装置の要部断面図を示す。２１はグラファイト
からなるルツボであり、該ルツボ２１内には粉末状Ｓｉ
Ｃの原材料２２が準備されている。２３は内側下面に６
Ｈ形ＳｉＣ結晶からなるＳｉＣ種結晶２４を設置固定す
るためのグラファイトからなるホルダー（蓋）であり、
前記ルツボ１の開口部２５上に載置（配設）されてい
る。
分解・昇華を利用した昇華法、またはＳｉ化合物とＣ化
合物を高温で合成するアチソン法により作製することが
できる。例えば、昇華法によるＳｉＣ単結晶成長方法と
しては、雑誌「真空」第３０巻，第１１号，１９８７年
の第５２頁〜第５８頁に掲載されている方法などが挙げ
られる。より具体的に、昇華法による単結晶ＳｉＣの結
晶成長方法を、図面を用いて説明する。図２にＳｉＣ単
結晶成長装置の要部断面図を示す。２１はグラファイト
からなるルツボであり、該ルツボ２１内には粉末状Ｓｉ
Ｃの原材料２２が準備されている。２３は内側下面に６
Ｈ形ＳｉＣ結晶からなるＳｉＣ種結晶２４を設置固定す
るためのグラファイトからなるホルダー（蓋）であり、
前記ルツボ１の開口部２５上に載置（配設）されてい
る。
【００２０】前記ルツボ２１は、その内部が約１〜１０
Ｔｏｒｒ程度のＡｒガス雰囲気にある状態で高周波誘導
により約１８００〜２５００℃程度に加熱される。従っ
て、前記ルツボ２１内の原材料２２は該ルツボ２１から
の熱伝導や熱輻射により分解、昇華し、ホルダー（蓋）
２３の内側下面に設置固定され、原材料より低温の約１
７００〜２４００℃程度にあるＳｉＣ種結晶２４の表面
で再結晶して６Ｈ形ＳｉＣ単結晶が成長するのである。
Ｔｏｒｒ程度のＡｒガス雰囲気にある状態で高周波誘導
により約１８００〜２５００℃程度に加熱される。従っ
て、前記ルツボ２１内の原材料２２は該ルツボ２１から
の熱伝導や熱輻射により分解、昇華し、ホルダー（蓋）
２３の内側下面に設置固定され、原材料より低温の約１
７００〜２４００℃程度にあるＳｉＣ種結晶２４の表面
で再結晶して６Ｈ形ＳｉＣ単結晶が成長するのである。
【００２１】上記結晶成長方法では、純粋な６Ｈ形Ｓｉ
Ｃ単結晶が得られるが、例えば、原材料にＡｌ、Ｎ２等
の不純物を含有させるなどにより、ｐ型またはｎ型のＳ
ｉＣ単結晶も作成できる。更に、種結晶の結晶形を変更
したり、温度条件を変えたり、または不純物を添加した
りすることにより、上記実施態様に従った方法で４Ｈ形
または３Ｃ形などの他の結晶形のＳｉＣ単結晶も作成で
きる。
Ｃ単結晶が得られるが、例えば、原材料にＡｌ、Ｎ２等
の不純物を含有させるなどにより、ｐ型またはｎ型のＳ
ｉＣ単結晶も作成できる。更に、種結晶の結晶形を変更
したり、温度条件を変えたり、または不純物を添加した
りすることにより、上記実施態様に従った方法で４Ｈ形
または３Ｃ形などの他の結晶形のＳｉＣ単結晶も作成で
きる。
【００２２】上述した導電性を有するＳｉＣ焼結体は、
例えば、特開平１０−６７５６５、特開平１１−７９８
４０、特開平１１−７９８４１または特開平１１−７９
８４７に記載されている方法など公知の方法で製造する
ことができる。具体的には、炭化ケイ素粉末と、非金属
系焼結助剤と、所望により少なくとも１種以上の窒素源
との混合物を、約２０００〜２４００℃程度の温度条件
で焼結することにより、導電性を有するＳｉＣ焼結体を
得ることができる。ここで、本発明の実施の態様を説明
するために、上記公開公報の出願明細書の発明の詳細な
説明を本願明細書の開示の一部として取り入れる。
例えば、特開平１０−６７５６５、特開平１１−７９８
４０、特開平１１−７９８４１または特開平１１−７９
８４７に記載されている方法など公知の方法で製造する
ことができる。具体的には、炭化ケイ素粉末と、非金属
系焼結助剤と、所望により少なくとも１種以上の窒素源
との混合物を、約２０００〜２４００℃程度の温度条件
で焼結することにより、導電性を有するＳｉＣ焼結体を
得ることができる。ここで、本発明の実施の態様を説明
するために、上記公開公報の出願明細書の発明の詳細な
説明を本願明細書の開示の一部として取り入れる。
【００２３】また、ＧａＮ結晶は、「S. Porowski, Ma
t. Sci and Eng. B44 (1997) 407」に開示されている高
温高圧下でのバルク成長により作製することができる。
また、「A. Usui et al., Jpn. J. Appl. Phys. 36(199
7) L899」および「特開平１０−３１２９７１号公報」 に
開示されているＧａＮ基板の作製方法に従った方法によ
り作製することができる。かかる方法は、ＨＶＰＥ (Hy
dride Vapor Phase Epitaxial Growth)法を用いてお
り、サファイア基板またはＧａＡｓ基板などの異種基板
上に数百ミクロン厚ものＧａＮ厚膜を形成することによ
ってＧａＮ基板を得ている。本発明においては、ＧａＮ
厚膜を形成後、異種基板を切断除去することにより、Ｇ
ａＮ結晶を得ることができる。
t. Sci and Eng. B44 (1997) 407」に開示されている高
温高圧下でのバルク成長により作製することができる。
また、「A. Usui et al., Jpn. J. Appl. Phys. 36(199
7) L899」および「特開平１０−３１２９７１号公報」 に
開示されているＧａＮ基板の作製方法に従った方法によ
り作製することができる。かかる方法は、ＨＶＰＥ (Hy
dride Vapor Phase Epitaxial Growth)法を用いてお
り、サファイア基板またはＧａＡｓ基板などの異種基板
上に数百ミクロン厚ものＧａＮ厚膜を形成することによ
ってＧａＮ基板を得ている。本発明においては、ＧａＮ
厚膜を形成後、異種基板を切断除去することにより、Ｇ
ａＮ結晶を得ることができる。
【００２４】本発明においては、ＳｉＣやＧａＮなどに
代表される上記の基準値を満たす材料からなる結晶の周
りを、さらに金属膜で被覆したものをヒートシンクまた
はサブマウントとして用いることが好ましい。上記のよ
うに、金属膜で上記結晶の周りを被覆することをメタラ
イズといい、このようにメタライズすることにより、ヒ
ートシンクまたはサブマウントの表面から裏面にまたは
裏面から表面により電流が流れやすくなり、特に高出力
半導体レーザなどのように大量に電流を流す必要のある
半導体素子において信頼性の向上を図ることができる。
また、メタライズすることにより電気が流れやすくな
り、電気抵抗が下がることから、ヒートシンクまたはサ
ブマウントからの発熱を抑えることができる。
代表される上記の基準値を満たす材料からなる結晶の周
りを、さらに金属膜で被覆したものをヒートシンクまた
はサブマウントとして用いることが好ましい。上記のよ
うに、金属膜で上記結晶の周りを被覆することをメタラ
イズといい、このようにメタライズすることにより、ヒ
ートシンクまたはサブマウントの表面から裏面にまたは
裏面から表面により電流が流れやすくなり、特に高出力
半導体レーザなどのように大量に電流を流す必要のある
半導体素子において信頼性の向上を図ることができる。
また、メタライズすることにより電気が流れやすくな
り、電気抵抗が下がることから、ヒートシンクまたはサ
ブマウントからの発熱を抑えることができる。
【００２５】本発明においては、上記メタライズの前
に、例えば研磨、洗浄などの公知の前処理を施すことが
好ましい。また、上記の基準値を満たす材料からなる結
晶は、メタライズの前に、実際に用いられる際の大きさ
および形状に近い形に切断しておくことが好ましい。か
かる結晶の切断は、例えば放電加工など公知の方法を用
いて行うことができる。
に、例えば研磨、洗浄などの公知の前処理を施すことが
好ましい。また、上記の基準値を満たす材料からなる結
晶は、メタライズの前に、実際に用いられる際の大きさ
および形状に近い形に切断しておくことが好ましい。か
かる結晶の切断は、例えば放電加工など公知の方法を用
いて行うことができる。
【００２６】上記の基準値を満たす材料からなる結晶を
メタライズする際に用いられる金属としては、当技術分
野で用いられている導電性の金属であれば特に限定され
ない。具体的には、例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐ
ｄ、Ａｇ、ＡｌまたはＭｎ等が挙げられる。メタライズ
の際には、１種類の金属のみを単独で用いてもよいし、
２種以上の金属を組み合わせて用いてもよい。後者の場
合は、合金にして上記結晶をメタライズするのに用いて
もよい。また、１種類の金属または複数種類の金属の合
金からなる金属膜が、上記結晶の周りに複数層積層され
ている構造としてもよい。
メタライズする際に用いられる金属としては、当技術分
野で用いられている導電性の金属であれば特に限定され
ない。具体的には、例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐ
ｄ、Ａｇ、ＡｌまたはＭｎ等が挙げられる。メタライズ
の際には、１種類の金属のみを単独で用いてもよいし、
２種以上の金属を組み合わせて用いてもよい。後者の場
合は、合金にして上記結晶をメタライズするのに用いて
もよい。また、１種類の金属または複数種類の金属の合
金からなる金属膜が、上記結晶の周りに複数層積層され
ている構造としてもよい。
【００２７】上記の基準値を満たす材料からなる結晶を
メタライズする方法は、特に限定されず公知の方法に従
ってよい。具体的には、（ａ）例えばＷやＭｏ等の高融
点金属を主成分とし、所望によりＮｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ａ
ｇ、ＡｌまたはＭｎ等を配合した高融点金属ペーストを
上記結晶に塗布して焼成する方法、（ｂ）Ｎｉ、Ｃｒ、
Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、ＡｌまたはＭｎ等から選ばれる少な
くとも１種を含むメタライズ組成物のペーストを上記結
晶上に塗布し、これを焼成する厚膜法、（ｃ）スパッタ
法や蒸着法等の薄膜形成法で各種金属薄膜を形成する薄
膜法等が例示される。中でも、本発明においては、メタ
ライズに際して上記薄膜法を用いるのが好ましく、蒸着
法を用いるのがより好ましい。なお、蒸着法を用いる場
合、上記結晶の上面と下面のみに金属を蒸着すれば、蒸
着時の金属の回り込みにより結晶の側面にも金属が蒸着
され得る。
メタライズする方法は、特に限定されず公知の方法に従
ってよい。具体的には、（ａ）例えばＷやＭｏ等の高融
点金属を主成分とし、所望によりＮｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ａ
ｇ、ＡｌまたはＭｎ等を配合した高融点金属ペーストを
上記結晶に塗布して焼成する方法、（ｂ）Ｎｉ、Ｃｒ、
Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、ＡｌまたはＭｎ等から選ばれる少な
くとも１種を含むメタライズ組成物のペーストを上記結
晶上に塗布し、これを焼成する厚膜法、（ｃ）スパッタ
法や蒸着法等の薄膜形成法で各種金属薄膜を形成する薄
膜法等が例示される。中でも、本発明においては、メタ
ライズに際して上記薄膜法を用いるのが好ましく、蒸着
法を用いるのがより好ましい。なお、蒸着法を用いる場
合、上記結晶の上面と下面のみに金属を蒸着すれば、蒸
着時の金属の回り込みにより結晶の側面にも金属が蒸着
され得る。
【００２８】上記の基準値を満たす材料からなる結晶を
メタライズした後、公知の処理を施してもよい。具体的
には、メタライズした金属と前記結晶の間に抵抗性の接
触ができるような処理をすることが好ましい。例えば、
前記結晶がＳｉＣの場合、その周りにＮｉ膜を例えば蒸
着などの方法により形成し、所望によりその周りにさら
に金属膜を形成し、その後約１０００℃以上の高温で加
熱処理することにより、金属とＳｉＣの間に抵抗性の接
触を形成することができる。前記加熱処理時における加
熱時間は、加熱温度により異なるので一概には言えない
が、約１０００℃程度で加熱した場合は、前記加熱時間
は約５分程度が好ましい。
メタライズした後、公知の処理を施してもよい。具体的
には、メタライズした金属と前記結晶の間に抵抗性の接
触ができるような処理をすることが好ましい。例えば、
前記結晶がＳｉＣの場合、その周りにＮｉ膜を例えば蒸
着などの方法により形成し、所望によりその周りにさら
に金属膜を形成し、その後約１０００℃以上の高温で加
熱処理することにより、金属とＳｉＣの間に抵抗性の接
触を形成することができる。前記加熱処理時における加
熱時間は、加熱温度により異なるので一概には言えない
が、約１０００℃程度で加熱した場合は、前記加熱時間
は約５分程度が好ましい。
【００２９】本発明は、上記本発明に係るヒートシンク
またはサブマウントを有する電子部品を提供する。電子
部品としては、特に限定されないが、半導体装置である
ことが好ましい。半導体装置としては、中でも、熱を大
量に発生する半導体素子を有する半導体装置が好適な例
として挙げられる。かかる半導体装置としては、例え
ば、半導体レーザ、ＣＰＵ（central processing uni
t）、ＭＰＵ（microprocessor unit）、サイリスタなど
の大電力用スイッチング素子に代表される大電力用半導
体素子または高周波増幅素子が、上記本発明に係るヒー
トシンクに搭載されている半導体装置が挙げられる。ま
た、半導体レーザが上記本発明に係るサブマウントに搭
載されている半導体装置も挙げられる。
またはサブマウントを有する電子部品を提供する。電子
部品としては、特に限定されないが、半導体装置である
ことが好ましい。半導体装置としては、中でも、熱を大
量に発生する半導体素子を有する半導体装置が好適な例
として挙げられる。かかる半導体装置としては、例え
ば、半導体レーザ、ＣＰＵ（central processing uni
t）、ＭＰＵ（microprocessor unit）、サイリスタなど
の大電力用スイッチング素子に代表される大電力用半導
体素子または高周波増幅素子が、上記本発明に係るヒー
トシンクに搭載されている半導体装置が挙げられる。ま
た、半導体レーザが上記本発明に係るサブマウントに搭
載されている半導体装置も挙げられる。
【００３０】本発明に係る半導体装置の具体的態様とし
て、図１に示す半導体レーザ装置が挙げられる。かかる
半導体レーザ装置は、Ｃｕからなるヒートシンク１の上
に、本発明に係るサブマウント２が搭載されている。ま
た、サブマウント２の上に、スーパーハイパワー半導体
レーザ３が搭載されている。スーパーハイパワー半導体
レーザ３は、多数の半導体レーザ素子を有し、各素子が
一斉に駆動することにより高出力のレーザ光を出射する
ことができる。また、スーパーハイパワー半導体レーザ
３には、半導体レーザ３に電流を送るための金ワイヤー
４が打ってある。
て、図１に示す半導体レーザ装置が挙げられる。かかる
半導体レーザ装置は、Ｃｕからなるヒートシンク１の上
に、本発明に係るサブマウント２が搭載されている。ま
た、サブマウント２の上に、スーパーハイパワー半導体
レーザ３が搭載されている。スーパーハイパワー半導体
レーザ３は、多数の半導体レーザ素子を有し、各素子が
一斉に駆動することにより高出力のレーザ光を出射する
ことができる。また、スーパーハイパワー半導体レーザ
３には、半導体レーザ３に電流を送るための金ワイヤー
４が打ってある。
【００３１】図１に示す半導体レーザ装置に用いられて
いるサブマウント２は、４Ｈ形のＳｉＣ単結晶をメタラ
イズしたものである。かかるサブマウント２の作製方法
を以下に詳細に説明する。まず、単結晶の４Ｈ形のＳｉ
Ｃを上述した昇華法で作成する。かかる単結晶ＳｉＣの
電気伝導型はｎ型である。昇華法で作成された４Ｈ形の
ＳｉＣ単結晶を公知方法で両面ポリッシュし、ついでサ
ブマウント２として使用される形に近い形、具体的に
は、幅１２ｍｍ×奥行き２ｍｍ×高さ０．３ｍｍ程度の
大きさに切断する。かかる単結晶ＳｉＣの上面および下
面に、真空蒸着法によりＮｉ／Ａｕ合金およびＴｉＣを
蒸着する。かかる蒸着の際に、メタルの回り込みによ
り、サブマウント２の側面にも上記金属が若干蒸着され
る。また、メタライズに用いる金属としては、Ｎｉ／Ａ
ｕ合金およびＴｉＣに限らず、例えばＰｔであってもよ
い。かかるＰｔにより４Ｈ形のＳｉＣ単結晶がメタライ
ズされているサブマウントにおいては、その側面には約
０．１５μｍ程度の厚さでＰｔが蒸着されている。
いるサブマウント２は、４Ｈ形のＳｉＣ単結晶をメタラ
イズしたものである。かかるサブマウント２の作製方法
を以下に詳細に説明する。まず、単結晶の４Ｈ形のＳｉ
Ｃを上述した昇華法で作成する。かかる単結晶ＳｉＣの
電気伝導型はｎ型である。昇華法で作成された４Ｈ形の
ＳｉＣ単結晶を公知方法で両面ポリッシュし、ついでサ
ブマウント２として使用される形に近い形、具体的に
は、幅１２ｍｍ×奥行き２ｍｍ×高さ０．３ｍｍ程度の
大きさに切断する。かかる単結晶ＳｉＣの上面および下
面に、真空蒸着法によりＮｉ／Ａｕ合金およびＴｉＣを
蒸着する。かかる蒸着の際に、メタルの回り込みによ
り、サブマウント２の側面にも上記金属が若干蒸着され
る。また、メタライズに用いる金属としては、Ｎｉ／Ａ
ｕ合金およびＴｉＣに限らず、例えばＰｔであってもよ
い。かかるＰｔにより４Ｈ形のＳｉＣ単結晶がメタライ
ズされているサブマウントにおいては、その側面には約
０．１５μｍ程度の厚さでＰｔが蒸着されている。
【００３２】本発明にかかるサブマウントと、上記した
先願発明に係るサブマウントの電気抵抗を比較すると下
記表のようになる。なお、下記表において、サブマウン
トＡは、上述したメタライズする前の４Ｈ−ＳｉＣ単結
晶からなるサブマウントである。サブマウントＢは、４
Ｈ−ＳｉＣ単結晶をＰｔでメタライズした上述のサブマ
ウントである。サブマウントＣは、上記した先願発明に
係るサブマウントであり、上記と同じ大きさ、すなわち
幅１２ｍｍ×奥行き２ｍｍ×高さ０．３ｍｍ程度の大き
さのＳｉＣ焼結体に、上記と同一の条件でＰｔをメタラ
イズさせたサブマウントである。
先願発明に係るサブマウントの電気抵抗を比較すると下
記表のようになる。なお、下記表において、サブマウン
トＡは、上述したメタライズする前の４Ｈ−ＳｉＣ単結
晶からなるサブマウントである。サブマウントＢは、４
Ｈ−ＳｉＣ単結晶をＰｔでメタライズした上述のサブマ
ウントである。サブマウントＣは、上記した先願発明に
係るサブマウントであり、上記と同じ大きさ、すなわち
幅１２ｍｍ×奥行き２ｍｍ×高さ０．３ｍｍ程度の大き
さのＳｉＣ焼結体に、上記と同一の条件でＰｔをメタラ
イズさせたサブマウントである。
【００３３】
【表１】
上記表から明らかなように、本発明にかかるサブマウン
トＡおよびＢは、従来のサブマウントＣよりも、電気抵
抗が低く、電流が流れやすい。その結果、サブマウント
において発生する熱が抑えられ、例えば、サブマウント
Ｂの発熱量は、サブマウントＣの発熱量の約１／９程度
に軽減される。
トＡおよびＢは、従来のサブマウントＣよりも、電気抵
抗が低く、電流が流れやすい。その結果、サブマウント
において発生する熱が抑えられ、例えば、サブマウント
Ｂの発熱量は、サブマウントＣの発熱量の約１／９程度
に軽減される。
【００３４】
【発明の効果】本発明にかかるヒートシンクまたはサブ
マウントを用いることにより、その上に搭載されている
半導体素子などからの発生する熱を効率よく逃がすこと
ができ、さらに、ヒートシンクまたはサブマウントから
の発熱を低減することができる。その結果、本発明にか
かるヒートシンクまたはサブマウントを用いれば、電子
部品、特に半導体装置の信頼性などを向上させることが
できる。
マウントを用いることにより、その上に搭載されている
半導体素子などからの発生する熱を効率よく逃がすこと
ができ、さらに、ヒートシンクまたはサブマウントから
の発熱を低減することができる。その結果、本発明にか
かるヒートシンクまたはサブマウントを用いれば、電子
部品、特に半導体装置の信頼性などを向上させることが
できる。
【図１】 本発明に係る半導体装置の好適な例としての
半導体レーザ装置の模式図である。
半導体レーザ装置の模式図である。
【図２】 本発明に係るヒートシンクまたはサブマウン
トとして好適なＳｉＣ単結晶を得るための結晶成長装置
の模式図である。
トとして好適なＳｉＣ単結晶を得るための結晶成長装置
の模式図である。
１ ヒートシンク
２ サブマウント
３ スーパーハイパワー半導体レーザ
４ 金ワイヤー
Claims (12)
- 【請求項１】 （ａ）熱伝導率が、０〜２００℃の範囲
内で１００〜３００Ｗ／ｍ・Ｋ、（ｂ）０〜２００℃の
平均熱膨張係数が２×１０−６〜６×１０−６／Ｋ、
（ｃ）抵抗率が１０−１〜１０−６Ωｃｍである材料か
らなることを特徴とするヒートシンク。 - 【請求項２】 ＳｉＣ、ＧａＮまたはＡｌＮからなるこ
とを特徴とする請求項１に記載のヒートシンク。 - 【請求項３】 単結晶ＳｉＣからなることを特徴とする
請求項１に記載のヒートシンク。 - 【請求項４】 さらに、周囲が金属膜で被覆されている
ことを特徴とする請求項１に記載のヒートシンク。 - 【請求項５】 請求項１に記載のヒートシンクを有する
電子部品。 - 【請求項６】 半導体レーザ、ＣＰＵ（central proces
sing unit）、ＭＰＵ（microprocessor unit）、大電力
用スイッチング素子または高周波増幅素子が、請求項１
に記載のヒートシンクに搭載されていることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項７】 （ａ）熱伝導率が、０〜２００℃の範囲
内で１００〜３００Ｗ／ｍ・Ｋ、（ｂ）０〜２００℃の
平均熱膨張係数が２×１０−６〜６×１０−６／Ｋ、
（ｃ）抵抗率が１０−１〜１０−６Ωｃｍである材料か
らなることを特徴とするサブマウント。 - 【請求項８】 ＳｉＣ、ＧａＮまたはＡｌＮからなるこ
とを特徴とする請求項７に記載のサブマウント。 - 【請求項９】 単結晶ＳｉＣからなることを特徴とする
請求項７に記載のサブマウント。 - 【請求項１０】 さらに、周囲が金属膜で被覆されてい
ることを特徴とする請求項７に記載のサブマウント。 - 【請求項１１】 請求項７に記載のサブマウントを有す
る電子部品。 - 【請求項１２】 半導体レーザが、請求項７に記載のサ
ブマウントに搭載されていることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001262285A JP2003078084A (ja) | 2001-08-30 | 2001-08-30 | ヒートシンクおよびサブマウント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001262285A JP2003078084A (ja) | 2001-08-30 | 2001-08-30 | ヒートシンクおよびサブマウント |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003078084A true JP2003078084A (ja) | 2003-03-14 |
Family
ID=19089203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001262285A Pending JP2003078084A (ja) | 2001-08-30 | 2001-08-30 | ヒートシンクおよびサブマウント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003078084A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006315949A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Samsung Corning Co Ltd | 窒化ガリウム単結晶基板 |
| WO2007119319A1 (ja) * | 2006-03-13 | 2007-10-25 | Tohoku University | 窒化ガリウム系材料及びその製造方法 |
| JP2008117841A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体パワーモジュール及びその製造方法 |
| US8829651B2 (en) | 2005-12-05 | 2014-09-09 | Hitachi Metals, Ltd. | Nitride-based semiconductor substrate and semiconductor device |
| JP6491784B1 (ja) * | 2018-08-03 | 2019-03-27 | 株式会社日立パワーソリューションズ | 単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、および半導体レーザ |
-
2001
- 2001-08-30 JP JP2001262285A patent/JP2003078084A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006315949A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Samsung Corning Co Ltd | 窒化ガリウム単結晶基板 |
| JP4717712B2 (ja) * | 2005-05-12 | 2011-07-06 | サムスンコーニング精密素材株式会社 | 窒化ガリウム単結晶基板及び半導体素子 |
| US8829651B2 (en) | 2005-12-05 | 2014-09-09 | Hitachi Metals, Ltd. | Nitride-based semiconductor substrate and semiconductor device |
| US9246049B2 (en) | 2005-12-05 | 2016-01-26 | Sciocs Company Limited | Nitride-based semiconductor substrate and semiconductor device |
| WO2007119319A1 (ja) * | 2006-03-13 | 2007-10-25 | Tohoku University | 窒化ガリウム系材料及びその製造方法 |
| US7794541B2 (en) | 2006-03-13 | 2010-09-14 | Tohoku University | Gallium nitride-based material and method of manufacturing the same |
| JP2008117841A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体パワーモジュール及びその製造方法 |
| JP6491784B1 (ja) * | 2018-08-03 | 2019-03-27 | 株式会社日立パワーソリューションズ | 単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、および半導体レーザ |
| JP2020021894A (ja) * | 2018-08-03 | 2020-02-06 | 株式会社日立パワーソリューションズ | 単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、および半導体レーザ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4623774B2 (ja) | ヒートシンクおよびその製造方法 | |
| JP4571371B2 (ja) | 高い熱伝導率を有する半導体ストラクチャ用の基板 | |
| EP0521405B1 (en) | Heat radiating component and semiconductor device provided with the same | |
| JP2000174166A (ja) | 半導体搭載パッケ―ジ | |
| US8890189B2 (en) | Wafer for LED mounting, method for manufacturing same, and LED-mounted structure using the wafer | |
| JP2018080103A (ja) | 多結晶質窒化アルミニウム焼結体の熱膨張処理、および半導体製造へのその応用 | |
| JP2015509479A (ja) | ダイヤモンド上の窒化ガリウム型ウェーハ並びに製造設備及び製造方法 | |
| JP6647521B2 (ja) | 導電性積層構造体の製造方法 | |
| US20110229719A1 (en) | Manufacturing method for crystal, manufacturing apparatus for crystal, and stacked film | |
| JP2505065B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| TW201029231A (en) | Laminate substrate for semiconductor chip | |
| WO2002099879A1 (en) | Heat sink and its manufacturing method | |
| JP4360847B2 (ja) | セラミック回路基板、放熱モジュール、および半導体装置 | |
| JP2003078084A (ja) | ヒートシンクおよびサブマウント | |
| JP4015075B2 (ja) | ヒートシンク、その製造方法および半導体装置 | |
| KR100822771B1 (ko) | 질화갈륨계 화합물 반도체 발광소자 및 그 음극 | |
| JP4661039B2 (ja) | 炭化珪素基板の製造方法 | |
| JPH08102570A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JP2005104742A (ja) | 単結晶育成用基板および半導体装置 | |
| JP2005019875A (ja) | 放熱板、放熱モジュール、半導体実装モジュール、及び半導体装置 | |
| JPH1126887A (ja) | ダイヤモンド放熱部品を備えた半導体レーザ | |
| JP3569093B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP5979478B2 (ja) | ３層構造積層ダイヤモンド系基板、パワー半導体モジュール用放熱実装基板およびそれらの製造方法 | |
| KR102591227B1 (ko) | 선택적으로 가요성인 화학 기상 증착(cvd) 다이아몬드 또는 기타 열 확산기 | |
| JPH0513843A (ja) | 放熱部品および該放熱部品を備えた半導体レーザー |