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Gebiet der
Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf den Entwurf
und Aufbau von elektrischen Induktivitäten bzw. Spulen, und genauer
gesagt, auf einen neuen Induktivitäts-Aufbau in integrierten Schaltungen.
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Hintergrund
der Erfindung
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Ein
weit verwendetes Gütekriterium
für (planare)
Induktivitäten
ist der Güte
(Q)-Faktor, welcher das Verhältnis
zwischen der Größe von der
in der Induktivität
gespeicherten magnetischen Energie und der umgewandelten Energie
ist. Q verhält
sich zur Induktivitäten-Impedanz
wie:
wobei gilt:
- Q
- = Gütefaktor
- Z
- = komplexe Impedanz
der Induktivität
- Im(Z)
- = Realteil von Z
- Ri(Z)
- = Realteil von Z.
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Die
komplexe Impedanz Z wird über
die Anschlüsse
der Induktivität
gemessen. Unter Vernachlässigung
von kapazitiven Effekten kann der Q-Faktor grob bestimmt werden
durch:
wobei gilt:
- L
- = Gesamtinduktivität der Induktivität
- Ls
- = Eigeninduktivität der Induktivität
- Lm
- = gegenseitige Induktivität der Induktivität
- Rs
- = Gleichstrom(DC)-Widerstand
der Induktivität.
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Die
Gesamtinduktivität
der Induktivität
kann aufgeteilt werden in einen Eigeninduktivitäts-Teil, welcher durch die
Wechselwirkung zwischen dem Strom in einer Windung und seines eigenen
erzeugten Magnetfeldes verursacht wird, und einen gegenseitigen
Induktivitäts-Teil,
welcher durch die Wechselwirkung zwischen dem Strom in einer Windung
und dem Magnetfeld verursacht wird, welches durch eine angrenzende
Windung oder durch angrenzende Windungen erzeugt wird.
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Wie
anhand von (2) zu erkennen, ist Q invers proportional zum DC-Widerstand
der Induktivität,
wobei ein Weg zur Reduzierung des DC-Widerstandes einer planaren
Induktivität
in der Erhöhung
der Leitungsbreite von ihren Windungen liegt. Jedoch führt dies
zu einer Abnahme von sowohl der gegenseitigen als auch eigenen Induktivität, während dies
den Induktivitäts-Bereich und die parasitäre Kapazität, welche
mit dem Aufbau im Zusammenhang steht, erhöht. Eine weitere Maßnahme liegt
in der Erhöhung
der Leitungsdicke von den Windungen. Es gibt jedoch vom Standpunkt
des Prozesses aus ein oberes Limit. Zusätzlich wird der bekannte Skin-Effekt
eine Leitungsdicke von mehr als 4 μm (bei Frequenzen von 2 GHz)
nicht wirksam machen.
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Eine
Erhöhung
der Hauptleitfähigkeit
des elektrisch leitenden Materials, d. h. das Metall, aus welchem die
Windungen ausgebildet sind, indem Gold, Silber oder Kupfer verwendet
wird, wird in der Praxis nicht zu einer Verbesserung führen, weil
beispielsweise in Galliumarsenid(GaAs)-Güssen bereits Gold verwendet
wird.
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Das
US-Patent 5,446,311 offenbart eine Art und Weise zum Reduzieren
des gesamten DC-Widerstandes einer Induktivität, indem spiralförmige planare
Induktivitäten
in unterschiedlichen Metallebenen bereitgestellt werden, und wobei
entgegengesetzt positionierte Windungen oder Wendungen der Induktivitäten elektrisch
parallel verbunden sind. Die Reduktion des DC-Widerstandes hängt von
der Anzahl von parallel verbundenen Windungen ab, welches zu einer
Verbesserung des Q-Faktors der derart ausgebildeten Induktivität führt.
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Die
meisten der derzeitigen Silizium-Technologien haben zumindest drei
oder mehrere elektrisch leitende Schichten aus Metall zur Verdrahtung
der Schaltung. Neben dem relativ großen Oberflächenbereich, welcher durch
einen planaren, spiralförmigen
Leiter belegt ist, wobei der durch die innerste Windung umgebende
Bereich nicht zur Anordnung von Schaltungselementen verwendet wird,
ist eine der Schichten oder Ebenen aus Metall als eine untere Kreuzung
zu verwenden, um eine Verbindung der inneren Windung des spiralförmigen Aufbaus
zu einer Schaltung des Substrats außerhalb der Induktivität herzustellen.
Demgemäß können lediglich
zwei Metallebenen für
die Induktivitäts-Windungen
oder -Wendungen zum Zwecke einer Erhöhung des Q-Faktors einer planaren
Induktivität
verwendet werden.
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Die
US-A-5,559,360 offenbart eine Induktivität für Halbleitervorrichtungen,
welche mehrere gegenseitig getrennte Ebenen aus elektrisch leitfähigem Material
enthält.
Jede Ebene enthält
eine Mehrzahl von angrenzend angeordneten Streifen, welche voneinander
getrennt sind. Streifen von unterschiedlichen Ebenen werden elektrisch
in Serie verbunden, welches den Widerstand der einzelnen Induktivitäts-Elemente
erhöht. Der
Fachmann wird anerkennen, dass dieser Entwurf keine Annäherung für eine Induktivität mit hohem
Q bereitstellt.
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Die
US-A-4,918,417 offenbart ein gesintertes Element, welches einen
Stapel aus Keramikschichten enthält,
wobei eine Mehrzahl von induktiven Elementen ausgebildet wird, indem
erste Streifen oberhalb von zweiten Streifen entgegengesetzt angeordnet
bereitgestellt werden. Die entgegengesetzten Streifen werden durch
die Keramikschichten getrennt. Die Enden der leitfähigen Streifen
erstrecken sich etwas aus den Keramikschichten heraus und werden
durch äußere Elektroden
leitfähig
verbunden, sodass jeweils zwei Streifen parallel verbunden sind,
welches ein einzelnes leitfähiges
Element ausbildet.
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Umriss der
Erfindung
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Es
ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine neue Annäherung eines
Entwurfs einer Induktivität
mit hohem Q auf integrierten Schaltkreisen bereitzustellen.
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Es
ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen integrierten
Schaltkreis bereitzustellen, welcher einen neuen Induktivitäts-Aufbau
enthält,
insbesondere einen integrierten Schaltkreis, welcher eine Oszillatorvorrichtung
für Frequenzen
bis zu 2 GHz und darüber
enthält.
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Beginnend
von der US-A-4,918,417 als der nächste
Stand der Technik, stellt die vorliegende Erfindung einen integrierten
Schaltkreis bereit mit mehreren gegenseitig voneinander getrennten
Ebenen aus elektrisch leitfähigen
Material, wobei jede Ebene eine Mehrzahl an angrenzend angeordneten
Streifen enthält,
welche voneinander getrennt sind, wobei ein Streifen ein erstes
und zweites Ende enthält,
wobei Streifen von unterschiedlichen Ebenen jeweils an ihrem ersten
und zweiten Ende elektrisch parallel verbunden sind, um somit eine
Mehrzahl an Stapeln von miteinander verbundenen Streifen auszubilden,
dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Streifen eines Stapels
aus miteinander verbundenen Streifen versetzt relativ zu einem weiteren Streifen
des Stapels aus miteinander verbundenen Streifen angeordnet ist,
und wobei die Stapel miteinander verbunden sind um eine Induktivität auszubilden,
welche einen ersten und zweiten Anschluss hat.
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Indem
Stapel aus parallel verbundenen Streifen ausgebildet werden und
indem die Streifen miteinander verbunden werden, um letztendlich
eine Induktivität
auszubilden, wird die Notwendigkeit nach einer überbrückenden unteren Kreuzung (oder
einer überbrückenden
oberen Kreuzung), um eine Verbindung zum Anschluss der inneren Windung
einer spiralförmigen
Induktivität
zu erstellen, vermieden. Die Verbindungen der Stapel können in
einer der elektrisch leitfähigen
Ebenen der Induktivität
bereitgestellt werden. Demgemäß können alle
zur Verfügung
stehenden leitfähigen
Ebenen einer herkömmlichen
Technologie eines integrierten Schaltkreises wirksam verwendet werden,
um zur gesamten Induktivität
von der Induktivität
beizutragen und den DC-Widerstand derer durch eine Parallelverbindung
zu reduzieren, wodurch somit der Q der Induktivität verbessert
wird. Störkapazitäten zwischen
entgegengesetzt angeordneten Streifen von unterschiedlichen Ebenen
werden durch eine versetzte Anordnung der Streifen in einem Stapel
reduziert.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform
der neuen Induktivität
gemäß der Erfindung
sind die Stapel parallel verbunden, wobei sie den ersten Anschluss
an den miteinander verbundenen ersten Enden der Streifen haben,
und den zweiten Anschluss an den miteinander verbundenen zweiten
Enden der Streifen haben. Der DC-Widerstand einer solchen Induktivität ist extrem
gering (typischerweise << 1 Ohm) und ihre
Induktivität
ist typischerweise im Bereich von 1 nH.
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Es
sind Q-Werte von über
25 möglich.
Der exakte Wert hängt
von den Prozessparametern ab, d. h. beispielsweise die Breite, Länge, Dicke
und die Anzahl von Streifen.
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Um
eine höhere
Induktivität
zu erzielen, sind die Stapel in einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung seriell verbunden, um eine Induktivität auszubilden,
welche ihren ersten Anschluss an einem ersten Ende hat und ihren
zweiten Anschluss an einem zweiten Ende der seriellen Verbindung
hat. Verglichen mit dem obigen Parallel-Parallel-Aufbau, hat der
Seriell-Parallel-Aufbau einen höheren
DC-Widerstand, welches zu einem geringeren Q-Faktor führt, jedoch
ist dieser Q-Faktor verglichen mit den spiralförmigen Induktivitäten aus
dem Stand der Technik unter Verwendung der gleichen Anzahl von Ebenen
aus elektrisch leitfähigem
Material, d. h. Metallisierungsebenen einer integrierten Schaltung,
und unter Belegung eines gleichen Oberflächenbereichs immer noch höher.
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Die
Streifen können
jegliche Form annehmen, jedoch ist zur Vereinfachung der Modellierung
eine rechteckförmige
langgezogene Form bevorzugt.
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Aufgrund
ihres verbesserten Q, ist der Induktivitäts-Aufbau gemäß der Erfindung
insbesondere zur Bereitstellung von monolithischen Oszillatoren
mit niedrigem Phasenrauschen zur Verwendung bei Frequenzen bis zu
2 GHz und sogar höher
geeignet.
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Die
Induktivität
der Erfindung kann mit jeglicher herkömmlicher Technologie eines
integrierten Schaltkreises ausgebildet werden, wobei die mehreren
Ebenen aus elektrisch leitfähigem
Material auf einem Halbleitersubstrat ausgebildet werden, wie beispielsweise
Silizium und Galliumarsenid. Die Ebenen werden durch elektrisch
isolierende Schichten getrennt, wie beispielsweise Siliziumdioxid,
und wobei das elektrisch leitfähige Material
ein Metall ist, wie beispielsweise Aluminium, Silber, Kupfer, Wolframlegierung,
Gold und dergleichen.
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Die
Induktivität
der Erfindung ist insbesondere zur Verwendung mit der so genannten "Back-Etching" Technologie eines
integrierten Schaltkreises geeignet, wobei eine Ebnung der Oberfläche einer
integrierten Halbleitervorrichtung durch eine lokale Entfernung
des Substrats erzielt wird. Es können
ebenfalls weitere "Lift-Off" Techniken angewendet
werden, um den Induktivitäts-Aufbau
gemäß der vorliegenden
Erfindung bereitzustellen.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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Das
Vorhergehende und weitere Merkmale, Aspekte und Vorteile der Erfindung
werden anhand der folgenden Beschreibung mit Bezug auf die anliegenden
Zeichnungen besser verstanden, in denen:
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1 eine
schematische Draufsicht von einer typischen spiralförmigen planaren
Induktivität
mit mehreren Ebenen aus dem Stand der Technik ist;
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2 eine
schematische, unskalierte, perspektivische Schnittansicht der Induktivität von 1 entlang
der Schnittlinie II-II ist;
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3 und 4 schematische,
perspektivische Ansichten von Induktivitäts-Aufbauten sind, welche nicht
Teil der beanspruchten Erfindung ausbilden;
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5 eine
schematische, perspektivische Ansicht eines Induktivitäts-Aufbaus
gemäß der vorliegenden
Erfindung ist;
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6 ein
elektrischer Schaltplan einer Oszillatorschaltung ist, welche eine
Induktivität
gemäß der vorliegenden
Erfindung enthält.
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Genaue Beschreibung
der Ausführungsformen
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1 zeigt
eine Draufsicht eines planaren Induktivitäts-Aufbaus 1 aus dem Stand der
Technik. Die Induktivität 1 enthält Windungen
oder Wendungen 2, welche eine Außenwindung 3 und eine
Innenwindung 4 haben. Die Außenwindung 3 endet
an einem ersten Anschluss 5 und die Innenwindung 4 endet
an einem zentralen Anschluss 6. Zur Verbindung mit einer
externen Schaltung, d. h. extern der Außenwindung 3 von der Induktivität 1,
verbindet eine Brücke
oder untere Kreuzung 7 den zentralen Anschluss 6 von
der Innenwindung 4 mit einem zweiten Anschluss 8 von
der Induktivität 1.
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Wie
in 2 gezeigt, hat der Aufbau drei Metallebenen auf
einem Siliziumsubstrat 10. Die erste Metallebene 14 ist
die erste Ebene oberhalb einer Schicht aus Siliziumdioxid 11.
An der ersten Metallebene 14 ist eine weitere Schicht aus
Siliziumdioxid 12 abgelagert, welche die erste Metallebene 14 von
der nächsten
zweiten Metallebene 15 elektrisch isoliert. An der zweiten
Metallebene 15 ist eine Schicht aus Siliziumdioxid 13 angeordnet,
welche die zweite Metallebene von einer dritten Metallebene 16 an
der Schicht aus Siliziumdioxid 13 elektrisch isoliert.
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Die
erste Metallebene 14 wird als eine untere Kreuzung verwendet,
um eine elektrische Verbindung zum zentralen Anschluss 6 der
Innenwindung 4 der spiralförmigen Induktivität 1 zu
erstellen. Die erste Metallebene 14 trägt nicht zur gegenseitigen
Induktivität
von der Induktivität
bei, vielmehr erhöht
die Brücke
oder untere Kreuzung 7 den Gleichstrom(DC)-Widerstand von
der Induktivität.
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Die
zweite und dritte Metallebene 15, 16 sind identische
spiralförmige
Metallmuster, wie in 1 gezeigt. Übergänge 17, welche mit
Metall gefüllt
sind, verbinden die Windungen oder Wendungen 2 von der
Induktivität 1 miteinander.
Durch die Verbindungen der Windungen 9 enthält jede
Induktivitäts-Windung
oder -Wendung zwei Metallschichten, welche parallel verbunden sind,
um ihren DC-Widerstand zu reduzieren. Der zentrale Anschluss 6 ist über einen Übergang 18 mit
der Brücke
oder unteren Kreuzung 7 verbunden, und der zweite Anschluss 8 ist über einen Übergang 19 mit
der unteren Kreuzung 7 verbunden.
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In
dem Substrat 10 können
mehrere Schaltungselemente nach irgendeiner integrierten Halbleiter-Technologie
ausgebildet werden. Beispielsweise Schaltungselemente, welche durch
die Induktivität 1 eine Oszillatorvorrichtung
ausbilden.
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3 zeigt
eine schematische, darstellhafte Ansicht eines neuen Induktivitäts-Aufbaus 20,
welcher nicht Teil der beanspruchten Erfindung ausbildet. In der
gezeigten Ausführungsform
ist die Induktivität 20 aus drei
Stapeln 21, 22, 23 ausgebildet, wobei
jeder drei entgegengesetzt angeordnete elektrisch leitfähige Streifen 24, 25, 26 enthält.
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Die
Streifen 24 sind in einer ersten Ebene 27 aus
leitfähigem
Material, wie beispielsweise Metall, wie beispielsweise Aluminium,
Silber, Kupfer, Wolframlegierung, Gold, usw., ausgebildet, wobei
die Streifen 25 in einer zweiten Metallebene 28 angeordnet
sind und die Streifen 26 in einer dritten Metallebene 29 angeordnet sind.
Die erste, zweite und dritte Ebene 27, 28, 29 sind
mit der ersten, zweiten und dritten Metallebene 14, 15, 16,
wie in 2 gezeigt, vergleichbar.
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Die
Metallebenen 27, 28, 29 sind durch Schichten
aus elektrisch isolierendem Material gegenseitig getrennt, wie beispielsweise
die Schichten 11, 12, 13 aus Siliziumdioxid
auf einem Siliziumsubstrat 10, wie in 2 gezeigt.
Der Fachmann wird anerkennen, dass beispielsweise weitere geeignete
isolierende Schichten auf einem Galliumarsenid(GaAs)-Substrat verwendet
werden können.
Aus Gründen
der Vereinfachung, sind die Isolierschichten 11, 12, 13 nicht
in 3 gezeigt.
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Ein
Streifen 24, 25, 26 hat ein erstes Ende 30 und
ein entgegengesetztes zweites Ende 31. An ihrem ersten
Ende 30 und zweiten Ende 31 sind die Streifen 24, 25, 26 eines
Stapels 21, 22, 23 jeweils parallel verbunden,
wie jeweils schematisch durch Verbindungsleiter 32, 33 angezeigt.
Die Verbindungsleiter 32, 33 können als Spuren in einer jeweiligen
Metallschicht ausgebildet werden, wobei die Verbindung von solchen
Spuren durch Übergänge, wie
beispielsweise die Übergänge 17 von 2,
durchgeführt
wird. Jedoch können
die Streifen 24, 25, 26 eines Stapels 21, 22, 23 an
ihrem ersten und zweiten Ende 30, 31 durch Übergänge 43 direkt
verbunden werden, welche direkt an einem Ende eines Streifens ohne
die Verwendung von leitfähigen Spuren
direkt verbunden sind, siehe hierzu 5. Ferner
können
beispielsweise Streifen 24, 26 von nicht angrenzenden
Metallschichten 27, 29 direkt verbunden werden.
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In
der gezeigten Ausführungsform
sind die Stapel 21, 22 und 23 jeweils
an ihrem ersten und zweiten Ende 30, 31 parallel
verbunden, wie durch leitfähige
Leiter 34, 35 angezeigt. Die leitfähigen Leiter 34, 35 können in
jeglicher der Metallschichten 27, 28, 29 ausgebildet
werden. Die Wahl einer Metallschicht kann beispielsweise von der
Position des Schaltkreises im Substrat oder seinen Verbindungen
abhängen.
Die Leiter 34, 35 müssen nicht auf der gleichen
Metallschicht 27, 28, 29 eingesetzt werden.
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Der
Verbindungsleiter 34 endet in einem ersten Anschluss 36 des
Induktivitäts-Aufbaus 20,
wohingegen der Leiter 35 an einem zweiten Anschluss 37 des
Induktivitäts-Aufbaus 20 endet.
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Durch
die sogenannte "Parallel-Parallel-Induktivität" 20 gemäß der Erfindung
sind Q-Werte von mehr als 25 bei einer Induktivität L, welche
sich im Bereich von 0,7-1 nH bewegt, bei Frequenzen von mehr als
2 GHz möglich.
Die exakten Werte hängen
von den Prozessparametern, wie beispielsweise die Breite, die Länge, die
Dicke und die Anzahl von Streifen 24, 25, 26 und
Stapeln 21, 22, 23, ab.
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Das
Stapeln von Streifen 24, 25, 26 gemäß der vorliegenden
Erfindung stellt eine starke gegenseitige Induktivität zwischen
nahe beabstandeten gestapelten Schichten bereit, welche ungefähr doppelt
so hoch ist wie die gegenseitige Induktivität zwischen den Streifen in
der gleichen Schicht oder Ebene, wobei die Parallel-Verbindung der
Streifen einen extrem niedrigen DC-Widerstand, nämlich typischerweise << 1 Ohm bereitstellt. Der Beitrag eines
Streifens zur gesamten Induktivität wird, neben seiner Position,
hauptsächlich
durch seine Länge
bestimmt. Obwohl die Streifen 24, 25, 26 jegliche
Form annehmen können,
ist eine rechteckförmige
langgezogene Ebenenform bevorzugt, weil dies ein einfaches und zuverlässiges Modell
aus Gründen
der Berechnung und Simulation bereitstellt.
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4 zeigt
eine weitere Ausführungsform
der Induktivität,
welche nicht Teil der beanspruchten Erfindung ausbildet, wobei die
Stapel 21, 22, 23 seriell verbunden sind.
In der gezeigten Ausführungsform
bilden die verbundenen ersten Enden 30 der Streifen 24, 25, 26 des
Stapels 21 einen ersten Anschluss 38, und die verbundenen
zweiten Enden 31 der Streifen 24, 25, 26 des
Stapels 23 bilden einen zweiten Anschluss 39 von der
Induktivität 40.
Wie gezeigt, sind die verbundenen zweiten Enden 31 des
ersten Stapels 21 über
einen Leiter 41 mit den verbundenen ersten Enden 30 des
zweiten Stapels 22 verbunden, wohingegen die verbundenen zweiten
Enden 31 des Stapels 22 über einen Leiter 42 mit
den verbundenen ersten Enden 30 des dritten Stapels 23 verbunden
sind. Die Leiter 41 und 42 können in jeglichen der Metallschichten 27, 28 oder 29 in
der Form von Leitspuren oder dergleichen ausgebildet sein.
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Die
so genannte "Seriell-Parallel-Induktivität" 40 von 4 unterscheidet
sich von der Parallel-Parallel-Induktivität 20 von 3 durch
einen höheren
Induktivitätswert
L. Jedoch zeigt die Seriell-Parallel-Induktivität 40 in einem ähnlichen
Aufbau mit Bezug auf die Anzahl von Streifen und Stapeln einen niedrigeren
Q-Faktor aufgrund des höheren
DC-Widerstandes der Serienverbindung der Stapel, und zwar verglichen
mit einer Parallelverbindung der Stapel, auf. Es wird auf Gleichung
(2) oben Bezug genommen.
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5 zeigt
eine alternative Anordnung der Streifen 24, 25, 26,
wobei Streifen von entgegengesetzten Schichten 27, 28, 29 versetzt
angeordnet sind, um somit die parasitäre Kapazität des Aufbaus zu reduzieren.
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Der
neue Induktivitäts-Aufbau
gemäß der vorliegenden
Erfindung zeigt eine sehr wirksame Belegung von einem verfügbaren Substratbereich,
verglichen mit den spiralförmigen
Induktivitäten
aus dem Stand der Technik, auf, bei welchen der Bereich 9,
welcher durch die innerste Windung 4 umgeben ist, nicht
wirksam zur Bereitstellung eines Schaltkreises von einer integrierten
Schaltung verwendet wird, dessen Teil die spiralförmige Induktivität ausbildet,
siehe hierzu 1.
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Der
Induktivitäts-Aufbau
gemäß der vorliegenden
Erfindung ist aufgrund seines verbesserten Q-Faktors insbesondere
für Funkfrequenz(RF)-integrierte
Schaltkreise geeignet, wie beispielsweise Oszillatorvorrichtungen
mit niedrigem Phasenrauschen zur Verwendung in Transceivern und applikationsspezifischen
integrierten Schaltkreisen (ASIC's)
für die
RF-Technologie.
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6 zeigt
einen elektrischen Schaltplan einer ausbalancierten Oszillatorschaltung 45,
welche mit einer ausbalancierten Resonatorschaltung 44 auf
dem Chip gekoppelt ist, welche Induktivitäten 53, 54 gemäß der vorliegenden
Erfindung enthält.
Die aktiven Oszillatorteile enthalten zwei bipolare NPN Transistoren 46, 47.
Ein Transistor 46 ist an seinem Basis-Anschluss durch einen
Kondensator 48 mit dem Kollektor-Anschluss von einem Transistor 47 verbunden.
Der Basis-Anschluss von Transistor 47 ist durch einen Kondensator 49 mit
dem Kollektor-Anschluss von Transistor 46 verbunden. Jeder
der Emitter-Anschlüsse
der Transistoren 46 und 47 ist durch einen Serienwiderstand 50 mit
einem Ende von einer konstanten Stromquelle 51 verbunden, wobei
ein weiteres Ende derer mit einer Signal-Erdung 57 der
Schaltung verbunden ist. Der aktive Oszillatorteil enthält im Wesentlichen
einen ausbalancierten Gegenscheinleitwert-Verstärker mit positiver Rückführung, welcher
eine passive ausbalancierte parallele Resonator-Schaltung hat, welche
zwischen den Kollektor-Anschlüssen der
Gegenscheinleitwert-Stufe gekoppelt ist.
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Die
ausbalancierte Resonatorschaltung 44 enthält einen
Kondensator 52, welcher zwischen den Kollektor-Anschlüssen der
Transistoren 46 und 47 verbunden ist, welcher
wiederum durch die Induktivitäten 53 und 54 mit
Energie-Anschlüssen
VDD 58, 59 der Schaltung
verbunden ist. Die Kondensatoren 55 und 56, welche
jeweils zwischen VDD und der Signal-Erdung 57 verbunden
sind, vervollständigen
die gezeigte Resonatorschaltung 44. Die Kondensatoren 55, 56 können variabel
sein, um somit eine einstellbare ausbalancierte Oszillatorschaltung
bereitzustellen.
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Der
neue Induktivitäts-Aufbau
gemäß der Erfindung
kann durch eine herkömmliche
Technologie eines integrierten Schaltkreises realisiert werden.
Insbesondere ist eine Ebnungs-Technik, welche als "Back-Etching" bekannt ist, zur
Herstellung des Parallel-Parallel- und Parallel-Seriell-Aufbaus,
wie beschrieben, sehr geeignet. Ein Beispiel einer "Back-Etching" Technik ist in der
europäischen
Patentanmeldung 0 599 074 offenbart, welche hier durch Inbezugnahme
enthalten ist.
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Obwohl
die Erfindung hinsichtlich bevorzugter Ausführungsformen beschrieben wurde,
wird der Fachmann anerkennen, dass zahlreiche Änderungen in der Anordnung
und der Anzahl von Teilen, welche beschrieben und dargestellt wurden,
um den Gegenstand dieser Erfindung zu erläutern, vorgenommen werden können, ohne
vom Prinzip und Umfang der Erfindung abzuweichen, wie in den anliegenden
Ansprüchen
dargelegt.
