JP2016523446A - 高線形性可変キャパシタアレイ - Google Patents
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Abstract
複数のセル(100−0,100_1,…100_N)からなる高線形性の可変キャパシタアレイ(400)。各セルは、逆並列接続される1対の受動的な二端子キャパシタ部品を含む。キャパシタ部品は、金属酸化物半導体、すなわちMOSキャパシタであってもよい。制御回路(410)が、各キャパシタ部品に関連付けられるバイアス電圧端子にバイアス電圧(411_0,411 1,…411_N)を印加することによって、アレイの全体的な静電容量を制御する。各セル内の2つのキャパシタは逆並列接続され、セルの、かつアレイの静電容量電圧係数を減少させる。MOSキャパシタは好ましくは、反転または蓄積モードで動作する。
Description
背景
技術分野
本特許出願はキャパシタに関し、特に、半導体キャパシタセルのアレイから実現される高線形性の可変キャパシタに関する。
技術分野
本特許出願はキャパシタに関し、特に、半導体キャパシタセルのアレイから実現される高線形性の可変キャパシタに関する。
背景情報
キャパシタは、電場にエネルギを蓄えるのに用いられる二端子の受動電気部品である。キャパシタは多くの異なる物理的形態を取り得るが、一般に、誘電体(絶縁体)によって分離される少なくとも2つの導電体を含む。導電体の両端に電位差(電圧)が印加されると誘電体の両端に静電場が発生し、一方の導電体上に正電荷が集まり、他方の導電体上に負電荷が集まる。これによって、結果として生じる静電場にエネルギが蓄えられる。キャパシタはほとんどの場合、導電体同士の電位差に対する各導電体上の電荷の比率である1つの一定値、すなわち静電容量によって特徴付けられる。品質係数(Q)、周波数応答、および/または線形性などの他のパラメータも、適切なキャパシタ設計を選択する際に重要である。
キャパシタは、電場にエネルギを蓄えるのに用いられる二端子の受動電気部品である。キャパシタは多くの異なる物理的形態を取り得るが、一般に、誘電体(絶縁体)によって分離される少なくとも2つの導電体を含む。導電体の両端に電位差(電圧)が印加されると誘電体の両端に静電場が発生し、一方の導電体上に正電荷が集まり、他方の導電体上に負電荷が集まる。これによって、結果として生じる静電場にエネルギが蓄えられる。キャパシタはほとんどの場合、導電体同士の電位差に対する各導電体上の電荷の比率である1つの一定値、すなわち静電容量によって特徴付けられる。品質係数(Q)、周波数応答、および/または線形性などの他のパラメータも、適切なキャパシタ設計を選択する際に重要である。
キャパシタは一般的に、多くの異なる種類の交流電流(AC)回路、特に無線周波数(RF)回路に用いられる。キャパシタはインダクタおよび他の部品と組合されて、フィルタ、デュプレクサ、共振器、チューナ、およびこれらの回路内の他の機能を実現する。スマートフォン、タブレット、およびラップトップコンピュータなどの電子機器は現在、多くの異なる無線通信プロトコルを用いてさまざまな周波数にわたって動作すると同時に、できる限り小型で安価であることが典型的に期待されている。共振器設計、およびしたがってキャパシタ設計は、これらの目標を達成する極めて重要な側面となる。
概要
課題の記載
多くの電子機器についての要件を満たすため、フロントエンドフィルタ、デュプレクサ、および同様の部品は能動的に構成可能であるべきである。単なる一例として、スマートフォンが動作することが期待されている、ロング・ターム・エボリューション(LTE)などの最も最近のデジタル無線プロトコルには、多くの異なる動作周波数を選択する能力が必要である。
課題の記載
多くの電子機器についての要件を満たすため、フロントエンドフィルタ、デュプレクサ、および同様の部品は能動的に構成可能であるべきである。単なる一例として、スマートフォンが動作することが期待されている、ロング・ターム・エボリューション(LTE)などの最も最近のデジタル無線プロトコルには、多くの異なる動作周波数を選択する能力が必要である。
この要件のために、干渉信号をフィルタリングしつつRF信号を正確に送受信するのに必要な線形性仕様に準拠することが困難となる。
構成可能なフィルタおよびデュプレクサの他の設計は、微小電気機械システム(MEMS)技術に基づいている。しかし、MEMS系の回路設計は典型的に、低い品質係数、低い信頼性および限られた同調性を示す。
連結共振器などのアプローチは、大きいサイズおよび限られた維持可能性に悩まされているため、これらも携帯用無線機器における用途には好適でない。
したがって、混合信号フロントエンドは、ガリウムヒ素(GaAs)などの代替的なIC技術がより一般的なシリコン技術に対して魅力的な選択肢を依然として提示する少なくとも1つの分野のままである。
好ましい解決策の概要
上述のおよび他の関連の課題が、高線形性の構成可能な半導体キャパシタである本発明の動機付けである。
上述のおよび他の関連の課題が、高線形性の構成可能な半導体キャパシタである本発明の動機付けである。
キャパシタは、2つ以上のキャパシタンスセルからなるキャパシタアレイによって提供される。各セルは、第1および第2の端子と制御信号入力の少なくとも1つとの間に連結される。各セルは、1対の受動的な二端子キャパシタ部品からなる。金属酸化物半導体(MOS)キャパシタであり得る二端子キャパシタ部品の各々はアノードおよびカソードを有し、入力バイアス電圧によってさらに制御される静電容量を有する。各セル内の1対のキャパシタ部品は、第1のキャパシタのアノードが第2のキャパシタのカソードに接続され、第2のキャパシタのアノードが第1のキャパシタのカソードに接続されるように、逆並列構成で接続される。制御回路が1つ以上の制御入力を受信し、アレイによって提供される全体的な静電容量の変化をもたらす。この変化は典型的に、対応するバイアス電圧入力の変化をもたらすことによって当該セルについての複数の可能な静電容量のうちの1つを選択することによってもたらされる。
好ましい構成では、バイアス電圧は、2つ以上の予め定められたバイアス電圧に応答する静電容量の変動が比較的小さい範囲内でキャパシタ部品が動作するように選択される。この変化の減少によって、印加されるRF信号の差異の存在に対する感受性が低下する。この配列によってさらに、制御信号が、2つの状態を有するデジタル論理信号となることができ、制御信号の所与の状態が、各セル内のバイアス電圧設定のうちの対応する1つを選択する。
セルは、ラダーなどの階層状に、かつ制御入力がアレイ内の要素ごとに一方または他方のバイアスレベルを活性化するように配置され得る。ラダー内の近接セルの静電容量サイズは、ラダーの段ごとに、たとえば2倍などの予め定められた倍数だけ増加させることができる。この配列によって、複数ビットデジタル制御ワードを入力として印加することによって、アレイの全静電容量を選択することができる。
複数アレイは1つの半導体パッケージ内に製造され、共通の制御入力を共有するが異なる信号入力を有し得る。
高品質係数および高線形性を含む多数の利点が、この構成によって提供される。
キャパシタアレイの好適な用途は、プログラマブルフィルタ、アンテナチューナ、ネットワークマッチングチューナ、位相シフタ、位相ロックループ、デュプレクサおよび他の回路機能である。
キャパシタアレイの好適な用途は、プログラマブルフィルタ、アンテナチューナ、ネットワークマッチングチューナ、位相シフタ、位相ロックループ、デュプレクサおよび他の回路機能である。
以下の詳細な説明は、添付の図面を参照する。
例示的な実施形態の詳細な説明
簡潔には、本明細書中に記載されるベクトルキャパシタの好ましい設計は、複数のキャパシタンスセルで構成される。各キャパシタンスセルは、ベクトルキャパシタの第1および第2の信号端子の間に連結される。各キャパシタンスセルは、1対の受動的な二端子キャパシタ部品をさらに含み、各キャパシタ部品は、アノード端子およびカソード端子およびバイアス電圧入力端子を有する。各セル内の1対のキャパシタは、第1のキャパシタのアノードが第2のキャパシタのカソードに接続され、第2のキャパシタのアノードが第1のキャパシタのカソードに接続されるように、逆並列接続される。制御回路がバイアス電圧入力端子にバイアス電圧を印加することによって、アレイの全体的な静電容量を制御する。
簡潔には、本明細書中に記載されるベクトルキャパシタの好ましい設計は、複数のキャパシタンスセルで構成される。各キャパシタンスセルは、ベクトルキャパシタの第1および第2の信号端子の間に連結される。各キャパシタンスセルは、1対の受動的な二端子キャパシタ部品をさらに含み、各キャパシタ部品は、アノード端子およびカソード端子およびバイアス電圧入力端子を有する。各セル内の1対のキャパシタは、第1のキャパシタのアノードが第2のキャパシタのカソードに接続され、第2のキャパシタのアノードが第1のキャパシタのカソードに接続されるように、逆並列接続される。制御回路がバイアス電圧入力端子にバイアス電圧を印加することによって、アレイの全体的な静電容量を制御する。
次に、キャパシタアレイの好ましい構成の説明に移る。好ましくは当該キャパシタをシリコンで構成することも考えることができ、ディープ・サブミクロン相補型金属酸化物半導体(DSM−CMOS)集積回路(IC)技術が1つの可能性である。ここで好ましいDSM−CMOS技術の実施形態は、非常に小さいフォームファクタで十分満足のいくプログラム可能な静電容量構造を提供することができる。
ほとんどのMOSキャパシタ設計によって提起される典型的な問題は、それらが非線形性を誘発することである。無線周波数信号処理についての実際の実現例では、そのようなキャパシタは典型的に、印加される信号によって大きさが変化する交流電流(AC)効果を示す。この効果を最小化するため、ここで好ましいベクトルキャパシタ構造は、各々がサイズCのN個のキャパシタセルのアレイで構成される。3:1よりも大きい静電容量比を達成することができ、静電容量値を選択するのにデジタルワードを用いてプログラム可能性が提供される。キャパシタ要素のMOS接合を特定の各範囲内で動作させることによって、非線形性効果も減少させることができる。
図1Aは、ベクトルキャパシタアレイ内の例示的な容量セル110の1つの配列を示す。1対のCMOS(相補型金属酸化物半導体)キャパシタ構造112−1,112−2が設けられる。ここでは詳細に示されないが、各半導体キャパシタ構造は任意の好適な方法で物理的に形成され得る。たとえば、DSM−CMOS内に製造されるキャパシタ構造はゲート酸化物上に配置される導電層を含むことができ、これは次にベース半導体基板上に配置される。当該基板は、P基板またはN基板領域の上に横たわるNウェルまたはPウェルに接触する1つ以上の拡散を有し得る。結果として生じるキャパシタは、ゲート端子によって提供されるアノード、すなわちゲート酸化物上を覆う導電層に接続される端子を有し、拡散がカソード(たとえばソース−ドレイン)を形成する。
各セル110を構成する2つのキャパシタ112−1,112−2は、一方のキャパシタの所与の端子の極性が他方のキャパシタの逆の極性端子に接続されるように、逆並列構成で接続される。言い換えれば、第1のキャパシタのアノードは第2のキャパシタのカソードに接続され、第2のキャパシタのアノードは第1のキャパシタのカソードに接続される。
アレイの全静電容量は、印加バイアス電圧を変更することなどによって、各セルの静電容量を調整することによって制御される。たとえば、バイアス電圧V1を印加すると図1Aに示されるように全静電容量の2C1が提供され、バイアス電圧V2を印加すると図1Bに示されるように全静電容量の2C2が提供される。
より具体的には、MOSキャパシタ要素は、印加バイアス電圧Vcに依存して静電容量Cを提供する。図2は、結果として生じる静電容量C対印加バイアス電圧Vcの例示的な曲線を示す。ほとんどのMOSキャパシタは、印加電圧とともに全体的に線形的に増加する静電容量を提供する曲線の範囲内で半導体接合が動作するような範囲内にバイアス電圧Vcがあるように設計される。しかし、アナログ電圧Vcがこの領域内で所定の電圧Vの回りで変化する場合、結果として生じる静電容量Cもしたがって変化する。これは、可変RF信号がキャパシタによって受信されることが予想される用途でキャパシタアレイが用いられる場合、有害な線形性効果の問題を引起こし得る。
しかし、ここで好ましい実施形態では、キャパシタ要素110ごとにもバイアス電圧を選択的に選ぶ。より特定的には、バイアス電圧は、電圧による静電容量変化がかなり小さい静電容量曲線の両側の外側範囲内で典型的に起こるV1またはV2の範囲内にあるように選択される。これらの外側動作範囲は、MOSキャパシタの反転および蓄積モードとして知られている。
これによって、各々のMOSキャパシタ512によって提供される利用可能な全体的な静電容量が制限されるが、変化の減少によってRF信号の存在下で変化が減少する。これは、図2のVにおける出力シヌソイドを図3のV1および/またはV2において生成される減少した振幅シヌソイドと比較することによって明らかである。
逆並列キャパシタ対112−1,112−2の各要素の静電容量値が同じである場合、当該対の全静電容量は以下のように表わすことができる。
そして同様に、
である。したがって、図3のバイアス曲線の傾きの結果としての静電容量のいずれの差異ΔCの効果も、逆並列構成の結果として相殺される。
図4は、ラダー(または他の階層)状に配列された(N+1)個のそのようなキャパシタ要素110−0,110−1,…,110−Nからなる例示的なアレイ400を示す。ラダー内の所与のキャパシタ要素110は、その対応する印加バイアス電圧に依存して選択可能な量の静電容量を提供する。すなわち、バイアス電圧V1またはV2が、他の要素に印加されるバイアス電圧とは無関係の各キャパシタ要素に印加される。バイアス電圧は次に、N+1個の入力制御信号V{0}からV{N}のうちの対応する1つの値に依存する。
入力制御信号は制御インターフェイス410を介して提供され、デジタル信号411−0,411−1,…,411−Nであり得、これらは、任意の時間に任意のキャパシタ要素に任意の時間に印加される一方のバイアス電圧V1または他方のバイアス電圧V2を選択する。
ラダーの各段におけるキャパシタのスケールは、その隣接段のスケールと異なる。たとえば、ラダーの底のキャパシタ要素110−0は、その印加バイアス電圧V1またはV2に依存してC1またはC2であり得る。ラダーの次のキャパシタ要素110−1(底から1つ上)は、その印加バイアス電圧V1またはV2に依存して2C1または2C2にスケール変更され得る。ラダー上の次のキャパシタ要素110−2は4C1または4C2を選択し得、2のべき乗の数列として続いていくことによって、ラダー内のN+1番目のキャパシタ要素がNC1またはNC2を提供する。
N=9の例示的な実現例では、キャパシタ要素110−9はしたがって入力値V{9}に依存して選択可能な静電容量の512C1または512C2を提供し、要素110−8は入力値V{8}に依存して静電容量の256C1または256C2を提供し、入力値V{0}に依存して出力静電容量の1C1または1C2を提供する要素110−0まで続く。
図5Aおよび図5Bは、2.97pFから9.64pFの選択可能な静電容量を提供するように設計され、制御入力が10ビット(たとえばN=9であり、静電容量コードは0から1023に及ぶ)であり、結果として生じる段サイズ(step size)が6.6pFであるベクトルキャパシタアレイから利用可能な、典型的な静電容量範囲および品質係数を示す。曲線は、入力RF信号が1GHzであると仮定してモデル化された。
図6は、4個の異なるベクトルキャパシタアレイ400を組合せた集積回路(IC)610の高レベルブロック図を示す。各アレイには、その各自のRF入力(RFin1、RFin2、RFin3、RFin4)およびRF出力(RFout1、RFout2、RFout3、RFout4)が設けられる。しかし、制御入力は、アレイの各々に共通して供給され得る。
図7は、そのようなIC610をより詳細に示す。この場合、4個のアレイ400−1,400−2,400−3および400−4が同じチップ基板上に設けられる。1つのアレイ、たとえば400−1内のバイアス端子に印加される制御電圧は、共通の制御インターフェイス410から他のアレイ400−2,400−3および400−4に印加される制御電圧と同じである。
スマートフォンなどの用途では、これによって、異なるアレイを用いて、異なる無線周波数帯域に同調させた異なるフィルタを実現することができる。一例として、これらのキャパシタアレイ構成を固定インダクタと対にして、同調可能なベクトル共振器を形成することができ、これを次にカスケード接続してベクトルフィルタを形成することができる。その結果は高線形性のコンパクトな、かつプログラム可能なベクトルフィルタであり得る。
発明のさまざまな実施形態を特に図面に示して上記の本文で説明してきたが、発明の範囲から逸脱することなく形態および詳細のさまざまな変更がその中になされ得ることが当業者によって理解されるであろう。したがって、発明は以下の請求項によってのみ限定されることが意図される。
Claims (7)
- 可変キャパシタ装置であって、
第1の端子と、
第2の端子と、
複数の制御入力信号を受信するための複数の制御ワード入力端子と、
複数のキャパシタンスセルとを備え、各セルは前記第1および第2の端子の間に連結されており、各ユニットキャパシタンスセルは1対の受動的な二端子キャパシタ部品を含んでおり、各キャパシタ部品は、アノード端子およびカソード端子およびバイアス電圧入力端子を有しており、前記1対のキャパシタは、第1のキャパシタのアノードが第2のキャパシタのカソードに接続され、第2のキャパシタのアノードが前記第1のキャパシタのカソードに接続されるように、逆並列接続されており、前記可変キャパシタ装置はさらに、
前記制御ワード入力端子および複数の前記バイアス電圧入力端子に連結され、前記制御入力信号の状態に応じて前記キャパシタンスセルに印加されるバイアス電圧を選択的に制御するための制御回路を備える、可変キャパシタ装置。 - 前記キャパシタ部品は金属酸化物半導体キャパシタであり、前記制御回路は、前記半導体キャパシタの各々について2つのそれぞれのバイアス点に依存するバイアス電圧を提供する、請求項1に記載の装置。
- 前記キャパシタンスセルはラダー状に配列され、所与のキャパシタセルの2つの静電容量値は、前記ラダー内の隣接キャパシタセルの2つのキャパシタンス要素よりも大きい、請求項1に記載の装置。
- 前記ラダー内の各隣接セルの静電容量値は2倍で増加する、請求項3に記載の装置。
- 複数のキャパシタアレイが共通の半導体基板上に形成される、請求項1に記載の装置。
- 前記複数のキャパシタアレイは共通の制御入力を共有するが、個別のRF信号入力が提供される、請求項5に記載の装置。
- 前記2つのそれぞれのバイアス点は、反転および蓄積モードをそれぞれ含む前記半導体キャパシタのバイアス電圧動作範囲の両端に位置する、請求項2に記載の装置。
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