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Description
（１） 以下の順序で、
ａ．第１の像形成された金属層、
ｂ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第１の面は、前記第１の像形成された金属層に接する、第１の電気絶縁層、
ｃ．第２の像形成された金属層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第２の面は、前記第２の像形成された金属層に接する、第２の像形成された金属層、
ｄ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなるポリイミドボンドプライ、
ｅ．第３の像形成された金属層、
ｆ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第１の面は、前記第３の像形成された金属層に接する、第２の電気絶縁層、
ｇ．第４の像形成された金属層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第２の面は、前記第４の像形成された金属層に接する、第４の像形成された金属層
を含んでなる回路基板であって、
前記ポリイミドボンドプライが、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ前記第３の像形成された金属層および前記第２の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ
３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）前記第１の像形成された金属層、前記第１の電気絶縁層および前記第２の像形成された金属層、
ｉｉ）前記ポリイミドボンドプライ、ならびに
ｉｉｉ）前記第３の像形成された金属層、前記第２の電気絶縁層および前記第４の像形成された金属層
が積層される場合、前記ポリイミドボンドプライが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、かつ
前記第１の電気絶縁層および前記第２の電気絶縁層が３２０〜３８０℃の前記積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である、回路基板。
（２） 前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（３） 前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（４） 前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（１）に記載の回路基板。
（５） 前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（１）に記載の回路基板。
（６） 前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、（１）に記載の回路基板。
（７） 前記第２の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、（１）に記載の回路基板。
（８） 前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触し、かつ
前記第２の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、（１）に記載の回路基板。
（９） 前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１０） 前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（９）に記載の回路基板。
（１１） 前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１２） 前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１１）に記載の回路基板。
（１３） 前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１４） 前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１５） 前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（８）に記載の回路基板。
（１６） 前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（８）に記載の回路基板。
（１７） 接着剤およびカバーレイをさらに含んでなり、前記接着剤が、前記第１の像形成された金属層と前記カバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、（１）に記載の回路基板。
（１８） 前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（１９） 前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１８）に記載の回路基板。
（２０） 前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１９）に記載の回路基板。
（２１） 前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１８）に記載の回路基板。
（２２） 前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（２１）に記載の回路基板。
（２３） 前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１８）に記載の回路基板。
（２４） 前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１８）に記載の回路基板。
（２５） 前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（１８）に記載の回路基板。
（２６） 前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（１８）に記載の回路基板。
（２７） 第２の接着剤および第２のカバーレイをさらに含んでなり、前記第２の接着剤が、前記第４の像形成された金属層と前記第２のカバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、（１８）に記載の回路基板。
（２８） 前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（２７）に記載の回路基板。
（２９） 前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（２８）に記載の回路基板。
（３０） 前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（２９）に記載の回路基板。
（３１） 前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（２８）に記載の回路基板。
（３２） 前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（３１）に記載の回路基板。
（３３） 前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（２８）に記載の回路基板。
（３４） 前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（２８）に記載の回路基板。
（３５） 前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（２８）に記載の回路基板。
（３６） 前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（２８）に記載の回路基板。
（３７） 前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（３８） 前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１）に記載の回路基板。
Claims (10)
- 以下の順序で、
ａ．第１の像形成された金属層、
ｂ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第１の面は、前記第１の像形成された金属層に接する、第１の電気絶縁層、
ｃ．第２の像形成された金属層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第２の面は、前記第２の像形成された金属層接する、第２の像形成された金属層、
ｄ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなるポリイミドボンドプライ、
ｅ．第３の像形成された金属層、
ｆ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第１の面は、前記第３の像形成された金属層の次である、第２の電気絶縁層、
ｇ．第４の像形成された金属層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第２の面は、前記第４の像形成された金属層の次である、第４の像形成された金属層
を含んでなる回路基板であって、
前記ポリイミドボンドプライが、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ前記第３の像形成された金属層および前記第２の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ
３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）前記第１の像形成された金属層、前記第１の電気絶縁層および前記第２の像形成された金属層、
ｉｉ）前記ポリイミドボンドプライ、ならびに
ｉｉｉ）前記第３の像形成された金属層、前記第２の電気絶縁層および前記第４の像形成された金属層
が積層される場合、前記ポリイミドボンドプライが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、かつ
前記第１の電気絶縁層および前記第２の電気絶縁層が３２０〜３８０℃の前記積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である、回路基板。 - 前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、請求項１に記載の回路基板。
- 前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、請求項１に記載の回路基板。
- 前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、請求項１に記載の回路基板。
- 前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、請求項１に記載の回路基板。 - 前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、請求項１に記載の回路基板。
- 前記第２の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、請求項１に記載の回路基板。
- 前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触し、かつ
前記第２の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、請求項１に記載の回路基板。 - 接着剤およびカバーレイをさらに含んでなり、前記接着剤が、前記第１の像形成された金属層と前記カバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、請求項１に記載の回路基板。
- 第２の接着剤および第２のカバーレイをさらに含んでなり、前記第２の接着剤が、前記第４の像形成された金属層と前記第２のカバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、請求項９に記載の回路基板。
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| WO2008004496A1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-10 | Toray Industries, Inc. | Thermoplastic polyimide, and laminated polyimide film and metal foil-laminated polyimide film using the thermoplastic polyimide |
| CN101484500A (zh) * | 2006-07-06 | 2009-07-15 | 东丽株式会社 | 热塑性聚酰亚胺、使用该聚酰亚胺的层合聚酰亚胺薄膜以及金属箔层合聚酰亚胺薄膜 |
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| JP2010195983A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Fujifilm Corp | 樹脂組成物、該樹脂組成物を用いた硬化物、フレキシブル銅張積層板、フレキシブルプリント基板、及びフレキシブルプリント基板の製造方法 |
| JP2010201625A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フレキシブル基板用積層体及び熱伝導性ポリイミドフィルム |
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| US20130196134A1 (en) * | 2009-08-03 | 2013-08-01 | E I Du Pont De Nemours And Company | Matte finish polyimide films and methods relating thereto |
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| WO2012011970A1 (en) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Matte finish polyimide films and methods relating thereto |
| US8541107B2 (en) * | 2009-08-13 | 2013-09-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Pigmented polyimide films and methods relating thereto |
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| JP2011060622A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 透明導電性膜積層体およびその製造方法 |
| WO2011051412A1 (en) | 2009-10-29 | 2011-05-05 | Sun Chemical B.V. | Polyamideimide adhesives for printed circuit boards |
| US20110123796A1 (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Interposer films useful in semiconductor packaging applications, and methods relating thereto |
| WO2011063247A2 (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Interposer films useful in semiconductor packaging applications, and methods relating thereto |
| WO2011089922A1 (ja) * | 2010-01-25 | 2011-07-28 | 三井化学株式会社 | ポリイミド樹脂組成物、それを含む接着剤、積層体およびデバイス |
| JP2011209521A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| CN102405259B (zh) * | 2010-05-31 | 2013-03-13 | 株式会社有泽制作所 | 聚酰亚胺树脂用组合物及由其形成的聚酰亚胺树脂 |
| JP2012006200A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ポリイミド金属積層体、及びそれを用いたプリント配線板 |
| WO2012024099A1 (en) * | 2010-08-16 | 2012-02-23 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Water and oil separation system |
| US8853723B2 (en) * | 2010-08-18 | 2014-10-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Light emitting diode assembly and thermal control blanket and methods relating thereto |
| TW201208879A (en) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Du Pont | Light emitting diode assembly and thermal control blanket and methods relating thereto |
| JP5345116B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2013-11-20 | 日本化薬株式会社 | 銅張積層板及びその製造方法、並びに該銅張積層板を含む配線基板 |
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