JP2015528204A5 - - Google Patents
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Description
（１） ａ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に直接接触する第１のポリイミドカバーレイ
を含んでなる回路基板であって、
前記第１の像形成された金属層と前記第１のポリイミドカバーレイとの間に接着層が存在せず、かつ
３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、前記第１のポリイミドカバーレイが、前記第１の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に積層される場合、前記第１のポリイミドカバーレイが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、
前記第１の電気絶縁層が、３００〜３８０℃の前記積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である、回路基板。
（２） 前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（３） 前記第１の像形成された金属層が銅である、（１）に記載の回路基板。
（４） 前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層が銅である、（１）に記載の回路基板。
（５） 前記第１のポリイミドカバーレイが、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（６） 前記第１のポリイミドカバーレイが、１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（７） 前記第１のポリイミドカバーレイが顔料および艶消し剤を含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（８） 前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ前記低伝導率カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で前記第１のポリイミドカバーレイに存在する、（７）に記載の回路基板。
（９） 前記艶消し剤がポリイミド粒子である、（７）に記載の回路基板。
（１０） 前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（１１） 前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、前記第１の像形成された金属層が銅であり、かつ前記第１のポリイミドカバーレイが、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックまたは１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる、（１０）に記載の回路基板。
（１２） 前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、前記第１の像形成された金属層が銅であり、かつ前記第１のポリイミドカバーレイが顔料および艶消し剤を含んでなり、前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、前記低伝導率カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で前記第１のポリイミドカバーレイに存在する、（１０）に記載の回路基板。
（１３） 前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、前記第１の像形成された金属層が銅であり、かつ前記第１のポリイミドカバーレイが顔料および艶消し剤を含んでなり、前記艶消し剤がポリイミド粒子である、（１０）に記載の回路基板。
（１４） 前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１０）に記載の回路基板。
（１５） 前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１０）に記載の回路基板。
（１６） 前記第１の電気絶縁層の前記第２の面上に第２の像形成された金属層をさらに含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（１７） １００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に直接接触する第２のポリイミドカバーレイをさらに含んでなり、
前記第２の像形成された金属層と前記第２のポリイミドカバーレイとの間に接着層が存在せず、かつ
３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、前記第２のポリイミドカバーレイが、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に積層される場合、前記第２のポリイミドカバーレイが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する、（１６）に記載の回路基板。
（１８） 前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（１９） 前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層または両方が銅である、（１７）に記載の回路基板。
（２０） 前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層または両方が銅である、（１７）に記載の回路基板。
（２１） 前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方が、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（２２） 前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方が、１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（２３） 前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方が顔料および艶消し剤を含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（２４） 前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ前記低伝導率カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方に存在する、（２３）に記載の回路基板。
（２５） 前記艶消し剤がポリイミド粒子である、（２３）に記載の回路基板。
（２６） 前記第１のポリイミドカバーレイが、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなり、かつ前記第２のポリイミドカバーレイが、１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる（１７）に記載の回路基板。
（２７） 前記第１のポリイミドカバーレイが、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなり、かつ前記第２のポリイミドカバーレイが顔料および艶消し剤を含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（２８） 前記第２のポリイミドカバーレイ中の前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ前記カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で存在する、（２７）に記載の回路基板。
（２９） 前記第１のポリイミドカバーレイが、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなり、かつ前記第２のポリイミドカバーレイが顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ前記艶消し剤がポリイミド粒子である、（２７）に記載の回路基板。
（３０） 前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（３１） 前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（３０）に記載の回路基板。
（３２） 前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層または両方が銅である、（３０）に記載の回路基板。
（３３） 前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層または両方が銅である、（３０）に記載の回路基板。
（３４） 前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方が、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなる、（３０）に記載の回路基板。
（３５） 前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方が、１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる、（３０）に記載の回路基板。
（３６） 前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方が顔料および艶消し剤を含んでなる、（３０）に記載の回路基板。
（３７） 前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ前記低伝導率カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方に存在する、（３６）に記載の回路基板。
（３８） 前記艶消し剤がポリイミド粒子である、（３６）に記載の回路基板。
（３９） 前記第１のポリイミドカバーレイが、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなり、かつ前記第２のポリイミドカバーレイが、１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる（３０）に記載の回路基板。
（４０） 前記第１のポリイミドカバーレイが、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなり、かつ前記第２のポリイミドカバーレイが顔料および艶消し剤を含んでなる、（３０）に記載の回路基板。
（４１） 前記第２のポリイミドカバーレイ中の前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ前記カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で存在する、（４０）に記載の回路基板。
（４２） 前記第１のポリイミドカバーレイが、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなり、かつ前記第２のポリイミドカバーレイが顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ前記艶消し剤がポリイミド粒子である、（４０）に記載の回路基板。
（４３） 前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（３０）に記載の回路基板。
（４４） 前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（３０）に記載の回路基板。
（４５） 前記第２のポリイミドカバーレイが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（４６） 前記第２のポリイミドカバーレイが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（４７） 前記第１のポリイミドカバーレイが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（４８） 前記第１のポリイミドカバーレイが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１）に記載の回路基板。
Claims (7)
- ａ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に直接接触する第１のポリイミドカバーレイ
を含んでなる回路基板であって、
前記第１の像形成された金属層と前記第１のポリイミドカバーレイとの間に接着層が存在せず、かつ
３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、前記第１のポリイミドカバーレイが、前記第１の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に積層される場合、前記第１のポリイミドカバーレイが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、
前記第１の電気絶縁層が、３００〜３８０℃の前記積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である、回路基板。 - 前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層が銅である、請求項１に記載の回路基板。
- 前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、請求項１に記載の回路基板。
- 前記第１の電気絶縁層の前記第２の面上に第２の像形成された金属層をさらに含んでなる、請求項１に記載の回路基板。
- １００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に直接接触する第２のポリイミドカバーレイをさらに含んでなり、
前記第２の像形成された金属層と前記第２のポリイミドカバーレイとの間に接着層が存在せず、かつ
３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、前記第２のポリイミドカバーレイが、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に積層される場合、前記第２のポリイミドカバーレイが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する、請求項４に記載の回路基板。 - 前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層または両方が銅である、請求項５に記載の回路基板。
- 前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、請求項５に記載の回路基板。
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