JP2014531473A - アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物、その製造方法、それを含む組成物と硬化物及びその用途 - Google Patents

アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物、その製造方法、それを含む組成物と硬化物及びその用途 Download PDF

Info

Publication number
JP2014531473A
JP2014531473A JP2014527085A JP2014527085A JP2014531473A JP 2014531473 A JP2014531473 A JP 2014531473A JP 2014527085 A JP2014527085 A JP 2014527085A JP 2014527085 A JP2014527085 A JP 2014527085A JP 2014531473 A JP2014531473 A JP 2014531473A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
epoxy compound
alkyl group
epoxy
chemical formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014527085A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5852243B2 (ja
Inventor
チュン，ヒュン−エー
タク，サン−ヨン
パク，ス−ジン
キム，ユン−ジュ
パク，スン−ワン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Korea Academy of Industrial Technology
Original Assignee
Korea Academy of Industrial Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Korea Academy of Industrial Technology filed Critical Korea Academy of Industrial Technology
Publication of JP2014531473A publication Critical patent/JP2014531473A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5852243B2 publication Critical patent/JP5852243B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/30—Di-epoxy compounds containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen and nitrogen
    • C08G59/306—Di-epoxy compounds containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen and nitrogen containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C39/00—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C39/205—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic, containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts with unsaturation outside the rings
    • C07C39/21—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic, containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts with unsaturation outside the rings with at least one hydroxy group on a non-condensed ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C39/00—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C39/205—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic, containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts with unsaturation outside the rings
    • C07C39/225—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic, containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts with unsaturation outside the rings with at least one hydroxy group on a condensed ring system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C39/00—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C39/23—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic, containing six-membered aromatic rings and other rings, with unsaturation outside the aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
    • C07C43/02—Ethers
    • C07C43/20—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C43/202—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring the aromatic ring being a naphthalene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
    • C07C43/02—Ethers
    • C07C43/20—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C43/205—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring the aromatic ring being a non-condensed ring
    • C07C43/2055—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring the aromatic ring being a non-condensed ring containing more than one ether bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
    • C07C43/02—Ethers
    • C07C43/20—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C43/21—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring containing rings other than six-membered aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
    • C07C43/02—Ethers
    • C07C43/20—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C43/23—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring containing hydroxy or O-metal groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D303/00—Compounds containing three-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D303/02—Compounds containing oxirane rings
    • C07D303/12—Compounds containing oxirane rings with hydrocarbon radicals, substituted by singly or doubly bound oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D303/00—Compounds containing three-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D303/02—Compounds containing oxirane rings
    • C07D303/12—Compounds containing oxirane rings with hydrocarbon radicals, substituted by singly or doubly bound oxygen atoms
    • C07D303/18—Compounds containing oxirane rings with hydrocarbon radicals, substituted by singly or doubly bound oxygen atoms by etherified hydroxyl radicals
    • C07D303/28—Ethers with hydroxy compounds containing oxirane rings
    • C07D303/30—Ethers of oxirane-containing polyhydroxy compounds in which all hydroxyl radicals are etherified with oxirane-containing hydroxy compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D407/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00
    • C07D407/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing two hetero rings
    • C07D407/10—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D407/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00
    • C07D407/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing two hetero rings
    • C07D407/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
    • C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
    • C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
    • C07F7/1872—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20
    • C07F7/1876—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-C linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
    • C08J5/241—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres
    • C08J5/244—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres using glass fibres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
    • C08J5/249—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs characterised by the additives used in the prepolymer mixture
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/02—Fibres or whiskers
    • C08K7/04—Fibres or whiskers inorganic
    • C08K7/14—Glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2363/00—Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2201/00—Properties
    • C08L2201/02—Flame or fire retardant/resistant
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2201/00—Properties
    • C08L2201/08—Stabilised against heat, light or radiation or oxydation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Reinforced Plastic Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

【課題】本発明は複合体で優れた耐熱特性、詳しくは、低い熱膨張係数（ＣＴＥ、Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）と高いガラス転移温度又はＴｇレス及び／又は硬化物で難燃性を示し、別途のシランカップリング剤を必要としないアルコキシシリル系エポキシ化合物、その製造方法、それを含む組成物と硬化物及びその用途に関するものである。【解決手段】本発明によると、コアに少なくとも一つの下記化学式Ｓ１の置換基及び少なくとも２つのエポキシ基を有するアルコキシシリル系エポキシ化合物と、出発物質のアリル化、クライゼン転位、グリシジル化及びアルコキシシリル化で製造される前記エポキシ化合物の製造方法と、前記エポキシ化合物を含むエポキシ組成物と、その硬化物及びその用途が提供される。本発明による新しいアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物を含む組成物の複合体は、エポキシ化合物のうちアルコキシシリル基と充填剤の化学的結合だけでなくアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物のアルコキシシリル基間の化学結合によってエポキシ複合体を形成する際に化学結合効率が向上されるため、優れた耐熱特性、即ち、低いＣＴＥと高いガラス転移温度又はＴｇレスを示す。また、本発明によるエポキシ化合物を含む組成物の硬化物は優れた難燃性を示す。【選択図】図１０

Description

本発明は、複合体で優れた耐熱特性及び／又は硬化物で優れた難燃性を示すアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物（以下、「アルコキシシリル系エポキシ化合物」と称する）、その製造方法、それを含む組成物と硬化物及びその用途に関するものである。より詳しくは、本発明は複合体で優れた耐熱特性、詳しくは、低い熱膨張係数（ＣＴＥ、Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）と高いガラス転移温度上昇効果（これはガラス転移温度を示さないＴｇレスを含む）及び／又は硬化物で優れた難燃性を示し、別途のシランカップリング剤を必要としないアルコキシシリル系エポキシ化合物、その製造方法、それを含む組成物と硬化物及びその用途に関するものである。
高分子材料、詳しくは、エポキシ化合物自体硬化物の熱膨張係数は約５０〜８０ｐｐｍ／℃で、無機粒子であるセラミック材料及び金属材料の熱膨張係数（例えば、シリコンの熱膨張係数は３〜５ｐｐｍ／℃で、銅の熱膨張係数は１７ｐｐｍ／℃である）に比べて熱膨張係数値が数倍から数十倍程度と非常に大きい。よって、例えば、半導体、ディスプレー分野などで高分子材料が無機材料又は金属材料と共に使用される場合、高分子材料と無機材料又は金属材料の熱膨張係数が互いに異なるため高分子材料の物性及び加工性が著しく制限される。また、例えば、シリコンウェハと高分子基板が隣接して使用される半導体パッケージングなどの場合やガスバリア特性を付与するために無機遮断膜を高分子フィルムの上にコーティングする場合、工程及び／又は使用温度が変化すると構成成分間の熱膨張係数の著しい差（ＣＴＥ−ｍｉｓｍａｔｃｈ）が生じるため無機層のクラック生成、基板の反り発生、コーティング層の剥離（ｐｅｅｌｉｎｇ−ｏｆｆ）、基板の割れなどといった製品不良が発生する。
このような高分子材料の高いＣＴＥ及びそれによる高分子材料の寸法変化（ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｃｈａｎｇｅ）によって次世代半導体基板、ＰＣＢ（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）、パッケージング（ｐａｃｋｉｎｇ）、ＯＴＦＴ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、可撓性ディスプレー基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｄｉｓｐｌａｙ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）などの技術開発が制限される。詳しくは、現在半導体及びＰＣＢ分野では金属・セラミック材料に比べ非常に高いＣＴＥを有する高分子材料によって高集積化、高微細化、フレキシブル化、高性能化などが要求される次世代部品の設計と加工性及び信頼性の確保が難しくなってきている。換言すると、部品工程温度での高分子材料の高い熱膨張特性によって部品製造の際に不良が発生するだけでなく、工程が制限されて部品の設計と加工性及び信頼性の確保が問題となる。よって、電子部品の加工性及び信頼性を確保するために高分子材料の改善された熱膨張特性、即ち、寸法安定性が要求される。
これまで高分子材料、例えば、エポキシ化合物の熱膨張特性を改善（即ち、小さい熱膨張係数）するためには、一般に（１）エポキシ化合物を無機粒子（無機ピーラ）及び／又は繊維と複合化するか、（２）新たな合成法でＣＴＥが減少した新しいエポキシ化合物を設計する方法が使用されてきた。
熱膨張特性を改善するためにエポキシ化合物と充填剤として無機粒子を複合化する場合、約２〜３０μｍの大きさのシリカ無機粒子を多量使用しなければＣＴＥ現象効果は得られない。しかし、多量の無機粒子を充填することで加工性及び部品の物性が低下する問題が伴う。即ち、多量の無機粒子による流動性の減少及び隙間を充填する際のボイドの形成
などが問題となる。また、無機粒子を添加することで材料の粘度が幾何級数的に増加する。更に、半導体構造の微細化によって無機粒子の大きさが減少する傾向や、１μｍ以下のピーラを使用すると流動性が低下する（粘度が増加する）問題が非常に深刻になる。そして、平均粒径が大きい無機粒子を使用する場合、樹脂と無機粒子を含む組成物の適用部位が充填されない頻度が高くなる。一方、有機樹脂と充填剤として繊維を含む組成物を使用する場合にもＣＴＥが大きく減少するが、シリコンチップなどに比べ依然として高いＣＴＥを示す。
上述したように、現在のエポキシ化合物の復号化技術の限界とともに、次世代半導体基板及びＰＣＢなどの高集積かつ高性能な電子部品の製造が制限される。よって、従来の熱硬化性高分子複合体の高いＣＴＥとそれによる耐熱特性及び加工性不足などのような問題を改善するために改善された熱膨張特性、即ち、低いＣＴＥ及び高いガラス転移温度特性を有するエポキシ複合体の開発が要求される。
本発明の一実施形態によると、複合体によって向上した耐熱特性、詳しくは、低いＣＴＥと高いガラス転移温度特性及び／又は硬化物で優れた難燃性を示すアルコキシシリル系エポキシ化合物が提供される。
本発明の他の実施形態によると、複合体によって向上した耐熱特性、詳しくは、低いＣＴＥと高いガラス転移温度特性及び／又は硬化物で優れた難燃性を示すアルコキシシリル系エポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明のさらに他の実施形態によると、複合体によって向上した耐熱特性、詳しくは、低いＣＴＥと高いガラス転移温度特性及び／又は硬化物で優れた難燃性を示すアルコキシシリル系エポキシ化合物を含むエポキシ組成物が提供される。
なお、本発明の更に他の実施形態によると、複合体によって向上した耐熱特性、詳しくは、低いＣＴＥと高いガラス転移温度特性及び／又は硬化物で優れた難燃性を示す本発明の一実施形態によるエポキシ組成物の硬化物が提供される。
また、本発明の他の実施形態によると、本発明の一実施形態によるエポキシ組成物の用途が提供される。
本発明の第１見地によると、コアに少なくとも一つの下記化学式Ｓ１の置換基及び２つのエポキシ基を含むアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物が提供される。
（化学式Ｓ１において、前記Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又
はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよく、但し、前記コアがベンゼンでＳ１が一つである場合、前記Ｓ１において、Ｒa、Ｒb及びＲcが全て水素であり、Ｒ1乃至Ｒ3が全て炭素数１乃至６のアルコキシである場合は除外される。）
本発明の第２見地によると、第１見地において、前記エポキシ基は下記化学式Ｓ２の構造であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物が提供される。
本発明の第３見地によると、第１見地において、下記化学式Ｓ３の置換基をさらに含むアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物が提供される。
（式Ｓ３において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
本発明の第４見地によると、第１見地において、前記コアは下記化学式Ａ’乃至Ｋ’で構成されるグループから選択される芳香族コアのうち少なくとも一種であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物が提供される。
（前記化学式Ｄ’において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
本発明の第５見地によると、第１見地において、前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物は下記化学式ＡＩ乃至ＫＩで構成されるグループから選択される少なくとも一種のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物が提供される。
（前記化学式ＡＩ乃至ＫＩにおいて、多数のＱのうち少なくとも一つは下記化学式Ｓ１であり、残りは下記化学式Ｓ３、水素及び−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）で構成されるグループからそれぞれ独立して選択され、前記ＤＩにおいて、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（化学式Ｓ１において、前記Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。但し、化学式ＦＩでＳ１が一つである場合、前記Ｓ１において、Ｒa、Ｒb及びＲcが全て水素であり、Ｒ1乃至Ｒ3が全て炭素数１乃至６のアルコキシである場合は除外される。）
（式Ｓ３において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
本発明の第６見地によると、第５見地において、前記多数のＱのうち少なくとも一つは前記化学式Ｓ３であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物が提供される。
本発明の第７見地によると、第５見地において、前記多数のＱのうち少なくとも一つは前記化学式Ｓ１であり、残りは前記化学式Ｓ３であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物が提供される。
本発明の第８見地によると、第５見地において、前記Ｒ1乃至Ｒ3はエトキシ基であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物が提供される。
本発明の第９見地によると、第５見地において、前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物は前記化学式ＡＩ乃至ＤＩで構成されるグループから選択される少なくとも一種のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物が提供される。
本発明の第１０見地によると、第９見地において、前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物は前記化学式ＤＩであるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物が提供される。
本発明の第１１見地によると、第１０見地において、前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物は前記化学式ＤＩであり、Ｙは−Ｃ（ＣＨ3）2−であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物が提供される。
本発明の第１２見地によると、第５見地において、前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物は下記化学式Ｍの化合物のうち少なくとも一種であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物が提供される。
本発明の第１３見地によると、下記化学式Ａ１１乃至Ｋ１１で構成されるグループから
選択される少なくとも一種の化合物が提供される。
（前記化学式Ａ１１乃至Ｋ１１において、Ｋのうち少なくとも一つは−Ｏ−ＣＨ2−ＣＲa＝ＣＲbＲc（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りはヒドロキシ基であり、前記化学式Ｄ１１において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
本発明の第１４見地によると、第１３見地において、前記化合物は下記化学式Ｓ１１のうち少なくとも一種の化合物が提供される。
本発明の第１５見地によると、下記化学式Ａ１２乃至Ｋ１２で構成されるグループから選択される少なくとも一種の化合物が提供される。
（前記化学式Ａ１２乃至Ｋ１２において、Ｌのうち少なくとも一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ１２において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
本発明の第１６見地によると、第１５見地において、前記化合物は下記化学式Ｓ１２のうち少なくとも一種の化合物が提供される。
本発明の第１７見地によると、下記化学式Ａ１３乃至Ｋ１３で構成されるグループから選択される少なくとも一種の化合物が提供される。
（前記化学式Ａ１３乃至Ｋ１３において、Ｍのうち少なくとも一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（式中、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ１３において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
本発明の第１８見地によると、第１７見地において、前記化合物は下記化学式Ｓ１３のうち少なくとも一種の化合物が提供される。
本発明の第１９見地によると、下記化学式Ａ１３’乃至Ｋ１３’で構成されるグループから選択される少なくとも一種の化合物が提供される。
（前記化学式Ａ１３’乃至Ｋ１３’において、Ｎのうち一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（式中、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りの一つは下記化学式Ｓ３であり、
前記化学式Ｄ１３’において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（式Ｓ３のうち、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
本発明の第２０見地によると、第１９見地において、前記化合物は下記化学式Ｓ１３’である化合物が提供される。
本発明の第２１見地によると、下記化学式Ａ２３乃至Ｊ２３で構成されるグループから選択される少なくとも一種の化合物が提供される。
（前記化学式Ａ２３乃至Ｊ２３において、Ｋ’のうち少なくとも一つは−Ｏ−ＣＨ2−ＣＲa＝ＣＲbＲc（式中、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りはヒドロキシ基であり、
Ｌのうち少なくとも一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ２３において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
本発明の第２２見地によると、第２１見地において、前記化合物は下記化学式Ｓ２３のうち少なくとも一種の化合物が提供される。
本発明の第２３見地によると、下記化学式Ａ２４乃至Ｊ２４で構成されるグループから選択される少なくとも一種の化合物が提供される。
（前記化学式Ａ２４乃至Ｊ２４において、多数のＬ’のうち少なくとも２つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ２４において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
本発明の第２４見地によると、第２３見地において、前記化合物は下記化学式Ｓ２４のうち少なくとも一種の化合物が提供される。
本発明の第２５見地によると、下記化学式Ａ２５乃至Ｊ２５で構成されるグループから選択される少なくとも一種の化合物が提供される。
（前記化学式Ａ２５乃至Ｊ２５において、多数のＭ’のうち少なくとも２つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（但し、式中Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ２５において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
本発明の第２６見地によると、第２５見地において、前記化合物は下記化学式Ｓ２５のうち少なくとも一種の化合物が提供される。
本発明の第２７見地によると、下記化学式Ａ２５’乃至Ｊ２５’で構成されるグループから選択される少なくとも一種の化合物が提供される。
（前記化学式Ａ２５’乃至Ｊ２５’において、多数のＮ’のうち１つ乃至３つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、
１つ乃至３つは前記化学式Ｓ３であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ２５’において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（式Ｓ３において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
本発明の第２８見地によると、下記化学式ＡＰ乃至ＫＰで構成されるグループから選択される少なくとも一種のアルコキシシリル基を有するエポキシポリマー。
（前記化学式ＡＰ乃至ＫＰにおいて、多数のＱのうち少なくとも一つは下記化学式Ｓ１であり、残りは下記化学式Ｓ３、水素及び−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）で構成されるグループからそれぞれ独立して選択され、
ｍは１乃至１００の整数であり、
前記化学式ＤＰにおいて、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（式Ｓ１のうちＲa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
（化学式Ｓ３において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
本発明の第２９見地によると、第２８見地において、前記Ｒ1乃至Ｒ3はエトキシ基であるアルコキシシリル基を有するエポキシポリマーが提供される。
本発明の第３０見地によると、下記化学式ＡＳ乃至ＫＳのうちいずれか一つの出発物質と下記化学式Ｂ１のアリル化合物を塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させて下記化学式Ａ１１乃至Ｋ１１のうちいずれか一つの中間生成物１１を形成する第１ステップと、前記中間生成物１１のうちいずれか一つを任意の溶媒の存在下で加熱して下記化学式Ａ１２乃至Ｍ１２のうちいずれか一つの中間生成物１２を形成する第２ステップと、前記中間生成物１２のうちいずれか一つとエピクロロヒドリンを塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させて下記化学式Ａ１３乃至Ｋ１３のうちいずれか一つの中間生成物１３を形成する第３ステップと、任意に前記中間生成物１３のうちいずれか一つと過酸化物を任意の塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させて下記化学式Ａ１３’乃至化学式Ｋ１３’のうちいずれか一つの中間生成物１３’を形成する第３−１ステップと、前記中間生成物１３のうちいずれか一つ又は前記中間生成物１３’のうちいずれか一つと下記化学式Ｂ２のアルコキシシランを金属触媒及び任意の溶媒の存在下で反応させる第４ステップと、を含む化学式Ａ１４乃至Ｋ１４のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
（前記化学式ＤＳにおいて、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（前記化学式Ａ１１乃至Ｋ１１において、Ｋのうち少なくとも一つは−Ｏ−ＣＨ2−ＣＲa＝ＣＲbＲc（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りはヒドロキシ基であり、
前記化学式Ｄ１１において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（前記化学式Ａ１２乃至Ｋ１２において、Ｌのうち少なくとも一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ１２において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（前記化学式Ａ１３乃至Ｋ１３において、Ｍのうち少なくとも一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（式中、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ１３において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（前記化学式Ａ１３’乃至Ｋ１３’において、Ｎのうち一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残り一つは下記化
学式Ｓ３であり、前記化学式Ｄ１３’において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（式Ｓ３のうち、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
（前記化学式Ａ１４乃至Ｋ１４において、Ｐのうち少なくとも一つは下記化学式Ｓ１であり、残りは下記化学式Ｓ３、水素及び−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ 又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）で構成されるグループからそれぞれ独立して選択され、
前記化学式Ｄ１４において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（式Ｓ１のうちＲa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。但し、化学式Ｆ１４でＳ１が一つである場合、前記化学式Ｓ１のうちＲa、Ｒb及びＲcが全て水素であり、Ｒ1乃至Ｒ3が全て炭素数１乃至６のアルコキシ基である場合は除外される。）
（式Ｓ３のうち、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
（前記化学式Ｂ１において、ＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、−Ｏ−ＳＯ2−ＣＨ3、−０−ＳＯ2−ＣＦ3又は−Ｏ−ＳＯ2−Ｃ6Ｈ4−ＣＨ3であり、前記Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であ
ってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
（前記化学式Ｂ２において、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
本発明の第３１見地によると、前記化学式ＡＳ乃至ＪＳのうちいずれか一つの出発物質と下記化学式Ｂ１のアリル化合物を塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させて下記化学式Ａ１乃至Ｊ１のうちいずれか一つの中間生成物１１を形成する第１ステップと、前記中間生成物１１のうちいずれか一つを任意の溶媒の存在下で加熱して下記化学式Ａ１２乃至Ｊ１２のうちいずれか一つの中間生成物１２を形成する第２ステップと、前記中間生成物１２のうちいずれか一つと下記化学式Ｂ１のアリル化合物を塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させて下記化学式Ａ２３乃至Ｊ２３のうちいずれか一つの中間生成物２３を形成する第２−１ステップと、前記中間生成物２３を任意の溶媒の存在下で加熱して下記化学式Ａ２４乃至Ｊ２４のうちいずれか一つの中間生成物２４を形成する第２−２ステップと、前記中間生成物２４のうちいずれか一つとエピクロロヒドリンを塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させて下記化学式Ａ２５乃至Ｊ２５のうちいずれか一つの中間生成物２５を形成する第３ステップと、任意に前記中間生成物２５のうちいずれか一つと過酸化物を任意の塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させて下記化学式Ａ２５’乃至化学式Ｊ２５’のうちいずれか一つの中間生成物２５’を形成する第３−１ステップと、前記中間生成物２５のうちいずれか一つ又は前記中間生成物２５’のうちいずれか一つと下記化学式Ｂ２のアルコキシシランを金属触媒及び任意の溶媒の存在下で反応させる第４ステップと、を含む化学式Ａ２６乃至Ｊ２６のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
（前記化学式ＤＳにおいて、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（前記化学式Ａ１１乃至Ｊ１１において、Ｋのうち少なくとも一つは−Ｏ−ＣＨ2−ＣＲa＝ＣＲbＲc（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りはヒドロキシ基であり、
前記化学式Ｄ１１において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（前記化学式Ａ１２乃至Ｊ１２において、Ｌのうち少なくとも一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ１２において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（前記化学式Ａ２３乃至Ｊ２３において、Ｋ’のうち少なくとも一つは−Ｏ−ＣＨ2−ＣＲa＝ＣＲbＲc（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りはヒドロキシ基であり、Ｌのうち少なくとも一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ２３において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（前記化学式Ａ２４乃至Ｊ２４において、多数のＬ’のうち少なくとも２つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ２４において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（前記化学式Ａ２５乃至Ｊ２５において、多数のＭ’のうち少なくとも２つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（但し、式中Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ２５において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、
−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（前記化学式Ａ２５’乃至Ｊ２５’において、多数のＮ’のうち１つ乃至３つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、
１つ乃至３つは下記化学式Ｓ３であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ２５’において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（前記化学式Ａ２６乃至Ｊ２６において、Ｐ’のうち少なくとも一つは下記化学式Ｓ１であり、残りは下記化学式Ｓ３、水素及び−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲc
はそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）で構成されるグループからそれぞれ独立して選択され、
前記化学式Ｄ２６において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（化学式Ｓ１において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。但し、化学式Ｆ２６でＳ１が一つである場合、前記化学式Ｓ１のうちＲa、Ｒb及びＲcが全て水素であり、Ｒ1乃至Ｒ3が全て炭素数１乃至６のアルコキシ基である場合は除外される。）
（化学式Ｓ３において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
（前記化学式Ｂ１において、ＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、−Ｏ−ＳＯ2−ＣＨ3、−０−ＳＯ2−ＣＦ3又は−Ｏ−ＳＯ2−Ｃ6Ｈ4−ＣＨ3であり、前記Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
（化学式Ｂ２において、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
本発明の第３２見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第１ステップは前記出発物質のヒドロキシ基１当量に対して前記化学式Ｂ１のアリル化合物のアリル基が０．５乃至１０当量になるように反応するアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第３３見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第１ステップは常温乃至１００℃で１時間乃至１２０時間行われるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第３４見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第１ステップで前記塩基はＫＯＨ、ＮａＯＨ、Ｋ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、ＫＨＣＯ3、ＮａＨＣＯ3、ＮａＨ、トリエチルアミン及びジイソプロピルエチルアミンで構成されるグループから選択される少なくとも一種であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第３５見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第１ステップで前記溶媒はアセトニトリル、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド及びメチレンクロライドで構成されるグループから選択される少なくとも一種であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第３６見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第２ステップで前記中間生成物１１は１４０℃乃至２５０℃の温度で１時間乃至２００時間加熱されるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第３７見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第２ステップで前記溶媒はキシレン、１，２−ジクロロベンゼン及びＮ，Ｎ−ジエチルアニリンで構成されるグループから選択される少なくとも一種であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第３８見地によると、第３１見地において、前記第２−１ステップは前記中間生成物１２のヒドロキシ基１当量に対して前記化学式Ｂ１のアリル化合物のアリル基が０．５乃至１０当量になるように反応するアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第３９見地によると、第３１見地において、前記第２−１ステップは常温乃至１００℃で１時間乃至１２０時間行われるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第４０見地によると、第３１見地において、前記第２−１ステップで前記塩基はＫＯＨ、ＮａＯＨ、Ｋ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、ＫＨＣＯ3、ＮａＨＣＯ3、ＮａＨ、トリエチルアミン及びジイソプロピルエチルアミンで構成されるグループから選択される少なくとも一種であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第４１見地によると、第３１見地において、前記第２−１ステップで前記溶媒はアセトニトリル、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド及びメチレンクロライドで構成されるグループから選択される少なくとも一種であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第４２見地によると、第３１見地において、前記第２−２ステップは１４０℃乃至２５０℃で１時間乃至２００時間行われるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第４３見地によると、第３１見地において、前記第２−２ステップで前記溶媒はキシレン、１，２−ジクロロベンゼン及びＮ，Ｎ−ジエチルアニリンで構成されるグループから選択される少なくとも一種であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第４４見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第３ステップは前記中間生成物１２又は中間生成物２４のヒドロキシ１当量に対してエピクロロヒドリンのグリシジル基が１乃至１０当量になるように反応するアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第４５見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第３ステップは常温乃至１００℃で１時間乃至１２０時間行われるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第４６見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第３ステップで前記塩基はＫＯＨ、ＮａＯＨ、Ｋ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、ＫＨＣＯ3、ＮａＨＣＯ3、ＮａＨ、トリエチルアミン及びジイソプロピルエチルアミンで構成されるグループから選択される少なくとも一種であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第４７見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第３ステップで前記溶媒はアセトニトリル、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド及びメチレンクロライドで構成されるグループから選択される少なくとも一種であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第４８見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第３−１ステ
ップは前記中間生成物１３又は中間生成物２５のアリル基１当量に対して前記過酸化物のパーオキシドグループが１乃至１０当量になるように反応させるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第４９見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第３−１ステップで過酸化物はｍ−ＣＰＢＡ（ｍｅｔａ−ｃｈｌｏｒｏｐｅｒｏｘｙｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ）、Ｈ2Ｏ2及びＤＭＤＯ（ｄｉｍｅｔｈｙｌｄｉｏｘｉｒａｎｅ）で構成されるグループから選択される少なくとも一種であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第５０見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第３−１ステップは常温乃至１００℃で１時間乃至１２０時間行われるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第５１見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第３−１ステップで前記溶媒はアセトニトリル、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド及びメチレンクロライドで構成されるグループから選択される少なくとも一種であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第５２見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第３−１ステップで塩基はＫＯＨ、ＮａＯＨ、Ｋ2ＣＯ3、ＫＨＣＯ3、ＮａＨ、トリエチルアミン及びジイソプロピルエチルアミンで構成されるグループから選択されるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第５３見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第４ステップは前記中間生成物１５、中間生成物１５’、中間生成物２５又は中間生成物２５’のアリル基１当量に対して前記化学式Ｂ２のアルコキシシランが１当量乃至５当量になるように反応させるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第５４見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第４ステップは常温乃至１２０℃で１時間乃至７２時間行われるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第５５見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第４ステップで金属触媒はＰｔＯ2又はＨ2ＰｔＣｌ6であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第５６見地によると、第３０見地又は第３１見地において、前記第４ステップで前記溶媒はトルエン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド及びメチレンクロライドで構成されるグループから選択される少なくとも一種であるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法が提供される。
本発明の第５７見地によると、下記化学式ＡＩ乃至ＫＩで構成されるグループから選択される少なくとも一つのアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物を含むエポキシ組成物が提供される。
（前記化学式ＡＩ乃至ＫＩにおいて、多数のＱのうち少なくとも一つは下記化学式Ｓ１であり、残りは下記化学式Ｓ３、水素及び−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）で構成されるグループからそれぞれ独立して選択され、
前記化学式ＤＩにおいて、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（化学式Ｓ１において、Ｒa、Ｒb及びＲcそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。但し、化学式ＦＩで化学式Ｓ１が一つである場合、前記化学式Ｓ１のうちＲa、Ｒb及びＲcが全て水素であり、Ｒ1乃至Ｒ3が全て炭素数１乃至６のアルコキシ基である場合は除外される。）
（化学式Ｓ３において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
本発明の第５８見地によると、第５７見地において、グリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ゴム改質されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物で構成されるグループから選択される少なくとも一種のエポキシ化合物をさらに含むエポキシ組成物が提供される。
本発明の第５９見地によると、第５８見地において、前記エポキシ化合物はコア構造でビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノール、ビフェニル、ナフタレン、ベンゼン、チオジフェノール、フルオレン（ｆｌｕｏｒｅｎｅ）、アントラセン、イソシアヌレート、トリフェニルメタン、１，１，２，２−テトラフェニルエタン、テトラフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、アミノフェノールシクロ脂肪族又はノボラックユニットを有するエポキシ組成物が提供される。
本発明の第６０見地によると、第５９見地において、前記エポキシ化合物はコア構造でビスフェノールＡ、ビフェニル、ナフタレン又はフルオレンを有するエポキシ組成物が提供される。
本発明の第６１見地によると、第５７見地乃至第６０見地のうちいずれか一見地において、エポキシ化合物の総重量を基準に前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物１０乃至１００ｗｔ％未満及びグリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、
ゴム改質されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物で構成されるグループから選択される少なくとも一種のエポキシ化合物０ｗｔ％超過乃至９０ｗｔ％で含むエポキシ組成物が提供される。
本発明の第６２見地によると、第５７見地乃至第６０見地のうちいずれか一見地において、エポキシ化合物の総重量を基準に前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物３０乃至１００ｗｔ％未満及びグリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ゴム改質されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物で構成されるグループから選択される少なくとも一種のエポキシ化合物０ｗｔ％超過乃至７０ｗｔ％で含むエポキシ組成物が提供される。
本発明の第６３見地によると、下記化学式ＡＩ乃至ＫＩで構成されるグループから選択される少なくとも一つのアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物及び硬化剤を含むエポキシ組成物が提供される。
（前記化学式ＡＩ乃至ＫＩにおいて、多数のＱのうち少なくとも一つは下記化学式Ｓ１であり、残りは下記化学式Ｓ３、水素及び−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）で構成されるグループからそれぞれ独立して選択され、
前記化学式ＤＩにおいて、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
（式Ｓ１において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。但し、化学式ＦＩでＳ１が一つである場合、前記化学式Ｓ１のうちＲa、Ｒb及びＲcが全て水素であり、Ｒ1乃至Ｒ3が全て炭素数１乃至６のアルコキシ基である場合は除外される。）
（化学式Ｓ３において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
本発明の第６４見地によると、第６３見地において、グリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ゴム改質されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物で構成されるグループから選択される少なくとも一種のエポキシ化合物をさらに含むエポキシ組成物が提供される。
本発明の第６５見地によると、第６４見地において、前記エポキシ化合物はコア構造でビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノール、ビフェニル、ナフタレン、ベンゼン、チオジフェノール、フルオレン、アントラセン、イソシアヌレート、トリフェニルメタン、１，１，２，２−テトラフェニルエタン、テトラフェニルメタン、４，４−ジアミノジフェニルメタン、アミノフェノールシクロ脂肪族又はノボラックユニットを有するエポキシ組成物が提供される。
本発明の第６６見地によると、第６５見地において、前記エポキシ化合物はコア構造でビスフェノールＡ、ビフェニル、ナフタレン又はフルオレンを有するエポキシ組成物が提供される。
本発明の第６７見地によると、第６３見地乃至第６６見地のうちいずれか一見地において、エポキシ化合物の総重量を基準に前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物１０乃至１００ｗｔ％未満及びグリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、
ゴム改質されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物で構成されるグループから選択される少なくとも一種のエポキシ化合物０ｗｔ％超過乃至９０ｗｔ％で含むエポキシ組成物が提供される。
本発明の第６８見地によると、第６３見地乃至第６７見地のうちいずれか一見地において、エポキシ化合物の総重量を基準に前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物３９乃至１００ｗｔ％未満及びグリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ゴム改質されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物で構成されるグループから選択される少なくとも一種のエポキシ化合物０ｗｔ％超過乃至７０ｗｔ％で含むエポキシ組成物が提供される。
本発明の第６９見地によると、第５７乃至第６８見地のうちいずれか一見地において、硬化促進剤をさらに含むエポキシ組成物が提供される。
本発明の第７０見地によると、第５７乃至第６９見地のうちいずれか一見地において、無機粒子及び繊維で構成されるグループから選択される少なくとも一種の充填剤をさらに含むエポキシ組成物が提供される。
本発明の第７１見地によると、第７０見地において、前記無機粒子はＳｉＯ2、ＺｒＯ2及びＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3で構成されるグループから選択される少なくとも一種の金属酸化物及びＴ−１０型シルセスキオキサン、ラダー（ｌａｄｄｅｒ）型シルセスキオキサン及び籠型シルセスキオキサンで構成されるグループから選択される少なくとも一種であるエポキシ組成物が提供される。
本発明の第７２見地によると、第７０見地又は第７１見地において、前記エポキシ組成物で前記無機粒子はエポキシ化合物に対して５〜１０００ｐｈｒの量で使用されるエポキシ組成物が提供される。
本発明の第７３見地によると、第７０見地又は第７２見地において、前記エポキシ組成物で前記無機粒子はエポキシ化合物に対して１００ｐｈｒ乃至９００ｐｈｒの量で使用されるエポキシ組成物が提供される。
本発明の第７４見地によると、第７０見地又は第７３見地において、前記エポキシ組成物で前記無機粒子はエポキシ化合物に対して５０ｐｈｒ乃至２００ｐｈｒの量で使用されるエポキシ組成物が提供される。
本発明の第７５見地によると、第７０見地において、前記繊維はＥ、Ｔ（Ｓ）、ＮＥ、Ｅ、Ｄ及び石英で構成されるグループから選択されるガラス繊維及び液晶ポリエステル繊維、ポリエチレンテレフタレート繊維、全芳香族繊維、ポリベンゾオキサゾール繊維、ナイロン繊維、ポリエチレンナフタレート繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエーテルスルホン繊維、ポリビニリデンフロライド繊維、ポリエチレンスルフィド繊維及びポリエーテルエーテルケトン繊維で構成されるグループから選択される有機繊維で構成されるグループから選択される少なくとも一種であるエポキシ組成物が提供される。
本発明の第７６見地によると、第７５見地において、前記繊維はＥガラス繊維であるエポキシ組成物が提供される。
本発明の第７７見地によると、第７５見地において、前記繊維はＴガラス繊維であるエポキシ組成物が提供される。
本発明の第７８見地によると、第７０見地及び第７６見地乃至第７７見地のうちいずれか一見地において、前記エポキシ組成物の総重量に対して前記繊維は１０ｗｔ％乃至９０ｗｔ％含まれるエポキシ組成物が提供される。
本発明の第７９見地によると、第５７乃至第７８見地のうちいずれか一見地のエポキシ組成物を含む電子材料が提供される。
本発明の第８０見地によると、第５７乃至第７８見地のうちいずれか一見地のエポキシ組成物を含むプリプレグが提供される。
本発明の第８１見地によると、第８０見地のプリプレグに金属層が配置された積層板が提供される。
本発明の第８２見地によると、第５７乃至第７８見地のうちいずれか一見地のエポキシ組成物を含む基板が提供される。
本発明の第８３見地によると、第５７乃至第７８見地のうちいずれか一見地のエポキシ組成物を含むフィルムが提供される。
本発明の第８４見地によると、第８０見地のプリプレグを含むプリント配線板が提供される。
本発明の第８５見地によると、第８４見地のプリント配線板に半導体素子が搭載された半導体装置が提供される。
本発明の第８６見地によると、第５７乃至第７８見地のうちいずれか一見地のエポキシ組成物を含む半導体パッケージング材料が提供される。
本発明の第８７見地によると、第８６見地の半導体パッケージング材料を含む半導体装置が提供される。
本発明の第８８見地によると、第５７乃至第７８見地のうちいずれか一見地のエポキシ組成物の硬化物が提供される。
本発明の第８９見地によると、熱膨張係数が５０ｐｐｍ／℃乃至１５０ｐｐｍ／℃である第５７乃至第６９見地のうちいずれか一見地のエポキシ組成物の硬化物が提供される。
本発明の第９０見地によると、熱膨張係数が１５ｐｐｍ／℃以下である第７０乃至第７８見地のうちいずれか一見地のエポキシ組成物の硬化物が提供される。
本発明の第９１見地によると、ガラス転移温度が１００℃より高いかガラス転移温度を示さない第７０乃至第７８見地のうちいずれか一見地のエポキシ組成物の硬化物が提供される。
本発明による新しいアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物を含むエポキシ組成物は、複合体エポキシ化合物のうちアルコキシシリル基と充填剤の化学的結合によってエポキシ化合物と充填剤との間の化学結合効率が向上され、このような化学結合効率の向上によって向上した耐熱特性、即ち、エポキシ複合体のＣＴＥが減少してガラス転移温度の上
昇又はガラス転移温度を示さない（以下、「Ｔｇレス」と称する）効果を示す。また、本発明によるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物を含む硬化物はアルコキシシリル基の導入によって優れた難燃性を示す。
なお、本発明によるエポキシ組成物を基板の金属フィルムに適用する場合、金属フィルム表面の作用基とアルコキシシリル基の化学結合によって金属フィルムに対して優れた接着力を示す。更に、本発明のアルコキシシリル系エポキシ化合物を含む組成物はアルコキシシリル系エポキシ化合物による前記化学結合の効率向上によって従来エポキシ組成物に一般的に配合されていたシランカップリング剤の配合を必要としない。前記エポキシ化合物を含むエポキシ組成物は硬化（熱硬化及び／又は光硬化を含む）効率に優れるため、硬化による複合体を形成する際に低いＣＴＥ及び高いガラス転移温度或いはＴｇレスの優れた熱膨張特性を示す。
比較例１、実施例２のＣＴＥとＴｇ変化を示すグラフである。 比較例６（図ａ）、実施例１２（図ｂ）及び実施例１３（図ｃ）のＣＴＥ変化を示すグラフである。 比較例７（図ａ）、実施例１７（図ｂ）及び実施例１８（図ｃ）のＣＴＥ変化を示すグラフである。 比較例８（図ａ）、実施例２０（図ｂ）のＣＴＥ変化を示すグラフである。 比較例１０（図ａ）、実施例２３（図ｂ）及び実施例２４（図ｃ）のＣＴＥ変化を示すグラフである。 比較例２（図ａ）と実施例１３（図ｂ）のＴｇ変化を示すグラフである。 比較例４（図ａ）と実施例１８（図ｂ）のＴｇ変化を示すグラフである。 比較例６（図ａ）と実施例２０（図ｂ）のＴｇ変化を示すグラフである。 比較例９（図ａ）と実施例２４（図ｂ）のＴｇ変化を示すグラフである。 アルコキシシリル基の数の変化によるエポキシ硬化物と複合体のＣＴＥ関係を示すグラフである。 実施例１２と比較例６のエポキシ硬化物の燃焼後の状態を示す写真である。 実施例１７と比較例７のエポキシ硬化物の燃焼後の状態を示す写真である。 実施例２０と比較例８のエポキシ硬化物の燃焼後の状態を示す写真である。 実施例２３と比較例９のエポキシ硬化物の燃焼後の状態を示す写真である。
本発明はエポキシ組成物の硬化によって複合体で改善された耐熱特性、詳しくは、低いＣＴＥと高いＴｇ或いはＴｇレス及び／又は硬化物で優れた難燃性を有する新しいアルコキシシリル系エポキシ化合物、その製造方法、それを含むエポキシ組成物と硬化物及びその用途を提供する。本発明において、「複合体」とはエポキシ化合物及び充填剤である無機材料（繊維及び／又は無機粒子）を含む組成物の硬化物をいう。本発明において、「硬化物」とはエポキシ化合物を含む組成物の硬化物をいい、エポキシ化合物と、硬化剤と、そして任意の無機材料（充填剤）、任意の硬化触媒及びその他の添加剤で構成されるグループから選択される少なくとも一種を含むいずれかのエポキシ化合物を含む組成物の硬化物をいう。また、前記硬化物は半硬化物を含む意味で使用される。
本発明によるアルコキシシリル系エポキシ化合物を含むエポキシ組成物は、硬化による複合体を生成する際にエポキシ基は硬化剤と反応して硬化反応が進行し、アルコキシシリル基は無機材料である充填剤の表面と界面結合を形成する。よって、非常に優れたエポキシ複合体システムの化学結合形成効率を示すため、低いＣＴＥ及び高いガラス転移温度上昇効果又はＴｇレス（ｌｅｓｓ）を示し、寸法安定性が向上される。また、本発明によるアルコキシシリル系エポキシ化合物を含む硬化物は優れた難燃性を示す。
なお、本発明によるアルコキシシリル系エポキシ化合物を含むエポキシ組成物は優れた硬化特性を示す。前記硬化特性は熱硬化及び光硬化を全て含む。
更に、本発明によるエポキシ組成物は化学的に処理された金属フィルム、例えば、銅箔などに適用する場合、金属表面処理による金属表面の−ＯＨ基などと化学結合するため金属フィルムと優れた接着力を示す。
１．化合物
本発明の一実施形態によると、コアに少なくとも一つの下記化学式Ｓ１の置換基及び少なくとも２つのエポキシ基を有するアルコキシシリル系エポキシ化合物が提供される。前記エポキシ基は、詳しくは下記化学式Ｓ２の置換基である。
化学式Ｓ１において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。好ましくは、前記Ｒ1乃至Ｒ3はエトキシ基である。
また、前記本発明の一実施形態によって提供されるアルコキシシリル系エポキシ化合物は下記化学式Ｓ３の置換基をさらに含む。
前記化学式Ｓ３において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。
本明細書で使用される用語「コア」とは、少なくとも３つの置換基を有する直鎖状又は
分岐鎖状、或いは環状又は非環状、或いは芳香族又は脂肪族炭化水素化合物をいい、また、これはＮ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。
本明細書で使用される用語「芳香族化合物」は化学分野で規定される芳香族化合物の意味で使用され、ヘテロ元素を含まない芳香族化合物だけでなくヘテロ芳香族化合物を含み、ヘテロ芳香族化合物でヘテロ原子としてはＮ、Ｏ、Ｓ又はＰを含む。
前記コアは芳香族化合物である。前記芳香族化合物の例としては、これに限らず、ベンゼン（ｂｅｎｚｅｎｅ）、ナフタレン（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）、ビフェニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、フルオレン、アントラセン（ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、フェナントレン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｅｎｅ）、クリセン（ｃｈｒｙｓｅｎｅ）、ピレン（ｐｙｒｅｎｅ）、アヌレン（ａｎｎｕｌｅｎｅ）、コラヌレン（ｃｏｒａｎｎｕｌｅｎｅ）、コロネン（ｃｏｒｏｎｅｎｅ）、プリン（ｐｕｒｉｎｅ）、ピリミジン（ｐｙｒｉｍｉｄｉｎｅ）、ベンゾピレン（ｂｅｎｚｏｐｙｒｅｎｅ）、ジベンゾアントラセン（ｄｉｂｅｎｚａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）又はヘキサヘリセン（ｈｅｘａｈｅｌｉｃｅｎｅ）又は前記化合物のうち少なくとも一つ以上が直接リンカーによる共有結合で連結された多環芳香族化合物であることができる。
前記リンカーは−ＣＲｅＲｆ−（前記式において、Ｒｅ及びＲｆはそれぞれ独立して水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩのハロゲン原子又は炭素数１乃至３のアルキル基又は炭素数４〜６の環状化合物である）、カルボニル（−ＣＯ−）、エステル（−ＣＯＯ−）、カーボネート（−ＯＣＯＯ−）、エチレン（−ＣＨ2ＣＨ2−）、プロピレン（−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−）、エーテル（−Ｏ−）、アミン（−ＮＨ−）、チオエーテル（−Ｓ−）又はスルホニル（−ＳＯ2−）である。
前記コアは下記化学式Ａ’乃至Ｋ’で構成されるグループから選択されるいずれか一つである。
［コア構造］
前記化学式Ｄ’において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。
前記本発明の一実施形態によって提供されるアルコキシシリル系エポキシ化合物は、詳しくは下記化学式ＡＩ乃至ＫＩで構成されるグループから選択されるいずれかのアルコキシシリル系エポキシ化合物である。
前記化学式ＡＩ乃至ＫＩにおいて、多数のＱのうち少なくとも一つ、例えば、一つ乃至４つは下記化学式Ｓ１であり、残りは下記化学式Ｓ３、水素及び−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）で構成されるグループからそれぞれ独立して選択され、前記ＤＩにおいて、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−
Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。
前記化学式Ｓ１において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。
但し、化学式ＦＩでＳ１が一つである場合、前記Ｓ１でＲa、Ｒb及びＲcが全て水素であり、Ｒ1乃至Ｒ3が全て炭素数１乃至６のアルコキシ基である場合は除外される。
好ましくは、前記Ｒ1乃至Ｒ3はエトキシ基である。
前記化学式Ｓ３において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。
本発明の一実施形態において、前記アルコキシシリル系エポキシ化合物は下記化学式ＡＩ乃至ＤＩから選択されるいずれか一つである。また、本発明の一実施形態において、前記アルコキシシリル系エポキシ化合物は下記化学式ＢＩ又は化学式ＤＩであってもよい。また、例えば、前記化学式ＤＩの化合物において、Ｙは−Ｃ（ＣＨ3）2−である。
本発明の他の実施形態において、前記化学式ＡＩ乃至ＫＩの化合物のうちいずれか一つ、例えば、前記化学式ＡＩ乃至ＤＩの化合物のうちいずれか一つ、例えば、ＢＩ又はＤＩの化合物、例えば、Ｙが−Ｃ（ＣＨ3）2−であるＤＩ化合物は、前記化学式Ｓ３の置換基をさらに、例えば、一つ乃至３つの置換基を含む。
前記化学式ＡＩ乃至ＫＩの化合物を含む複合体はアルコキシシリル基の導入によって複合体のガラス転移温度が上昇又はＴｇレス効果を示すが、無機材料を含まない化学式ＡＩ乃至ＫＩの化合物自体の降下物はフレキシブルなアルコキシシリル基の導入によってガラス転移温度が減少される傾向がある。このような無機材料を含まないエポキシ化合物自体
の硬化物のガラス転移温度の現象はエポキシ化合物に存在するエポキシ基とアルコキシシリル基の濃度比（当量比）に依存する傾向を示す。よって、複合体の耐熱特性を考慮するとエポキシ化合物のアルコキシシリル濃度増加はエポキシ化合物自体の硬化物のＣＴＥ側面では好ましいが、エポキシ化合物自体の硬化物のガラス転移温度の減少によって複合体のガラス転移温度が低くなる可能性があるため、このような場合には複合体のレジン含量を減少又はエポキシ化合物に前記化学式Ｓ３のエポキシ基をさらに導入して複合体のガラス転移温度を上げるかＴｇレスになるように補完する。
本発明の一実施形態によると、前記アルコキシシリル系エポキシ化合物の詳しい例は前記化学式Ｍに記載されたものである。
本発明の一実施形態によると、また、前記中間生成物Ａ１１乃至Ｋ１１、例えば、Ａ１１乃至Ｄ１１、また、例えば、前記化学式Ｓ１１の化合物；中間生成物Ａ１２乃至Ｋ１２、例えばＡ１２乃至Ｄ１２、また、例えば、前記化学式Ｓ１２の化合物；中間生成物Ａ１３乃至Ｋ１３、例えばＡ１３乃至Ｄ１３、また、例えば、前記化学式Ｓ１３の化合物；中間生成物Ａ１３’乃至Ｋ１３’、例えば、Ａ１３’乃至Ｄ１３’、また、例えば、前記化学式Ｓ１３’の化合物；中間生成物Ａ２３乃至Ｊ２３、例えばＡ２３乃至Ｄ２３、また、例えば、前記化学式Ｓ２３の化合物；中間生成物Ａ２４乃至Ｊ２４、例えばＡ２４乃至Ｄ２４、また、例えば、前記化学式Ｓ２４の化合物；中間生成物Ａ２５乃至Ｊ２５、例えばＡ２５乃至Ｄ２５、また、例えば、前記化学式Ｓ２５の化合物；中間生成物Ａ２５’乃至Ｊ２５’、例えばＡ２５’乃至Ｄ２５’、また、例えば、前記化学式Ｓ２５’の化合物が提供される。
本発明の他の実施形態によると、前記化学式ＡＰ乃至ＫＰ、例えば、化学式ＡＰ乃至ＤＰ、例えば、化学式ＣＰ又はＤＰのエポキシポリマーが提供される。前記化学式ＡＰ乃至ＫＰのエポキシポリマーで反復単位ｍ１乃至１００の整数、好ましくは１乃至１０の整数である。
例えば、前記本発明によるアルコキシシリル系エポキシ化合物を製造する際、即ち、エピクロロヒドリンを利用した芳香族アルコールのエポキシ化反応の際、反応生成物（コア）に導入されたエポキシ基が反応物（ｒｅａｃｔａｎｔ）のヒドロキシ基と反応し、モノマー形態のエポキシ以外にダイマー以上の分子量を有するエポキシ（本明細書で「エポキシポリマー」と称する）が同時に形成される。本発明において、「エポキシポリマー」はオリゴマー及びポリマーを含む意味で使用される。
２．エポキシ化合物の製造方法
本発明の他の実施形態によると、前記本発明の一実施形態によるコアに少なくとも一つの前記化学式ＳＩの置換基及び２つのエポキシ基、詳しくは前記化学式Ｓ２のエポキシ基及び任意の前記化学式Ｓ３のエポキシ基を含む前記アルコキシシリル系エポキシ化合物、例えば、前記化学式ＡＩ乃至ＫＩのアルコキシシリル系エポキシ化合物、例えば、前記化学式ＡＩ乃至ＤＩ、例えば、前記化学式ＣＩ又はＤＩ、例えば、Ｙが−Ｃ（ＣＨ3）2−である化学式ＤＩのアルコキシシリル系エポキシ化合物の製造方法が提供される。
前記アルコキシシリル系エポキシ化合物は出発物質、例えば、下記化学式ＡＳ乃至ＫＳのうちいずれか一つのアリル化、クライゼン転位（Ｃｌａｉｓｅｎ Ｒｅａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）、エポキシ化及びアルコキシシリル化で製造される。但し、下記本発明の一具現によるアルコキシシリル系エポキシ化合物の製造方法で明確に理解されるように、アリル化及びクライゼン転位がそれぞれ１回行われる場合には前記化学式Ａ１４乃至Ｋ１４のアルコキシシリル系エポキシ化合物が得られ、アリル化及びクライゼン転位がそれぞれ２
回行われる場合には前記化学式Ａ２６乃至Ｊ２６のアルコキシシリル系エポキシ化合物が得られる。前記化学式ＡＩ乃至Ｋ２は２つの場合を全て含むように記載されている。
本発明の一実施形態によると、下記化学式ＡＳ乃至ＫＳのうち一つの出発物質のアリル化（第１ステップ）、クライゼン転位（第２ステップ）、エポキシ化（第３ステップ）、任意のさらなるエポキシ化（第３−１ステップ）及びアルコキシシリル化（第４ステップ）を含むアルコキシシリル系エポキシ化合物の製造方法が提供される。以下、前記方法を方法１とし、それについて記述する。
第１ステップでは、下記化学式ＡＳ乃至ＫＳのうちいずれか一つの出発物質のヒドロキシ基をアリル化することで下記化学式Ａ１１乃至Ｋ１１のうちいずれか一つの中間生成物１１が得られる。
この際、出発物質ＡＳ乃至ＫＳの２つのヒドロキシ基のうち一つのみがアリル化されてもよく、２つのヒドロキシ基が全てアリル化されてもよい。第１ステップでアリル化されるヒドロキシ基の数に応じて、最終目的物である化学式ＡＩ乃至ＫＩのアルコキシシリル系エポキシ化合物で官能基であるアルコキシシリル基の数が異なり得る。詳しくは、一つのヒドロキシ基のみアリル化されると、最終目的物で化学式Ｓ１であるアルコキシシリル基の数が１つである。２つのヒドロキシ基が全てアリル化されると最終目的物で化学式Ｓ１のアルコキシシリル基の数が最大２つであり、或いは化学式Ｓ１のアルコキシシリル基一つと化学式Ｓ３のエポキシ基が一つである。アリル化されるヒドロキシ基の数は反応物の当量比を調節して行う。
第１ステップでは、前記化学式ＡＳ乃至ＫＳのうち一つの出発物質と化学式Ｂ１のアリル化合物を塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させる。この際、出発物質のヒドロキシ基１当量に対して化学式Ｂ１のアリル化合物のアリル基が０．５乃至１０当量になるように反応する。
前記化学式ＤＳにおいて、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。
前記化学式Ｂ１において、ＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、−Ｏ−ＳＯ2−ＣＨ3、−Ｏ−ＳＯ2−ＣＦ3又は−Ｏ−ＳＯ2−Ｃ6Ｈ4−ＣＨ3であり、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。
第１ステップの反応の反応温度及び反応時間は反応物の種類に応じて異なるが、例えば、常温（例えば、１５℃乃至２５℃）乃至１００℃で１乃至１２０時間反応させることで下記化学式Ａ１１乃至Ｋ１１のうちいずれか一つの中間生成物１１が得られる。
前記化学式Ａ１１乃至Ｋ１１において、２つのＫのうち少なくとも一つは−Ｏ−ＣＨ2−ＣＲa＝ＣＲbＲc（但し、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りはヒドロキシ基であり、前記化学式Ｄ１１において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。
使用可能な塩基の例としては、これに限らず、例えば、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、Ｋ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、ＫＨＣＯ3、ＮａＨＣＯ3、ＮａＨ、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンが挙げられる。これらの塩基は単独で又は２つ以上が一緒に使用されてもよい。塩基は前記出発物質のヒドロキシ基１当量に対して１当量乃至５当量で使用することが反応効率の側面で好ましい。
第１ステップの反応において、溶媒は必要に応じて任意に使用される。例えば、第１ステップの反応で別途の溶媒がなくても反応温度において反応物の粘度が反応するのに適しているのであれば溶媒を使用しなくてもよい。即ち、溶媒がなくても反応物の混合及び攪拌が円滑に進行する程度に反応物の粘度が低くなれば別途の溶媒を必要とせず、これは当
業者が容易に判断してもよい。溶媒を使用する場合、可能な溶媒としては反応物をよく溶解し、反応にいかなる悪影響も及ぼさずに反応後に容易に除去可能である限りいかなる有機溶媒が使用されてもよく、特にこれに限らず、例えば、アセト二トリル、ＴＨＦ（ｔｅｔｒａ ｈｙｄｒｏ ｆｕｒａｎ）、ＭＥＫ（ｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、ＤＭＦ（ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｆｏｒｍａｍｉｄｅ）、ＤＭＳＯ（ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｕｆｏｘｉｄｅ）、メチレンクロライド（ＭＣ）などが使用されてもよい。これらの溶媒は単独で又は２つ以上が一緒に使用されてもよい。溶媒の使用量は特に限らないが、反応物が十分に溶解されて反応に好ましくない影響を及ぼさない範囲内で適切な量で使用されてもよく、この技術分野の技術者はそれを考慮して適切に選択してもよい。
第２ステップでは、前記第１ステップで得られた中間生成物１１を加熱することでクライゼン転位によって下記化学式Ａ１２乃至Ｋ１２の中間生成物１２が形成される。
前記中間生成物１１は、１４０℃乃至２５０℃の温度で１時間乃至２００時間加熱されることでクライゼン転位される。前記第２ステップの反応は必要に応じて溶媒の存在下で行われてもよく、溶媒としてはこれに限らず、キシレン、１，２−ジクロロベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリンなどが使用されてもよい。
前記化学式Ａ１２乃至Ｋ１２において、Ｌのうち少なくとも一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（式中、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ１２において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。
第３ステップでは、下記化学式Ａ１２乃至Ｋ１２のうちいずれか一つの中間生成物１２
とエピクロロヒドリンの反応でヒドロキシ基をエポキシ化して下記化学式Ａ１３乃至Ｋ１３の中間生成物１３を形成する。この際、中間生成物１２とエピクロロヒドリンは中間生成物１２のヒドロキシ基１当量に対してエポキシ基が１乃至１０当量になるように塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させて中間生成物１３を形成する。それだけでなく、任意の溶媒を使用せずに溶媒の代わりにエピクロロヒドリンを過量に使用してもよい。
前記化学式Ａ１３乃至Ｋ１３において、２つのＭのうち少なくとも一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（式中、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ１３において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。
第３ステップの反応温度及び反応時間は反応物の種類に応じて異なるが、例えば、常温（例えば、１５℃乃至２５℃）乃至１００℃で１乃至１２０時間反応させることで中間生成物１３が形成される。
使用可能な塩基の例としては、これに限らず、例えば、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、Ｋ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、ＫＨＣＯ3、ＮａＨＣＯ3、ＮａＨ、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンが挙げられる。これらの塩基は単独で又は２つ以上が一緒に使用されてもよい。塩基は中間生成物１２のヒドロキシ基１当量に対して１当量乃至５当量で使用することが反応効率の側面で好ましい。
第３ステップの反応において、溶媒は必要に応じて任意に使用される。例えば、第３ステップの反応が別途の溶媒がなくても反応温度において反応物の粘度が反応するのに適しているのであれば溶媒を使用しなくてもよい。即ち、反応物の混合及び攪拌が溶媒がなくても円滑に進行する程度に反応物の粘度が低くなれば別途の溶媒を必要とせず、これは当業者が容易に判断してもよい。溶媒を使用する場合、可能な溶媒としては反応物をよく溶解し、反応にいかなる悪影響も及ぼさずに反応後に容易に除去可能である限りいかなる有機溶媒が使用されてもよく、特にこれに限らず、例えば、アセト二トリル、ＴＨＦ（ｔｅｔｒａ ｈｙｄｒｏ ｆｕｒａｎ）、ＭＥＫ（ｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、ＤＭＦ（ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｆｏｒｍａｍｉｄｅ）、ＤＭＳＯ（ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｕｆｏｘｉｄｅ）、メチレンクロライド（ＭＣ）などが使用されてもよい。これらの溶媒は単独で又は２つ以上が一緒に使用されてもよい。溶媒の使用量は特に限らないが、反応物が十分に溶解されて反応に好ましくない影響を及ぼさない範囲内で適切な量で使用されてもよく、この技術分野の技術者はそれを考慮して適切に選択してもよい。
一方、第３ステップのエポキシ化過程において、下記化学式１に示したような反応が進行してエポキシ化された中間生成物１３が中間生成物１２のヒドロキシ基と反応して前記化学式（ＡＰ）乃至（ＫＰ）で示したような二量体以上のポリマーが形成される。
下記反応式１は中間生成物Ｂ１２のエポキシ化で中間生成物Ｂ１３が生成され、Ｂ１３でＭが全て−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２である場合を例に挙げて示した。
（但し、ｍは１乃至１００の整数である。）
前記第３ステップの後、必要に応じて任意にアリル基をエポキシ化するエポキシ化第３−１ステップがさらに行われてもよい。第３−１ステップでは、中間生成物１３のうちいずれか一つの化合物のアリル基を酸化させてエポキシ化することで下記化学式Ａ１３’乃至Ｋ１３’のうちいずれか一つの中間生成物１３’が得られる。
第３−１ステップでは前記中間生成物１３と過酸化物を任意の塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させる。この際、前記中間生成物１３のアリル基１当量に対して過酸化物のパーオキシド基が１当量乃至１０当量になるように中間生成物１３と過酸化物が反応される。
前記化学式Ａ１３’乃至Ｋ１３’において、Ｎのうち一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（式中、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りの一つは前記化学式Ｓ３であり、前記化学式Ｄ１３’において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。
第３−１ステップの反応の反応温度及び反応時間は反応物の種類に応じて異なるが、例えば、常温（例えば、１５℃乃至２５℃）乃至１００℃で１乃至１２０時間であってもよい。
前記過酸化物としてはこれに限らず、例えば、ｍ−ＣＰＢＡ（ｍｅｔａ−ｃｈｌｏｒｏｐｅｒｏｘｙｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ）、Ｈ2Ｏ2、ＤＭＤＯが使用されてもよい。これらの過酸化物は単独で又は２つ以上が一緒に使用されてもよい。
第３−１ステップの反応において、塩基は必要に応じて任意に使用される。前記塩基は、反応後に使用される過酸化物の種類に応じて残留し得る酸性分を中和するために使用される。使用可能な塩基の例としては、これに限らず、例えば、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、Ｋ2ＣＯ3、ＫＨＣＯ3、ＮａＨ、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンが挙げられる。これらの塩基は単独で又は２つ以上が一緒に使用されてもよい。塩基が使用される場合、塩基は中間生成物１３のアリル基１当量に対して０．１当量乃至５当量の量で使用することが反応効率の側面で好ましい。
第３−１ステップの反応において、溶媒は必要に応じて任意に使用される。例えば、第１ステップの反応で別途の溶媒がなくても反応温度において反応物の粘度が反応するのに適しているのであれば溶媒を使用しなくてもよい。即ち、反応物の混合及び攪拌が溶媒がなくても円滑に進行する程度に反応物の粘度が低くなれば別途の溶媒を必要とせず、これは当業者が容易に判断してもよい。溶媒を使用する場合、可能な溶媒としては反応物をよく溶解し、反応にいかなる悪影響も及ぼさずに反応後に容易に除去可能である限りいかなる有機溶媒が使用されてもよく、特にこれに限らず、例えば、アセト二トリル、ＴＨＦ（ｔｅｔｒａ ｈｙｄｒｏ ｆｕｒａｎ）、ＭＥＫ（ｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、ＤＭＦ（ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｆｏｒｍａｍｉｄｅ）、ＤＭＳＯ（ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｕｆｏｘｉｄｅ）、メチレンクロライド（ＭＣ）などが使用されてもよい。これらの溶媒は単独で又は２つ以上が一緒に使用されてもよい。溶媒の使用量は特に限らないが、反応物が十分に溶解されて反応に好ましくない影響を及ぼさない範囲内で適切な量で使用されてもよく、この技術分野の技術者はそれを考慮して適切に選択してもよい。
第４ステップでは前記中間生成物１３のうちいずれか一つ又は任意の第３−１ステップが行われる場合、前記中間生成物１３’のうちいずれか一つと下記化学式Ｂ２のアルコキシシランの反応で前記中間生成物１３又は１３’のアリル基をアルコキシシリル化してアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物が得られる。
第４ステップの反応において、中間生成物１３又は中間生成物１３’とアルコキシシランは中間生成物１３又は中間生成物１３’のアリル基とアルコキシシランが化学量論に応じて当量比で反応するため、それを考慮して前記中間生成物１３又は中間子生成物１３’のアリル基１当量に対して化学式Ｂ２のアルコキシシランが１当量乃至５当量になるように中間生成物１３又は中間生成物１３’は下記化学式Ｂ２のアルコキシシランを反応させる。
化学式Ｂ２において、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ
基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。好ましくは、Ｒ1乃至Ｒ3はエトキシ基である。
第４ステップの反応の反応温度及び反応時間は反応物に応じて異なるが、例えば、常温（例えば、１５℃乃至２５℃）乃至１２０℃で１乃至７２時間反応させてもよい。
前記第４ステップで金属触媒としてはこれに限らず、例えば、ＰｔＯ2又はＨ2ＰｔＣｌ6（ｃｈｌｏｒｏｐｌａｔｉｎｉｃ ａｃｉｄ）の白金触媒が使用されてもよい。白金触媒は中間生成物１３又は中間生成物１３’のアリル基１当量に対して０．０１乃至０．０５当量で使用することが反応効率の側面で好ましい。
第４ステップの反応において、溶媒は必要に応じて任意に使用される。例えば、第４ステップの反応で別途の溶媒がなくても反応温度において反応物の粘度が反応するのに適しているのであれば溶媒を使用しなくてもよい。即ち、反応物の混合及び攪拌が溶媒がなくても円滑に進行する程度に反応物の粘度が低くなれば別途の溶媒を必要とせず、これは当業者が容易に判断してもよい。溶媒を使用する場合、可能な溶媒としては反応物をよく溶解し、反応にいかなる悪影響も及ぼさずに反応後に容易に除去可能である限りいかなる非プロトン性溶媒（ａｐｒｏｔｉｃ ｓｏｌｖｅｎｔ）が使用されてもよい。これに限らず、例えば、トルエン、アセト二トリル、ＴＨＦ、ＭＥＫ、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ、メチレンクロライドなどが使用されてもよい。これらの溶媒は単独で又は２つ以上が一緒に使用されてもよい。溶媒の使用量は特に限らないが、反応物が十分に溶解されて反応に好ましくない影響を及ぼさない範囲内で適切な量で使用されてもよく、この技術分野の技術者はそれを考慮して適切に選択してもよい。
第４ステップでは前記中間生成物１３又は中間生成物１３’と前記化学式Ｂ２のアルコキシシランの反応で前記中間生成物１３又は中間生成物１３’のアリル基をアルコキシシリル化して本発明の一実施形態による下記化学式Ａ１４乃至Ｋ１４、例えば、化学式Ａ１４乃至Ｄ１４、例えば、化学式Ｂ１４又はＤ１４、例えば、ＹがＣ（ＣＨ3）2であるＤ１４のアルコキシシリル系エポキシ化合物が得られる。
前記化学式Ａ１４乃至Ｋ１４において、Ｐのうち少なくとも一つは前記化学式Ｓ１であり、残りの前記化学式Ｓ３、水素及び−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）で構成されるグループからそれぞれ独立して選択され、好ましくは前記化学式Ｓ３であり、前記Ｄ４において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）
2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。但し、化学式ＦＩでＳ１が一つである場合、前記Ｓ１でＲa、Ｒb及びＲcが全て水素であり、Ｒ1乃至Ｒ3が全て炭素数１乃至６のアルコキシ基である場合は除外される。
前記方法１による例示的な反応スキーム（Ｉ）乃至（III）を以下に示す。ビスフェノールＡ化合物である化学式Ｄ１のうちＹが−Ｃ（ＣＨ3）2−である場合を例に挙げており、反応スキーム（Ｉ）は第１ステップのアリル化で一つのヒドロキシ基のみがアリル化された場合を、反応スキーム（II）は第１ステップのアリル化で２つのヒドロキシ基が全てアリル化された場合を、そして反応スキーム（III）はエポキシ化の第３−１ステップがさらに行われた場合を示す。
反応スキーム（Ｉ）は式Ｄ１４でＰのうち一つは−（ＣＨ2）3ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3（Ｒ1乃至Ｒ3は前記定義の通りである）、一つはＨである場合であり、反応スキーム（II）は式Ｄ１４でＰが全て−（ＣＨ2）3ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3（Ｒ1乃至Ｒ3は前記定義の通りである）の場合であり、反応スキーム（III）は式Ｄ１４でＰのうち一つは−（ＣＨ2）3ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3（Ｒ1乃至Ｒ3は前記定義の通りである）で一つは化学式Ｓ３の置換基である場合を示す。
本発明の他の実施形態によると、下記化学式ＡＳ乃至ＪＳのうち一つの出発物質のアリル化（第１ステップ）、クライゼン転位（第２ステップ）、アリル化（第２−１ステップ）、エポキシ化（第３ステップ）、任意のエポキシ化（第３−１ステップ）及びアルコキシシリル化（第４ステップ）を含む化学式Ａ２６乃至Ｊ２６（又はＡＩ乃至ＪＩ）のアルコキシシリル系エポキシ化合物の製造方法が提供される。以下、前記方法を方法２とし、
それについて記述する。
方法２の第１ステップ及び第２ステップはそれぞれ前記方法１の第１ステップ及び第２ステップと同じである。但し、出発物質のうち化学式ＫＳはその構造上クライゼン転位を２回行うことができないため方法２に適用することができない。前記方法１に記載したように、第１ステップで出発物質のヒドロキシが１つのみ或いは２つが全てアリル化される。
第２−１ステップでは、前記化学式Ａ１２乃至Ｊ１２のうちいずれか一つの中間生成物１２のヒドロキシ基をアリル化することで下記化学式Ａ２３乃至Ｊ２３のうち一つの中間生成物２３が得られる。
第２−１ステップでは中間生成物１２と前記化学式Ｂ１のアリル化合物が塩基及び任意の溶媒の存在下で反応する。この際、前記中間生成物１２のヒドロキシ基１当量に対して化学式Ｂ１のアリル化合物のアリル基が０．５乃至１０当量になるように反応する。
前記２−１ステップは前記方法１の第１ステップと同じである。詳しくは、反応温度、反応時間、反応物の当量比及び塩基及び任意の溶媒の種類及び使用量などを含む全ての反応条件は方法１の前記第１ステップと同じである。
前記化学式Ａ２３乃至Ｊ２３において、Ｋ’のうち少なくとも一つは−Ｏ−ＣＨ2−ＣＲa＝ＣＲbＲc（但し、式中Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りはヒドロキシ基であり、Ｌのうち少なくとも一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（但し、式中Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ２３において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。
前記第２−１ステップでは中間生成物１２の２つのヒドロキシ基のうち一つのみがアリル化されてもよく、２つのヒドロキシ基が全てアリル化されてもよい。アリル化されるヒドロキシ基の数に応じて、最終目的物である化学式Ａ２５乃至Ｊ２６（又は、化学式ＡＩ乃至ＪＩ）のアルコキシシリル系エポキシ化合物で官能基であるアルコキシシリル基の置
換基Ｓ１及び／又はＳ３アルコキシ置換基の数が異なり得る。この際、アリル化されるヒドロキシ基の数は反応物の当量比を調節して行う。
第２−２ステップでは、前記第２−１ステップで得られた中間生成物２３を加熱することでクライゼン転位によって下記化学式Ａ２４乃至Ｊ２４の中間生成物２４が得られる。前記２−２ステップは前記方法１の第２ステップと同じである。詳しくは、反応温度、反応時間及び任意の溶媒の種類及び使用量などを含む全ての反応条件は方法１の前記第２ステップと同じである。
前記化学式Ａ２４乃至Ｊ２４において、多数のＬ’のうち少なくとも２つ、また、例えば、少なくとも３つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（但し、式中Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ２４において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。
第３ステップでは、下記化学式Ａ２４乃至Ｊ２４の中間生成物２４のうちいずれか一つ
とエピクロロヒドリンの反応で中間生成物２４のヒドロキシ基をエポキシ化して下記化学式Ａ２５乃至（Ｍ２５）の中間生成物２５を得る。この際、中間生成物２４とエピクロロヒドリンは中間生成物２４のヒドロキシ基１当量に対してエポキシ基が１乃至１０当量になるように塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させて中間生成物２５を形成する。方法２の第３ステップは方法１の第３ステップと同じである。詳しくは、反応温度、反応時間、反応物の当量比、塩基及び任意の溶媒の種類及び使用量などを含む全ての反応条件は方法１の前記第３ステップと同じである。
前記化学式Ａ２５乃至Ｊ２５において、多数のＭ’のうち少なくとも２つ、例えば、少なくとも３つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（但し、式中Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ２５において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。
一方、方法１に記載したように、第３ステップのエポキシ化過程において、下記反応式２に示したようにエポキシ化された中間生成物２５が反応物である中間生成物２４のヒドロキシ基と反応して前記化学式ＡＰ乃至ＫＰで示したような二量体以上のポリマーを形成する。
下記反応式２は中間生成物Ｂ２４のエポキシ化で中間生成物Ｂ２５が生成され、Ｂ２５でＭ’が全て−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ2である場合を例に挙げて示した。
（但し、ｍは１乃至１００の整数である。）
前記第３ステップの後、必要に応じて任意にアリル基をエポキシ化するエポキシ化第３−１ステップがさらに行われてもよい。第３−１ステップでは、中間生成物２５のうちいずれか一つの化合物のアリル基を酸化させてエポキシ化することで下記中間生成物Ａ２５’乃至Ｊ２５’のうちいずれか一つの中間生成物２５’が得られる。
第３−１ステップでは前記中間生成物２５と過酸化物を任意の塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させる。この際、前記中間生成物２５のアリル基１当量に対して過酸化物のパーオキシド基が１当量乃至１０当量になるように中間生成物２５と過酸化物が反応される。方法２の第３−１ステップは方法１の第３−１ステップと同じである。詳しくは、反応温度、反応時間、反応物の当量比、塩基及び任意の溶媒の種類及び使用量などを含む全ての反応条件は方法１の前記第３−１ステップと同じである。
前記化学式Ａ２５’乃至Ｊ２５’において、多数のＮ’のうち１つ乃至３つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（但し、式中Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、
１つ乃至３つは前記化学式Ｓ３であり、残りは水素であり、
前記化学式Ｄ２５’において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。
第４ステップでは前記中間生成物２５のうちいずれか一つ又は任意のエポキシ化の第３−１ステップが行われる場合、前記中間生成物２５’のうちいずれか一つと下記化学式Ｂ２のアルコキシシランの反応で前記中間生成物２５又は２５’のアリル基をアルコキシシリル化してアルコキシシリル系エポキシ化合物が得られる。第４ステップにおいて、前記中間生成物２５又は中間生成物２５’はアリル基１当量に対して化学式Ｂ２のアルコキシシランが１当量乃至５当量になるように金属触媒及び任意の溶媒の存在下で中間生成物２５又は２５’と前記化学式Ｂ２のアルコキシシランを反応させて下記化学式Ａ２６乃至Ｊ２６（又は前記化学式ＡＩ乃至ＪＩ）のうちいずれか一つの目的物を得る。方法２の第４ステップの反応条件は前記方法１の第４ステップと同じである。詳しくは、反応温度、反応時間、反応物の当量比、金属触媒及び任意の溶媒の種類及び使用量などを含む全ての反応条件は方法１の前記第４ステップと同じである。
前記化学式Ａ２６乃至Ｊ２６において、Ｐ’のうち少なくとも一つ、例えば、一つ乃至４つは前記化学式Ｓ１であり、残りは前記化学式Ｓ３、水素及び−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（但し、式中Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）で構成されるグループからそれぞれ独立して選択され、例えば、化学式Ｓ３であり、Ｓ３は１つ乃至３つ
である。前記化学式Ｄ２６において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。但し、化学式ＦＩでＳ１が一つである場合、前記Ｓ１でＲa、Ｒb及びＲcが全て水素であり、Ｒ1乃至Ｒ3が全て炭素数１乃至６のアルコキシ基である場合は除外される。
前記方法２による例示的な反応スキーム（IV）乃至（Ｘ）を以下に示す。前記化学式ＤＩのうちＹが−Ｃ（ＣＨ3）2−であるビスフェノールＡ化合物である場合を例に挙げている。反応スキーム（IV）は第１ステップのアリル化で２つのヒドロキシ基が、第２−１ステップで一つのヒドロキシ基がアリル化された場合であり、式Ｄ２６のＰ’のうち３つは−（ＣＨ2）3ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3（Ｒ1乃至Ｒ3は前記定義の通りである）、そして１つは水素である場合を示す。反応スキーム（Ｖ）は第１ステップのアリル化で２つのヒドロキシ基が、第２−１ステップで１つのヒドロキシ基がアリル化され、任意の第３−１ステップで１つのアリル基がエポキシ化された場合であり、式Ｄ２６のＰ’のうち２つは−（ＣＨ2）3ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3（Ｒ1乃至Ｒ3は前記定義の通りである）、１つは化学式Ｓ３のエポキシ基、そして１つは水素である場合を示す。反応スキーム（VI）は第１ステップのアリル化で２つのヒドロキシ基が、第２−１ステップで１つのヒドロキシ基がアリル化され、任意の第３−１ステップで１つのアリル基がエポキシ化された場合であり、式Ｄ２６のＰ’のうち１つは−（ＣＨ2）3ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3（Ｒ1乃至Ｒ3は前記定義の通りである）、２つは化学式Ｓ３の置換基、そして１つは水素である場合を示す。反応スキーム（VII）は第１ステップ及び第２−１ステップでそれぞれ２つのヒドロキシ基がアリル化された場合であり、式Ｄ２６のＰ’のうち４つが−（ＣＨ2）3ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3（Ｒ1乃至Ｒ3は前記定義の通りである）である場合を示す。反応スキーム（VIII）は第１ステップ及び第２−１ステップでそれぞれ２つのヒドロキシ基がアリル化され、任意の第３−１ステップで一つのアリル基がエポキシ化された場合であり、式Ｄ２６のＰ’のうち３つが−（ＣＨ2）3ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3（Ｒ1乃至Ｒ3は前記定義の通りである）、そして１つは化学式Ｓ３の置換基である場合を示す。反応スキーム（IX）は第１ステップ及び第２−１ステップでそれぞれ２つのヒドロキシ基がアリル化され、任意の第３−１ステップで２つのアリル基がエポキシ化された場合であり、式Ｄ２６のＰ’のうち２つが−（ＣＨ2）3ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3（Ｒ1乃至Ｒ3は前記定義の通りである）、そして２つは化学式Ｓ３の置換基である場合を示す。反応スキーム（Ｘ）は第１ステップ及び第２−１ステップでそれぞれ２つのヒドロキシ基がアリル化され、任意の第３−１ステップで３つのアリル基がエポキシ化された場合であり、式Ｄ２６のＰ’のうち１つが−（ＣＨ2）3ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3（Ｒ1乃至Ｒ3は前記定義の通りである）、そして３つは化学式Ｓ３の置換基である場合を示す。
３．エポキシ組成物
本発明の他の実施形態において、前記本発明のいずれかの実施形態から提供されるいずれかのアルコキシシリル系エポキシ化合物を含む組成物が提供される。例えば、コアに少なくとも一つの下記化学式Ｓ１の置換基及び２つのエポキシ基、例えば、前記化学式Ｓ２のエポキシ基を含むアルコキシシリル系エポキシ化合物を含むエポキシ組成物が提供される。また、コアに少なくとも一つの下記化学式Ｓ１の置換基、２つのエポキシ基、例えば、前記化学式Ｓ２のエポキシ基及びさらに前記化学式Ｓ３のエポキシ基を含むアルコキシシリル系エポキシ化合物を含むエポキシ組成物が提供される。なお、前記化学式ＡＩ乃至ＫＩ、例えば、化学式ＡＩ乃至ＤＩで構成されるグループから選択される少なくとも一つのアルコキシシリル系エポキシ化合物、例えば、化学式ＣＩ又はＤＩ、また、例えば、Ｙが−Ｃ（ＣＨ3）2−である化学式ＤＩのアルコキシシリル系エポキシ化合物を含むエポキシ組成物が提供される。前記本発明から提供されるいずれかの組成物は電子材料の製造用に使用される。また、前記本発明から提供されるいずれかの組成物は硬化性組成物及び／又は無機材料を含む硬化性組成物である。
本発明の一実施形態によるエポキシ組成物にはエポキシ化合物であって本発明のいずれかの実施形態によって提供されるアルコキシシリル系エポキシ化合物を含む限り、この技術分野で知られているいかなる種類及び／又は配合のエポキシ組成物が含まれると理解され、エポキシ組成物を構成する硬化剤、硬化促進剤（触媒）、無機材料（充填剤）（例えば、無機粒子及び／又は繊維）及びその他の添加剤の種類及び配合比を限定しない。
なお、本発明のいずれかの実施形態によるエポキシ組成物において、前記エポキシ化合物としては本発明のいずれかの実施形態から提供されるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物（以下、「本発明のエポキシ化合物」又は「アルコキシシリル系エポキシ化合物」と称する）、例えば、コアに少なくとも一つの前記化学式ＳＩの置換基及び２つのエポキシ基、例えば、前記化学式Ｓ２のエポキシ基及びアルコキシシリル系エポキシ化合物と、コアに少なくとも一つの前記化学式Ｓ１の置換基、２つのエポキシ基、例えば、前記化学式Ｓ２のエポキシ基及びさらに前記化学式Ｓ３のエポキシ基を含むアルコキシシリル系エポキシ化合物と、又は、前記化学式ＡＩ乃至ＫＩで構成されるグループから選択される少なくとも一つのアルコキシシリル系エポキシ化合物、例えば、前記化学式ＡＩ乃至ＤＩで構成されるグループから選択される少なくとも一つのアルコキシシリル系エポキシ化合物、例えば、化学式ＣＩ又はＤＩ、例えば、Ｙが−Ｃ（ＣＨ3）2−である化学式ＤＩのアルコキシシリル系エポキシ化合物だけでなく、この技術分野で知られているいかなる種類のエポキシ組成物（以下、「従来のエポキシ化合物」）も含む。
前記従来のエポキシ化合物は特に限定されず、この技術分野で知られているいかなる種類及び／又は配合のエポキシ組成物であってもよいが、例えば、グリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ゴム改質されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物で構成されるグループから選択される少なくとも一種である。なお、前記従来のエポキシ化合物はコア構造であってビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、ビフェニル、ナフタレン、ベンゼン、チオジフェノール、フルオレン、アントラセン、イソシアヌレート、トリフェニルメタン、１，１，２，２−テトラフェニルエタン、テトラフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、アミノフェノールシクロ脂肪族又はノボラックユニットを有するグリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ゴム改質されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物で構成されるグループから選択される少なくとも一種である。
好ましくは、前記従来のエポキシ化合物はコア構造であってビスフェノールＡ、ビスフ
ェノールＦ、ビスフェノールＳ、ビフェニル、ナフタレン又はフルオレンを有するグリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ゴム改質されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物で構成されるグループから選択される少なくとも一種である。
これに限らず、例えば、本発明の一実施形態によるいかなるエポキシ組成物はエポキシ化合物の総重量を基準に本発明のエポキシ化合物の１乃至１００ｗｔ％及び従来のエポキシ化合物の０乃至９９ｗｔ％と、例えば、本発明のエポキシ化合物の１０乃至１００ｗｔ％及び従来のエポキシ化合物の０乃至９０ｗｔ％と、例えば、本発明のエポキシ化合物の３０乃至１００ｗｔ％及び従来のエポキシ化合物の０乃至７０ｗｔ％と、例えば、本発明のエポキシ化合物の１０乃至１００ｗｔ％未満及び従来のエポキシ化合物の０超過乃至９０ｗｔ％と、例えば、本発明のエポキシ化合物の３０乃至１００ｗｔ％未満及び従来のエポキシ化合物の０超過乃至７０ｗｔ％を含む。
なお、本発明の他の実施形態によると、上述した本発明によって提供されるいかなるアルコキシシリル系エポキシ化合物及び硬化剤を含む組成物が提供される。本発明の他の実施形態によると、コアに少なくとも一つの下記化学式Ｓ１の置換基及び２つのエポキシ基、例えば、前記化学式Ｓ２のエポキシ基を含むアルコキシシリル系エポキシ化合物及び硬化剤を含むエポキシ組成物が提供される。また、コアに少なくとも一つの下記化学式Ｓ１の置換基、２つのエポキシ基、例えば、前記化学式Ｓ２のエポキシ基及びさらに前記化学式Ｓ３のエポキシ基を含むアルコキシシリル系エポキシ化合物及び硬化剤を含むエポキシ組成物が提供される。なお、前記化学式ＡＩ乃至ＫＩ、例えば、化学式ＡＩ乃至ＤＩで構成されるグループから選択される少なくとも一つのアルコキシシリル系エポキシ化合物、例えば、化学式ＡＩに乃至ＤＩで構成されるグループから選択される少なくとも一つのアルコキシシリル系エポキシ化合物、例えば、化学式ＣＩに乃至ＤＩ、又は、例えば、Ｙが−Ｃ（ＣＨ3）2−である化学式ＤＩのアルコキシシリル系エポキシ化合物及び硬化剤を含むエポキシ組成物が提供される。
前記いかなるアルコキシシリル系エポキシ化合物と硬化剤を含む組成物もまた、エポキシ化合物として従来のエポキシ化合物を含み、この場合に含まれる従来のエポキシ化合物の種類及びアルコキシシリル系エポキシ化合物と従来のエポキシ化合物の配合量は上述の通りである。
本発明の一実施形態によるアルコキシシリル系エポキシ化合物と硬化剤を含む組成物において、前記硬化剤としてはエポキシポリマーに対する硬化剤として一般的に知られているいずれかの硬化剤が使用されてもよく、特にこれに限らず、例えば、アミン系樹脂、フェノール系樹脂、無水酸化物系樹脂などが使用される。
より詳しくは、これに限らず、アミン系硬化剤としては脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族アミン、その他のアミン及び変性ポリアミンなどを使用してもよく、２つ以上の１次アミン基を有するアミン化合物を使用してもよい。前記アミン硬化剤の詳しい例としては、４，４’−ジメチルアニリン（ジアミノジフェニルメタン）（４，４’−Ｄｉｍｅｔｈｙｌａｎｉｌｉｎｅ（Ｄｉａｍｉｎｏ Ｄｉｐｈｅｎｙｌ Ｍｅｔｈａｎ、ＤＡＭ又はＤＤＭ）、ジアミノジフェニルスルホン（Ｄｉａｍｉｎｏ Ｄｉｐｈｅｎｙｌ Ｓｕｌｆｏｎｅ、ＤＤＳ）ｍ−フェニレンジアミン（ｍ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｄｉａｍｉｎｅ）で構成されるグループから選択された一種以上の芳香族アミン、ジエチレントリアミン（Ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｒｉａｍｉｎｅ、ＤＥＴＡ）、ジエチレンテトラアミン（Ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｔｒａｍｉｎｅ）、トリエチレンテトラアミン（Ｔｒｉｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｔｒａｍｉｎｅ、ＴＥＴＡ）、ｍ−キシレンジアミン（ｍ−Ｘｙｌｅｎｅ
Ｄｉａｍｉｎｅ、ＭＸＤＡ）、メタンジアミン（Ｍｅｔｈａｎｅ Ｄｉａｍｉｎｅ、ＭＤＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジエチレンジアミン（Ｎ，Ｎ’−Ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ、Ｎ，Ｎ’−ＤＥＤＡ）、テトラエチレンペンタアミン（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｅｎｅｐｅｎｔａａｍｉｎｅ、ＴＥＰＡ）及びヘキサメチレンジアミン（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ）で構成されるグループから選択された少なくとも一種以上の脂肪族アミン、イソホロンジアミン（Ｉｓｏｐｈｏｒｏｎｅ Ｄｉａｍｉｎｅ、ＩＰＤＩ）、Ｎ−アミノエチルピペラジン（Ｎ−Ａｍｉｎｏｅｔｈｙｌｐｉｐｅｒａｚｉｎｅ、ＡＥＰ）、ビス（４−アミノ３−メチルシクロヘキシル）メタン（Ｂｉｓ−（４−Ａｍｉｎｏ ３−Ｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）Ｍｅｔｈａｎｅ、ＬａｒｏｍｉｎＣ２６０）で構成されるグループから選択された１種以上の脂環族アミン、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）などのようなその他のアミン、ポリアミド系、エポキシド系などの変性アミンが挙げられる。
フェノール系硬化剤の例としては、これに限らず、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック、ビスフェノールＡノボラック樹脂、キシレンノボラック樹脂、トリフェニルノボラック樹脂、ビフェニルノボラック樹脂、ジシクロペンタジエンノボラック樹脂、フェノール−ｐ−キシレン、ナフタレン系フェノールノボラック樹脂などが挙げられる。
無水酸化物系硬化剤の例としては、これに限らず、ドデセニルスクシン酸無水物（Ｄｏｄｅｃｅｎｙｌ Ｓｕｃｃｉｎｉｃ Ａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＤＤＳＡ）、ポリアゼライン酸ポリ無水物（ｐｏｌｙ ａｚｅｌａｉｃ ｐｏｌｙ ａｎｈｙｄｒｉｄｅ）などのような脂肪族無水酸化物、ヘキサヒドロフタル酸無水物（Ｈｅｘａｈｙｄｒｏｐｈｔｈａｌｉｃ Ａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロフタル酸無水物（Ｍｅｔｈｙｌ Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｐｈｔｈａｌｉｃ Ａｎｈｙｄｒｉｅｄ、ＭｅＴＨＰＡ）、メチルナディック酸無水物（Ｍｅｔｈｙｌｎａｄｉｃ Ａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＭＮＡ）などのような脂環族無水酸化物、トリメリット酸無水物（Ｔｒｉｍｅｌｌｉｔｉｃ Ａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＴＭＡ）、ピロメリット酸二無水物（Ｐｙｒｏｍｅｌｌｉｔｉｃ ａｃｉｄ
Ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボキシ酸二無水物（Ｂｅｎｚｏｐｈｅｎｏｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ Ｄｉａｎｈｙｄｒｉｅｄ、ＢＴＤＡ）などのような芳香族無水酸化物、テトラブロモフタル酸無水物（Ｔｅｔｒａｂｒｏｍｏｐｈｔｈａｌｉｃ Ａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＴＢＰＡ）、クロレンド酸無水物（Ｃｈｌｏｒｅｎｄｉｃ Ａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＨＥＴ）などのようなハロゲン系無水化合物などが挙げられる。
一般に硬化剤とエポキシ基の反応程度でエポキシ複合体の硬化度を調節し、目的とする硬化度の範囲に応じてエポキシ化合物のエポキシ基の濃度を基準にして硬化剤の含量を調節する。例えば、アミン硬化剤が使用される場合、アミン硬化剤とエポキシ基の当量（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ）反応ではエポキシ当量／アミン当量比が０．５乃至２．０になるように、また、例えば、０．８乃至１．５になるように調節して使用することが好ましい。
アミン系硬化剤の場合を例に挙げて硬化剤の配合量について説明したが、フェノール系硬化剤、無水酸化物系硬化剤及び本明細書で別途に記載していないエポキシ化合物の硬化に使用可能ないかなる硬化剤もまた、所望する硬化度の範囲に応じてエポキシ組成物のうち総エポキシの濃度を基準にしてエポキシ作用基と硬化剤の反応性作用基の化学反応式に応じて化学量論的量を適切に配合して使用してもよい。これはこの技術分野では一般的である。
光カチオン硬化剤としてはこの技術分野で一般的に知られているいかなる光硬化剤が使用されてもよく、これに限らず、例えば、芳香族ホスホニウム塩、芳香族ヨードニウム塩
及び芳香族スルホニウム塩などが挙げられる。詳しくは、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジ（４−ノニルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４，４’−ビス［ジフェニルスルホニオ］ジフェニルスルフィドビスヘキサフルオロホスフェート、４，４’−ビス［ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルホニオ］ジフェニルスルフィドビスヘキサフルオロアンチモネート、４，４’−ビス［ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルホニオ］ジフェニルスルフィドビスヘキサフルオロホスフェートなどが挙げられる。これに限らず、光硬化剤としては、例えば、エポキシ化合物に対して一般的に０．５ｐｈｒ乃至２０ｐｈｒ（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｈｕｎｄｒｅｄ、エポキシ化合物１００重量部当たりの重量部）、好ましくは１ｐｈｒ以上、また、好ましくは１ｐｈｒ乃至５ｐｈｒで使用されてもよい。
上述した本発明から提供されるいかなるエポキシ組成物アルコキシシリル系エポキシ化合物と硬化剤の硬化反応を促進するように任意の硬化促進剤（触媒）を必要に応じてさらに含んでもよい。硬化促進剤（触媒）としてはこの技術分野でエポキシ組成物の硬化に一般的に使用されるものと知られているいかなる触媒を使用してもよく、これに限らず、例えば、イミダゾール系、第３級アミン系、第４級アンモニウム系、有機酸塩系、リン化合物系などの硬化促進剤が使用されてもよい。
より詳しくは、例えば、ジメチルベンジルアミン、２−メチルイミダゾール（２ＭＺ）、２−ウンデシルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４Ｍ）、２−フェニルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−アルキルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール（Ｈｅｐｔａｄｅｃｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｅ、２ＨＤＩ）などのイミダゾール系と、ベンジルジメチルアミン（Ｂｅｎｚｙｌ Ｄｉｍｅｔｈｙｌ Ａｍｉｎｅ、ＢＤＭＡ）、トリスメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）、トリエチレンアミンなどの３級アミン系化合物と、テトラブチルアンモニウムブロミドなどの４級アンモニウム塩と、ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）やＤＢＵの有機酸塩と、トリフェニルホスフィン、リン酸エステルなどのリン系化合物、ＢＦ3−モノエチルアミン（ＢＦ3−ＭＥＡ）などのようなルイス酸などが挙げられるが、これに限定されない。これらの硬化促進剤はそれらのマイクロカプセルコーティング及び着染形成などで潜在化されたものを使用してもよい。これらは硬化条件に応じて単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記硬化促進剤の配合量は特に限定されず、この技術分野で一般的に使用される量で配合して使用してもよい。例えば、前記エポキシ化合物に対して０．１乃至１０ｐｈｒ、好ましくは０．２乃至５ｐｈｒであってもよい。硬化促進剤は硬化反応促進効果及び硬化反応速度の制御側面において前記含量で使用されることが好ましい。前記硬化促進剤を前記範囲の配合量で使用することで硬化がすみやかに進行し、密封構成の作業処理量の向上が期待される。
なお、本発明から提供されるいかなるエポキシ組成物、例えば、アルコキシシリル系エポキシ化合物と従来のエポキシ化合物、硬化剤及び触媒で構成されるグループから選択された少なくとも一種を含む上述したいずれかのエポキシ組成物は、無機粒子及び繊維で構成されるグループから選択された少なくとも一種の無機材料である充填剤をさらに含んでもよい。
無機粒子としては従来の有機粒子の熱膨張係数を減少させるために使用されると知られ
ているいかなる無機粒子が使用されてもよく、これに限らず、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2及びＡｌ2Ｏ3で構成されるグループから選択される少なくとも一種の金属酸化物及びＴ−１０型シルセスキオキサン、ラダー型シルセスキオキサン及び籠型シルセスキオキサンで構成されるグループから選択される少なくとも一種が使用されてもよい。前記無機粒子は単独で又は２つ以上の混合物で使用されてもよい。
前記無機粒子はこれに限らず、複合体の使用用途、詳しくは無機粒子の分散性などを考慮し、粒子の大きさが０．５ｎｍ乃至数十μｍ（例えば１００μｍ、また、例えば５０乃至６０μｍ）である無機粒子が使用されてもよい。無機粒子はエポキシ化合物に分散されるため、粒子の大きさによる分散性の差によって前記大きさの無機粒子が使用されることが好ましい。
本発明の一実施形態によるエポキシ組成物において、前記エポキシ化合物に対して無機粒子はエポキシ複合体のＣＴＥ現象及び適用の際に要求される適正な粘度を考慮し、エポキシ化合物の量に対して５ｐｈｒ乃至１０００ｐｈｒ、例えば１００ｐｈｒ乃至９００ｐｈｒ、また、例えば５０ｐｈｒ乃至２００ｐｈｒの量で配合される。
より詳しくは、一例としてエポキシ組成物が半導体封止材などとして使用される場合、これに限らず、ＣＴＥ値と材料加工性を考慮して、例えば無機粒子はエポキシ化合物の量に対して１００乃至９００ｐｈｒ程度配合される。また、一例としてエポキシ組成物が半導体基板などとして使用される場合、基板のＣＴＥ値と強度などを考慮して、例えば無機粒子はエポキシ化合物の量に対して５０乃至２００ｐｈｒ程度配合される。
一方、繊維に無機材料が使用される場合、主に繊維にエポキシ化合物を浸漬させる方式で複合化されるため繊維の大きさなどは特に制限されない。よってこの技術分野で一般的に使用されるいずれかの種類及び寸法の繊維が使用されてもよい。
繊維としてはこれに限らず、従来の有機樹脂硬化物の物性改善のために使用されるいかなる一般的な繊維が使用されてもよい。詳しくは、ガラス繊維、有機繊維及びそれらの混合物が使用されてもよい。また、本明細書で使用される用語「ガラス繊維」はガラス繊維だけでなくガラス繊維織物、ガラス繊維不織物などを含む意味として使用される。これに限らず、ガラス繊維の例としてはＥ、Ｔ（Ｓ）、ＮＥ、Ｅ、Ｄ、石英などのガラス繊維が挙げられ、例えば、Ｅ又はＴガラス繊維が挙げられる。有機繊維としては、特にこれに限らず、液晶ポリエステル繊維、ポリエチレンテレフタレート繊維、全芳香族繊維、ポリベンゾオキサゾール繊維、ナイロン繊維、ポリエチレンナフタレート繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエーテルスルホン繊維、ポリビニリデンフロライド繊維、ポリエチレンスルフィド繊維、ポリエーテルエーテルケトン繊維で構成されるグループから選択される少なくとも一種が単独に又は２種以上が一緒に使用される。
本発明によるいかなるエポキシ組成物において、充填剤として繊維が使用される場合、繊維の含量はエポキシ組成物の総重量に対して１０ｗｔ％乃至９０ｗｔ％、例えば３０ｗｔ％乃至７０ｗｔ％、また、例えば３５％乃至６５％であってもよい。一般的に、繊維を含むエポキシ組成物において繊維を除いた部分をレジン成分と称する場合、繊維を含むエポキシ組成物から繊維を除いた量がレジン成分の量となる。よって、レジンの含量は１０ｗｔ％乃至９０ｗｔ％、例えば３０ｗｔ％乃至７０ｗｔ％、また、例えば３５％乃至６５％である。繊維の含量が前記範囲内であることが耐熱性向上及び加工性の側面で好ましい。前記エポキシ組成物の総重量とは、組成物が硬化剤、触媒、無機材料及び／又はその他の添加剤などを、エポキシ組成物を構成する全ての成分の量として含んだ時の組成物構成成分の重量の合計をいう。また、上述したようにレジン含量は繊維以外のエポキシ組成物を構成する硬化剤、触媒及びその他の添加剤など、全ての構成成分の含量を含む意味であ
る。
本発明から提供される前記繊維を含むいかなるエポキシ組成物には必要に応じて無機粒子がさらに含まれてもよい。この際、無機粒子は物性向上及び工程性を考慮してレジン含量のうち１乃至７０ｗｔ％程度の量で配合されてもよい。
前記エポキシ組成物はエポキシ組成物の物性を損なわない範囲内でエポキシ組成物の物性を調節するために通常に配合される有機溶剤、離型剤、表面処理剤、難燃剤、可塑剤、抗菌剤、レべリング剤、消泡剤、着色剤、安定剤、カップリング剤、粘度調節剤、希釈剤などのその他の添加剤が必要に応じて配合されてもよい。
前記本発明のいずれかの実施形態から提供されるいずれかのエポキシ組成物は電子材料用に使用されてもよい。詳しくは、前記電子材料はプリプレグ、プリプレグに金属層が配置された積層板、基板、フィルム、プリント配線板、パッケージング材料などである。本発明の他の実施形態によると、本発明のアルコキシシリル系エポキシ化合物を含む組成物で形成される電子材料を含むかそれによって形成される半導体装置が提供される。詳しくは、前記半導体装置は本発明のアルコキシシリル系エポキシ化合物を含む組成物で製造されたプリント配線板に半導体素子が搭載された半導体装置及び／又は半導体パッケージング材料を含む半導体装置である。
本発明の他の実施形態において、前記本発明のいずれかの実施形態から提供されるエポキシ組成物の硬化物が提供される。前記本発明のいずれかの実施形態から提供されるエポキシ組成物が実際に提供される場合、例えば、電子材料などで適用される場合には硬化物として使用され、この技術分野でエポキシ化合物と無機成分である充填剤を含む組成物の硬化物は一般に複合体と称される。
前記本発明の一実施形態によるアルコキシシリル系エポキシ化合物は、複合体で優れた耐熱特性及び／又は硬化物で優れた難燃性を示す。詳しくは、複合体は低いＣＴＥ、例えば１５ｐｐｍ／℃以下、例えば１２ｐｐｍ／℃以下、例えば１０ｐｐｍ／℃以下、例えば８ｐｐｍ／℃以下、例えば６ｐｐｍ／℃以下、例えば４ｐｐｍ／℃以下のＣＴＥを示す。
例えば、エポキシ化合物として本発明によるいずれかのアルコキシシリル系エポキシ化合物、無機材料としてガラス繊維、例えばＥ−ガラスのガラス繊維を含み、レジン含量が３５ｗｔ％乃至４５ｗｔ％である複合体は１５ｐｐｍ／℃以下、例えば１２ｐｐｍ／℃以下のＣＴＥを示す。前記化学式Ｓ１のアルコキシシリル基の数が増加することで複合体のＣＴＥは減少する傾向を示し、例えば、エポキシ化合物として２つのアルコキシシリル基を有する本発明によるアルコキシシリル系エポキシ化合物、無機材料としてガラス繊維、例えばＥ−ガラスのガラス繊維を含み、レジン含量が３５ｗｔ％乃至４５ｗｔ％である複合体は１０ｐｐｍ／℃以下、例えば８ｐｐｍ／℃以下のＣＴＥを示す。また、例えばエポキシ化合物として２つのアルコキシシリル基を有し、ビフェニルコア構造を有する本発明によるアルコキシシリル系エポキシ化合物、無機材料としてガラス繊維、例えばＥ−ガラスのガラス繊維を含み、レジン含量が３５ｗｔ％乃至４５ｗｔ％である複合体は１０ｐｐｍ／℃以下、例えば６ｐｐｍ／℃以下のＣＴＥを示す。
例えば、エポキシ化合物として本発明によるいずれかのアルコキシシリル系エポキシ化合物、無機材料としてガラス繊維、例えばＴ−ガラスのガラス繊維を含み、レジン含量が３５ｗｔ％乃至４５ｗｔ％である複合体は１５ｐｐｍ／℃以下、例えば１０ｐｐｍ／℃以下のＣＴＥを示す。前記化学式Ｓ１のアルコキシシリル基の数が増加することで複合体のＣＴＥは減少する傾向を示し、例えば、エポキシ化合物として２つのアルコキシシリル基を有する本発明によるアルコキシシリル系エポキシ化合物、無機材料としてガラス繊維、
例えばＴ−ガラスのガラス繊維を含み、レジン含量が３５ｗｔ％乃至４５ｗｔ％である複合体は６ｐｐｍ／℃以下のＣＴＥを示す。また、例えばエポキシ化合物として２つのアルコキシシリル基を有し、ナフタレン、ビフェニル、カルド、ビスフェノールコア構造を有する本発明によるアルコキシシリル系エポキシ化合物、無機材料としてガラス繊維、例えばＴ−ガラスのガラス繊維を含み、レジン含量が３５ｗｔ％乃至４５ｗｔ％である複合体は４ｐｐｍ／℃以下のＣＴＥを示す。
また、本発明による複合体（無機材料を含む硬化物）はＴｇが１００℃より高く、例えば１３０℃以上、また、例えば２５０℃以上又はＴｇレスであってもよい。
一方、本発明によるアルコキシシリル系エポキシ化合物自体硬化物（無機材料を含まない硬化物）は５０ｐｐｍ／℃乃至１５０ｐｐｍ／℃のＣＴＥを有する。例えば、エポキシ化合物が１つのアルコキシシリル基を有する場合、５０ｐｐｍ／℃乃至１１０ｐｐｍ／℃のＣＴＥ、エポキシ化合物が２つのアルコキシシリル基を有する場合には８０ｐｐｍ／℃乃至１５０ｐｐｍ／℃のＣＴＥ値を有する。
以下、実施例を介して本発明に対して詳細に説明する。下記実施例は本発明を例示するものであって、本発明はこれによって限定されない。
合成例ＡＩ−１：ジヒドロキシナフタレンを利用したモノアルコキシシリル化されたエポキシ化合物の合成
（１）第１ステップ：５−（アリルオキシ）ナフタレン−１−オールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに１，５−ジヒドロキシナフタレン（シグマアルドリッチ） ２０．０ｇ、Ｋ2ＣＯ3 ５１．８１ｇ及びアセトン５００ｍｌを入れて常温で混合した。次に、還流装置の設定温度を８０℃にし、均一によく混合された溶液を還流しながら（以下、合成例に記載された温度は還流装置の設定温度であり、これは実際の反応温度より約１０乃至１５℃高い温度である）均一によく混合された溶液を還流しながらアリルブロミド（シグマアルドリッチ） １３．５ｍｌを滴下した後、一晩反応させた。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過（ｃｅｌｉｔｅ ｆｉｌｔｅｒａｔｉｏｎ）し、有機溶液を蒸発させて粗生成物を得た。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してからＭｇＳＯ4で乾燥させた。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１である５−（アリルオキシ）ナフタレン−１−オールを得た。第１ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１１のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝４．７０（ｄｔ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、１．６Ｈｚ、２Ｈ）、５．３３−５．３４（ｍ、１Ｈ）、５．４９−５．５３（ｍ、２Ｈ）、６．１２−６．２０（ｍ、１Ｈ）、６．８２−６．９１（ｍ、２Ｈ）、７．３２−７．
４３（ｍ、２Ｈ）、７．７２（ｄ、Ｊ＝８．８Ｈｚ、１Ｈ）、７．８９（ｄ、Ｊ＝８．８Ｈｚ、１Ｈ）
（２）第２ステップ：２−アリルナフタレン−１，５−ジオールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第１ステップで得られた中間生成物１１ １０．０ｇ及び１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） ５０ｍｌを入れて常温で混合した後、均一になった反応溶液を還流装置設定温度１９０℃で８時間還流した。反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して２−アリルナフタレン−１，５−ジオールを得た。第２ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１２のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝３．５７（ｄ、Ｊ＝５．８Ｈｚ、２Ｈ）、５．０９−５．２５（ｍ、２Ｈ）、５．５０（ｓ、２Ｈ）、６．０２−６．１２（ｍ、１Ｈ）、６．８４（ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、１Ｈ）、７．１９（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、１Ｈ）、７．６８−７．７２（ｍ、２Ｈ）、７．８９（ｄ、Ｊ＝８．８Ｈｚ、１Ｈ）
（３）第３ステップ：２．２’−（２−アリルナフタレン−１，５−ジイル）ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２ステップで得られた中間生成物１２ ７．０ｇ、エピクロロヒドリン（シグマアルドリッチ） ２２．７５ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ２５．９５ｇ及びアセト二トリル ２００ｍｌを入れて常温で混合した後、温度を上げて８０℃で一晩反応させた。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて中間生成物１３を得た。第３ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１３のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝２．７６（ｄｄ、Ｊ＝２．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．８８（ｄｄ、Ｊ＝４．２Ｈｚ、２Ｈ）、３．１０−３．３５（ｍ、４Ｈ）、３．９６（ｄｄ、Ｊ＝５．４Ｈｚ、２Ｈ）、４．１３（ｄｄ、Ｊ＝３．２Ｈｚ、２Ｈ）、４．９６−５．０３（ｍ、２Ｈ）、５．９１−６．０３（ｍ、１Ｈ）、６．８４（ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、１Ｈ）、７．１９（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、１Ｈ）、７．２８−７．３８（ｍ、２Ｈ）、７．９０（ｄ、Ｊ＝８．８Ｈｚ、１Ｈ）
（４）第４ステップ：（３−（１，５−ビス（オキシラン−２−イルメトキシ）ナフタレン−２−イル）プロピル）トリエトキシシランの合成
２５０ｍｌのフラスコに前記第３ステップで得られた中間生成物１３ １０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ６．６２ｍｌ、白金酸化物 ５８ｍｇ及びトルエン １００ｍｌを入れてよく混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するナフタレンエポキシを得た。第４ステップの反応スキーム及び得られた最終目的物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝０．６５−０．６８（ｍ、２Ｈ）、１．２２（ｔ、Ｊ＝７．０Ｈｚ、９Ｈ）、１．６１−１．７２（ｍ、２Ｈ）、２．６０（ｔ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．７４（ｄｄ、Ｊ＝２．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．８６（ｄｄ、Ｊ＝４．２Ｈｚ、２Ｈ）、３．３０−３．３４（ｍ、２Ｈ）、３．79 （ｑ、Ｊ＝１．６Ｈｚ、６Ｈ）、３．９７（ｄｄ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、２Ｈ）、４．１４（ｄｄ、Ｊ＝３．２Ｈｚ、２Ｈ）、６．８５（ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、１Ｈ）、７．１９（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、１Ｈ）、７．６７−７．７２（ｍ、２Ｈ）、７．８８（ｄ、Ｊ＝８．８Ｈｚ、１Ｈ）
合成例ＡＩ−２：ジヒドロキシナフタレンを利用したジアルコキシシリル化されたエポキシ化合物の合成
（１）第１ステップ：１，５−ビス（アリルオキシ）ナフタレンの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに１，５−ジヒドロキシナフタレン（シグマアルドリッチ） ２０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ） ２７．０ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 １０３．６１ｇ及びアセトン５００ｍｌを添加して常温で混合した。均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流（ｒｅｆｌｕｘ）しながら一晩反応させた。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得た。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させた。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１である１，５−ビス（アリルオキシ）ナフタレンを得た。第１ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１１のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝４．７０（ｄｔ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、１．６Ｈｚ、４Ｈ）、５．３２−５．３４（ｍ、２Ｈ）、５．４９−５．５４（ｍ、２Ｈ）、６．１２−６．２１（ｍ、２Ｈ）、６．８４（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．３５（ｄｄ、Ｊ＝７．６、０．８Ｈｚ、２Ｈ）、７．８９（ｄ、Ｊ＝８．８Ｈｚ、２Ｈ）
（２）第２ステップ：２，６−ジアリルナフタレン−１，５−ジオールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第１ステップの反応で得られた中間生成物１１ ２０．０ｇ及び１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） １００ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で８時間還流した。反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して中間生成物１２である２，６−ジアリルナフタレン−１，５−ジオールを得た。第２ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１２のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝３．５７（ｄｔ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、１．６Ｈｚ、４Ｈ）、５．２１−５．２７（ｍ、４Ｈ）、５．５０（ｓ、２Ｈ）、６．０２−６．１２（ｍ、２Ｈ）、７．２１（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．７０（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）
（３）第３ステップ：２，２’−（２，６−ジアリルナフタレン−１，５−ジイル）ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２ステップで得られた中間生成物１２ ２０．０ｇ、エピクロロヒドリン（シグマアルドリッチ） ６５．０７ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ７４．１５ｇ及びアセト二トリル ３００ｍｌを入れて常温で混合した後、温度を上げて８０℃で一晩反応させた。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて中間生成物１３を得た。第３ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１３のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝２．７７（ｄｄ、Ｊ＝２．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．９３（ｄｄ、Ｊ＝４．４Ｈｚ、２Ｈ）、３．４４−３．４８（ｍ、２Ｈ）、３．６１（ｄ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、４Ｈ）、３．９１（ｄｄ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、２Ｈ）、４．２４（ｄｄ、Ｊ＝２．８Ｈｚ、２Ｈ）、５．０７−５．１２（ｍ、４Ｈ）、５．９８−６．０８（ｍ、２Ｈ）、７．３４（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．８８（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）
（４）第４ステップ：（３，３’−（１，５−ビス（オキシラン−２−イルメトキシ）ナフタレン−２，６−ジイル）ビス（プロパン−３，１−ジイル））ビス（トリエトキシシラン）の合成
５００ｍｌのフラスコに前記第４ステップの反応で得られた中間生成物１３ ２０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ２３．５０ｍｌ、白金酸化物 ２００ｍｇ及びトルエン ２００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するナフタレンエポキシ化合物を得た。第４ステップの反応スキーム及び得られた最終生成物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ、４Ｈ）、１．２０（ｔ、Ｊ＝７．０Ｈｚ、１８Ｈ）、１．６２−１．７２（ｍ、４Ｈ）、２．６１（ｔ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、４Ｈ）、２．７４（ｄｄ、Ｊ＝２．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．８６（ｄｄ、Ｊ＝４．２Ｈｚ、２Ｈ）、３．３０−３．３４（ｍ、２Ｈ）、３．７９（ｑ、Ｊ＝１．６Ｈｚ、１２Ｈ）、３．９７（ｄｄ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、２Ｈ）、４．１４（ｄｄ、Ｊ＝３．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．２８（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、２Ｈ）、７．７５（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、２Ｈ）
予測例ＡＩ−３：ジヒドロキシナフタレンを利用したトリアルコキシシリル化されたエポキシ化合物の合成
（１）第１ステップ：２，６−ビス（アリルオキシ）ナフタレンの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに２，６−ジヒドロキシナフタレン（シグマアルドリッチ） ２０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ）
２７．０ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 １０３．６１ｇ及びアセトン５００ｍｌを添加して常温で混合する。均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながら一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１である２，６−ビス（アリルオキシ）ナフタレンを得る。第１ステップの反応スキームは以下の通りである。
（２）第２ステップ：１，５−ジアリルナフタレン−２，６−ジオールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第１ステップの反応で得られた中間生成物１１ ２０．０ｇと１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） １００ｍｌを入れて常温でよく混合し、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で８時間還流する。反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して中間生成物１２である１，５−ジアリルナフタレン−２，６−ジオールを得る。第２ステップの反応スキーム及び中間生成物１２のＮＭＲデータは以下の通りである。
（３）第２−１ステップ：１，５−ジアリル−６−（アリルオキシ）ナフタレン−２−オールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−１ステップで得られた中間生成物１２ ２０．０ｇ、Ｋ2ＣＯ3 ２９．６０ｇ及びアセトン５００ｍｌを入れて常温で混合する。次に、均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながらアリルブロミド（シグマアルドリッチ） ６．７８ｍｌを滴下した後、一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄し、ＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させてシリカカラムで精製し、中間生成物２３である１．５−ジアリル−６−（アリルオキシ）ナフタレン−２−オールを得る。第２−１ステップの反応スキームは以下の通りである。
（４）第２−２ステップ：１，３，５−トリアリルナフタレン−２，６−ジオールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−１ステップの反応で得られた中間生成物２３ ２０．０ｇと１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） １００ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で８時間還流する。反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去した後、中間生成物２４である１，３，５−トリアリルナフタレン−２，６−ジオールを得る。第２−２ステップの反応スキームは以下の通りである。
（５）第３ステップ：２，２’−（１，３，５−トリアリルナフタレン−２，６−ジイル）ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−２ステップで得られた中間生成物２４ ２０．０ｇ、エピクロロヒドリン（シグマアルドリッチ） ５５．７６ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ６４．４９ｇ及びアセト二トリル ３００ｍｌを入れて常温で混合した後、温度を上げて８０℃で一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて中間生成物２５である２，２’−（１，３，５−トリアリルナフタレン−２，６−ジイル）ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランを得る。第３ステップの反応スキームは以下の通りである。
（６）第４ステップ：（３，３’，３’’−（２，６−ビス（オキシラン−２−イルメトキシ）ナフタレン−１，３，５−トリイル）トリス（プロパン−３，１−ジイル））トリス（トリエトキシシラン）の合成
５００ｍｌのフラスコに前記第３ステップで得られた中間生成物である２，２’−（１，３，５−トリアリルナフタレン−２，６−ジイル）ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシラン ２０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ３１．０６ｍｌ、白金酸化物 ３４８ｍｇ及びトルエン ２００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌する。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するナフタレンエポキシ化合物を得る。第４ステップの反応スキーム及び得られる最終目的物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝０．６５−０．７０（ｍ、６Ｈ）、１．２０−１．２５（ｔ、２７Ｈ）、１．６０−１．７０（ｍ、６Ｈ）、２．６０−２．６５（ｔ、６Ｈ）、２．８０−２．８５（ｍ、２Ｈ）、２．９０−２．９５（ｍ、２Ｈ）、３．４０−３．４５（ｍ、２Ｈ）、３．７５−３．８０（ｑ、１８Ｈ）、４．００−４．０５（ｍ、２Ｈ）、４．３０−４．３５（ｍ、２Ｈ）、６．８０−７．２０（ｄ、１Ｈ）、７．６０−７．６５（ｓ、１Ｈ）、７．６５−７．７０（ｓ、１Ｈ）
予測例ＡＩ−４：ジヒドロキシナフタレンを利用したテトラアルコキシシリル化されたエポキシ化合物の合成
（１）第１ステップ：２，６−ビス（アリルオキシ）ナフタレンの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに２，６−ジヒドロキシナフタレン（シグマアルドリッチ） ２０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ） ２７．０ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 １０３．６１ｇ及びアセトン５００ｍｌを添加して常温で混合する。均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながら一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１である２，６−ビス（アリルオキシ）ナフタレンを得る。第1ステップの反応スキームは以下の通りである。
（２）第２ステップ：１，５−ジアリルナフタレン−２，６−ジオールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第１ステップで得られた中間生成物１１ ２０．０ｇと１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） １００ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で８時間還流する。反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して中間生成物１２である１，５−ジアリルナフタレン−２，６−ジオールを得る。第２ステップの反応スキームは以下の通りである。
（３）第２−１ステップ：１．５−ジアリル−２，６−ビス（アリルオキシ）ナフタレンの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２ステップで得られた中間生成物１２ ２０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ） ２７．０ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 １０３．６１ｇ及びアセトン５００ｍｌを添加して常温で混合する。均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながら一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物２３である１，５−ジアリル−２，６−ビス（アリルオキシ）ナフタレンを得る。第２−１ステップの反応スキームは以下の通りである。
（４）第２−２ステップ：１，３，５，７−テトラアリルナフタレン−２，６−ジオールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−１ステップの反応で得られた中間生成物２３ ２０．０ｇと１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） １００ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で８時間還流する。反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去した後、中間生成物２４である１，３，５，７−テトラアリルナフタレン−２，６−ジオールを得る。第２−２ステップの反応スキームは以下の通りである。
（５）第３ステップ：２，２’−（１，３，５，７−テトラアリルナフタレン−２，６−ジイル）ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−２ステップで得られた中間生成物２４ ２０．０ｇ、エピクロロヒドリン（シグマアルドリッチ） ５５．７６ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ６４．４９ｇ及びアセト二トリル ３００ｍｌを入れて常温で混合した後、温度を上げて８０℃で一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて中間生成物２５である２，２’−（１，３，５，７−テトラアリルナフタレン−２，６−ジイル）ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランを得る。第３ステップの反応スキームは以下の通りである。
（６）第４ステップ：（３，３’，３’’，３’’’−（２，６−ビス（オキシラン−２−イルメトキシ）ナフタレン−１，３，５，７−テトライル）テトラキス（プロパン−３，１−ジイル））テトラキス（トリエトキシシラン）の合成
５００ｍｌのフラスコに前記第３ステップで得られた中間生成物２５ ２０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ３１．０６ｍｌ、白金酸化物 ３４８ｍｇ及びトルエン ２００ｍｌを入れてよく混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するナフタレンエポキシ化合物を得る。第４ステップの反応スキーム及び最終目的物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝０．６５−０．７０（ｍ、８Ｈ）、１．２０−１．２５（ｔ、３６Ｈ）、１．６０−１．７０（ｍ、８Ｈ）、２．６０−２．６５（ｔ、８Ｈ）、２．８０−２．８５（ｍ、２Ｈ）、２．９０−２．９５（ｍ、２Ｈ）、３．４０−３．４５（ｍ、２Ｈ）、３．７５−３．８０（ｑ、２４Ｈ）、４．００−４．０５（ｍ、２Ｈ）、４．３０−４．３５（ｍ、２Ｈ）、７．６０−７．６５（ｓ、１Ｈ）、７．６５−７．７０（ｓ、１Ｈ）
合成例ＢＩ−１：ジヒドロキシビフェニルを利用したモノアルコキシシリル化されたエポキシ化合物の合成
（１）第１ステップ：４−（アリルイルオキシ）ビフェニル−４−オールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコにビフェニル−４，４’−ジオール（シグマアルドリッチ）１０．０ｇ、Ｋ2ＣＯ3 ２２．２８ｇ及びアセトン５００ｍｌを入れて常温で混合した。次に、均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながらアリルブロミド（シグマアルドリッチ） ５．８１ｍｌを滴下した後、一晩反応させた。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて粗生成物を得た。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してからＭｇＳＯ4で乾燥させた。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１である４−（アリルイルオキシ）ビフェニル−４−オールを得た。第１ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１１のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝４．５６（ｄｔ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、１．６Ｈｚ、２Ｈ）、５．３０（ｍ、２Ｈ）、５．４１−５．４５（ｍ、１Ｈ）、６．０３−６．１２（ｍ、１Ｈ）、６．８６（ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．０２（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．４６（ｔｄ、Ｊ＝３．０、２．２、８．８Ｈｚ、４Ｈ）
（２）第２ステップ：３−アリルビフェニル−４，４’−ジオールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第１ステップで得られた中間生成物１１ １０．０ｇと１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） ５０ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で７２時間還流した。反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して３−アリルビ
フェニル−４，４’−ジオールを得た。第２ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１２のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝３．３５（ｄ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、２Ｈ）、５．０８−５．１２（ｍ、４Ｈ）、５．９９−６．０７（ｍ、１Ｈ）、６．８５−６．９０（ｍ、３Ｈ）、７．３０−７．３９（ｍ、４Ｈ）
（３）第３ステップ：２，２’−（３−アリルビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２ステップで得られた中間生成物１２ １０．０ｇ、エピクロロヒドリン（シグマアルドリッチ） ３０．３８ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ３５．１３ｇ及びアセト二トリル ３００ｍｌを入れて常温で混合した後、温度を上げて８０℃で一晩反応させた。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて中間生成物１３を得た。第３ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１３のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝２．７５（ｄｄ、Ｊ＝２．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．８７（ｄｄ、Ｊ＝４．２Ｈｚ、２Ｈ）、３．１０−３．３５（ｍ、４Ｈ）、３．９６（ｄｄ、Ｊ＝５．４Ｈｚ、２Ｈ）、４．２４（ｄｄ、Ｊ＝３．２Ｈｚ、２Ｈ）、４．９７−５．０３（ｍ、２Ｈ）、５．９３−６．０３（ｍ、１Ｈ）、６．８６−６．９５（ｍ、３Ｈ）、７．３１−７．４０（ｍ、４Ｈ）
（４）第４ステップ：（３−（４，４’−ビス（オキシラン−２−イルメトキシ）ビフェニル−３−イル）プロピル）トリエトキシシランの合成
２５０ｍｌのフラスコに前記第３ステップで得られた中間生成物１３ １０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ４．８４ｍｌ、白金酸化物（ＰｔＯ2） ５５ｍｇ及びトルエン １００ｍｌを入れてよく混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するビフェニルエポキシ基を得た。第４ステップの反応スキーム及び得られた最終目的物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ、２Ｈ）、１．２０（ｔ、Ｊ＝７．０Ｈｚ、９Ｈ）、１．６２−１．７２（ｍ、２Ｈ）、２．６１（ｔ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．７４（ｄｄ、Ｊ＝２．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．８６（ｄｄ、Ｊ＝４．２Ｈｚ、２Ｈ）、３．３０−３．３４（ｍ、２Ｈ）、３．79 （ｑ、Ｊ＝１．６Ｈｚ、６Ｈ）、３．９７（ｄｄ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、２Ｈ）、４．１４（ｄｄ、Ｊ＝３．２Ｈｚ、２Ｈ）、６．８８−６．９７（ｍ、３Ｈ）、７．３０−７．４３（ｍ、４Ｈ）
合成例ＢＩ−２：ジヒドロキシビフェニルを利用したジアルコキシシリル化されたエポキシ化合物の合成
（１）第１ステップ：４，４’−ビス（アリルイルオキシ）ビフェニルの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコにビフェニル−４，４’−ジオール（シグマアルドリッチ） １０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ） １１．６１．０ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ４４．５６ｇ及びアセトン５００ｍｌを添加して常温で混合した。均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながら一晩反応させた。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得た。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させた。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１である４，４’−ビス（アリルイルオキシ）ビフェニルを得た。第１ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１１のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝４．５６（ｄｔ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、１．６Ｈｚ、４Ｈ）、５．３０−５．３３（ｍ、２Ｈ）、５．４１−５．４４（ｍ、２Ｈ）、６．０３−６．１２（ｍ、２Ｈ）、６．９６（ｔｄ、Ｊ＝３．０、２．２、８．８Ｈｚ、４Ｈ）、７．４６（ｔｄ、Ｊ＝３．０Ｈｚ、２．２、８．８Ｈｚ、４Ｈ）
（２）第２ステップ：３，３’−ジアリルビフェニル−４，４’−ジオールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第１ステップの反応で得られた中間生成物１１ １０．０ｇ及び１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） １００ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で７２時間還流した。反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して中間生成物１２である３，３’−ジアリルビフェニル−４，４’−ジオールを得た。第２ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１２のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝３．３５（ｄ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、４Ｈ）、５．１４−５．２５（ｍ、６Ｈ）、６．００−６．１０（ｍ、２Ｈ）、６．８４（ｄｄ、Ｊ＝２．０Ｈｚ、７．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．２９（ｄｄ、Ｊ＝１０．６Ｈｚ、４Ｈ）
（３）第３ステップ：２，２’−（３，３’−ジアリルビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２ステップで得られた中間生成物１２ １０．０ｇ、エピクロロヒドリン（シグマアルドリッチ） ３０．３８ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ３５．１３ｇ及びアセト二トリル ３００ｍｌを入れて常温で混合した後、温度を上げて８０℃で一晩反応させた。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて中間生成物１３を得た。第３ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１３のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝２．７５（ｄｄ、Ｊ＝２．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．８７（ｄｄ、Ｊ＝４．２Ｈｚ、２Ｈ）、３．１１−３．３５（ｍ、６Ｈ）、３．９６（ｄｄ、Ｊ＝５．４Ｈｚ、２Ｈ）、４．２５（ｄｄ、Ｊ＝３．２Ｈｚ、２Ｈ）、５．０３−５．１３（ｍ、４Ｈ）、５．９３−６．０３（ｍ、２Ｈ）、６．８１（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．３４−７．４２（ｍ、４Ｈ）
（４）第４ステップ：（３，３’−（４，４’−ビス（オキシラン−２−イルメトキシ）ビフェニル−３，３’−ジイル）ビス（プロパン−３，１−ジイル））ビス（トリエトキシシラン）の合成
５００ｍｌのフラスコに前記第４ステップの反応で得られた中間生成物１３ １０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ９．６７ｍｌ、白金酸化物 １０９ｍｇ及びトルエン ２００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するビフェニルエポキシを得た。第４ステップの反応スキーム及び得られた最終生成物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ、４Ｈ）、１．２０（ｔ、Ｊ＝７．０Ｈｚ、１８Ｈ）、１．６２−１．７２（ｍ、４Ｈ）、２．６１（ｔ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、４Ｈ）、２．７４（ｄｄ、Ｊ＝２．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．８６（ｄｄ、Ｊ＝４．２Ｈｚ、２Ｈ）、３．３０−３．３４（ｍ、２Ｈ）、３．７９（ｑ、Ｊ＝１．６Ｈｚ、１２Ｈ）、３．９７（ｄｄ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、２Ｈ）、４．１４（ｄｄ、Ｊ＝３．２Ｈｚ、２Ｈ）、６．８５（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．３２−７．４２（ｍ、４Ｈ）
予測例ＢＩ−３：ジヒドロキシビフェニルを利用したトリアルコキシシリル化されたエポキシ化合物の合成
（１）第１ステップ：４，４’−ビス（アリルイルオキシ）ビフェニルの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコにビフェニル−４，４’−ジオール（シグマアルドリッチ） １０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ） １１．６１ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ４４．５６ｇ及びアセトン５００ｍｌを添加して常温で混合する。均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながら一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１である４，４’−ビス（アリルイルオキシ）ビフェニルを得る。第1ステップの反応スキーム及び中間生成物１１のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝４．５６（ｄｔ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、１．６Ｈｚ、４Ｈ）、５．３０−５．３３（ｍ、２Ｈ）、５．４１−５．４４（ｍ、２Ｈ）、６．０３−６．１２（ｍ、２Ｈ）、６．９６（ｔｄ、Ｊ＝３．０、２．２、８．８Ｈｚ、４Ｈ）、７．４６（ｔｄ、Ｊ＝３．０Ｈｚ、２．２、８．８Ｈｚ、４Ｈ）
（２）第２ステップ：３，３’−ジアリルビフェニル−４，４’−ジオールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第１ステップの反応で得られる中間生成物１１ １０．０ｇ及び１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） １００ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で７２時間還流する。還流による反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して中間生成物１２である３，３’−ジアリルビフェニル−４，４’−ジオールを得る。第２ステップの反応スキーム及び中間生成物１２のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝３．３５（ｄ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、４Ｈ）、５．１４−５．２５（ｍ、６Ｈ）、６．００−６．１０（ｍ、２Ｈ）、６．８４（ｄｄ、Ｊ＝２．０Ｈｚ、７．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．２９（ｄｄ、Ｊ＝１０．６Ｈｚ、４Ｈ）
（３）第２−１ステップ：３，３’−ジアリル−４’−（アリルオキシ）ビフェニル−４−オールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２ステップで得られた中間生成物１２ ２０．０ｇ、Ｋ2ＣＯ3 ２６．７１ｇ及びアセトン５００ｍｌを入れて常温で混合する。次に、均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながらアリルブロミド（シグマアルドリッチ） ６．１２ｍｌを滴下した後、一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄し、ＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させ、シリカカラムを利用して中間生成物２３である３，３’−ジアリル−４’−（アリルオキシ）ビフェニル−４−オールを得る。第２−１ステップの反応スキームは以下の通りである。
（４）第２−２ステップ：３，３’，５−トリアリルビフェニル−４，４’−ジオールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−１ステップの反応で得られる中間生成物２３ ２０．０ｇと１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） １００ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で８時間還流する。反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して中間生成物２４である３，３’，５−トリアリルビフェニル−４，４’−ジオールを得る。第２−２ステップの反応スキームは以下の通りである。
（５）第３ステップ：２，２’−（３，３’，５−トリアリルビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−２ステップで得られる中間生成物２４ ２０．０ｇ、エピクロロヒドリン（シグマアルドリッチ） ５０．３１ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ５8．１８ｇ及びアセト二トリル ３００ｍｌを入れて常温で混合した後、温度を上げて８０℃で一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて中間生成物２５である２，２’−（３，３’，５−トリアリルビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランを得る。第３ステップの反応スキームは以下の通りである。
（６）第４ステップ：（３，３’，３’’−（２，６−ビス（オキシラン−２−イルメトキシ）ナフタレン−１，３，５−トリイル）トリス（プロパン−３，１−ジイル））トリス（トリエトキシシラン）の合成
５００ｍｌのフラスコに前記第３ステップで得られる中間生成物２３ ２０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ２９．１３ｍｌ、白金酸化物 ３２６ｍｇ及びトルエン ２００ｍｌを入れてよく混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌する。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するビフェニルエポキシ化合物を得る。第４３ステップの反応スキーム及び最終目的物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝０．６０−０．７０（ｍ、６Ｈ）、１．２０−１．２５（ｔ、２７Ｈ）、１．６０−１．７０（ｍ、６Ｈ）、２．５０−２．７０（ｔ、６Ｈ）、２．７０−２．８０（ｍ、２Ｈ）、２．８０−２．９０（ｍ、２Ｈ）、
３．３０−３．４０（ｍ、２Ｈ）、３．７０−４．００（ｍ、２０Ｈ）、４．１０−４．２０（ｍ、２Ｈ）、６．９０−７．５０（ｍ、５Ｈ）
予測例ＢＩ−４：ジヒドロキシビフェニルを利用したテトラアルコキシシリル化されたエポキシ化合物の合成
（１）第１ステップ：４，４’−ビス（アリルイルオキシ）ビフェニルの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコにビフェニル−４，４’−ジオール（シグマアルドリッチ） １０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ） １１．６１．０ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ４４．５６ｇ及びアセトン５００ｍｌを添加して常温で混合する。均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながら一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１である４，４’−ビス（アリルイルオキシ）ビフェニルを得る。第１ステップの反応スキーム及び中間生成物１１のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝４．５６（ｄｔ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、１．６Ｈｚ、４Ｈ）、５．３０−５．３３（ｍ、２Ｈ）、５．４１−５．４４（ｍ、２Ｈ）、６．０３−６．１２（ｍ、２Ｈ）、６．９６（ｔｄ、Ｊ＝３．０、２．２、８．８Ｈｚ、４Ｈ）、７．４６（ｔｄ、Ｊ＝３．０Ｈｚ、２．２、８．８Ｈｚ、４Ｈ）
（２）第２ステップ：３，３’−ジアリルビフェニル−４，４’−ジオールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第１ステップで得られる中間生成物１１ １０．０ｇ及び１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） １００ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で７２時間還流する。反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して中間生成物１２である３，３’−ジアリルビフェニル−４，４’−ジオールを得る。第２ステップの反応スキーム及び中間生成物１２のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝３．３５（ｄ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、４Ｈ）、５．１４−５．２５（ｍ、６Ｈ）、６．００−６．１０（ｍ、２Ｈ）、６．８４（ｄｄ、Ｊ＝２．０Ｈｚ、７．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．２９（ｄｄ、Ｊ＝１０．６Ｈｚ、４Ｈ）
（３）第２−１ステップ：３，３’−ジアリル−４，４’−ビス（アリルオキシ）ビフェニルの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２ステップで得られる中間生成物１２ ２０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ） ２４．４０ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ９３．４７ｇ及びアセトン５００ｍｌを添加して常温で混合する。均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながら一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物２３である３，３’−ジアリル−４，４’−ビス（アリルオキシ）ビフェニルを得る。第２−１ステップの反応スキームは以下の通りである。
（４）第２−２ステップ：３，３’，５，５’−テトラアリルビフェニル−４，４’−ジオールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−１ステップの反応で得られる中間生成物２３ ２０．０ｇと１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） １００ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった反応溶液を還流装置設定温度１９０℃で８時間還流する。反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して中間生成物２４である３，３’，５，５’−テトラアリルビフェニル−４，４’−ジオールを得る。第２−２ステップの反応スキームは以下の通りである。
（５）第３ステップ：２，２’−（３，３’，５，５’−テトラアリルビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−２ステップで得られる中間生成物２４ ２０．０ｇ、エピクロロヒドリン（シグマアルドリッチ） ５５．７６ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ６４．４９ｇ及びアセト二トリル ３００ｍｌを入れて常温で混合した後、温度を上げて８０℃で一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて中間生成物２５である２，２’−（３，３’，５，５’−テトラアリルビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランを得る。第３ステップの反応スキーム及び中間生成物２５のＮＭＲデータは以下の通りである。
（６）第４ステップ：（３，３’，３’’，３’’’−（４，４’−ビス（オキシラン−２−イルメトキシ）ビフェニル−３，３，’，５，５’−テトライル）テトラキス（プロパン−３，１−ジイル））テトラキス（トリエトキシシラン）の合成
５００ｍｌのフラスコに前記第３ステップで得られる中間生成物２５ ２０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ２９．２９ｍｌ、白金酸化物 ３２８ｍｇ及びトルエン ２００ｍｌを入れてよく混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌する。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するビフェニルエポキシ化合物を得る。第４ステップの反応スキーム及び最終目的物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝０．６０−０．７０（ｍ、８Ｈ）、１．２０−１．２５（ｔ、３６Ｈ）、１．６０−１．７０（ｍ、８Ｈ）、２．５０−２．７０（ｔ、８Ｈ）、２．７０−２．８０（ｍ、２Ｈ）、２．８０−２．９０（ｍ、２Ｈ）、３．３０−３．４０（ｍ、２Ｈ）、３．７０−４．００（ｍ、２６Ｈ）、４．１０−４．２０（ｍ、２Ｈ）、７．３０−７．５０（ｓ、４Ｈ）
合成例ＣＩ−１：フルオレンを利用したモノアルコキシシリル化されたエポキシ化合物の合成
（１）第１ステップ：４−（９−（４−（アリルオキシ）フェニル１）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェノールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに４，４’−（９Ｈ−フルオレン−９，９−ジイル）ジフェノール（シグマアルドリッチ） １０．０ｇ、Ｋ2ＣＯ3 １１．８４ｇ及びアセトン５００ｍｌを入れて常温で混合した。次に、均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながらアリルブロミド（シグマアルドリッチ） ３．０８ｍｌを滴下した後、一晩反応させた。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて粗生成物を得た。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してからＭｇＳＯ4で乾燥させた。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１を得た。第１ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１１のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝４．４６（ｄｔ、Ｊ＝５．２、１．６Ｈｚ、２Ｈ）、５．２０−５．２５（ｍ、２Ｈ）、５．３５−５．３８（ｍ、１Ｈ）、５．９８−６．０６（ｍ、１Ｈ）、６．７２−６．７６（ｍ、４Ｈ）、７．０６−７．１１（ｍ、４Ｈ）、７．２４−７．３９（ｍ、６Ｈ）、７．７０−７．７９（ｍ、２Ｈ）
（２）第２ステップ：２−アリル−４−（９−（４−（ヒドロキシフェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェノールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第１ステップで得られた中間生成物１１ １０．０ｇと１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） ５０ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で９６時間還流した。反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去した後、２−アリル−４−（９−（４−ヒドロキシフェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェノールを得た。第２ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１２のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝３．２８（ｄ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、２Ｈ）、５．０４−５．１０（ｍ、２Ｈ）、５．２１（ｂｒ．ｓ、２Ｈ）、５．８７−５．９７（ｍ、１Ｈ）、６．７１−６．７５（ｍ、３Ｈ）、７．０５−７．１１（ｍ、４Ｈ）、７．２４−７．３９（ｍ、６Ｈ）、７．７０−７．７８（ｍ、２Ｈ）
（３）第３ステップ：２−（（２−アリル−４−（９−（４−（オキシラン−２−イルメトキシ）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェノキシ）メチル）オキシランの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２ステップで得られた中間生成物１２ １０．０ｇ、エピクロロヒドリン（シグマアルとリッチ） １８．１６ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ２１．００ｇ及びアセト二トリル ２００ｍｌを入れて常温で混合した後、温度を上げて８０℃で一晩反応させた。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて中間生成物１３を得た。第３ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１３のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝２．７７（ｄｄ、Ｊ＝２．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．８７（ｄｄ、Ｊ＝４．２Ｈｚ、２Ｈ）、３．１０−３．３６（ｍ、４Ｈ）、３．９８（ｄｄ、Ｊ＝５．４Ｈｚ、２Ｈ）、４．１４（ｄｄ、Ｊ＝３．２Ｈｚ、２Ｈ）、４．９７−５．０４（ｍ、２Ｈ）、５．９２−６．０３（ｍ、１Ｈ）、６．７５−６．８５（ｍ、３Ｈ）、７．０１−７．１２（ｍ、４Ｈ）、７．２４−７．３９（ｍ、６Ｈ）、７．７０−７．７８（ｍ、２Ｈ）
（４）第４ステップ：トリエトキシ（３−（２−（オキシラン−２−イルメトキシ）−５−（９−（４−（オキシラン−２−イルメトキシ）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェノキシ）プロピル）シランの合成
２５０ｍｌのフラスコに前記第３ステップで得られた中間生成物１３ １０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ３．７４ｍｌ、白金酸化物 ４１ｍｇ及びトルエン １００ｍｌを入れてよく混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で７２時間攪拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するフルオレンエポキシを得た。第４ステップの反応スキーム及び得られた最終目的物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ、２Ｈ）、１．２１（ｔ、Ｊ＝７．０Ｈｚ、９Ｈ）、１．６２−１．７４（ｍ、２Ｈ）、２．６４（ｔ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．７４（ｄｄ、Ｊ＝２．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．８７（ｄｄ、Ｊ＝４．２Ｈｚ、２Ｈ）、３．２９−３．３４（ｍ、２Ｈ）、３．７９（ｑ、Ｊ＝１．６Ｈｚ、６Ｈ）、３．９７（ｄｄ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、２Ｈ）、４．１４（ｄｄ、Ｊ＝３．２Ｈｚ、２Ｈ）、６．８１−６．８７（ｍ、３Ｈ）、６．９６−７．０７（ｍ、４Ｈ）、７．２４−７．３９（ｍ、６Ｈ）、７．７０−７．７８（ｍ、２Ｈ）
合成例ＣＩ−２：フルオレンを利用したジアルコキシシリル化されたエポキシ化合物の合成
（１）第１ステップ：９，９−ビス（４−（アリルオキシ）フェニル）−９Ｈ−フルオレンの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに４，４’−（９Ｈ−フルオレン−９，９−ジイル）ジフェノール（シグマアルドリッチ） １０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ） ６．１７ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ２３．６８ｇ及びアセトン５０
０ｍｌを入れて常温で混合した。均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながら一晩反応させた。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得た。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させた。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１である９，９−ビス（４−アリルオキシ）フェニル）−９Ｈ−フルオレンを得た。第1ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１１のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝４．４６（ｔｄ、Ｊ＝１．４、２．４Ｈｚ、４Ｈ）、５．２５（ｑｄ、Ｊ＝１．６、１．２、１０．４Ｈｚ、２Ｈ）、５．３５−５．３８（ｍ、２Ｈ）、５．９７−６．０６（ｍ、２Ｈ）、６．７５（ｔｄ、Ｊ＝３．２、２．０、８．８Ｈｚ、４Ｈ）、７．１０（ｔｄ、Ｊ＝３．２、２．０、８．８Ｈｚ、４Ｈ）、７．２３−７．３９（ｍ、６Ｈ）、７．７０−７．７９（ｍ、２Ｈ）
（２）第２ステップ：４，４’−（９Ｈ−フルオレン−９，９−ジイル）ビス（２−アリルフェノール）の合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第１ステップの反応で得られた中間生成物１１ １０．０ｇ及び１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） １００ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で９６時間還流した。反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去してから中間生成物１２である４，４’−（９Ｈ−フルオレン−９，９−ジイル）ビス（２−アリルフェノール）を得た。第２ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１２のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝３．２８（ｄ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、４Ｈ）、５．０４−５．０９（ｍ、４Ｈ）、５．２１（ｓ、２Ｈ）、５．８７−５．９７（ｍ、２Ｈ）、６．６２（ｄ、Ｊ＝８、４Ｈｚ、２Ｈ）、６．８８（ｄｄ、Ｊ＝２．４、６．０Ｈｚ、２Ｈ）、６．９６（ｄ、Ｊ＝２．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．２２−７．３６（ｍ、６Ｈ）、７．７４（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２Ｈ）
（３）第３ステップ：２，２’−（４，４’−（９Ｈ−フルオレン−９，９−ジイル）ビス（２−アリル−４，１−フェニレン））ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２ステップで得られた中間生成物１２ １０．０ｇ、エピクロロヒドリン（シグマアルドリッチ） １８．１６ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ２１．００ｇ及びアセト二トリル ３００ｍｌを入れて常温で混合した後、温度を上げて８０℃で一晩反応させた。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて中間生成物１３を得た。第３ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１３のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝２．７５（ｄｄ、Ｊ＝２．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．８７（ｄｄ、Ｊ＝４．２Ｈｚ、２Ｈ）、３．１１−３．３５（ｍ、６Ｈ）、３．９６（ｄｄ、Ｊ＝５．４Ｈｚ、２Ｈ）、４．１２（ｄｄ、Ｊ＝３．２Ｈｚ、２Ｈ）、４．９７−５．０３（ｍ、４Ｈ）、５．９３−６．０３（ｍ、２Ｈ）、６．６９（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、６．８０−６．８３（ｍ、２Ｈ）、７．０５（ｓ、２Ｈ）、７．２２−７．３６（ｍ、６Ｈ）、７．７４（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２Ｈ）
（４）第４ステップ：（３，３’−（５，５’−（９Ｈ−フルオレン−９，９−ジイル）ビス（２−（オキシラン−２−イルメトキシ）−５，１−フェニレン））ビス（プロパン−３，１−ジイル））−ビス（トリエトキシシラン）の合成
５００ｍｌのフラスコに前記第４ステップの反応で得られた中間生成物１３ １０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ７．４８ｍｌ、白金酸化物 ８４ｍｇ及びトルエン ２００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で７２時間攪拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して最終目的物を得た。第４ステップの反応スキーム及び得られた最終生成物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝０．６６−０．７０（ｍ、４Ｈ）、１．２０（ｔ、Ｊ＝７．０Ｈｚ、１８Ｈ）、１．６３−１．７１（ｍ、４Ｈ）、２．６１（ｔ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、４Ｈ）、２．７５（ｄｄ、Ｊ＝２．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．８６（ｄｄ、Ｊ＝４．２Ｈｚ、２Ｈ）、３．３０−３．３５（ｍ、２Ｈ）、３．７９（ｑ、Ｊ＝１．６Ｈｚ、１２Ｈ）、３．９６（ｄｄ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、２Ｈ）、４．１４（ｄｄ、Ｊ＝３．２Ｈｚ、２Ｈ）、６．６９（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、６．８０−６．８３（ｍ、２Ｈ）、７．０３（ｓ、２Ｈ）、７．２１−７．３６（ｍ、６Ｈ）、７．７３（ｄ、Ｊ＝７、２Ｈｚ、２Ｈ）
予測例ＣＩ−３：ジヒドロキシフルオレンを利用したトリアルコキシシリル化されたエ
ポキシ化合物の合成
（１）第１ステップ：９，９−ビス（４−（アリルオキシ）フェニル）−９Ｈ−フルオレンの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに４，４’−（９Ｈ−フルオレン−９，９−ジイル）ジフェノール（シグマアルドリッチ） １０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ） ６．１７ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ２３．６８ｇ及びアセトン５００ｍｌを添加して常温で混合する。均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながら一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１である９，９−ビス（４−（アリルオキシ）フェニル）−９Ｈ−フルオレンを得る。第１ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１１のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝４．４６（ｔｄ、Ｊ＝１．４、２．４Ｈｚ、４Ｈ）、５．２５（ｑｄ、Ｊ＝１．６、１．２、１０．４Ｈｚ、２Ｈ）、５．３５−５．３８（ｍ、２Ｈ）、５．９７−６．０６（ｍ、２Ｈ）、６．７５（ｔｄ、Ｊ＝３．２、２．０、８．８Ｈｚ、４Ｈ）、７．１０（ｔｄ、Ｊ＝３．２、２．０、８．８Ｈｚ、４Ｈ）、７．２３−７．３９（ｍ、６Ｈ）、７．７０−７．７９（ｍ、２Ｈ）
（２）第２ステップ：４，４’−（９Ｈ−フルオレン−９，９−ジイル）ビス（２−アリルフェノール）の合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第１ステップで得られる中間生成物１１ １０．０ｇ及び１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） １００ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を９６時間還流する。還流による反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して中間生成物１２である４，４’−（９Ｈ−フルオレン−９，９−ジイル）ビス（２−アリルフェノール）を得る。第２ステップの反応スキームは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝３．２８（ｄ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、４Ｈ）、５．０４−５．０９（ｍ、４Ｈ）、５．２１（ｓ、２Ｈ）、５．８７−５．９７（ｍ、２Ｈ）、６．６２（ｄ、Ｊ＝８、４Ｈｚ、２Ｈ）、６．８８（ｄｄ、Ｊ＝２．４、６．０Ｈｚ、２Ｈ）、６．９６（ｄ、Ｊ＝２．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．２２−７．３６（ｍ、６
Ｈ）、７．７４（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２Ｈ）
（３）第２−１ステップ：２−アリル−４−（９−（３−アリル−４−（アリルオキシ）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェノールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２ステップで得られる中間生成物１２ ２０．０ｇ、Ｋ2ＣＯ3 １６．５２ｇ及びアセトン５００ｍｌを入れて常温で混合する。次に、均一によく混合された溶液を還流装置設定温度１９０℃で還流しながらアリルブロミド（シグマアルドリッチ） ３．７９ｍｌを滴下した後、一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄し、ＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させ、シリカカラムを利用して中間生成物２３である２−アリル−４−（９−（３−アリル−４−（アリルオキシ）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェノールを得る。第２−１ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物２３のＮＭＲデータは以下の通りである。
（４）第２−２ステップ：２，６−ジアリル−４−（９−（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェノールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−１ステップで得られる中間生成物２３ ２０．０ｇと１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ）
１００ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった反応溶液を８時間還流する。反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して中間生成物２４を得る。第２−２ステップの反応スキームは以下の通りである。
（５）第３ステップ：２−（（２−アリル−４−（９−（３，５−ジアリル−４−（オキシラン−２−イルメトキシ）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェノキシ）メチル）オキシランの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−２ステップで得られる中間生成物２４ ２０．０ｇ、エピクロロヒドリン（シグマアルドリッチ） ３２．７６ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ３７．８８ｇ及びアセト二トリル ３００ｍｌを入れて常温で混
合した後、温度を上げて８０℃で一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて中間生成物２５である２−（（２−アリル−４−（９−（３，５−ジアリル−４−（オキシラン−２−イルメトキシ）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェノキシ）メチル）オキシランを得る。第３ステップの反応スキームは以下の通りである。
（６）第４ステップ：（２，２’−（２−（オキシラン−２−イルメトキシ）−５−（９−（４−（オキシラン−２−イルメトキシ）−３−（２−トリエトキシシリル）エチル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）−１，３−フェニレン）ビス（エタン−２，１−ジイル））ビス（トリエトキシシラン）の合成
５００ｍｌのフラスコに前記第３ステップで得られる中間生成物２５ ２０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ２９．１３ｍｌ、白金酸化物 ３２６ｍｇ及びトルエン ２００ｍｌを入れてよく混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌する。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するフルオレンエポキシ化合物を得る。第４ステップの反応スキーム及び最終目的物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝０．６０−０．７０（ｍ、６Ｈ）、１．２０−１．２５（ｔ、２７Ｈ）、１．６０−１．７０（ｍ、６Ｈ）、２．５０−２．７０（ｔ、６Ｈ）、２．７０−２．８０（ｍ、２Ｈ）、２．８０−２．９０（ｍ、２Ｈ）、３．３０−３．４０（ｍ、２Ｈ）、３．７０−４．００（ｍ、２０Ｈ）、４．１０−４．２０（ｍ、２Ｈ）、６．７０−７．００（ｍ、５Ｈ）、７．２０−７．４０（ｍ、６Ｈ）、７．７０−７．９０（ｄ，２Ｈ）
予測例ＣＩ−４：ジヒドロキシフルオレンを利用したテトラアルコキシシリル化されたエポキシ化合物の合成
（１）第１ステップ：９，９−ビス（４−（アリルオキシ）フェニル）−９Ｈ−フルオレンの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに４，４’−（９Ｈ−フルオ
レン−９，９−ジイル）ジフェノール（シグマアルドリッチ） １０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ） ６．１７ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ２３．６８ｇ及びアセトン５００ｍｌを入れて常温で混合する。均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながら一晩反応させる。還流による反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１である９，９−ビス（４−（アリルオキシ）フェニル）−９Ｈ−フルオレンを得る。第１ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１１のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝４．４６（ｔｄ、Ｊ＝１．４、２．４Ｈｚ、４Ｈ）、５．２５（ｑｄ、Ｊ＝１．６、１．２、１０．４Ｈｚ、２Ｈ）、５．３５−５．３８（ｍ、２Ｈ）、５．９７−６．０６（ｍ、２Ｈ）、６．７５（ｔｄ、Ｊ＝３．２、２．０、８．８Ｈｚ、４Ｈ）、７．１０（ｔｄ、Ｊ＝３．２、２．０、８．８Ｈｚ、４Ｈ）、７．２３−７．３９（ｍ、６Ｈ）、７．７０−７．７９（ｍ、２Ｈ）
（２）第２ステップ：４，４’−（９Ｈ−フルオレン−９，９−ジイル）ビス（２−アリルフェノール）の合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第１ステップで得られる９，９−ビス（４−（アリルオキシ）フェニル）−９Ｈ−フルオレン １０．０ｇと１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） １００ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で９６時間還流する。還流による反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去してから中間生成物１２である４，４’−（９Ｈ−フルオレン−９，９−ジイル）ビス（２−アリルフェノール）を得る。第２ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１２のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝３．２８（ｄ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、４Ｈ）、５．０４−５．０９（ｍ、４Ｈ）、５．２１（ｓ、２Ｈ）、５．８７−５．９７（ｍ、２Ｈ）、６．６２（ｄ、Ｊ＝８、４Ｈｚ、２Ｈ）、６．８８（ｄｄ、Ｊ＝２．４、６．０Ｈｚ、２Ｈ）、６．９６（ｄ、Ｊ＝２．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．２２−７．３６（ｍ、６Ｈ）、７．７４（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２Ｈ）
（３）第２−１ステップ：９，９−ビス（３−アリル−４−（アリルオキシ）フェニル）−９Ｈ−フルオレンの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２ステップで得られる中間生成物１２ ２０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ） １５．０９ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ５７．８２ｇ及びアセトン５００ｍｌを添加して常温で混合する。均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながら一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物２３である９，９−ビス（３−アリル−４−（アリルオキシ）フェニル）−９Ｈ−フルオレンを得る。第２−１ステップの反応スキームは以下の通りである。
（４）第２−２ステップ：４，４’−（９Ｈ−フルオレン−９，９−ジイル）ビス（２，６−ジアリルフェノール）の合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−１ステップの中間生成物２３ ２０．０ｇと１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） １００ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で８時間還流する。還流による反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去してから中間生成物２４である４，４’−（９Ｈ−フルオレン−９，９−ジイル）ビス（２，６−ジアリルフェノール）を得る。第２−２ステップの反応スキームは以下の通りである。
（５）第３ステップ：２，２’−（４，４’−（９Ｈ−フルオレン−９，９−ジイル）ビス（２，６−ジアリル−４，１−フェニレン））ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−２ステップで得られる中間生成物２４ ２０．０ｇ、エピクロロヒドリン（シグマアルドリッチ） ３７．８４ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ４３．７６ｇ及びアセト二トリル ３００ｍｌを入れて常温で混合した後、温度を上げて８０℃で一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて中間生成物２５である２，２’−（４，４’−（９Ｈ−フルオレン−９，９−ジイル）ビス（２，６−ジアリル−４，１−フェニレン））ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランを得る。第３ステップの反応スキームは以下の通りである。
（６）第４ステップ：（３，３’，３’’，３’’’−（５，５’−（９Ｈ−フルオレン−９，９−ジイル）ビス（２−（オキシラン−２−イルメトキシ）ベンゼン−５，３，１−トリイル））テトラキスプロパン−３，１−ジイル））テトラキス（トリエトキシシラン）の合成
５００ｍｌのフラスコに前記第３ステップで得られる中間生成物２５ ２０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ２１．５７ｍｌ、白金酸化物 ２４１ｍｇ及びトルエン ２００ｍｌを入れてよく混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌する。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するフルオレンエポキシ化合物を得る。第４ステップの反応スキーム及び最終目的物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝０．６０−０．７０（ｍ、８Ｈ）、１．２０−１．２５（ｔ、３６Ｈ）、１．６０−１．７０（ｍ、８Ｈ）、２．５０−２．７０（ｔ、８Ｈ）、２．７０−２．８０（ｍ、２Ｈ）、２．８０−２．９０（ｍ、２Ｈ）、３．３０−３．４０（ｍ、２Ｈ）、３．７０−４．００（ｍ、２６Ｈ）、４．１０−４．２０（ｍ、２Ｈ）、６．７０−７．００（ｓ、４Ｈ）、７．２０−７．４０（ｍ、６Ｈ）、７．７０−７．９０（ｄ、２Ｈ）
合成例ＤＩ−１：ビスフェノールＡを利用したモノアルコキシシリル化されたエポキシ化合物の合成
（１）第１ステップ：４−（２−（４−（アリルオキシ）フェニル）プロパン−２−イル）フェノールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコにビスフェノールＡ（シグマアルドリッチ） ２０．０ｇ、Ｋ2ＣＯ3 ３６．３５ｇ及びアセトン５００ｍｌを入れて常温で混合した。次に、均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながらアリルブロミド（シグマアルドリッチ） ８．３３ｍｌを滴下した後、一晩反応させた。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて粗生成物を得た。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してからＭ
ｇＳＯ4で乾燥させた。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１である４−（２−（４−（アリルオキシ）フェニル）プロパン−２−イル）フェノールを得た。第１ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１１のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝１．６０（ｓ、６Ｈ）、４．８７（ｓ、１Ｈ）、４．６０（ｄ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、２Ｈ）、５．３３（ｄｄ、Ｊ＝１．４Ｈｚ、１Ｈ）、５．４４（ｄｄ、Ｊ＝１．６Ｈｚ、１Ｈ）、６．０５−６．１５（ｍ、１Ｈ）、６．4７（ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、２Ｈ）、６．７０（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．２８（ｄ、Ｊ＝１０．８Ｈｚ、４Ｈ）
（２）第２ステップ：２−アリル−４−（２−（４−（ヒドロキシフェニル）プロパン−２−イル）フェノールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第１ステップで得られた中間生成物１１ ８．０ｇと１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） ２５０ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で８時間還流した。還流による反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して中間生成物１２である２−アリル−４−（２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン−２−イル）フェノールを得た。第２ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１２のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝１．６０（ｓ、６Ｈ）、３．３６（ｄ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、２Ｈ）、４．８６（ｂｒ．ｓ、２Ｈ）、５．０８−５．１２（ｍ、２Ｈ）、５．９２−６．０３（ｍ、１Ｈ）、６．７６（ｍ、３Ｈ）、６．９４（ｍ、４Ｈ）
（３）第３ステップ：２−（（２−アリル−４−（２−（４−（オキシラン−２−イルメトキシ）フェニル）プロパン−２−イル）フェノキシ）メチル）オキシランの合成
還流コンデンサが装着された５００ｍｌの２口フラスコに前記第２ステップで得られた中間生成物１２ ７．０ｇ、エピクロロヒドリン（シグマアルとリッチ） １９．３５ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ２１．６４ｇ及びアセト二トリル ２００ｍｌを入れて常温で混合した後、温度を上げて８０℃で一晩反応させた。反応後、常温で冷却した反応物をセライトフィルタでろ過し、有機溶液を蒸発させて中間生成物１３である２−（（２−アリル−４−（２−（４−オキシラン−２−イルメトキシ）フェニル）プロパン−２−イル）フェノキシ）メチル）オキシランを得た。第３ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１３のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝１．６０（ｓ、６Ｈ）、２．７６（ｄｄ、Ｊ＝２．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．８７（ｄｄ、Ｊ＝４．２Ｈｚ、２Ｈ）、３．３０−３．３６（ｍ、４Ｈ）、３．９５−３．９８（ｍ、２Ｈ）、４．１７−４．２０（ｍ、２Ｈ）、４．９７−５．０３（ｍ、２Ｈ）、５．９３−５．９８（ｍ、１Ｈ）、６．７２（ｍ、３Ｈ）、６．９６−７．０１（ｍ、４Ｈ）
（４）第４ステップ：トリエトキシ（３−（２−（オキシラン−２−イルメトキシ）−５−（２−（４−（オキシラン−２−イルメトキシ）フェニル）プロパン−２−イル）フェニル）プロピル）シランの合成
２５０ｍｌのフラスコに前記第３ステップで得られた中間生成物１３ １０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ５．９５ｍｌ、白金酸化物 １００ｍｇ及びトルエン １００ｍｌを入れてよく混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するビスフェノールＡエポキシを得た。第４ステップの反応スキーム及び得られた最終目的物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝０．６５−０．７０（ｍ、２Ｈ）、１．２３（ｔ、Ｊ＝７．０Ｈｚ、９Ｈ）、１．６１（ｓ、６Ｈ）、１．６０−１．７１（ｍ、２Ｈ）、２．６２（ｔ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．７４（ｄｄ、Ｊ＝２．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．８６（ｄｄ、Ｊ＝４．２Ｈｚ、２Ｈ）、３．３０−３．３４（ｍ、２Ｈ）、３．８０（ｑ、Ｊ＝１．６Ｈｚ、６Ｈ）、３．９８（ｄｄ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、２Ｈ）、４．１３（ｄｄ、Ｊ＝３．２Ｈｚ、２Ｈ）、６．７２（ｍ、３Ｈ）、６．９６−７．０３（ｍ、４Ｈ）
合成例ＤＩ−２：ビスフェノールＡを利用したジアルコキシシリル化されたエポキシ化合物の合成
（１）第１ステップ：４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（アリルオキシベンゼン）の合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコにビスフェノールＡ（シグマアルドリッチ） ２０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ） １８．９４ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ７２．６９ｇ及びアセトン５００ｍｌを添加して常温で混合した。均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながら一晩反応させた。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得た。前記粗生成物のうち目
的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させた。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１である４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（アリルオキシベンゼン）を得た。第１ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１１のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝１．６０（ｓ、６Ｈ）、４．６１（ｄ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、４Ｈ）、５．３１（ｄｄ、Ｊ＝１．４Ｈｚ、２Ｈ）、５．４５（ｄｄ、Ｊ＝１．６Ｈｚ、２Ｈ）、６．０６−６．１５（ｍ、２Ｈ）、６．６９（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、４Ｈ）、７．２８（ｄ、Ｊ＝１０．８Ｈｚ、４Ｈ）
（２）第２ステップ：４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（２−アリルフェノール）の合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第１ステップの反応で得られた中間生成物１１ ２０．０ｇ及び１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） ２５０ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で８時間還流した。還流による反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去してから中間生成物１２である２，２’−ジアリルビスフェノールＡを得た。第２ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１２のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝１．６０（ｓ、６Ｈ）、３．３５（ｄ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、４Ｈ）、４．８６（ｓ、２Ｈ）、５．０８−５．１２（ｍ、４Ｈ）、５．９３−６．０３（ｍ、２Ｈ）、６．７５（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、６．９４（ｄｄ、Ｊ＝１０．６Ｈｚ、４Ｈ）
（３）第３ステップ：２，２’−（４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（２−アリル−４，１−フェニレン））ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２ステップで得られた中間生成物１２ ２９．０ｇ、エピクロロヒドリン（シグマアルドリッチ） ７３．５４ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ８５．６７ｇ及びアセト二トリル ３００ｍｌを入れて常温で混合した後、温度を上げて８０℃で一晩反応させた。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて中間生成物１３を得た。第３ステップの反応スキーム及び得られた中間生成物１３のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝１．６１（ｓ、６Ｈ）、２．７５（ｄｄ、Ｊ＝２．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．８７（ｄｄ、Ｊ＝４．２Ｈｚ、２Ｈ）、３．３２−３．３６（ｍ、６Ｈ）、３．９４−３．９８（ｍ、２Ｈ）、４．１６−４．２０（ｍ、２Ｈ）、４．９７−５．０３（ｍ、４Ｈ）、５．９３−５．９８（ｍ、２Ｈ）、６．７１（ｄ、Ｊ＝８、４Ｈｚ、２Ｈ）、６．９７−７．００（ｍ、４Ｈ）
（４）第４ステップ：（３，３’−（５，５’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（２−（オキシラン−２−イルメトキシ）−５，１−フェニレン））ビス（プロパン−３，１−ジイル））ビス（トリエトキシシラン）の合成
５００ｍｌのフラスコに前記第４ステップの反応で得られた中間生成物１３ ２６．２５ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ２５．３５ｍｌ、白金酸化物 ２５０ｍｇ及びトルエン ２００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するビスフェノールＡエポキシ化合物を得た。第４ステップの反応スキーム及び得られた最終生成物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ、４Ｈ）、１．２２（ｔ、Ｊ＝７．０Ｈｚ、１８Ｈ）、１．６０（ｓ、６Ｈ）、１．６２−１．７２（ｍ、４Ｈ）、２．６１（ｔ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、４Ｈ）、２．７４（ｄｄ、Ｊ＝２．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．８６（ｄｄ、Ｊ＝４．２Ｈｚ、２Ｈ）、３．３０−３．３４（ｍ、２Ｈ）、３．７９（ｑ、１．６Ｈｚ、１２Ｈ）、３．９７（ｄｄ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、２Ｈ）、４．１４（ｄｄ、Ｊ＝３．２Ｈｚ、２Ｈ）、６．７０（ｄ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、２Ｈ）、６．９４（ｄｄ、Ｊ＝２．８Ｈｚ、２Ｈ）、６．９９（ｄ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、２Ｈ）
合成例ＤＩ−２−１：ビスフェノールＡを利用したモノアルコキシシリル化されたエポキシ化合物の合成
（１）第３−１ステップ：２−（（２−アリル−４−（２−（４−（オキシラン−２−イルメトキシ）−３−（オキシラン−２−メトキシ）フェニル）プロパン−２−イル）フェノキシ）−メチル）オキシラン
５００ｍｌのフラスコに前記合成例Ｄ−２の第３ステップで得られた２，２’−（４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（２−アリル−４，１−フェニレン））ビス（
オキシ）ビス（メチレン）ジオキシラン １５．０ｇ、７７ｍｏｌ％ ３−クロロパーオキシ安息香酸 １０．３９ｇ、そしてメチレンクロライド ３００ｍｌを入れ、常温で１８時間攪拌した。その後、チオ硫酸ナトリウム ５水和物水溶液に反応をワークアップ（ｗｏｒｋ ｕｐ）し、エチルアセテートで抽出した。その後、反応生成物を１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液及びブライン（ｂｒｉｎｅ）で洗浄し、ＭｇＳＯ4で乾燥させてからフィルタでろ過し蒸発させて溶媒を除去させ、シリカカラムで精製して中間生成物１３’である２−（（２−アリル−４−（２−（４−（オキシラン−２−イルメトキシ）−３−（オキシラン−２−イルメトキシ）フェニル）プロパン−２−イル）フェノキシ）メチル）オキシランを得た。第３−１ステップの反応スキーム及び得られた最終生成物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝１．６０（ｓ、６Ｈ）、２．５３−２．５７（ｍ、１Ｈ）、２．７３−２．８１（ｍ、５Ｈ）、２．８９−２．９２（ｍ、３Ｈ）、３．１６−３．１８（ｍ、１Ｈ）、３．３１−３．３５（ｍ、３Ｈ）、３．９０−３．９７（ｍ、２Ｈ）、４．２２−４．２５（ｍ、２Ｈ）、４．９７−５．０４（ｍ、２Ｈ）、５．９３−５．９７（ｍ、１Ｈ）、６．６６−６．８２（ｍ、２Ｈ）、６．７３−６．７５（ｍ、２Ｈ）、７．０３−７．０５（ｍ、２Ｈ）
（２）第４ステップ：トリエトキシ（３−（２−（オキシラン−２−イルメトキシ）−５−（２−（４−（オキシラン−２−イルメトキシ）−３−（オキシラン−２−イルメトキシ）フェニル）プロパン−２−イル）フェニル）プロピル）シランの合成
２５０ｍｌのフラスコに前記第３−１ステップで得られた中間生成物１３’ １０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ５．０１ｍｌ、白金酸化物 １００ｍｇ及びトルエン １００ｍｌを入れてよく混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌しながら反応させた。反応後、得られた生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するビスフェノールＡエポキシ化合物を得た。第４ステップの反応スキーム及び最終生成物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ、２Ｈ）、１．２０（ｔ、Ｊ＝７．０Ｈｚ、９Ｈ）、１．６０（ｓ、６Ｈ）、１．６２−１．７２（ｍ、２Ｈ）、２．５３−２．５７（ｍ、１Ｈ）、２．６１（ｔ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、２Ｈ）、２．７３−２．８１（ｍ、５Ｈ）、２．８９−２．９２（ｍ、３Ｈ）、３．１６−３．１
８（ｍ、１Ｈ）、３．３５−３．３７（ｍ、１Ｈ）、３．７９（ｑ、１．６Ｈｚ、６Ｈ）、３．９０−３．９７（ｍ、２Ｈ）、４．２２−４．２５（ｍ、２Ｈ）、６．６６−６．８２（ｍ、２Ｈ）、６．７３−６．７５（ｍ、２Ｈ）、７．０３−７．０５（ｍ、２Ｈ）
予測例ＤＩ−３：ビスフェノールＡを利用したトリアルコキシシリル化されたエポキシ化合物の合成
（１）第１ステップ：４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（アリルオキシベンゼン）の合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコにビスフェノールＡ（シグマアルドリッチ） ２０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ） １８．９４ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ７２．６９ｇ及びアセトン５００ｍｌを添加して常温で混合する。均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながら一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１である４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（アリルオキシベンゼン）を得る。前記第１ステップの反応スキーム及び中間生成物１１のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝１．６０（ｓ、６Ｈ）、４．６１（ｄ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、４Ｈ）、５．３１（ｄｄ、Ｊ＝１．４Ｈｚ、２Ｈ）、５．４５（ｄｄ、Ｊ＝１．６Ｈｚ、２Ｈ）、６．０６−６．１５（ｍ、２Ｈ）、６．６９（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、４Ｈ）、７．２８（ｄ、Ｊ＝１０．８Ｈｚ、４Ｈ）
（２）第２ステップ：４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（２−アリルフェノール）の合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第１ステップで得られる中間生成物１１ ２０．０ｇ及び１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） ２５０ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で８時間還流する。還流による反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して中間生成物１２である４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（２−アリルフェノール）を得る。前記第２ステップの反応スキーム及び中間生成物１２のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝１．６０（ｓ、６Ｈ）、３．３５（ｄ
、Ｊ＝６．４Ｈｚ、４Ｈ）、４．８６（ｓ、２Ｈ）、５．０８−５．１２（ｍ、４Ｈ）、５．９３−６．０３（ｍ、２Ｈ）、６．７５（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、６．９４（ｄｄ、Ｊ＝１０．６Ｈｚ、４Ｈ）
（３）第２−１ステップ：２−アリル−４−（２−（３−アリル−４−（アリルオキシ）フェニル）プロパン−２−イル）フェノールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２ステップで得られる中間生成物１２ ２０．０ｇ、Ｋ2ＣＯ3 ２３．０７ｇ及びアセトン５００ｍｌを入れて常温で混合する。次に、均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながらアリルブロミド（シグマアルドリッチ） ５．２９ｍｌを滴下した後、一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄し、ＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させ、シリカカラムを利用して中間生成物２３である２−アリル−４−（２−（３−アリル−４−（アリルオキシ）フェニル）プロパン−２−イル）フェノールを得る。前記第２−１ステップの反応スキームは以下の通りである。
（４）第２−２ステップ：２，６−ジアリル−４−（２−（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン−２−イル）フェノールの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−１ステップの反応で得られる中間生成物２３ ２０．０ｇと１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） １００ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で８時間還流する。反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して中間生成物２４である２，６−ジアリル−４−（２−（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン−２−イル）フェノールを得る。前記第２−２ステップの反応スキームは以下の通りである。
（５）第３ステップ：２−（（２−アリル−４−（２−（３，５−ジアリル−４−（オキシラン−２−イルメトキシ）フェニル）プロパン−２−イル）フェノキシ）メチル）オキシランの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−２ステップで得られる中間生成物２４ ２０．０ｇ、エピクロロヒドリン（シグマアルドリッチ） ４４
．２４ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ５１．１６ｇ及びアセト二トリル ３００ｍｌを入れて常温で混合した後、温度を上げて８０℃で一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて中間生成物２５である２−（（２−アリル−４−（２−（３，５−ジアリル−４−（オキシラン−２−イルメトキシ）フェニル）プロパン−２−イル）フェノキシ）メチル）オキシランを得る。前記第３ステップの反応スキームは以下の通りである。
（６）第６ステップ：（３，３’−（２−（オキシラン−２−イルメトキシ）−５−（２−（４−（オキシラン−２−イルメトキシ）−３−（３−トリエトキシシリル）プロピル）フェニル）プロパン−２−イル）−１，３−フェニレン）ビス（プロパン−３，１−ジイル））ビス（トリエトキシシラン）の合成
５００ｍｌのフラスコに前記第３ステップで得られる中間生成物２５ ２０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ２６．４７ｍｌ、白金酸化物 ２９６ｍｇ及びトルエン ２００ｍｌを入れてよく混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌する。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するビスフェノールＡエポキシ化合物を得る。前記第４ステップの反応スキーム及び最終目的物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝０．６０−０．７０（ｍ、６Ｈ）、１．２０−１．２５（ｔ、２７Ｈ）、１．６０−１．８０（ｍ、１２Ｈ）、２．５０−２．７０（ｔ、６Ｈ）、２．７０−２．８０（ｍ、２Ｈ）、２．８０−２．９０（ｍ、２Ｈ）、３．３０−３．４０（ｍ、２Ｈ）、３．７０−４．００（ｍ、２０Ｈ）、４．１０−４．２０（ｍ、２Ｈ）、６．８０−７．１０（ｍ、５Ｈ）
予測例ＤＩ−４：ビスフェノールＡを利用したテトラアルコキシシリル化されたエポキシ化合物の合成
（１）第１ステップ：４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（アリルオキシベンゼン）の合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコにビスフェノールＡ（シグマアルドリッチ） ２０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ） １８．９４ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ７２．６９ｇ及びアセトン５００ｍｌを添加して常温で混合する。均一によ
く混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながら一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１である４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（アリルオキシベンゼン）を得る。前記第１ステップの反応スキームは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝１．６０（ｓ、６Ｈ）、４．６１（ｄ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、４Ｈ）、５．３１（ｄｄ、Ｊ＝１．４Ｈｚ、２Ｈ）、５．４５（ｄｄ、Ｊ＝１．６Ｈｚ、２Ｈ）、６．０６−６．１５（ｍ、２Ｈ）、６．６９（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、４Ｈ）、７．２８（ｄ、Ｊ＝１０．８Ｈｚ、４Ｈ）
（２）第２ステップ：４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（２−アリルフェノール）の合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第１ステップで得られる中間生成物１１ ２０．０ｇと１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） ２５０ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で８時間還流する。還流による反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して中間生成物１２である４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（２−アリルフェノール）を得る。前記第２ステップの反応スキーム及び中間生成物１２のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ＝１．６０（ｓ、６Ｈ）、３．３５（ｄ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、４Ｈ）、４．８６（ｓ、２Ｈ）、５．０８−５．１２（ｍ、４Ｈ）、５．９３−６．０３（ｍ、２Ｈ）、６．７５（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、６．９４（ｄｄ、Ｊ＝１０．６Ｈｚ、４Ｈ）
（３）第２−１ステップ：４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（２−アリル−１−（アリルオキシ）ベンゼン）の合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２ステップで得られる中間生成物１２ ２０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ） ２１．０７ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ８３．３１ｇ及びアセトン５００ｍｌを添加して常温で混合する。均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながら一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳ
Ｏ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物２３である４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（２−アリル−１−（アリルオキシ）ベンゼン）を得る。第２−１ステップの反応スキームは以下の通りである。
（４）第２−２ステップ：４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（２，６−ジアリルフェノール）の合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−１ステップの反応で得られる中間生成物２３ ２０．０ｇと１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） １００ｍｌを入れて常温でよく混合した後、均一になった反応溶液を還流装置設定温度１９０℃で８時間還流する。還流による反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して中間生成物２４である４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（２，６−ジアリルフェノール）を得る。前記第２−２ステップの反応スキームは以下の通りである。
（５）第３ステップ：２，２’−（４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（２，６−ジアリル−４，１−フェニレン））ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランの合成
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−２ステップで得られる中間生成物２４ ２０．０ｇ、エピクロロヒドリン（シグマアルドリッチ） ４９．７１ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ５７．６８ｇ及びアセト二トリル ３００ｍｌを入れて常温で混合した後、温度を上げて８０℃で一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて中間生成物２５である２，２’−（４，４’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（２，６−ジアリル−４，１−フェニレン））ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランを得る。前記第３ステップの反応スキームは以下の通りである。
（６）第４ステップ：（３，３’，３’’，３’’’−（５，５’−（プロパン−２，２−ジイル）ビス（２−（オキシラン−２−イルメトキシ）ベンゼン−５，３，１−トリイル））テトラキス（プロパン−３，１−ジイル））テトラキス（トリエトキシシラン）の合成
５００ｍｌのフラスコに前記第３ステップで得られる中間生成物２５ ２０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ２６．８３ｍｌ、白金酸化物 ３００ｍｇ及びトルエン ２００ｍｌを入れてよく混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌しながら反応させる。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するビスフェノールＡエポキシ化合物を得る。前記第４ステップの反応スキーム及び最終目的物のＮＭＲデータは以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ＝０．６０−０．７０（ｍ、８Ｈ）、１．２０−１．２５（ｔ、３６Ｈ）、１．６０−１．８０（ｍ、１４Ｈ）、２．５０−２．７０（ｔ、８Ｈ）、２．７０−２．８０（ｍ、２Ｈ）、２．８０−２．９０（ｍ、２Ｈ）、３．３０−３．４０（ｍ、２Ｈ）、３．７０−４．００（ｍ、２６Ｈ）、４．１０−４．２０（ｍ、２Ｈ）、６．８０−７．１０（ｓ、４Ｈ）
物性評価：硬化物の製造及び耐熱特性の評価
１．エポキシ硬化物の製造
下記表１の組成でエポキシ化合物、フェノール系硬化剤（ＨＦ−１Ｍ（登録商標）（Ｍｅｉｗａ Ｐｌａｓｔｉｃ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ，Ｌｔｄ．、１０７ｇ／当量）及びトリフェニルホスフィン（Ｔｒｉｐｈｅｎｙｌ ｐｈｏｓｈｐｉｎｅ、アルドリッチ）硬化触媒をメチルエチルケトンに固形分含量が４０ｗｔ％になるように溶かした後、均一な溶液になるように混合して混合液を製造した（前記固形分含量とは、混合液のうち固状物質の含量をいう）。その後、前記混合液を１００℃に加熱された真空オーブンに入れ、溶媒を除去してから１２０℃に予熱されたホットプレスで２時間、１８０℃で２時間、そして２００℃乃至２６０℃で２時間硬化させて硬化物を得た。
２．エポキシ化合物とガラス繊維を含む複合体（硬化物）の製造
下記表２の組成でエポキシ化合物、フェノール系硬化剤（ＨＦ−１Ｍ（登録商標）（Ｍｅｉｗａ Ｐｌａｓｔｉｃ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ，Ｌｔｄ．，１０７ｇ／当量）及びトリフェニルホスフィン（Ｔｒｉｐｈｅｎｙｌ ｐｈｏｓｈｐｉｎｅ、アルドリッチ）硬化触媒をメチルエチルケトンに固形分含量が４０ｗｔ％になるように溶かした後、均一な溶液になるように混合して得られた混合物にガラス繊維（Ｎｉｔｔｏｂｏ社のガラス繊維織物、Ｅ−ｇｌａｓｓ ２１１６又はＴ−ｇｌａｓｓ ２１１６）を浸漬してエポキシ化合物を含むガラス繊維複合物を製造した。その後、前記混合液を１００℃に加熱された真空オーブンに入れ、溶媒を除去してから１２０℃に予熱されたホットプレスで２時間、１８
０℃で２時間、そして２００℃乃至２６０℃で２時間硬化させてガラス繊維複合体フィルムを得た。複合体フィルムを製造する際、プレスの圧力とレジンの粘度に応じて複合体フィルムのレジン含量を調節した。複合体フィルムにおけるレジンの含量は下記表２に示した通りである。
３．エポキシ化合物、ガラス繊維及びシリカを含む複合体（硬化物）の製造
下記表２の組成で、エポキシ化合物及びシリカスラリー（固形分含量７０ｗｔ％、２−メトキシエタノール溶媒、シリカ平均サイズ１μｍ、三星電気提供）を固形分含量が４０ｗｔ％になるようにメチルエチルケトンに溶かした。この混合液を１５００ｒｐｍの速度で１時間混合した後、フェノール系硬化剤（ＨＦ−１Ｍ（登録商標）（Ｍｅｉｗａ Ｐｌａｓｔｉｃ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ，Ｌｔｄ．、１０７ｇ／当量）を入れてさらに５０分間混合した。その後、最後にトリフェニルホスフィン（Ｔｒｉｐｈｅｎｙｌ ｐｈｏｓｈｐｉｎｅ、アルドリッチ）硬化触媒を入れて１０分間更に混合し、エポキシ混合物を得た。前記エポキシ混合物にガラス繊維Ｎｉｔｔｏｂｏ社のガラス繊維織物、Ｅ−ｇｌａｓｓ
２１１６又はＴ−ｇｌａｓｓ ２１１６）を浸漬してエポキシ化合物を含むガラス繊維複合物を製造した。その後、前記混合液を１００℃に加熱された真空オーブンに入れ、溶媒を除去してから１２０℃に予熱されたホットプレスで２時間、１８０℃で２時間、そして２００℃乃至２６０℃で２時間硬化させてガラス繊維複合体フィルムを得た。複合体フィルムを製造する際、プレスの圧力とレジンの粘度に応じて複合体フィルムのレジン含量を調節した。複合体フィルムにおけるレジンの含量は下記表２に示した通りである。
４．物性評価
（１）耐熱特性の評価
下記表１及び２の実施例及び比較例において、得られた硬化物の温度に応じて寸法変化を熱機械分析器（Ｔｈｅｒｍｏ−ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｚｅｒ）（Ｆｉｌｍ／ｆｉｂｅｒ ｍｏｄｅ、Ｆｏｒｃｅ ０．１Ｎ）を利用して評価し、下記表に示した。エポキシ硬化物の試片は５×５×３（ｍｍ2）のサイズに、複合フィルムの試片は４×１６×０．１（ｍｍ2）のサイズに製造した。
注：前記表１及び２で使用された従来のエポキシ化合物は以下の通りである。
ナフタレンエポキシ
ビフェニルエポキシ
カルドエポキシ
ビスフェノールエポキシ（２官能性）
ビスフェノールエポキシ（４官能性）
前記表１及び表２、図１に示したように、本発明によるナフタレンコアを有する化学式ＡIのアルコキシシリル系エポキシ化合物自体の硬化物（実施例２）は、コア構造は同じであるがアルコキシシリル基を有しないナフタレンエポキシ化合物自体の硬化物（比較例１）に比べＣＴＥは増加し、Ｔｇは低くなる傾向を示す。
しかし、ガラス繊維と複合化された複合体又はガラス繊維及び無機粒子と複合化されたナフタレンコアを有する化学式ＡＩのアルコキシシリル系エポキシ化合物の複合体（実施例１１乃至１５）のＣＴＥは７乃至１０ｐｐｍ／℃（実施例１２〜１３、Ｅ−ガラス）又
は約４ｐｐｍ／℃（実施例１４〜１５、Ｔ−ガラス）のアルコキシシリル基を有しないナフタレンエポキシ化合物の複合体（比較例６）のＣＴＥ＝１４ｐｐｍ／℃より非常に低かった。詳しくは、ナフタレンコアを有するエポキシ化合物は、図２に示したように比較例６の複合体のＣＴＥに比べ実施例１２及び実施例１３の複合体のＣＴＥが減少した。例えば、ビフェニルコアを有するエポキシ化合物は、図３に示したように比較例７の複合体のＣＴＥに比べ実施例１７及び実施例１８の複合体のＣＴＥが減少した。例えば、カルド（フルオレン）コアを有するエポキシ化合物は、図４に示したように比較例８の複合体のＣＴＥに比べ実施例２０の複合体のＣＴＥが減少した。例えば、ビスフェノールＡコアを有するエポキシ化合物は、図５に示したように比較例１０の複合体のＣＴＥに比べ実施例２３及び実施例２４の複合体のＣＴＥが減少した。
また、本発明によるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の複合体はエポキシ化合物自体の硬化物のＴｇに比べ複合体のＴｇが増加し、適切な配合調節、例えば、少量のシリカを添加することでＴｇレスが観察されることもあった。例えば、ナフタレンコアを有するエポキシ化合物は、図６に示したように実施例２の複合体とは異なって実施例１３の複合体でＴｇレスを示した。例えば、ビフェニルコアを有するエポキシ化合物は、図７に示したように実施例４の複合体とは異なって実施例１８の複合体はＴｇレスを示した。例えば、カルド（フルオレン）コアを有するエポキシ化合物は、図８に示したように実施例６の複合体とは異なって実施例２０の複合体はＴｇレスを示した。例えば、ビスフェノールＡコアを有するエポキシ化合物は、図９に示したように実施例９の複合体とは異なって実施例２４の複合体はＴｇレスを示した。
上述したように、本発明のアルコキシシリル系エポキシ化合物の降下物はアルコキシシリル基を有しないエポキシ化合物の硬化物に比べＣＴＥは増加しＴｇは減少する。しかし、これとは逆に、本発明のアルコキシシリル系エポキシ化合物の複合体はアルコキシシリル基を有しないエポキシ化合物の硬化物に比べＣＴＥが減少するだけでなく、適切な配合調節によってアルコキシシリル基を有しないエポキシ化合物の硬化物に比べ高いＴｇ又はＴｇレスを示した。
このようなアルコキシシリル基を有する化合物の複合体におけるＣＴＥの減少及びＴｇの増加又はＴｇレス特性は複合体でエポキシ化合物と充填剤の結合特性が向上されることに起因するものであり、上述した特性から複合体におけるエポキシ化合物と充填剤の結合特性が向上されることが確認できる。
また、エポキシ化合物におけるアルコキシシリル基の数によるエポキシ化合物自体の硬化物及びエポキシ複合体におけるＣＴＥ値の変化を図１０に示した。図１０に示したように、本発明によるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物自体の硬化物のＣＴＥはアルコキシシリル基を有しないエポキシ化合物自体の硬化物のＣＴＥに比べて高い。しかし、本発明によるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の複合体のＣＴＥはアルコキシシリル基を有しないエポキシ化合物の複合体のＣＴＥに比べて著しく低くなる。また、このような傾向はエポキシ化合物におけるアルコキシシリル基の数が増加するにつれて高まる。
（２）難燃性の評価
前記表２の実施例１２、１７、２０及び２３と比較例６、７、８及び９の複合体のストリームに点火し、これらのストリームが燃焼した写真を図１１乃至１４に示した。図１１乃至図１４に示したように、本発明によるエポキシ化合物の複合体である実施例１２、１７、２０及び２３の複合体のストリームはすべて１秒乃至２秒以内に自然消火した。しかし、アルコキシシリル基を有しない比較例６、７、８及び９の複合体ストリームは自然消
火される場合もあるが、自然消火の際に所要される時間が同じコアのアルコキシシリル基を有する本発明によるエポキシ化合物の場合より長く、比較例４のビスフェノール系エポキシ化合物は完全燃焼された。
これにより、本発明によるアルコキシシリル系エポキシ化合物を含む硬化物は優れた難燃性を示すことが分かる。
本発明の第７５見地によると、第７０見地において、前記繊維はＥ、Ｔ（Ｓ）、ＮＥ、Ｄ及び石英で構成されるグループから選択されるガラス繊維及び液晶ポリエステル繊維、
ポリエチレンテレフタレート繊維、全芳香族繊維、ポリベンゾオキサゾール繊維、ナイロン繊維、ポリエチレンナフタレート繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエーテルスルホン繊維、ポリビニリデンフロライド繊維、ポリエチレンスルフィド繊維及びポリエーテルエーテルケトン繊維で構成されるグループから選択される有機繊維で構成されるグループから選択される少なくとも一種であるエポキシ組成物が提供される。
前記リンカーは−ＣＲｅＲｆ−前記式において、Ｒｅ及びＲｆはそれぞれ独立して水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩのハロゲン原子又は炭素数１乃至３のアルキル基又は炭素数４〜６の環状化合物である）、カルボニル（−ＣＯ−）、エステル（−ＣＯＯ−）、カーボネート（−ＯＣＯＯ−）、エチレン（−ＣＨ2ＣＨ2−）、プロピレン（−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−）、エーテル（−Ｏ−）、アミン（−ＮＨ−）、チオエーテル（−Ｓ−）又はスルホニル（−ＳＯ2−）である。
第３−１ステップの反応において、溶媒は必要に応じて任意に使用される。例えば、第３−１ステップの反応で別途の溶媒がなくても反応温度において反応物の粘度が反応するのに適しているのであれば溶媒を使用しなくてもよい。即ち、反応物の混合及び攪拌が溶媒がなくても円滑に進行する程度に反応物の粘度が低くなれば別途の溶媒を必要とせず、これは当業者が容易に判断してもよい。溶媒を使用する場合、可能な溶媒としては反応物をよく溶解し、反応にいかなる悪影響も及ぼさずに反応後に容易に除去可能である限りいかなる有機溶媒が使用されてもよく、特にこれに限らず、例えば、アセト二トリル、ＴＨＦ（ｔｅｔｒａ ｈｙｄｒｏ ｆｕｒａｎ）、ＭＥＫ（ｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、ＤＭＦ（ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｆｏｒｍａｍｉｄｅ）、ＤＭＳＯ（ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｕｆｏｘｉｄｅ）、メチレンクロライド（ＭＣ）などが使用されてもよい。これらの溶媒は単独で又は２つ以上が一緒に使用されてもよい。溶媒の使用量は特に限らないが、反応物が十分に溶解されて反応に好ましくない影響を及ぼさない範囲内で適切な量で使用されてもよく、この技術分野の技術者はそれを考慮して適切に選択してもよい。
上述した本発明から提供されるいかなるエポキシ組成物アルコキシシリル系エポキシ化合物と硬化剤の硬化反応を促進するように任意の硬化促進剤（触媒）を必要に応じてさらに含んでもよい。硬化促進剤（触媒）としてはこの技術分野でエポキシ組成物の硬化に一般的に使用されるものと知られているいかなる触媒を使用してもよく、これに限らず、例えば、イミダゾール系、第３級アミン系、第４級アンモニウム系、有機酸塩系、リン化合物系、ルイス酸などの硬化促進剤が使用されてもよい。
より詳しくは、例えば、２−メチルイミダゾール（２ＭＺ）、２−ウンデシルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４Ｍ）、２−フェニルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−アルキルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール（Ｈｅｐｔａｄｅｃｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｅ、２ＨＤＩ）などのイミダゾール系と、ベンジルジメチルアミン（Ｂｅｎｚｙｌ Ｄｉｍｅｔｈｙｌ Ａｍｉｎｅ、ＢＤＭＡ）、トリスメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）、トリエチレンアミンなどの３級アミン系化合物と、テトラブチルアンモニウムブロミドなどの４級アンモニウム塩と、ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）やＤＢＵの有機酸塩と、トリフェニルホスフィン、リン酸エステルなどのリン系化合物、ＢＦ3−モノエチルアミン（ＢＦ3−ＭＥＡ）などのようなルイス酸などが挙げられるが、これに限定されない。これらの硬化促進剤はそれらのマイクロカプセルコーティング及び着染形成などで潜在化されたものを使用してもよい。これらは硬化条件に応じて単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
繊維としてはこれに限らず、従来の有機樹脂硬化物の物性改善のために使用されるいかなる一般的な繊維が使用されてもよい。詳しくは、ガラス繊維、有機繊維及びそれらの混合物が使用されてもよい。また、本明細書で使用される用語「ガラス繊維」はガラス繊維だけでなくガラス繊維織物、ガラス繊維不織物などを含む意味として使用される。これに限らず、ガラス繊維の例としてはＥ、Ｔ（Ｓ）、ＮＥ、Ｄ、石英などのガラス繊維が挙げられ、例えば、Ｅ又はＴガラス繊維が挙げられる。有機繊維としては、特にこれに限らず、液晶ポリエステル繊維、ポリエチレンテレフタレート繊維、全芳香族繊維、ポリベンゾオキサゾール繊維、ナイロン繊維、ポリエチレンナフタレート繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエーテルスルホン繊維、ポリビニリデンフロライド繊維、ポリエチレンスルフィド繊維、ポリエーテルエーテルケトン繊維で構成されるグループから選択される少なくとも一種が単独に又は２種以上が一緒に使用される。
５００ｍｌのフラスコに前記第３ステップの反応で得られた中間生成物１３ ２０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ２３．５０ｍｌ、白金酸化物 ２００ｍｇ及びトルエン ２００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するナフタレンエポキシ化合物を得た。第４ステップの反応スキーム及び得られた最終生成物のＮＭＲデータは以下の通りである。
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第１ステップの反応で得られた中間生成物１１ ２０．０ｇと１，２−ジクロロベンゼン（シグマアルドリッチ） １００ｍｌを入れて常温でよく混合し、均一になった溶液を還流装置設定温度１９０℃で８時間還流する。反応後、常温で冷却し、真空オーブンで溶媒を除去して中間生成物１２である１，５−ジアリルナフタレン−２，６−ジオールを得る。第２ステップの反応スキームは以下の通りである。
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２ステップで得られた中間生成物１２ ２０．０ｇ、Ｋ2ＣＯ3 ２９．６０ｇ及びアセトン５００ｍｌを入れて常温で混合する。次に、均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながらアリルブロミド（シグマアルドリッチ） ６．７８ｍｌを滴下した後、一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄し、ＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させてシリカカラムで精製し、中間生成物２３である１．５−ジアリル−６−（アリルオキシ）ナフタレン−２−オールを得る。第２−１ステップの反応スキームは以下の通りである。
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコにビフェニル−４，４’−ジオール（シグマアルドリッチ） １０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ） １１．６１ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ４４．５６ｇ及びアセトン５００ｍｌを添加して常温で混合した。均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながら一晩反応させた。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得た。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させた。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１である４，４’−ビス（アリルイルオキシ）ビフェニルを得た。第１ステップの反応
スキーム及び得られた中間生成物１１のＮＭＲデータは以下の通りである。
５００ｍｌのフラスコに前記第３ステップの反応で得られた中間生成物１３ １０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ９．６７ｍｌ、白金酸化物 １０９ｍｇ及びトルエン ２００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するビフェニルエポキシを得た。第４ステップの反応スキーム及び得られた最終生成物のＮＭＲデータは以下の通りである。
５００ｍｌのフラスコに前記第３ステップで得られる中間生成物２３ ２０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ２９．１３ｍｌ、白金酸化物 ３２６ｍｇ及びトルエン ２００ｍｌを入れてよく混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌する。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するビフェニルエポキシ化合物を得る。第４ステップの反応スキーム及び最終目的物のＮＭＲデータは以下の通りである。
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコにビフェニル−４，４’−ジオール（シグマアルドリッチ） １０．０ｇ、アリルブロミド（シグマアルドリッチ） １１．６１ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ４４．５６ｇ及びアセトン５００ｍｌを添加して常温で混合する。均一によく混合された溶液を還流装置設定温度８０℃で還流しながら一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄してＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させて中間生成物１１である４，４’−ビス（アリルイルオキシ）ビフェニルを得る。第１ステップの反応スキーム及び中間生成物１１のＮＭＲデータは以下の通りである。
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２−２ステップで得られる中間生成物２４ ２０．０ｇ、エピクロロヒドリン（シグマアルドリッチ） ５５．７６ｍｌ、Ｋ2ＣＯ3 ６４．４９ｇ及びアセト二トリル ３００ｍｌを入れて常温で混
合した後、温度を上げて８０℃で一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて中間生成物２５である２，２’−（３，３’，５，５’−テトラアリルビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（オキシ）ビス（メチレン）ジオキシランを得る。第３ステップの反応スキームは以下の通りである。
５００ｍｌのフラスコに前記第３ステップの反応で得られた中間生成物１３ １０．０ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ７．４８ｍｌ、白金酸化物 ８４ｍｇ及びトルエン ２００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で７２時間攪拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して最終目的物を得た。第４ステップの反応スキーム及び得られた最終生成物のＮＭＲデータは以下の通りである。
還流コンデンサが装着された１０００ｍｌの２口フラスコに前記第２ステップで得られる中間生成物１２ ２０．０ｇ、Ｋ2ＣＯ3 １６．５２ｇ及びアセトン５００ｍｌを入れて常温で混合する。次に、均一によく混合された溶液を還流装置設定温度１９０℃で還流しながらアリルブロミド（シグマアルドリッチ） ３．７９ｍｌを滴下した後、一晩反応させる。反応後、常温で冷却した反応物をセライトろ過し、有機溶液を蒸発させて粗生成物を得る。前記粗生成物のうち目的物をエチルアセテートで抽出し、水で３回洗浄し、ＭｇＳＯ4で乾燥させる。ＭｇＳＯ4をフィルタで除去させ、蒸発器を利用して溶媒を除去させ、シリカカラムを利用して中間生成物２３である２−アリル−４−（９−（３−アリル−４−（アリルオキシ）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェノールを得る。第２−１ステップの反応スキームは以下の通りである。
５００ｍｌのフラスコに前記第３ステップの反応で得られた中間生成物１３ ２６．２５ｇ、トリエトキシシラン（シグマアルドリッチ） ２５．３５ｍｌ、白金酸化物 ２５０ｍｇ及びトルエン ２００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で８５℃で２４時間攪拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を利用して溶媒を除去して、最終目的物であるアルコキシシリル基を有するビスフェノールＡエポキシ化合物を得た。第４ステップの反応スキーム及び得られた最終生成物のＮＭＲデータは以下の通りである。
（６）第４ステップ：（３，３’−（２−（オキシラン−２−イルメトキシ）−５−（２−（４−（オキシラン−２−イルメトキシ）−３−（３−トリエトキシシリル）プロピル）フェニル）プロパン−２−イル）−１，３−フェニレン）ビス（プロパン−３，１−ジイル））ビス（トリエトキシシラン）の合成
また、本発明によるアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の複合体はエポキシ化合物自体の硬化物のＴｇに比べ複合体のＴｇが増加し、適切な配合調節、例えば、少量のシリカを添加することでＴｇレスが観察されることもあった。例えば、ナフタレンコアを有するエポキシ化合物は、図６に示したように実施例２のエポキシ硬化物とは異なって実施例１３の複合体でＴｇレスを示した。例えば、ビフェニルコアを有するエポキシ化合物は、図７に示したように実施例４のエポキシ硬化物とは異なって実施例１８の複合体はＴｇレスを示した。例えば、カルド（フルオレン）コアを有するエポキシ化合物は、図８に示したように実施例６のエポキシ硬化物とは異なって実施例２０の複合体はＴｇレスを示した。例えば、ビスフェノールＡコアを有するエポキシ化合物は、図９に示したように実施例９のエポキシ硬化物とは異なって実施例２４の複合体はＴｇレスを示した。

Claims (91)

  1. コアに少なくとも一つの下記化学式Ｓ１の置換基及び２つのエポキシ基を含むアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物。
    （化学式Ｓ１において、前記Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよく、但し、前記コアがベンゼンでＳ１が一つである場合、前記Ｓ１において、Ｒa、Ｒb及びＲcが全て水素であり、Ｒ1乃至Ｒ3が全て炭素数１乃至６のアルコキシである場合は除外される。）
  2. 前記エポキシ基は下記化学式Ｓ２の構造である請求項１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物。
  3. 下記化学式Ｓ３の置換基をさらに含む請求項１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物。
    （化学式Ｓ３において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
  4. 前記コアは下記化学式Ａ’乃至Ｋ’で構成されるグループから選択される芳香族コアのうち少なくとも一種である請求項１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物。
    （前記化学式Ｄ’において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
  5. 前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物は下記化学式ＡＩ乃至ＫＩで構成されるグループから選択される少なくとも一種である請求項１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物。
    （前記化学式ＡＩ乃至ＫＩにおいて、多数のＱのうち少なくとも一つは下記化学式Ｓ１であり、残りは下記化学式Ｓ３、水素及び−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）で構成されるグループからそれぞれ独立して選択され、前記ＤＩにおいて、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （化学式Ｓ１において、前記Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。但し、化学式ＦＩでＳ１が一つである場合、前記Ｓ１において、Ｒa、Ｒb及びＲcが全て水素であり、Ｒ1乃至Ｒ3が全て炭素数１乃至６のアルコキシである場合は除外される。）
    （化学式Ｓ３において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
  6. 前記多数のＱのうち少なくとも一つは前記化学式Ｓ３である請求項５に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物。
  7. 前記多数のＱのうち少なくとも一つは前記化学式Ｓ１であり、残りは前記化学式Ｓ３である請求項５に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物。
  8. 前記Ｒ1乃至Ｒ3はエトキシ基 である請求項５に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物。
  9. 前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物は前記化学式ＡＩ乃至ＤＩで構成されるグループから選択されるいずれか一つである請求項５に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物。
  10. 前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物は前記化学式ＤＩである請求項９に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物。
  11. 前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物は前記化学式ＤＩであり、Ｙは−Ｃ（ＣＨ3）2−である請求項１０に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物。
  12. 前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物は下記化学式Ｍの化合物のうち少なくとも一種である請求項５に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物。
  13. 下記化学式Ａ１１乃至Ｋ１１で構成されるグループから選択される少なくとも一種の化
    合物。
    （前記化学式Ａ１１乃至Ｋ１１において、Ｋのうち少なくとも一つは−Ｏ−ＣＨ2−ＣＲa＝ＣＲbＲc（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りはヒドロキシ基であり、前記化学式Ｄ１１において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
  14. 前記化合物は、下記化学式Ｓ１１のうち少なくとも一種である請求項１３に記載の化合物。
  15. 下記化学式Ａ１２乃至Ｋ１２で構成されるグループから選択される少なくとも一種である化合物。
    （前記化学式Ａ１２乃至Ｋ１２において、Ｌのうち少なくとも一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
    前記化学式Ｄ１２において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
  16. 前記化合物は、下記化学式Ｓ１２のうち少なくとも一種である請求項１５に記載の化合物。
  17. 下記化学式Ａ１３乃至Ｋ１３で構成されるグループから選択される少なくとも一種の化合物。
    （前記化学式Ａ１３乃至Ｋ１３において、Ｍのうち少なくとも一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（式中、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
    前記化学式Ｄ１３において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
  18. 前記化合物は、下記化学式Ｓ１３のうち少なくとも一種である請求項１７に記載の化合物。
  19. 下記化学式Ａ１３’乃至Ｋ１３’で構成されるグループから選択される少なくとも一種の化合物。
    （前記化学式Ａ１３乃至Ｋ１３において、Ｎのうち一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（式中、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りの一つは下記化学式Ｓ３であり、
    前記化学式Ｄ１３’において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （化学式Ｓ３のうち、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
  20. 前記化合物は下記化学式Ｓ１３’である請求項１９に記載の化合物。
  21. 下記化学式Ａ２３乃至Ｊ２３で構成されるグループから選択される少なくとも一種の化合物。
    （前記化学式Ａ２３乃至Ｊ２３において、Ｋ’のうち少なくとも一つは−Ｏ−ＣＨ2−ＣＲa＝ＣＲbＲc（式中、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りはヒドロキシ基であり、
    Ｌのうち少なくとも一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（但し、式中Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
    前記化学式Ｄ２３において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
  22. 前記化合物は、下記化学式Ｓ２３のうち少なくとも一種である請求項２１に記載の化合物。
  23. 下記化学式Ａ２４乃至Ｊ２４で構成されるグループから選択される少なくとも一種の化合物。
    （前記化学式Ａ２４乃至Ｊ２４において、多数のＬ’のうち少なくとも２つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
    前記化学式Ｄ２４において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
  24. 前記化合物は、下記化学式Ｓ２４のうち少なくとも一種である請求項２３に記載の化合物。
  25. 下記化学式Ａ２５乃至Ｊ２５で構成されるグループから選択される少なくとも一種の化合物。
    （前記化学式Ａ２５乃至Ｊ２５において、多数のＭ’のうち少なくとも２つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（但し、式中Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
    前記化学式Ｄ２５において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
  26. 前記化合物は、下記化学式Ｓ２５のうち少なくとも一種である請求項２５に記載の化合
    物。
  27. 下記化学式Ａ２５’乃至Ｊ２５’で構成されるグループから選択される少なくとも一種の化合物。
    （前記化学式Ａ２５’乃至Ｊ２５’において、多数のＮ’のうち１つ乃至３つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、
    １つ乃至３つは下記化学式Ｓ３であり、残りは水素であり、
    前記化学式Ｄ２５’において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （式Ｓ３において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
  28. 下記化学式ＡＰ乃至ＫＰで構成されるグループから選択される少なくとも一種のアルコキシシリル基を有するエポキシポリマー。
    （前記化学式ＡＰ乃至ＫＰにおいて、多数のＱのうち少なくとも一つは下記化学式Ｓ１であり、残りは下記化学式Ｓ３、水素及び−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）で構成されるグループからそれぞれ独立して選択され、
    ｍは１乃至１００の整数であり、
    前記化学式ＤＰにおいて、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （式Ｓ１のうちＲa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
    （化学式Ｓ３において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
  29. 前記Ｒ1乃至Ｒ3はエトキシ基 である請求項２８に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシポリマー。
  30. 下記化学式ＡＳ乃至ＫＳのうちいずれか一つの出発物質と下記化学式Ｂ１のアリル化合物を塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させて下記化学式Ａ１１乃至Ｋ１１のうちいずれか一つの中間生成物１１を形成する第１ステップと、
    前記中間生成物１１のうちいずれか一つを任意の溶媒の存在下で加熱して下記化学式Ａ１２乃至Ｍ１２のうちいずれか一つの中間生成物１２を形成する第２ステップと、
    前記中間生成物１２のうちいずれか一つとエピクロロヒドリンを塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させて下記化学式Ａ１３乃至Ｋ１３のうちいずれか一つの中間生成物１３を形成する第３ステップと、
    任意に前記中間生成物１３のうちいずれか一つと過酸化物を任意の塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させて下記化学式Ａ１３’乃至化学式Ｋ１３’のうちいずれか一つの中間生成物１３’を形成する第３−１ステップと、
    前記中間生成物１３のうちいずれか一つ又は前記中間生成物１３’のうちいずれか一つと下記化学式Ｂ２のアルコキシシランを金属触媒及び任意の溶媒の存在下で反応させる第４ステップと、を含む化学式Ａ１４乃至Ｋ１４のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
    （前記化学式ＤＳにおいて、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （前記化学式Ａ１１乃至Ｋ１１において、Ｋのうち少なくとも一つは−Ｏ−ＣＨ2−ＣＲa＝ＣＲbＲc（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りはヒドロキシ基であり、
    前記化学式Ｄ１１において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （前記化学式Ａ１２乃至Ｋ１２において、Ｌのうち少なくとも一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
    前記化学式Ｄ１２において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （前記化学式Ａ１３乃至Ｋ１３において、Ｍのうち少なくとも一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（式中、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
    前記化学式Ｄ１３において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、
    −Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （前記化学式Ａ１３’乃至Ｋ１３’において、Ｎのうち一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残り一つは下記化学式Ｓ３であり、
    前記化学式Ｄ１３’において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （式Ｓ３のうち、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
    （前記化学式Ａ１４乃至Ｋ１４において、Ｐのうち少なくとも一つは下記化学式Ｓ１であり、残りは下記化学式Ｓ３、水素及び−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）で構成されるグループからそれぞれ独立して選択され、
    前記化学式Ｄ１４において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−
    Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （式Ｓ１のうちＲa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。但し、化学式Ｆ１４でＳ１が一つである場合、前記化学式Ｓ１のうちＲa、Ｒb及びＲcが全て水素であり、Ｒ1乃至Ｒ3が全て炭素数１乃至６のアルコキシ基である場合は除外される。）
    （式Ｓ３のうち、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
    （前記化学式Ｂ１において、ＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、−Ｏ−ＳＯ2−ＣＨ3、−０−ＳＯ2−ＣＦ3又は−Ｏ−ＳＯ2−Ｃ6Ｈ4−ＣＨ3であり、前記Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
    （前記化学式Ｂ２において、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
  31. 前記化学式ＡＳ乃至ＪＳのうちいずれか一つの出発物質と下記化学式Ｂ１のアリル化合物を塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させて下記化学式Ａ１乃至Ｊ１のうちいずれか一つの中間生成物１１を形成する第１ステップと、
    前記中間生成物１１のうちいずれか一つを任意の溶媒の存在下で加熱して下記化学式Ａ１２乃至Ｊ１２のうちいずれか一つの中間生成物１２を形成する第２ステップと、
    前記中間生成物１２のうちいずれか一つと下記化学式Ｂ１のアリル化合物を塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させて下記化学式Ａ２３乃至Ｊ２３のうちいずれか一つの中間生成物２３を形成する第２−１ステップと、
    前記中間生成物２３を任意の溶媒の存在下で加熱して下記化学式Ａ２４乃至Ｊ２４のうちいずれか一つの中間生成物２４を形成する第２−２ステップと、
    前記中間生成物２４のうちいずれか一つとエピクロロヒドリンを塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させて下記化学式Ａ２５乃至Ｊ２５のうちいずれか一つの中間生成物２５を形成する第３ステップと、
    任意に前記中間生成物２５のうちいずれか一つと過酸化物を任意の塩基及び任意の溶媒の存在下で反応させて下記化学式Ａ２５’乃至化学式Ｊ２５’のうちいずれか一つの中間生成物２５’を形成する第３−１ステップと、
    前記中間生成物２５のうちいずれか一つ又は前記中間生成物２５’のうちいずれか一つと下記化学式Ｂ２のアルコキシシランを金属触媒及び任意の溶媒の存在下で反応させる第４ステップと、を含む下記化学式Ａ２６乃至Ｊ２６のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
    （前記化学式ＤＳにおいて、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （前記化学式Ａ１１乃至Ｊ１１において、Ｋのうち少なくとも一つは−Ｏ−ＣＨ2−ＣＲa＝ＣＲbＲc（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りはヒドロキシ基であり、
    前記化学式Ｄ１１において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （前記化学式Ａ１２乃至Ｊ１２において、Ｌのうち少なくとも一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
    前記化学式Ｄ１２において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （前記化学式Ａ２３乃至Ｊ２３において、Ｋ’のうち少なくとも一つは−Ｏ−ＣＨ2−ＣＲa＝ＣＲbＲc（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りはヒドロキシ基であり、Ｌのうち少なくとも一つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
    前記化学式Ｄ２３において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （前記化学式Ａ２４乃至Ｊ２４において、多数のＬ’のうち少なくとも２つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
    前記化学式Ｄ２４において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （前記化学式Ａ２５乃至Ｊ２５において、多数のＭ’のうち少なくとも２つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（但し、式中Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、残りは水素であり、
    前記化学式Ｄ２５において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （前記化学式Ａ２５’乃至Ｊ２５’において、多数のＮ’のうち１つ乃至３つは−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）であり、１つ乃至３つは下記化学式Ｓ３であり、残りは水素であり、
    前記化学式Ｄ２５’において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （前記化学式Ａ２６乃至Ｊ２６において、Ｐ’のうち少なくとも一つは下記化学式Ｓ１であり、残りは下記化学式Ｓ３、水素及び−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）で構成されるグループからそれぞれ独立して選択され、
    前記化学式Ｄ２６において、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−
    Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （化学式Ｓ１において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。但し、化学式Ｆ２６でＳ１が一つである場合、前記化学式Ｓ１のうちＲa、Ｒb及びＲcが全て水素であり、Ｒ1乃至Ｒ3が全て炭素数１乃至６のアルコキシ基である場合は除外される。）
    （化学式Ｓ３において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
    （前記化学式Ｂ１において、ＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、−Ｏ−ＳＯ2−ＣＨ3、−０−ＳＯ2−ＣＦ3又は−Ｏ−ＳＯ2−Ｃ6Ｈ4−ＣＨ3であり、前記Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
    （化学式Ｂ２において、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
  32. 前記第１ステップは前記出発物質のヒドロキシ１当量に対して前記化学式Ｂ１のアリル化合物のアリル基が０．５乃至１０当量になるように反応する請求項３０又は請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  33. 前記第１ステップは常温乃至１００℃で１時間乃至１２０時間行われる請求項３０又は請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  34. 前記第１ステップで前記塩基はＫＯＨ、ＮａＯＨ、Ｋ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、ＫＨＣＯ3、ＮａＨＣＯ3、ＮａＨ、トリエチルアミン及びジイソプロピルエチルアミンで構成されるグループから選択される少なくとも一種である請求項３０又は請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  35. 前記第１ステップで前記溶媒はアセトニトリル、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド及びメチレンクロライドで構成されるグループから選択される少なくとも一種である請求項３０又は請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  36. 前記第２ステップで前記中間生成物１１は１４０℃乃至２５０℃の温度で１時間乃至２００時間加熱される請求項３０又は請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  37. 前記第２ステップで前記溶媒はキシレン、１，２−ジクロロベンゼン及びＮ，Ｎ−ジエチルアニリンで構成されるグループから選択される少なくとも一種である請求項３０又は請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  38. 前記第２−１ステップは前記中間生成物１２のヒドロキシ基１当量に対して前記化学式Ｂ１のアリル化合物のアリル基が０．５乃至１０当量になるように反応する請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  39. 前記第２−１ステップは常温乃至１００℃で１時間乃至１２０時間行われる請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  40. 前記第２−１ステップで前記塩基はＫＯＨ、ＮａＯＨ、Ｋ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、ＫＨＣＯ3、ＮａＨＣＯ3、ＮａＨ、トリエチルアミン及びジイソプロピルエチルアミンで構成されるグループから選択される少なくとも一種である請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  41. 前記第２−１ステップで前記溶媒はアセトニトリル、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド及びメチレンクロライドで構成されるグループから選択される少なくとも一種である請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  42. 前記第２−２ステップは１４０℃乃至２５０℃で１時間乃至２００時間行われる請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  43. 前記第２−２ステップで前記溶媒はキシレン、１，２−ジクロロベンゼン及びＮ，Ｎ−ジエチルアニリンで構成されるグループから選択される少なくとも一種である請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  44. 前記第３ステップは前記中間生成物１２又は中間生成物２４のヒドロキシ１当量に対してエピクロロヒドリンのグリシジル基が１乃至１０当量になるように反応する請求項３０又は求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  45. 前記第３ステップは常温乃至１００℃で１時間乃至１２０時間行われる請求項３０又は請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  46. 前記第３ステップで前記塩基はＫＯＨ、ＮａＯＨ、Ｋ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、ＫＨＣＯ3、ＮａＨＣＯ3、ＮａＨ、トリエチルアミン及びジイソプロピルエチルアミンで構成されるグループから選択される少なくとも一種である請求項３０又は請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  47. 前記第３ステップで前記溶媒はアセトニトリル、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド及びメチレンクロライドで構成されるグループから選択される少なくとも一種である請求項３０又は請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  48. 前記第３−１ステップは前記中間生成物１３又は中間生成物２５のアリル基１当量に対して前記過酸化物のパーオキシドグループが１乃至１０当量になるように反応させる請求項３０又は求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  49. 前記第３−１ステップで過酸化物はｍ−ＣＰＢＡ（ｍｅｔａ−ｃｈｌｏｒｏｐｅｒｏｘｙｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ）、Ｈ2Ｏ2及びＤＭＤＯ（ｄｉｍｅｔｈｙｌｄｉｏｘｉｒａｎｅ）で構成されるグループから選択される少なくとも一種である請求項３０又は求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  50. 前記第３−１ステップは常温乃至１００℃で１時間乃至１２０時間行われる請求項３０又は請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  51. 前記第３−１ステップで前記溶媒はアセトニトリル、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド及びメチレンクロライドで構成されるグループから選択される少なくとも一種である請求項３０又は請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  52. 前記第３−１ステップで塩基はＫＯＨ、ＮａＯＨ、Ｋ2ＣＯ3、ＫＨＣＯ3、ＮａＨ、トリエチルアミン及びジイソプロピルエチルアミンで構成されるグループから選択される請求項３０又は請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  53. 前記第４ステップは前記中間生成物１５、中間生成物１５’、中間生成物２５又は中間生成物２５’のアリル基１当量に対して前記化学式Ｂ２のアルコキシシランが１当量乃至５当量になるように反応させる請求項３０又は請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  54. 前記第４ステップは常温乃至１２０℃で１時間乃至７２時間行われる請求項３０又は請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  55. 前記第４ステップで金属触媒はＰｔＯ2又はＨ2ＰｔＣｌ6である請求項３０又は請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  56. 前記第４ステップで前記溶媒はトルエン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド及びメチレンクロライドで構成されるグループから選択される少なくとも一種である請求項３０又は請求項３１に記載のアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物の製造方法。
  57. 下記化学式ＡＩ乃至ＫＩで構成されるグループから選択される少なくとも一つのアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物を含むエポキシ組成物。
    （前記化学式ＡＩ乃至ＫＩにおいて、多数のＱのうち少なくとも一つは下記化学式Ｓ１であり、残りは下記化学式Ｓ３、水素及び−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcは
    それぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）で構成されるグループからそれぞれ独立して選択され、
    前記化学式ＤＩにおいて、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （化学式Ｓ１において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。但し、化学式ＦＩで化学式Ｓ１が一つである場合、前記化学式Ｓ１のうちＲa、Ｒb及びＲcが全て水素であり、Ｒ1乃至Ｒ3が全て炭素数１乃至６のアルコキシ基である場合は除外される。）
    （化学式Ｓ３において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
  58. グリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ゴム改質されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物で構成されるグループから選択される少なくとも一種であるエポキシ化合物をさらに含む請求項５７に記載のエポキシ組成物。
  59. 前記エポキシ化合物はコア構造でビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノール、ビフェニル、ナフタレン、ベンゼン、チオジフェノール、フルオレン（ｆｌｕｏｒｅｎｅ）、アントラセン、イソシアヌレート、トリフェニルメタン、１，１，２，２−テトラフェニルエタン、テトラフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、アミノフェノールシクロ脂肪族又はノボラックユニットを有する請求項５８に記載のエポキシ組成物。
  60. 前記エポキシ化合物はコア構造でビスフェノールＡ、ビフェニル、ナフタレン又はフルオレンを有する請求項５９に記載のエポキシ組成物。
  61. エポキシ化合物の総重量を基準に前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物１０乃至１００ｗｔ％未満及びグリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ゴ
    ム改質されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物で構成されるグループから選択される少なくとも一種のエポキシ化合物０ｗｔ％超過乃至９０ｗｔ％を含む請求項５７乃至請求項６０のうちいずれか一項に記載のエポキシ組成物。
  62. エポキシ化合物の総重量を基準に前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物３０乃至１００ｗｔ％未満及びグリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ゴム改質されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物で構成されるグループから選択される少なくとも一種のエポキシ化合物０ｗｔ％超過乃至７０ｗｔ％を含む請求項５７乃至請求項６０のうちいずれか一項に記載のエポキシ組成物。
  63. 下記化学式ＡＩ乃至ＫＩで構成されるグループから選択される少なくとも一つのアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物及び硬化剤を含むエポキシ組成物。
    （前記化学式ＡＩ乃至ＫＩにおいて、多数のＱのうち少なくとも一つは下記化学式Ｓ１であり、残りは下記化学式Ｓ３、水素及び−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2（Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）で構成されるグループからそれぞれ独立して選択され、
    前記化学式ＤＩにおいて、Ｙは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−又は−ＳＯ2−である。）
    （化学式Ｓ１において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、Ｒ1乃至Ｒ3のうち少なくとも一つは炭素数１乃至６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１乃至１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。但し、化学式ＦＩでＳ１が一つである場合、前記化学式Ｓ１のうちＲa、Ｒb及びＲcが全て水素であり、Ｒ1乃至Ｒ3が全て炭素数１乃至６のアルコキシ基である場合は除外される。）
    （化学式Ｓ３において、Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ独立してＨ又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、前記アルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよく、環状又は非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ又はＰのヘテロ原子を有しても有さなくてもよい。）
  64. グリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ゴム改質されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物で構成されるグループから選択される少なくとも一種のエポキシ化合物をさらに含む請求項６３に記載のエポキシ組成物。
  65. 前記エポキシ化合物はコア構造でビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノール、ビフェニル、ナフタレン、ベンゼン、チオジフェノール、フルオレン（ｆｌｕｏｒｅｎｅ）、アントラセン、イソシアヌレート、トリフェニルメタン、１，１，２，２−テトラフェニルエタン、テトラフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、アミノフェノールシクロ脂肪族又はノボラックユニットを有する請求項６４に記載のエポキシ組成物。
  66. 前記エポキシ化合物はコア構造でビスフェノールＡ、ビフェニル、ナフタレン又はフルオレンを有する請求項６５に記載のエポキシ組成物。
  67. エポキシ化合物の総重量を基準に前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物１０乃至１００ｗｔ％未満及びグリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ゴム改質されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物で構成されるグループから選択される少なくとも一種のエポキシ化合物０ｗｔ％超過乃至９０ｗｔ％を含む請求項６３乃至請求項６６のうちいずれか一項に記載のエポキシ組成物。
  68. エポキシ化合物の総重量を基準に前記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物３０
    乃至１００ｗｔ％未満及びグリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ゴム改質されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物で構成されるグループから選択される少なくとも一種のエポキシ化合物０ｗｔ％超過乃至７０ｗｔ％を含む請求項６３乃至請求項６７のうちいずれか一項に記載のエポキシ組成物。
  69. 硬化促進剤をさらに含む請求項５７乃至請求項６８のうちいずれか一項に記載のエポキシ組成物。
  70. 無機粒子及び繊維で構成されるグループから選択される少なくとも一種の充填剤をさらに含む請求項５７乃至請求項６９のうちいずれか一項に記載のエポキシ組成物。
  71. 前記無機粒子はＳｉＯ2、ＺｒＯ2及びＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3で構成されるグループから選択される少なくとも一種の金属酸化物及びＴ−１０型シルセスキオキサン、ラダー（ｌａｄｄｅｒ）型シルセスキオキサン及び籠型シルセスキオキサンで構成されるグループから選択される少なくとも一種である請求項７０に記載のエポキシ組成物。
  72. 前記エポキシ組成物において、前記無機粒子はエポキシ化合物に対して５〜１０００ｐｈｒの量で使用される請求項７０又は請求項７１に記載のエポキシ組成物。
  73. 前記エポキシ組成物において、前記無機粒子はエポキシ化合物に対して１００ｐｈｒ乃至９００ｐｈｒの量で使用される請求項７０又は請求項７２に記載のエポキシ組成物。
  74. 前記エポキシ組成物において、前記無機粒子はエポキシ化合物に対して５０ｐｈｒ乃至２００ｐｈｒの量で使用される請求項７０又は請求項７３に記載のエポキシ組成物。
  75. 前記繊維はＥ、Ｔ（Ｓ）、ＮＥ、Ｅ、Ｄ及び石英で構成されるグループから選択されるガラス繊維及び液晶ポリエステル繊維、ポリエチレンテレフタレート繊維、全芳香族繊維、ポリベンゾオキサゾール繊維、ナイロン繊維、ポリエチレンナフタレート繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエーテルスルホン繊維、ポリビニリデンフロライド繊維、ポリエチレンスルフィド繊維及びポリエーテルエーテルケトン繊維で構成されるグループから選択される有機繊維で構成されるグループから選択される少なくとも一種である請求項７０に記載のエポキシ組成物。
  76. 前記繊維はＥガラス繊維である請求項７５に記載のエポキシ組成物。
  77. 前記繊維はＴガラス繊維である請求項７５に記載のエポキシ組成物。
  78. 前記エポキシ組成物の総重量に対して前記繊維は１０ｗｔ％乃至９０ｗｔ％含まれる請求項７０及び請求項７６乃至請求項７７のうちいずれか一項に記載のエポキシ組成物。
  79. 請求項５７乃至請求項７８のうちいずれか一項に記載のエポキシ組成物を含む電気材料。
  80. 請求項５７乃至請求項７８のうちいずれか一項に記載のエポキシ組成物を含むプリプレグ。
  81. 請求項８０に記載のプリプレグに金属層が配置された積層板。
  82. 請求項５７乃至請求項７８のうちいずれか一項に記載のエポキシ組成物を含む基板。
  83. 請求項５７乃至請求項７８のうちいずれか一項に記載のエポキシ組成物を含むフィルム。
  84. 請求項８０に記載のプリプレグを含むプリント配線板。
  85. 請求項８４に記載のプリント配線板に端導体素子が搭載された半導体装置。
  86. 請求項５７乃至請求項７８のうちいずれか一項に記載のエポキシ組成物を含む半導体パッケージング材料。
  87. 請求項８６に記載の半導体パッケージング材料を含む半導体装置。
  88. 請求項５７乃至請求項７８のうちいずれか一項に記載のエポキシ組成物の硬化物。
  89. 熱膨張係数が５０ｐｐｍ／℃乃至１５０ｐｐｍ／℃である請求項５７乃至請求項６９のうちいずれか一項に記載のエポキシ組成物の硬化物。
  90. 熱膨張係数が１５ｐｐｍ／℃以下である請求項７０乃至請求項７８のうちいずれか一項に記載のエポキシ組成物の硬化物。
  91. ガラス転移温度が１００℃より高いかガラス転移温度を示さない請求項７０乃至請求項７８のうちいずれか一項に記載のエポキシ組成物の硬化物。
JP2014527085A 2011-08-25 2012-08-27 アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物、その製造方法、それを含む組成物と硬化物及びその用途 Active JP5852243B2 (ja)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20110085340 2011-08-25
KR10-2011-0085340 2011-08-25
KR10-2012-0059437 2012-06-01
KR20120059437 2012-06-01
KR10-2012-0074197 2012-07-06
KR20120074197 2012-07-06
KR1020120093320A KR101252063B1 (ko) 2011-08-25 2012-08-24 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도
KR10-2012-0093320 2012-08-24
PCT/KR2012/006832 WO2013028045A2 (ko) 2011-08-25 2012-08-27 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014531473A true JP2014531473A (ja) 2014-11-27
JP5852243B2 JP5852243B2 (ja) 2016-02-03

Family

ID=48175592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014527085A Active JP5852243B2 (ja) 2011-08-25 2012-08-27 アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物、その製造方法、それを含む組成物と硬化物及びその用途

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9150686B2 (ja)
EP (1) EP2767535B1 (ja)
JP (1) JP5852243B2 (ja)
KR (1) KR101252063B1 (ja)
CN (1) CN103889977B (ja)
WO (1) WO2013028045A2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017066360A (ja) * 2015-10-01 2017-04-06 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 低誘電損失の絶縁樹脂組成物、その組成物で製造された絶縁フィルム及びその絶縁フィルムを備えたプリント回路基板
JP2018028044A (ja) * 2016-08-19 2018-02-22 味の素株式会社 樹脂組成物
JP2018100236A (ja) * 2016-12-20 2018-06-28 Dic株式会社 ナフタレン型エポキシ化合物の製造方法及びナフタレン型エポキシ化合物
JP6350776B1 (ja) * 2016-12-20 2018-07-04 Dic株式会社 エポキシ樹脂組成物
WO2018135047A1 (ja) * 2017-01-19 2018-07-26 Ｊｆｅケミカル株式会社 フルオレニリデンジアリルフェノール類の製造方法およびフルオレニリデンジアリルフェノール類

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101252063B1 (ko) 2011-08-25 2013-04-12 한국생산기술연구원 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도
KR101456025B1 (ko) 2011-11-01 2014-11-03 한국생산기술연구원 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도
WO2013137663A1 (ko) 2012-03-14 2013-09-19 한국생산기술연구원 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 이를 포함하는 조성물, 경화물, 이의 용도 및 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
EP2835373B1 (en) 2012-04-02 2019-09-11 Korea Institute of Industrial Technology Epoxy compound having alkoxysilyl group, composition and hardened material comprising same, use for same, and production method for epoxy compound having alkoxysilyl group
KR101520764B1 (ko) * 2012-06-01 2015-05-15 한국생산기술연구원 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 무기입자를 포함하는 조성물, 경화물, 이의 용도 및 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
KR101863111B1 (ko) * 2012-07-06 2018-06-01 한국생산기술연구원 노볼락계 에폭시 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 조성물, 경화물 및 이의 용도
EP2933257B1 (en) 2012-09-17 2017-07-26 Korea Institute Of Industrial Technology Epoxy compound having alkoxysilyl group, method for preparing same, composition comprising same, cured product made therefrom, and use thereof
JP6238701B2 (ja) * 2013-05-13 2017-11-29 昭和電工株式会社 多価グリシジル化合物の製造方法
TWI641596B (zh) * 2013-05-15 2018-11-21 Ｄｉｃ股份有限公司 含有聯苯基骨架的環氧樹脂的製造方法
JP6529245B2 (ja) * 2013-11-27 2019-06-12 昭和電工株式会社 硬化性樹脂組成物
KR101755323B1 (ko) * 2014-02-19 2017-07-20 한국생산기술연구원 신규한 에폭시 화합물, 이를 포함하는 혼합물, 조성물, 경화물, 이의 제조 방법, 및 이의 용도
JP5895958B2 (ja) * 2014-02-20 2016-03-30 横浜ゴム株式会社 偏波保持光ファイバー用接着剤組成物
KR101912672B1 (ko) * 2014-11-12 2018-10-29 쇼와 덴코 가부시키가이샤 다가 글리시딜 화합물의 제조 방법
KR101736084B1 (ko) 2015-05-14 2017-05-17 주식회사 삼양사 알콕시실릴기를 갖는 트리페닐계 에폭시 화합물 및 그 제조방법, 및 그 경화 생성물을 포함하는 유기-무기재료 복합체 및 그 복합체 제조방법
KR101736086B1 (ko) 2015-06-05 2017-05-17 주식회사 삼양사 알콕시실릴기를 갖는 비스페놀계 에폭시 화합물 및 그 제조방법, 및 그 경화 생성물을 포함하는 유기-무기재료 복합체 및 그 복합체 제조방법
US20170287838A1 (en) * 2016-04-02 2017-10-05 Intel Corporation Electrical interconnect bridge
CN105968070B (zh) * 2016-05-19 2018-02-16 莱州市莱玉化工有限公司 邻二烯丙基双酚a二缩水甘油醚及其制备工艺和应用
EP3348560A1 (en) * 2017-01-16 2018-07-18 Spago Nanomedical AB Chemical compounds for coating of nanostructures
JP6918987B2 (ja) 2017-06-05 2021-08-11 コリア インスティチュート オブ インダストリアル テクノロジー アルコキシシリル基及び活性エステル基を有する化合物、その製造方法、それを含む組成物及び用途
CN109306039A (zh) * 2017-07-26 2019-02-05 广东生益科技股份有限公司 一种热固性树脂组合物、由其制作的半固化片、覆金属箔层压板及高频电路板
CN109306040A (zh) * 2017-07-26 2019-02-05 广东生益科技股份有限公司 一种热固性树脂组合物、由其制作的半固化片、覆金属箔层压板及高频电路板
CN109306044A (zh) * 2017-07-26 2019-02-05 郑州大学 一种低极性本征阻燃树脂及其制备方法和应用
KR101967155B1 (ko) 2017-11-07 2019-04-09 한국생산기술연구원 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지의 제조방법, 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지, 이를 포함하는 조성물 및 이의 용도
KR102064379B1 (ko) 2018-05-08 2020-01-10 한국생산기술연구원 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
CN109293480B (zh) * 2018-10-31 2020-10-09 陕西硕博电子材料有限公司 二烯丙基双酚a、制备方法及双马来酰亚胺树脂预聚物
KR102232340B1 (ko) 2019-11-15 2021-03-26 한국생산기술연구원 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지의 조성물 및 이의 복합체
US11466038B2 (en) * 2020-06-11 2022-10-11 Entegris, Inc. Vapor deposition precursor compounds and process of use
CN113480566A (zh) * 2021-07-22 2021-10-08 广州星光有机硅科技有限公司 一种含二苯基甲烷的有机硅单体及其制备的超高折射率半导体led封装材料
CN115677980A (zh) * 2021-07-28 2023-02-03 华为技术有限公司 一种环氧树脂及其制备方法、树脂组合物
CN113896694B (zh) * 2021-11-16 2022-12-06 韦尔通(厦门)科技股份有限公司 一种多官能团杂化环氧化合物和光热双固化树脂组合物及其制备方法和应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08193091A (ja) * 1995-01-13 1996-07-30 Nippon Kayaku Co Ltd ホスファゼン誘導体、樹脂組成物及びその硬化物
CN101701058A (zh) * 2009-11-19 2010-05-05 中国科学院广州化学研究所 一种含三聚氰胺有机硅杂化结构的环氧树脂及其制备方法和应用
JP2010520952A (ja) * 2007-03-09 2010-06-17 モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド エポキシシラン、その製造プロセス、およびそれを含有する硬化性組成物

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3935346A (en) 1973-03-12 1976-01-27 Owens-Illinois, Inc. Coated plastic substrates for coating compositions
DE2901685A1 (de) * 1978-01-20 1979-07-26 Ciba Geigy Ag Epoxidhaltige massen und deren polymerisation
US4292151A (en) * 1978-03-01 1981-09-29 Teijin Limited Process for preparing a cured copolyetherester elastomeric composition
JPS61272244A (ja) 1985-05-28 1986-12-02 Hitachi Chem Co Ltd 印刷配線板用プリプレグの製造方法
JPS6250312A (ja) * 1985-08-30 1987-03-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 耐熱性熱硬化性樹脂組成物
JPS62141831A (ja) * 1985-12-17 1987-06-25 Nec Corp デ−タの誤り訂正方式
JPS62292828A (ja) 1986-06-12 1987-12-19 Fujitsu Ltd 半導体装置用封止組成物
US4789711A (en) * 1986-12-02 1988-12-06 Ciba-Geigy Corporation Multifunctional epoxide resins
JPS63280720A (ja) 1987-05-13 1988-11-17 Toshiba Chem Corp 封止用樹脂組成物
US5019607A (en) 1989-11-01 1991-05-28 Eastman Kodak Company Modified epoxy resins and composites
US5300588A (en) 1991-04-04 1994-04-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Thermosetting resin compositions
JP2570002B2 (ja) 1991-05-29 1997-01-08 信越化学工業株式会社 フリップチップ用封止材及び半導体装置
JP2546116B2 (ja) * 1992-12-07 1996-10-23 信越化学工業株式会社 有機珪素化合物及び無機質充填剤
JP3419069B2 (ja) 1993-03-29 2003-06-23 シーケイ・ウイトコ・コーポレーシヨン シリル化エポキシ樹脂の水分散液
JP2701695B2 (ja) * 1993-06-07 1998-01-21 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH07258240A (ja) * 1994-03-24 1995-10-09 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd グリシジルエーテル化合物及びエポキシ樹脂組成物
ES2270490T3 (es) 1997-12-15 2007-04-01 General Electric Company Sellantes de latex que contienen epoxisilanos.
WO1999062894A2 (en) 1998-05-29 1999-12-09 The Dow Chemical Company Process for epoxidation of aryl allyl ethers
KR100429363B1 (ko) 1998-12-08 2004-10-14 제일모직주식회사 반도체소자밀봉용에폭시수지조성물
CN1155641C (zh) 1999-01-29 2004-06-30 荒川化学工业株式会社 环氧树脂的固化剂,环氧树脂组合物和制备硅烷-改性酚树脂的方法
US6087513A (en) * 1999-05-21 2000-07-11 The Dow Chemical Company Epoxidation process for aryl allyl ethers
CN1125841C (zh) * 1999-06-17 2003-10-29 荒川化学工业株式会社 环氧树脂组合物和制备硅烷改性环氧树脂的方法
JP3077695B1 (ja) * 1999-06-17 2000-08-14 荒川化学工業株式会社 アルコキシ基含有シラン変性エポキシ樹脂の製造方法
JP2001261776A (ja) 2000-03-24 2001-09-26 Matsushita Electric Works Ltd プリント配線板用絶縁材料
JP3654351B2 (ja) 2001-07-27 2005-06-02 荒川化学工業株式会社 シラン変性エポキシ樹脂、その製造方法、樹脂組成物、半硬化物及び硬化物
JP3726963B2 (ja) * 2001-08-16 2005-12-14 荒川化学工業株式会社 電気絶縁用樹脂組成物、電子材料用絶縁材料およびその製造方法
JP2003055435A (ja) 2001-08-16 2003-02-26 Arakawa Chem Ind Co Ltd 電気絶縁用樹脂組成物、電子材料用絶縁材料およびその製造方法
JP4150877B2 (ja) * 2001-09-06 2008-09-17 信越化学工業株式会社 導電性樹脂組成物及びこれを用いた電子部品
KR100425376B1 (ko) 2001-10-29 2004-03-30 국도화학 주식회사 인 및 실리콘 변성 난연성 에폭시수지
CN1309786C (zh) 2002-03-08 2007-04-11 钟渊化学工业株式会社 热固性树脂组合物,用该组合物构成的叠层制品及电路基板
US7034089B2 (en) 2002-12-20 2006-04-25 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Epoxy-functional hybrid copolymers
KR100529258B1 (ko) 2002-12-31 2005-11-17 제일모직주식회사 반도체 봉지재용 에폭시 수지 조성물
US6875807B2 (en) 2003-05-28 2005-04-05 Indspec Chemical Corporation Silane-modified phenolic resins and applications thereof
JP2006012784A (ja) 2004-05-26 2006-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 固体高分子型燃料電池用付加反応硬化型シリコーンゴム接着剤組成物およびそれを使用する固体高分子型燃料電池
JP2006137800A (ja) 2004-11-10 2006-06-01 Shin Etsu Chem Co Ltd 固体高分子型燃料電池用付加反応硬化型シリコーンゴム接着剤組成物およびそれを使用する固体高分子型燃料電池
JP2006169368A (ja) 2004-12-15 2006-06-29 Arakawa Chem Ind Co Ltd 樹脂組成物、硬化物、およびその製造方法
JP2007126496A (ja) 2005-11-01 2007-05-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 接着剤組成物
KR101016067B1 (ko) * 2006-03-31 2011-02-17 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 반도체 봉지용 수지 조성물 및 반도체 장치
JP2007321130A (ja) 2006-06-05 2007-12-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 接着剤組成物及び接着フィルム
JP5170414B2 (ja) 2008-05-16 2013-03-27 信越化学工業株式会社 多官能エポキシ基含有有機ケイ素化合物、その製造方法、コーティング剤組成物、並びに該組成物が被覆処理されてなる物品
JP2010003897A (ja) 2008-06-20 2010-01-07 Idemitsu Kosan Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂シート部材及びその製造方法
JP5179302B2 (ja) 2008-09-11 2013-04-10 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 自己接着性ポリオルガノシロキサン組成物
WO2010047169A1 (ja) 2008-10-22 2010-04-29 Dic株式会社 硬化性樹脂組成物、その硬化物、プリント配線基板、エポキシ樹脂、及びその製造方法
US8912295B2 (en) 2009-02-10 2014-12-16 Nissan Chemical Industries, Ltd. Long chain alkylene group-containing epoxy compound
KR101189185B1 (ko) * 2009-04-24 2012-10-10 한국생산기술연구원 나프탈렌계 에폭시 수지 및 이를 포함하는 에폭시 수지 조성물
JP2012524828A (ja) * 2009-04-24 2012-10-18 コリア インスティチュート オブ インダストリアル テクノロジー 新しいエポキシ樹脂及びこれを含むエポキシ樹脂組成物
KR100929380B1 (ko) * 2009-06-18 2009-12-02 주식회사 신아티앤씨 난연성 폴리에폭시 화합물의 제조방법
JP5233858B2 (ja) 2009-06-19 2013-07-10 Ｄｉｃ株式会社 エポキシ樹脂組成物、その硬化物、及び半導体装置
JP2011057755A (ja) 2009-09-07 2011-03-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd シリコーン組成物及びその硬化物
JP5375502B2 (ja) * 2009-10-06 2013-12-25 信越化学工業株式会社 アルコール性水酸基含有化合物及びその製造方法
JP5459196B2 (ja) * 2009-12-15 2014-04-02 信越化学工業株式会社 光硬化性ドライフィルム、その製造方法、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜
CN102725691B (zh) 2010-01-26 2014-06-11 日产化学工业株式会社 正型抗蚀剂组合物及图案形成方法、固体摄像元件
EP2530098A4 (en) 2010-01-26 2015-09-09 Nissan Chemical Ind Ltd HARDENABLE EPOXY RESIN COMPOSITION WITH LOW-CHAIN ALKYLENE
WO2011102470A1 (ja) 2010-02-19 2011-08-25 日産化学工業株式会社 窒素含有環を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
JP5587148B2 (ja) 2010-03-09 2014-09-10 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 自己接着性ポリオルガノシロキサン組成物
KR101202028B1 (ko) 2010-03-17 2012-11-16 한국생산기술연구원 새로운 에폭시 수지 및 이를 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 복합체
CN102666556B (zh) 2010-11-25 2015-02-18 日油株式会社 含硫醚的烷氧基硅烷衍生物及其应用
JP2012131902A (ja) 2010-12-21 2012-07-12 Nitto Denko Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる半導体装置
KR101264607B1 (ko) 2011-03-04 2013-05-24 한국생산기술연구원 나프탈렌계 에폭시 다이머 및 이의 제조방법
JP5772231B2 (ja) 2011-05-30 2015-09-02 日油株式会社 硬化性樹脂組成物
JP5790155B2 (ja) 2011-05-30 2015-10-07 日油株式会社 硬化性樹脂組成物
KR101252063B1 (ko) 2011-08-25 2013-04-12 한국생산기술연구원 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도
KR101520764B1 (ko) * 2012-06-01 2015-05-15 한국생산기술연구원 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 무기입자를 포함하는 조성물, 경화물, 이의 용도 및 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08193091A (ja) * 1995-01-13 1996-07-30 Nippon Kayaku Co Ltd ホスファゼン誘導体、樹脂組成物及びその硬化物
JP2010520952A (ja) * 2007-03-09 2010-06-17 モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド エポキシシラン、その製造プロセス、およびそれを含有する硬化性組成物
CN101701058A (zh) * 2009-11-19 2010-05-05 中国科学院广州化学研究所 一种含三聚氰胺有机硅杂化结构的环氧树脂及其制备方法和应用

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6014034993; Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｊｏｕｒｎａｌ ３９（４）, 2007, ｐ．３７９-３８８ *
JPN6014034995; Ｈｕａｘｕｅ　Ｙｕ　Ｎｉａｎｈｅ ２８（６）, 2006, ｐ．３６９-３７１ *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017066360A (ja) * 2015-10-01 2017-04-06 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 低誘電損失の絶縁樹脂組成物、その組成物で製造された絶縁フィルム及びその絶縁フィルムを備えたプリント回路基板
JP2018028044A (ja) * 2016-08-19 2018-02-22 味の素株式会社 樹脂組成物
JP7418941B2 (ja) 2016-08-19 2024-01-22 味の素株式会社 樹脂組成物、シート状積層材料、プリント配線板及び半導体装置
JP2018100236A (ja) * 2016-12-20 2018-06-28 Dic株式会社 ナフタレン型エポキシ化合物の製造方法及びナフタレン型エポキシ化合物
JP6350776B1 (ja) * 2016-12-20 2018-07-04 Dic株式会社 エポキシ樹脂組成物
WO2018135047A1 (ja) * 2017-01-19 2018-07-26 Ｊｆｅケミカル株式会社 フルオレニリデンジアリルフェノール類の製造方法およびフルオレニリデンジアリルフェノール類
US10906855B2 (en) 2017-01-19 2021-02-02 Jfe Chemical Corporation Method for producing fluorenylidene diallylphenols, and fluorenylidene diallylphenols

Also Published As

Publication number Publication date
US20140179836A1 (en) 2014-06-26
WO2013028045A2 (ko) 2013-02-28
WO2013028045A3 (ko) 2013-05-10
US9150686B2 (en) 2015-10-06
EP2767535A4 (en) 2015-02-18
CN103889977A (zh) 2014-06-25
US9896535B2 (en) 2018-02-20
US20160229948A1 (en) 2016-08-11
KR20130023168A (ko) 2013-03-07
EP2767535A2 (en) 2014-08-20
JP5852243B2 (ja) 2016-02-03
CN103889977B (zh) 2016-08-10
KR101252063B1 (ko) 2013-04-12
EP2767535B1 (en) 2016-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5852243B2 (ja) アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物、その製造方法、それを含む組成物と硬化物及びその用途
JP6173464B2 (ja) アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物、その製造方法、それを含む組成物、硬化物及びその用途
KR101520764B1 (ko) 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 무기입자를 포함하는 조성물, 경화물, 이의 용도 및 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
KR101898526B1 (ko) 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 이를 포함하는 조성물, 경화물, 이의 용도 및 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
US9732182B2 (en) Epoxy compound having alkoxysilyl group, method of preparing the same, composition and cured product comprising the same, and use thereof
JP6664398B2 (ja) ２つ以上のアルコキシシリル基を有する熱硬化性アルコキシシリル化合物、それを含む組成物、硬化物、及びその用途、並びにアルコキシシリル化合物の製造方法
US10597412B2 (en) Epoxy compound, mixture, composition, and cured product comprising same, method for preparing same, and use thereof
KR101992845B1 (ko) 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 이를 포함하는 조성물, 경화물, 이의 용도 및 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
KR101863111B1 (ko) 노볼락계 에폭시 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 조성물, 경화물 및 이의 용도
KR101456025B1 (ko) 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도
KR20140105162A (ko) 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물을 포함하는 조성물, 경화물, 및 이의 용도
WO2015126143A1 (ko) 신규한 에폭시 화합물, 이를 포함하는 혼합물, 조성물, 경화물, 이의 제조 방법, 및 이의 용도

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140820

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20141120

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20141128

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141202

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150424

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150715

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151002

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151111

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151203

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5852243

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250