JP6139676B2

JP6139676B2 - 回路基板

Info

Publication number: JP6139676B2
Application number: JP2015518585A
Authority: JP
Inventors: ジー．コックスシドニー; デニスシモーネクリストファー; ロバートヘーガーカール
Original assignee: EI Du Pont de Nemours and Co
Current assignee: EIDP Inc
Priority date: 2012-06-22
Filing date: 2013-06-21
Publication date: 2017-05-31
Anticipated expiration: 2033-06-21
Also published as: WO2013192476A1; CN104541590A; US20150201490A1; CN104541584A; JP2015521801A; CN104541590B; US9585249B2; WO2013192468A1; US20150342044A1; EP2865251A1; EP2865246A1; US20150342041A1; JP6114387B2; JP2015523730A; EP2865244A1; JP6258930B2; CN104541584B; US20150147567A1; WO2013192474A1; JP2015527222A

Description

本開示は概して回路基板に関する。より詳しくは、回路基板はポリイミドボンッドプライ（polyimide bondply）を含んでなる。

回路基板構築物のための金属張積層体は、間に接着層を用いて、金属箔にポリイミド膜を積層することによって構成される。接着層は従来の接着剤（アクリレート、エポキシド、ポリアミド、フェノール樹脂など）からなってよく、接着剤は金属箔積層の間に硬化される。しかしながら、これらの従来の接着剤は、通常、ベースのポリイミド誘電体の高温熱安定性を有さず、高温を受けた時、マルチプレーヤー積層構造体の接着結合の強度は急速に低下する。またこれらの接着剤は、これらの接着剤の高い損失係数のため、高速回路層において高い電気的損失を示す。

電子実装がより高度なものとなり、低ＣＴＥ、低水分吸着、高温熱安定性および高弾性を有する、より薄型で、より小型で軽量のフレキシブル電子部品に対する要望のため、接着層の排除が必要とされている。

接着剤を含まない積層体のための１つの手段は、両面にポリアミド酸前駆体溶液の薄層によって高弾性ポリイミド膜コア層をコーティングし、この層を乾燥させ、最終的に適用されたコーティングをイミド化し、熱可塑性ポリイミドを作製することである。次いで、熱および圧力によって銅箔を積層し、両面銅張積層体を作製する。

またポリイミド前駆体を銅箔上に直接コーティングして、次いで硬化し、片面に銅箔を有するポリイミド膜を作製することも可能である。これは、接着剤を含まない銅クラッド膜を製造するための一般的な方法であるが、片面のみに銅を有するポリイミドクラッドを作製することができる。接着剤を含まないポリイミド銅張積層体を製造するためのもう１つの方法は、標準的剛性ポリイミドベース膜から出発することである。典型的に、金属とポリイミドとの間の接着性を改善するために、スパッタリングまたは蒸着によって金属薄層が析出される。次いで必要とされる厚さまで銅に電気メッキが施され、両面銅張積層体を作製する。

これらの各々には、以下の不都合の１つまたは複数がある：ポリイミド膜への金属箔の積層とは対照的に必要とされる追加的な工程、接着剤が使用される場合はポリイミドへの金属箔の劣った接着性、ポリイミドの複数の層は全体的に構造体の厚さを追加する。

上記の理由のために、良好な機械特性および電気特性を維持しながら、低ＣＴＥ、低水分吸着、高温熱安定性および高弾性を有する、より薄型のフレキシブル電子部品を提供するため、接着剤を使用することなく金属箔に直接積層／接着することが可能なポリイミド膜に対する必要性が存続している。

定義
本明細書で使用される場合、「含んでなる（comprises）」、「含んでなっている（comprising）」「含む（includes）」、「含んでいる（including）」、「有する」、「有している」という用語またはそれらの他のいずれの変形も、非排除的包含を含むように意図される。例えば、要素のリストを含んでなる方法、プロセス、物品または装置は、必ずしもそれらの要素に限定されず、明白に記載されないか、またはそのような方法、プロセス、物品または装置に固有である他の要素を含んでもよい。さらに、明白に反対に明示されない限り、「または」は包含的離接を指し、排他的論理和を指さない。例えば、条件ＡまたはＢは、以下のいずれか１つによって満たされる：Ａは真であり（または存在し）、Ｂは偽である（または存在しない）；Ａは偽であり（または存在しない）、Ｂは真である（または存在する）；ならびにＡおよびＢは真である（または存在する）。

また「ａ」または「ａｎ」の使用は、本発明の要素および成分を記載するために使用される。これは便宜上、および本発明の一般的な意味を与えるためのみである。この記述は１つ、または少なくとも１つを含むように解釈されなければならず、かつ、それが別の意味を有することが明らかでない限り、単数は複数も含む。

「二無水物」という用語は、本明細書で使用される場合、技術的には二無水物ではないが、それにもかかわらず、ジアミンと反応して、ポリイミドに変換可能なポリアミド酸を形成し得る、それらの前駆体、誘導体または類似体を含むように意図される。

「ジアミン」という用語は、本明細書で使用される場合、技術的にはジアミンではないが、それにもかかわらず、二無水物と反応して、ポリイミドに変換可能なポリアミド酸を形成し得る、それらの前駆体、誘導体または類似体を含むように意図される。

「ポリアミド酸」という用語は、本明細書で使用される場合、二無水物およびジアミンの組み合わせから誘導され、かつポリイミドへの変換が可能である任意のポリイミド前駆体材料を含むように意図される。

「膜」という用語は、本明細書で使用される場合、自立膜または（セルフサポーティングもしくは非セルフサポーティング）コーティングを意味するように意図される。「膜」という用語は、「層」という用語と交換可能に使用される。

「化学変換」または「化学的に変換される」という用語は、本明細書で使用される場合、ポリアミド酸をポリイミドに変換するための触媒（促進剤）もしくは脱水剤（または両方）の使用を示し、かつ９８％より高い固体濃度まで高温で乾燥される、部分的に化学的に変換されたポリイミドを含むように意図される。

「金属」という用語は、本明細書で使用される場合、元素金属および金属合金を含むように意図される。

「直接接触」という用語は、本明細書で使用される場合、層がそれらのインターフェースにおいて互いに接触し、かつ接着層などの介在層が存在しないことを意味するように意図される。

量、濃度または他の値もしくはパラメーターが、範囲として、好ましい範囲として、または上位の好ましい値および下位の好ましい値のリストとして与えられる場合、範囲がそれとは別に開示されるかどうかにかかわらず、任意の上位の範囲限界または好ましい値および任意の下位の範囲限界または好ましい値の任意の対から形成される全ての範囲を特に開示するものとして理解されるべきである。数値的な値の範囲が本明細書に列挙される場合、特に明記されない限り、その範囲は、それらの終点ならびに範囲内の全ての整数および分数を含むように意図される。数値的な値は、提供される有効数字の数の精度を有するように理解されるべきである。例えば、数字１は、０．５〜１．４の範囲を包含するように理解されるが、それに対して数字１．０は、０．９５〜１．０４の範囲を包含するように理解され、明示された範囲の終点を含む。本発明の範囲は、範囲が定義される場合に列挙される特定の値に限定されるようには意図されない。

ある種のポリマーの記述において、出願者が、それらを製造するために使用されるモノマーまたはそれらを製造するために使用されるモノマーの量によってポリマーを参照する時があることは理解されるべきである。そのような記述には、最終的なポリマーを記載するために使用される特定の学名が含まれ得ないか、またはプロダクト−バイ−プロセス用語が含有され得ないが、モノマーおよび量の任意のそのような参照は、文脈が別のことを示すか、または暗示しない限り、ポリマーがそれらのモノマーから製造されることを意味するものと解釈されなければならない。

本明細書に記載される材料、方法および実施例は、実例となるのみであり、特に明示された場合を除き、限定するように意図されない。本明細書に記載されるものと同様または同等の方法および材料を使用することができるが、適切な方法および材料は本明細書に記載される。

本開示は、追加的な接着層を必要とすることなく、金属に直接接着可能であり、かつ良好な剥離強度を有する熱硬化性ポリイミド膜に関する。良好な剥離強度は、本開示の目的のための金属張積層体に関して、少なくとも１Ｎ／ｍｍである。カバーレイ（coverlay）またはボンドプライ（bondply）に関する良好な剥離強度は、０．７〜２Ｎ／ｍｍである。

いくつかの実施形態において、ポリイミド膜（ポリイミド層またはポリイミドカバーレイ（polyimide coverlay）またはポリイミドボンドプライまたは電気絶縁層）は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ３００〜３８０℃の積層温度において金属および他のポリマーに直接接着することが可能である。

いくつかの実施形態において、ポリイミド膜（ポリイミド層またはポリイミドカバーレイまたはポリイミドボンドプライまたは電気絶縁層）は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ３３０〜３８０℃の積層温度において金属および他のポリマーに直接接着することが可能である。

いくつかの実施形態において、ポリイミド膜（ポリイミド層またはポリイミドカバーレイまたはポリイミドボンドプライまたは電気絶縁層）は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ３２０〜３８０℃の積層温度において金属および他のポリマーに直接接着することが可能である。

いくつかの実施形態において、ポリイミド膜（ポリイミド層またはポリイミドカバーレイまたはポリイミドボンドプライまたは電気絶縁層）は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ３３０〜３８０℃の積層温度において金属および他のポリマーに直接接着することが可能である。

いくつかの実施形態において、ポリイミド膜（ポリイミド層またはポリイミドカバーレイまたはポリイミドボンドプライまたは電気絶縁層）は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ少なくとも３００、３２０、３３０または３５０℃の積層温度において金属および他のポリマーに直接接着することが可能である。

いくつかの実施形態において、ポリイミド膜（ポリイミド層またはポリイミドカバーレイまたはポリイミドボンドプライまたは電気絶縁層）は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ少なくとも３００、３２０、３３０または３５０℃の積層温度において金属および他のポリマーに直接接着することが可能である。

１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドは、３８０〜４００℃の積層温度において金属および他のポリマーに直接接着することが可能である。

したがって、本開示のポリイミドは、限定されないが、金属張積層体、カバーレイおよびボンドプライなどの金属へのポリイミドの直接接着が有利であり、かつ低ＣＴＥ、低水分吸着を有する薄型フレキシブル電子部品が望ましい任意の用途のために有用である。

金属張積層体
いくつかの実施形態において、本開示のポリイミド金属張積層体は、金属箔と、ポリイミド層とを含んでなる。ポリイミド層は、第１の面面と、第２の面面とを有し、第１の面面は金属箔に直接接触しており、ポリイミド層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、ポリイミド金属張積層体は、金属箔とポリイミド層との間に接着層を有しない。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において金属箔およびポリイミド層が一緒に積層される場合、ポリイミド金属張積層体は、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜３．３Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。

一実施形態において、本開示のポリイミド金属張積層体は、金属箔と、ポリイミド層とを含んでなる。ポリイミド層は、第１の面面と、第２の面面とを有し、第１の面面は金属箔に直接接触しており、ポリイミド層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、ポリイミド金属張積層体は、金属箔とポリイミド層との間に接着層を有しない。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において金属箔およびポリイミド層が一緒に積層される場合、ポリイミド金属張積層体は、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜３Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。

もう１つの実施形態において、本開示のポリイミド金属張積層体は、金属箔と、ポリイミド層とを含んでなる。ポリイミド層は、第１の面面と、第２の面面とを有し、第１の面面は金属箔に直接接触しており、ポリイミド層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、ポリイミド金属張積層体は、金属箔とポリイミド層との間に接着層を有しない。３３０〜３５０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において金属箔およびポリイミド層が一緒に積層される場合、ポリイミド金属張積層体は、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜３．２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。

もう１つの実施形態において、ポリイミド金属張積層体は、金属箔と、第１の面面と、第２の面面とを有するポリイミド層とを含んでなり、第１の面面は金属箔に直接接触しており、ポリイミド層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、ポリイミド金属張積層体は、金属箔とポリイミド層との間に接着層を有さず、かつ３８０〜４００℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において金属箔およびポリイミド層が一緒に積層される場合、ポリイミド金属張積層体は、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜３Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。

いくつかの実施形態において、本開示のポリイミド金属張積層体は、金属箔およびポリイミド層を含んでなる。ポリイミド層は、第１の面と、第２の面とを有し、第１の面は金属箔に直接接触しており、ポリイミド層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、ポリイミド金属張積層体は、金属箔とポリイミド層との間に接着層を有しない。少なくとも３２０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において金属箔およびポリイミド層が一緒に積層される場合、ポリイミド金属張積層体は、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、少なくとも１Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。

いくつかの実施形態において、ポリイミドは、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０、３０、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５および９０モル％の任意の２つの両端値を含む間の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、ならびに１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、７０および８０モル％の任意の２つの両端値を含む間の４，４’−オキシジアニリンから誘導される。

いくつかの実施形態において、ポリイミド金属クラッドは、ポリイミド層の第２の面に直接接触する第２の金属箔をさらに含んでなり、かつポリイミド金属張積層体は、第２の金属箔とポリイミド層との間に接着層を有しない。

いくつかの実施形態において、ポリイミド金属張積層体は、
ａ．金属箔と、
ｂ．金属箔に直接接触する第１の面と、第２の面とを有し、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなるポリイミド層と、
ｃ．第２の金属箔と
を含んでなり、かつポリイミド金属張積層体は、金属箔とポリイミド層との間に接着層を有さず、かつ３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において金属箔およびポリイミド層が一緒に積層される場合、ポリイミド金属張積層体は、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜３Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。

いくつかの実施形態において、ポリイミド金属張積層体は、
ａ．金属箔と、
ｂ．金属箔に直接接触する第１の面と、第２の面とを有し、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなるポリイミド層と、
ｃ．第２の金属箔と
を含んでなる。

ポリイミド金属張積層体は、金属箔とポリイミド層との間に接着層を有さず、かつ第２の金属箔とポリイミド層との間に接着層を有さず、かつ３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において金属箔およびポリイミド層が一緒に積層される場合、ポリイミド金属張積層体は、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜３Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。

驚くべきことに、本開示のポリイミドは、３２０〜３８０℃の温度において積層された場合、およびいくつかの場合、３８０〜４００℃の温度において積層された場合、接着剤を必要とせずに、金属に対する、および金属が除去された部分で露出したポリマー領域を有する像形成された金属に対する良好な剥離強度を有し、かつ機械特性および電気特性の良好なバランス、ならびに低ＣＴＥを維持する。全ての低Ｔｇポリイミドが良好な剥離強度、特性のバランスおよび低ＣＴＥを有するというわけではない。

望ましい電気特性および機械特性は、材料が使用される所望の最終用途次第である。所望の最終用途のために特性を微調整する際に、通常の技術および実験が必要とされ得る。一般に、良好なＭＤ引張係数は２．７５ＧＰａより高く、ＭＤ引張強さは１２５ＭＰａより高く、ＭＤ伸長率は２５％より高く、水分吸収は１．５％未満であり、１００Ｈｚの比誘電率は３．５未満、および損失係数は０．００６未満である。

金属箔に直接接着する能力を有する単層ポリイミド膜のもう１つの利点は、高度な層を組み合わせるシステムに依存する多層キャスト膜よりも、２５ミクロン未満の厚さに関して単一スロットキャスティングダイを通して、膜厚均一性をより容易に制御することができることである。全てのポリイミド銅張積層体は、３層、すなわち、剛性熱硬化性ポリイミドコア、ならびにポリイミドコア両面上の薄い熱可塑性ポリイミドコーティングから製造することができる。しかしながら、薄いコーティングの厚さを制御することは困難であり、加えて、３層膜を製造するためにはより複雑な製造方法が必要とされる。

本開示の単層のポリイミド膜のもう１つの利点は、それが、剛性ポリイミドコアを有する銅張積層体で予想される特性を生じ、また熱可塑性ポリイミドと同様の銅に対する接着性を生じることである。銅箔への良好な接着性は、全ての熱可塑性ポリイミド膜によって達成可能であろう。しかしながら、全ての熱可塑性膜は、金属張積層体のために容認できない大きいＣＴＥ値（＞５０）を有するであろう。また寸法安定性も低い。

もう１つの利点は、ポリイミド薄膜は、電気特性を維持しながら、より高い熱伝導率を可能にすることができることである。

いくつかの実施形態において、（ポリイミド金属張積層体の）ポリイミド層は、２、５、１０、１５、２０、２６、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、１００および１０５ミクロンの任意の２つの両端値を含む間の厚さである。いくつかの実施形態において、ポリイミド層は２〜２６ミクロンの厚さである。いくつかの実施形態において、ポリイミド層は２７〜１０５ミクロンの厚さである。

金属箔−金属張積層体
いくつかの実施形態において、金属箔は元素金属である。いくつかの実施形態において、金属箔は金属合金である。いくつかの実施形態において、金属箔は銅である。いくつかの実施形態において、金属合金は５０〜７２重量％のニッケルを含んでなる。もう１つの実施形態において、金属合金は、５０〜７２％重量％のニッケルおよび１４〜２４重量％のクロムを含んでなる。いくつかの実施形態において、金属箔はアルミニウムである。

いくつかの実施形態において、ポリイミド金属張積層体は、ポリイミド層の第２の面に直接接触する第２の金属箔をさらに含んでなり、かつポリイミド金属張積層体は、第２の金属箔とポリイミド層との間に接着層を有さない。

いくつかの実施形態において、第２の金属箔は元素金属である。いくつかの実施形態において、第２の金属箔は金属合金である。いくつかの実施形態において、第２の金属箔は銅である。いくつかの実施形態において、金属合金は５０〜７２重量％のニッケルを含んでなる。もう１つの実施形態において、金属合金は、５０〜７２％重量％のニッケルおよび１４〜２４重量％のクロムを含んでなる。いくつかの実施形態において、金属箔はアルミニウムである。

いくつかの実施形態において、金属箔は５〜７２ミクロンの厚さである。いくつかの実施形態において、金属箔は、５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０および７２ミクロンの任意の２つの両端値を含む間の厚さである。いくつかの実施形態において、金属箔は、電気絶縁層に対する接着性を改善するために表面処理される。

いくつかの実施形態において、第２の金属箔は５〜７２ミクロンの厚さである。いくつかの実施形態において、第２の金属箔は、５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０および７２ミクロンの任意の２つの両端値を含む間の厚さである。いくつかの実施形態において、第２の金属箔は、電気絶縁層に対する接着性を改善するために表面処理される。

いくつかの実施形態において、ポリイミド層は、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる。いくつかの実施形態において、ポリイミド層は、１、５、１０、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０および５５重量パーセントの任意の２つの両端値を含む間の熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる。いくつかの実施形態において、熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物は、所望の充填剤径を得るため、かつ／または形成され得る任意の凝集体を破壊するために粉砕される。

本開示のポリイミドは、ポリイミド膜または充填ポリイミド膜の製造のための任意の既知の熱変換または化学変換方法によって製造することができる。いくつかの実施形態において、限定されないが、より低いＣＴＥなどの熱変換より高い化学変換の利点のため、化学変換を使用することが望ましく、かつ平滑な表面にキャストされる場合でも膜が両面で無光沢である。

いくつかの実施形態において、ポリイミド層は、金属張積層体を形成するために、ニップロール積層または真空プレスを使用して、片面または両面で金属箔に直接接着される自立膜であることができる。ニップロールまたは真空プレスは、必要とされる温度および圧力を達成することが可能でなければならない。

いくつかの実施形態において、ポリアミド酸は、金属箔にキャストして、硬化することができる。このプロセスは、非常に薄い電気絶縁層（誘電層）を生じることができる。任意選択で、必要とされる温度および圧力を達成することが可能なニップロールプロセスまたは真空プレスを使用して、もう１つの金属箔をポリイミド層の反対側に接着することができる。

いくつかの実施形態において、ポリイミド膜は、金属張積層体を形成するために、ニップロール積層または真空プレスを使用して、片面または両面で金属箔に直接接着される自立膜であることができる。

いくつかの実施形態において、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドは、カバーレイとして使用される。そのような実施形態において、ポリイミドは、銅、および典型的に、回路を形成するために銅が像形成された後に露出するもう１つのポリイミド層に直接接着される。

回路基板−カバーレイ
本開示の一実施形態は、回路基板のためのポリイミドカバーレイである。そのような実施形態において、回路基板は、
ａ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する第１のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。接着層は、第１の像形成された金属層と第１のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。いくつかの実施形態において、３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に積層される場合、第１のポリイミドカバーレイは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１の電気絶縁層は、３００〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。

もう１つの実施形態において、３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に積層される場合、第１のポリイミドカバーレイは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１の電気絶縁層は、３２０〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。

本開示のもう１つの実施形態は、回路基板のためのポリイミドカバーレイである。そのような実施形態において、回路基板は、
ａ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、および１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する第１のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。接着層は、第１の像形成された金属層と第１のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に積層される場合、第１のポリイミドカバーレイは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１の電気絶縁層は、３２０〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。

本開示のもう１つの実施形態は、回路基板のためのポリイミドカバーレイである。そのような実施形態において、回路基板は、
ａ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する第１のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。接着層は、第１の像形成された金属層と第１のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に積層される場合、第１のポリイミドカバーレイは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１の電気絶縁層は、３２０〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。

いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイは、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０、３０、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５および９０モル％の任意の２つの両端値を含む間の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、ならびに１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、７０および８０モル％の任意の２つの両端値を含む間の４，４’−オキシジアニリンから誘導される。

いくつかの実施形態において、回路基板は、第１の電気絶縁層の第２の面上に第２の像形成された金属層をさらに含んでなる。

いくつかの実施形態において、回路基板は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触する第２のポリイミドカバーレイをさらに含んでなる。接着層は、第２の像形成された金属層と第２のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、第２のポリイミドカバーレイが、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に積層される場合、第２のポリイミドカバーレイは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。

いくつかの実施形態において、回路基板は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触する第２のポリイミドカバーレイをさらに含んでなる。接着層は、第２の像形成された金属層と第２のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、第２のポリイミドカバーレイが、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に積層される場合、第２のポリイミドカバーレイは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。

いくつかの実施形態において、第２のポリイミドカバーレイは、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０、３０、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５および９０モル％の任意の２つの両端値を含む間の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、ならびに１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、７０および８０モル％の任意の２つの両端値を含む間の４，４’−オキシジアニリンから誘導される。

いくつかの実施形態において、カバーレイが、電子部品の望ましくない視覚検査および不正操作に対する保護を提供する光学特性を有することが望ましい。いくつかの実施形態において、望ましい（例えば、屈曲性回路における導体の痕跡を隠すため）光学密度（不透明度）は２以上である。２の光学密度によって、１×１０^-2または１％の光が膜を通して伝達されることが意図される。光学密度は、ＭａｃｂｅｔｈＴＤ９０４光学密度計で測定される。光学密度は、より厚いカバーレイを作成することによって増加させることができる。薄いカバーレイの傾向が増加しているため、これは望ましくない。光学密度は、充填剤を添加することによって増加させることができる。いくつかの実施形態において、光学密度を増加するために、顔料が添加される。いくつかの実施形態において、光学密度を増加させるために、艶消し剤が添加される。いくつかの実施形態において、顔料および艶消し剤の組み合わせを添加することができる。

いくつかの実施形態において、顔料は、低伝導率カーボンブラックである。いくつかの実施形態において、顔料は非カーボンブラック顔料である。

実質的に任意の顔料（または顔料の組み合わせ）を使用することができる。いくつかの実施形態において、低伝導率カーボンブラックが使用される。低伝導率カーボンブラックは、チャネル型ブラックまたはファーネスブラックを意味するように意図される。いくつかの実施形態において、低伝導率カーボンブラックは、表面酸化カーボンブラックである。（カーボンブラックの）表面酸化の範囲を評価するための１つの方法は、カーボンブラックの加熱減量を測定することである。加熱減量は、７分間、９５０℃でか焼した時の重量損失を算出することによって測定することができる。一般的に、高度に表面酸化されたカーボンブラック（高加熱減量）は、ポリアミド酸溶液（ポリイミド前駆体）に容易に分散されることができ、これは次に、本開示の（十分分散した）充填ポリイミドポリマーにイミド化することができる。カーボンブラック粒子（凝集体）が互いに接触しない場合、電子トンネル効果、電子ホッピングまたは他の電子の流れ機構は一般に抑制され、より低い電気伝導度がもたらされると考えられる。いくつかの実施形態において、低伝導率カーボンブラックは、１％以上の加熱減量を有する。いくつかの実施形態において、低伝導率カーボンブラックは、５、９または１３％以上の加熱減量を有する。いくつかの実施形態において、ファーネスブラックは、加熱減量を増加させるために表面処理されてもよい。いくつかの実施形態において、骨炭が使用される。

いくつかの実施形態で、低伝導率カーボンブラックは、ポリイミドカバーレイの２、３、４、５、６、７、８および９重量パーセントの任意の２つの両端値を含む間の量で存在する。いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイは、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなる。いくつかの実施形態において、第２のポリイミドカバーレイは、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなる。いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイおよび第２のポリイミドカバーレイの両方は、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなる。

いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイは、顔料および艶消し剤を含んでなる。いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方は、顔料および艶消し剤を含んでなる。

いくつかの実施形態において、有用な非カーボンブラック顔料には、限定されないが、バリウムレモンイエロー、カドミウムイエローレモン、カドミウムイエローレモン、カドミウムイエローライト、カドミウムイエローミドル、カドミウムイエローオレンジ、スカーレットレーキ、カドミウムレッド、カドミウムバーミリオン、アリザリンクリムゾン、パーマネントマゼンタ、ヴァンダイクブラウン、ローアンバーグリーンイッシュまたはバーントアンバーが含まれる。いくつかの実施形態において、有用な黒色顔料には、酸化コバルト、Ｆｅ−Ｍｎ−Ｂｉブラック、Ｆｅ−Ｍｎオキシドスピナルブラック、（Ｆｅ，Ｍｎ）２Ｏ３ブラック、亜クロム酸銅ブラックスピナル、ランプブラック、骨炭、骨灰、ボーンチャー、赤鉄鉱、ブラック酸化鉄、雲母酸化鉄、ブラック錯体無機色顔料（ＣＩＣＰ）、ＣｕＣｒ２Ｏ４ブラック、（Ｎｉ，Ｍｎ，Ｃｏ）（Ｃｒ，Ｆｅ）２Ｏ４ブラック、アニリンブラック、ペリレンブラック、アントラキノンブラック、クロムグリーンブラック赤鉄鉱、クロムアイロンオキシド、ピグメントグリーン１７、ピグメントブラック２６、ピグメントブラック２７、ピグメントブラック２８、ピグメントブラウン２９、ピグメントブラック３０、ピグメントブラック３２、ピグメントブラック３３またはそれらの混合物が含まれる。

いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイは、１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる。いくつかの実施形態において、第２のポリイミドカバーレイは、１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる。いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方は、１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる。いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイは、１０、２０、３０、４０、５０および６０重量パーセントの任意の２つの両端値を含む間の量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる。いくつかの実施形態において、第２のポリイミドカバーレイは、１０、２０、３０、４０、５０および６０重量パーセントの任意の２つの両端値を含む間の量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる。

いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイは、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなり、かつ第２のポリイミドカバーレイは、１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる。

単離した個々の粒子（凝集体）の均一な分散は、電気伝導率を減少させるのみならず、さらに均一な色強度を生じる傾向がある。いくつかの実施形態において、低伝導率カーボンブラックは粉砕される。いくつかの実施形態において、低伝導率カーボンブラックの平均粒径は、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９および１．０ミクロンの任意の２つの間（およびそれを任意選択で含む）の径である。

いくつかの実施形態において、染料が使用されてもよい。有用な染料の例としては、限定されないが、ニグロシンブラック、モノアゾクロム錯体ブラックまたはそれらの混合物が含まれる。いくつかの実施形態において、染料および顔料の混合物が使用されてもよい。

いくつかの実施形態において、無光沢な外観を有するカバーレイが望ましい。ポリマー材料は、典型的に固有の表面光沢を有する。光沢を制御するため（およびそれによって無光沢な表面特徴を生じるため）、曇りのある低光沢表面特徴を達成するための様々な添加剤アプローチが可能である。概括的に、添加剤アプローチは全て、（マイクロスケールで）粗く、不規則に成形され、したがって、観測者へ（例えば、５０センチメートルより長い）距離まで光を反射させない変性された表面を作製するため、同一基礎物理学に基づく。複数の光線が光沢面にぶつかった時、大部分の光は同様の角度で反射し、したがって、相対的に高レベルの光の反射率を観察することができる。光の同一供給源が無光沢な（すなわち不規則な）表面にぶつかった時、光は多くの異なる方向で散乱し、そのうえ、非常により高いフラクションが吸収される。したがって、粗い表面で、光は全方向に広く散乱する傾向があり、像形成品質は大きく減少する（反射された対象はもはや鮮明に見えることなく、ぼやけている）。

光沢レベルに関して特定の表面を特徴づけるために使用される光沢メートルは、この同一原理に基づく。典型的に、光源は固定角度で表面にぶつかり、反射後、反射光の量はフォトセルによって読み取られる。反射は、複数の角度で読み取られることができる。完全に光沢のある表面の最大光沢性能は、１００％反射を実証する傾向があり、それに対して、完全に曇った表面は０％の反射を実証する傾向がある。

シリカは、特定の粒径範囲まで粉砕およびフィルターすることができる無機粒子である。シリカ粒子は、非常に不規則な形状および多孔性、ならびに低費用であるため、一般に普及している艶消し剤である。他の可能な艶消し剤には、ｉ．ホウ化物、窒化物、炭化物および他のオキシド（例えばアルミナ、チタニア、その他）などの他のセラミック、ならびにｉｉ．有機粒子が含まれるが、有機粒子は、化学変換ポリイミドの高温処理（選択される特定のポリイミドプロセス次第で約２５０℃〜約５５０℃の処理温度）に耐えることができることを条件とする。ポリイミド合成の熱条件に耐えることができる１つの有機艶消し剤は、ポリイミド粒子である。いくつかの実施形態において、艶消し剤はポリイミド粒子である。いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイは、ポリイミド粒子を含んでなる。いくつかの実施形態において、第２のポリイミドカバーレイは、ポリイミド粒子を含んでなる。いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイおよび第２のポリイミドカバーレイは両方ともポリイミド粒子を含んでなる。

艶消し剤の量、中央粒径および密度は、所望の６０度光沢値を生じるために十分でなければならない。いくつかの実施形態において、６０度光沢値は、２、５、１０、１５、２０、２５、３０および３５の任意の２つの間およびそれを任意選択で含む。いくつかの実施形態において、６０度光沢値は１０〜３５である。いくつかの実施形態において、６０度光沢値は２〜２５である。６０度光沢値は、Ｍｉｃｒｏ−ＴＲＩＧｌｏｓｓ光沢メートルを使用して測定される。

いくつかの実施形態において、艶消し剤は、第１のポリイミドカバーレイまたは第２のポリイミドカバーレイの１．６、２、３、４、５、６、７、８、９および１０重量パーセントの任意の２つの間およびそれを任意選択で含む量で存在する。いくつかの実施形態において、艶消し剤は、１．３、２、３、４、５、６、７、８、９および１０ミクロンの任意の２つの間およびそれを任意選択で含む中央粒径を有する。艶消し剤粒子は、約１０ミクロン未満（またはそれと同等）および約１．３ミクロンより大きい（またはそれと同等）の平均粒径を有するべきである。より大きい艶消し剤粒子は、機械特性に悪影響を与え得る。いくつかの実施形態において、艶消し剤は、２、３、４および４．５ｇ／ｃｃの任意の２つの間およびそれを任意選択で含む密度を有する。いくつかの実施形態において、艶消し剤は、シリカ、アルミナ、硫酸バリウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される。

いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイは、顔料および艶消し剤を含んでなる。いくつかの実施形態において、顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつそのような実施形態において、低伝導率カーボンブラックは、２〜２０重量パーセントの量で第１のポリイミドカバーレイに存在する。いくつかの実施形態において、顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつそのような実施形態において、低伝導率カーボンブラックは、２、５、１０、１５および２０重量パーセントの任意の２つの間およびそれを任意選択で含む量で第１のポリイミドカバーレイに存在する。いくつかの実施形態において、顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつそのような実施形態において、低伝導率カーボンブラックは、２、５、１０、１５および２０重量パーセントの任意の２つの間およびそれを任意選択で含む量で第２のポリイミドカバーレイに存在する。

いくつかの実施形態において、第２のポリイミドカバーレイは、顔料および艶消し剤を含んでなる。いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイおよび第２のポリイミドカバーレイの顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ低伝導率カーボンブラックは、２〜２０重量パーセントの量で第１のポリイミドカバーレイに存在し、かつ低伝導率カーボンブラックは、２〜２０重量パーセントの量で第２のポリイミドカバーレイに存在する。いくつかの実施形態において、顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつそのような実施形態において、低伝導率カーボンブラックは、２〜２０重量パーセントの量で第１のポリイミドカバーレイに存在する。いくつかの実施形態において、顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつそのような実施形態において、低伝導率カーボンブラックは、２〜２０重量パーセントの量で第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方に存在する。

もう１つの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイは、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなり、かつ第２のポリイミドカバーレイは、顔料および艶消し剤を含んでなる。もう１つの実施形態において、第２のポリイミドカバーレイの顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、カーボンブラックは、２〜２０重量パーセントの量で存在する。

もう１つの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイは、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなり、かつ第２のポリイミドカバーレイは、顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ艶消し剤はポリイミド粒子である。

もう１つの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイは、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導される。そのような実施形態において、回路基板は、
ａ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導され、かつ第１の像形成された金属層および電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する第１のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。接着層は、第１の像形成された金属層と第１のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。３８０〜４００℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に積層される場合、第１のポリイミドカバーレイは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、かつ第１の電気絶縁層は、３８０〜４００℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。

いくつかの実施形態において、回路基板は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導される第２のポリイミドカバーレイをさらに含んでなる。そのような実施形態において、回路基板は、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導され、かつ第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触する第２のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第２の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層、
ｄ．第１の像形成された金属層、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導され、かつ第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。

接着層は、第１の像形成された金属層と第１のポリイミドカバーレイとの間に存在せず、かつ接着層は、第２の像形成された金属層と第２のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。３８０〜４００℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、ポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に積層される場合、第１のポリイミドカバーレイは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、かつ第１の電気絶縁層は、３８０〜４００℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。

電気絶縁層−回路基板カバーレイ
いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、３００〜４００℃、いくつかの実施形態において３００〜３８０℃、または他の実施形態において３２０〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層はポリイミドから誘導される。いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は芳香族ポリイミドから誘導される。

いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される。

いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導される。

いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導される。

いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導される。

いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０、３０、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５および９０モル％の任意の２つの両端値を含む間の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、ならびに１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、７０および８０モル％の任意の２つの両端値を含む間の４，４’−オキシジアニリンから誘導される。

いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる。

像形成された金属層−回路基板カバーレイ
いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層は銅である。いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層、第２の像形成された層または両方が銅である。いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層は元素金属である。いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層は金属合金である。いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層はアルミニウムである。

いくつかの実施形態において、第２の像形成された金属層は元素金属である。いくつかの実施形態において、第２の像形成された金属層は金属合金である。いくつかの実施形態において、第２の像形成された金属層は銅である。いくつかの実施形態において、第２の像形成された金属層はアルミニウムである。

いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層および第２の像形成された金属層は両方とも元素金属である。いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層および第２の像形成された金属層は両方とも金属合金である。いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層および第２の像形成された金属層は両方とも銅である。

いくつかの実施形態において、金属合金は、５０〜７２重量％のニッケルを含んでなる。もう１つの実施形態において、金属合金は、５０〜７２％重量％のニッケルおよび１４〜２４重量％のクロムを含んでなる。いくつかの実施形態において、金属箔はアルミニウムである。

いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層は、５〜７２ミクロンの厚さである。いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層は、５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０および７２ミクロンの任意の２つの両端値を含む間の厚さである。いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層は、電気絶縁層に対する接着性を改善するために表面処理される。

いくつかの実施形態において、第２の像形成された金属層は、５〜７２ミクロンの厚さである。いくつかの実施形態において、第２の像形成された金属層は、５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０および７２ミクロンの任意の２つの両端値を含む間の厚さである。いくつかの実施形態において、第２の像形成された金属層は、電気絶縁層に対する接着性を改善するために表面処理される。

いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層および第２の像形成された金属層は、フレキシブルプリント回路基板産業における標準手順を使用して、フォトレジストで金属箔／金属層を像形成して、銅エッチングし、異なる幅の線を有する像形成された金属層を作成することによって製造される。

いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、第１の像形成された金属層は銅であり、かつ第１のポリイミドカバーレイは、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックまたは１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる。

もう１つの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、第１の像形成された金属層は銅であり、かつ第１のポリイミドカバーレイは、顔料および艶消し剤を含んでなり、顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、低伝導率カーボンブラックは、２〜２０重量パーセントの量で第１のポリイミドカバーレイで存在する。

もう１つの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、第１の像形成された金属層は銅であり、かつ第１のポリイミドカバーレイは、顔料および艶消し剤を含んでなり、艶消し剤はポリイミド粒子である。

いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ第１の像形成された金属層、第２の像形成された金属層または両方が銅である。

いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる。いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ第１の像形成された金属層は銅である。いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１、５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０および５５重量パーセントの任意の２つの両端値を含む間の熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる。いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１、５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０および５５重量パーセントの任意の２つの両端値を含む間の熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ第１の像形成された金属層は銅である。

本開示のいくつかの実施形態において、回路基板は、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触する第２のポリイミドカバーレイ（接着層は、第２の像形成された金属層と第２のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、第２のポリイミドカバーレイが、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に積層される場合、第２のポリイミドカバーレイは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する）、
ｂ．第２の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層、
ｄ．第１の像形成された金属層、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する第１のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。接着層は、第１の像形成された金属層と第１のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に積層される場合、第１のポリイミドカバーレイは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１の電気絶縁層は、３００〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。

本開示のいくつかの実施形態において、回路基板は、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触する第２のポリイミドカバーレイ（接着層は、第２の像形成された金属層と第２のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、第２のポリイミドカバーレイが、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に積層される場合、第２のポリイミドカバーレイは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する）、
ｂ．第２の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるか、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導される）、
ｄ．第１の像形成された金属層、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する第１のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。接着層は、第１の像形成された金属層と第１のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に積層される場合、第１のポリイミドカバーレイは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１の電気絶縁層は、３００〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。

本開示のいくつかの実施形態において、回路基板は、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触する第２のポリイミドカバーレイ（接着層は、第２の像形成された金属層と第２のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、第２のポリイミドカバーレイが、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に積層される場合、第２のポリイミドカバーレイは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する）、
ｂ．第２の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層、
ｄ．第１の像形成された金属層、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する第１のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。接着層は、第１の像形成された金属層と第１のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に積層される場合、第１のポリイミドカバーレイは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１の電気絶縁層は、３２０〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。

本開示のいくつかの実施形態において、回路基板は、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触する第２のポリイミドカバーレイ（接着層は、第２の像形成された金属層と第２のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、第２のポリイミドカバーレイが、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に積層される場合、第２のポリイミドカバーレイは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する）、
ｂ．第２の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるか、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導される）、
ｄ．第１の像形成された金属層、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する第１のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。接着層は、第１の像形成された金属層と第１のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に積層される場合、第１のポリイミドカバーレイは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１の電気絶縁層は、３２０〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。

いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイおよび第２のポリイミドカバーレイは、各々独立して、５〜１５２ミクロンの厚さを有する。いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイは、５、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、１０５、１１０、１２０、１３０、１４０および１５２ミクロンの任意の２つの両端値を含む間の厚さである。いくつかの実施形態において、第２のポリイミドカバーレイは、５、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、１０５、１１０、１２０、１３０、１４０および１５２ミクロンの任意の２つの両端値を含む間の厚さである。いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイおよび第２のポリイミドカバーレイは、各々独立して、５〜１０５ミクロンの厚さを有する。なおもう１つの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイおよび第２のポリイミドカバーレイは、各々独立して、１０〜４０ミクロンの厚さを有する。

本開示のポリイミドカバーレイは、充填ポリイミドの製造のための任意の既知の熱変換または化学変換方法によって製造することができる。いくつかの実施形態において、限定されないが、より低いＣＴＥなどの熱変換より高い化学変換の利点のため、化学変換を使用することが望ましく、かつ平滑な表面にキャストされる場合でも膜が両面で無光沢である。

いくつかの実施形態において、回路基板は、第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触するように、３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、片面クラッド（電気絶縁層および像形成された金属層）に第１のポリイミドカバーレイを積層することによって製造される。

いくつかの実施形態において、回路基板は、第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ第２のポリイミドカバーレイが、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に積層されるように、３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、両面クラッド（第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層）に第１のポリイミドカバーレイおよび第２のポリイミドカバーレイを積層することによって製造される。

いくつかの実施形態において、真空プラテンプレスが使用される。

回路基板−ポリイミドボンドプライ
本開示の一実施形態は、回路基板用ポリイミドボンドプライである。そのような実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．第１の像形成された金属層、
ｂ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された金属層に接する）、
ｃ．第２の像形成された金属層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された金属層に接する）、
ｄ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｅ．第３の像形成された金属層、
ｆ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された金属層に接する）、
ｇ．第４の像形成された金属層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された金属層に接する）
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。いくつかの実施形態において、３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層、ならびに
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１の電気絶縁層および第２の電気絶縁層は、３００〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。

本開示のもう１つの実施形態は、回路基板用ポリイミドボンドプライである。そのような実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．第１の像形成された金属層、
ｂ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された金属層に接する）、
ｃ．第２の像形成された金属層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された金属層に接する）、
ｄ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｅ．第３の像形成された金属層、
ｆ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された金属層に接する）、
ｇ．第４の像形成された金属層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された金属層に接する）
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層、ならびに
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１の電気絶縁層および第２の電気絶縁層は、３２０〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。

いくつかの実施形態において、ポリイミドボンドプライは、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０、３０、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５および９０モル％の任意の２つの両端値を含む間の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、ならびに１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、７０および８０モル％の任意の２つの両端値を含む間の４，４’−オキシジアニリンから誘導される。

いくつかの実施形態において、ポリイミドボンドプライは、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる。いくつかの実施形態において、ポリイミドボンドプライは、１、５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０および５５重量パーセントの任意の２つの両端値を含む間の熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる。

もう１つの実施形態において、ポリイミドボンドプライは、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導され、かつ３８０〜４００℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において積層することができる。

電気絶縁層−回路基板ボンドプライ
いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、３００〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層はポリイミドから誘導される。いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は芳香族ポリイミドから誘導される。

いくつかの実施形態において、第２の電気絶縁層は、３００〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。いくつかの実施形態において、第２の電気絶縁層はポリイミドから誘導される。いくつかの実施形態において、第２の電気絶縁層は芳香族ポリイミドから誘導される。

いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層および第２の電気絶縁層は、３２０〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。

いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導される。

いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第１の像形成された金属層、第２の像形成された金属層およびポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する。

いくつかの実施形態において、第２の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第４の像形成された金属層、第３の像形成された金属層およびポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する。

いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第１の像形成された金属層、第２の像形成された金属層およびポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触し、かつ第２の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第４の像形成された金属層、第３の像形成された金属層およびポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する。

いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第１の像形成された金属層、第２の像形成された金属層およびポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触し、かつ第２の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第４の像形成された金属層、第３の像形成された金属層およびポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する。

もう１つの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導され、かつ３８０〜４００℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において積層することができる。

もう１つの実施形態において、第２の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導され、かつ３８０〜４００℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において積層することができる。

いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導され、かつ第１の像形成された金属層、第２の像形成された金属層およびポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触し、かつ第２の電気絶縁層は、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導され、かつ第４の像形成された金属層、第３の像形成された金属層およびポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する。

いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層は、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる。いくつかの実施形態において、第２の電気絶縁層は、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる。いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層、第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる。

いくつかの実施形態において、第１の電気絶縁層、第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる。

像形成された金属層−回路基板ボンドプライ
いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層は元素金属である。いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層は金属合金である。いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層は銅である。いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層はアルミニウムである。

いくつかの実施形態において、第３の像形成された金属層は元素金属である。いくつかの実施形態において、第３の像形成された金属層は金属合金である。いくつかの実施形態において、第３の像形成された金属層は銅である。いくつかの実施形態において、第３の像形成された金属層はアルミニウムである。

いくつかの実施形態において、第４の像形成された金属層は元素金属である。いくつかの実施形態において、第４の像形成された金属層は金属合金である。いくつかの実施形態において、第４の像形成された金属層は銅である。いくつかの実施形態において、第４の像形成された金属層はアルミニウムである。

いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層、第２の像形成された金属層、第３の像形成された金属層および第４の像形成された金属層は元素金属である。いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層、第２の像形成された金属層、第３の像形成された金属層および第４の像形成された金属層は金属合金である。いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層、第２の像形成された金属層、第３の像形成された金属層および第４の像形成された金属層は銅である。いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層、第２の像形成された金属層、第３の像形成された金属層および第４の像形成された金属層はアルミニウムである。

いくつかの実施形態において、金属合金は５０〜７２重量％のニッケルを含んでなる。もう１つの実施形態において、金属合金は、５０〜７２％重量％のニッケルおよび１４〜２４重量％のクロムを含んでなる。

いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層、第２の像形成された金属層、第３の像形成された金属層および第４の像形成された金属層は、独立して５〜７２ミクロンの厚さである。いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層、第２の像形成された金属層、第３の像形成された金属層および第４の像形成された金属層は、独立して、５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０および７２ミクロンの任意の２つの両端値を含む間の厚さである。いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層、第２の像形成された金属層、第３の像形成された金属層および第４の像形成された金属層は、独立して、電気絶縁層に対する接着性を改善するために表面処理される。

いくつかの実施形態において、第１の像形成された金属層、第２の像形成された金属層、第３の像形成された金属層および第４の像形成された金属層は、フレキシブルプリント回路基板産業における標準手順を使用して、フォトレジストで金属箔／金属層を像形成して、銅エッチングし、異なる幅の線を有する像形成された金属層を作成することによって製造される。

いくつかの実施形態において、ポリイミドボンドプライは、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ第１の電気絶縁層、第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ第１の像形成された金属層、第２の像形成された金属層、第３の像形成された金属層および第４の像形成された金属層は銅である。

いくつかの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．第１の像形成された金属層、
ｂ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｃ．第２の像形成された金属層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された金属層に接する）、
ｄ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｅ．第３の像形成された金属層、
ｆ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｇ．第４の像形成された金属層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された金属層に接する）
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層、ならびに
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。

いくつかの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．第１の像形成された金属層、
ｂ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｃ．第２の像形成された金属層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された金属層に接する）、
ｄ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｅ．第３の像形成された金属層、
ｆ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｇ．第４の像形成された金属層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された金属層に接する）
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層、ならびに
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。

いくつかの実施形態において、回路基板は、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域および第１のカバーレイの間に存在し、それらに直接接触する接着剤と、第１のカバーレイとをさらに含んでなる。いくつかの実施形態において、回路基板は、第４の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域および第２のカバーレイの間に存在し、それらに直接接触する第２の接着剤と、第２のカバーレイとをさらに含んでなる。

いくつかの実施形態において、回路基板は、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域および第１のカバーレイの間に存在し、それらに直接接触する接着剤と、第１のカバーレイと、第４の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域および第２のカバーレイの間に存在し、それらに直接接触する第２の接着剤と、第２のカバーレイとをさらに含んでなる。

一実施形態において、接着剤および第２の接着剤は、カバーレイが回路基板の形成後に追加される場合に、像形成された金属層にカバーレイを接着するために使用される任意の従来の接着剤であることができる。回路基板は、多くの像形成された金属層および電気絶縁層を有することができる。いくつかの実施形態において、電気絶縁層によって分離された２つの像形成された金属層を、クラッドまたは金属クラッドと記載することができる。多くのこれらのクラッドは、本開示のポリイミドボンドプライによって互いに接着することができる。

もう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された金属層に接する）、
ｄ．第２の像形成された金属層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された金属層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された金属層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された金属層に接する）、
ｈ．第４の像形成された金属層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された金属層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ第２のポリイミドカバーレイが、第４の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第１の電気絶縁層および第２の電気絶縁層は、３００〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。

もう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された金属層に接する）、
ｄ．第２の像形成された金属層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された金属層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された金属層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された金属層に接する）、
ｈ．第４の像形成された金属層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された金属層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。

第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ第２のポリイミドカバーレイが、第４の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第１の電気絶縁層および第２の電気絶縁層は、３２０〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。

もう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された銅層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された銅層に接する）、
ｄ．第２の像形成された銅層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された銅層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された銅層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された銅層に接する）、
ｈ．第４の像形成された銅層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された銅層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された銅層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された銅層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。

もう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｄ．第２の像形成された金属層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された金属層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された金属層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｈ．第４の像形成された金属層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された金属層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。

もう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｄ．第２の像形成された金属層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された金属層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された金属層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｈ．第４の像形成された金属層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された金属層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。

もう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｄ．第２の像形成された金属層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された金属層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された金属層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｈ．第４の像形成された金属層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された金属層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。

いくつかの実施形態において、無光沢な外観を有するカバーレイが望ましい。ポリマー材料は、典型的に固有の表面光沢を有する。光沢を制御するため（およびそれによって無光沢な表面特徴を生じるため）、曇りのある低光沢表面特徴を達成するための様々な添加剤アプローチが可能である。

シリカは、特定の粒径範囲まで粉砕およびフィルターすることができる無機粒子である。シリカ粒子は、非常に不規則な形状および多孔性、ならびに低費用であるため、一般に普及している艶消し剤である。他の可能な艶消し剤には、ｉ．ホウ化物、窒化物、炭化物および他のオキシド（例えばアルミナ、チタニア、その他）などの他のセラミック、ならびにｉｉ．有機粒子が含まれる。いくつかの実施形態において、カバーレイがポリイミドカバーレイである場合、有機粒子は、化学変換ポリイミドの高温処理（選択される特定のポリイミドプロセス次第で約２５０℃〜約５５０℃の処理温度）に耐えなければならない。ポリイミド合成の熱条件に耐えることができる１つの有機艶消し剤は、ポリイミド粒子である。いくつかの実施形態において、艶消し剤はポリイミド粒子である。いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイは、ポリイミド粒子を含んでなる。いくつかの実施形態において、第２のポリイミドカバーレイは、ポリイミド粒子を含んでなる。いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイおよび第２のポリイミドカバーレイは両方ともポリイミド粒子を含んでなる。

艶消し剤の量、中央粒径および密度は、所望の６０度光沢値を生じるために十分でなければならない。いくつかの実施形態において、６０度光沢値は、２、５、１０、１５、２０、２５、３０および３５の任意の２つの両端値を任意選択で含む間である。いくつかの実施形態において、６０度光沢値は１０〜３５である。いくつかの実施形態において、６０度光沢値は２〜２５である。６０度光沢値は、Ｍｉｃｒｏ−ＴＲＩＧｌｏｓｓ光沢メートルを使用して測定される。

いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイおよび第２のポリイミドカバーレイは、独立して、ポリイミドカバーレイの１．６、２、３、４、５、６、７、８、９および１０重量パーセントの任意の２つの両端値を含む間の量で存在する艶消し剤を含んでなる。いくつかの実施形態において、艶消し剤は、１．３、２、３、４、５、６、７、８、９および１０ミクロンの任意の２つの両端値を含む間の中央粒径を有する。艶消し剤粒子は、約１０ミクロン未満（またはそれと同等）および約１．３ミクロンより大きい（またはそれと同等）の平均粒径を有するべきである。より大きい艶消し剤粒子は、機械特性に悪影響を与え得る。いくつかの実施形態において、艶消し剤は、２、３、４および４．５ｇ／ｃｃの任意の２つの間およびそれを任意選択で含む密度を有する。いくつかの実施形態において、艶消し剤は、シリカ、アルミナ、硫酸バリウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される。

いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイは顔料および艶消し剤を含んでなる。いくつかの実施形態において、第２のポリイミドカバーレイは顔料および艶消し剤を含んでなる。いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方が顔料および艶消し剤を含んでなる。

いくつかの実施形態において、顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつそのような実施形態において、低伝導率カーボンブラックは、２〜２０重量パーセントの量で第１のポリイミドカバーレイに存在する。

いくつかの実施形態において、顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつそのような実施形態において、低伝導率カーボンブラックは、２、５、１０、１５および２０重量パーセントの任意の２つの間およびそれを任意選択で含む量で第１のポリイミドカバーレイに存在する。

いくつかの実施形態において、顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつそのような実施形態において、低伝導率カーボンブラックは、２、５、１０、１５および２０重量パーセントの任意の２つの間およびそれを任意選択で含む量で第２のポリイミドカバーレイに存在する。

いくつかの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイおよび第２のポリイミドカバーレイの顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ低伝導率カーボンブラックは、２〜２０重量パーセントの量で第１のポリイミドカバーレイに存在し、かつ低伝導率カーボンブラックは、２〜２０重量パーセントの量で第２のポリイミドカバーレイに存在する。

いくつかの実施形態において、顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつそのような実施形態において、低伝導率カーボンブラックは、２〜２０重量パーセントの量で第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方に存在する。

もう１つの実施形態において、艶消し剤はポリイミド粒子である。

もう１つの実施形態において、第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方とも、低伝導率カーボンブラックおよび艶消し剤を含んでなる。

もう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された金属層に接する）、
ｄ．第２の像形成された金属層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された金属層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された金属層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された金属層に接する）、
ｈ．第４の像形成された金属層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された金属層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ第２のポリイミドカバーレイが、第４の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第１の電気絶縁層および第２の電気絶縁層は、３２０〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方とも、顔料および艶消し剤を含んでなる。

なおもう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された金属層に接する）、
ｄ．第２の像形成された金属層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された金属層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された金属層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された金属層に接する）、
ｈ．第４の像形成された金属層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された金属層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ第２のポリイミドカバーレイが、第４の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第１の電気絶縁層および第２の電気絶縁層は、３２０〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方とも、低伝導率カーボンブラックおよび艶消し剤を含んでなる。

なおもう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された金属層に接する）、
ｄ．第２の像形成された金属層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された金属層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された金属層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された金属層に接する）、
ｈ．第４の像形成された金属層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された金属層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ第２のポリイミドカバーレイが、第４の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第１の電気絶縁層および第２の電気絶縁層は、３２０〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ低伝導率カーボンブラックは、第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方に２〜２０重量パーセントの量で存在する。

もう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された金属層に接する）、
ｄ．第２の像形成された金属層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された金属層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された金属層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された金属層に接する）、
ｈ．第４の像形成された金属層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された金属層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ第２のポリイミドカバーレイが、第４の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第１の電気絶縁層および第２の電気絶縁層は、３２０〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である。第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ艶消し剤はポリイミド粒子である。

もう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｄ．第２の像形成された金属層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された金属層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された金属層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｈ．第４の像形成された金属層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された金属層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ第２のポリイミドカバーレイが、第４の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触する。第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなる。

もう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｄ．第２の像形成された金属層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された金属層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された金属層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｈ．第４の像形成された金属層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された金属層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ第２のポリイミドカバーレイが、第４の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触する。第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方とも低伝導率カーボンブラックおよび艶消し剤を含んでなる。

もう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｄ．第２の像形成された金属層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された金属層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された金属層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｈ．第４の像形成された金属層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された金属層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ第２のポリイミドカバーレイが、第４の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触する。第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ低伝導率カーボンブラックは、第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方に２〜２０重量パーセントの量で存在する。

もう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｄ．第２の像形成された金属層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された金属層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された金属層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された金属層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｈ．第４の像形成された金属層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された金属層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された金属層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ第２のポリイミドカバーレイが、第４の像形成された金属層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触する。第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ艶消し剤はポリイミド粒子である。

なおもう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された銅層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された銅層に接する）、
ｄ．第２の像形成された銅層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された銅層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された銅層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された銅層に接する）、
ｈ．第４の像形成された銅層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された銅層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された銅層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された銅層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された銅層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された銅層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された銅層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された銅層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ第２のポリイミドカバーレイが、第４の像形成された銅層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触する。第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなる。

なおもう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された銅層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された銅層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｄ．第２の像形成された銅層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された銅層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された銅層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された銅層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｈ．第４の像形成された銅層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された銅層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された銅層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された銅層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された銅層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された銅層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された銅層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された銅層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ第２のポリイミドカバーレイが、第４の像形成された銅層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触する。第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなる。

なおもう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された銅層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された銅層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｄ．第２の像形成された銅層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された銅層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された銅層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された銅層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｈ．第４の像形成された銅層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された銅層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された銅層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された銅層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された銅層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された銅層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された銅層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された銅層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ第２のポリイミドカバーレイが、第４の像形成された銅層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触する。第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ艶消し剤はポリイミド粒子である。

なおもう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された銅層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された銅層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｄ．第２の像形成された銅層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された銅層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された銅層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された銅層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｈ．第４の像形成された銅層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された銅層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された銅層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された銅層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された銅層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された銅層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された銅層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された銅層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ第２のポリイミドカバーレイが、第４の像形成された銅層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触する。第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方とも低伝導率カーボンブラックおよび艶消し剤を含んでなる。

なおもう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された銅層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された銅層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｄ．第２の像形成された銅層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された銅層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された銅層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された銅層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｈ．第４の像形成された銅層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された銅層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された銅層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された銅層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された銅層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された銅層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された銅層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、１〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された銅層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ第２のポリイミドカバーレイが、第４の像形成された銅層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触する。第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ低伝導率カーボンブラックは、第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方に２〜２０重量パーセントの量で存在する。

上記実施形態のいずれによる回路基板も、第１のポリイミドカバーレイ、第１の電気絶縁層、ポリイミドボンドプライ、第２の電気絶縁層および第２のポリイミドカバーレイは、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される。

上記実施形態のいずれによる回路基板も、第１のポリイミドカバーレイ、ポリイミドボンドプライおよび第２のポリイミドカバーレイは、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される。

なおもう１つの実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された銅層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層（第１の電気絶縁層の第１の面は、第１の像形成された銅層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｄ．第２の像形成された銅層（第１の電気絶縁層の第２の面は、第２の像形成された銅層に接する）、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された銅層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層（第２の電気絶縁層の第１の面は、第３の像形成された銅層に接し、かつ１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される）、
ｈ．第４の像形成された銅層（第２の電気絶縁層の第２の面は、第４の像形成された銅層に接する）、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導される、第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第２の像形成された銅層および第１の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ第３の像形成された銅層および第２の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触する。３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された銅層、
ｉｉ）ポリイミドボンドプライ、
ｉｉｉ）第３の像形成された銅層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された銅層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定した場合、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する。第１のポリイミドカバーレイが、第１の像形成された銅層および第１の電気絶縁層の第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ第２のポリイミドカバーレイが、第４の像形成された銅層および第２の電気絶縁層の第２の面の露出した領域に直接接触する。第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ艶消し剤はポリイミド粒子である。

上記実施形態のいずれによる回路基板も、第１のポリイミドカバーレイ、第２のポリイミドカバーレイまたは両方とも低伝導率カーボンブラックおよび艶消し剤を含んでなり、艶消し剤はポリイミド粒子である。

いくつかの実施形態において、回路基板は、真空プラテンプレスを使用して、３２０〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、第１のポリイミドカバーレイ（存在する場合）、両面クラッド（第１の像形成された金属層、第１の電気絶縁層および第２の像形成された金属層）、ボンドプライ、第２の両面クラッド（第３の像形成された金属層、第２の電気絶縁層および第４の像形成された金属層）および第２のポリイミドカバーレイ（存在する場合）を積層することによって製造される。

本明細書の材料、方法および実施例は単なる実例であり、特に明示された場合を除いて、限定するように意図されない。

本発明のポリイミド膜のガラス転移温度は、ＴＡインストルメント２９８０動的機械分析器を使用して決定した。Ｔｇ測定法は、約１．０Ｈｚのサンプリング周波数（約１０．０ｍの振幅）および約０．０１Ｎの予負荷力を使用した。５℃分^-1の温度傾斜率を使用した。

Ｔｇはタンジェントδのピーク時に測定した。

引張係数は、ＡＳＴＭＤ−８８２によって決定した。

引張強さは、ＡＳＴＭＤ−８８２によって決定した。

伸長率は、ＡＳＴＭＤ−８８２によって決定した。

比誘電率は、ＡＳＴＭＤ１５０、「ＳｔａｎｄａｒｄＴｅｓｔＭｅｔｈｏｄｓｆｏｒＡＣＬｏｓｓＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓａｎｄＰｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ（ＤｉｅｌｅｃｔｒｉｃＣｏｎｓｔａｎｔ）ｏｆＳｏｌｉｄＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＩｎｓｕｌａｔｉｏｎ」に記載されるように測定した。複合膜比誘電率は、直径２．５ｃｍの蓄電器の測定された静電容量に基づいて算出した。

本発明のポリイミド膜の平面ＣＴＥは、ＴＡインストルメントＴＭＡ２９４０熱的機械分析器を使用して測定した。膜の膨張は、２回目の通過時の約５０℃〜約２５０℃で測定した。次いで、膨張を温度差（および試料長さ）で割って、ｐｐｍ℃^-1のＣＴＥを得た。１回目の通過は、同一温度範囲にいて試料から収縮を除去するため、ならびに試料を乾燥させるために使用された。そのように、２回目の通過は、次いで、膜の固有の特性（例えば、水の吸着および水が膜のＣＴＥに及ぼす影響のない）のＣＴＥ値特徴を提供した。この方法は０．０５Ｎ負荷力を使用して、１分あたりの約１０℃の率で温度に傾斜与える上記温度範囲内で操作された。

水分吸着は、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０、方法２．６．２によって決定された。

本出願で報告される剥離強度データは８〜１２回の測定の平均であり、ＩＰＣ−ＴＭ６５０２．４．８ｄ試験方法によると統計学的に有効なデータの必要条件と調和した。剥離強度試験のための銅箔は、ＳｏｍｅｒｓＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能なピンク処理された厚さ３５ｕｍのロールアニールド（ＲＡ）銅箔であった。

実施例１
ＢＰＤＡ／／ＴＦＭＢ
実施例１は、１００モル％のＢＰＤＡおよび１００モル％のＴＦＭＢから誘導されるポリイミドが、３８０℃以上の温度で積層された場合、少なくとも１Ｎ／ｍｍの剥離強度を有することを示す。

窒素不活性化されたグローブボックス中で、２１．４７２ｇ（０．０６７モル）の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（ＴＦＭＢ）および１５９グラムのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された２５０ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。４５℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、１９．５２８ｇ（０．０６６モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで０℃で貯蔵した。

上記ポリアミド酸から誘導されるポリイミド膜を、触媒溶液を用いて化学的にイミド化した。化学的にイミド化された膜は、ＤｕＰｏｎｔＭＹＬＡＲ（登録商標）膜の担体シート上にポリアミド酸溶液をキャストすることによって調製された。キャストされたポリアミド酸溶液（および担体シート）を、１：１比の無水酢酸およびβ−ピコリンを含んでなる触媒溶液に浸漬した。ゲル膜が形成された。ゲル膜を担体シートから剥離し、固定フレーム（ピンフレーム）に移動した。

次いで、強制的空気オーブンを使用してゲル膜を加熱し、さらにポリマーをイミド化して、溶媒を除去した。ゲル膜は、１５０℃、２５０℃、３００℃および３２５℃のオーブン温度にそれぞれ約３０分間暴露した。ポリイミド膜をピンフレームから取り外し、分析した。データを表１に示す。

３５０ｐｓｉで真空プラテンプレス中、２枚の膜のシートを、２枚の厚さ３５ｕｍの処理された銅箔のシートの間で積層した。剥離強度データは、ＩＰＣ−ＴＭ６５０２．４．９ｄ試験方法によって測定した。異なる積層ピーク温度のデータを表１に示す。

実施例２〜１２は、１００モル％のＢＰＤＡ、２０〜９０モル％のＴＦＭＢおよび１０〜８０モル％の４，４’−ＯＤＡから誘導されるポリイミドが、３３０℃以上の温度で積層された場合、少なくとも１Ｎ／ｍｍの剥離強度を有することを示す。

実施例２
ＢＰＤＡ／／９０ＴＦＭＢ／１０ＯＤＡ
窒素不活性化されたグローブボックス中で、１９．７１１ｇ（０．０６１５モル）の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（ＴＦＭＢ）、１．３６９ｇ（０．００６モル）の４，４’−オキシジアニリンおよび１５９グラムのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された２５０ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。４５℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、１９．９１９ｇ（０．０６７７モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで０℃で貯蔵した。

実施例３
ＢＰＤＡ／／８０ＴＦＭＢ／２０ＯＤＡ
窒素不活性化されたグローブボックス中で、１７．８７９ｇ（０．０５５８モル）の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（ＴＦＭＢ）、２．７９４ｇ（０．０１３９モル）の４，４’−オキシジアニリンおよび１５９グラムのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された２５０ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。４５℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、２０．３２６ｇ（０．０６９モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで０℃で貯蔵した。

次いで、強制的空気オーブンを使用してゲル膜を加熱し、さらにポリマーをイミド化して、溶媒を除去した。ゲル膜は、１５０℃、２５０℃、３００℃および３２５℃のオーブン温度にそれぞれ約３０分間暴露した。膜をピンフレームから取り外し、分析した。データを表１に示す。

実施例４
ＢＰＤＡ／／７０ＴＦＭＢ／３０ＯＤＡ
窒素不活性化されたグローブボックス中で、１５．９７１ｇ（０．０４９８モル）の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（ＴＦＭＢ）、４．２７９ｇ（０．０２１３モル）の４，４’−オキシジアニリンおよび１５９グラムのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された２５０ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。４５℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、２０．７５ｇ（０．０７０５モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで０℃で貯蔵した。

実施例５
ＢＰＤＡ／／６０ＴＦＭＢ／４０ＯＤＡ
窒素不活性化されたグローブボックス中で、１３．９８１ｇ（０．０４３６モル）の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（ＴＦＭＢ）、５．８２７ｇ（０．０２９１モル）の４，４’−オキシジアニリンおよび１５９グラムのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された２５０ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。４５℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、２１．１９２ｇ（０．０７２０モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで０℃で貯蔵した。

次いで、強制的空気オーブンを使用してゲル膜を加熱し、さらにポリマーをイミド化して、溶媒を除去した。ゲル膜は、１５０℃、２５０℃、３００℃および３２５℃のオーブン温度にそれぞれ約３０分間暴露した。得られるポリイミド膜をピンフレームから取り外し、分析した。データを表１に示す。

実施例６
ＢＰＤＡ／／５０ＴＦＭＢ／５０ＯＤＡ
窒素不活性化されたグローブボックス中で、１１．９０４ｇ（０．０３７１７モル）の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（ＴＦＭＢ）、７．４４２ｇ（０．０３７１モル）の４，４’−オキシジアニリンおよび１５９グラムのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された２５０ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。４５℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、２１．６５４ｇ（０．０７３６モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで０℃で貯蔵した。

実施例７
ＢＰＤＡ／／４３ＴＦＭＢ／５７ＯＤＡ
窒素インレット、３つの独立制御撹拌器シャフト、低速アンカー混合機、高速ディスク分散機、ならびに高剪断ローター−スターラー乳化機および熱電対を備えた、乾燥させた５０ガロンのタンクに、１０．１０ｋｇ（３１．５４モル）の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（ＴＦＭＢ）、８．３７ｋｇ（４１．８１モル）の４，４’−オキシジアニリン（ＯＤＡ）および１５９．６ｋｇのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を添加した。

ジアミンが完全に溶解し、淡黄色の溶液が得られるまで、数分間、３５℃で混合物を加熱および撹拌した。アンカー、分散機および乳化機の速度は、極端に混合物を加熱することなく、効率的な混合および溶解を確実にするように、必要に応じて調節する。次に、２１．４ｋｇ（７２．８４モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を、反応容器中のジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。得られたポリアミド酸溶液の粘度は、得られる溶液が約２０００のポイズの粘度を有するように、ＤＭＡｃ中６重量％のＰＭＤＡ溶液の化学量論的量、あるいはＢＰＤＡ固体の当量の化学量論的量の添加による鎖延長によって調節した。完成した溶液を２０ミクロンバッグフィルターを通して濾過し、混入空気を除去するために真空脱気した。ポリアミド酸溶液を約−６℃まで冷却し、無水酢酸脱水剤（０．１４ｃｍ³／ｃｍ³ポリマー溶液）、イミド化触媒３−ピコリン（０．１５ｃｍ³／ｃｍ³ポリマー溶液）を測定し、混合して、スロットダイを使用して、９０℃の熱回転ドラム上へ膜をキャストした。得られたゲル膜をドラムから剥離し、テンターオーブン中に入れ、膜を乾燥し、対流および放射加熱を使用し、９８％より高い固体レベルまで硬化した。

３５０ｐｓｉで真空プラテンプレス中、さらに２枚の膜のシートを、２枚の厚さ３５ｕｍの処理された銅箔のシートの間で積層した。これらのクラッドの寸法安定性をＩＰＣ−ＴＭ６５０２．２．４ｃによって測定した。結果を表２に要約する。

実施例８
ＢＰＤＡ／／５０ＴＦＭＢ／５０ＯＤＡ
窒素インレット、３つの独立制御撹拌器シャフト、低速アンカー混合機、高速ディスク分散機、ならびに高剪断ローター−スターラー乳化機および熱電対を備えた、乾燥させた５０ガロンのタンクに、１１．５６ｋｇ（３６．１２モル）の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（ＴＦＭＢ）、７．２３ｋｇ（３６．１２モル）の４，４’−オキシジアニリン（ＯＤＡ）および１５９．６ｋｇのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を添加した。

ジアミンが完全に溶解し、淡黄色の溶液が得られるまで、数分間、３５℃で混合物を加熱および撹拌した。アンカー、分散機および乳化機の速度は、極端に混合物を加熱することなく、効率的な混合および溶解を確実にするように、必要に応じて調節する。次に、２１．１ｋｇ（７１．７３モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を、反応容器中のジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。得られたポリアミド酸溶液の粘度は、得られる溶液が約１５００のポイズの粘度を有するように、ＤＭＡｃ中６重量％のＰＭＤＡ溶液の化学量論的量、あるいはＢＰＤＡ固体の当量の化学量論的量の添加による鎖延長によって調節した。最後に、少量のベルト剥離剤をポリアミド酸溶液に添加した（これによって、キャストされたグリーン膜をキャスティングベルトから容易に剥離することが可能となる）スロットダイによって膜を移動ステンレス鋼ベルト上に押出成形することによってポリマー薄膜を製造した。ベルトを対流オーブンに通過させて、溶媒をりエバポレーションし、ポリマーを部分的にイミド化し、「グリーン」膜を製造した。グリーン膜固体（３００℃までの加熱時における重量損失によって測定される）は約７０％であった。次いで、グリーン膜をキャスティングベルトから剥離し、巻き取った。次いで、グリーン膜をテンターオーブン中に入れ、膜を乾燥し、対流および放射加熱を使用し、９８％より高い固体レベルまで硬化して、完全硬化ポリイミド膜を製造した。テンタリングの間、縁に沿って膜を固定することによって収縮を制御した。

実施例９
ＢＰＤＡ／／４３ＴＦＭＢ／５７ＯＤＡ
実施例７に記載されるように調製したポリアミド酸ポリマー溶液を用いて、ドクターブレードを使用し、銅箔（１２ｕｍＭｉｔｓｕｉ３ＥＣ−Ｍ３５−ＨＴＥＥＤ銅）上へ溶液の一部をキャストすることによって薄膜を調製した。次いで、コーティングされた銅箔をクリップフレーム膜に固定し、強制的空気オーブンを使用して加熱し、溶媒を除去し、ポリマーをイミド化した。膜は、１５０℃、２５０℃および３３０℃のオーブン温度に約３０分間暴露した。得られる片面銅コーティングポリイミド膜をピンフレームから取り外し、次いで、３５０ｐｓｉの圧力および３５０℃の温度で真空プラテンプレス中、上記と同一仕様のもう１枚の銅箔のシートに積層した。剥離強度データは、ＩＰＣ−ＴＭ６５０２．４．９ｄ試験方法によって測定した。データを表１に示す。

実施例１０（予測）
ＢＰＤＡ／／５０ＴＦＭＢ／５０ＯＤＡ
窒素インレット、３つの独立制御撹拌器シャフト、低速アンカー混合機、高速ディスク分散機、ならびに高剪断ローター−スターラー乳化機および熱電対を備えた、乾燥させた５０ガロンのタンクに、１１．５６ｋｇ（３６．１２モル）の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（ＴＦＭＢ）、７．２３ｋｇ（３６．１２モル）の４，４’−オキシジアニリン（ＯＤＡ）および１５９．６ｋｇのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を添加する。

ジアミンが完全に溶解し、淡黄色の溶液が得られるまで、数分間、３５℃で混合物を加熱および撹拌する。アンカー、分散機および乳化機の速度は、極端に混合物を加熱することなく、効率的な混合および溶解を確実にするように、必要に応じて調節することができる。次に、２１．１ｋｇ（７１．７３モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を、反応容器中のジアミン溶液に添加する。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続する。得られたポリアミド酸溶液の粘度は、得られる溶液が約２０００のポイズの粘度を有するように、ＤＭＡｃ中６重量％のＰＭＤＡ溶液の化学量論的量、あるいはＢＰＤＡ固体の当量の化学量論的量の添加による鎖延長によって調節する。完成した溶液を２０ミクロンバッグフィルターを通して濾過し、混入空気を除去するために真空脱気することができる。ポリアミド酸溶液を約−６℃まで冷却し、無水酢酸脱水剤（０．１４ｃｍ³／ｃｍ³ポリマー溶液）、イミド化触媒３−ピコリン（０．１５ｃｍ³／ｃｍ³ポリマー溶液）を測定し、混合して、スロットダイを使用して、９０℃の熱回転ドラム上へ膜をキャストする。得られたゲル膜をドラムから剥離し、テンターオーブン中に入れ、膜を乾燥し、対流および放射加熱を使用し、９８％より高い固体レベルまで硬化する。

３５０ｐｓｉで真空プラテンプレス中、２枚の膜のシートを、２枚の厚さ３５ｕｍの処理された銅箔のシートの間で積層する。この積層体は、ＩＰＣ−ＴＭ６５０２．４．９ｄ試験方法によって測定される良好な剥離強度データを有することが予測される。

実施例１１
ＢＰＤＡ／／３０ＴＦＭＢ／７０ＯＤＡ
窒素不活性化されたグローブボックス中で、７．２６５ｇ（０．０２２６８モル）の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（ＴＦＭＢ）、１０．５９８ｇ（０．０５２９モル）の４，４’−オキシジアニリンおよび１６０グラムのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された２５０ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。４５℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、２２．１３７ｇ（０．０７５２モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで０℃で貯蔵した。

実施例１２
ＢＰＤＡ／／２０ＴＦＭＢ／８０ＯＤＡ
窒素不活性化されたグローブボックス中で、５．３５８ｇ（０．０１６７モル）の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（ＴＦＭＢ）、１３．３９９ｇ（０．０６６９モル）の４，４’−オキシジアニリンおよび１７２グラムのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された２５０ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。４５℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、２４．２４３ｇ（０．０８２４モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで０℃で貯蔵した。

実施例１３
実施例１３は、本開示のポリイミドが回路上で良好な形態を有し、カバーレイとして有用であることを示す。

フレキシブルプリント回路基板産業における標準手順を使用して、１８ミクロンの厚さの銅箔によるＰｙｒａｌｕｘ（登録商標）ＡＰフレキシブル銅張積層体のシート（ＤｕＰｏｎｔから入手可能）をフォトレジストで像形成して、銅エッチングし、異なる幅の像形成された銅箔線を作成した。実施例７で作製されるポリマー（膜厚３２ミクロン）を、像形成された回路線上に積層し、像形成されたフレキシブル回路上にカバーレイを形成した。ポリイミドカバーレイは、３５０ｐｓｉおよび３２０℃ピーク積層温度で真空プラテンプレスにおいて積層した。ポリイミドカバーレイは、回路上で非常に良好な形態を示し、空隙がないことが観察された。ポリイミドカバーレイは、細線化がほとんどなく回路上部を被覆することが可能であった。

実施例１４
実施例１４は、本開示のポリイミドが、３２０℃の温度で積層される場合、良好な剥離強度を有することを示す。

フレキシブルプリント回路基板産業における標準手順を使用して、Ｐｙｒａｌｕｘ（登録商標）ＡＰフレキシブル銅張積層体の２枚のシート（ＤｕＰｏｎｔから入手可能）をフォトレジストで像形成して、銅エッチングし、Ｐｙｒａｌｕｘ（登録商標）ＡＰの片面から全ての銅箔を除去した。実施例７で作製されるポリマー（膜厚５０ｕｍ）を、２つの像形成されたＰｙｒａｌｕｘ（登録商標）ＡＰクラッド間に積層し、ＡＰクラッドの誘電表面は実施例７のポリマー膜に積層された。ポリイミド膜は、３５０ｐｓｉおよび３２０℃ピーク積層温度で真空プラテンプレスにおいて積層した。ＡＰ誘電表面と実施例７のポリイミド膜との間の剥離強度は、ＩＰＣ−ＴＭ６５０−２．４．９ｄによって測定した。ＡＰ誘電体と実施例７のポリイミド膜との間の剥離強度は１．４Ｎ／ｍｍであった。

実施例１５
実施例１５は、本開示のポリイミドは回路上で良好な形態を有し、ボンドプライとして有用であることを示す。

フレキシブルプリント回路基板産業における標準手順を使用して、１８ミクロンの厚さの銅箔によるＰｙｒａｌｕｘ（登録商標）ＡＰフレキシブル銅張積層体の２枚のシート（ＤｕＰｏｎｔから入手可能）をフォトレジストで像形成して、銅エッチングし、異なる幅の像形成された銅箔線を作成した。実施例７で作製されるポリマー（膜厚１００ミクロン）を、２つの像形成されたＡＰクラッドの像形成された回路線上に積層し、２つの像形成されたフレキシブル回路間にボンドプライを形成した。ポリマーボンドプライは、３５０ｐｓｉおよび３２０℃ピーク積層温度で真空プラテンプレスにおいて積層した。ポリイミドボンドプライは、回路上で非常に良好な形態を示し、空隙がないことが観察された。ポリイミドボンドプライは、２つの像形成された回路間で細線化がほとんどなく、２つのＡＰ像形成積層体上の回路を分離することが可能であった。

実施例１６
実施例１６は、良好な剥離強度が金属合金で達成されることを示す。

上記実施例７で製造された膜の２枚のシートを、Ｕｌｒｉｃｈから入手可能なＩｎｃｏｎｅｌ（登録商標）６００金属合金箔（厚さ２５ミクロン）の２枚のシート間に積層した。剥離強度データは、ＩＰＣ−ＴＭ６５０２．４．９ｄ試験方法によって測定した。１．８Ｎ／ｍｍの平均剥離強度が測定された。

比較例１
ＢＰＤＡ／／ＯＤＡ
比較例１は、ＴＦＭＢを排除することが、剥離強度を含む特性を悪化させることを示す。

窒素不活性化されたグローブボックス中で、１６．７０２ｇ（０．０８３４モル）の４，４’−オキシジアニリンおよび１５９グラムのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された２５０ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。４５℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、２４．２９８ｇ（０．０８２６６モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで０℃で貯蔵した。

比較例２
５４ＢＰＤＡ／４６ＰＭＤＡ／／ＯＤＡ
比較例２は、膜が熱形成可能であっても、銅に対する低い接着性を有することを示す。

窒素不活性化されたグローブボックス中で、１８．２２５ｇ（０．０９１０モル）の４，４’−オキシジアニリンおよび１５９グラムのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された２５０ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。４５℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、１２．０５２ｇ（０．０４０９モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）および１０．７２３ｇ（０．０４９２）のピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）の混合物を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで０℃で貯蔵した。

比較例３
ＰＭＤＡ／／ＴＦＭＢ
比較例３は、ＢＰＤＡがＰＭＤＡと置き換えられる場合、ポリイミドが脆性であり、かつ低い剥離強度を有することを示す。

窒素不活性化されたグローブボックス中で、２４．５５２ｇ（０．０７６７モル）の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（ＴＦＭＢ）および１５９グラムのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された２５０ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。４５℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、１６．５５ｇ（０．０７５９モル）のピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで０℃で貯蔵した。

次いで、強制的空気オーブンを使用してゲル膜を加熱し、さらにポリマーをイミド化して、溶媒を除去した。ゲル膜は、１５０℃、２５０℃、３００℃および３２５℃のオーブン温度に約３０分間暴露した。得られるポリイミド膜をピンフレームから取り外し、分析した。データを表１に示す。

比較例４
ＢＰＤＡ／／５０ｍＴＯＬ／５０ＯＤＡ
比較例４は、ＴＦＭＢを、化学的に同様のジアミンであるが、２，２’−メチルベンジジン官能性と置き換えた場合、同等の剥離強度が得られないことを示す。

窒素不活性化されたグローブボックス中で、８．７７ｇ（０．０４１３モル）の２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、８．２７１ｇ（０．０４１３モル）の４，４’−オキシジアニリンおよび１５９グラムのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された２５０ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。４５℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、２４．０６５ｇ（０．０８１８モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで０℃で貯蔵した。

比較例５
２０ＰＭＤＡ／８０ＯＤＰＡ／／ＲＯＤＡ
比較例５は低い機械特性を有する。

窒素インレット、３つの独立制御撹拌器シャフト、低速アンカー混合機、高速ディスク分散機、ならびに高剪断ローター−スターラー乳化機および熱電対を備えた、乾燥させた５０ガロンのタンクに、２０．０２ｋｇ（６８．４９モル）の１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＲＯＤＡ）および１５９．６ｋｇのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を添加した。

ジアミンが完全に溶解し、淡黄色の溶液が得られるまで、数分間、３５℃で混合物を加熱および撹拌した。アンカー、分散機および乳化機の速度は、極端に混合物を加熱することなく、効率的な混合および溶解を確実にするように、必要に応じて調節する。次に、１６．９９ｋｇ（５４．７９モル）の４，４’−オキシジフタル酸無水物（ＯＤＰＡ）および２．８８ｋｇ（１３．２１モル）のピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）を、反応容器中のジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。得られたポリアミド酸溶液の粘度は、得られる溶液が約２０００のポイズの粘度を有するように、ＤＭＡｃ中６重量％のＰＭＤＡ溶液の化学量論的量、あるいはＢＰＤＡ固体の当量の化学量論的量の添加による鎖延長によって調節した。完成した溶液を２０ミクロンバッグフィルターを通して濾過し、混入空気を除去するために真空脱気した。ポリアミド酸溶液を約−６℃まで冷却し、無水酢酸脱水剤（０．１４ｃｍ³／ｃｍ³ポリマー溶液）、イミド化触媒３−ピコリン（０．１５ｃｍ³／ｃｍ³ポリマー溶液）を測定し、混合して、スロットダイを使用して、９０℃の熱回転ドラム上へ膜をキャストした。得られたゲル膜をドラムから剥離し、テンターオーブン中に入れ、膜を乾燥し、対流および放射加熱を使用し、９８％より高い固体レベルまで硬化した。

比較例６
ＰＭＤＡ／／ＯＤＡ
比較例６は、低い剥離強度を有する。

３５０ｐｓｉで真空プラテンプレス中、２枚のＫａｐｔｏｎ（登録商標）Ｈ膜のシート（ＤｕＰｏｎｔから入手可能な１００ＰＦＣ型）（Ｅ．Ｉ．ｄｕＰｏｎｔｄｅＮｅｍｏｕｒｓａｎｄＣｏｍｐａｎｙから得たピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）および４，４’−オキシジアニリン（ＯＤＡ）から構成されるポリイミド）を、２枚の厚さ３５ｕｍの処理された銅箔のシートの間で積層した。剥離強度データは、ＩＰＣ−ＴＭ６５０２．４．９ｄ試験方法によって測定した。異なる積層ピーク温度のデータを表１に示す。

比較例７
６０ＰＭＤＡ／４０ＢＰＤＡ／／４０ＯＤＡ／６０ＰＰＤ
比較例７は、低い剥離強度を有する。

３５０ｐｓｉで真空プラテンプレス中、２枚のＫａｐｔｏｎ（登録商標）Ｅ膜のシート（ＤｕＰｏｎｔから入手可能）（Ｅ．Ｉ．ｄｕＰｏｎｔｄｅＮｅｍｏｕｒｓａｎｄＣｏｍｐａｎｙから得たピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、４，４’−オキシジアニリン（ＯＤＡ）および１，４−フェニレンジアミン（ＰＰＤ）から構成されるポリイミド）を、２枚の厚さ３５ｕｍの処理された銅箔のシートの間で積層した。剥離強度データは、ＩＰＣ−ＴＭ６５０２．４．９ｄ試験方法によって測定した。異なる積層ピーク温度のデータを表１に示す。

実施例１７および１８は、８０〜９０モル％のＢＰＤＡ、１０〜２０モル％のＯＤＰＡおよび１００モル％のＴＦＭＢから誘導されるポリイミドは、３５０℃以上の温度で積層される場合、少なくとも１．３Ｎ／ｍｍの剥離を有することを示す。

実施例１７
９０ＢＰＤＡ／１０ＯＤＰＡ／／ＴＦＭＢ
不活性化窒素グローブボックス中で、２０．６８ｇ（０．０６４モル）の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（ＴＦＭＢ）および１５６グラムのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された２５０ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。

ジアミンが完全に溶解し、淡黄色の溶液が得られるまで、数分間、４０℃で混合物を加熱および撹拌した。次に、１６．９１ｇ（０．０５７モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）および１．４１ｇ（０．００６モル）の４，４’−オキシジフタル酸無水物（ＯＤＰＡ）を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。

全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。得られたポリアミド酸溶液の粘度は、得られる溶液が約２０００のポイズの粘度を有するように、ＤＭＡｃ中６重量％のＰＭＤＡ溶液の化学量論的量、あるいはＢＰＤＡ固体の当量の化学量論的量の添加による鎖延長によって調節した。溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで０℃で貯蔵した。

上記ポリアミド酸から誘導されるポリイミド膜を、触媒溶液を用いて化学的にイミド化した。化学的にイミド化された膜は、ＤｕＰｏｎｔＭＹＬＡＲ（登録商標）膜のシート上にポリアミド酸溶液をキャストすることによって調製された。ポリマー（および担体シート）を、１：１比の無水酢酸およびβ−ピコリンを含んでなる触媒溶液に浸漬した。（部分的イミド化において）数分以内でゲル膜が形成された。ゲル膜を担体シートから剥離し、固定フレーム（ピンフレーム）に移動した。

次いで、強制的空気オーブンを使用して膜を加熱し、さらにポリマーをイミド化して、溶媒を除去した。膜は、１５０℃、２５０℃および３３０℃のオーブン温度に約３０分間暴露した。膜をピンフレームから取り外し、分析した。

実施例１８
８０ＢＰＤＡ／２０ＯＤＰＡ／／ＴＦＭＢ
不活性化窒素グローブボックス中で、２０．９４ｇ（０．０６５モル）の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（ＴＦＭＢ）および１５６グラムのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された２００ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。

ジアミンが完全に溶解し、淡黄色の溶液が得られるまで、数分間、４０℃で混合物を加熱および撹拌した。次に、１５．２０ｇ（０．０５１モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）および２．８５ｇ（０．０１３モル）の４，４’−オキシジフタル酸無水物（ＯＤＰＡ）を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。

比較例８
６０ＢＰＤＡ／４０ＯＤＰＡ／／ＴＦＭＢ
比較例８は、４０モルパーセントのＯＤＰＡが使用される場合、試験用の膜を製造することができなかったことを示す。

窒素不活性化されたグローブボックス中で、２３．９１２ｇ（０．０７４６モル）の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（ＴＦＭＢ）および１７９グラムのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された２５０ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。４５℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、１３．１８ｇ（０．０４５モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）および９．０３ｇ（０．０２９モル）の４，４−オキシジフタル酸無水物（ＯＤＰＡ）を、反応容器中に含有される混合物としてジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで０℃で貯蔵した。

次いで、強制的空気オーブンを使用してゲル膜を加熱し、さらにポリマーをイミド化して、溶媒を除去した。ゲル膜は、１５０℃、２５０℃、３００℃および３２５℃のオーブン温度にそれぞれ約３０分間暴露した。硬化後、極度にしわが寄って、カールし、固定フレームから裂けたため、この手順を使用して、試験を行うことが実行可能なポリイミド膜を得ることはできなかった。

比較例９
ＢＰＤＡ／／１０ＴＦＭＢ／９０ＯＤＡ
比較例９は、１０モルパーセントのＴＦＭＢが使用される場合、３５０℃で積層される場合の剥離強度が低いことを示す。

窒素不活性化されたグローブボックス中で、２．６７５ｇ（０．００８３５モル）の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（ＴＦＭＢ）、１５．０４９ｇ（０．０７１モル）の４，４’−オキシジアニリンおよび１６８グラムのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された２５０ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。４５℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、２４．２７ｇ（０．０８３モル）の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで０℃で貯蔵した。

一般的な説明または実施例における上記の活性の全てが必要とされるというわけではなく、特定の活性の一部は必要とされなくてもよく、かつさらなる活性が記載されるものに加えて実行されてもよいことに留意すべきである。またさらに、それぞれの活性が記載される順番が、必ずしも、それらが実行される順番であるというわけではない。本明細書を読んだ後、当業者は、それらの具体的な必要性または希望のために、どのような活性を使用することができるのかを決定することが可能である。

上記明細書において、本発明は具体的な実施形態に関して記載された。しかしながら、添付の請求の範囲に明かにされるような本発明の範囲から逸脱することなく、様々な修正および変更を実行することができることを当業者は認識する。本明細書で開示される全ての特徴は、同一、同等または同様の目的に役に立つ別の特徴によって置き換えられてもよい。したがって、本明細書は、限定的な意味よりもむしろ実例として見なされるべきであり、全てのそのような修正形態は本発明の範囲内に含まれるように意図される。

利益、他の利点および問題への解決策は、具体的な実施形態に関して上記された。しかしながら、利益、利点、問題への解決策、ならびにいずれかの利益、利点または解決策が生じるか、もしくはより強調されるようになるいずれの要素も、いずれかまたは全ての請求の範囲の重要な、必要な、または本質的な特徴もしくは要素として解釈されるべきではない。

以下、本明細書に記載の種な発明について列記する。
（１）以下の順序で、
ａ．第１の像形成された金属層、
ｂ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第１の面は、前記第１の像形成された金属層に接する、第１の電気絶縁層、
ｃ．第２の像形成された金属層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第２の面は、前記第２の像形成された金属層に接する、第２の像形成された金属層、
ｄ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなるポリイミドボンドプライ、
ｅ．第３の像形成された金属層、
ｆ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第１の面は、前記第３の像形成された金属層に接する、第２の電気絶縁層、
ｇ．第４の像形成された金属層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第２の面は、前記第４の像形成された金属層に接する、第４の像形成された金属層
を含んでなる回路基板であって、
前記ポリイミドボンドプライが、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ前記第３の像形成された金属層および前記第２の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ
３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）前記第１の像形成された金属層、前記第１の電気絶縁層および前記第２の像形成された金属層、
ｉｉ）前記ポリイミドボンドプライ、ならびに
ｉｉｉ）前記第３の像形成された金属層、前記第２の電気絶縁層および前記第４の像形成された金属層
が積層される場合、前記ポリイミドボンドプライが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、かつ
前記第１の電気絶縁層および前記第２の電気絶縁層が３２０〜３８０℃の前記積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である、回路基板。
（２）前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（３）前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（４）前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（１）に記載の回路基板。
（５）前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（１）に記載の回路基板。
（６）前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、（１）に記載の回路基板。
（７）前記第２の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、（１）に記載の回路基板。
（８）前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触し、かつ
前記第２の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、（１）に記載の回路基板。
（９）前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１０）前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（９）に記載の回路基板。
（１１）前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１２）前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１１）に記載の回路基板。
（１３）前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１４）前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１５）前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（８）に記載の回路基板。
（１６）前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（８）に記載の回路基板。
（１７）接着剤およびカバーレイをさらに含んでなり、前記接着剤が、前記第１の像形成された金属層と前記カバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、（１）に記載の回路基板。
（１８）前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（１９）前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１８）に記載の回路基板。
（２０）前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１９）に記載の回路基板。
（２１）前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１８）に記載の回路基板。
（２２）前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（２１）に記載の回路基板。
（２３）前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１８）に記載の回路基板。
（２４）前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１８）に記載の回路基板。
（２５）前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（１８）に記載の回路基板。
（２６）前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（１８）に記載の回路基板。
（２７）第２の接着剤および第２のカバーレイをさらに含んでなり、前記第２の接着剤が、前記第４の像形成された金属層と前記第２のカバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、（１８）に記載の回路基板。
（２８）前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（２７）に記載の回路基板。
（２９）前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（２８）に記載の回路基板。
（３０）前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（２９）に記載の回路基板。
（３１）前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（２８）に記載の回路基板。
（３２）前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（３１）に記載の回路基板。
（３３）前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（２８）に記載の回路基板。
（３４）前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（２８）に記載の回路基板。
（３５）前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（２８）に記載の回路基板。
（３６）前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（２８）に記載の回路基板。
（３７）前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（３８）前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１）に記載の回路基板。

Claims

以下の順序で、
ａ．第１の像形成された金属層、
ｂ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第１の面は、前記第１の像形成された金属層に接する、第１の電気絶縁層、
ｃ．第２の像形成された金属層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第２の面は、前記第２の像形成された金属層接する、第２の像形成された金属層、
ｄ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなるポリイミドボンドプライ、
ｅ．第３の像形成された金属層、
ｆ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第１の面は、前記第３の像形成された金属層の次である、第２の電気絶縁層、
ｇ．第４の像形成された金属層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第２の面は、前記第４の像形成された金属層の次である、第４の像形成された金属層
を含んでなる回路基板であって、
前記ポリイミドボンドプライが、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ前記第３の像形成された金属層および前記第２の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ
３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）前記第１の像形成された金属層、前記第１の電気絶縁層および前記第２の像形成された金属層、
ｉｉ）前記ポリイミドボンドプライ、ならびに
ｉｉｉ）前記第３の像形成された金属層、前記第２の電気絶縁層および前記第４の像形成された金属層
が積層される場合、前記ポリイミドボンドプライが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、かつ
前記第１の電気絶縁層および前記第２の電気絶縁層が３２０〜３８０℃の前記積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である、回路基板。
前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、請求項１に記載の回路基板。
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、請求項１に記載の回路基板。
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、請求項１に記載の回路基板。
前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、請求項１に記載の回路基板。
前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、請求項１に記載の回路基板。
前記第２の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、請求項１に記載の回路基板。
前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触し、かつ
前記第２の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、請求項１に記載の回路基板。
接着剤およびカバーレイをさらに含んでなり、前記接着剤が、前記第１の像形成された金属層と前記カバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、請求項１に記載の回路基板。
第２の接着剤および第２のカバーレイをさらに含んでなり、前記第２の接着剤が、前記第４の像形成された金属層と前記第２のカバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、請求項９に記載の回路基板。