JP2003192933A - ガリウムフタロシアニンの製造方法、クロロガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、ガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン結晶、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ポジゴーストの発生しにくい高品質な画像を
提供すること、長波長の光線に対して極めて高い光感度
を有する電子写真感光体を安定して提供することであ
る。 【解決手段】 ガリウムフタロシアニンの製造方法にお
いて、含水率が０．００６質量％以下である、フタロシ
アニン前駆体と有機溶剤の混合液を調製する混合液調製
工程と、該混合液調製工程によって得られた、含水率が
０．００６質量％以下の混合液にガリウム化合物を加え
て反応させる反応工程とを有することを特徴とするガリ
ウムフタロシアニンの製造方法、該製造方法で製造され
たガリウムフタロシアニン、該ガリウムフタロシアニン
を含有する電子写真感光体、該電子写真感光体を有する
プロセスカートリッジおよび電子写真装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガリウムフタロシ
アニンの製造方法、クロロガリウムフタロシアニン結晶
の製造方法、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の
製造方法、ガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフ
タロシアニン結晶、ヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶、電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電
子写真装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】フタロシアニンは６５０ｎｍ〜８００ｎ
ｍ付近に最大吸収波長であるＨＯＭＯ−ＬＵＭＯバンド
（Ｑ帯）を持つ青または緑色の化合物であり、染料、顔
料などの着色用途、電子写真感光体、色素増感型太陽電
池、ガスセンサー、消臭・抗菌、触媒、癌の光化学治
療、光記録材料など、光化学材料としての報告が数多く
なされている。

【０００３】特に近年、電子写真技術を用いた端末用プ
リンター、特に光源としてレーザー光を用いるレーザー
ビームプリンターの需要の高まりから、電子写真感光体
材料にフタロシアニンを用いることが多くなってきてい
る。これはコスト的な面と共に装置の大きさなどの点か
らレーザービームプリンターの光源としては７９０〜８
２０ｎｍの波長半導体レーザーが用いられ、フタロシア
ニンがこの波長領域のレーザー光に十分な感度を有し、
比較的安価で構造的に強く、さらに光学的安定性に優れ
た材料であるためである。

【０００４】その中でも、中心金属としてガリウム、軸
配位子としてヒドロキシ基（Fuji Xerox Technical Rep
ort, 12 (1998)）、ハロゲンを有するフタロシアニン誘
導体（特開平７−５６３７３号公報、特開平７−１０２
１８３号公報）が、電子写真特性に優れた材料として注
目され、多数の報告がなされている。

【０００５】一方で、ガリウムフタロシアニンの合成と
しては、フタロニトリル誘導体（Inorg. Chem. 19, 313
1 (1980)）、１，３−ジイミノイソインドリン誘導体
（特開平９−１２４９６７号公報、特開平９−３０２２
５２号公報）などのフタロシアニン前駆体と三ハロゲン
化ガリウム（Inorg. Chem. 19, 3131 (1980)）または三
アルコキシガリウム（特開平６−２８７４６５号公報）
などのガリウム化合物とを有機溶剤中で反応しガリウム
フタロシアニンを得る合成法が報告されている。

【０００６】さらに、本発明のクロロガリウムフタロシ
アニン化合物の先行技術は、特開平１−２２１４５９号
公報、特開平５−９８１８１号公報、特開平５−１９４
５２３号公報、特開平５−２４７３６１号公報、特開平
６−７３３０３号公報、特開平７−５３８９１号公報お
よび特開平７−２０７１７１号公報などに開示されてい
る。

【０００７】また、本発明のヒドロキシガリウムフタロ
シアニン化合物の先行技術は、特開平５−２３６００７
号公報、特開平５−２７９５９１号公報、特開平６−９
３２０３号公報、特開平６−２７９６９８号公報および
特開平７−５３８９２号公報などの開示されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような原材料を特に処理することなく反応に用いた場
合、充分な電子写真特性が得られないことが判明した。
例えば、非処理原料を用いて合成したガリウムフタロシ
アニンを電子写真感光体に用いた場合、充分な感度が得
られず、画像特性では現在プリンターでよく使用されて
いる暗部電位部分を非現像部とし明部電位部分を現像部
分とする現像プロセス（いわゆる反転現像系）を用い
て、プリント画像書き出しから電子写真感光体１回転の
部分にベタ黒部を、電子写真感光体２回転目以降にハー
フトーンを持つような画像を印字した場合、ベタ黒部の
履歴がハーフトーン上に浮き出てしまう、いわゆるポジ
ゴーストが現れてしまうことがわかった。

【０００９】本発明の目的は、このような長波長の光線
に対して極めて高い光感度を有するガリウムフタロシア
ニン、クロロガリウムフタロシアニン結晶、ヒドロキシ
ガリウムフタロシアニン結晶、および、それらの製造方
法を提供し、ポジゴーストの発生しにくい高品質な画像
が得られる電子写真感光体、プロセスカートリッジおよ
び電子写真装置を安定して提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題について鋭意検
討を行った結果、一般試薬として市販されているフタロ
シアニン前駆体や反応有機溶剤の含水分が、電位特性悪
化あるいは画像悪化の一要因であることが明らかとなっ
た。

【００１１】すなわち、本発明は、ガリウムフタロシア
ニンの製造方法において、含水率が０．００６質量％以
下である、フタロシアニン前駆体と有機溶剤の混合液を
調製する混合液調製工程と、該混合液調製工程によって
得られた、含水率が０．００６質量％以下の混合液にガ
リウム化合物を加えて反応させる反応工程と、を有する
ことを特徴とするガリウムフタロシアニンの製造方法で
ある。

【００１２】また、本発明は、上記ガリウム化合物を塩
化ガリウムとした上記製造方法で製造されたクロロガリ
ウムフタロシアニンをミリング処理により結晶変換さ
せ、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±
０．２°の７．４°、１６．６°、２５．５°および２
８．３°に強いピークを有するクロロガリウムフタロシ
アニン結晶を得る工程を有することを特徴とするクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法である。

【００１３】また、本発明は、上記製造方法で製造され
たガリウムフタロシアニンをアシッドペースティング法
により処理してペースト状の含水ヒドロキシガリウムフ
タロシアニンを得る工程と、該含水ヒドロキシガリウム
フタロシアニンを乾燥して低結晶性のヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンを得る工程と、該低結晶性のヒドロキ
シガリウムフタロシアニンをミリング処理により結晶変
換させ、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ
の７．４°±０．２°および２８．２°±０．２°に強
いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶を得る工程と、を有することを特徴とするヒドロキシ
ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法である。

【００１４】また、本発明は、上記製造方法で得られる
ガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニ
ン結晶、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶であ
る。

【００１５】また、本発明は、支持体上に感光層を有す
る電子写真感光体において、該感光層が上記ガリウムフ
タロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン結晶、ヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有する電子写
真感光体である。

【００１６】また、本発明は、上記電子写真感光体を有
するプロセスカートリッジおよび電子写真装置である。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て、詳細に説明する。

【００１８】含水率が０．００６質量％以下である、フ
タロシアニン前駆体と有機溶剤との混合液に、ガリウム
化合物を加えて反応させる工程を経て製造されたガリウ
ムフタロシアニンを用いた電子写真感光体は、高い光感
度でかつ、ポジゴーストの発生しにくい電子写真感光体
となる。

【００１９】より高い光感度を有し、ポジゴーストが出
にくい電子写真感光体を得るためには、混合液の含水率
を０．０００１〜０．００３質量％とすることが特に好
ましい。

【００２０】なお、本発明で合成されたガリウムフタロ
シアニンは、下記構造のように表される。

【外１】

【００２１】ただし、Ｒ^１１１〜Ｒ^１１４、Ｒ^１２１〜
Ｒ^１２４、Ｒ^１３１〜Ｒ^１３４、Ｒ^{１ ４１}〜Ｒ
^１４４は、それぞれ独立して置換基を有してもよく、置
換基としては、水素、アルコキシ基、アルキルチオ基、
アルキル基、ハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、アリル
基、アルカノイル基、カルボキシ基、ハロアルカノイル
基などが挙げられる。

【００２２】また、Ｘは軸配位子であり、ハロゲン基、
ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキル基、アリル基、
アミノ基、アルキルチオ基、μ−オキソ錯体などが挙げ
られる。

【００２３】本発明のガリウムフタロシアニンの置換基
はこれらの置換基に限定されるものではないが、光感度
の面から考えると、Ｒ^１１１〜Ｒ^１１４、Ｒ^１２１〜Ｒ
^{１２ ４}、Ｒ^１３１〜Ｒ^１３４、Ｒ^１４１〜Ｒ^１４４は無
置換が好ましく、Ｘは、ハロゲン原子やヒドロキシ基が
好ましく、特には、塩素原子、ヒドロキシ基がより好ま
しい。

【００２４】本発明に用いられるガリウム化合物として
は、ハロゲン化ガリウム、アルコキシガリウム、アルキ
ルガリウム、アリルガリウム、シアン化ガリウム、金属
ガリウムなどが挙げられる。本発明に用いられるガリウ
ム化合物はこれらに限定されるものではないが、これら
の中でも、電子写真特性、特に光感度の面から、ハロゲ
ン化ガリウムが好ましく、特には塩化ガリウムが好まし
く、さらには三塩化ガリウムがより好ましい。

【００２５】本発明に用いられるフタロニトリル前駆体
としては、フタロニトリル、１，３−ジイミノイソイン
ドリン、フタル酸、無水フタル酸、フタルイミド、フタ
ル酸ジアミド、ｏ−ジハロゲン化ベンゼン、２−シアノ
ベンザミド、１−イミノ−３−メチルチオイソインドリ
ンなどの各誘導体が挙げられる。本発明で用いられるフ
タロニトリル前駆体はこれらに限定されるものではない
が、電子写真特性、特に光感度の面から、フタロニトリ
ルが好ましい。

【００２６】有機溶剤の例として、ハロゲン化ナフタレ
ン、キノリン、ハロゲン化ベンゼン、ニトロベンゼン、
尿素、ナフタレン、アントラセン、ピリジン、ジメチル
ホルムアミド、ジメチルアミノエタノール、エチレング
リコール、高級アルコールが挙げられる。本発明で用い
られる有機溶剤は、これらに限定されるものではないが
電子写真特性、特に光感度の面から、ハロゲン化ナフタ
レンが好ましい。

【００２７】混合液の含水率を低下させる具体的な方法
としては、フタロシアニン前駆体と有機溶剤の混合液に
乾燥不活性ガスを吹きつける、あるいは、バブリングを
行うことが挙げられる。不活性ガスとしては、窒素、ア
ルゴンガス、ヘリウムなどが挙げられる。

【００２８】その他の混合液の含水率を低下させる方法
としては、フタロシアニン前駆体を減圧乾燥したり、脱
水材存在下で処理を行ったりすることで混合液の含水率
を下げる方法や、有機溶剤を脱水材処理または蒸留をす
ることにより混合液の含水率を下げる方法が挙げられ
る。いずれの方法を採用したとしても、材料あるいは溶
剤に適した方法によって混合液の含水率を０．００６質
量％以下に下げれば、高い光感度を有し、ポジゴースト
が発生しにくいガリウムフタロシアニンを得ることがで
きるが、上記方法によって含水率を０．００６質量％以
下に下げることが好ましく、その中でも混合液に乾燥不
活性ガスを吹きつけて、該混合液の含水率を０．００６
質量％以下に調整することが好ましく、さらには、乾燥
不活性ガスに窒素を用いることがより好ましい。

【００２９】なお、本発明における、反応混合液、フタ
ロシアニン前駆体、有機溶剤の含水率測定は、次の条件
で行った。

【００３０】 使用測定機：HIRANUMA社製、AQ-6AQUACOUNTER 発生液：RdH Laborchemikalien GmbH&Co. 製 HHIDRANAL
-AqlyteRS 対極液：RdH Laborchemikalien GmbH&Co. 製 HIDRANAL-
Coulomat フタロシアニン前駆体の測定は、AQ-6AQUACOUNTER にHI
RANUMA社製SE-24AUTOSOLIDEVAPORATORを付属して測定を
行った。

【００３１】なお、これらの装置を用いて０．００６質
量％以下の含水率を測定する場合、反応環境もしくは測
定環境により±０．００１質量％程度の誤差が発生する
ことが判明している。本発明においては、この誤差を考
慮し、３回含水率測定したときに得られる３つの値の平
均値をもって含水率とした。

【００３２】上記混合液とガリウム化合物の反応温度と
しては、通常１７０℃〜２３０℃に設定されるが、１９
０℃未満では反応収率が上がりにくく、また２１０℃を
超える温度では電子写真感光体に用いた場合、光感度低
下が起こりやすいので、１９０℃〜２１０℃の範囲に設
定するのが反応収率、電子写真特性が両立できるため好
ましい。また、反応時間は、１〜８時間が一般的に設定
されるが、６時間以上の長時間に渡り反応を行うと、光
感度の悪化が起こりやすいため、より好ましい反応時間
は２〜６時間の範囲となる。

【００３３】次に、上記製造方法で得られたクロロガリ
ウムフタロシアニンをミリング処理により結晶変換さ
せ、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±
０．２°の７．４°、１６．６°、２５．５°および２
８．３°に強いピークを有するクロロガリウムフタロシ
アニン結晶を得る方法を説明する。

【００３４】ガリウム化合物として塩化ガリウムを用い
て反応を行った際に得られる、塩化ガリウムフタロシア
ニンを乾式ミリングするか、また乾式ミリングに続いて
湿式ミリングしてＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッ
グ角２θ±０．２°の７．４°、１６．６°、２５．５
°および２８．３°に強いピークを有するクロロガリウ
ムフタロシアニン結晶が得られる。湿式ミリングに用い
られる溶剤としては、例えば、ベンジルアルコール、フ
ェネチルアルコールなどの芳香族アルコール系溶剤、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセト
アミド、Ｎ−メチルプロピオアミドなどのアミド系溶
剤、クロロベンゼン、クロロホルムなどのハロゲン系溶
剤などが挙げられる。

【００３５】次に、上記製造方法で得られたガリウムフ
タロシアニンをアシッドペースティング処理した後、ミ
リング処理により結晶変換させ、ＣｕＫα特性Ｘ線回折
におけるブラッグ角２θの７．４°±０．２°および２
８．２°±０．２°に強いピークを有するヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶を得る方法を説明する。

【００３６】ガリウムフタロシアニンをアシッドペース
ティング法により処理してペースト状の含水ヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンを得る。次に、この含水ヒドロ
キシガリウムフタロシアニンを乾燥して低結晶性のヒド
ロキシガリウムフタロシアニンとする。得られた低結晶
性のヒドロキシガリウムフタロシアニンを、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ
−メチルプロピオアミドなどのアミド系溶剤、クロロホ
ルムなどのハロゲン系溶剤、テトラヒドロフランなどの
エーテル系溶剤、ジメチルスルホキシドなどのスルホキ
シド系溶剤を用いてミリング処理を行うことにより得ら
れる。

【００３７】本発明におけるミリング処理とは、例え
ば、ガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナボールな
どの分散剤と共に、サンドミル、ボールミルなどのミリ
ング装置を用いて行う処理である。ミリング時間は、使
用するミリング装置により異なるため一概には言えない
が、４〜４８時間程度が好ましい。また、４〜８時間お
きにサンプルをとりブラッグ角を確認することが好まし
い。ミリング処理で用いる分散剤の量は、質量基準でガ
リウムフタロシアニンの１０〜５０倍が好ましい。ま
た、湿式ミリングの場合用いられる溶剤の量は、質量基
準でガリウムフタロシアニンの１０〜３０倍が好まし
い。

【００３８】また、本発明におけるアシッドペースティ
ング法による処理とは、ガリウムフタロシアニンを酸の
中に溶解または分散させた後、大量の水に注加し、再沈
したガリウムフタロシアニン固体をアルカリ水溶液、次
いで洗液の伝導度が２０μＳ以下になるまでイオン交換
水で洗浄を繰り返す処理のことである。

【００３９】ここで用いられる酸としては、例えば、硫
酸、塩酸、トリフルオロ酢酸などが挙げられるが、その
中でも濃硫酸が好ましい。使用量は、質量基準でガリウ
ムフタロシアニンの１０〜４０倍が好ましく、酸での溶
解または分散温度は５０度以下がガリウムフタロシアニ
ンの分解あるいは酸との反応の点で好ましい。

【００４０】本発明のガリウムフタロシアニンの結晶形
のＸ線回折の測定は、ＣｕＫα線を用い、次の条件で行
ったものである。

【００４１】使用測定機：マック・サイエンス社製、全
自動Ｘ線回折装置ＭＸＰ１８ Ｘ線管球：Ｃｕ 管電圧：５０ＫＶ 管電流：３００ｍＡ スキャン方法：２θ／θスキャン スキャン速度：２ｄｅｇ．／ｍｉｎ サンプリング間隔：０．０２０ｄｅｇ． スタート角度（２θ）：５ｄｅｇ． ストップ角度（２θ）：４０ｄｅｇ． ダイバージェンススリット：０．５ｄｅｇ． スキャッタリングスリット：０．５ｄｅｇ． レシービングスリット：０．３ｄｅｇ． 湾曲モノクロメーター使用 次に、以上の製造方法によって得られたガリウムフタロ
シアニンを電子写真感光体における電荷発生物質として
適用する場合を説明する。

【００４２】メタノール、エタノール、イソプロピルア
ルコールなどのアルコール系溶剤、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶剤、ト
ルエン、キシレン、クロルベンゼンなどの芳香族系溶
剤、１，４―ジオキサン、テトラヒドロフラン，Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミドなどの各種溶剤に、上記ガリウ
ムフタロシアニンの粉末のみ、あるいは、バインダー樹
脂を加えて分散液とする。

【００４３】分散手段としてはサンドミル、コロイドミ
ル、アトライター、ボールミルなどの方法が利用でき
る。

【００４４】バインダー樹脂としては、ポリビニルブチ
ラール、ホルマール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタ
ン樹脂、セルロース系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリサ
ルホン樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、
アクリル系樹脂などが用いられる。

【００４５】本発明における電子写真感光体の層構成
は、支持体上に電荷発生物質と電荷輸送物質を同時に含
有する単一層からなる感光層を有する層構成と、支持体
上に電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物質
を含有する電荷輸送層を積層する感光層を有する層構成
がある。なお、電荷発生層と電荷輸送層の積層関係は逆
であってもよい。

【００４６】支持体としては、導電性を有するものであ
ればよく、アルミニウム、ステンレスなどの金属あるい
は導電層を設けた金属、プラスチック、紙などが挙げら
れ、形状としては円筒状またはフィルム状などが挙げら
れる。

【００４７】支持体と感光層の間にはバリヤー機能と接
着機能を持つ下引き層を設けることもできる。下引き層
の材料としてはポリビニルアルコール、ポリエチレンオ
キシド、エチルセルロース、メチルセルロース、カゼイ
ン、ポリアミド、にかわ、ゼラチンなどが用いられる。
これらは過当な溶剤に溶解して支持体上に塗布される。
その膜厚は０．２〜３．０μｍである。

【００４８】単一層からなる感光層を形成する場合、本
発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の電荷発
生物質と電荷輸送物質を過当なバインダー樹脂溶液中に
混合して、この混合液を支持体上に塗布乾燥して形成さ
れる。

【００４９】積層構造からなる感光層を形成する場合、
電荷発生層は、本発明のヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶を過当なバインダー樹脂溶液と共に分散し、こ
の分散液を塗布乾燥して形成する方法が挙げられるが、
蒸着することによって層形成することもできる。

【００５０】電荷輸送層は、主として電荷輸送物質とバ
インダー樹脂とを溶剤中に溶解させた塗料を塗布乾燥し
て形成する。電荷輸送物質としては各種のトリアリール
アミン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチルベン系化
合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾール系化合物、チ
アゾール系化合物、トリアリルメタン系化合物などが挙
げられる。

【００５１】各層に用いるバインダー樹脂としては、例
えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリビニルカルバゾ
ール、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリビニル
ブチラール、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポ
リサルホン、ポリアリレート、塩化ビニリデン、アクリ
ロニトリル共重合体、ポリビニルベンザールなどの樹脂
が用いられる。

【００５２】感光層の塗布方法としては、ディッピング
法、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング
法、ビードコーティング法、ブレードコーティング法、
ビームコーティング法などの塗布方法を用いることがで
きる。

【００５３】感光層が単一層の場合、膜厚は５〜４０μ
ｍ、好ましくは１０〜３０μｍ、積層構造の場合、電荷
発生層の膜厚は０．０１〜１０μｍ、好ましくは０．０
５〜５μｍ、電荷輸送層の膜厚は５〜４０μｍ、好まし
くは１０〜３０μｍの範囲である。

【００５４】電荷発生物質の含有量は、電荷発生層に対
して２０〜８０質量％、さらには３０〜７０質量％が好
ましい。電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層に対して
２０〜８０質量％、さらには３０〜７０質量％が好まし
い。

【００５５】感光層が単一層の場合、電荷発生物質の含
有量は、感光層に対して３〜３０質量％が好ましい。電
荷輸送層の含有量は感光層に対して３０〜７０質量％が
好ましい。

【００５６】本発明のガリウムフタロシアニンを電荷発
生物質として用いる場合、その目的に応じて他の電荷発
生物質と混合して用いることもできる。この場合、ガリ
ウムフタロシアニンの割合は、全電荷発生物質に対して
５０質量％以上が好ましい。

【００５７】感光層上には、必要に応じて保護層を設け
てもよい。保護層はポリビニルブチラール，ポリエステ
ル，ポリカーボネート（ポリカーボネートＺ，変性ポリ
カーボネートなど），ナイロン，ポリイミド，ポリアリ
レート，ポリウレタン，スチレン−ブタジエンコポリマ
ー，スチレン−アクリル酸コポリマー，スチレン−アク
リロニトリルコポリマーなどの樹脂を適当な有機溶剤に
よって溶解し、感光層の上に塗布、乾燥して形成でき
る。保護層の膜厚は、０．０５〜２０μｍが好ましい。
また、保護層中に導電性粒子や紫外線吸収剤などを含ま
せてもよい。導電性粒子としては、例えば酸化錫粒子な
どの金属酸化物が好ましい。

【００５８】図５に本発明の電子写真感光体を有するプ
ロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成を
示す。

【００５９】図において、１１はドラム状の本発明の電
子写真感光体であり、軸１２を中心に矢印方向に所定の
周速度で回転駆動される。感光体１１は、回転過程にお
いて、一次帯電手段１３によりその周面に正または負の
所定電位の均一帯電を受け、次いで、スリット露光やレ
ーザービーム走査露光などの露光手段（不図示）からの
露光光１４を受ける。こうして感光体１１の周面に静電
潜像が順次形成されていく。

【００６０】形成された静電潜像は、次いで、現像手段
１５によりトナー現像され、現像されたトナー現像像
は、不図示の給紙部から電子写真感光体１１と転写手段
１６との間に電子写真感光体１１の回転と同期取り出さ
れて給紙された転写材１７に、転写手段１６により順次
転写されていく。

【００６１】像転写を受けた転写材１７は、電子写真感
光体面から分離されて像定着手段１８へ導入されて像定
着を受けることにより複写物（コピー）として装置外へ
プリントアウトされる。

【００６２】像転写後の電子写真感光体１１の表面は、
クリーニング手段１９によって転写残りトナーの除去を
受けて清浄面化され、さらに、前露光手段（不図示）か
らの前露光光２０により除電処理された後、繰り返し像
形成に使用される。なお、図のように、一次帯電手段１
３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合
は、前露光は必ずしも必要ではない。

【００６３】本発明においては、上述の電子写真感光体
１１、一次帯電手段１３、現像手段１５およびクリーニ
ング手段１９などの構成要素のうち、複数のものをプロ
セスカートリッジとして一体に結合して構成し、このプ
ロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンタ
ーなどの電子写真装置本体に対して着脱可能に構成して
もよい。例えば、一次帯電手段１３、現像手段１５およ
びクリーニング手段１９の少なくとも１つを電子写真感
光体１１とともに一体に支持してカートリッジ化して、
装置本体のレール２２などの案内手段を用いて装置本体
に着脱可能なプロセスカートリッジ２１とすることがで
きる。

【００６４】また、露光光１４は、電子写真装置が複写
機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透
過光、あるいは、センサーで原稿を読取り、信号化し、
この信号にしたがって行われるレーザービームの走査、
ＬＥＤアレイの駆動および液晶シャッターアレイの駆動
などにより照射される光である。

【００６５】本発明の電子写真感光体は電子写真複写機
に利用するのみならず、レーザービームプリンター、Ｃ
ＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリンター、
レーザー製版など電子写真応用分野にも広く用いること
ができる。

【００６６】また、本発明の製造方法によって得られる
ガリウムフタロシアニンは、前述の電子写真感光体に限
らず、色素増感型太陽電池や光センサーにも用いること
もできる。

【００６７】

【実施例】以下、実施例および比較例により本発明をさ
らに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら
限定されるものではない。

【００６８】以下に示す「％」および「部」は、それぞ
れ「質量％」および「質量部」を意味する。

【００６９】１．ガリウムフタロシアニンの製造 （実施例１−１）フタロニトリル１．５部を１０部のα
−クロロナフタレンに分散後、ガラス管を用いて乾燥窒
素ガスでバブリングしながら、室温で１時間攪拌するこ
とで含水率を０．００３％の混合液を得た。この段階
で、乾燥窒素ガスの流量を下げ、さらにガラス管を反応
前分散液から上げ反応系全体を窒素雰囲気下とした。反
応前分散液を昇温し、液温が３０℃に達した段階で三塩
化ガリウム１部を加え、さらに反応液を２００℃まで昇
温した後、液温を２００℃に保ったまま加熱攪拌を５時
間行った。反応終了後、液温を１３０℃とし、熱時濾過
を行った。得られた濾物を、１０部のＮ，Ｎジメチルホ
ルムアミド中、２時間１３０℃で分散洗浄することで、
濃紺色のクロロガリウムフタロシアニン結晶を得た。

【００７０】得られたクロロガリウムフタロシアニンの
元素分析結果を表１に示す。粉末Ｘ線回折パターンを図
１に示す。

【００７１】（実施例１−２）混合液の含水率が０．０
０１％であること以外は、実施例１と同様な製造方法で
図１と同様な粉末Ｘ線回折パターンを持つ、クロロガリ
ウムフタロシアニンを製造した。

【００７２】得られたクロロガリウムフタロシアニンの
元素分析結果を表１に示す。

【００７３】（実施例１−３）混合液の含水率が０．０
０６％であること以外は、実施例１と同様な製造方法で
図１と同様な粉末Ｘ線回折パターンを持つ、クロロガリ
ウムフタロシアニンを製造した。

【００７４】得られたクロロガリウムフタロシアニンの
元素分析結果を表１に示す。

【００７５】（実施例１−４）乾燥アルゴンガスでバブ
リングを行うことで、混合液の含水率を０．００３％と
したこと以外は、実施例１と同様な製造方法で図１と同
様な粉末Ｘ線回折パターンを持つ、クロロガリウムフタ
ロシアニンを製造した。

【００７６】得られたクロロガリウムフタロシアニンの
元素分析結果を表１に示す。

【００７７】（実施例１−５）反応前処理として、モレ
キュラーシーブによるα−クロロナフタレンの脱水処理
とフタロニトリルを３０℃で１２時間真空乾燥すること
で、混合液の含水率を０．００３％としたこと以外は、
実施例１と同様な製造方法で図１と同様な粉末Ｘ線回折
パターンを持つ、クロロガリウムフタロシアニンを製造
した。

【００７８】得られたクロロガリウムフタロシアニンの
元素分析結果を表１に示す。

【００７９】（実施例１−６）反応前処理として、五酸
化二リンを乾燥剤として用いたα−クロロナフタレンの
蒸留とフタロニトリルを３０℃で１２時間真空乾燥する
ことで、混合液の含水率を０．００３％としたこと以外
は、実施例１と同様な製造方法で図１と同様な粉末Ｘ線
回折パターンを持つ、クロロガリウムフタロシアニンを
製造した。

【００８０】得られたクロロガリウムフタロシアニンの
元素分析結果を表１に示す。

【００８１】（実施例１−７）反応前処理として、五酸
化二リンによるα−クロロナフタレンの脱水処理とフタ
ロニトリルを３０℃で１２時間真空乾燥することで、混
合液の含水率を０．００３％としたこと以外は、実施例
１と同様な製造方法で図１と同様な粉末Ｘ線回折パター
ンを持つ、クロロガリウムフタロシアニンを製造した。
得られたクロロガリウムフタロシアニンの元素分析結果
を表１に示す。

【００８２】（実施例１−８）フタロシアニン前駆体と
して１，３−ジイミノイソインドリンを用いたこと以外
は、実施例１と同様な製造方法で図１と同様な粉末Ｘ線
回折パターンを持つ、クロロガリウムフタロシアニンを
製造した。得られたクロロガリウムフタロシアニンの元
素分析結果を表１に示す。

【００８３】（実施例１−９）反応溶媒としてキノリン
を用いたこと以外は、実施例１と同様な製造方法で図１
と同様な粉末Ｘ線回折パターンを持つ、クロロガリウム
フタロシアニンを製造した。

【００８４】得られたクロロガリウムフタロシアニンの
元素分析結果を表１に示す。

【００８５】（比較例１−１）乾燥窒素バブリングを行
わず、混合液の含水率が０．０１０％であること以外
は、実施例１と同様な製造方法で図１と同様な粉末Ｘ線
回折パターンを持つ、クロロガリウムフタロシアニンを
製造した。

【００８６】得られたクロロガリウムフタロシアニンの
元素分析結果を表１に示す。

【００８７】（比較例１−２）乾燥窒素バブリングを行
わず、混合液の含水率が０．０１５％であること以外
は、実施例１と同様な製造方法で図１と同様な粉末Ｘ線
回折パターンを持つ、クロロガリウムフタロシアニンを
製造した。

【００８８】得られたクロロガリウムフタロシアニンの
元素分析結果を表１に示す。

【００８９】（比較例１−３）混合液の含水率が０．０
１０％、フタロシアニン前駆体として１，３−ジイミノ
イソインドリンを用いた以外は、比較例１と同様な製造
方法で図１と同様な粉末Ｘ線回折パターンを持つ、クロ
ロガリウムフタロシアニンを製造した。

【００９０】得られたクロロガリウムフタロシアニンの
元素分析結果を表１に示す。

【００９１】（比較例１−４）反応溶媒としてキノリン
を用い、反応前分散液の含水率を乾燥窒素バブリングに
より０．０１０％とした以外は、比較例１と同様な製造
方法で図１と同様な粉末Ｘ線回折パターンを持つ、クロ
ロガリウムフタロシアニンを製造した。得られたクロロ
ガリウムフタロシアニンの元素分析結果を表１に示す。

【００９２】

【表１】

【００９３】（実施例１−１０）実施例１−１で得られ
たクロロガリウムフタロシアニン５部を直径１ｍｍのガ
ラスビーズ２００部と共に２４時間、サンドミルでミリ
ング処理を行った。次いでベンジルアルコール９５部を
加えさらにサンドミルでミリング処理を２４時間行っ
た。この分散液より固形分を取り出し、メタノールで十
分に乾燥してＣｕｋα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角
２θ±０．２°が７．４°、１６．６°、２５．５°、
２８．３°に強いピークを有するクロロガリウムフタロ
シアニンを得た。

【００９４】得られた粉末Ｘ線回折パターンを図２に示
す。

【００９５】（実施例１−１１）実施例１−１の方法で
得られたクロロガリウムフタロシアニン１部を１０℃の
濃硫酸３０部に溶解し、氷水１５０部中にこの溶液を滴
下して再析出させて濾過した。２％アンモニア水で分散
洗浄後、イオン交換水で十分洗浄、乾燥して低結晶性の
ヒドロキシガリウムフタロシアニンを得た。次に、得ら
れたヒドロキシガリウムフタロシアニン１部、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド３０部を直径１ｍｍのガラスビー
ズ４３部と共にサンドミルでミリング処理を室温（２２
℃）下で２４時間行った。この分散液より固形分を取り
出し、６０部のイオン交換水で３回水置換、吸引濾過、
３０℃で真空乾燥を２０時間行うことでブラッグ角２θ
±０．２°の７．４°、２８．２°に強いピークを有す
るヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。

【００９６】得られた粉末Ｘ線回折パターンを図３に示
す。

【００９７】（実施例１−１２）実施例１−２の製造方
法で得られたクロロガリウムフタロシアニンを使用した
以外は、実施例１−１１と同様な製造方法によって、図
３と同様な粉末Ｘ線回折パターンを有するヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶を得た。

【００９８】（実施例１−１３）実施例１−３の製造方
法で得られたクロロガリウムフタロシアニンを使用した
以外は、実施例１−１１と同様な製造方法によって、図
３と同様な粉末Ｘ線回折パターンを有するヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶を得た。

【００９９】（実施例１−１４）実施例１−４の製造方
法で得られたクロロガリウムフタロシアニンを使用した
以外は、実施例１−１１と同様な製造方法によって、図
３と同様な粉末Ｘ線回折パターンを有するヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶を得た。

【０１００】（実施例１−１５）実施例１−５の製造方
法で得られたクロロガリウムフタロシアニンを使用した
以外は、実施例１−１１と同様な製造方法によって、図
３と同様な粉末Ｘ線回折パターンを有するヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶を得た。

【０１０１】（実施例１−１６）実施例１−６の製造方
法で得られたクロロガリウムフタロシアニンを使用した
以外は、実施例１−１１と同様な製造方法によって、図
３と同様な粉末Ｘ線回折パターンを有するヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶を得た。

【０１０２】（実施例１−１７）実施例１−７の製造方
法で得られたクロロガリウムフタロシアニンを使用した
以外は、実施例１−１１と同様な製造方法によって、図
３と同様な粉末Ｘ線回折パターンを有するヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶を得た。

【０１０３】（実施例１−１８）実施例１−８の製造方
法で得られたクロロガリウムフタロシアニンを使用した
以外は、実施例１−１１と同様な製造方法によって、図
３と同様な粉末Ｘ線回折パターンを有するヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶を得た。

【０１０４】（実施例１−１９）実施例１−９の製造方
法で得られたクロロガリウムフタロシアニンを使用した
以外は、実施例１−１１と同様な製造方法によって、図
３と同様な粉末Ｘ線回折パターンを有するヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶を得た。

【０１０５】（比較例１−５）比較例１−１の製造方法
で得られたクロロガリウムクロロガリウムフタロシアニ
ンを使用した以外は、実施例１−１０と同様な製造方法
によって、図２と同様な粉末Ｘ線回折パターンを有する
クロロガリウムフタロシアニンを得た。

【０１０６】（比較例１−６）比較例１−１の製造方法
で得られたクロロガリウムフタロシアニンを使用した以
外は、実施例１−１１と同様な製造方法によって、図３
と同様な粉末Ｘ線回折パターンを有するヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶を得た。

【０１０７】（比較例１−７）比較例１−２の製造方法
で得られたクロロガリウムフタロシアニンを使用した以
外は、実施例１−１１と同様な製造方法によって、図３
と同様な粉末Ｘ線回折パターンを有するヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶を得た。

【０１０８】（比較例１−８）比較例１−３の製造方法
で得られたクロロガリウムフタロシアニンを使用した以
外は、実施例１−１１と同様な製造方法によって、図３
と同様な粉末Ｘ線回折パターンを有するヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶を得た。

【０１０９】（比較例１−９）比較例１−４の製造方法
で得られたクロロガリウムフタロシアニンを使用した以
外は、実施例１−１１と同様な製造方法によって、図３
と同様な粉末Ｘ線回折パターンを有するヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶を得た。

【０１１０】２．電子写真感光体の作製 （実施例２−１）１０％の酢酸アンチモンを含有する酸
化スズで被覆した酸化チタン紛体をレゾール型フェノー
ル樹脂に２：１の比率で分散した導電層を１５μｍの厚
さでアルミシリンダー上に塗布した。

【０１１１】導電層上にポリアミド（商品名Ｍ９９５、
日本リルサン株式会社製）１０．０部、ポリアミド（商
品名ＣＭ−８０００、帝国化学産業株式会社製）３０．
０部、メチルアルコール４１２部、ｎ−ブチルアルコー
ル２０６部からなる中間層用塗料を浸漬塗布、１００°
Ｃで１０分間乾燥して、膜厚０．６５μｍの中間層を形
成した。

【０１１２】次に、実施例１−１０のクロロガリウムフ
タロシアニン２部とポリビニルブチラール１部をシクロ
ヘキサノン１００部に添加し、直径１ｍｍのガラスビー
ズを用いたサンドミルで１時間分散した後、濾過、遠心
分離により塗料からビーズを除去、これにメチルエチル
ケトン１００部を加えて希釈して電荷発生層用塗料を調
製した。下引き層上に、この電荷発生層用塗料を浸漬塗
布し、９０℃で１０分間乾燥して、膜厚０．１５μｍの
電荷発生層を形成した。

【０１１３】次に、下記式で示される構造を有する電荷
輸送物質１０部、

【外２】

【０１１４】下記式で示される構造を有するポリアリレ
ート樹脂（重量平均分子量９６０００）１０部、

【外３】

【０１１５】モノクロロベンゼン６５部、ジメトキシメ
タン３５部の混合溶液に溶解し、塗料を調整した。この
塗料を浸漬法で塗布、１２０℃で１時間乾燥して１８μ
ｍの電荷輸送層を形成し、ドラム状の電子写真感光体を
作成した。

【０１１６】（実施例２−２〜２−１０）それぞれ、実
施例１−１１〜１−１９のヒドロキシガリウムフタロシ
アニンを使用した以外は、実施例２−１と同様な製造方
法でドラム状の電子写真感光体を作成した。

【０１１７】（比較例２−１）比較例１−５のクロロガ
リウムフタロシアニンを使用した以外は、実施例２−１
と同様な製造方法でドラム状の電子写真感光体を作成し
た。

【０１１８】（比較例２−２〜２−５）それぞれ、比較
例１−６〜１−９のヒドロキシガリウムフタロシアニン
を使用した以外は、実施例２−１と同様な製造方法でド
ラム状の電子写真感光体を作成した。

【０１１９】実施例２−１〜２−１０、比較例２−１〜
２−５で作成した、電子写真感光体の評価法を以下に説
明する。

【０１２０】評価には、ヒューレットパッカード社製Ｌ
ＢＰ「レーザージェット４０００」プロセススピード９
４．２ｍｍ／ｓ）を改造し、帯電方式を負帯電で直流電
源のみの−１１８０Ｖ印加を行うことで電子写真感光体
の表面電位（Ｖｄ）を−６３０Ｖに設定した。

【０１２１】電子写真感光体の表面電位は、評価機か
ら、現像用カートリッジを抜き取り、そこに電位測定装
置を挿入し測定を行った。電位測定装置は、現像用カー
トリッジの現像位置に電位測定プローブを配置すること
で構成されており、電子写真感光体に対する電位測定プ
ローブの位置は、電子写真感光体ドラムの軸方向のほぼ
中央、ドラムの表面からのギャップを３ｍｍとした。さ
らに、像露光装置を改造することでレーザー光量を０．
３２μＪｃｍ^−２となるものを用いた。

【０１２２】測定はすべて、２５℃、相対湿度が５０％
となる環境で評価を行い、電子写真感光体は、測定の２
４時間前から、測定環境に放置したものを用いた。この
状態で電子写真感光体を帯電した後、レーザー光を照射
し２週目以降の明部電位（ＶＬ）を測定した。

【０１２３】また、ポジゴーストの評価は次のように行
った。

【０１２４】ベタ黒画像を２枚打ち出した後、プリント
画像書き出しから電子写真感光体１回転の部分に２５ｍ
ｍ角の正方形のベタ黒部を並べ、電子写真感光体２回転
目以降に１ドットを桂馬パターンで印字したハーフトー
ンのテストチャートを打ち出し、ハーフトーンのテスト
チャート上に表れる、２５ｍｍ角のベタ黒部の履歴の程
度を目視により評価した。ゴーストの程度は以下のよう
にランク基準に従い、０．５刻みで定量化を行った。

【０１２５】 Ａ：ゴーストは全く見えない。 Ｂ：履歴の輪郭が極わずかに見える。 Ｃ：履歴の輪郭がうっすら見える。 Ｄ：履歴の輪郭がはっきりと見える。 Ｅ：履歴がはっきりと見える。

【０１２６】なお、上記評価基準のうち、Ｃ、Ｄ、Ｅは
本発明の効果が十分に得られていないと判断した。

【０１２７】評価結果は表２に示す。

【０１２８】

【表２】

【０１２９】

【発明の効果】本発明の製造方法により製造されたガリ
ウムフタロシアニンを用いた電子写真感光体は、長波長
の光線に対して高い光感度となるだけではなく、さらに
ゴースト画像の出にくい良好な電子写真特性を提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１のクロロガリウムフタロシアニンの粉
末Ｘ線回折パターンである。

【図２】実施例１０のクロロガリウムフタロシアニンの
粉末Ｘ線回折パターンである。

【図３】実施例１１のクロロガリウムフタロシアニンの
粉末Ｘ線回折パターンである。

【図４】本発明の電子写真感光体の層構成の１例であ
る。

【図５】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカー
トリッジを備えた電子写真装置の概略構成の例を示す図
である。

【符号の説明】

４１ 支持体 ４２ 導電層 ４３ 下引き層 ４４ 電荷発生層 ４５ 電荷輸送層 １１ 電子写真感光体 １２ 軸 １３ 帯電手段 １４ 露光光 １５ 現像手段 １６ 転写手段 １７ 転写材 １８ 定着手段 １９ クリーニング手段 ２０ 前露光光 ２１ プロセスカートリッジ ２２ 案内手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０７Ｆ 5/00 Ｃ０７Ｆ 5/00 Ｈ (72)発明者 平野 秀敏 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 藤井 淳史 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H068 AA19 BA39 EA04 FA27 4C050 PA12 PA13 PA14 4H048 AA02 AC90 AD15 BE61 VA12 VA20 VA30 VA40 VB10 (54)【発明の名称】 ガリウムフタロシアニンの製造方法、クロロガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、ヒドロキ シガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、ガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシ アニン結晶、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、電子写真感光体、プロセスカートリッジ および電子写真装置

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガリウムフタロシアニンの製造方法にお
   いて、 含水率が０．００６質量％以下である、フタロシアニン
   前駆体と有機溶剤の混合液を調製する混合液調製工程
   と、 該混合液調製工程によって得られた、含水率が０．００
   ６質量％以下の混合液にガリウム化合物を加えて反応さ
   せる反応工程と、を有することを特徴とするガリウムフ
   タロシアニンの製造方法。
2. 【請求項２】 前記混合液調製工程が、 フタロシアニン前駆体と有機溶剤を混合する混合工程
   と、 該混合工程によって得られた混合液の含水率を０．００
   ６質量％以下に調整する混合液含水率調整工程と、を有
   する請求項１に記載のガリウムフタロシアニンの製造方
   法。
3. 【請求項３】 前記混合液含水率調整工程が、前記混合
   工程によって得られた混合液に乾燥不活性ガスを吹きつ
   けて、該混合液の含水率を０．００６質量％以下に調整
   する工程である請求項２に記載のガリウムフタロシアニ
   ンの製造方法。
4. 【請求項４】 前記混合液含水率調整工程が、前記混合
   工程によって得られた混合液に乾燥不活性ガスをバブリ
   ングして、該混合液の含水率を０．００６質量％以下に
   調整する工程である請求項２に記載のガリウムフタロシ
   アニンの製造方法。
5. 【請求項５】 前記混合液調製工程が、 前記フタロシアニン前駆体を減圧乾燥するフタロシアニ
   ン前駆体減圧乾燥工程と、 該フタロシアニン前駆体減圧乾燥工程により乾燥したフ
   タロシアニン前駆体と前記有機溶剤とを混合すること
   で、含水率が０．００６質量％以下の混合液を作る工程
   と、を有する請求項１に記載のガリウムフタロシアニン
   の製造方法。
6. 【請求項６】 前記混合液調製工程が、 前記フタロシアニン前駆体を脱水材存在下で脱水処理を
   行うフタロシアニン前駆体脱水処理工程と、 該フタロシアニン前駆体脱水処理工程により脱水したフ
   タロシアニン前駆体と前記有機溶剤とを混合すること
   で、含水率が０．００６質量％以下の混合液を作る工程
   と、を有する請求項１に記載のガリウムフタロシアニン
   の製造方法。
7. 【請求項７】 前記混合液調製工程が、 前記有機溶剤を脱水材処理する有機溶剤脱水材処理工程
   と、 該有機溶剤脱水材処理工程により脱水した有機溶剤と前
   記フタロシアニン前駆体とを混合することで、含水率が
   ０．００６質量％以下の混合液を作る工程と、を有する
   請求項１に記載のガリウムフタロシアニンの製造方法。
8. 【請求項８】 前記混合液調製工程が、 前記有機溶剤を蒸留する有機溶剤蒸留工程と、 該有機溶剤蒸留工程により蒸留した有機溶剤と前記フタ
   ロシアニン前駆体とを混合することで、含水率が０．０
   ０６質量％以下の混合液を作る工程と、を有する請求項
   １に記載のガリウムフタロシアニンの製造方法。
9. 【請求項９】 前記含水率調整工程によって得られた混
   合液の含水率が０．０００１〜０．００３質量％である
   請求項１〜８のいずれかに記載のガリウムフタロシアニ
   ンの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記フタロシアニン前駆体がフタロニ
    トリルである請求項１〜９のいずれかに記載のガリウム
    フタロシアニンの製造方法。
11. 【請求項１１】 前記有機溶剤がハロゲン化された芳香
    族有機溶剤である請求項１〜１０のいずれかに記載のガ
    リウムフタロシアニンの製造方法。
12. 【請求項１２】 前記ガリウム化合物が塩化ガリウムで
    あり、得られるガリウムフタロシアニンがクロロガリウ
    ムフタロシアニンである請求項１〜１１のいずれかに記
    載のガリウムフタロシアニンの製造方法。
13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の製造方法で製造さ
    れたクロロガリウムフタロシアニンをミリング処理によ
    り結晶変換させ、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッ
    グ角２θ±０．２°の７．４°、１６．６°、２５．５
    °および２８．３°に強いピークを有するクロロガリウ
    ムフタロシアニン結晶を得る工程を有することを特徴と
    するクロロガリウムフタロシアニン結晶の製造方法。
14. 【請求項１４】 請求項１〜１２のいずれかに記載の製
    造方法で製造されたガリウムフタロシアニンをアシッド
    ペースティング法により処理してぺースト状の含水ヒド
    ロキシガリウムフタロシアニンを得る工程と、 該含水ヒドロキシガリウムフタロシアニンを乾燥して低
    結晶性のヒドロキシガリウムフタロシアニンを得る工程
    と、 該低結晶性のヒドロキシガリウムフタロシアニンをミリ
    ング処理により結晶変換させ、ＣｕＫα特性Ｘ線回折に
    おけるブラッグ角２θの７．４°±０．２°および２
    ８．２°±０．２°に強いピークを有するヒドロキシガ
    リウムフタロシアニン結晶を得る工程と、を有すること
    を特徴とするヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の
    製造方法。
15. 【請求項１５】 請求項１〜１２のいずれかに記載の製
    造方法によって得られることを特徴とするガリウムフタ
    ロシアニン。
16. 【請求項１６】 請求項１３に記載の製造方法によって
    得られることを特徴とするＣｕＫα特性Ｘ線回折におけ
    るブラッグ角２θ±０．２°の７．４°、１６．６°、
    ２５．５°および２８．３°に強いピークを有するクロ
    ロガリウムフタロシアニン結晶。
17. 【請求項１７】 請求項１４に記載の製造方法によって
    得られることを特徴とするＣｕＫα特性Ｘ線回折におけ
    るブラッグ角２θの７．４°±０．２°および２８．２
    °±０．２°に強いピークを有するヒドロキシガリウム
    フタロシアニン結晶。
18. 【請求項１８】 支持体上に感光層を有する電子写真感
    光体において、該感光層が請求項１５に記載のガリウム
    フタロシアニンを含有することを特徴とする電子写真感
    光体。
19. 【請求項１９】 支持体上に感光層を有する電子写真感
    光体において、該感光層が請求項１６に記載のＣｕＫα
    特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．
    ４°、１６．６°、２５．５°および２８．３°に強い
    ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶を含
    有することを特徴とする電子写真感光体。
20. 【請求項２０】 支持体上に感光層を有する電子写真感
    光体において、概観構想が請求項１７に記載のＣｕＫα
    特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．４°±０．
    ２°および２８．２°±０．２°に強いピークを有する
    ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有すること
    を特徴とする電子写真感光体。
21. 【請求項２１】 請求項１８〜２０のいずれかに記載の
    電子写真感光体と、帯電手段、現像手段およびクリーニ
    ング手段からなる群より選ばれた少なくとも１つの手段
    とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在である
    ことを特徴とするプロセスカートリッジ。
22. 【請求項２２】 請求項１８〜２０のいずれかに記載の
    電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および
    転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。