JP2015521800A5

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Publication number: JP2015521800A5
Application number: JP2015518590A
Authority: JP
Filing date: 2013-06-21
Publication date: 2016-06-16
Anticipated expiration: 2033-06-21

Description

利益、他の利点および問題への解決策は、具体的な実施形態に関して上記された。しかしながら、利益、利点、問題への解決策、ならびにいずれかの利益、利点または解決策が生じるか、もしくはより強調されるようになるいずれの要素も、いずれかまたは全ての請求の範囲の重要な、必要な、または本質的な特徴もしくは要素として解釈されるべきではない。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］以下の順序で、
ａ．第１の像形成された金属層、
ｂ．第１面と、第２面とを有する第１の電気絶縁層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第１面は、前記第１の像形成された金属層に接する、第１の電気絶縁層、
ｃ．第２の像形成された金属層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第２面は、前記第２の像形成された金属層に接する、第２の像形成された金属層、
ｄ．８０〜９０モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１０〜２０モル％の４，４’−オキシジフタル酸無水物、および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含むポリイミドボンドプライ、
ｅ．第３の像形成された金属層、
ｆ．第１面と、第２面とを有する第２の電気絶縁層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第１面は、前記第３の像形成された金属層に接する、第２の電気絶縁層、
ｇ．第４の像形成された金属層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第２面は、前記第４の像形成された金属層に接する、第４の像形成された金属層、
を含む回路基板であって、
前記ポリイミドボンドプライが、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２面の露出した領域に直接接触し、かつ前記第３の像形成された金属層および前記第２の電気絶縁層の前記第１面の露出した領域に直接接触し、かつ
３４０℃以上の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ²）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ²）の圧力において、
ｉ）前記第１の像形成された金属層、前記第１の電気絶縁層および前記第２の像形成された金属層、
ｉｉ）前記ポリイミドボンドプライ、ならびに
ｉｉｉ）前記第３の像形成された金属層、前記第２の電気絶縁層および前記第４の像形成された金属層
が積層される際に、前記ポリイミドボンドプライが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、かつ
前記第１の電気絶縁層および前記第２の電気絶縁層が３４０℃以上の前記積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である
ことを特徴とする回路基板。
［２］前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの、熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含む、［１］に記載の回路基板。
［３］前記第１の電気絶縁層が、
ｉ）８０〜９０モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１０〜２０モル％の４，４’−オキシジフタル酸無水物、および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、
ｉｉ）１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、および１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリン、または
ｉｉｉ）３８０℃以上の温度で積層される場合、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン
から誘導されるポリイミドを含み、および
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、［１］に記載の回路基板。
［４］前記第２の電気絶縁層が、
ｉ）８０〜９０モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１０〜２０モル％の４，４’−オキシジフタル酸無水物、および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、
ｉｉ）１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、および１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリン、または
ｉｉｉ）３８０℃以上の温度で積層される場合、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン
から誘導されるポリイミドを含み、および
前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、［３］に記載の回路基板。
［５］接着剤およびカバーレイをさらに含み、前記接着剤が、前記第１の像形成された金属層と前記カバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、［４］に記載の回路基板。
［６］ｉ）接着剤およびカバーレイであって、前記接着剤が前記第１の像形成された金属層と前記カバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、接着剤およびカバーレイ、ならびに
ｉｉ）第２の接着剤および第２のカバーレイであって、前記第２の接着剤が前記第４の像形成された金属層と前記第２のカバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、第２の接着剤および第２のカバーレイ
をさらに含む、［４］に記載の回路基板。
［７］前記カバーレイ、前記第２のカバーレイまたはそれらの両方が顔料を含む、［６］に記載の回路基板。
［８］前記顔料が、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックである、［７］に記載の回路基板。
［９］前記顔料が、１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料である、［７］に記載の回路基板。
［１０］前記カバーレイ、前記第２のカバーレイまたはそれらの両方が顔料および艶消し剤を含む、［６］に記載の回路基板。
［１１］前記艶消し剤がポリイミド粒子である、［１０］に記載の回路基板。
［１２］前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ前記低伝導率カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で前記第１のポリイミドカバーレイに存在する、［１０］に記載の回路基板。

Claims

以下の順序で、
ａ．第１の像形成された金属層、
ｂ．第１面と、第２面とを有する第１の電気絶縁層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第１面は、前記第１の像形成された金属層に接する、第１の電気絶縁層、
ｃ．第２の像形成された金属層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第２面は、前記第２の像形成された金属層に接する、第２の像形成された金属層、
ｄ．８０〜９０モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１０〜２０モル％の４，４’−オキシジフタル酸無水物、および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含むポリイミドボンドプライ、
ｅ．第３の像形成された金属層、
ｆ．第１面と、第２面とを有する第２の電気絶縁層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第１面は、前記第３の像形成された金属層に接する、第２の電気絶縁層、
ｇ．第４の像形成された金属層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第２面は、前記第４の像形成された金属層に接する、第４の像形成された金属層、
を含む回路基板であって、
前記ポリイミドボンドプライが、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２面の露出した領域に直接接触し、かつ前記第３の像形成された金属層および前記第２の電気絶縁層の前記第１面の露出した領域に直接接触し、かつ
３４０℃以上の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ²）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ²）の圧力において、
ｉ）前記第１の像形成された金属層、前記第１の電気絶縁層および前記第２の像形成された金属層、
ｉｉ）前記ポリイミドボンドプライ、ならびに
ｉｉｉ）前記第３の像形成された金属層、前記第２の電気絶縁層および前記第４の像形成された金属層
が積層される際に、前記ポリイミドボンドプライが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、かつ
前記第１の電気絶縁層および前記第２の電気絶縁層が３４０℃以上の前記積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である
ことを特徴とする回路基板。
前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含む、請求項１に記載の回路基板。
前記第１の電気絶縁層が、
ｉ）８０〜９０モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１０〜２０モル％の４，４’−オキシジフタル酸無水物、および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、
ｉｉ）１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、および１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリン、または
ｉｉｉ）３８０℃以上の温度で積層される場合、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン
から誘導されるポリイミドを含み、および
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、請求項１に記載の回路基板。
前記第２の電気絶縁層が、
ｉ）８０〜９０モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１０〜２０モル％の４，４’−オキシジフタル酸無水物、および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、
ｉｉ）１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、および１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリン、または
ｉｉｉ）３８０℃以上の温度で積層される場合、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン
から誘導されるポリイミドを含み、および
前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、請求項３に記載の回路基板。
接着剤およびカバーレイをさらに含み、前記接着剤が、前記第１の像形成された金属層と前記カバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、請求項４に記載の回路基板。
ｉ）接着剤およびカバーレイであって、前記接着剤が前記第１の像形成された金属層と前記カバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、接着剤およびカバーレイ、ならびに
ｉｉ）第２の接着剤および第２のカバーレイであって、前記第２の接着剤が前記第４の像形成された金属層と前記第２のカバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、第２の接着剤および第２のカバーレイ
をさらに含む、請求項４に記載の回路基板。
前記カバーレイ、前記第２のカバーレイまたは両方が顔料を含む、請求項６に記載の回路基板。
前記カバーレイ、前記第２のカバーレイまたは両方が顔料および艶消し剤を含む、請求項６に記載の回路基板。
前記艶消し剤がポリイミド粒子である、請求項８に記載の回路基板。
前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ前記低伝導率カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で前記第１のポリイミドカバーレイに存在する、請求項８に記載の回路基板。