JP2015527221A - ポリイミド金属張積層体 - Google Patents
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Abstract
Description
本明細書で使用される場合、「含んでなる」、「含んでなっている」「含む」、「含んでいる」、「有する」、「有している」という用語またはそれらの他のいずれの変形も、非排除的包含を含むように意図される。例えば、要素のリストを含んでなる方法、プロセス、物品または装置は、必ずしもそれらの要素に限定されず、明白に記載されないか、またはそのような方法、プロセス、物品または装置に固有である他の要素を含んでもよい。さらに、明白に反対に明示されない限り、「または」は包含的離接を指し、排他的論理和を指さない。例えば、条件AまたはBは、以下のいずれか1つによって満たされる:Aは真であり(または存在し)、Bは偽である(または存在しない);Aは偽であり(または存在しない)、Bは真である(または存在する);ならびにAおよびBは真である(または存在する)。
いくつかの実施形態において、本開示のポリイミド金属張積層体は、金属箔と、ポリイミド層とを含んでなる。ポリイミド層は、第1の側面と、第2の側面とを有し、第1の側面は金属箔に直接接触しており、ポリイミド層は、100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、ポリイミド金属張積層体は、金属箔とポリイミド層との間に接合層を有しない。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において金属箔およびポリイミド層が一緒に積層される場合、ポリイミド金属張積層体は、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜3.3N/mmの剥離強度を有する。
a.金属箔と、
b.金属箔に直接接触する第1の側面と、第2の側面とを有し、100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなるポリイミド層と、
c.第2の金属箔と
を含んでなり、かつポリイミド金属張積層体は、金属箔とポリイミド層との間に接合層を有さず、かつ320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において金属箔およびポリイミド層が一緒に積層される場合、ポリイミド金属張積層体は、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜3N/mmの剥離強度を有する。
a.金属箔と、
b.金属箔に直接接触する第1の側面と、第2の側面とを有し、100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および100モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなるポリイミド層と、
c.第2の金属箔と
を含んでなる。
いくつかの実施形態において、金属箔は元素金属である。いくつかの実施形態において、金属箔は金属合金である。いくつかの実施形態において、金属箔は銅である。いくつかの実施形態において、金属合金は50〜72重量%のニッケルを含んでなる。もう1つの実施形態において、金属合金は、50〜72%重量%のニッケルおよび14〜24重量%のクロムを含んでなる。いくつかの実施形態において、金属箔はアルミニウムである。
本開示の一実施形態は、回路基板のためのポリイミドカバーレイである。そのような実施形態において、回路基板は、
a.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層、
b.第1の像形成された金属層、
c.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する第1のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。接合層は、第1の像形成された金属層と第1のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。いくつかの実施形態において、300〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に積層される場合、第1のポリイミドカバーレイは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、0.7〜2N/mmの剥離強度を有する。第1の電気絶縁層は、300〜380℃の積層温度に耐えることができるいずれかの電気絶縁材料である。
a.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層、
b.第1の像形成された金属層、
c.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、および10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する第1のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。接合層は、第1の像形成された金属層と第1のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に積層される場合、第1のポリイミドカバーレイは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1の電気絶縁層は、320〜380℃の積層温度に耐えることができるいずれかの電気絶縁材料である。
a.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層、
b.第1の像形成された金属層、
c.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜30モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび70〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する第1のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。接合層は、第1の像形成された金属層と第1のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に積層される場合、第1のポリイミドカバーレイは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1の電気絶縁層は、320〜380℃の積層温度に耐えることができるいずれかの電気絶縁材料である。
a.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層、
b.第1の像形成された金属層、
c.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および100モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンから誘導され、かつ第1の像形成された金属層および電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する第1のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。接合層は、第1の像形成された金属層と第1のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。380〜400℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に積層される場合、第1のポリイミドカバーレイは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有し、かつ第1の電気絶縁層は、380〜400℃の積層温度に耐えることができるいずれかの電気絶縁材料である。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および100モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンから誘導され、かつ第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触する第2のポリイミドカバーレイ、
b.第2の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層、
d.第1の像形成された金属層、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および100モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンから誘導され、かつ第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。
いくつかの実施形態において、第1の電気絶縁層は、300〜400℃、いくつかの実施形態において300〜380℃、または他の実施形態において320〜380℃の積層温度に耐えることができるいずれかの電気絶縁材料である。いくつかの実施形態において、第1の電気絶縁層はポリイミドから誘導される。いくつかの実施形態において、第1の電気絶縁層は芳香族ポリイミドから誘導される。
いくつかの実施形態において、第1の像形成された金属層は銅である。いくつかの実施形態において、第1の像形成された金属層、第2の像形成された層または両方が銅である。いくつかの実施形態において、第1の像形成された金属層は元素金属である。いくつかの実施形態において、第1の像形成された金属層は金属合金である。いくつかの実施形態において、第1の像形成された金属層はアルミニウムである。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触する第2のポリイミドカバーレイ(接合層は、第2の像形成された金属層と第2のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。300〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、第2のポリイミドカバーレイが、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に積層される場合、第2のポリイミドカバーレイは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、0.7〜2N/mmの剥離強度を有する)、
b.第2の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層、
d.第1の像形成された金属層、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する第1のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。接合層は、第1の像形成された金属層と第1のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。300〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に積層される場合、第1のポリイミドカバーレイは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、0.7〜2N/mmの剥離強度を有する。第1の電気絶縁層は、300〜380℃の積層温度に耐えることができるいずれかの電気絶縁材料である。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触する第2のポリイミドカバーレイ(接合層は、第2の像形成された金属層と第2のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。300〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、第2のポリイミドカバーレイが、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に積層される場合、第2のポリイミドカバーレイは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、0.7〜2N/mmの剥離強度を有する)、
b.第2の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層は、100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるか、または100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、100モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンから誘導される)、
d.第1の像形成された金属層、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する第1のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。接合層は、第1の像形成された金属層と第1のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。300〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に積層される場合、第1のポリイミドカバーレイは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、0.7〜2N/mmの剥離強度を有する。第1の電気絶縁層は、300〜380℃の積層温度に耐えることができるいずれかの電気絶縁材料である。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触する第2のポリイミドカバーレイ(接合層は、第2の像形成された金属層と第2のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、第2のポリイミドカバーレイが、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に積層される場合、第2のポリイミドカバーレイは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する)、
b.第2の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層、
d.第1の像形成された金属層、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する第1のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。接合層は、第1の像形成された金属層と第1のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に積層される場合、第1のポリイミドカバーレイは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1の電気絶縁層は、320〜380℃の積層温度に耐えることができるいずれかの電気絶縁材料である。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触する第2のポリイミドカバーレイ(接合層は、第2の像形成された金属層と第2のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、第2のポリイミドカバーレイが、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に積層される場合、第2のポリイミドカバーレイは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する)、
b.第2の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層は、100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるか、または100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、100モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンから誘導される)、
d.第1の像形成された金属層、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導され、かつ第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する第1のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。接合層は、第1の像形成された金属層と第1のポリイミドカバーレイとの間に存在しない。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に積層される場合、第1のポリイミドカバーレイは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1の電気絶縁層は、320〜380℃の積層温度に耐えることができるいずれかの電気絶縁材料である。
本開示の一実施形態は、回路基板用ポリイミドボンドプライである。そのような実施形態において、回路基板は、以下の順序で、
a.第1の像形成された金属層、
b.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された金属層の次である)、
c.第2の像形成された金属層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された金属層の次である)、
d.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
e.第3の像形成された金属層、
f.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された金属層の次である)、
g.第4の像形成された金属層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された金属層の次である)
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。いくつかの実施形態において、300〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された金属層、ならびに
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、0.7〜2N/mmの剥離強度を有する。第1の電気絶縁層および第2の電気絶縁層は、300〜380℃の積層温度に耐えることができるいずれかの電気絶縁材料である。
a.第1の像形成された金属層、
b.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された金属層の次である)、
c.第2の像形成された金属層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された金属層の次である)、
d.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
e.第3の像形成された金属層、
f.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された金属層の次である)、
g.第4の像形成された金属層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された金属層の次である)
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された金属層、ならびに
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1の電気絶縁層および第2の電気絶縁層は、320〜380℃の積層温度に耐えることができるいずれかの電気絶縁材料である。
いくつかの実施形態において、第1の電気絶縁層は、300〜380℃の積層温度に耐えることができるいずれかの電気絶縁材料である。いくつかの実施形態において、第1の電気絶縁層はポリイミドから誘導される。いくつかの実施形態において、第1の電気絶縁層は芳香族ポリイミドから誘導される。
いくつかの実施形態において、第1の像形成された金属層は元素金属である。いくつかの実施形態において、第1の像形成された金属層は金属合金である。いくつかの実施形態において、第1の像形成された金属層は銅である。いくつかの実施形態において、第1の像形成された金属層はアルミニウムである。
a.第1の像形成された金属層、
b.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
c.第2の像形成された金属層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された金属層の次である)、
d.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
e.第3の像形成された金属層、
f.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
g.第4の像形成された金属層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された金属層の次である)
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。300〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された金属層、ならびに
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、0.7〜2N/mmの剥離強度を有する。
a.第1の像形成された金属層、
b.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
c.第2の像形成された金属層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された金属層の次である)、
d.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
e.第3の像形成された金属層、
f.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
g.第4の像形成された金属層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された金属層の次である)
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された金属層、ならびに
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された金属層の次である)、
d.第2の像形成された金属層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された金属層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された金属層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された金属層の次である)、
h.第4の像形成された金属層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された金属層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。300〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された金属層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、0.7〜2N/mmの剥離強度を有する。第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第2のポリイミドカバーレイが、第4の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第1の電気絶縁層および第2の電気絶縁層は、300〜380℃の積層温度に耐えることができるいずれかの電気絶縁材料である。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された金属層の次である)、
d.第2の像形成された金属層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された金属層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された金属層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された金属層の次である)、
h.第4の像形成された金属層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された金属層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された金属層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された銅層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された銅層の次である)、
d.第2の像形成された銅層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された銅層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された銅層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された銅層の次である)、
h.第4の像形成された銅層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された銅層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された銅層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された銅層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
d.第2の像形成された金属層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された金属層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された金属層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
h.第4の像形成された金属層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された金属層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。300〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された金属層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、0.7〜2N/mmの剥離強度を有する。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
d.第2の像形成された金属層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された金属層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された金属層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
h.第4の像形成された金属層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された金属層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された金属層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜30モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび70〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜30モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび70〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
d.第2の像形成された金属層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された金属層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜30モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび70〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された金属層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜30モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび70〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
h.第4の像形成された金属層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された金属層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜30モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび70〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。300〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された金属層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、0.7〜2N/mmの剥離強度を有する。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された金属層の次である)、
d.第2の像形成された金属層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された金属層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された金属層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された金属層の次である)、
h.第4の像形成された金属層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された金属層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された金属層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第2のポリイミドカバーレイが、第4の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第1の電気絶縁層および第2の電気絶縁層は、320〜380℃の積層温度に耐えることができるいずれかの電気絶縁材料である。第1のポリイミドカバーレイ、第2のポリイミドカバーレイまたは両方とも、顔料および艶消し剤を含んでなる。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された金属層の次である)、
d.第2の像形成された金属層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された金属層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された金属層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された金属層の次である)、
h.第4の像形成された金属層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された金属層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された金属層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第2のポリイミドカバーレイが、第4の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第1の電気絶縁層および第2の電気絶縁層は、320〜380℃の積層温度に耐えることができるいずれかの電気絶縁材料である。第1のポリイミドカバーレイ、第2のポリイミドカバーレイまたは両方とも、低伝導率カーボンブラックおよび艶消し剤を含んでなる。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された金属層の次である)、
d.第2の像形成された金属層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された金属層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された金属層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された金属層の次である)、
h.第4の像形成された金属層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された金属層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された金属層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第2のポリイミドカバーレイが、第4の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第1の電気絶縁層および第2の電気絶縁層は、320〜380℃の積層温度に耐えることができるいずれかの電気絶縁材料である。第1のポリイミドカバーレイ、第2のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ低伝導率カーボンブラックは、第1のポリイミドカバーレイ、第2のポリイミドカバーレイまたは両方に2〜20重量パーセントの量で存在する。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された金属層の次である)、
d.第2の像形成された金属層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された金属層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された金属層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された金属層の次である)、
h.第4の像形成された金属層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された金属層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された金属層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第2のポリイミドカバーレイが、第4の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第1の電気絶縁層および第2の電気絶縁層は、320〜380℃の積層温度に耐えることができるいずれかの電気絶縁材料である。第1のポリイミドカバーレイ、第2のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ艶消し剤はポリイミド粒子である。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
d.第2の像形成された金属層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された金属層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された金属層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
h.第4の像形成された金属層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された金属層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された金属層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第2のポリイミドカバーレイが、第4の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触する。第1のポリイミドカバーレイ、第2のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなる。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
d.第2の像形成された金属層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された金属層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された金属層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
h.第4の像形成された金属層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された金属層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された金属層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第2のポリイミドカバーレイが、第4の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触する。第1のポリイミドカバーレイ、第2のポリイミドカバーレイまたは両方とも低伝導率カーボンブラックおよび艶消し剤を含んでなる。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
d.第2の像形成された金属層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された金属層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された金属層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
h.第4の像形成された金属層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された金属層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された金属層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第2のポリイミドカバーレイが、第4の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触する。第1のポリイミドカバーレイ、第2のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ低伝導率カーボンブラックは、第1のポリイミドカバーレイ、第2のポリイミドカバーレイまたは両方に2〜20重量パーセントの量で存在する。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された金属層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
d.第2の像形成された金属層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された金属層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された金属層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された金属層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
h.第4の像形成された金属層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された金属層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された金属層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された金属層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された金属層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第2のポリイミドカバーレイが、第4の像形成された金属層および第2の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触する。第1のポリイミドカバーレイ、第2のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ艶消し剤はポリイミド粒子である。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された銅層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された銅層の次である)、
d.第2の像形成された銅層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された銅層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された銅層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された銅層の次である)、
h.第4の像形成された銅層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された銅層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された銅層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された銅層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された銅層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された銅層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された銅層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された銅層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第2のポリイミドカバーレイが、第4の像形成された銅層および第2の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触する。第1のポリイミドカバーレイ、第2のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなる。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された銅層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された銅層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
d.第2の像形成された銅層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された銅層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された銅層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された銅層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
h.第4の像形成された銅層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された銅層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された銅層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された銅層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された銅層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された銅層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された銅層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された銅層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第2のポリイミドカバーレイが、第4の像形成された銅層および第2の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触する。第1のポリイミドカバーレイ、第2のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなる。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された銅層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された銅層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
d.第2の像形成された銅層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された銅層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された銅層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された銅層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
h.第4の像形成された銅層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された銅層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された銅層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された銅層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された銅層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された銅層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された銅層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された銅層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第2のポリイミドカバーレイが、第4の像形成された銅層および第2の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触する。第1のポリイミドカバーレイ、第2のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ艶消し剤はポリイミド粒子である。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された銅層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された銅層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
d.第2の像形成された銅層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された銅層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された銅層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された銅層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
h.第4の像形成された銅層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された銅層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された銅層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された銅層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された銅層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された銅層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された銅層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された銅層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第2のポリイミドカバーレイが、第4の像形成された銅層および第2の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触する。第1のポリイミドカバーレイ、第2のポリイミドカバーレイまたは両方とも低伝導率カーボンブラックおよび艶消し剤を含んでなる。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された銅層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された銅層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
d.第2の像形成された銅層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された銅層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された銅層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された銅層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
h.第4の像形成された銅層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された銅層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された銅層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された銅層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。320〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された銅層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された銅層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された銅層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜2N/mmの剥離強度を有する。第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された銅層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第2のポリイミドカバーレイが、第4の像形成された銅層および第2の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触する。第1のポリイミドカバーレイ、第2のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ顔料および艶消し剤は両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ低伝導率カーボンブラックは、第1のポリイミドカバーレイ、第2のポリイミドカバーレイまたは両方に2〜20重量パーセントの量で存在する。
a.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイ、
b.第1の像形成された銅層、
c.第1の側面と、第2の側面とを有する第1の電気絶縁層(第1の電気絶縁層の第1の側面は、第1の像形成された銅層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
d.第2の像形成された銅層(第1の電気絶縁層の第2の側面は、第2の像形成された銅層の次である)、
e.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドボンドプライ、
f.第3の像形成された銅層、
g.第1の側面と、第2の側面とを有する第2の電気絶縁層(第2の電気絶縁層の第1の側面は、第3の像形成された銅層の次であり、かつ100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される)、
h.第4の像形成された銅層(第2の電気絶縁層の第2の側面は、第4の像形成された銅層の次である)、
i.100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導される、第2のポリイミドカバーレイ
を含んでなる。ポリイミドボンドプライは、第2の像形成された銅層および第1の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第3の像形成された銅層および第2の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触する。300〜380℃の積層温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において、
i)第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層および第2の像形成された銅層、
ii)ポリイミドボンドプライ、
iii)第3の像形成された銅層、第2の電気絶縁層および第4の像形成された銅層
が積層される場合、ポリイミドボンドプライは、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、0.7〜2N/mmの剥離強度を有する。第1のポリイミドカバーレイが、第1の像形成された銅層および第1の電気絶縁層の第1の側面の露出した領域に直接接触し、かつ第2のポリイミドカバーレイが、第4の像形成された銅層および第2の電気絶縁層の第2の側面の露出した領域に直接接触する。第1のポリイミドカバーレイ、第2のポリイミドカバーレイまたは両方とも顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ艶消し剤はポリイミド粒子である。
BPDA//TFMB
実施例1は、100モル%のBPDAおよび100モル%のTFMBから誘導されるポリイミドが、380℃以上の温度で積層された場合、少なくとも1N/mmの剥離強度を有することを示す。
BPDA//90 TFMB/10 ODA
窒素不活性化されたグローブボックス中で、19.711g(0.0615モル)の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)、1.369g(0.006モル)の4,4’−オキシジアニリンおよび159グラムのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された250ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。45℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、19.919g(0.0677モル)の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで0℃で貯蔵した。
BPDA//80 TFMB/20 ODA
窒素不活性化されたグローブボックス中で、17.879g(0.0558モル)の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)、2.794g(0.0139モル)の4,4’−オキシジアニリンおよび159グラムのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された250ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。45℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、20.326g(0.069モル)の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで0℃で貯蔵した。
BPDA//70 TFMB/30 ODA
窒素不活性化されたグローブボックス中で、15.971g(0.0498モル)の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)、4.279g(0.0213モル)の4,4’−オキシジアニリンおよび159グラムのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された250ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。45℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、20.75g(0.0705モル)の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで0℃で貯蔵した。
BPDA//60 TFMB/40 ODA
窒素不活性化されたグローブボックス中で、13.981g(0.0436モル)の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)、5.827g(0.0291モル)の4,4’−オキシジアニリンおよび159グラムのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された250ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。45℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、21.192g(0.0720モル)の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで0℃で貯蔵した。
BPDA//50 TFMB/50 ODA
窒素不活性化されたグローブボックス中で、11.904g(0.03717モル)の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)、7.442g(0.0371モル)の4,4’−オキシジアニリンおよび159グラムのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された250ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。45℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、21.654g(0.0736モル)の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで0℃で貯蔵した。
BPDA//43 TFMB/57 ODA
窒素インレット、3つの独立制御撹拌器シャフト、低速アンカー混合機、高速ディスク分散機、ならびに高剪断ローター−スターラー乳化機および熱電対を備えた、乾燥させた50ガロンのタンクに、10.10kg(31.54モル)の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)、8.37kg(41.81モル)の4,4’−オキシジアニリン(ODA)および159.6kgのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)を添加した。
BPDA//50 TFMB/50 ODA
窒素インレット、3つの独立制御撹拌器シャフト、低速アンカー混合機、高速ディスク分散機、ならびに高剪断ローター−スターラー乳化機および熱電対を備えた、乾燥させた50ガロンのタンクに、11.56kg(36.12モル)の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)、7.23kg(36.12モル)の4,4’−オキシジアニリン(ODA)および159.6kgのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)を添加した。
BPDA//43 TFMB/57 ODA
実施例7に記載されるように調製したポリアミド酸ポリマー溶液を用いて、ドクターブレードを使用し、銅箔(12um Mitsui 3EC−M35−HTE ED銅)上へ溶液の一部をキャストすることによって薄膜を調製した。次いで、コーティングされた銅箔をクリップフレーム膜に固定し、強制的空気オーブンを使用して加熱し、溶媒を除去し、ポリマーをイミド化した。膜は、150℃、250℃および330℃のオーブン温度に約30分間暴露した。得られる片面銅コーティングポリイミド膜をピンフレームから取り外し、次いで、350psiの圧力および350℃の温度で真空プラテンプレス中、上記と同一仕様のもう1枚の銅箔のシートに積層した。剥離強度データは、IPC−TM650 2.4.9d試験方法によって測定した。データを表1に示す。
BPDA//50 TFMB/50 ODA
窒素インレット、3つの独立制御撹拌器シャフト、低速アンカー混合機、高速ディスク分散機、ならびに高剪断ローター−スターラー乳化機および熱電対を備えた、乾燥させた50ガロンのタンクに、11.56kg(36.12モル)の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)、7.23kg(36.12モル)の4,4’−オキシジアニリン(ODA)および159.6kgのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)を添加する。
BPDA//30 TFMB/70 ODA
窒素不活性化されたグローブボックス中で、7.265g(0.02268モル)の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)、10.598g(0.0529モル)の4,4’−オキシジアニリンおよび160グラムのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された250ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。45℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、22.137g(0.0752モル)の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで0℃で貯蔵した。
BPDA//20 TFMB/80 ODA
窒素不活性化されたグローブボックス中で、5.358g(0.0167モル)の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)、13.399g(0.0669モル)の4,4’−オキシジアニリンおよび172グラムのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された250ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。45℃グリコール水の再循環を使用して、ジアミンが完全に溶解し、ほぼ無色の溶液が得られるまで、数分間、混合物を加熱した。次に、24.243g(0.0824モル)の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)を、反応容器中に含有されるジアミン溶液に添加した。全ての固体が溶解し、反応物がポリアミド酸溶液を形成するまで、撹拌を継続した。ポリアミド酸溶液をデカンテーションし、膜キャスティングに使用するまで0℃で貯蔵した。
実施例13は、本開示のポリイミドが回路上で良好な形態を有し、カバーレイとして有用であることを示す。
実施例14は、本開示のポリイミドが、320℃の温度で積層される場合、良好な剥離強度を有することを示す。
実施例15は、本開示のポリイミドは回路上で良好な形態を有し、ボンドプライとして有用であることを示す。
実施例16は、良好な剥離強度が金属合金で達成されることを示す。
BPDA//ODA
比較例1は、TFMBを排除することが、剥離強度を含む特性を悪化させることを示す。
54BPDA/46PMDA//ODA
比較例2は、膜が熱形成可能であっても、銅に対する低い接着性を有することを示す。
PMDA//TFMB
比較例3は、BPDAがPMDAと置き換えられる場合、ポリイミドが脆性であり、かつ低い剥離強度を有することを示す。
BPDA//50mTOL/50ODA
比較例4は、TFMBを、化学的に同様のジアミンであるが、2,2’−メチルベンジジン官能性と置き換えた場合、同等の剥離強度が得られないことを示す。
20PMDA/80ODPA//RODA
比較例5は低い機械特性を有する。
PMDA//ODA
比較例6は、低い剥離強度を有する。
60PMDA/40BPDA//40ODA/60PPD
比較例7は、低い剥離強度を有する。
90 BPDA/10 ODPA//TFMB
不活性化窒素グローブボックス中で、20.68g(0.064モル)の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)および156グラムのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された250ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。
80 BPDA/20 ODPA//TFMB
不活性化窒素グローブボックス中で、20.94g(0.065モル)の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)および156グラムのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)を、メカニカルスターラーを備えた乾燥された200ミリリットルのジャケット付きビーカーに添加した。
60 BPDA/40 ODPA//TFMB
比較例8は、40モルパーセントのODPAが使用される場合、試験用の膜を製造することができなかったことを示す。
BPDA//10 TFMB/90 ODA
比較例9は、10モルパーセントのTFMBが使用される場合、350℃で積層される場合の剥離強度が低いことを示す。
Claims (13)
- a.金属箔と、
b.前記金属箔に直接接触する第1の側面と、第2の側面とを有し、100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなるポリイミド層と
を含んでなるポリイミド金属張積層体であって、
前記金属箔と前記ポリイミド層との間に接合層を有さず、かつ
320〜380℃の温度および150psi(10.55kg/cm)〜400psi(28.13kg/cm)の圧力において前記金属箔および前記ポリイミド層が一緒に積層される場合、IPC−TM−650−2.4.9dに従って測定した場合、1〜3.3N/mmの剥離強度を有する、ポリイミド金属張積層体。 - 前記金属箔が銅である、請求項1に記載のポリイミド金属張積層体。
- 前記金属箔が銅であり、かつ前記ポリイミド層が、1〜55重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、請求項1に記載のポリイミド金属張積層体。
- 前記ポリイミド層の前記第2の側面に直接接触する第2の金属箔をさらに含んでなり、かつ前記第2の金属箔と前記ポリイミド層との間の接合層を有さない、請求項1に記載のポリイミド金属張積層体。
- 前記第2の金属箔が銅である、請求項3に記載のポリイミド金属張積層体。
- 前記金属箔および前記第2の金属箔が銅であり、かつ前記ポリイミド層が、1〜55重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、請求項3に記載のポリイミド金属張積層体。
- 前記ポリイミド層が、100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、請求項3に記載のポリイミド金属張積層体。
- 前記ポリイミド層が、100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜30モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび70〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、請求項3に記載のポリイミド金属張積層体。
- 前記ポリイミド層の厚さが2〜26ミクロンである、請求項1に記載のポリイミド金属張積層体。
- 前記ポリイミド層の厚さが27〜105ミクロンである、請求項1に記載のポリイミド金属張積層体。
- 前記ポリイミド層が、1〜55重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、請求項1に記載のポリイミド金属張積層体。
- 前記ポリイミド層が、100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、40〜90モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜60モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、請求項1に記載のポリイミド金属張積層体。
- 前記ポリイミド層が、100モル%の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜30モル%の2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび70〜80モル%の4,4’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、請求項1に記載のポリイミド金属張積層体。
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