JP2015523730A5

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Publication number: JP2015523730A5
Application number: JP2015518587A
Authority: JP
Filing date: 2013-06-21
Publication date: 2016-07-14

Description

以下、本明細書に記載の種な発明について列記する。
（１）以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第１の面は、前記第１の像形成された金属層に接する、第１の電気絶縁層、
ｄ．第２の像形成された金属層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第２の面は、前記第２の像形成された金属層接する、第２の像形成された金属層、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された金属層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第１の面は、前記第３の像形成された金属層に接する、第２の電気絶縁層、
ｈ．第４の像形成された金属層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第２の面は、前記第４の像形成された金属層に接する、第４の像形成された金属層、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる回路基板であって、
前記ポリイミドボンドプライが、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ前記第３の像形成された金属層および前記第２の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に直接接触し、
３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）前記第１の像形成された金属層、前記第１の電気絶縁層および前記第２の像形成された金属層、
ｉｉ）前記ポリイミドボンドプライ、ならびに
ｉｉｉ）前記第３の像形成された金属層、前記第２の電気絶縁層および前記第４の像形成された金属層
が積層される場合、前記ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、
前記第１のポリイミドカバーレイが、前記第１の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ前記第２のポリイミドカバーレイが、前記第４の像形成された金属層および前記第２の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ
前記第１の電気絶縁層および前記第２の電気絶縁層が、３２０〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である、回路基板。
（２）前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（３）前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（４）前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（１）に記載の回路基板。
（５）前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（１）に記載の回路基板。
（６）前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、（１）に記載の回路基板。
（７）前記第２の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、（１）に記載の回路基板。
（８）前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触し、かつ
前記第２の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、（１）に記載の回路基板。
（９）前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１０）前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１１）前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（８）に記載の回路基板。
（１２）前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（８）に記載の回路基板。
（１３）前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方が顔料および艶消し剤を含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１４）前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ前記低伝導率カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方に存在する、（１３）に記載の回路基板。
（１５）前記艶消し剤がポリイミド粒子である、（１３）に記載の回路基板。
（１６）前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方が、低伝導率カーボンブラックおよび艶消し剤を含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１７）前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１８）前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１９）前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方が顔料および艶消し剤を含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（２０）前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ前記低伝導率カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方に存在する、（１９）に記載の回路基板。
（２１）前記艶消し剤がポリイミド粒子である、（１９）に記載の回路基板。
（２２）前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方が、低伝導率カーボンブラックおよび艶消し剤を含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（２３）前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイおよび前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（２４）前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイおよび前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１）に記載の回路基板。

Claims

以下の順序で、
ａ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる第１のポリイミドカバーレイ、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第１の面は、前記第１の像形成された金属層に接する、第１の電気絶縁層、
ｄ．第２の像形成された金属層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第２の面は、前記第２の像形成された金属層に接する、第２の像形成された金属層、
ｅ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなるポリイミドボンドプライ、
ｆ．第３の像形成された金属層、
ｇ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第１の面は、前記第３の像形成された金属層に接する、第２の電気絶縁層、
ｈ．第４の像形成された金属層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第２の面は、前記第４の像形成された金属層に接する、第４の像形成された金属層、
ｉ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる第２のポリイミドカバーレイ
を含んでなる回路基板であって、
前記ポリイミドボンドプライが、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ前記第３の像形成された金属層および前記第２の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に直接接触し、
３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）前記第１の像形成された金属層、前記第１の電気絶縁層および前記第２の像形成された金属層、
ｉｉ）前記ポリイミドボンドプライ、ならびに
ｉｉｉ）前記第３の像形成された金属層、前記第２の電気絶縁層および前記第４の像形成された金属層
が積層される場合、前記ポリイミドボンドプライは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、
前記第１のポリイミドカバーレイが、前記第１の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ前記第２のポリイミドカバーレイが、前記第４の像形成された金属層および前記第２の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ
前記第１の電気絶縁層および前記第２の電気絶縁層が、３２０〜３８０℃の積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である、回路基板。
前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、請求項１に記載の回路基板。
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、請求項１に記載の回路基板。
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、請求項１に記載の回路基板。
前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、請求項１に記載の回路基板。
前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、請求項１に記載の回路基板。
前記第２の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、請求項１に記載の回路基板。
前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触し、かつ
前記第２の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、請求項１に記載の回路基板。
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、請求項８に記載の回路基板。
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、請求項８に記載の回路基板。