JP2015222416A - 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶およびその製造方法 - Google Patents

電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015222416A
JP2015222416A JP2015072648A JP2015072648A JP2015222416A JP 2015222416 A JP2015222416 A JP 2015222416A JP 2015072648 A JP2015072648 A JP 2015072648A JP 2015072648 A JP2015072648 A JP 2015072648A JP 2015222416 A JP2015222416 A JP 2015222416A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phthalocyanine crystal
crystal
phthalocyanine
compound represented
producing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015072648A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6478769B2 (ja
Inventor
純平 久野
Junpei Kuno
純平 久野
田中 正人
Masato Tanaka
正人 田中
孟 西田
Takeshi Nishida
孟 西田
川原 正隆
Masataka Kawahara
正隆 川原
要 渡口
Kaname Toguchi
要 渡口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2015072648A priority Critical patent/JP6478769B2/ja
Priority to US14/689,341 priority patent/US9645515B2/en
Priority to DE102015106594.0A priority patent/DE102015106594B4/de
Priority to CN201510212933.1A priority patent/CN105022240B/zh
Publication of JP2015222416A publication Critical patent/JP2015222416A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6478769B2 publication Critical patent/JP6478769B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0662Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic containing metal elements
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/22Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains four or more hetero rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F5/00Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
    • C07F5/003Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table without C-Metal linkages
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/54Organic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/75Details relating to xerographic drum, band or plate, e.g. replacing, testing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G21/00Arrangements not provided for by groups G03G13/00 - G03G19/00, e.g. cleaning, elimination of residual charge
    • G03G21/16Mechanical means for facilitating the maintenance of the apparatus, e.g. modular arrangements
    • G03G21/18Mechanical means for facilitating the maintenance of the apparatus, e.g. modular arrangements using a processing cartridge, whereby the process cartridge comprises at least two image processing means in a single unit
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0696Phthalocyanines

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

【課題】ポジゴースト画像が抑制された画像を出力可能な電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。
【解決手段】電子写真感光体の感光層が、式(1)で示される化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶を含有し、該式(1)で示される化合物の含有量が、前記フタロシアニン結晶中のフタロシアニンに対して0.1質量%以上1.7質量%以下であることを特徴とする。
【選択図】なし

Description

本発明は、電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびにフタロシアニン結晶およびその製造方法に関する。
複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置に用いられる電子写真感光体には、像露光の光に対して十分な感度を有することが求められている。電荷発生物質として用いられているアゾ顔料およびフタロシアニン顔料は、広い範囲の波長の光に対して高い感度を示すことが知られている。
それに加えて、近年ではカラー化に代表されるように高画質化が求められ、カラー化により、写真に代表されるハーフトーン画像やベタ画像が多くなっており、それらの画像品質は年々高まる一方である。画像1枚の中で光が照射された部分が次回転目に、ハーフトーン画像において前記光照射部分のみの濃度が濃くなる現象、所謂ポジゴースト画像、などに対する許容範囲が、白黒プリンターや白黒複写機の許容範囲に比べると格段に厳しくなってきている。これらのゴースト画像は、電荷発生物質からの発生キャリアーの一つである正孔が電荷輸送層中に注入した後、電子が電荷発生層中に残り易く、メモリーとなるためと考えられている。
特許文献1には、アミド基を有する化合物、スルホキシド基を有する化合物および有機アミンから選択された少なくとも1種の極性有機溶剤を含有することを特徴とするヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が開示されている。
特許文献2には、N−メチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N−メチルプロピオンアミドを用いてミリング処理して得られるヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が開示されている。
特開平7−331107号公報 特開2002−235014号公報
本発明者らの検討の結果、特許文献1に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ポジゴーストの抑制を十分に改善しているものではないことがわかった。また、特許文献2に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、それら化合物の含有量に関する記載、および実施例もなく、ポジゴーストの抑制を改善する余地があることがわかった。
本発明の目的は、ポジゴースト画像が抑制された欠陥の少ない画像を出力可能な電子写真感光体、およびその製造方法を提供することにある。ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。
更に、本発明の他の目的は、特定のアミド化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶およびその製造方法を提供することにある。
本発明は、支持体および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、
該感光層が、下記式(1)に示される化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶を含有し、
式(1)で示される化合物の含有量が、前記フタロシアニン結晶中のフタロシアニンに対して0.1質量%以上1.7質量%以下であることを特徴とする電子写真感光体である。
Figure 2015222416
(式(1)中、Xは水素原子または炭素数1〜2のアルキル基を示す。)
また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段、および、クリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジである。
また、本発明は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段、および、転写手段を有する電子写真装置である。
また、本発明は、上記式(1)に示される化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶であって、
該式(1)で示される化合物の含有量が、該フタロシアニン結晶中のフタロシアニンに対して0.1質量%以上1.7質量%以下であることを特徴とするフタロシアニン結晶である。
また、本発明は、前記式(1)で示される化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶を製造するフタロシアニン結晶の製造方法であって、該製造方法が、
前記式(1)で示される化合物をフタロシアニンに加えてミリング処理をすることにより、フタロシアニンの結晶変換を行う結晶変換工程を有することを特徴とするフタロシアニン結晶の製造方法である。
また、本発明は、支持体および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法であって、
上記のフタロシアニン結晶の製造方法により、前記フタロシアニン結晶を製造する工程、および
前記フタロシアニン結晶を含有する感光層用塗布液の塗膜を形成し、該塗膜を乾燥させて該感光層を形成する工程、
を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
本発明によれば、ポジゴースト画像が抑制された電子写真感光体、その製造方法、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供できる。
さらに、特定のアミド化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶およびその製造方法を提供することができる。
本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。 実施例1−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。 実施例1−5で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。 実施例1−6で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。 実施例1−7で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。 実施例1−8で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。 実施例1−9で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。 実施例1−10で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。 ゴースト画像評価の際に用いるゴースト評価用画像を説明するものである。 1ドット桂馬パターン画像を説明する図である。 実施例1−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶のH−NMRスペクトル図である。 比較例1−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶のH−NMRスペクトル図である。 実施例1−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の分光吸収スペクトル図である。
本発明の電子写真感光体は、上記のとおり、支持体および該支持体上に形成された感光層を有する。そして、該感光層が、下記式(1)で示される化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶を含有し、式(1)で示される化合物の含有量が、フタロシアニン結晶中のフタロシアニンに対して0.1質量%以上1.7質量%以下であることを特徴とする。
Figure 2015222416
(式(1)中、Xは水素原子または炭素数1〜2のアルキル基を示す。)
フタロシアニン結晶中のフタロシアニンとは、式(1)で示される化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶のうち式(1)で示される化合物を除いたもののことを示す。式(1)で示される化合物の含有量は、詳細は後述の通りであるが、NMR測定により求めることが可能である。
式(1)で示される化合物を結晶内に含有しているフタロシアニン結晶を構成するフタロシアニンとしては、例えば、無金属フタロシアニンや軸配位子を有しても良い金属フタロシアニンのようなフタロシアニンでも使用でき、さらに置換基を有しても良い。中でも特にオキシチタニウムフタロシアニンおよびガリウムフタロシアニンは、優れた感度特性を有している反面、生成したフォトキャリアが感光層に残存しやすく、ポジゴースト画像などを起こしやすいという課題があり、本発明が有効に作用し好ましい。
ガリウムフタロシアニンとしては、例えば、ガリウムフタロシアニン分子のガリウム原子に軸配位子としてハロゲン原子、ヒドロキシ基、または、アルコキシ基を有するものが挙げられる。また、フタロシアニン環にハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。
ガリウムフタロシアニン結晶の中でも、優れた感度を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、クロロガリウムフタロシアニン結晶、ブロモガリウムフタロシアニン結晶、ヨードガリウムフタロシアニン結晶が、好ましい。中でもヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が特に好ましい。ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶とは、ガリウム原子が軸配位子としてヒドロキシ基を有するものである。クロロガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子として塩素原子を有するものである。ブロモガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子として臭素原子を有するものである。ヨードガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子としてヨウ素原子を有するものである。
さらに、ゴースト現象による画像欠陥の抑制の観点から、CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θにおいて7.4°±0.3°および28.3°±0.3°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶であることがより好ましい。
前記フタロシアニン結晶中のフタロシアニンに含有される前記式(1)で示される化合物の含有量は、0.1質量%以上、1.7質量%以下である。より好ましくは、0.2質量%以上1.2質量%以下である。
前記式(1)で示される化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶とは、結晶内に前記式(1)で示される化合物を取込んでいることを意味する。
フタロシアニン結晶内に、前記式(1)で示される化合物が取り込まれていると、溶媒の分子内極性によって電荷トラップサイトが相殺されるため、電子が電荷発生層中に残りにくくなると推測している。それによって、本発明の電子写真感光体はゴーストが抑制されると考えられる。
前記式(1)で示される化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶の製造方法について説明する。
前記式(1)で示される化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶は、式(1)で示される化合物をフタロシアニンに加えてミリング処理をすることにより、フタロシアニンの結晶変換を行う結晶変換工程で得られる。ミリング処理に用いるフタロシアニンは、アシッドペースティング法により得られたフタロシアニンであることが好ましい。
ここで行うミリング処理とは、例えば、ガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナボールなどの分散剤とともにサンドミル、ボールミルなどのミリング装置を用いて行う処理である。ミリング処理において加える前記式(1)で示される化合物の量は、質量基準でフタロシアニンの5〜30倍が好ましい。
また、変換溶剤としては上記式(1)に示される化合物の他に、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1−メチル−2−ピロリドンなどのアミド系溶剤、クロロホルムなどのハロゲン系溶剤、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶剤、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶剤などを併用しても良い。溶剤の使用量は、質量基準でフタロシアニンの5〜30倍が好ましい。
ミリング処理の時間としては、200時間以上であることが好ましい。さらには、200時間以上2000時間以下であることが好ましい。
本発明のフタロシアニン結晶が前記式(1)で示される化合物を結晶内に含有しているかどうかについて、本発明においては、得られたフタロシアニン結晶をNMR測定し、データを解析することにより決定した。
本発明のフタロシアニン結晶のX線回折およびNMRの測定は、次の条件で行った。
[粉末X線回折測定]
使用測定機:理学電気(株)製、X線回折装置RINT−TTRII
X線管球:Cu
管電圧:50KV
管電流:300mA
スキャン方法:2θ/θスキャン
スキャン速度:4.0°/min
サンプリング間隔:0.02°
スタート角度(2θ):5.0°
ストップ角度(2θ):40.0°
アタッチメント:標準試料ホルダー
フィルター:不使用
インシデントモノクロ:使用
カウンターモノクロメーター:不使用
発散スリット:開放
発散縦制限スリット:10.00mm
散乱スリット:開放
受光スリット:開放
平板モノクロメーター:使用
カウンター:シンチレーションカウンター
H−NMR測定]
使用測定器:BRUKER製、商品名:AVANCEIII 500
溶媒:重硫酸(DSO
積算回数:2000
前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に含有される化合物(1)のXが水素原子であることが、ゴースト現象抑制の観点から好ましい。
更には、前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、分光吸収スペクトルにおいて、642〜650nmの範囲に極大ピークを有していると、ゴースト現象抑制の観点からより好ましい。
更には、前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、分光吸収スペクトルにおいて、810〜820nmに極大ピークを有していると、ゴースト現象抑制の観点からより好ましい。
尚、極大ピークとは、分光吸収スペクトルにおいて、吸光度の変化が増加から減少に転じる頂点のことを意味する。
本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の分光吸収スペクトルの測定は、次の条件で行った。測定用のサンプルには、ポリエステルフィルム(商品名:ルミラー 型番T60厚み100μm、東レ(株)製)上に電荷発生層(感光層)のみを形成したものを用いた。以下にその形成方法を示す。
本発明のフタロシアニン結晶10部、ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX−1、積水化学工業(株)製)5部、および、シクロヘキサノン250部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、1時間分散処理し、これに酢酸エチル250部を加えて希釈することによって、フタロシアニン結晶分散液を調製した。この分散液を前記ポリエステルフィルム上に塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって、膜厚が0.15μmのフタロシアニン結晶の分散膜を形成した。
得られた分散膜を以下の測定器を用いて、分光吸収スペクトルを測定した。
<分光吸収スペクトル>
使用測定器:日本分光株式会社製、紫外可視分光光度計JASCO V−570
測光モード:Abs
レスポンス:fast
バンド幅:2.0nm 近赤外(バンド幅):8.0nm
走査速度:200nm/min
開始波長:1000nm
終了波長:300nm
データ取込間隔:0.5nm
前記式(1)で示される化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶は、光導電体としての機能に優れ、電子写真感光体以外にも、太陽電池、センサー、スイッチング素子などに適用することができる。
次に、前記式(1)で示される化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶を電子写真感光体における電荷発生物質として適用する場合について説明する。
本発明の電子写真感光体は、支持体および該支持体上に形成された感光層を有する。感光層には、電荷発生物質および電荷輸送物質をともに含有する単一層からなる感光層(単層型感光層)や、電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とを積層してなる感光層(積層型感光層)がある。中でも、電荷発生層、電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する積層型感光層が好ましい。
本発明の電子写真感光体に用いられる支持体としては、導電性を有するもの(導電性支持体)が好ましい。例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル、インジウム、金および白金などの金属製、合金製の支持体を用いることができる。その他にはアルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジウム、酸化スズおよび酸化インジウム−酸化スズ合金を真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチック(例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂およびポリフッ化エチレン)、導電性粒子(例えば、アルミニウム粒子、酸化チタン粒子、酸化スズ粒子、酸化亜鉛粒子、カーボンブラック、銀粒子など)を結着樹脂とともにプラスチックまたは前記支持体の上に被覆した支持体、導電性粒子をプラスチックや紙に含浸させた支持体や、導電性ポリマーを有するプラスチックなどを用いることができる。
本発明の電子写真感光体においては、支持体および感光層の間にはバリア機能と接着機能とを持つ下引き層(バリア層、中間層とも呼ばれる。)を設けることもできる。下引き層は、結着樹脂、および溶剤を混合することによって得られる下引き層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって下引き層を形成することができる。
結着樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、カゼイン、ポリアミド(ナイロン6、ナイロン66、ナイロン610、共重合ナイロンおよびN−アルコキシメチル化ナイロンなど)、ポリウレタン、にかわ、酸化アルミニウムおよびゼラチンなどが用いられる。その膜厚は0.1〜10μm、好ましくは0.5〜5μmである。
さらに、支持体と中間層との間に、導電性粒子を含有する導電層を設けてもよい。
単層型感光層を形成する場合、式(1)で示される化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶を電荷発生物質として用い、電荷輸送物質と共に結着樹脂溶液中に混合して、感光層用塗布液を調製する。この感光層用塗布液を支持体上に塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって感光層を形成することができる。
積層型感光層を形成する場合には、電荷発生層は、式(1)で示される化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶を結着樹脂溶液中に分散させて得られた電荷発生層用塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。また、蒸着によって電荷発生層を形成することもできる。
積層型感光層を形成する場合、電荷輸送層は、電荷輸送物質および結着樹脂を溶剤に溶解させて得られた電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に塗布し、得られた塗膜を乾燥させて形成することができる。
電荷輸送物質としては、例えば、トリアリールアミン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチルベン系化合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、トリアリルメタン系化合物などが挙げられる。
単層型感光層、電荷発生層、電荷輸送層に用いる結着樹脂としては、以下のものが挙げられる。例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリビニルカルバゾール、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリサルホン、ポリアリレート、塩化ビニリデン、アクリロニトリル共重合体、ポリビニルベンザールなどの樹脂が用いられる。
感光層の塗布方法としては、ディッピング法、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、ブレードコーティング法、ビームコーティング法などの塗布方法を用いることができる。
感光層が単層型である場合、膜厚は、4〜40μmであることが好ましく、5〜25μmであることがより好ましい。
感光層が積層型である場合、電荷発生層の膜厚は、0.01〜10μmであることが好ましく、0.1〜3μmであることがより好ましい。また、電荷輸送層の膜厚は、4〜40μmであることが好ましく、5〜25μmであることがより好ましい。
感光層が積層型である場合、電荷発生層中の電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して20〜90質量%であることが好ましく、50〜80質量%であることがより好ましい。また、電荷輸送層中の電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して20〜80質量%であることが好ましく、30〜70質量%であることがより好ましい。
感光層が単層型である場合、電荷発生物質の含有量は、感光層の全質量に対して3〜30質量%であることが好ましい。また、電荷輸送物質の含有量は、感光層の全質量に対して30〜70質量%であることが好ましい。
本発明に係るフタロシアニン結晶を電荷発生物質として用いる場合、他の電荷発生物質と混合して用いることもできる。この場合、本発明に係るフタロシアニン結晶の含有率は、全電荷発生物質に対して50質量%以上が好ましい。
感光層上には、必要に応じて保護層を設けてもよい。保護層は、結着樹脂を溶剤に溶解させて得られた保護層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって形成することができる。結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール、ポリエステル、ポリカーボネート(ポリカーボネートZ、変性ポリカーボネートなど)、ナイロン、ポリイミド、ポリアリレート、ポリウレタン、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン−アクリル酸コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマーなどが挙げられる。
保護層の膜厚は、0.05〜20μmであることが好ましい。
保護層には、導電性粒子や紫外線吸収剤などを含有させてもよい。導電性粒子としては、例えば、酸化スズ粒子などの金属酸化物粒子が挙げられる。
図1は、本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
1は円筒状(ドラム状)の電子写真感光体であり、軸2を中心に矢印方向に所定の周速度(プロセススピード)をもって回転駆動される。
電子写真感光体1の表面は、回転過程において、帯電手段3により、正または負の所定電位に帯電される。次いで、帯電された電子写真感光体1の表面には、像露光手段(不図示)から像露光光4が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成されていく。像露光光4は、例えば、スリット露光やレーザービーム走査露光などの像露光手段から出力される、目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号に対応して強度変調された光である。
電子写真感光体1の表面に形成された静電潜像は、現像手段5内に収容されたトナーで現像(正規現像または反転現像)され、電子写真感光体1の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体1の表面に形成されたトナー像は、転写手段6により、転写材7に転写されていく。このとき、転写手段6には、バイアス電源(不図示)からトナーの保有電荷とは逆極性のバイアス電圧が印加される。また、転写材7が紙である場合、転写材7は給紙部(不図示)から取り出されて、電子写真感光体1と転写手段6との間に電子写真感光体1の回転と同期して給送される。
電子写真感光体1からトナー像が転写された転写材7は、電子写真感光体1の表面から分離されて、像定着手段8へ搬送されて、トナー像の定着処理を受けることにより、画像形成物(プリント、コピー)として電子写真装置の外へプリントアウトされる。
転写材7にトナー像を転写材に転写した後の電子写真感光体1の表面は、クリーニング手段9により、トナー(転写残りトナー)などの付着物の除去を受けて清浄される。近年、クリーナレスシステムも開発され、転写残りトナーを直接、現像器などで除去することもできる。さらに、電子写真感光体1の表面は、前露光手段(不図示)からの前露光光10により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、帯電手段3が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光手段は必ずしも必要ではない。
本発明においては、上述の電子写真感光体1、帯電手段3、現像手段5、転写手段6およびクリーニング手段9などの構成要素のうち、複数の構成要素を容器に納めて一体に支持してプロセスカートリッジを形成してもよい。このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成することができる。例えば、帯電手段3、現像手段5およびクリーニング手段9から選択される少なくとも1つを電子写真感光体1とともに一体に支持してカートリッジ化する。そして、電子写真装置本体のレールなどの案内手段12を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ11とすることができる。
像露光光4は、電子写真装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光であってもよい。または、センサーで原稿を読み取り、信号化し、この信号に従って行われるレーザービームの走査、LEDアレイの駆動もしくは液晶シャッターアレイの駆動などにより放射される光であってもよい。
本発明の電子写真感光体1は、レーザービームプリンター、CRTプリンター、LEDプリンター、FAX、液晶プリンターおよびレーザー製版などの電子写真応用分野にも幅広く適用することができる。
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。なお、実施例および比較例の電子写真感光体の各層の膜厚は、渦電流式膜厚計(Fischerscope、フィッシャーインスツルメント社製)で求め、または、単位面積当たりの質量から比重換算で求めた。なお、実施例中の「部」は「質量部」を意味する。
〔実施例1−1〕
特開2011−94101号公報に記載の合成例1に続いて実施例1−1と同様に、以下のようにヒドロキシガリウムフタロシアニンを製造した。窒素フローの雰囲気下、フタロニトリル5.46部およびα−クロロナフタレン45部を反応釜に投入した後、加熱し、温度30℃まで昇温させた後、この温度を維持した。次に、この温度(30℃)で三塩化ガリウム3.75部を投入した。投入時の混合液の水分値は150ppmであった。その後、温度200℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度200℃で4.5時間反応させた後、冷却し、温度150℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をN,N−ジメチルホルムアミドを用いて温度140℃で2時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を4.65部(収率71%)得た。次に、得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料4.65部を、温度10℃で濃硫酸139.5部に溶解させ、攪拌下、氷水620部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて濾過した。得られたウエットケーキ(濾過物)を2%アンモニア水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られたウエットケーキ(濾過物)をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を3回繰り返し、その後、固形分23%のヒドロキシガリウムフタロシアニン(含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン)を得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン(含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン)6.6kgをハイパー・ドライ乾燥機(商品名:HD−06R、周波数(発振周波数):2455MHz±15MHz、日本バイオコン(株)製)を用いてマイクロ波照射を行い、ヒドロキシガリウムフタロシアニンを乾燥させた。
このようにして得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン0.5部、下記式で示される化合物(1)
Figure 2015222416
(製品コード:F0059、東京化成工業(株)製)9.5部を、直径0.8mmのガラスビーズ15部とともにボールミルでミリング処理を室温(23℃)下で600時間行った。この際、容器は規格びん(製品コード:PS−6、柏洋硝子製)を用い、容器が1分間に60回転する条件で行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をテトラヒドロフランを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.45部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図2に示す。CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°にピークを有することがわかる。この結晶を重硫酸に溶解し、H−NMR測定を行ったところ、フタロシアニン分子由来のピークの他に、化合物(1)由来のピークが観測された。化合物(1)は液体であり、テトラヒドロフランに相溶することから、化合物(1)はフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
フタロシアニン結晶中のフタロシアニンに対して化合物(1)の含有量はプロトン比率から換算し0.9質量%であった。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶のH−NMRスペクトルを図11に示す。また、この得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いて、上述の分光吸収スペクトルの測定を行った。その測定結果を図13に示す。尚、図13の縦軸は、得られた最大吸光度(単位Abs)を1として規格化している。また、600〜660nmの波長域での極大ピーク位置、及び800〜900nmの波長域での極大ピーク位置を表1に示す。
〔実施例1−2〕
実施例1−1において、ミリング処理時間を200時間とした以外は実施例1−1と同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折スペクトルは図2と同様で、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°にピークを有していた。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内には化合物(1)が1.7質量%含有されていることが確認された。また、この得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いて、上述の分光吸収スペクトルの測定を行った。得られた600〜660nmの波長域での極大ピーク位置、及び800〜900nmの波長域での極大ピーク位置を表1に示す。
〔実施例1−3〕
実施例1−1において、ミリング処理時間を1000時間とした以外は実施例1−1と同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折スペクトルは図2と同様で、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°にピークを有していた。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内には化合物(1)が0.7質量%含有されていることが確認された。また、この得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いて、上述の分光吸収スペクトルの測定を行った。得られた600〜660nmの波長域での極大ピーク位置、及び800〜900nmの波長域での極大ピーク位置を表1に示す。
〔実施例1−4〕
実施例1−1において、ミリング処理時間を2000時間とした以外は実施例1−1と同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折スペクトルは図2と同様で、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°にピークを有していた。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内には化合物(1)が0.55質量%含有されていることが確認された。また、この得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いて、上述の分光吸収スペクトルの測定を行った。得られた600〜660nmの波長域での極大ピーク位置、及び800〜900nmの波長域での極大ピーク位置を表1に示す。
〔実施例1−5〕
実施例1−1において、ボールミルでのミリング処理を、ペイントシェーカー(東洋精機社製)で8時間のミリング処理に代えた以外は、実施例1−1と同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折スペクトル得られた結晶の粉末X線回折図を図3に示す。CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°にピークを有することがわかる。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内には化合物(1)が1.6質量%含有されていることが確認された。また、この得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いて、上述の分光吸収スペクトルの測定を行った。得られた600〜660nmの波長域での極大ピーク位置、及び800〜900nmの波長域での極大ピーク位置を表1に示す。
〔実施例1−6〕
実施例1−1において、上記式(1)で示される化合物を下記式で示される化合物(2)
Figure 2015222416
(製品コード:M0133、東京化成工業(株)製)に変更し、ボールミルでのミリング処理を高温環境(40℃)下で200時間行った。それ以外は実施例1−2と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図4に示す。CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°にピークを有することがわかる。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内には上記化合物(2)が1.3質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1−7〕
実施例1−6において、ボールミルでのミリング処理を、ペイントシェーカー(東洋精機社製)で8時間のミリング処理に代えた以外は、実施例1−6と同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図5に示す。CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°にピークを有することがわかる。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内には化合物(2)が1.55質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1−8〕
実施例1−4において、上記式(1)で示される化合物を下記式(3)で示される化合物
Figure 2015222416
(製品コード:M0488、東京化成工業(株)製)に変更した以外は実施例1−4と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図6に示す。CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°にピークを有することがわかる。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内には上記化合物(3)が1.7質量%含有されていることが確認された。
〔実施例1−9〕
実施例1−3において、上記式(1)で示される化合物9.5部を、N,N−ジメチルホルムアミド(製品コード:D0722、東京化成工業(株)製)4.8部および上記式(1)で示される化合物4.7部を用いた。それ以外は実施例1−3と同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図7に示す。CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°にピークを有することがわかる。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内には化合物(1)が0.3質量%含有されていることが確認された。また、この得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いて、上述の分光吸収スペクトルの測定を行った。得られた600〜660nmの波長域での極大ピーク位置、及び800〜900nmの波長域での極大ピーク位置を表1に示す。
〔実施例1−10〕
実施例1−3において、上記式(1)で示される化合物9.5部を、N,N−ジメチルホルムアミド(D0722)7.6部および上記式(1)で示される化合物1.9部を用いた。それ以外は実施例1−3と同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図8に示す。CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°にピークを有することがわかる。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内には化合物(1)が0.1質量%含有されていることが確認された。また、この得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いて、上述の分光吸収スペクトルの測定を行った。得られた600〜660nmの波長域での極大ピーク位置、及び800〜900nmの波長域での極大ピーク位置を表1に示す。
〔比較例1−1〕
実施例1−1において、ヒドロキシガリウムフタロシアニン0.5部、上記式(1)で示される化合物9.5部、直径0.8mmのガラスビーズ15部を、ヒドロキシガリウムフタロシアニン1.25部、N,N−ジメチルホルムアミド9.5部、直径5mmのガラスビーズ25部に変更した。さらに、ミリング処理時間を48時間とした以外は、実施例1−1と同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造工程においては、上記式(1)で示される化合物を用いていない。従って比較例1−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中には上記式(1)で示される化合物が含まれていない。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内にはN,N−ジメチルホルムアミドが2.1質量%含有されていることが確認された。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶のH−NMRスペクトルを図12に示す。
〔比較例1−2〕
実施例1−1において、上記式(1)で示される化合物をN,N−ジメチルホルムアミドに変更し、ミリング処理時間を100時間とした以外は実施例1−1と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。比較例1−2で得たヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造工程においては、上記式(1)で示される化合物を用いていない。従って比較例1−2で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中には上記式(1)で示される化合物が含まれていない。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内にはN,N−ジメチルホルムアミドが2.1質量%含有されていることが確認された。また、この得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いて、上述の分光吸収スペクトルの測定を行った。得られた600〜660nmの波長域での極大ピーク位置、及び800〜900nmの波長域での極大ピーク位置を表1に示す。
〔比較例1−3〕
実施例1−1において、ミリング処理時間を100時間とした以外は実施例1−1と同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内には化合物(1)が2.1質量%含有されていることが確認された。また、この得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いて、上述の分光吸収スペクトルの測定を行った。得られた600〜660nmの波長域での極大ピーク位置、及び800〜900nmの波長域での極大ピーク位置を表1に示す。
〔比較例1−4〕
実施例1−1において、上記式(1)で示される化合物をジメチルスルホキシド(製品コード:D0798、東京化成工業(株)製)に変更し、ミリング処理時間を100時間とした以外は実施例1−1と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。比較例1−4で得たヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造工程においては、上記式(1)で示される化合物を用いていない。従って比較例1−4で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中には上記式(1)で示される化合物が含まれていない。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内にはN,N−ジメチルスルホキシドが2.4質量%含有されていることが確認された。
〔比較例1−5〕
実施例1−1において、上記の化合物(1)を1−メチル−2−ピロリドン(製品コード:M0418、東京化成工業(株)製)に変更し、ミリング処理時間を100時間とした以外は実施例1−1と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。比較例1−5で得たヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造工程においては、上記式(1)で示される化合物を用いていない。従って比較例1−5で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中には上記式(1)で示される化合物が含まれていない。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内には1−メチル−2−ピロリドンが2.9質量%含有されていることが確認された。
〔比較例1−6〕
実施例1−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン7部、N,N−ジメチルホルムアミド210部を、直径1.0mmのガラスビーズ300部とともにサンドミルでミリング処理を室温(23℃)下で5時間行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をテトラヒドロフランを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を5.2部得た。ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造工程においては、上記式(1)で示される化合物を用いていない。従って比較例1−6で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中には上記式(1)で示される化合物が含まれていない。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内にはN,N−ジメチルホルムアミドが2.4質量%含有されていることが確認された。
〔比較例1−7〕
実施例1−1において、上記式(1)で示される化合物をN,N−ジメチルホルムアミドに変更し、ミリング処理時間を200時間とした以外は、実施例1−1と同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造工程においては、上記式(1)で示される化合物を用いていない。従って比較例1−7で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中には上記式(1)で示される化合物が含まれていない。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内にはN,N−ジメチルホルムアミドが1.85質量%含有されていることが確認された。また、この得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いて、上述の分光吸収スペクトルの測定を行った。得られた600〜660nmの波長域での極大ピーク位置、及び800〜900nmの波長域での極大ピーク位置を表1に示す。
〔比較例1−8〕
実施例1−1において、上記式(1)で示される化合物をN,N−ジメチルホルムアミドに変更し、ミリング処理時間を300時間とした以外は実施例1−1と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。比較例1−8で得たヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造工程においては、上記式(1)で示される化合物を用いていない。従って比較例1−8で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中には上記式(1)で示される化合物が含まれていない。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内にはN,N−ジメチルホルムアミドが1.7質量%含有されていることが確認された。また、この得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いて、上述の分光吸収スペクトルの測定を行った。得られた600〜660nmの波長域での極大ピーク位置、及び800〜900nmの波長域での極大ピーク位置を表1に示す。
〔実施例2−1〕
酸化スズで被覆した硫酸バリウム粒子(商品名:パストランPC1、三井金属鉱業(株)製)60部、酸化チタン粒子(商品名:TITANIX JR、テイカ(株)製)15部、レゾール型フェノール樹脂(商品名:フェノライト J−325、DIC(株)製、固形分70質量%)43部、シリコーンオイル(商品名:SH28PA、東レ・ダウコーニング(株)製)0.015部、シリコーン樹脂(商品名:トスパール120、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製)3.6部、2−メトキシ−1−プロパノール 50部、メタノール 50部からなる溶液を20時間、ボールミルで分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。
この導電層用塗布液を、支持体としてのアルミニウムシリンダー(直径24mm)上に浸漬塗布し、得られた塗膜を30分間140℃で乾燥させることによって、膜厚が15μmの導電層を形成した。
次に、共重合ナイロン樹脂(商品名:アミランCM8000、東レ(株)製)10部およびメトキシメチル化6ナイロン樹脂(商品名:トレジンEF−30T、帝国化学(株)製)30部を、メタノール400部/n−ブタノール200部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。
この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって、膜厚が0.5μmの下引き層を形成した。
次に、実施例1−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶(電荷発生物質)10部、ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX−1、積水化学工業(株)製)5部、および、シクロヘキサノン250部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、1時間分散処理した。これに酢酸エチル250部を加えて希釈することによって、電荷発生層用塗布液を調製した。
この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を10分間100℃で乾燥させることによって、膜厚が0.20μmの電荷発生層を形成した。
次に、下記式(4)で示される化合物(電荷輸送物質)8部、および、ポリカーボネート(商品名:ユーピロンZ−200、三菱ガス化学(株)製)10部を、モノクロロベンゼン80部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。
Figure 2015222416
この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を1時間110℃で乾燥させることによって、膜厚が16μmの電荷輸送層を形成した。
このようにして、円筒状(ドラム状)の実施例2−1の電子写真感光体を作製した。
〔実施例2−2〜2−10〕
実施例2−1において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を、実施例1−2〜1−10で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして実施例2−2〜2−10の電子写真感光体を作成した。
〔比較例2−1〜2−8〕
実施例2−1において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を、比較例1−1〜1−8で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして比較例2−1〜2−8の電子写真感光体を作成した。
〔実施例2−1〜2−10および比較例2−1〜2−8の評価〕
実施例2−1〜2−10および比較例2−1〜2−8の電子写真感光体について、温度23℃/湿度50%RHの常温常湿環境下でゴースト画像の評価を行った。
評価用の電子写真装置として、ヒューレットパッカード社製のレーザービームプリンター(商品名:Color Laser Jet CP3525dn)の改造機を用いた。改造点としては、前露光を点灯せず、帯電条件とレーザー露光量は可変で作動するようにした。また、製造した電子写真感光体をシアン色用のプロセスカートリッジに装着して、シアンのプロセスカートリッジのステーションに取り付け、他の色用のプロセスカートリッジをレーザービームプリンター本体に装着せずとも作動するようにした。
画像の出力に際しては、シアン色用のプロセスカートリッジのみをレーザービームプリンター本体に取り付け、シアントナーのみによる単色画像を出力した。電子写真感光体の表面電位は、初期暗部電位が−500V、明部電位が−100Vとなるように設定した。電位設定の際の電子写真感光体の表面電位の測定には、プロセスカートリッジの現像位置に電位プローブ(商品名:model6000B−8、トレック・ジャパン(株)製)を装着したものを用いた。そして、電子写真感光体の長手方向中央部の電位を表面電位計(商品名:model344、トレック・ジャパン(株)製)を使用して測定した。
ゴースト評価用画像は、図9に示すように、画像の先頭部にベタ白102の中にベタ黒101で四角の画像を出した後、図10に示す1ドット桂馬パターンのハーフトーン画像104を出力することによって形成した。まず、1枚目にベタ白画像を出力し、その後、ゴースト評価用画像を連続して5枚出力し、次に、ベタ黒画像を1枚出力した後、再度、ゴースト評価用画像を5枚出力する、という順番で画像出力を行い、合計10枚のゴースト評価用画像で評価した。
ゴースト画像の評価は、1ドット桂馬パターン画像濃度とゴースト部(ベタ黒101に起因するゴーストが出現し得る部分103)の画像濃度との濃度差を、分光濃度計(商品名:X−Rite504/508、X−Rite(株)製)で測定することで行った。1枚のゴースト評価用画像で10点測定し、それら10点の平均をとって1枚のゴースト評価用画像についての結果とした。そして、10枚のゴースト評価用画像すべてを同様に測定した後、それらの平均値を求め、各例の濃度差とした。この濃度差は、値が小さいほど、ゴーストの程度が小さく、良好であることを意味する。結果を表1に示す。
実施例2−1〜2−10および比較例2−1〜2−8から明らかなように、化合物(1)、(2)、(3)で示される化合物をフタロシアニン結晶中のフタロシアニンに対して0.1質量%以上1.7質量%以下含有するフタロシアニン結晶を感光層に含有する電子写真感光体は、ポジゴースト画像が抑制された画像を提供することができる。
Figure 2015222416
1 電子写真感光体
2 軸
3 帯電手段
4 像露光光
5 現像手段
6 転写手段
7 転写材
8 像定着手段
9 クリーニング手段
10 前露光光
11 プロセスカートリッジ
12 案内手段
101 ベタ黒
102 ベタ白
103 ベタ黒101に起因するゴーストが出現し得る部分
104 ハーフトーン画像(1ドット桂馬パターン)

Claims (18)

  1. 支持体および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、
    該感光層が、下記式(1)に示される化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶を含有し、
    該式(1)で示される化合物の含有量が、前記フタロシアニン結晶中のフタロシアニンに対して0.1質量%以上1.7質量%以下であることを特徴とする電子写真感光体。
    Figure 2015222416
    (式(1)中、Xは水素原子または炭素数1〜2のアルキル基を示す。)
  2. 前記フタロシアニン結晶が、ガリウムフタロシアニン結晶である請求項1に記載の電子写真感光体。
  3. 前記ガリウムフタロシアニン結晶がヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項2に記載の電子写真感光体。
  4. 前記フタロシアニン結晶が、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項3に記載の電子写真感光体。
  5. 前記式(1)で示される化合物の含有量が、前記フタロシアニン結晶中の前記フタロシアニンに対して0.2質量%以上1.2質量%以下である請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
  6. 前記フタロシアニン結晶に含有される化合物(1)のXが水素原子であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
  7. 前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、分光吸収スペクトルにおいて、642〜650nmの範囲に極大ピークを有していることを特徴とする請求項3に記載の電子写真感光体。
  8. 前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、分光吸収スペクトルにおいて、810〜820nmの範囲に極大ピークを有していることを特徴とする請求項7に記載の電子写真感光体。
  9. 前記フタロシアニン結晶が、更にN,N−ジメチルホルムアミドを含有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
  10. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
  11. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置。
  12. 下記式(1)で示される化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶であって、
    該式(1)で示される化合物の含有量が、該フタロシアニン結晶中のフタロシアニンに対して0.1質量%以上1.7質量%以下であることを特徴とするフタロシアニン結晶。
    Figure 2015222416
    (式(1)中、Xは水素原子または炭素数1〜2のアルキル基を示す。)
  13. 前記式(1)で示される化合物の含有量が、前記フタロシアニン結晶中の前記フタロシアニンに対して0.2質量%以上1.2質量%以下である請求項12に記載のフタロシアニン結晶。
  14. 請求項12または13に記載の前記式(1)で示される化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶を製造するフタロシアニン結晶の製造方法であって、
    前記式(1)で示される化合物をフタロシアニンに加えてミリング処理をすることにより、フタロシアニンの結晶変換を行う結晶変換工程を有することを特徴とするフタロシアニン結晶の製造方法。
  15. 前記製造方法が、前記結晶変換工程の前に、アシッドペースティング法によって前記フタロシアニンを得る工程を有する請求項14に記載のフタロシアニン結晶の製造方法。
  16. 前記ミリング処理の時間が200時間以上である請求項14または15に記載のフタロシアニン結晶の製造方法。
  17. 支持体および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法であって、
    請求項14から16のいずれか1項に記載のフタロシアニン結晶の製造方法により、前記フタロシアニン結晶を製造する工程、および
    前記フタロシアニン結晶を含有する感光層用塗布液の塗膜を形成し、該塗膜を乾燥させて該感光層を形成する工程、
    を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
  18. 支持体、該支持体上に形成された電荷発生層および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法であって、
    請求項14から16のいずれか1項に記載のフタロシアニン結晶の製造方法により、前記フタロシアニン結晶を製造する工程、および
    前記フタロシアニン結晶を含有する電荷発生層用塗布液の塗膜を形成し、該塗膜を乾燥させて該電荷発生層を形成する工程、
    を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
JP2015072648A 2014-04-30 2015-03-31 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶およびその製造方法 Active JP6478769B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015072648A JP6478769B2 (ja) 2014-04-30 2015-03-31 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶およびその製造方法
US14/689,341 US9645515B2 (en) 2014-04-30 2015-04-17 Electrophotographic photosensitive member and manufacturing method thereof, process cartridge and electrophotographic apparatus, and phthalocyanine crystal and manufacturing method thereof
DE102015106594.0A DE102015106594B4 (de) 2014-04-30 2015-04-29 Elektrophotographisches photoempfindliches Element und Herstellungsverfahren davon, Prozesskartusche und elektrographischer Apparat, und Phthalocyaninkristall und Herstellungsverfahren davon
CN201510212933.1A CN105022240B (zh) 2014-04-30 2015-04-29 电子照相感光构件及其制造方法、处理盒和电子照相设备、和酞菁晶体及其制造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014094020 2014-04-30
JP2014094020 2014-04-30
JP2015072648A JP6478769B2 (ja) 2014-04-30 2015-03-31 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015222416A true JP2015222416A (ja) 2015-12-10
JP6478769B2 JP6478769B2 (ja) 2019-03-06

Family

ID=54326153

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015072648A Active JP6478769B2 (ja) 2014-04-30 2015-03-31 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶およびその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9645515B2 (ja)
JP (1) JP6478769B2 (ja)
CN (1) CN105022240B (ja)
DE (1) DE102015106594B4 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016161713A (ja) * 2015-02-27 2016-09-05 キヤノン株式会社 電子写真感光体およびその製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶およびその製造方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150346616A1 (en) 2014-06-03 2015-12-03 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, manufacturing method of electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus, and phthalocyanine crystal and manufacturing method of phthalocyanine crystal
US9720337B2 (en) 2014-10-29 2017-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus, and chlorogallium phthalocyanine crystal and method for producing the same
US9563139B2 (en) 2014-11-05 2017-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
US9645516B2 (en) 2014-11-19 2017-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
US20160252832A1 (en) * 2015-02-27 2016-09-01 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus, and mixed crystal of hydroxygallium phthalocyanine and chlorogallium phthalocyanine and method of producing the crystalline complex
JP2017083537A (ja) 2015-10-23 2017-05-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
US10416581B2 (en) 2016-08-26 2019-09-17 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP7034768B2 (ja) 2018-02-28 2022-03-14 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び画像形成装置
JP2019152699A (ja) 2018-02-28 2019-09-12 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7034769B2 (ja) 2018-02-28 2022-03-14 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
US10747130B2 (en) 2018-05-31 2020-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
JP7059112B2 (ja) 2018-05-31 2022-04-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真画像形成装置
JP7150485B2 (ja) 2018-05-31 2022-10-11 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7129225B2 (ja) 2018-05-31 2022-09-01 キヤノン株式会社 電子写真感光体および電子写真感光体の製造方法
JP7059111B2 (ja) 2018-05-31 2022-04-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体およびその製造方法、並びにプロセスカートリッジおよび電子写真画像形成装置
JP7054366B2 (ja) 2018-05-31 2022-04-13 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7413054B2 (ja) 2019-02-14 2024-01-15 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7358276B2 (ja) 2019-03-15 2023-10-10 キヤノン株式会社 電子写真画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP7353824B2 (ja) 2019-06-25 2023-10-02 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7305458B2 (ja) 2019-06-25 2023-07-10 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
US11126097B2 (en) 2019-06-25 2021-09-21 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP7269111B2 (ja) 2019-06-25 2023-05-08 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7337651B2 (ja) 2019-10-18 2023-09-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7337652B2 (ja) 2019-10-18 2023-09-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及びそれを用いた電子写真装置
JP7337649B2 (ja) 2019-10-18 2023-09-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置
US11112719B2 (en) 2019-10-18 2021-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus capable of suppressing lateral running while maintaining satisfactory potential function
JP7337650B2 (ja) 2019-10-18 2023-09-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジおよび電子写真装置
CN113956261A (zh) * 2021-09-16 2022-01-21 昆明学院 新晶体结构氯化酞菁镓纳米带及其制备方法
JP2023131675A (ja) 2022-03-09 2023-09-22 キヤノン株式会社 電子写真装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09241525A (ja) * 1996-03-11 1997-09-16 Fuji Xerox Co Ltd ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体
JP2000137340A (ja) * 1998-08-25 2000-05-16 Canon Inc 電子写真感光体、プロセスカ―トリッジ及び電子写真装置
JP2000344778A (ja) * 1999-05-31 2000-12-12 Canon Inc ガリウムフタロシアニンの製造方法、及び該ガリウムフタロシアニンを用いた電子写真感光体
JP2001288188A (ja) * 2000-01-31 2001-10-16 Canon Inc フタロシアニン結晶、該フタロシアニン結晶の製造方法、該フタロシアニン結晶を用いた電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2002121409A (ja) * 2000-10-18 2002-04-23 Canon Inc ガリウムフタロシアニン化合物の製造方法、該方法によって得られた化合物を含有する電子写真感光体、及び該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP2003192933A (ja) * 2001-12-25 2003-07-09 Canon Inc ガリウムフタロシアニンの製造方法、クロロガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、ガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン結晶、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2005154713A (ja) * 2003-11-06 2005-06-16 Fuji Xerox Co Ltd ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びその製造方法、感光層形成用塗布液の製造方法、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置、並びに、画像形成方法
JP2008015428A (ja) * 2006-07-10 2008-01-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP2013136728A (ja) * 2011-11-30 2013-07-11 Canon Inc ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、及び該ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法を用いた電子写真感光体の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2793020B2 (ja) 1990-06-19 1998-09-03 三菱製紙株式会社 電子写真平版印刷版の製造方法
US5194088A (en) 1991-07-08 1993-03-16 Ciba-Geigy Corporation Process for conditioning organic pigments
JP3216426B2 (ja) 1994-06-06 2001-10-09 富士ゼロックス株式会社 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶及びそれを用いた電子写真感光体
US6245472B1 (en) 1997-09-12 2001-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Phthalocyanine compounds, process for production thereof and electrophotographic photosensitive member using the compounds
JP3796411B2 (ja) 2001-02-08 2006-07-12 キヤノン株式会社 フタロシアニンの新規な結晶型、該化合物結晶型の製造方法、該化合物を用いた電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP5266693B2 (ja) 2007-09-07 2013-08-21 富士ゼロックス株式会社 ガリウムフタロシアニン結晶及びその製造方法、感光体、プロセスカートリッジ、並びに、画像形成装置
JP5713596B2 (ja) 2009-09-29 2015-05-07 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP6071439B2 (ja) 2011-11-30 2017-02-01 キヤノン株式会社 フタロシアニン結晶の製造方法、および電子写真感光体の製造方法
JP2014134773A (ja) 2012-12-14 2014-07-24 Canon Inc 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶
JP6061660B2 (ja) 2012-12-14 2017-01-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6150701B2 (ja) 2013-09-30 2017-06-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6425411B2 (ja) 2014-04-24 2018-11-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
JP6406863B2 (ja) 2014-04-24 2018-10-17 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶、フタロシアニン結晶の製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09241525A (ja) * 1996-03-11 1997-09-16 Fuji Xerox Co Ltd ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体
JP2000137340A (ja) * 1998-08-25 2000-05-16 Canon Inc 電子写真感光体、プロセスカ―トリッジ及び電子写真装置
JP2000344778A (ja) * 1999-05-31 2000-12-12 Canon Inc ガリウムフタロシアニンの製造方法、及び該ガリウムフタロシアニンを用いた電子写真感光体
JP2001288188A (ja) * 2000-01-31 2001-10-16 Canon Inc フタロシアニン結晶、該フタロシアニン結晶の製造方法、該フタロシアニン結晶を用いた電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2002121409A (ja) * 2000-10-18 2002-04-23 Canon Inc ガリウムフタロシアニン化合物の製造方法、該方法によって得られた化合物を含有する電子写真感光体、及び該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP2003192933A (ja) * 2001-12-25 2003-07-09 Canon Inc ガリウムフタロシアニンの製造方法、クロロガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、ガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン結晶、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2005154713A (ja) * 2003-11-06 2005-06-16 Fuji Xerox Co Ltd ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びその製造方法、感光層形成用塗布液の製造方法、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置、並びに、画像形成方法
JP2008015428A (ja) * 2006-07-10 2008-01-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP2013136728A (ja) * 2011-11-30 2013-07-11 Canon Inc ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、及び該ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法を用いた電子写真感光体の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016161713A (ja) * 2015-02-27 2016-09-05 キヤノン株式会社 電子写真感光体およびその製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102015106594A1 (de) 2015-11-05
CN105022240A (zh) 2015-11-04
CN105022240B (zh) 2019-10-11
US9645515B2 (en) 2017-05-09
DE102015106594B4 (de) 2019-05-16
US20150316864A1 (en) 2015-11-05
JP6478769B2 (ja) 2019-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6478769B2 (ja) 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶およびその製造方法
JP6478750B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶およびその製造方法
JP6611472B2 (ja) 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶およびフタロシアニン結晶の製造方法
JP6609116B2 (ja) 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶およびフタロシアニン結晶の製造方法
JP6005216B2 (ja) 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、固溶体および固溶体の製造方法
JP5827612B2 (ja) ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、及び該ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法を用いた電子写真感光体の製造方法
JP6150701B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2015210498A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、ガリウムフタロシアニン結晶
JP2015007761A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶
JP2014134773A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶
JP2016091031A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置、並びに、クロロガリウムフタロシアニン結晶及びその製造方法
JP2014134783A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶
US10012915B2 (en) Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus, and chlorogallium phthalocyanine crystal and method for producing the same
JP6541447B2 (ja) ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP6562810B2 (ja) ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、及び該ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いた電子写真感光体の製造方法
JP6406863B2 (ja) 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶、フタロシアニン結晶の製造方法
JP2016102858A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6425411B2 (ja) 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
JP2016091029A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置、並びに、クロロガリウムフタロシアニン結晶及びその製造方法
JP6452385B2 (ja) 電子写真感光体、その製造方法、電子写真装置及びプロセスカートリッジ
JP6465694B2 (ja) 電子写真感光体およびその製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶およびその製造方法
JP2016164659A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、ヒドロキシガリウムフタロシアニンとクロロガリウムフタロシアニンとの混合結晶、およびその混合結晶の製造方法
JP2016139004A (ja) 電子写真感光体、その製造方法、電子写真装置、プロセスカートリッジ、クロロガリウムフタロシアニン結晶
JP2016161711A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、ガリウムフタロシアニン結晶
JP2016080711A (ja) 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、ガリウムフタロシアニン結晶およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20171214

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20180126

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180305

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181226

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190108

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190205

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6478769

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151