WO2013028045A2 - 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도 - Google Patents

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Definitions

  • Epoxy compound having an alkoxysilyl group preparation method thereof, composition comprising the same and cured product and use thereof
  • the present invention is an epoxy compound having an alkoxysilyl group exhibiting excellent heat resistance in the composite and / or excellent flame retardancy in the cured product (hereinafter referred to as "alkoxysilyl epoxy compound”), a method for preparing the same, a composition and a cured product comprising the same and To its use.
  • the present invention provides excellent heat resistance properties in composites, specifically, low coefficient of thermal expansion (CTE) and high glass transition temperature synergism (which includes Tg leases not exhibiting glass transition temperature) and / Or an alkoxysilyl epoxy compound which exhibits excellent flame retardancy in a cured product and does not require a separate silane coupling agent, a method for preparing the same, a composition comprising the same, a cured product, and a use thereof.
  • CTE coefficient of thermal expansion
  • high glass transition temperature synergism which includes Tg leases not exhibiting glass transition temperature
  • an alkoxysilyl epoxy compound which exhibits excellent flame retardancy in a cured product and does not require a separate silane coupling agent
  • the thermal expansion coefficient of the polymer material specifically, the epoxy compound self-cured product is approximately 50 to 80 ppm / ° C.
  • the thermal expansion coefficient of the ceramic material and the metal material which are inorganic particles eg, the thermal expansion coefficient of silicon is 3 to 5 ppm / t;
  • the coefficient of thermal expansion of copper is 17 ppm / ° C.
  • the coefficient of thermal expansion is very large, several orders of magnitude.
  • the polymer material is used together with the inorganic material or the metal material in the semiconductor and display fields, the physical properties and processability of the polymer material are remarkably due to the different coefficients of thermal expansion of the polymer material and the inorganic material or the metal material. Limited.
  • an inorganic protection film in order to impart or gas barrier properties for a semiconductor package to be used in the silicon wafer and the polymer substrate is close to the case of coating on the polymer film, the process and / or configuration time, the temperature change using Significant differences in coefficient of thermal expansion (CTE-mistnatch) between components cause crack formation of inorganic layer, substrate and warpage Product defects such as peeling off of the coating layer and cracking of the substrate occur.
  • CTE-mistnatch Significant differences in coefficient of thermal expansion
  • the decrease in fluidity due to the large amount of inorganic particles and the formation of voids when striking the narrowing are problematic.
  • the viscosity of the material increases exponentially due to the addition of inorganic particles.
  • the size of the inorganic particles tends to decrease due to the miniaturization of the semiconductor structure, but when the filler of 1 or less is used, the problem of deterioration in fluidity (increase in viscosity) becomes even more serious.
  • inorganic particles with a large average particle diameter In the case of use, the frequency of unfilling at the application site of the composition containing the resin and the inorganic particles increases.
  • the CTE is greatly reduced, but still shows a high CTE * compared to the silicon chips.
  • the production of highly integrated high-performance electronic components such as next-generation semiconductor substrates and PCBs is limited. Accordingly, there is a need for the development of an epoxy composite having improved thermal expansion properties, that is, low CTE and high glass transition temperature characteristics, to improve problems such as high CTE of the conventional thermosetting polymer composite and its heat resistance and lack of workability.
  • an alkoxysilyl epoxy compound which exhibits improved heat resistance in the composite, specifically low CTE and high glass transition temperature properties and / or excellent flame retardancy in the cured product.
  • a method for producing an alkoxysilyl epoxy compound which exhibits improved heat resistance in the composite, specifically low CTE and high glass precursor temperature properties and / or excellent flame resistance in the cured product.
  • an epoxy composition comprising an alkoxysilyl epoxy compound which exhibits improved heat resistance in the composite, specifically low CTE and high glass transition temperature properties and / or excellent flame retardancy in the cured product.
  • the improved heat resistance properties in the composite in particular low CTE and high glass transition temperature properties and / or excellent in hardened products
  • cured material of the epoxy composition by one Embodiment of this invention which shows flame retardance is provided.
  • the use of the epoxy composition according to one embodiment of the present invention is provided.
  • Epoxy compounds having an alkoxysilyl group comprising at least one of the following general formula (S1) substituents and two epoxy groups in the core are provided.
  • R a, 3 ⁇ 4 and 3 ⁇ 4 are each independently H or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, at least one of 3 ⁇ 4 to R 3 is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the remaining ones have 1 to 10 carbon atoms.
  • An alkyl group, the alkyl and alkoxy groups may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms, the core is benzene and S1 is In the case of one, in S1, except that R a , R b and 3 ⁇ 4 are all hydrogen, and 3 ⁇ 4 are all 1 to 6 alkoxy group)
  • R a , R b and 3 ⁇ 4 are all hydrogen, and 3 ⁇ 4 are all 1 to 6 alkoxy group
  • the epoxy group is provided with an epoxy compound having an alkoxysilyl group having the structure of formula (S2).
  • an epoxy compound having an alkoxysilyl group further comprising a substituent of the general formula (S3).
  • R a , R b and 3 ⁇ 4 are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the alkyl group may be linear or branched, cyclic or acyclic, N, May or may not have a 0, S, or P hetero atom) According to the fourth aspect of the present invention,
  • the epoxy compound is provided having an alkoxysilyl group in at least one kind of aromatic core '' selected from the group consisting of the following formulas A 'to K'.
  • the epoxy compound having an alkoxysilyl group is provided as an epoxy compound having at least one kind of alkoxysilyl group selected from the group consisting of the following formulas AI to KI.
  • R a , R b and 3 ⁇ 4 are each independently H or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, at least one of 3 ⁇ 4 is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the remaining ones are 1 to 10 alkyl groups.
  • the alkyl group and the alkoxy group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms, provided that S1 is one in formula FI.
  • R a , 3 ⁇ 4 and Rc are all hydrogen, except that 3 ⁇ 4 to 3 ⁇ 4 are all alkoxy groups having 1 to 6 carbon atoms.
  • R a, 3 ⁇ 4 and c are each independently H or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the alkyl group may be linear or branched, cyclic or acyclic, N, 0, May or may not have S, or P hetero atoms)), according to the sixth aspect of the present invention,
  • At least one of the plurality of Q is provided with an epoxy compound having an alkoxysilyl group of formula (S3).
  • an epoxy compound having an alkoxysilyl group having at least one of the plurality of Q's is represented by Formula S1 and the remainder is Formula S3.
  • an epoxy compound having an alkoxysilyl group, wherein the 3 ⁇ 4 is an hydroxy group is provided.
  • the epoxy compound having an alkoxysilyl group is provided with an epoxy compound having at least one alkoxysilyl group selected from the group consisting of the above formulas AI to DI.
  • the epoxy compound having the alkoxysilyl number is provided with an epoxy compound having the alkoxysilyl group represented by the general formula (DI).
  • an epoxy compound having the alkoxysilyl group represented by the general formula (DI) is provided with an epoxy compound having the alkoxysilyl group represented by the general formula (DI).
  • an epoxy compound having the alkoxy 3 ⁇ 4 chamber is Formula DI
  • Y is - C (CH 3) 2 - is provided with an epoxy compound having an alkoxysilyl group.
  • the epoxy compound having the alkoxysilyl group is provided with an epoxy compound having an alkoxysilyl group which is at least one of the compounds of the formula (M).
  • At least one kind of compound selected from the group consisting of the following formulas (All) to (K11) is provided.
  • R a , 3 ⁇ 4 and 3 ⁇ 4 are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the alkyl group May be linear or branched, may be cyclic or acyclic, may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms), and the remainder is Hydroxy group
  • Y in formula (D11) is -CH 2- , -C (CH 3 ) 2- , —C (CF 3 ) 2- , -S- or -so 2- ) ,
  • the compound is provided with at least one compound of the formula S (ll).
  • R a , R b and Rc are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the alkyl group May be linear or branched, may be cyclic or acyclic, may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms), the remainder is hydrogen
  • Y is- (3 ⁇ 4-, -C (C3 ⁇ 4) 2 —, -C (CF 3. ) 2- , -S- or -S0 2-
  • the compound is at least one of the formula S (12) Is provided.
  • R b and 3 ⁇ 4 are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and the alkyl group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and N,
  • Y is ⁇ (3 ⁇ 4-, -C (CH 3 ) 2- , -C (CF 3 ) 2- , -S- or _S0 2- ) According to the eighteenth aspect of the present invention,
  • the compound is provided with at least one compound of the formula (S) (13).
  • At least one compound selected from the group consisting of the following formulas (A13 ') to (K13') is provided.
  • the other is a general formula S3, In Formula D13 ′, Y is —CH 2 —, one C (CH 3 ) 2 —, —C (CF 3 ) 2 —, —S— or —S0 2 —.
  • R a , R b and 3 ⁇ 4 are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the alkyl group may be linear or branched, cyclic or acyclic, N, 0 It may or may not have S, or P hetero atoms.
  • a compound wherein the compound is of formula S (13 ').
  • At least one kind of compound selected from the group consisting of the following formulas (A23) to (J23) is provided.
  • the alkyl group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms), and the remainder is a hydroxy group,
  • At least one of L — CR b R c —CR a 3 ⁇ 4 (R a, R b and R c are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and the alkyl group may be linear or branched, and And may have or may not have N, 0, S, or P hetero atoms), and the remainder is hydrogen,
  • Y in Formula D23 is-(3 ⁇ 4-, -C (C3 ⁇ 4) 2 one, -C (CF 3 ) 2- , -S- or -S0 2- ) According to the .22 aspect of the present invention,
  • the compound is provided with at least one compound of the formula (S) (23). .
  • At least two of the plurality of L 'are -CR b R c -CR a CH 2 (R a , R b and 3 ⁇ 4 are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms)
  • the alkyl group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, may or may not have N, 0 S or P hetero atoms), and the remainder is hydrogen,
  • Y is -CH 2- , -C (CH 3 ) 2- , -C (CF 3 ) 2- , -S—, or -S0 2- ) According to the twenty fourth aspect of the present invention,
  • the compound is provided with at least one compound of the formula (S) (24).
  • the compound is provided with at least one compound of formula S (25):
  • At least one compound is selected from the group consisting of the following formulas (A25 ') to (J25'). ,
  • Y is-(3 ⁇ 4-, -C (C3 ⁇ 4) 2- , -C (CF 3 ) 2- , -S- or ⁇ S0 2- ) [Formula S3]
  • R a , R b and 3 ⁇ 4 are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the alkyl group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, N, 0, S, or P may or may not have a hetero atom)) according to the 28th aspect of the present invention,
  • n 1 to 100 and an integer
  • Y is -CH 2- , -C (C3 ⁇ 4) 2- , -C (CF 3 ) 2 ⁇ , -S- or -S0 2- ) [Formula S1]
  • R a, R b and R c in the formula SI are each independently H or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, at least one of Ri to 3 ⁇ 4 is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the rest are an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
  • the alkyl group and the alkoxy group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms)
  • R a , 3 ⁇ 4 and R c are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and the alkyl group may be linear alkyl or branched alkyl and may be ⁇ cyclic or acyclic, N , 0, S, or P hetero atoms may or may not))
  • Formula A (14) to 4 comprising a fourth step of reacting any one of the intermediate product (13) or any one of the intermediate (13 ') in the presence of an alkoxysilanol metal catalyst of formula (B2) and any solvent
  • a method for producing an epoxy compound having an alkoxysilyl group of K (14) is provided.
  • 3 ⁇ 4 is each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the alkyl group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms Oh, the rest are hydroxyl groups,
  • Y is -CH 2- , -C (C3 ⁇ 4) 2- , —C (CF 3 ) 2- , -S-, or -SC1 ⁇ 2-.
  • R a , R b and 3 ⁇ 4 are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the alkyl group May be linear or branched, may be cyclic or acyclic, may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms), and the remainder is hydrogen, wherein in Formula D12 Y is- CH 2- , -C (CH 3 ) 2 —, -C (CF 3 ) 2- , -S- or -S0 2 —
  • R a , R b and 3 ⁇ 4 are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the alkyl group May be linear or branched, may be cyclic or acyclic, may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms), and the remainder is hydrogen;
  • Y is -C3 ⁇ 4—, — C (CH 3 ) 2 —, -C (CF 3 ) 2- , -S- or -S0 2- )
  • R a . 3 ⁇ 4 and Rc are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and the alkyl group is directly May be chain or branched, may be cyclic or acyclic, may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms), and the other is
  • Y is-(3 ⁇ 4-, -C (CH 3 ) 2- , -C (CF 3 ) 2- , -S- or -S0 2- ) [Formula S3]
  • R a , R b and 3 ⁇ 4 are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, wherein the alkyl group may be linear or branched, cyclic or acyclic, N, May or may not have 0, S, or P hetero atoms)
  • At least one of P is the following Formula S1, and the rest is the following Formula S3, hydrogen, and -CR b R c -CR a 3 ⁇ 4 (R a, 3 ⁇ 4 and R c are each independently H Or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the alkyl group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and may have or may not have N, 0, S, or P heteroatoms).
  • R a in Formula SI; R b and 3 ⁇ 4 are each independently H or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, at least one of 3 ⁇ 4 to 3 ⁇ 4 is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, the rest are an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms,
  • the alkyl group and the alkoxy group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms, provided that when S1 is one in Formula F14 R a , 3 ⁇ 4 and Rc in Formula S1 are all hydrogen, except that Ri to 3 ⁇ 4 are all alkoxy groups having 1 to 6 carbon atoms.
  • R a, R b and 3 ⁇ 4 are each independently H or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the alkyl group may be linear or branched, cyclic or acyclic, and N, 0, May or may not have S, or P hetero atoms)
  • Forma Bl genus X is CI, Br, I, -0- S0 2 -C3 ⁇ 4, -0- S0 2 -CF 3, or -0-S0 2 -C 6 H 4 - and C3 ⁇ 4, wherein R a, R b and 3 ⁇ 4 are each independently H or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, wherein the ' alkyl group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and has N, 0, S, or P hetero atoms It may or may not have it.
  • At least one is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, the remainder is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, the alkyl group and the alkoxy group may be linear or branched, cyclic or acyclic) And, with or without N, 0, S, or P heteroatoms.
  • the intermediate (11) of one of the formulas (A1) to (J1) was reacted by reacting the starting material of any one of formulas (AS) to (JS) with the allyl compound of formula B1 in the presence of a base and an optional solvent. Forming a first step;
  • Formula (A26) comprising a fourth step of reacting any one of said intermediates (25) or any of said intermediates (25 ') with an alkoxysilane of formula (B2) in the presence of a metal catalyst and any solvent
  • a method for producing an epoxy compound having an alkoxysilyl group of (J26) is provided.
  • Y in formula DS is-(3 ⁇ 4-, -C (CH 3 ) 2- , -C (CF 3 ) 2- , — S- or -S0 2- )
  • R a , 3 ⁇ 4 and 3 ⁇ 4 are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and the alkyl group May be linear or branched, may be cyclic or acyclic, may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms), and the remainder is a hydroxy group,
  • Y is -CH2-, -C (CH 3 ) 2- , -C (CF 3 ) 2- , -S- or -S0 2- ) [Formula (A12) to (J12)]
  • At least one of ⁇ 'is -0-CH 2 -CR a CR b R c (R a , 3 ⁇ 4 and R c are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,
  • the alkyl group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms), and the remainder is a hydroxy group
  • at least one of L Is -CR b R c -CR a CH 2 (R a , 3 ⁇ 4 and 3 ⁇ 4 are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the alkyl group may be linear or branched, cyclic or acyclic And may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms) and the remainder is hydrogen
  • L Is -CR b R c -CR a CH 2 (R a , 3 ⁇ 4 and 3 ⁇ 4 are each independently H, or an alky
  • Y is -C3 ⁇ 4-, —C (CH 3 ) 2- , -C (CF 3 ) 2 ⁇ , -S- or -S0 2- )
  • R a , 3 ⁇ 4 and 3 ⁇ 4 are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the alkyl group May be linear or branched, may be cyclic or acyclic, may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms), and the remainder is hydrogen,
  • Y is -CH 2 —, -C (CH 3 ) 2- , -C (CF 3 ) 2- , -S- or -S0 2- [Formula (A25) to (J25)]
  • R a, R b and Rc are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms
  • the alkyl group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms), and the remainder is hydrogen;
  • Y is (3 ⁇ 4-, -C (CH 3- ) 2- , -C (CF 3 ) 2- , -S- or S0 2- )
  • Y is -CH 2- , -G (CH 3 ) 2- , -C (CF 3 ) 2 —, -S- or -50 2 -in Addition Formula D25 ') [Formulas (A26.) To (J26) ]
  • R a, R b and 3 ⁇ 4 are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, which may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms).
  • R a, R b and 3 ⁇ 4 are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, which may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms).
  • Y in D26 is-(3 ⁇ 4-, -C (CH 3 ) 2- , -C (CF 3 ) 2- , ⁇ S- or ⁇ S0 2-
  • R a, R b and R c are each independently H or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, at least one of which is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the remaining ones are an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms,
  • the alkyl group and the alkoxy group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms, provided that in Formula F26, S1 is one.
  • R a , R b and R c are all hydrogen, except that Ri to R 3 are all alkoxy groups having 1 to 6 carbon atoms.
  • R a, R b and R c are each independently H or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and the alkyl group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and N, It may or may not have 0, S, or P hetero atoms.
  • X is CI, Br; I, -0-S0 2 -CH 3 , -0-S0 2 -CF 3 , or -0-S0 2 ⁇ C 6 H 4 -CH 3 and ⁇ R a , I and Rc are each independently H or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the alkyl group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, having N, 0, S, or P heteroatoms It may or may not have it.
  • At least one of to R 3 is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms and the remainder is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, the alkali group and the alkoxy group may be linear or branched, cyclic or acyclic) And may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms.
  • the first step is a method for producing an epoxy compound having an alkoxysilyl group, which is performed for 1 hour to 120 hours at room temperature to 100 ° C.
  • the thirty-fourth aspect of the present invention The thirty-third or thirty-third aspect, wherein in the first step the .
  • the base is an epoxy compound having an alkoxysalyl group which is at least an alkye selected from the group consisting of KOH, NaOH, K 2 CO 3 , Na 2 CO 3 , KHCOs, NaHC0 3 , NaH, triethylaman, and diisopropylethyl amine.
  • a manufacturing method is provided.
  • the thirty fifth aspect of the present invention is a method for producing an epoxy compound having an alkoxysilyl group, which is performed for 1 hour to 120 hours at room temperature to 100 ° C.
  • a method for producing an epoxy compound having a silyl group is provided. According to the thirty sixth aspect of the present invention,
  • the solvent is at least one alkoxysilyl group selected from the group consisting of xylene, 1,2-dichlorobenzene, and ⁇ , ⁇ -diethylaniline
  • the solvent is at least one alkoxysilyl group selected from the group consisting of xylene, 1,2-dichlorobenzene, and ⁇ , ⁇ -diethylaniline
  • step 2-1 comprises the step of hydroxy group of the intermediate product 12.
  • a manufacturing method is provided.
  • the step 2-1 is provided with a method for producing an epoxy compound having an alkoxysilyl group, which is performed for 1 to 120 hours at room temperature to 100 ° C.
  • the 40th aspect of this invention is provided with a method for producing an epoxy compound having an alkoxysilyl group, which is performed for 1 to 120 hours at room temperature to 100 ° C.
  • the base in step 2-1 comprises KOH, NaOH, K 2 C0 3 , Na 2 C0 3 , KHCOs, NaHC0 3 , NaH, traethylamine, and diisopropylethyl amine.
  • a method for producing an epoxy compound having at least one alkoxysilyl group selected from the group is provided. According to the forty-first aspect of the present invention,
  • the solvent is at least one alkoxysilyl group selected from the group consisting of acetonitrile, tetrahydrofuran, methylethylkehon, dimethyl formamide, dimethyl sulfoxide and methylene chloride.
  • the step 2-2 is provided a method for producing an epoxy compound having an alkoxysilyl group is carried out for 1 to 200 hours at a temperature of 14CTC to 250 ° C.
  • a method for producing an epoxy compound having an alkoxysilyl group is carried out for 1 to 200 hours at a temperature of 14CTC to 250 ° C.
  • the thirty-third or thirty-first aspect wherein the third step comprises a glycidyl group of epichlorohydrin relative to one equivalent of the hydroxy group of the intermediate product 12 or the intermediate product 24. Having an alkoxysilyl group reacted to 1 to 10 equivalents. Epoxy compounds and methods of preparation are provided. According to the 45th aspect of this invention,
  • the third step provides a method for producing an epoxy compound having an alkoxysilyl group at room temperature to lCrc for 1 to 120 hours.
  • the base is selected from KOH, NaOH, K 2 CO 3 , Na 2 CO 3 , KHCO 3 , NaHC0 3 , NaH, triethylamine, and diisopropylethyl amine.
  • a method for producing an epoxy compound having at least one alkoxysilyl group selected from the group consisting of is provided. According to the forty-ninth aspect of the present invention,
  • a method for producing an epoxy compound having an alkoxysilyl group is provided. According to the 48th aspect of this invention,
  • the peroxide group of the peroxide has 1 to 10 equivalents to 1 equivalent of the allyl group of the intermediate intermediate 13 or the intermediate 25.
  • a method for producing an epoxy compound having an alkoxysilyl group to be reacted is provided. According to claim 49 of the present invention,
  • step 3-1 the peroxide is m-
  • CPBA meta-chloroperoxybenzoic acid
  • 3 ⁇ 4 3 ⁇ 4
  • DMDO dimethyldioxirane
  • a method for preparing an epoxy compound having an alkoxysilyl group is performed at room temperature to 100 ° C. for 1 to 120 hours.
  • a method for producing an epoxy compound having an alkoxysilyl group is provided. According to the 52nd aspect of this invention,
  • the base has an alkoxysilyl group selected from the group consisting of KOH, NaOH, K2CO3, KHCO3, NaH, triethylamine, and diisopropylcetyl amine.
  • an alkoxysilyl group selected from the group consisting of KOH, NaOH, K2CO3, KHCO3, NaH, triethylamine, and diisopropylcetyl amine.
  • the chemical formula for the allyl group equivalent of the intermediate product (15 intermediate product (15 '), intermediate product (25) or intermediate product (25')
  • the fourth step is provided with a method for producing a sepoxy compound having an alkoxysilyl group, which is carried out for 1 to 72 hours at room temperature to 120 ° C. -According to the fifty fifth aspect of the present invention,
  • a method for preparing an epoxy compound having an alkoxysilyl group, wherein the metal catalyst is Pt0 2 or 3 ⁇ 4PtCl 6 is provided. According to the fifty sixth aspect of the present invention,
  • a method for producing an epoxy compound having a kind of alkoxysilyl group is provided. According to a fifty seventh aspect of the present invention,
  • an epoxy composition comprising an epoxy compound having at least one alkoxysilyl group selected from the group consisting of formulas AI to KI.
  • Y in the DI is-(3 ⁇ 4-, -C (C3 ⁇ 4) 2- , -C (CF 3 ) 2 ⁇ , -S- or —S0 2 _.
  • R a , 3 ⁇ 4 and R c are each independently H or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, at least one of 3 ⁇ 4 to is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the remainder is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms,
  • the alkyl group and the alkoxy group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms, except that in Formula FI, Formula S1 is one.
  • R a , R b and 3 ⁇ 4 in Formula S1 are all hydrogen, except that R to 3 ⁇ 4 are all having 1 to 6 carbon atoms.
  • R a , 3 ⁇ 4 and R c are each independently H or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and the alkyl group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and N, 0, May or may not have an S, or P hetero atom.
  • a glycidyl ether epoxy compound a glycidyl epoxy compound, a glycidyl amine epoxy compound, a glycidyl ester epoxy compound, a rubber-modified epoxy compound, an aliphatic poly glycidyl epoxy compound and
  • an epoxy composition further comprising at least one epoxy compound selected from the group consisting of aliphatic glycidyl amine epoxy compounds.
  • the epoxy compound is bisphenol A, bisphenol F, bisphenol, biphenyl, naphthalene, benzene, thiodiphenol, fluorene, anthracene isocyanurate, triphenylmethane, Epoxy compositions having 1,2,2-tetraphenylethane, tetraphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, aminophenol cycloaliphatic, or novolak units are provided. According to the sixtyth aspect of the present invention,
  • the epoxy compound is provided with an epoxy composition having bisphenol A, biphenyl, naphthalene, or fluorene as the core structure.
  • any one of items 57 to 60 based on the total weight of the epoxy compound, less than 10 to 100% by weight of the epoxy compound having the alkoxysilyl group and glycidyl ether epoxy compound, glycidyl epoxy compound, At least one kind of epoxy compound selected from the group consisting of a glycidylamine epoxy compound, a glycidyl ester epoxy compound, a rubber modified epoxy compound, an aliphatic poly glycidyl epoxy compound and an aliphatic glycidyl amine epoxy compound Epoxy compositions comprising more than 90% by weight are provided. According to the sixty sixth aspect of the present invention,
  • the epoxy compound which has the said alkoxysilyl group based on the total weight of an epoxy compound is less than 30-100 wt3 ⁇ 4 and a glycidyl ether epoxy compound, a glycidyl epoxy compound, a glyc 0 wt% of at least one epoxy compound selected from the group consisting of a cydylamine epoxy compound, a glycidyl ester epoxy compound, a rubber-modified epoxy compound, an aliphatic poly glycidyl epoxy compound and an aliphatic glycidyl amine epoxy compound Excess An evaporative composition is provided comprising an internal 7 Gwt%. According to the aspect 63 of the present invention,
  • ⁇ is-(: 3 ⁇ 4-, -C (C3 ⁇ 4) 2- , -C (CF 3 ) 2- , -S- or -S0 2- .
  • R a, R b and R c are each independently H or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, at least one of 3 ⁇ 4 increase is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the rest are C 1 to 10 alkyl groups,
  • the alkyl group and the alkoxy group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms, provided that when S1 is one in formula FI , Except that R a , R b and R c in Formula S1 are all hydrogen, and 3 ⁇ 4 inner R 3 is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms.
  • R a, R b and 3 ⁇ 4 are each independently H or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and the alkyl group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and N, 0 Or may or may not have S, or P hetero atoms.).
  • a glycidyl ether epoxy compound a glycidyl epoxy compound, a glycidyl amine epoxy compound, a glycidyl ester epoxy compound,
  • an epoxy composition further comprising at least one epoxy compound selected from the group consisting of rubber modified epoxy compounds, aliphatic polmo glycidyl based epoxy compounds and aliphatic glycidyl. Amine based epoxy compounds.
  • the epoxy compound of claim 64 wherein the epoxy compound has a bisphenol A, bisphenol F, bisphenol, biphenyl, naphthalene benzene, thiodiphenol, fluorene, anthracene, isocyanurate, triphenylmethane, 1, Epoxy compositions having 1,2,2-tetraphenylethane, tetraphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, aminophenol cycloaliphatic, or novolak units are provided. According to the sixty sixth aspect of the present invention,
  • any one of claims 63 to 66 less than 10 to 100wt% of the epoxy compound having the alkoxysilyl group and glycidyl ether sepoxy compound, glycidyl epoxy compound based on the total weight of the epoxy compound , At least one epoxy compound selected from the group consisting of glycidyl amine epoxy compound, glycidyl ester epoxy compound, rubber modified epoxy compound, aliphatic poly glycidyl epoxy compound and aliphatic glycidyl amine epoxy compound the epoxy composition comprising more than 0wt%, to 90wt% are provided.
  • the sixty sixth aspect of the present invention is provided.
  • any one of items 63 to 67 30 to less than 100% by weight of an epoxy compound having an alkoxysilyl group and a glycidyl ether epoxy compound, a glycidyl epoxy compound, based on the total weight of the epoxy compound, Glycidylamine system
  • an epoxy composition further comprising a curing accelerator is provided. According to the seventyth aspect of the present invention,
  • the inorganic particle according to claim 70 wherein the inorganic particles are at least one metal oxide selected from the group consisting of Si0 2 , Zr0 2 , and Ti0 2 , A1 2 0 3 , and T-10 type silsesquinoxane, ladder.
  • At least one epoxy composition selected from the group consisting of a silsesquinoxane and a cage silsesquinoxane is provided. According to the seventy-second aspect of the present invention,
  • the inorganic particles are provided with an epoxy composition used in an amount of 5 to 1000 phr relative to the epoxy compound.
  • the inorganic particles are lQOphr to the epoxy compound.
  • Epoxy used in quantities of 900 phr A composition was provided. According to a seventy-fourth aspect of the present invention,
  • the inorganic particles are provided in an amount of 50 phr to 200 phr relative to the epoxy compound.
  • the fiber of claim 70 wherein the fiber is glass fiber and liquid crystal polyester fiber, polyethylene terephthalate fiber, wholly aromatic fiber, polaroxy selected from the group consisting of E, T (S), NE, E, D, and quartz.
  • At least one epoxy composition selected from the group provided is provided. According to the seventy sixth aspect of the present invention,
  • an epoxy composition wherein the fiber comprises from 10 wt% to 90% with respect to the total increase in the epoxy composition.
  • Electronic materials comprising the epoxy composition of any one of 57-78 are provided.
  • the 80th aspect of this invention is provided.
  • a prepreg which comprises the epoxy composition of any one of 57-78. According to the eighteenth aspect of the present invention,
  • positioned at the 80th prepreg is provided. According to view 82 of the present invention,
  • a substrate comprising the epoxy composition of any one of claims 57-78. According to the 83rd aspect of this invention,
  • a semiconductor quite housing material comprising an epoxy composition of any one of claims 57-78.
  • a semiconductor device comprising the semiconductor packaging material of the 86th aspect is provided. According to the 88th aspect of this invention,
  • cured material of the epoxy composition of any one of 57-78 is provided. According to the 89th aspect of this invention,
  • a cured product of the epoxy composition of any one of items 57 to 69 having a thermal expansion coefficient of 50 ppm / ° C. to 150 ppm / ° C. is provided. According to the ninetieth aspect of the present invention,
  • the cured product of the epoxy composition of any one of items 70 to 78 having a coefficient of thermal expansion of 15 ppm / ° C or less is provided. According to the 91st aspect of this invention,
  • a cured product of the epoxy composition of any one of claims 70 to 78, wherein the glass transition temperature is higher than 100 ° C. or exhibits no glass transition temperature, is provided.
  • Epoxy composition comprising the epoxy compound having a novel alkoxysilyl number according to the present invention is improved in the composite, by chemical bonding of the alkoxysilyl group and the filler in the epoxy compound, the chemical bonding efficiency between the epoxy compound and the filler is improved, such chemical bonding efficiency Due to the improvement of the heat resistance, that is, the CTE of the epoxy composite is reduced and the glass transition temperature rises or does not exhibit the glass transition temperature (hereinafter referred to as 'Tg lease') effect. Moreover, the hardened
  • the epoxy composition according to the present invention acts on the metal film of the substrate, it exhibits excellent adhesion to the metal film by chemical bonding of functional groups and alkoxysilyl groups on the surface of the metal film.
  • the composition containing the alkoxysilyl epoxy compound of the present invention does not require the blending of the silane coupling agent generally formulated in the epoxy composition due to the improvement of the efficiency of the chemical bond by the alkoxysilyl epoxy compound.
  • the epoxy composition comprising the epoxy compound is excellent in curing (including thermosetting and / or photocuring) efficiency and exhibits excellent thermal expansion properties of low CTE and high glass transition temperature or Tg lease when forming a composite by curing.
  • FIG. 1 is a graph showing changes in CTE and Tg of Comparative Example 1 and Example 2.
  • FIG. 2 is a graph showing the CTE changes of Comparative Example 6 (FIG. A), Example 12 (FIG. B), and Example 13 (FIG. C).
  • FIG. 3 is a graph showing the CTE change of Comparative Example 7 (FIG. A), Example 17 (FIG. B), and Example 18 (FIG. C). '
  • FIG. 4 is a graph showing the CTE change of Comparative Example 8 (FIG. A) and Example 20 (FIG. B).
  • 5 is a graph showing the CTE change of Comparative Example 10 (FIG. A), Example 23 (FIG. B), and Example 24 (FIG. C).
  • Example 6 is a graph showing the Tg change of Example 2 (FIG. A) and Example 13 (FIG. B).
  • Example 7 is a graph showing the Tg change of Example 4 (FIG. A) and Example 18 (FIG. B).
  • Example 8 is a graph showing Tg change of Example 6 (FIG. A) and Example 20 (FIG. B).
  • Example 9 is a graph showing Tg change of Example 9 (FIG. A) and Example 24 (FIG. B).
  • 10 is a graph showing the CTE relationship between the epoxy cured product and the composite according to the change of the number of alkoxysilyl groups.
  • FIG. 11 is a photograph showing a state after combustion of the epoxy cured product of Example 12 and Comparative Example 6.
  • FIG. 12 is a photograph showing a state after combustion of the epoxy cured product of Example 17 and Comparative Example 7.
  • FIG. 12 is a photograph showing a state after combustion of the epoxy cured product of Example 17 and Comparative Example 7.
  • FIG. 14 is a photograph showing a state after combustion of the epoxy cured product of Example 23 and Comparative Example 9.
  • FIG. 14 is a photograph showing a state after combustion of the epoxy cured product of Example 23 and Comparative Example 9.
  • the present invention provides a novel alkoxysilyl-based epoxy compound having improved heat resistance in the composite by curing the epoxy composition, in particular low CTE and high Tg or Tg lease and / or excellent flame retardancy in the cured product, a method for preparing the same, It is to provide an epoxy composition and a cured product comprising and use thereof.
  • composite refers to a cured product of a composition containing an epoxy compound and an inorganic material (fiber and / or inorganic particles) that is a layering agent.
  • the term “cured product” refers to a cured product of a composition containing an epoxy compound, and an epoxy compound; Curing agent; And a cured product of a composition comprising any epoxy compound, including at least one selected from the group consisting of any inorganic material (filler), any curing catalyst and other additives.
  • cured material is used by the meaning containing a semi-hardened material.
  • the epoxy composition according to the present invention exhibits excellent adhesion with a metal film because it is chemically bonded to a -0H group on the metal surface by metal surface treatment when applied to a chemically treated metal film, for example, copper foil.
  • an alkoxysilyl epoxy compound having at least one lower substituent on the core and at least two epoxy groups in the core.
  • the epoxy group may be specifically a substituent of the formula (S2).
  • R a , 3 ⁇ 4 and 3 ⁇ 4 are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and at least one of Ri to 3 ⁇ 4 has 1 to C carbon atoms.
  • a 6 alkoxy group, the remainder being a C1-C10 alkyl group, the alkyl group and the alkoxy value may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms You may not.
  • 3 ⁇ 4 to R 3 are hydroxy groups.
  • silyl-based epoxy ⁇ 'compound when alkuk provided by the present invention may further comprise a substituent of the formula to S3.
  • R a , R b and are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms
  • the alkyl group may be linear or branched, cyclic or acyclic, N, 0, It may or may not have an S, or P hetero atom.
  • the term “core” refers to a straight or branched, cyclic or acyclic, or aromatic or aliphatic hydrocarbon compound which may have at least three substituents, which also refers to N, 0, S, Or it may or may not have a P hetero atom.
  • aromatic compound is used in the meaning of an aromatic compound as defined in the chemical art, and includes not only aromatic compounds containing no hetero elements, but also heteroaromatic compounds, and in heteroaromatic compounds, hetero atoms include N, It can include 0, S, or P.
  • the core may be an aromatic compound.
  • aromatic compound examples include, but are not limited to, benzene, naphthalene, biphenyl, fluorene, anthracene, phenanthrene, chrysene ), Pyrene, annulene, corannulene, coroneule, coronene, purine, pyrimidine benzopyrene, dibenzanthracene, or nucleus Helhelicene or at least one or more of these compounds is directly or It may be a polycyclic aromatic compound covalently linked by a linker.
  • the linker is -CRe3 ⁇ 4- (wherein R e and R f are each independently hydrogen, a halogen atom of F, CI, Br or I or an alkyl group of 1 to 3 carbon atoms or a cyclic compound of 4 to 6 carbon atoms, Carbonyl (-C0-), ester (-C00-), carbonate (-0C00-), ethylene (-CH 2 CH 2 —), propylene (-CH 2 CH 2 CH 2 _), ether (-), amine (—N—H—), thioether (-S ⁇ ), or sulfuryl.
  • the core may be any one selected from the group consisting of the following formulas A ′ to ⁇ ′.
  • Chemical Formula D ′ is —CH 2 —, —C (CH 3 ) 2 —, —C (CF 3 ) 2 —, —S— or —S0 2 —.
  • the alkoxysilyl provided by one embodiment of the present invention; based on the epoxy compound is specifically selected from the following groups: It can be a mechanical epoxy compound.
  • R a, R b and R c are each independently H or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and at least one of R 3 is An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, the remainder being an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, the alkyl group and the alkoxy group may be linear or branched, cyclic or acyclic, and may represent N, 0, S, or P hetero atoms. It may or may not have.
  • S1 is one
  • all of R a , R b and Rc are hydrogen, except when all of the C 1-6 alkoxy group.
  • the 3 ⁇ 4 to R 3 is a special time.
  • R a, R b and 3 ⁇ 4 are each independently H, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the alkyl group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and N, 0 It may or may not have S, or P hetero atoms.
  • the alkoxysilyl epoxy compound may be any one selected from the formulas AI to DI.
  • the alkoxysilyl epoxy compound may be Formula BI or Formula DI.
  • Y may be -C (CH 3 ) 2- .
  • any one of the compounds of formulas AI to KI for example, any one of the compounds of formulas AI to DI, for example a compound of BI or DI, for example Y DI compound wherein is -C (C3 ⁇ 4) 2 is represented by Chemical Formula S3
  • Further substituents may include, for example, 1 to 3 S3 substituents.
  • the composite containing the compounds of the formulas AI to ⁇ is due to the introduction of alkoxysilyl groups, the glass transition temperature of the composite exhibits an increase or Tg lease effect, but the cured product of the compounds of the formulas ( ⁇ ) to KI itself containing no inorganic material Due to the introduction of a flexible alkoxy silyl group, the glass transition temperature tends to be reduced. The decrease in the glass transition temperature of the cured product of the epoxy compound which does not contain such an inorganic material tends to depend on the concentration ratio (equivalent bar) of the epoxy group and the alkoxysilyl group present in the epoxy compound.
  • the concentration of the alkoxy silyl group of the epoxy compound is desirable in terms of the CTE axis of the epoxy compound self-cured product, but the glass transition temperature of the composite may be lowered due to the decrease in the glass transition temperature of the epoxy compound self-cured product. Therefore, in this case, the resin content of the composite is reduced or epoxy compound .
  • the epoxy group of the formula S3 can be supplemented to reduce the glass transition silver or Tg-less of the composite.
  • specific examples of the alkoxy silyl epoxy compound may be those described in the formula (M).
  • the repeating unit m may be an integer of 1 to 100, preferably an integer of 1 to 10.
  • epoxy compound for example, in the manufacture alkoxysilyl machine epoxy compound according to the present invention, i.e., epi claw Hi during epoxidation banung of aromatic alcohols using gave, that the epoxy group introduced into the reaction product (core) hydroxy group of banung water (reac tant)
  • an epoxy having a molecular weight of at least a dimer hereinafter referred to as an 'epoxy polymer'
  • epoxy polymer is used to mean oligomers and polymers.
  • the core according to an embodiment of the present invention includes at least one of the above-mentioned formula S1 substituent and two epoxy groups, specifically, the epoxy group of the above formula S2 and optionally the epoxy group of the above formula S3.
  • the alkoxysilyl epoxy compounds for example, the above.
  • Alkoxysilyl epoxy compounds of formulas AI to KI for example the above.
  • Formula AI to DI for example, for the formula CI or DI, for example, Y is -C (CH 3) 2 - is a 'method for manufacturing a yarn alkoxy 3 ⁇ 4-based epoxy compound of formula DI is provided.
  • the alkoxysilyl-based epoxy compound may be prepared by starting materials, for example, allylation, Claisen Rearrangement, epoxidation and alkoxysilylation of any one of the following formulas (AS) to (KS).
  • AS allylation
  • KS epoxidation
  • alkoxysilyl-based epoxy compound may be prepared by starting materials, for example, allylation, Claisen Rearrangement, epoxidation and alkoxysilylation of any one of the following formulas (AS) to (KS).
  • the above formulas (A14) to (K14) The alkoxysilyl epoxy compound of the above is obtained, and when the allylation and the chrysene rearrangement are performed twice each, the alkoxysilyl epoxy compound of the formulas (A26) to (J26) is obtained.
  • the two hydroxy groups of the starting materials (AS) to (KS) may be allylated, or both hydroxyl groups may be allylated.
  • the final targets of formulas (AI) to (KD) in the alkoxysilyl epoxy compound may vary. Specifically, when only one hydroxy group is allylated, the number of alkoxysilyl groups of the formula S1 in the final object is one.
  • the number of alkoxysilyl groups of formula S1 may be up to two in the final target, or one alkoxysilyl group of formula S1 and one epoxy group of formula S3.
  • the number of hydroxy groups to be allylated can be carried out by adjusting the equivalence ratio of the semi-aerated water.
  • the starting material of one of the above formulas (AS) to (KS) and the allyl compound of formula B1 are reacted in the presence of a base and any solvent.
  • the allyl group of the allyl compound of the formula B1 is reacted to 0.5 to 10 equivalents to 1 equivalent of the hydroxyl group of the starting material.
  • Y is -CH 2- , -C (CH 3 ) 2 —, —C (CF 3 ) 2 —, —S— or —S0 2 ⁇ .
  • X is CI, Br or I,-()-S0 2 — CH 3 , -0_S0 2 -CF 3 , or -0-S0 2 -C 6 H 4 -CH 3
  • R a , 3 ⁇ 4 And Rc are each independently H, or 1 to 6 carbon atoms It is an alkyl group, the alkyl group may be linear or branched, may be cyclic or acyclic, and may or may not have N, 0, S, or P hetero atoms.
  • the reaction temperature and reaction time of the first stage reaction vary depending on the type of reaction product, for example, by reacting for 1 to 120 hours at room temperature (eg, 15 ° C. to 25 ° C.) to 10 CTC.
  • the intermediate (11) of any one of (All) to (K11) is obtained.
  • 3 ⁇ 4 are each independently H or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and wherein the alkyl group May be linear or branched, may be cyclic or acyclic, may or may not have N, 0, S, or P heteroatoms.), And the remainder is a hydroxy group, wherein in Formula D11 Y is- (3 ⁇ 4 ⁇ , -C (C3 ⁇ 4) 2- , -C (CF 3 ) 2- , -S- or— S0 2 —
  • bases that can be used include, but are not limited to, for example, K0H, NaOH, K 2 C0 3, Na 2 C0 3 (KHC0 3) NaHC0 3, NaH, the tree may be mentioned triethylamine, diisopropylethylamine ol.
  • these bases may be used with alone or two or more branches.
  • the base is the starting
  • the use of 1 to 5 equivalents based on 1 equivalent of the hydroxy group of the substance is good in terms of reaction efficiency.
  • the solvent may be optionally used in the first stage reaction, if necessary, for example, the solvent may not be used if the viscosity of the reaction product is suitable for the reaction to proceed at the reaction temperature without a separate solvent in the first stage reaction. In other words, if the mixing and agitation of the reaction product is low enough to proceed smoothly without a solvent, a separate solvent does not require a separate solvent, which can be easily determined by those skilled in the art. Can dissolve the reactants well, and any organic solvent can be used as long as it can be easily removed after reaction without any adverse effect on the reaction.
  • the intermediate product (11) can be chlyssen-relaminated by heating for 1 to 200 hours at a temperature of 14 CTC to 250 ° C.
  • the second step reaction may be carried out in the presence of a solvent, if necessary, and the solvent may be, but is not limited to, xylene, 1,2-dichlorobenzene, ⁇ , ⁇ -diethylaniline, and the like. have. -
  • any one of the formulas (A12) to (K12) By reacting the intermediate (12) with epichlorohydrin, the hydroxy group is epoxidized to form the intermediate (13) of the following formulas (A13) to (K13). At this time, the intermediate (12) and epichlorohydrin are reacted in the presence of a base and an optional solvent so that 1 to 10 equivalents of the epoxy group per 1 equivalent of the hydroxy group of the intermediate (12) is formed to form the intermediate (13). do. In addition, it is also possible to use an excess of epichlorohydrin in place of the solvent without using any solvent.
  • At least one of the two Ms is —CR b Rc—CRa ⁇ CH 2 (wherein R a, R b and 3 ⁇ 4 are each independently H or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and the alkyl group May be straight or branched, and may be cyclic or acyclic, N,
  • Y is-(3 ⁇ 4-, -C (C3 ⁇ 4) 2- , C (CF 3 ) 2 ⁇ , -S- or -S0 2- .
  • the intermediate 13 is formed by, for example, reacting at room temperature (eg, 15 ° C. to 25 ° C.) to 100 ° C. for 1 to 120 hours.
  • the base include, but are not limited to, K0H, NaOH, K 2 C0 3 , Na 2 C0 3 , KHC0 3 , NaHC0 3 , NaH, triethylamine, diisopropylethyl amine.
  • bases may be used alone or in combination of two or more of them.
  • the base may be used in an amount of 1 to 5 equivalents based on 1 equivalent of the hydroxy group of the intermediate 12.
  • the solvent may be optionally used as needed, for example, the reaction of the third step is carried out in a separate solvent. If the viscosity of the reactants at the reaction temperature is suitable for the reaction, the solvent may not be used, i.e. a separate solvent is required if the viscosity of the reaction product is low enough that the mixing and stirring of the reactants can proceed smoothly without solvent.
  • the solvent can be easily determined by using a solvent, as long as the solvent can dissolve the reaction product well, and any organic solvent can be easily removed after the reaction without adversely affecting the reaction.
  • Solvents may be used and are not particularly limited, for example, acetonitrile, tetrahydrofuran (THF), methyl ethyl ketone (MEK), dimethyl formamide (DMF), dimethyl sulfoxide (DMMS0), methylene chloride (MC) These solvents may be used alone, or two or more of them may be used together. Not, and the reactants are sufficiently soluble layer can be used in an amount suitable in a range that does not have an undesirable effect on banung, skilled in the art may properly be selected in consideration of this.
  • THF tetrahydrofuran
  • MEK methyl ethyl ketone
  • DMF dimethyl formamide
  • DMMS0 dimethyl sulfoxide
  • MC methylene chloride
  • reaction as shown in the following reaction (1) proceeds, and the epoxidized intermediate (13) reacts with the hydroxyl group of the intermediate (12).
  • Polymers of dimer or higher as shown by AP) to (KP) can be formed.
  • step 3-1 an additional epoxidation step 3-1 may be carried out, if necessary, to epoxidize an arbitrary allyl group.
  • any one of the following formulas (A13 ') to (K13') and the intermediate (13 ') are obtained by oxidizing and epoxidizing the allyl group of the compound of the intermediate (13).
  • step 3-1 the intermediate (13) and the peroxide are reacted in the presence of any base and any solvent. At this time, the intermediate product 13 and the peroxide are reacted such that the peroxide group of the peroxide is 1 equivalent to 10 equivalents to 1 equivalent of the allyl group group of the intermediate product 13.
  • Y is-(3 ⁇ 4-, -C (CH 3 ) 2- , -C (CF 3 ) 2 —, -S- Or -so 2- .
  • the reaction temperature and reaction time of the 3-1 step reaction are dependent on the type of reaction product, but may be, for example, 1 to 120 hours at room temperature (eg, 15 ° C. to 25 ° C.) to K rC. .
  • the peroxide may be, but is not limited to, for example, tn-CPBA (meta-chloroperoxybenzoic acid), 3 ⁇ 4 ( 3 ⁇ 4, dimethyldioxirane) may be used.
  • a base may optionally be used, if necessary, after the reaction, the base may be used to neutralize acid components which may remain depending on the type of peroxide used.
  • the base examples include, but are not limited to, for example, KOH, NaOH, K 2 CO 3 , KHC0 3 , NaH, triethylamine, diisopropylethyl amine These bases alone or two or more If a base is to be used, the base should be used in an amount of 0.1 to 5 equivalents based on 1 equivalent of the allyl group of the intermediate (13).
  • the solvent may be optionally used, if necessary, for example, if the viscosity of the reaction product is suitable for the reaction to proceed at a reaction temperature without a separate solvent in the first reaction, In other words, if the viscosity of the reactants is such that the mixing and stirring of the reaction product can proceed smoothly without solvent, no separate solvent is required, which can be easily determined by those skilled in the art.
  • the possible solvents can dissolve the reaction product well, and any organic solvent can be used as long as it can be easily removed after the reaction without any adverse effect on the reaction, and this is not particularly limited, for example, Acetonitrile, THF.
  • solvents Tetra hydrofuran
  • ME methyl ethyl ketone
  • DMF Dimethyl formamide
  • DM DMSOCdimethyl sulfoxide
  • MC methylene chloride
  • solvents may be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the solvent to be used is not particularly limited, and may be used in a suitable amount within a range in which the semi-coal water is sufficiently dissolved and does not adversely affect the reaction, and a person of ordinary skill in the art may select appropriately.
  • the intermediates are reacted with any one of the intermediates (13 ') and the alkoxysilane of the formula (B2)
  • the allyl group of (13) or (13 ') is alkoxysilylated and the epoxy compound which has an alkoxysilyl group is obtained.
  • the intermediate (13) or intermediate (13 ') and the alkoxysilane react with allyl groups of the intermediate (13) or intermediate (13') and the alkoxy silane in equivalence ratios according to the stoichiometry,
  • the intermediate (13) or (13 ') and the following general formula (B2) are added in an amount of 1 to 5 equivalents of the alkoxysilane of the formula (B2) to 1 equivalent of the allyl group of the intermediate (13) or the intermediate (13'). Alkoxysilane is reacted.
  • At least one of 3 ⁇ 4 to 3 ⁇ 4 is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms and the remainder is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, the alkyl group and the alkoxy group may be linear or branched, cyclic or acyclic , With or without N, 0, S, or P hetero atoms.
  • 3 ⁇ 4 to 3 ⁇ 4 are ethoxy groups.
  • the reaction temperature and reaction time of the fourth stage reaction are dependent on the reaction product, but for example, the phase is (for example, 15 ° C. to 25 ° C.) at 1201: for 1 hour to 72 hours. Can react.
  • the metal catalyst in the fourth step reaction is not limited thereto.
  • a platinum catalyst of Pt0 2 or 3 ⁇ 4PtCl 6 (Chloroplatinic acid) may be used.
  • the platinum catalyst is preferably used in an amount of 0.01 to 0.05 equivalents based on 1 equivalent of the allyl group of the intermediate 13 or the intermediate 13 'in terms of reaction efficiency.
  • the solvent may be optionally used as necessary.
  • the solvent may not be used if the viscosity of the reaction product is suitable for the reaction to proceed at the reaction temperature even without a separate solvent in the fourth step reaction.
  • a separate solvent is not required, which can be easily determined by those skilled in the art.
  • the possible solvent may dissolve the reaction product well, and any aprotic solvent may be used as long as it can be easily removed after the reaction without any adverse effect on the reaction.
  • any aprotic solvent may be used as long as it can be easily removed after the reaction without any adverse effect on the reaction.
  • toluene, acetonitrile, THF tetrahydrofuran (ME), methyl ethyl ketone (ME), dimethyl formamide (DMF), dimethyl sulfoxide (DMMS0) methylene chloride (MC) and the like can be used. have.
  • the allyl group of the intermediate (13) or the intermediate (13 ') is alkoxysilylated by the reaction of the intermediate (13) or the intermediate (13') with the alkoxysilane of the formula (B2).
  • the banung scheme ( ⁇ ) is the case in which both hydroxy groups are allylated in the first stage allylation, and the reaction scheme ( ⁇ ) is additional.
  • the reaction scheme (I) is the case where one of P in the formula D14 is-(CH ⁇ sSiRiR ⁇ sa ⁇ to 3 ⁇ 4 as defined above), and one is H in the epoxidation step 3-1.
  • the half-ung scheme ( ⁇ ) is the case where all of P in the formula D14 is-((: 3 ⁇ 4) 3 ⁇ 3 ⁇ 43 ⁇ 43 ⁇ 4 (to 3 ⁇ 4 is as defined above), and the half-ung scheme ( ⁇ ) is one of the P increase in the formula D14-(( 3 ⁇ 4) 3 ⁇ 3 ⁇ 43 ⁇ 43 ⁇ 4 (or as defined above) and one is a substituent of formula S3.
  • a method for producing an alkoxysilyl epoxy compound of (JI)) is provided. Ah, the method is called Method 2 and will be described.
  • the first and second steps of method 2 are the same as the first and second steps of method 1, respectively.
  • the formula (KS) in the starting material can not be applied to the method 2 because it cannot be a double glycene rearrangement in structure.
  • the intermediate (23) of one of the following formulas (A23) to (J23) is obtained by allylating the hydroxyl group of the intermediate (12) of any one of the above formulas (A12) and (J12). Lose.
  • step 2-1 the intermediate (12) and the allyl compound of the formula (B1) are reacted in the presence of a base and an optional solvent.
  • the allyl group of the allyl compound of the general formula (B1) is reacted to 0.5 to 10 equivalents to 1 equivalent of the hydroxyl group of the intermediate product (12).
  • Step 2-1 is the same as the first step of Method 1. Specifically, all reaction conditions, including reaction temperature, reaction time, equivalence ratio of reactants and base, and the kind and amount of solvent used, are the same as in the first step of Method 1.
  • Y in Formula D23 is-(-, -C (CH 3 ) 2- , -C (CF 3 ) 2- , -S- or -S —.
  • step 2-1 two hydroxyl groups of the intermediate product (12). Only one of them may be allylated or both hydroxyl groups may be allylated.
  • the functional group is an alkoxysilyl group substituents S1 and / or The number of S3 alkoxy substituents may vary.
  • step 2-2 as the intermediate product 23 obtained in step 2-1 is heated, the intermediate product 24 of the following formulas (A24) to (J24) is obtained by means of chrysene rearrangement.
  • Step 2-2 is the same as Step 2 of Method 1. Specifically, all reaction conditions, including reaction temperature, reaction time and any kind of solvent and amount used, are the same as in the second step of Method 1.
  • the hydroxyl group of the intermediate product (24) is epoxidized by reaction of any one of the intermediates (24) of the above formulas (A24) to (J24) with epichlorohydrin to the following formulas (A25) to (M25) Obtain an intermediate (25) of.
  • the intermediate (24) and the epichlorohydrin is equivalent to 1 equivalent of the hydroxy group of the intermediate (24)
  • the intermediate (25) is formed by reaction in the presence of a base and any solvent such that the epoxy phase is from 1 to 10 equivalents.
  • the third step of method 2 is the third step of method 1
  • reaction temperature of the "all reaction conditions including banung time, the equivalent ratio banung water, a base and the type and used amount of any solvent and the like.
  • At least two of M ' are -C3 ⁇ 4R c -CR a 3 ⁇ 4 (wherein R a , R b and 3 ⁇ 4 are each independently H, or carbon number)
  • R a , R b and 3 ⁇ 4 are each independently H, or carbon number
  • Y in formula D25 is —CH 2 —, —C (CH 3 ) 2 —, —C (CF 3 ) 2 —, —S— or one SO 2 —.
  • the epoxidized redox product 25 reacts with the hydroxyl group of the intermediate product 24 in which the reaction product is a semi-atom.
  • step 3-1 the intermediate (25 ') of any one of the following intermediates (A25') to (J25 ') is obtained by oxidizing and epoxidizing the allyl group of the compound of the intermediate (25). .
  • step 3-1 the intermediate (25) and the peroxide are reacted in the presence of any base and any solvent. At this time, the allyl group of the intermediate (25) The intermediate 25 and the peroxide are reacted such that per equivalent of the peroxide group of the peroxide is 1 to 10 equivalents.
  • the 3-1 step reaction of Method 2 is the same as the 3-1 step of Method 1. Specifically, all reaction conditions including the degree of reaction, reaction time, equivalence ratio of the reactants, the type and amount of the optional base and the solvent, and the like are the same as those in Step 3-1 of Method 1.
  • any one of the intermediates (25) or the optional epoxidation step 3-1 is carried out, by reaction of any one of the intermediates (25 ') and the alkoxysilane of formula (B2) Alkoxysilylation of the allyl group of the intermediate (25) or (25 ') yields an alkoxysilyl mechanical epoxy compound.
  • the intermediate (25) in the presence of a metal catalyst and any solvent such that from 1 to 5 equivalents of the formula B2 alkoxysilane, relative to 1 equivalent of allyl group of the intermediate (25) or the intermediate (25 ').
  • Step 4 reaction conditions of Method 2 are the same as the fourth step of Method 1. More specifically, all "banung conditions including the reaction temperature, time banung, banung water equivalent ratio, the metal catalyst and any type of solvent and the use amount and the like are the same as in the Step 4 of Method 1.
  • the formula is S3, S3 may be one to three.
  • Y is -CH 2 -, -C (C3 ⁇ 4) 2 _, - C (CF 3) 2 -, -S- or -S0 2 - a.
  • R a , R b and 3 ⁇ 4 are all hydrogen, Ri to 3 ⁇ 4.
  • Exemplary reaction schemes (IV) to (X) according to Method 2 are shown below. The case where the bisphenol A compound in which Y is —C (CH 3 ) 2 — in the chemical abdomen D 1 is taken as an example.
  • Reaction scheme (IV) is the case where two hydroxyl groups are allylated in the first allylation and one hydroxyl group is allylated in step 2-1 , wherein three of P ′ in formula D26 are-(CH 2 ) 3 SiRiR 2 R 3 (i to 3 ⁇ 4 are as defined above) and one is hydrogen.
  • Banungshim (V) is a case where two hydroxy groups are allylated in the first allylation and one hydroxy group is allylated in step 2-1, and one allyl group is epoxidized in any 3-1 step,
  • Two of P ′ in formula D26 represents — (CH 2 ) 3 SiRiR 2 R 3 (Ri to 3 ⁇ 4 are as defined above), one represents an epoxy group of formula S 3 and one represents hydrogen.
  • the reaction system (VI) is a case where two hydroxyl groups are allylated in the allylation of the first stage and one hydroxyl group is allylated in the 2-1 stage, and two allyl groups are epoxaposited in any stage 3-1,
  • One of P ′ in formula D26 represents — (CH 2 ) 3 SiRiR 2 R 3 (Ri to 3 ⁇ 4 as defined above), two represent a formula S 3 substituent and one in the case of hydrogen.
  • Banungshim (VH) is the case where two hydroxy groups are allylated in the first and second stages, respectively, in which four of P ′ in formula D26 is-(01 ⁇ 2) 3 ⁇ (3 ⁇ 4 to R 3 as defined above). Equal to).
  • Vungungshim is the case where two hydroxyl groups are allylated in each of the first and second stages, and one allyl group is epoxidized in any of the third stage, wherein 3 in P 'of formula D26 Where dog is — (CH 2 ) 3 SiRiR 2 R 3 (i to 3 ⁇ 4 are as defined above) and one is of the formula S 3 substituent.
  • Banungshim (DO is two hydroxy groups allylated in each of the first and second stages, and two in any stage 3-1.
  • two of P ′ in formula D26 are-((3 ⁇ 4) 3 3 ⁇ 4 (to 3 ⁇ 4 are as defined above) and two are substituents of formula S3.
  • steps 1 and 2-1 where two hydroxy groups are allylated and three allyl groups are epoxidized in any third stage 1, where one P 'increase in formula D26 is-(CH2). ) 3 SiRiR 2 R 3 (Ri to 3 ⁇ 4 are as defined above) and three represent the case of the formula S 3 substituent.
  • a composition comprising any alkoxysilyl-based epoxy compound is provided in any embodiment of the present invention>.
  • an epoxy composition comprising an alkoxysilyl epoxy compound comprising at least one of the above formula (S1) substituents and two epoxy groups, for example, the epoxy group of the above formula (S2), is provided in the core.
  • an epoxy composition comprising at least one alkoxysilyl epoxy compound comprising at least one of the above formula (S1) substituents, two epoxy groups, for example, the above epoxy group of formula (S2), and the above epoxy group of formula (S3).
  • At least one alkoxysilyl epoxy compound selected from the group consisting of the above formulas AI to KI ', for example, formulas AI to DI, for example, formula CI or DI, and also, for example, Y is-
  • an epoxy composition comprising an alkoxysilyl epoxy compound of formula DI, which is C (CH 3 ) 2 ′ .
  • Any composition provided in the present invention can be used for the manufacture of electronic materials.
  • any composition provided in the present invention may be a curable composition comprising a curable composition and / or an inorganic material.
  • the epoxy composition according to one embodiment of the present invention includes any kind and / or combination of epoxy compositions known in the art as long as it includes an alkoxysilyl epoxy compound provided by any embodiment of the present invention as an epoxy compound. It is understood that this is included, and does not limit the type and compounding ratio of the curing agent, curing accelerator (catalyst), inorganic material (layering agent) (eg inorganic particles and / or fibers) and other additives constituting the epoxy composition. .
  • the epoxy compound may be an epoxy compound having an alkoxysilyl group provided in any embodiment of the present invention (hereinafter 'epoxy compound of the present invention' or 'alkoxysilyl epoxy compound).
  • At least one of the above formula S1 substituent and two epoxy groups in the core for example, comprising an epoxy group of the formula (S2) Alkoxy silyl epoxy compound; At least one of the formula S1 substituents on the core .
  • An alkoxysilyl epoxy compound comprising two epoxy groups, for example, the above formula S2 epoxy group, and further the above formula S3 epoxy group;
  • at least one alkoxysilyl epoxy compound selected from the group consisting of the above formulas AI to KI for example, at least one alkoxysilyl based epoxy compound selected from the group consisting of the formula AI self DI, for example As well as alkoxysilyl epoxy compounds of the formula CI or DI, for example, of formula DI, wherein Y is -C (C3 ⁇ 4) 2- , any type of epoxy compound known in the art (hereinafter, " Epoxy compounds ").
  • the conventional epoxy compound is not particularly limited and may be any epoxy compound known in the art, for example, a glycidyl ether epoxy compound, a glycidyl epoxy compound, a glycidylamine epoxy At least one from the group consisting of a compound, a glycidyl ester epoxy compound, a rubber-modified epoxy compound, an aliphatic poly glycidyl epoxy compound and an aliphatic glycidyl amine epoxy compound.
  • the conventional and epoxy compound is bisphenol A ,.
  • Bisphenol F bisphenol S, biphenyl, naphthalene, benzene, thiodiphenol, fluorene, anthracene, isocyanurate, triphenylmethane, 1,1,2,2-tetraphenylethane, tetraphenyl Methane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, aminophenol cycloaliphatic, or glycidyl ether epoxy compound having a novolak unit, glycidyl epoxy compound, glycidylamine epoxy compound glycidyl ester an epoxy compound, a rubber modified epoxy compound.
  • the conventional epoxy compound is a glycidyl ether epoxy compound having a bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, biphenyl, naphthalene, or fluorene as a core structure, glycidyl-based epoxy compound, glycidylamine-based Epoxy compound , It may be at least one from the group consisting of a glycidyl ester epoxy compound, a rubber modified epoxy compound, an aliphatic poly glycidyl epoxy compound and an aliphatic glycidyl amine epoxy compound.
  • any epoxy composition according to one embodiment of the present invention based on the total weight of the epoxy compound, 1 to 100 wt% of the epoxy compound of the present invention and 99 wt% of the conventional epoxy compound 0 to 10 wt%; For example, 10 to 100 wt3 ⁇ 4 of the epoxy compound of the present invention and 0 to 90 wt% of the conventional epoxy compound; For example, 30 to 100 wt% of the epoxy compound of the present invention and 0 to 70 wt% of the conventional epoxy compound, for example, less than 10 to 100 wt% of the epoxy compound of the present invention and more than 0 to 90 wt3 ⁇ 4 of the conventional epoxy compound;
  • the epoxy compound of the present invention may comprise less than 30 to 100 wt% and more than 0 to 70w ⁇ of conventional epoxy compound.
  • a composition comprising any alkoxysilyl epoxy compound and curing agent provided by the present invention described above.
  • an epoxy composition comprising at least one of the above-mentioned general formula (S1) substituents and two epoxy groups, for example, an alkoxysilyl-based epoxy compound including the epoxy group of the above formula (S2) and a curing agent.
  • an epoxy composition comprising at least one alkoxysilyl epoxy compound and a curing agent comprising at least one of the above-mentioned sr substituents, two epoxy groups, for example, the epoxy group of Formula S2, and the epoxy group of Formula S3, Is provided.
  • alkoxysilyl based epoxy compounds e.g., epoxy compositions comprising alkoxysilyl based epoxy compounds of formula CI or DI, and also, for example, DI, wherein Y is -C (C3 ⁇ 4) 2 -and a curing agent. do.
  • composition comprising any of the above alkoxysilyl epoxy compounds and curing agents may also include conventional and epoxy compounds as epoxy compounds, and in this case, types of conventional epoxy compounds and alkoxysilyl epoxy compounds and conventional epoxy
  • the compounding quantity of a compound is as above-mentioned.
  • any curing agent generally known as a curing agent for an epoxy polymer may be used, but is not particularly limited thereto.
  • Amine resins, phenolic resins, anhydrous oxides and the like can be used.
  • an amine curing agent may be used an aliphatic amine, an alicyclic amine, an aromatic amine, other amines and a modified polyamine, and an amine compound including two or more primary amine groups may be used.
  • amine curing agent examples include 4,4'-dimethylaniline (diamino diphenyl methane) (4,4'-Dimethylaniline (Diamino di henyl methane, DAM or DDM), diamino diphenyl sulfone (Diamino diphenyl sulfone , DDS), at least one aromatic amine selected from the group consisting of m-phenylene diamine, ethylene triamine (DETA), diethylene tetramine, triethylenetetra Amine (Triethylene Tetramine, TETA), m-xylene diamine (MXDA), methane diamine (MDA), ⁇ , ⁇ '-diethylenediamine (N, N'-Diethylenediamine, ⁇ , ⁇ ' -DEDA), Tetraethylenepentaamine (TEPA), and at least one aliphatic amine selected from the group consisting of Hexamethylenediamine, Isophorone Diamine (IPDI
  • phenol novolak resin cresol novolak, bisphenol A novolak resin i, xylene novolak resin, triphenylmethane novolak resin, biphenyl-novolak resins, dicyclopentadiene-novolak resin, phenol P-xylene, naphthalene type phenol noblock resin, etc.
  • anhydride-based curing agent include, but are not limited to, aliphatic anhydrides such as dodecenyl succinic anhydride (DDSA), poly azelaic poly anhydride, and nuxahydrophthalic anhydride.
  • Alicyclic anhydrides such as lead (hexahydrophthalic anhydride (HHPA), methyl tetrahydrophthalic anhydride (MeTHPA), methylnadic anhydride (MNA)), trimellitic anhydride ( Aromatic anhydrides such as trimellitic anhydride (TMA), pyromellitic acid di anhydride (PMDA), benzophenonetetracarboxylic di anhydride (BTDA), tetrabromophthalic anhydride (tetrabromophthalic anhydride) anhydride (TBPA), chlorendic anhydrid and halogen-based anhydrides such as e, HET).
  • HHPA hexahydrophthalic anhydride
  • MeTHPA methyl tetrahydrophthalic anhydride
  • MNA methylnadic anhydride
  • trimellitic anhydride Aromatic anhydrides such as trimellitic anhydride (TMA), pyromellitic acid di anhydride (PM
  • the degree of curing of the epoxy composite can be adjusted to the degree of reaction between the curing agent and the epoxy group, and the content of the curing agent can be adjusted based on the concentration of the epoxy group of the epoxy compound according to the desired degree of curing.
  • the epoxy equivalent / amine equivalent ratio is 0.5 to 2.0, and, for example, adjusted to be 0.8 to 1.5. It is desirable to.
  • the compounding amount of the curing agent has been described by taking the case of the amine curing agent as an example, any curing agent that can be used to cure the phenolic curing agent, the anhydride curing agent and the epoxy compound not separately described herein, and epoxy according to the desired curing degree range. It can be suitably combined in stoichiometric amounts according to the chemical reaction formula of the epoxy functional group and the semi-functional functional group of the curing agent based on the concentration of the total epoxy groups in the composition, which is common in the art.
  • any photocuring agent generally known in the art may be used, and examples thereof include, but are not limited to, aromatic phosphonium salts, aromatic iodonium salts, aromatic sulfonium salts, and the like.
  • the photocuring agent is, for example, generally 0.5phr to 20phr (parts per hundred, parts by weight per 100 parts by weight of epoxy compound), preferably lphr or more, and preferably lphr to an epoxy compound. Can be used in 5phr. Any curing accelerator (catalyst) may be further included as necessary to promote curing reaction of any epoxy composition alkoxysilyl epoxy compound and curing agent provided in the present invention.
  • curing accelerator epoxy in the technical field
  • Any catalyst known to be generally used for curing the composition may be used, but is not limited to, for example, imidazole based, tertiary amine based, quaternary ammonium based, organic acid salts.
  • curing accelerators such as phosphorus compounds and the like can be used.
  • curing accelerators may be used as latent in their microcapsule coating and complex salt formation. These may be used independently according to hardening conditions, and may use 2 or more types together.
  • the compounding quantity of the said hardening accelerator is not specifically limited, It can mix
  • the epoxy compound may be 0.1 to 10 phr, preferably 0.2 to 5 phr.
  • the curing accelerator is preferably used as an additive content in terms of curing reaction promotion effect and curing reaction rate control. By using the said hardening accelerator in the compounding quantity of the said range, hardening advances rapidly and the improvement of the throughput of a sealing process can be expected.
  • any of the epoxy compositions described herein including any epoxy composition provided herein, for example at least one selected from the group consisting of alkoxysilyl epoxy compounds and conventional epoxy compounds, curing agents and catalysts It may further comprise a filler which is at least one kind of inorganic material selected from the group consisting of inorganic particles and fibers.
  • a filler which is at least one kind of inorganic material selected from the group consisting of inorganic particles and fibers.
  • any inorganic particles known to be used to reduce the thermal expansion coefficient of the organic resin can be used, but are not limited thereto, and are composed of Si0 2 , Zr0 2 , Ti0 2 , and A1 2 0 3 .
  • At least one metal oxide selected from the group and at least one selected from the group consisting of T-10 type silsesquinoxane, ladder type silsesquinoxane, and cage type silsesquinoxane can be used.
  • the inorganic particles may be used alone or as a mixture of two subphases.
  • the inorganic particles are not limited thereto, but in consideration of the use of the composite, specifically, the dispersibility of the inorganic particles, the particle size is 0.5 nm to several tens (for example, lOOiffli, for example, 50 To 60) may be used. Since the inorganic particles are dispersed in the epoxy compound, it is preferable to use the inorganic particles of the above size due to the difference in dispersibility according to the particle size.
  • the inorganic particles may be used in an amount of 5 phr to 1000 phr, for example, with respect to the amount of the epoxy compound in consideration of the appropriate viscosity required for the reduction and the application of the CTE of the epoxy composite. It may be formulated in an amount of 100 phr to 900 phr, for example 50 phr to 200 phr. More specifically, as an example, when the epoxy composition is used as a semiconductor encapsulant, and so on. Although not limited, the inorganic particles may be blended in an amount of about 100 to 900 phr with respect to the amount of the epoxy compound in consideration of the CTE value and the material processability.
  • the inorganic particles when used as a semiconductor substrate, the inorganic particles may be blended in an amount of 50 to 200 phr, for example, with respect to the amount of the epoxy compound in consideration of the CTE value and the strength of the substrate.
  • the fiber when the fiber is used as an inorganic material, the size of the fiber and the like is mainly compounded by the method of soaking the epoxy compound in the fiber.
  • fibers of any kind and dimension generally used in this technology may be used.
  • the fiber is not limited thereto, but any fiber generally used for improving physical properties of the cured organic resin may be used. Specifically, glass fibers, organic fibers or mixtures thereof may be used.
  • glass fiber' as used herein is used to mean not only glass fiber, but also glass fiber fabric, glass fiber nonwoven fabric, and the like.
  • glass fibers such as E, T (S), NE, E, D, quartz, are mentioned as an example,
  • E or T glass fiber is mentioned.
  • Liquid crystalline polyester fiber polyethylene terephthalate fiber, wholly aromatic fiber, polyoxybenzazole fiber, nylon fiber, polyethylene naphthalate fiber, polypropylene fiber, polyether sulfone fiber, polyvinyl At least one selected from the group consisting of lidene fluoride fiber, polyethylene sulfide fiber, polyether ether ketone fiber may be used alone or in combination of two or more thereof.
  • the fiber content is from 10 wt% to 90 wt%, for example from 30 wt% to 70 wt%, and also for example 35 wt% relative to the total weight of the epoxy composition. % To 65%.
  • the portion excluding the fiber is referred to as the resin component.
  • the amount other than the fiber is the amount of the resin component.
  • the resin content may be 10 wt% to 90 wt%, for example, 30 wt% to 70 wt%, and for example 35 wt% to 65%.
  • the content of the fiber is in the above range in terms of heat resistance improvement and processability.
  • the total weight of the epoxy composition is the sum of the weights of all the composition components, wherein the composition comprises a hardener, a catalyst, an inorganic material and / or other additives in an amount of all the components that make up the epoxy composition.
  • resin content is the meaning containing the content of all the components, such as a hardening
  • Any epoxy composition comprising the fibers provided in the present invention may also further contain inorganic particles, if necessary.
  • the inorganic particles may be blended in an amount of about 1 wt% to about 70 wt% of the resin content increase in consideration of improving physical properties and fairness.
  • the epoxy composition is an organic solvent, release agent, surface treatment agent, flame retardant, plasticizer, antimicrobial agent, leveling agent, antifoaming agent, colorant, stabilizer, couple, which are conventionally formulated to control the physical properties of the epoxy composition in a range that does not impair the physical properties of the epoxy composition Other additives such as ringing agents, viscosity modifiers, diluents ' and the like may also be blended as needed. Any epoxy composition provided in any of the embodiments of the present invention may be used for electronic materials.
  • the electronic material may be a prepreg, a laminate, a substrate, a film, a printed wiring board, a packaging material, etc., in which a metal layer is disposed.
  • a semiconductor device comprising or consisting of an electronic material made of a composition containing the alkoxysilyl epoxy compound of the present invention.
  • the semiconductor device may be a semiconductor device including a semiconductor device and / or a semiconductor packaging material in which a semiconductor device is mounted on a printed wiring tube made of a composition containing the alkoxysilyl epoxy compound of the present invention.
  • a cured product of the epoxy composition provided in any of the above-described embodiments of the present invention is provided.
  • the epoxy composition provided in any of the embodiments of the present invention is used as a cured product when it is actually applied, for example, as an electronic material, and includes an epoxy compound and a filler which is an inorganic component in the art.
  • cured material of the composition to make is generally called a composite.
  • the alkoxysilyl epoxy compound provided in one embodiment of the present invention described above exhibits excellent heat resistance in the composite and / or excellent flame resistance in the cured product.
  • the composite may be low CTE, e.g., 15 ppm / ° C or less, e.g., 12 ppm / ° C or less, e.g., 10 ppm / ° C or less, e.g. 8 ppm / ° C or less, e.g. For example, 6 ppm / ° C or less, for example, CTE of 4 ppm / ° C or less is shown.
  • CTE of the composite tends to decrease, for example, an alkoxysilyl epoxy compound according to the present invention having two alkoxysilyl groups as an epoxy compound, glass fiber as an inorganic material.
  • composites containing E-glass glass fibers and having a resin content of 35 wt% to 45% exhibit a CTE of 10 ppm / ° C or less, for example 8 ppm / ° C or less.
  • an alkoxysilyl epoxy compound according to the present invention having two alkoxysilyl groups as an epoxy compound and a biphenyl core structure, glass fiber as an inorganic material, for example, E-glass glass fiber
  • CTE of the composite tends to decrease, for example, an alkoxysilyl epoxy compound according to the present invention having two alkoxysilyl groups as an epoxy compound and glass as an inorganic material.
  • Fiber eg T-glass fiberglass, resin content 35 wt% to 45% ophthalmic complexes exhibit CTE below 6 ppm / ° C.
  • the composite according to the present invention (cured product including an inorganic material) has a Tg higher than 100 ° C., for example, 130 ° C.
  • an alkoxysilyl-based epoxy compound (a cured product that does not contain an inorganic material), its cured product according to the present invention has a CTE of 50 ⁇ to 150 P pm / ° C.
  • the CTE of 50 ppm / ° C to 110 ppm / t when the epoxy compound has two alkoxysilyl groups, the CTE of 80 ppm / r: to 150 ppm / ° C Has a value.
  • the present invention will be described in detail with reference to Examples. The following examples illustrate the invention and do not limit the invention.
  • the second step the intermediate product obtained in the reaction of the first step in a 1000 ml two-necked flask equipped with a synthetic reflux condenser of 2,6-diallyna naphthalene-1,5-diol (11) 20.0 g and 1, After 100 ml of 2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich) was mixed well at room temperature, the homogenized solution was refluxed at 190 ° C. at a reflux setting temperature for 8 hours. After reaction, the mixture was cooled to room temperature, and the solvent was removed in a vacuum oven to obtain 2,6-diallylnaphthalene-1,5 ⁇ diol as an intermediate (12).
  • the reaction scheme of the second step and the NMR data of the obtained intermediate (12) are as follows.
  • Second step Intermediate obtained in the reaction of the first step in a 1000 ml two-necked flask equipped with a synthetic reflux condenser of 1,5-diallyna naphthalene-2,6-diol (11) 20.0 g and 1, Add 100 ml of 2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich) and mix well at room temperature to reflux the solution at 190 ° C for 8 hours. After reaction, the phase is commuted to silver, and the solvent is removed in a vacuum oven to obtain 1,5-diallyna naphthalene-2,6'diol, which is an intermediate product (12).
  • the NMR data of the reaction scheme of the second step and the intermediate (12) are as follows.
  • Step 2-1 Intermediate obtained in Step 2-1 in a 1000 ml two-necked flask equipped with a synthetic reflux condenser of 1,5-diallyl-6- (allyloxy) naphthalene-2- (12) 20.0 g, K 2 CO 3 29.60 g, and acetone 500 ml are added and mixed at room temperature. Thereafter, 6.78 ml of allyl bromide (Sigma Aldrich) was added dropwise while refluxing the uniformly well-mixed solution to the reflux set temperature of 80 ° C. and then reacted overnight. After reaction, the reaction product stirred at room temperature was filtered through celite, and the organic solution was evaporated to obtain a crude product.
  • allyl bromide Sigma Aldrich
  • step 2-1 The desired product in the crude product is extracted with ethyl acetate, washed three times with water and dried over MgSO 4 . . MgSO 4 is removed with a filter, the solvent is removed using an evaporator, and purified by a silica column to obtain 1,5-diallyl-6- (allyloxy) naphthalen-2-ol as an intermediate (23).
  • the counterung scheme of step 2-1 is as follows.
  • Step 2-2 Synthesis of 1,2,3-triallylnaphthalene-2,6-di 20.
  • Og and 100 ml of 1,2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich) obtained in step 2-1 were added to a 1000 ml two-necked flask equipped with a reflux condenser and mixed well at room temperature. Reflux to reflux set temperature of 19C C for 8 hours. After reaction, the mixture was cooled to room temperature, the solvent was removed in a vacuum oven, and 1,3,5-triallyna naphthalene-2,6-di was obtained as an intermediate (24).
  • the reaction scheme of the second to second stage is as follows.
  • the NMR data of the reaction scheme of the fourth step and the end product obtained are as follows.
  • Step 1 2,6-dihydroxynaphthalene (Sigma Aldrich) 20.0 g, allyl bromide (Sigma Aldrich) 27.0 ml, 103.61 g K 2 CO 3 , and 500 ml acetone are added and mixed at room temperature. The homogeneously well mixed solution is allowed to react overnight at reflux to a reflux set temperature of 80 ° C. After the reaction, the reaction product cooled to room temperature is filtered through Celite and evaporated to obtain a crude product. The desired product in the crude product is extracted with ethyl acetate, washed three times with water and dried over MgS0 4 . MgS0 4 is removed with a filter and the solvent is removed using an evaporator to obtain 2,6-bis (allyloxy) naphthalene as an intermediate (11).
  • the reaction scheme of the first stage is as follows.
  • step 2-1 Og, allyl bromide (Sigma Aldrich), 27.0 ml of K 2 CO 3, 103.61 g of K 2 CO 3 and 500 ml of acetone were added to a 1000 ml two-necked flask equipped with a reflux condenser and shaken at room temperature. Add up. The homogeneously well mixed solution is allowed to react overnight at reflux to a reflux set temperature of 80 ° C. After reaction, the reaction product cooled to room temperature is filtered through Celite and evaporated to obtain a crude product. The desired product in the crude product is extracted with ethyl acetate, washed three times with water and dried over MgSO 4 . MgS0 4 is removed with a filter and the solvent is removed using an evaporator to obtain 1,5-diallyl-2,6-bis (allyloxy) naphthalene as intermediate (23).
  • the counterung scheme of step 2-1 is as follows.
  • Step 2-2 1,3, 5, 7-tetraallyl naphthalene—2, 6-die in a 1000 ml two-necked flask equipped with a synthetic reflux condenser (2) 20. Add 100 g of Og and 1,2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich), mix well at room temperature, and return the homogenized reaction solution to the set temperature of the reflux device at 190 ° C for 8 hours. After reaction, the phase was cooled with silver and the solvent was removed in a vacuum oven. After that, intermediate product (24) 1,3,5 and gtetraallylnaphthalene-2,6-diol are obtained.
  • the reaction scheme of the second two-steps is as follows.
  • reaction product was filtered through a saltite solution, and the organic solution was evaporated to evaporate the intermediate product (2), 2,2 '-(1,3,5, tetraallyl naphthalene-2,6-diyl) bis ( Obtain oxy) bis (methylene) dioxylane.
  • the reaction scheme of the third stage is as follows.
  • the NMR data of the reaction stage and the final target of the fourth step are as follows.
  • the desired product in the crude product was extracted with ethyl acetate, washed three times with water and dried over MgSO 4 .
  • MgS0 4 is removed with a filter and the solvent is removed using an evaporator to obtain 4,4'-bis (allylyloxy) biphenyl as the intermediate (11).
  • the NMR data of the first step semi-unggym and intermediate (11) were as follows.
  • Second step Intermediate obtained from the reaction of the first step in a 1000 ml two-necked polarizer equipped with a synthetic reflux condenser of 3,3'-diallylbiphenyl-4,4'-diol (11) 10 After adding Og and 100 ml of 1,2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich) and mixing well at room temperature, the homogenized solution was refluxed at a reflux apparatus set temperature of 190 ° C. for 72 hours. After the reaction by reflux, the mixture was cooled to room temperature and the solvent was removed by a residual air oven to obtain 3,3'-diallylbiphenyl-4,4'-diol as an intermediate (12).
  • the NMR data of the reaction scheme of the second step and the intermediate (12) were as follows. '
  • Step 2-1 Synthesis of 3,3 ' ⁇ diallyl-4'-(allyloxy) biphenyl-4-ol
  • the intermediate product obtained in the step 2 ( 12) 20 Add Og, 26.71 g K2CO3, and 500 ml of acetone and mix at room temperature.
  • Second step 2 Intermediate obtained in step 2-1 in a 1000 ml two-necked flask equipped with a synthetic reflux condenser of 3,3 ', 5-triallylbiphenyl-4,4'-di ( 23) Add 20.0 g and 100 ml of 1,2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich), mix well at room temperature, and return the homogenized solution to the set temperature of 19C C for 8 hours. After the reaction, the mixture was cooled to room temperature, and the solvent was removed in a vacuum oven to obtain 3,3 ', 5-triallylbiphenyl # 4, 4'-diol as an intermediate (24).
  • the reaction scheme of step 2-2 is as follows.
  • Second step Intermediate obtained in the first step in a 1000 ml two-necked flask equipped with a synthetic reflux condenser of 3,3'-diallylbiphenyl-4,4'-diol (11) After 100 ml of 1,2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich) was mixed well at room temperature, the homogenized solution was refluxed at a reflux apparatus temperature of 190 ° C. for 72 hours. After reaction, the mixture was cooled to room temperature, and the solvent was removed in a vacuum oven to obtain 3,3'-diallylbiphenyl-4,4'-diol as an intermediate (12).
  • the NMR data of the second stage reaction and intermediate product (12) were as follows.
  • Step 2-1 The intermediate obtained in the second step in a 1000 ml two-necked pollas equipped with a synthetic reflux condenser of 3,3'-diallyl ⁇ 4,4'-bis (allyloxy) biphenyl.
  • Product (12) 20. Og, 24.40 ml of allyl bromide (Sigma Aldrich), 93.47 g of K 2 CO 3 , and 500 ml of acetone are added and mixed at room temperature. The homogeneously well mixed solution is allowed to react overnight at reflux to 80 ° C. at reflux set temperature. After reaction, the reaction product cooled to room temperature is filtered through Celite and evaporated to obtain a crude product.
  • step 2-1 The desired product in the crude product is extracted with ethyl acetate, washed three times with water and dried over MgS0 4 . MgS0 4 is removed with a filter, The solvent is removed using an evaporator to obtain 3,3'-diallyl — 4,4 '′ bis (allyloxy) biphenyl as an intermediate (23).
  • the counterung scheme of step 2-1 is as follows.
  • Step 2-2 A 1000 ml two-necked flask equipped with a synthetic reflux condenser of 3,3 ', 5,5'-tetraallylbiphenyl—4,4'-diol obtained in step 2-1 above Intermediate (23) 20. Add 100 g of Og and 1,2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich), mix well at room temperature, and return the homogenized semi-aqueous solution to the set temperature of 19 (C reflux) for 8 hours. The mixture was then cooled to room temperature, and the solvent was removed with a vacuum obon to obtain 3,3 ', 5,5'-tetraallylbiphenyl-4,4'-diol as an intermediate (24).
  • the scheme is as follows.
  • the intermediate product (25) was 2,2 '-(3,3', 5,5'- Tetraallylbiphenyl-4,4'-diyl) bis (oxy) bis (methylene) dioxylane is obtained.
  • the NMR data of the third step reaction mixture and intermediate (25) are as follows.
  • Synthesis Example CI-1 Synthesis of Mono-alkoxysilylated epoxy compound with fluorene (1)
  • First step Synthesis of 4- (9- (4 ⁇ (allyloxy) phenal ⁇ -9 ⁇ -fluorene-9-yl) phenol
  • 4,4'- 10.0 g of (9H-pololuene 9,9-diyl) diphenol (Sigma Aldrich) 11.84 g of K 2 C0 3 , and 500 ml of acetone were added and mixed at room temperature, after which the uniformly well mixed solution was mixed at 80 °.
  • Second step Synthesis of 2-allyl-4- (9- (4-hydroxyphenyl) -9H-fluorene-9-yl) phenol
  • the first step in a 1000m ⁇ two-necked flask equipped with a reflux condenser 10.0 g of the intermediate product (11) obtained in the step and 50 ml of 1,2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich) were added and mixed at room temperature.
  • the homogenized semi-aqueous solution was refluxed at a reflux apparatus setting temperature of 190 ° C. for 96 hours.
  • Trieroxy (3 ′ (2- (oxirane-2-ylmethoxy) -5- (9- (4- (oxirane-2-ylmethoxy) phenyl) -9H-flu) Synthesis of orene-9-yl) phenyl) propyl) silane 10.
  • Triethoxysilane Sigma Aldrich
  • Platinum Oxide 41 mg and 100 ml of toluene were mixed and mixed well in a 250 ml flask, followed by argon. Stir at 85 ° C for 72 h.
  • the NMR data of the fourth step reaction scheme and the obtained final target are as follows.
  • MR data of the intermediate (11) are as follows.
  • Step 4 (3,3 '-(5, 5'-(9H-fluorene-9, 9-diyl) bis (2- (oxirane-2-ylme) 1 5, 1-phenylene)) Bis (propane-3,1-diyl))-bis (triethoxysilane) synthesis
  • the desired product in the crude product was extracted with ethyl acetate, washed three times with water and dried over MgSO 4 .
  • MgSO 4 was removed with a filter, and the solvent was removed using an evaporator to obtain 9,9-bis (4- (allyloxy) phenyl) -9H ⁇ fluorene as intermediate (11).
  • the NMR data of the reaction step 1 and the obtained resultant product (11) were as follows.
  • Second step A 1000m ⁇ two-necked flask equipped with a synthetic reflux condenser of 4,4 '-(9H-fluorene-9,9-diyl) bis (2-allylphenol) was obtained in the first step.
  • Intermediate (11) 10. After Og and 100 ml of 1,2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich) were mixed well at room temperature, the homogenized solution was refluxed for 96 hours. After reaction by reflux, the mixture was cooled to room temperature and the solvent was removed by vacuum bourbon to obtain 4,4 '— (9H-fluorene-9,9-diyl) bis (2-allylphenol) as an intermediate (12). .
  • the reaction scheme of the second stage was as follows.
  • Step 2-1 Synthesis of 2-allyl-4 ′ (9- (3-allyl-4- (allyloxy) phenyl) -9H-fluorene-9-yl) phenol 1000 ml two-necked flask equipped with a reflux condenser 20.0 g of the intermediate product (12) obtained in the second step, 16.52 g of K 2 CO 3 and 500 ml of acetone were added and mixed at room temperature. Thereafter, 3.79 tnl of allyl bromide (Sigma Aldrich) was added dropwise while refluxing the uniformly well-mixed solution to a reflux set temperature of 190 ° C., followed by overnight reaction.
  • 2-allyl-4 ′ (9- (3-allyl-4- (allyloxy) phenyl) -9H-fluorene-9-yl) phenol 1000 ml two-necked flask equipped with a reflux condenser 20.0 g of the intermediate product (12) obtained in the second step, 16.52 g of K 2 CO 3 and
  • the reactant reacted to room temperature is subjected to celite filtration and the organic solution is evaporated to obtain a crude product.
  • the desired product in the crude product is extracted with ethyl acetate, washed three times with water and dried over MgSO 4 .
  • MgS0 4 was removed with a filter, the solvent was removed using an evaporator, and using a silica column, 2-allyl-4- (9- (3—allyl-4- (allyloxy) phenyl) as an intermediate (23). —9H-fluorene-9-yl) phenol.
  • the MR data of the reaction mixture of the step 2-1 and the obtained intermediate (23) are as follows.
  • Step 2-2 Synthetic reflux condenser of 2,6-diallyl-4- (9- (3-allyl-4-hydroxyoxyphenyl) -911- pulloene-9) yl) phenol 20.0 g of the intermediate product (23) obtained in step 2-1 and 100 ml of 1,2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich) were added to a 1000 ml two-necked flask, which was mixed well at room temperature, and then the reaction solution was homogenized for 8 hours. Reflux. After reaction, the mixture was cooled to room temperature, and the solvent was removed in a vacuum oven to obtain an intermediate (24).
  • the reaction scheme of step 2-2 is as follows.
  • the desired product in the crude product was extracted with ethyl acetate, washed three times with water and dried over MgSO 4 .
  • MgS0 4 was removed with a filter and the solvent was removed using an evaporator to obtain 9,9-bis (4- (allyloxy) phenyl) -9H-fluorene as intermediate (11).
  • the NMR data of the reaction scheme of the first step and the obtained intermediate (11) were as follows.
  • Second step A 1000 ml two-necked flask equipped with a synthetic reflux condenser of 4,4 ′-(9H-fluorene ⁇ 9,9-diyl) bis (2 ⁇ allylphenol) was obtained from the first step. , Add 10.0 g of 9-bis (4- (allyloxy) phenyl) -9H-fluorene and 100 ml of 1,2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich), mix well at room temperature, and mix the homogenized solution at 190 ° for 96 hours. It was refluxed to the reflux set temperature of C. After reaction by reflux, the mixture was cooled to room temperature and the solvent was removed in a vacuum oven. Then, 4,4 '-(9H-fluorene-9,9-diyl) bis (2-allylphenol) as an intermediate (12) was added. Got it.
  • the NMR data of the second stage reaction scheme and the obtained intermediate (12) are as follows.
  • Step 2-1 9,9-bis (3-allyl-4- (allyloxy) phenyl) —medium obtained in the second step in a 1000 ml two-necked flask equipped with 9H-fluorene and a synthetic reflux condenser 20.0 g of product (12), 15.09 ml of allyl bromide (Sigma Aldrich), 57.82 g of K 2 CO 3 , and 500 ml of acetone are added and mixed at room temperature. The homogeneously well mixed solution is refluxed overnight under reflux with a reflux set temperature of 8 C. After the reaction, the reactant cooled to room temperature is filtered through Celite and evaporated to give crude product.
  • step 2-1 extracting the desired compound of the crude product with ethyl acetate, and wash with water three times, dried over MgS0 4. removal of the MgS0 4 to the filter, and by using an evaporator to remove the solvent, the intermediate product (23) of 9, 9- Obtain bis (3-allyl-4- (allyloxy) phenyl) -9H-fluorene
  • the reaction scheme of step 2-1 is as follows.
  • Step 2-2 1000 ml two-necked flask equipped with synthetic reflux condenser of 4,4 '-(9H-fluorene-9,9-diyl) bis (2,6-daallylphenol) 20.0 g of intermediate product (23) in step 2-1 and 100 ml of 1,2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich) were mixed well at room temperature, and the homogenized solution was refluxed at a reflux apparatus at 190 ° C for 8 hours. do. After the reaction by reflux, the solution was cooled to room temperature, the solvent was removed in a vacuum oven, and 4,4 '-((fluorene-9,9-diyl) bis (2,6-diallylphenol) was an intermediate (24). Get) The reaction scheme of step 2-2 is as follows.
  • (1) first step synthesis of 4- (2- (4 ⁇ (allyloxy) phenyl) propan-2-yl) phenol 20.0 g of bisphenol A (Sigma Aldrich) in a 1000 ml two-necked flask equipped with a reflux condenser; 36.35 g of 2 CO 3 , and 500 ml of acetone were added thereto and mixed at room temperature. Thereafter, 8.33 ml of allyl bromide (Sigma Aldrich) was added dropwise while refluxing the uniformly well-mixed solution to the reflux setter temperature of 80 ° C., followed by overnight reaction. After the reaction, the reaction product cooled to room temperature was filtered through celite, and the organic solution was evaporated to obtain a crude product.
  • bisphenol A Sigma Aldrich
  • the desired product in the crude product was extracted with ethyl acetate, washed three times with water and dried over MgSO 4 .
  • MgS0 4 is removed with a filter, the solvent is removed using an evaporator, 4- (2- (4 '(allyloxy) phenyl) propan-2-yl) phenolol was obtained as an intermediate (11).
  • the NMR data of the first step reaction scheme and the obtained intermediate (11) are as follows.
  • Second step Synthesis of 2-allyl-4- (2— (4-hydroxyphenyl) propan-2-yl) phenol
  • An intermediate obtained in the first step was placed in a 1000 ml two-necked polar flask equipped with a reflux condenser. 8.0 g of product (11) and 250 ml of 1,2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich) were added and mixed at room temperature, and then the homogenized solution was refluxed at a reflux apparatus set temperature of 19 CTC for 8 hours. After reaction by reflux, the mixture was cooled to room temperature and the solvent was removed in a vacuum oven to obtain 2xallyl-4- (2- (4-hydroxyphenyl) propan-2-yl) phenol as an intermediate (12).
  • the reaction scheme of the second step and the NMR data of the obtained intermediate (12) are as follows.
  • the desired product in the crude product was extracted with ethyl acetate, washed three times with water and dried over MgS0 4 .
  • MgSO 4 was removed with a filter, and the solvent was removed using an evaporator to obtain 4, 4 ′-(propane-2,2-diyl) bis (allyloxybenzene) as an intermediate (11).
  • the NMR data of the first step reaction scheme and the obtained intermediate (11) are as follows.
  • Second step A 1000 ml two-necked flask equipped with a synthetic reflux condenser of 4,4 '-(; propane-2,2 ⁇ diyl) bis (2-allylphenol) was obtained from the reaction of the first step.
  • Intermediate product (11) 20. Add 250 g of Og and 1,2-polychlorobenzene (Sigma Aldrich), mix well at room temperature, and return the homogenized solution to the reflux setting temperature of 190 ° C for 8 hours. It was. After reaction at reflux, the mixture was cooled to room temperature and the solvent was removed in a vacuum oven to obtain 2,2'-diallylbisphenol A—, an intermediate (12).
  • the NMR data of the second stage of the semi-wool scheme and the obtained intermediate (12) are as follows.
  • Step 3-1 2-((2-allyl-4- (2- (4- (oxirane-2-ylmethoxy) -3- (oxirane-2-ylmethoxy) phenyl) propane- 2-yl) phenoxy) -methyl) oxylane
  • the reaction product was then washed with 1N aqueous sodium hydroxide solution and brine, dried over MgS0 4 , filtered through a filter and evaporated to remove the solvent, and purified by silica column to give the intermediate (13 ') as 2- ( (2-allyl— 4- (2- (4— (oxirane-2-ylmethoxy) -3- (oxirane-2-ylmethoxy) phenyl) propan-2-yl) phenoxy) -methyl) oxylane Got.
  • the NMR data of the reaction mixture of step 3-1 and the final product obtained are as follows.
  • Second step The intermediate product obtained in the first step in a 1000 ml two-necked flask equipped with a synthetic reflux condenser of 4,4 '-(propane-2,2-diyl) bis (2-allylphenol) 11) After 20.0 g and 250 ml of 1,2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich) were added and mixed well at room temperature, the homogenized solution was refluxed at a reflux apparatus setting temperature of 190 ° C. for 8 hours. After reaction by reflux, the mixture was cooled to room temperature and the solvent was removed in a vacuum oven to obtain 4,4 ′-(propane-2,2-diyl) bis (2-allylphenol) as an intermediate (12).
  • the NMR data of the reaction mixture and intermediate product 12 of the second step were as follows.
  • Step 2-1 Synthesis of 2-allyl-4- (2- (3-allyl-4- (allyloxy) phenyl) propane-2xyl) phenol
  • a reflux condenser 20.0 g of the intermediate product (12) obtained in the second step 23.07 g of K 2 CO 3 , and 500 ml of acetone are added and mixed at room temperature.
  • 5.29 ml of Alkym bromide (Sigma Aldrich) is added dropwise while refluxing the uniformly well-mixed solution to the reflux set temperature of 80 ° C., followed by overnight reaction.
  • step 2-1 The counterung scheme of step 2-1 is as follows.
  • step 2-2 1000 ml two-necked flask equipped with synthetic reflux condenser of 2,6-diallyl-4- (2- (3-allyl-4-hydroxyphenyl) propan-2-yl) phenol 20.0 g of the intermediate product (23) obtained in the above step 2-1 and 100 ml of 1,2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich) were mixed well at room temperature, and then the homogenized solution was kept at 19 (C reflux apparatus for 8 hours). It is refluxed to the set temperature, cooled to room temperature after the reaction, and the solvent is removed with a vacuum Aubon. To remove 2'6'diallyl-4- (2- (3'allyl 4-hydroxyphenyl) propane-2-yl) phenol as an intermediate (24).
  • the counterung scheme of step 2-2 is as follows.
  • Second step The intermediate product obtained in the first step in a 1000 ml two-necked flask equipped with a synthetic reflux condenser of 4,4 '-(propane-2,2-diyl) bis (2-allylphenol) 11) Add 20.0 g and 250 ml of 1,2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich), mix well at room temperature, and return the homogenized semi-aqueous solution to the reflux apparatus set temperature of 190 ° C for 8 hours. After the reaction by reflux, the mixture was cooled to room temperature and the solvent was removed in a vacuum oven to obtain 4,4 '-(propane-2,2-diyl) bis (2-allylphenol) as an intermediate (12).
  • the NMR data of the reaction scheme of the second step and the intermediate (12) were as follows.
  • Step 2-1 Synthesis of 4,4 '-(propane-2,2didiyl) bis (2-allyl-1- (allyloxy) benzene)
  • lOOOOTnl two-necked flask with reflux condenser 20.
  • allyl bromide 21.07 ml_ K 2 C0 3 83.31 g
  • 500 ml of acetone are added and mixed at room temperature.
  • the homogeneously well mixed solution is refluxed overnight with reflux to 80 ° C. at reflux set temperature. After reaction, the reaction was cooled to room temperature, filtered through celite, and evaporated to obtain a crude product.
  • step 2-1 The desired product in the crude product is extracted with ethyl acetate, washed three times with water and dried over MgS0 4 . MgS0 4 was removed with a filter and the solvent was removed using an evaporator to obtain 4,4 '-(propane-2,2-diyl) bis (2-allyl-1- (allyloxy) as an intermediate (23). Benzene).
  • the reaction scheme of step 2-1 is as follows.
  • step 2-2 in a 1000 ml two-necked flask equipped with a synthetic reflux condenser of 4,4 '-(propane- 2,2-diyl) bis (2,6-diallylphenol) 20.0 g of the intermediate product (23) obtained in step 1 and 100 ml of 1,2-dichlorobenzene (Sigma Aldrich) were added and mixed well at room temperature. The homogenized reaction solution was refluxed at a reflux apparatus of 19 CTC for 8 hours. After reaction by reflux, the mixture was cooled to room temperature and the solvent was removed in a vacuum oven to obtain 4,4 '-(propane-2,2-diyl) bis (2,6-diallylphenol) as an intermediate (24).
  • Get The counterung scheme of step 2-2 is as follows.
  • the composite After 2 hours the composite in place in a vacuum oven heated to lOCTC removal of the solvent for 2 hours at the following in the hot press at 120 ° C pre-heated to 120 ° C, 2 hours at 18CTC and 20 (rc to 260 ° C The glass fiber composites were cured to obtain a glass-fiber composite C.
  • the resin content of the composite film was adjusted according to the pressure of the press and the viscosity of the resin, and the resin content in the composite film is shown in Table 2 below.
  • triphenyl phosphine (Aldrich) curing catalyst was added and mixed for an additional 10 minutes to obtain an epoxy mixture, which was made of glass fiber (Glass fiber fabric from Nittobo) E-glass 2116 or T-glass 2116) was immersed to prepare a glass fiber composite comprising an epoxy compound, which was then placed in a vacuum oven heated to 10 CTC to remove solvent and then at 12 CTC in a hot press preheated to 12 ( C).
  • the cured product of the alkoxysilyl epoxy compound of formula (IIl) having a naphthalene core according to the present invention (Example 2) has a naphthalene epoxy having the same core structure but no alkoxysilyl group CTE increases and Tg tends to be lower than that of the cured compound (Comparative Example 1).
  • the CTE of a composite of glass fiber or a composite of an alkoxysilyl epoxy compound of formula AI having a naphthalene core complexed with glass fiber and inorganic particles is 7 to 10 ppm / ° C.
  • the CTE of the Example 20 composite was reduced compared to the CTE of the Comparative Example 8 composite.
  • the CTE of the Example 23 and Example 24 composites was reduced compared to the CTE of the Comparative Example 10 composite.
  • the Tg of the composite increases compared to the Tg of the cured product of the epoxy compound itself, and Tg—lease may be observed by appropriate mixing control, for example, addition of a small amount of silica. It was.
  • an epoxy compound having a naphthalene core exhibited a Tg lease in the Example 13 composite, unlike the Example 2 composite, as shown in FIG. 6.
  • an epoxy compound having a biphenyl core exhibited a Tg lease, unlike the composite of Example 4, of Example 18 composite.
  • the epoxy compound having a cardo (fluorene) core as shown in Fig. 8, the composite of Example 6 and Dalmo, the composite of Example 20 exhibited a Tg lease.
  • an epoxy compound having a bisphenol A core as shown in Fig. 9, differs from the composite of Example 9, and the composite of Example 24 exhibited Tg lease.
  • the alkoxysilyl system of the present invention The cured product of the epoxy compound has a higher CTE than the cured product of the epoxy compound which does not have an alkoxysilyl group.
  • the composite of the alkoxysilyl epoxy compound of the present invention has a CTE decrease as compared with the composite of the epoxy compound having no alkoxysilyl group, and the compound of epoxy compound having no alkoxysilyl group by appropriate mixing control.
  • the Tg or Tg lease was higher than the cargo.
  • the CTE reduction and the Tg increase or the Tg-less property are due to the coupling property of the epoxy compound and the layering agent in the composite. Due to the improvement, it can be seen from the above properties that the bonding properties of the epoxy compound and the filler in the composite is improved.
  • FIG. 10 the change of the CTE value in the cured product of the epoxy compound itself and the epoxy composite according to the number of alkoxysilyl groups in the epoxy compound is shown in FIG. 10.
  • cured material of the epox compound itself which has the alkoxysilyl group which concerns on this invention.
  • CTE is higher than CTE of the cured product of the epox compound itself having no alkoxysilyl group.
  • the CTE of the composite of the epoxy compound having an alkoxysilyl group according to the present invention is significantly lower than that of the composite of the epoxy compound having no alkoxysilyl group. This tendency also increases as the number of alkoxysilyl groups in the epoxy compound increases.
  • Examples 12, 17, 20, and 23 of Table 2 were ignited on the strips of the composites of Comparative Examples 6, 7, 8, and 9, and pictures of these streams burned are shown in FIGS.
  • the strips of the Example 12, 17, 20, and 23 composites which are the composites of the epoxy compounds according to the present invention, were all naturally digested within 1 to 2 seconds.
  • the composite strips of Comparative Examples 6, 7, 8, and 9 which do not have an alkoxysilyl group may be spontaneously digested, but in the case of the epoxy compound according to the present invention having alkoxysilyl groups having the same core time as spontaneous digestion It was longer and the bisphenol-based epoxy cured product of Comparative Example 4 was burned out completely. From this, it can be seen that the cured product containing the alkoxysilyl epoxy ' compound ' according to the present invention exhibits excellent flame retardancy.

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Abstract

본 발명은 복합체에서 우수한 내열특성, 구체적으로, 낮은 열팽창계수(CTE, Coefficient of Thermal Expansion)와 높은 유리전이 온도 또는 Tg 리스 및/또는 경화물에서, 난연성을 나타내며 별도의 실란커플링제를 필요로 하지 않는 알콕시실릴계 에폭시 화합물, 이의 제조방법, 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 코어에 적어도 하나의 하기 화학식 S1의 치환기 및 적어도 두 개의 에폭시기를 갖는 알콕시실릴계 에폭시 화합물; 출발물질의 알릴화, 클라이센 리어레인지먼트, 글리시딜화 및 알콕시실릴화로 제조되는 상기 에폭시 화합물의 제조방법; 상기 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물; 및 이의 경화물 및 용도가 제공된다. 본 발명에 의한 새로운 알콕시실릴계 에폭시 화합물을 포함하는 조성물의 복합체는 에폭시 화합물 중 알콕시실릴기와 충전제의 화학적 결합뿐만 아니라 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 알콕시실릴기간의 화합결합에 의해 에폭시 복합체 형성시, 화합결합 효율이 향상되며, 따라서, 우수한 내열특성, 즉, 낮은 CTE 와 높은 유리전이온도 혹은 Tg 리스를 나타낸다. 또한, 본 발명에 의한 에폭시 화합물을 포함하는 조성물의 경화물은 우수한 난연성을 나타낸다.

Description

【명세서】
【발명의 명칭】
알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물， 이의 제조 방법， 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도
【기술분야】
본 발명은 복합체에서 우수한 내열특성 및 /또는 경화물에서 우수한 난연성을 나타내는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 (이하， '알콕시실릴계 에폭시 화합물' 이라 함)， 이의 제조방법， 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도에 관한 것이다. 보다 상세하게， 본 발명은 복합체에서 우수한 내열특성, 구체적으로, 낮은 열팽창계수 (CTE, Coefficient of Thermal Expansion)과 높은 유리전이온도 상승효과 (이는 유리 전이 온도를 나타내지 않는 Tg 리스를 포함함) 및 /또는 경화물에서 우수한 난연성을 나타내며 별도의 실란커플링제를 필요로 하지 않는 알콕시실릴계 에폭시 화합물， 이의 제조방법， 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도에 관한 것이다.
【발명의 배경이 되는 기술】
고분자재료， 구체적으로 에폭시 화합물 자체 경화물의 열팽창계수는 대략 50~80 ppm/°C로 무기입자인 세라믹재료 및 금속재료의 열팽창계수 (예를 들어, 실리콘의 열팽창계수는 3~5 ppm/t;이며, 구리의 열팽창계수는 17ppm/°C임)에 비하여 열팽창계수 값이 수배-수십배 정도로 매우 크다. 따라서， 예를 들어， 반도체， 디스플레이 분야 등에서 고분자 재료가 무기재료 또는 금속재료와 함께 사용되는 경우에， 고분자 재료와 무기재료 또는 금속재료의 서로 다른 열팽창계수로 인하여 고분자 재료의 물성 및 가공성이 현저하게 제한된다. 또한，' 예를 들어 실리콘 웨이퍼와 고분자기판이 인접하여 사용되는 반도체 패키징 등의 경우나， 가스 배리어 특성을 부여하기 위해 무기차단막을 고분자 필름 위에 코팅하는 경우에， 공정 및 /또는 사용 온도 변화시 구성성분 간의 현저한 열팽창계수의 차이 (CTE-mistnatch)로 인하여 무기층의 크랙 생성， 기판와휨 발생, 코팅층의 박리 (peelingᅳ off), 기판 깨짐 등 제품불량이 발생한다. 이와 같은 고분자 재료의 큰 CTE 및 이로 인한 고분자 재료의 치수변화 (dimensional change)로 인하여 차세대 반도체 기판， PCB(printed circuit board) , 패키징 (packaging)， 0TFT( Organic Thin Film Transistor) , 가요성 디스플레이 기판 (flexible display substrate) 등의 기술개발이 쎄한된다. 구체적으로, 현재 반도체 및 PCB 분야에서는 금속 /세라믹 재료에 비해 매우 높은 CTE를 갖는 고분자 재료로 인하여， 고집적화， 고미세화， 플렉서블화， 고성능화 등이 요구되는 차세대 부품의 설계와 가공성 및 신뢰성 확보에 어려움을 겪고 있다. 다시 말하자면， 부품 공정온도에서의 고분자 재료의 높은 열팽창특성으로 인하여 부품 제조시， 불량이 발생할 뿐만 아니라 공정이 제한되고 부품의 설계 그리고 가공성 및 신뢰성 확보가 문제시된다. 따라서， 전자부품의 가공성 및 신뢰성 확보를 위해 고분자 재료의 개선된 열팽창 특성， 즉 치수안정성이 요구된다. 현재까지 고분자 재료， 예를 들어 에폭시 화합물의 열팽창특성을 개선 (즉， 작은 열팽창계수)하기 위해서는 일반적으로 (1) 에폭시 화합물을 무기입자 (무기필러) 및 /또는 섬유와 복합화하거나 (2) 새로운 합성법으로 CTE가 감소된 새로운 에폭시 화합물을 설계하는 방법이 사용되어 왔다. 열팽창특성 개선을 위해 에폭시 화합물과 층전제로서 무기입자를 복합화하는 경우께는 약 2~30 크기의 실리카 무기입자를 다량 사용해야만 CTE 감소 효과를 볼 수 있다. 그러나, 다량의 무기입자 충진으로 인하여 가공성 및 부품의 물성이 저하되는 문제가 수반된다. 즉, 다량의 무기입자로 인한 유동성 감소 및 협간 층진시 보이드 형성 등이 문제시된다. 또한， 무기입자의 첨가로 인하여 재료의 점도가 기하급수적으로 증가된다. 나아가， 반도체 구조의 미세화로 인하여 무기입자의 크기가 감소되는 경향이나， 1 이하의 필러를 사용하면 유동성 저하 (점도증가) 문제가 휠씬 심각해진다. 그리고， 평균입경이 큰 무기입자를 사용하는 경우에는 수지와 무기입자를 포함하는 조성물의 적용부위에 미충진되는 빈도가 높아진다. 한편, 유기수지와 충전제로서 섬유를 포함하는 조성물을 사용하는 경우에도 CTE는 크게 감소되지만ᅳ 실리콘 칩 둥에 비해 여전히 높은 CTE*보인다. 상기한 바와 같이， 현재의 에폭사 화합물의 복합화 기술의 한계로 인하여 차세대 반도체 기판 및 PCB 등의 고집적된 고성능의 전자부품의 제조가 제한된다. 따라서 종래 열경화성 고분자 복합체의 높은 CTE와 이로 인한 내열특성 및 가공성 부족 등과 같은 문제를 개선하기 위한 개선된 열팽창 특성, 즉， 낮은 CTE 및 높은 유리전이온도 특성을 갖는 에폭시 복합체의 개발이 요구된다.
【발명의 내용】
【해결하고자 하는 과제]
본 발명의 일 실시형태에 의하면, 복합체에서 향상된 내열특성， 구체적으로는 낮은 CTE 와 높은 유리전이 온도 특성 및 /또는 경화물에서 우수한 난연성을 나타내는 알콕시실릴계 에폭시 화합물이 제공된다. 본 발명의 다른 살시형태에 의하면， 복합체에서 향상된 내열특성， 구체적으로는 낮은 CTE와 높은 유리전아 온도 특성 및 /또는 경화물에서 우수한 난연성을 나타내는 알콕시실릴계 에폭시 화합물의 제조방법이 제공돤다. 본 발명의 또 다른 실시형태에 의하면， 복합체에서 향상된 내열특성， 구체적으로는 낮은 CTE와 높은 유리전이 온도 특성 및 /또는 경화물에서 우수한 난연성을 나타내는 알콕시실릴계 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물이 제공된다. 나아가， 본 발명의 또 다른 실시형태에 의하면, 복합체에서 향상된 내열특성, 구체적으로는 낮은 CTE와 높은 유리전이 온도 특성 및 /또는 경화물에서 우수한 난연성을 나타내는 본 발명의 일 실시형태에 의한 에폭시 조성물의 경화물이 제공된다. 또한， 본 발명의 다른 실시형태에 의하면， 본 발명의 일 실시형태에 의한 에폭시 조성물의 용도가 제공된다.
【과제의 해결 수단]
본 발명의 제 1견지에 의하면,
코어에 적어도 하나의 하기 화학식 S1 치환기 및 두 개의 에폭시기를 포함하는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물이 제공된다.
[화학식 S1]
-CRbRc-CHRa-CH2-S i 1R2R3
(화학식 S1에서 , 상기 Ra, ¾및 ¾는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， ¾ 내지 R3 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고， 나머지는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이며， 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 았으며， 상기 코어가 벤젠이고 S1이 하나인 경우에， 상기 S1에서， Ra, Rb및 ¾가 모두 수소이고， 내지 ¾이 모두 탄소수 1 내지 6 알콕시기인 경우는 제외된다) 본 발명의 제 2견지에 의하면，
제 1견지에 있어서, 상기 에폭시기는 하기 화학식 S2의 구조인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물이 제공된다.
[화학식 S2]
Figure imgf000006_0001
본 발명의 제 3견지에 의하면,
제 1견지에 있어서, 하기 화학식 S3의 치환기를 추가로 포함하는 알콕시실릴기 갖는 에폭시 화합물이 제공된다.
[화학식 S3!
Figure imgf000007_0001
(식 S3에서， Ra, Rb 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상 일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않올 수 있다) 본 발명의 제 4견지에 의하면，
제 1견지에 있어서， 상기 코어는 하기 화학식 A' 내지 K' 로 구성되는 그룹으로부터 ' 선택되는 방향족 코어 중 적어도 일종안 알콕사실릴기를 갖는 에폭시 화합물이 제공된다.
Figure imgf000008_0001
(상기 화학식 D' 에서， Y는 -(¾-， -C(C¾)2-, -C(CF3)2-, -S-또는 02-이다) 본 발명의 제 5견지에 의하면，
제 1견지에 있어서， 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물은 하기 화학식 AI 내지 KI로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적아도 일종의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물아 제공된다.
Figure imgf000009_0001
(상기 화학식 (AI) 내지 (KI)에서， 다수의 Q 증 적어도 하나는 하기 화학식 S1이며， 나머지는 하기 화학식 S3， 수소， 및 -CRbRc-CRa=C¾ (Ra, 및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이며， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)로 구성되는 그룹으로부터 각각 독립적으로 선택되며， 상기 DI에서 Y는 -(¾一， -C(CH3)2ᅳ, -C(CF3)2ᅳ， -S- 또는 -S02-이다. [화학식 S1]
_CRbRc~CHRa ~'CH2~S i R1 2R3
(화학식 S1에서， 상기 Ra, Rb및 ¾는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 내지 ¾ 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고， 나머지는 탄소수 1 내지 10 알킬기이며， 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있으며， 다만, 화학식 FI에서 S1이 하나인 경우에， 상기 화학식 S1에서 Ra, ¾및 Rc가 모두 수소이고， ¾ 내지 ¾이 모두 탄소수 1 내지 6의 알콕시기인 경우는 제외된다.)
[화학식 S3]
Figure imgf000010_0001
(식 S3에서， 상기 Ra, ¾ 및 c 는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다 .)) , 본 발명의 제 6견지에 의하면，
제 5견지에 있어서, 상기 다수의 Q중 적어도 하나는 상기 화학식 S3인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물이 제공된다. 본 발명의 제 7견지에 의하면，
제 5견지에 있어서， 상기 다수의 Q중 적어도 하나는 상기 화학식 S1이며， 나머지는 상기 화학식 S3인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물이 제공된다. 본 발명의 제 8견지에 의하면,
제 5견지에 있어서, 상기 내지 ¾는 에록시기인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물이 제공된다. 본 발명의 제 9견지에 의하면，
제 5견지에 있어서， 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물은 상기 화학식 AI 내지 DI로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물이 제공된다. 본 발명의 제 10견지에 의하면，
제 9견지에 있어서， 상기 알콕시실릴가를 갖는 에폭시 화합물은 상기 화학식 DI인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물이 제공된다. 본 발명의 제 11견지에 의하면，
체 10견지에 었어서， 상기 알콕시실 ¾기를 갖는 에폭시 화합물은 상기 화학식 DI이고， Y는 - C(CH3)2 -인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물이 제공된다. 본 발명의 제 12견지에 의하면，
제 5견지에 있어서， 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물은 하기 화학식 M의 화합물 중 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물이 제공된다.
[화학식 M]
Figure imgf000012_0001
Figure imgf000013_0001
본 발명의 제 13견지에 의하면,
하기 화학식 (All) 내지 (K11)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물이 제공된다.
Figure imgf000013_0002
(상기 화학식 All 내지 K11에서 , .Κ중 적어도 하나는 -0-CH2-CRa=CRbRc (Ra, ¾및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고， 나머지는 히드록시기이며， 상기 화학식 D11에서 Y는 -CH2-, -C(CH3)2-, — C(CF3)2-, -S- 또는 -so2-이다) 본 발명의 제 14견지에 의하면，
제 13견지에 있어서， 상기 화합물은 하기 화학식 S(ll) 중 적어도 일종의 화합물이 제공된다.
[화학식 S(ll)]
Figure imgf000014_0001
본 발명의 제 15견지에 의하면，
하기 화학식 (A12) 내자 (K12)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물이 제공된다.
Figure imgf000015_0001
(상기 화학식 A12 내지 K12에서， L 중 적어도 하나는 - CRbRc-CRa=CH2 (Ra, Rb및 Rc는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고， 나머지는 수소이며， 상기 화학식 D12에서 Y는 -(¾-， -C(C¾)2—， -C(CF3.)2-, -S- 또는 -S02-이다) 본 발명의 제 16견지에 의하면，
제 15견지에 있어서， 상기 화합물은 하기 화학식 S(12) 중 적어도 일종의 제공된다.
[화학식 S(12)]
Figure imgf000016_0001
본 발명의 제 17견지에 의하면， .
하기 화학식 (A13) 내지 (K13)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물이 제공된다.
Figure imgf000017_0001
(상기 화학식 A13 내지 K13에서， M 중 적어도 하나는 - CRbRc-CRa ¾ (식중， Ra,
Rb및 ¾는 각각독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N,
0, S, 또는 P 헤테. 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고, 나머지는 수소이며，
상기 화학식 D13에서 Y는ᅳ(¾-， -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 _S02-이다) 본 발명의 제 18견지에 의하면，
제 17견지에 있어서， 상기 화합물은 하기 화학식 S(13) 중 적어도 일종의 화합물이 제공된다.
[화학식 S(13)]
Figure imgf000018_0001
본 발명의 제 19견지에 의하면, :
하기 화학식 (A13' ) 내지 (K13' )로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물이 제공된다.
Figure imgf000019_0001
(상기 화학식 A13' 내지 K13' 에서， Ν 증 하나는 - CRbRc-CRa=CH2 (식중 Ra, Rb 및 Rc 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고, 다른 하나는 하기 화학식 S3이며， 상기 화학식 D13' 에서 Y는 -CH2-, 一 C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -S-또는 -S02-이다.
Figure imgf000020_0001
(화학식 S3중, Ra, Rb 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 본 발명의 제 20견지에 의하면，.
제 19견지에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 S(13' )인 화합물이 제공된다. [화학식 S(13' )]
Figure imgf000020_0002
본 발명의 제 21견지에 의하면，
하기 화학식 (A23) 내지 (J23)으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물이 제공된다.
Figure imgf000021_0001
(상기 화학식 A23 내지 J23에서， K' 중 적어도 하나는 -0-CH2-CRa=CRbRc (식중 Ra, ¾ 및 Rc 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고， 나머지는 히드록시기이며，
L중 적어도 하나는 — CRbRc-CRa ¾ (Ra, Rb 및 Rc 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며 , N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고 나머지는 수소이며，
상기 화학식 D23에서 Y는 -(¾-， -C(C¾)2一, -C(CF3)2-, -S- 또는 -S02-이다) 본 발명의 제 .22견지에 의하면，
제 21견지에 있어서， 상기 화합물은 하기 화학식 S(23) 중 적어도 일종의 화합물이 제공된다. .
[화학식 S(23)]
Figure imgf000022_0001
본 발명꾀 제 23견지에 의하면，
하기 화학식 (A24) 내지. (J24)로 구성되는그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물이 제공된다.
Figure imgf000023_0001
(상기 화학식 A24 내지 J24에서, 다수의 L' 중 적어도 2개는 -CRbRc-CRa=CH2 (Ra, Rb 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수. 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며, N, 0 S 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고， 나머지는 수소이며，
상기 화학식 D24에서 Y는 -CH2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -S— 또는 -S02-이다) 본 발명의 제 24견지에 의하면，
제 23견지에 있어서， 상기 화합물은 하기 화학식 S(24) 중 적어도 일종의 화합물이 제공된다. [화학식 S(24)]
Figure imgf000024_0001
본 발명의 제 25견지에 의하면，
하기 화학식 (A25) 내지 (J25)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도
Figure imgf000024_0002
화합물이 제공된다.
Figure imgf000025_0001
(상기 화학식 A25 내지 J25에서， 다수의 Μ' 중 적어도 2개는 -CRbRc-CRa=CH2 (단， 식중 Ra, Rb 및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고， 나머지는 수소이며， 상기 화학식 D25에서 Y는 -CH2-, -C(CH3)2—， — C(CF3)2-, -S- 또는 -S02-이다) 본 발명의 제 26견지에 의하면，
제 25견지에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 S(25) 중 적어도 일 화합물이 제공된다.
[화학식 S(25)]
Figure imgf000026_0001
본 발명의 제 27견지에 의하면，
하기 화학식 (A25' ) 내지 (J25' )로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물이 제공된다. ,
Figure imgf000027_0001
(상기 화학식 A25' 내지 J25' 에서， 다수의 N' 중 1 내지 3개는 -C¾Rc-CRa=C¾ (Ra, ¾및 Rc는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, ， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고， 1 내지 3개는 상기 화학식 S3이며, 나머지는 수소이며，
상기 화학식 D25' 에서 Y는 -(¾-, -C(C¾)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 ᅳ S02-이다) [화학식 S3]
Figure imgf000028_0001
(화학식 S3에서 , Ra, Rb 및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고.， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 해테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다)) 본 발명의 제 28견지에 의하면，
하기 화학식 AP 내지 KP로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 폴리머.
[화학식 AP]
Figure imgf000028_0002
[화학식 CP]
Figure imgf000029_0001
[화학식 FP]
Figure imgf000029_0002
Figure imgf000030_0001
(상기 화학식 AP 내지 KP에서， 다수의 Q중 적어도 하나는 하기 화학식 S1이며, 나머지는 하기 화학식 S3, 수소， 및 -CRbRc-CRa=CH2 (Ra, Rb 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 알킬 또는 측쇄상 알킬일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다)로 구성되는 그룹으로부터 각각 독립작으로 선택되며， .
m은 1내지 100와정수이며，
상기 화학식 DP에서 Y는 -CH2-, -C(C¾)2-, -C(CF3)2ᅳ， -S- 또는 -S02-이다) [화학식 S1]
-CRbRc-CHRa-CH2-S i RiR2R3
(식 SI 중 Ra, Rb및 Rc는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， Ri 내지 ¾중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고， 나머지는 탄소수 1 내지 10 알킬기이며, 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다)
[화학식 S3]
Figure imgf000031_0001
(화학식 S3에서， Ra, ¾ 및 Rc 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 알킬 또는 측쇄상 알킬일 수 있고ᅤ 고리형 또는 비고리형일 수 있으며, N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다)) 본 발명의 제 29견지에 의하면，
제 28견지에 있어서, 상기 내지 ¾는 에톡시기인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 폴리머가 제공된다.. 명의 제 30견지에 의하면， 하기 화학식 (AS) 내지 (KS)중 어느 하나의 출발물질과 하기 화학식 B1의 알릴화합물을 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반웅.시켜서 하기 화학식 (All) 내지 (K11) 중 어느 하나의 중간생성물 (11)을 형성하는 제 1단계;
상기 중간생성물 (11)중 어느 하나를 임의의 용매 존재하에서 가열하여 하기 화학식 (A12) 내지 (M12) 중 어느 하나의 중간생성물 (12)를 형성하는 제 2단계; 상기 중간생성물 (12) 중 어느 하나와 쎄피클로로히드린을 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반웅시켜서 하기 화학식 (A13) 내지 (K13) 중 어느 하나의 중간생성물 (13)를 형성하는 제 3단계; 및
임의로 상기 중간생성물 (13) 중 어느 하나와 과산화물을 임의의 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반웅시켜서 하기 화학식 (A13' ) 내지 화학식 (K13' ；)중 어느 하나의 중간생성물 (13' )를 형성하는 임의와 제 3-1단계; 및
상기 증간생성물 (13) 중 어느 하나 또는 상기 중간생성물 (13' ) 중 어느 하나와 하기 화학식 B2의 알콕시실란올 금속촉매 및 임의의 용매 존재 하에서 반응시키는 제 4단계를 포함하는 화학식 A(14) 내지 K(14)의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다.
[화학식 (AS) 내지 (KS)]
Figure imgf000033_0001
(상기 화학식 DS에서 Y는 -CH2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2 , -S— 또는 -S02-이다) [화학식 (All) 내지 (Kll)]
Figure imgf000034_0001
(상기 화학식 All 내지 Kll에서， K중 적어도 하나는 — 0-C¾-CRa=CRbRc (Ra. Rb및
¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)아고， 나머지는 히드록시기이며，
상기 화학식 D11에서 Y는 -CH2-, -C(C¾)2-, — C(CF3)2-, -S-또는 -SC½-이다.) [화학식 (A12) 내지 (K12)]
Figure imgf000035_0001
(상기 화학식 A12 내지 K12에서, L 중 적어도 하나는 - CRbRc-CRa=CH2(Ra, Rb및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고， 나머지는 수소이며, 상기 화학식 D12에서 Y는 -CH2-, -C(CH3)2—， -C(CF3)2-, -S- 또는 -S02—이다)
[화학식 (A13) 내지 (K13)]
Figure imgf000036_0001
(상기 화학식 A13 내지 K13에서， M중 적어도 하나는 - CRbRc-CRa=CH2 (Ra, Rb및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고, 나머지는 수소이며， 상기 화학식 D13에서 Y는 -C¾— , — C(CH3)2—， -C(CF3)2-, -S-또는 -S02-이다)
[화학식 (A13' ) 내지 (K13' )]
Figure imgf000037_0001
(상기 화학식 Α13' 내지 K13' 에서 , Ν 중 하나는 - CRbRc-CRa=CH2 (Ra. ¾및 Rc는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며 , N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다) 이고， 다른 하나는 하기 화학식
S3이며，
상기 화학식 D13' 에서 Y는 -(¾-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 -S02-이다) [화학식 S3]
Figure imgf000038_0001
(식 S3중， Ra, Rb 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 '직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다)
[화학식 (A14) 내지 (K14)]
Figure imgf000039_0001
(상기 화학식 A14 내지 K14에서， P 중 적어도 하나는 하기 화학식 S1이며, 나머지는 하기 화학식 S3， 수소， 및 -CRbRc-CRa ¾ (Ra, ¾ 및 Rc 는 각각 득립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 해테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다)로 구성되는 그룹으로부터 각각 독립적으로 선택되며， 상기 D14에서 Y는 -CH2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 -S02-이다) [화학식 SI]
-CRbRc-CHRa-CH2-SiR1R2R3
(화학식 SI 중 Ra; Rb 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， ¾ 내지 ¾ 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고, 나머지는 탄소수 1 내지 10 알킬기이며， 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다. 다만， 화학식 F14에서 S1이 하나인 경우에는， 상기 화학식 S1 중 Ra, ¾ 및 Rc가 모두 수소이고， Ri 내지 ¾이 모두 탄소수 1 내지 6의 알콕시기인 경우는 제외된다.)
[화학식 S3]
Figure imgf000040_0001
(화학식 S3 증 상기 Ra, Rb및 ¾는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다)
[화학식 B1]
Figure imgf000040_0002
(상기 화학식 Bl에세 X는 CI, Br, I， -0— S02-C¾, -0— S02—CF3, 또는 -0-S02-C6H4- C¾ 이며， 상기 Ra, Rb 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기' 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고라형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)
[화학식 B2]
HS1R1R2 3
(상기 화학식 B2에서, 내지 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고, 나머지는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이며， 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을수 있다.) 본 발명의 제 31견지에 의하면，
하기 화학식 (AS) 내지 (JS)중 어느 하나의 출발물질과 하기 화학식 B1의 알릴화합물을 염기 및 임의의 용매존재하에서 반웅시켜서 하기 화학식 (A1) 내지 (J1) 중 하나의 중간생성물 (11)을 형성하는 제 1단계;
상기 중간생성물 (11)중 어느 하나를 임의의 용매 존재하에서 가열하여 하기 화학식 (A12) 내지 (J12) 중 어느 하나의 중간생성물 (12)를 형성하는 제 2단계; 상기 중간생성물 (12) 중 어느 하나와 하기 화학식 B1의 알릴화합물을 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반웅시켜서 하기 화학식 (A23) 내지 (J23)중 어느 하나의 중간생성물 (23)을 형성하는 제 2-1 단계;
상기 중간생성물 (23)을 임의의 용매 존재하에서 가열하여 하기 화학식 (A24) 내지 (J24) 중 어느 하나의 중간생성물 (24)를 형성하는 제 2-2 단계;
상기 중간생성물 (24)중 어느 하나와 에피클로로히드린을 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반웅시켜서 하기 화학식 (A25) 내지 (J25) 중 하나의 중간생성물 (25)를 형성하는 제 3단계;
임의로 상기 중간생성물 (25) 중 어느 하나와 과산화물을 임의의 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A25' ) 내지 화학식 (J25' )의 중간생성물 (25' )를 형성하는 임의와 제 3-1단계; 및.
상기 중간생성물 (25) 중 어느 하나 또는 상기 중간생성물 (25' ) 중 어느 하나와 하기 화학식 B2의 알콕시실란을 금속촉매 및 임의의 용매 존재하에서 반웅시키는 제 4단계를 포함하는 하기 화학식 (A26)
Figure imgf000042_0001
(J26)의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다.
[화학식 (AS) 내지 (JS)]
Figure imgf000042_0002
(상기 화학식 DS에서 Y는 -(¾-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, — S-또는 -S02-이다)
[화학식 (All) 내지 (Jll)]
Figure imgf000043_0001
(상기 화학식 All 내지 Jll에서 , Κ 중 적어도 하나는 -0-CH2-CRa=CRbRc (Ra, ¾및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고， 나머지는 히드록사기이며，
상기 화학식 D11에서 Y는 -CH2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -S-또는 -S02-이다) [화학식 (A12) 내지 (J12)]
Figure imgf000044_0001
(상기 화학식 A12 내지 J12에서， L 중 적어도 하나는 - CRbRc-CRa=CH2(Ra, ¾및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고， 나머지는 수소이며， 상기 화학식 D12에서 Y는 -(¾-， -C(CH3)2-, ᅳ C(CF3)2-, -S- 또는ᅳ S02-이다)
[화학식 (A23) 내지 (J23)]
Figure imgf000045_0001
(상기 화학식 A23 내지 J23에서, Κ' 중 적어도 하나는 -0-CH2-CRa=CRbRc (Ra, ¾및 Rc는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고， 나머지는 히드록시기이며, L 중 적어도 하나는 -CRbRc-CRa=CH2 (Ra, ¾ 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며, N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)아고 나머지는 수소이며，
상기 화학식 D23에서 Y는 -C¾-, — C(CH3)2-, -C(CF3)2ᅳ， -S- 또는 -S02-이다)
Figure imgf000046_0001
(상기 화학식 A24 내지 J24에서， 다수의 L' 중 적어도 2개는 -CRbRc-CRa ¾ (Ra, ¾ 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고， 나머지는 수소이며，
상기 화학식 D24에서 Y는 -CH2— , -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 -S02-이다) [화학식 (A25) 내지 (J25)]
Figure imgf000047_0001
(상기 화학식 A25 내지 J25에서， 다수의 M' 중 적어도 2개는 -CRbRc-CRa=CH2 (Ra, Rb 및 Rc 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며, N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고, 나머지는 수소이며, 상기 화학식 D25에서. Y는 (¾-， -C(CH3-)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 S02-이다)
[화학식 (Α25' ) 내지 (J25' )]
Figure imgf000048_0001
(상기 화학식 Α25' 내지 j25' 에서， 다수의 Ν' 중 ^ 내지 3개는 _CRbRc_CRa=CH (Ra, I 및 Rc는 각각 독립적으로 Η, :또는 틴"소수: 1: 내지 6의 알킬기이고， 상기 ¾킬기는 직쇄상 알킬 또는.측쇄상 알킬일 수 있고， 고라형 또는 비고리형일 .수 있으며， N,.0,:S,: 또는 P 헤테로:원자를 갖거나 갖자 않을.수 있다. )이고 1 내자 3개는 하기 화학식 S3이고, 나머지는 수소이며， :
상가화학식 D25' 에서 Y는 -CH2-, -G(CH3)2-, -C(CF3)2—， -S- 또는 -502-이다) [화학식 (A26.) 내지 (J26)]
Figure imgf000050_0001
(상기 화학식 A26 내지 J26에서， P' 중 적어도 하나는 하기 화학식 S1이며， 나머지는 하기 화학식 S3ᅳ 수소， 및 -CRbRc-CRa=C¾ (Ra, Rb 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다)로 구성되는 그룹으로부터 각각 독립적으로 선택되며，
상기 D26에서 Y는 -(¾-， -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, ~S- 또는 ᅳ S02-이다)
[화학식 S1]
-CRbRc-CHRa-CHa-SiR^Rs
(화학식 S1에서， Ra, Rb 및 Rc 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 내지 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고， 나머지는 탄소수 1 내지 10 알킬기이며, 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다. 다만, 화학식 F26에서 S1이 하나인 경우에， 상기 화학식 S1 중 Ra, Rb및 Rc가 모두 수소이고， Ri 내지 R3 이 모두 탄소수 1 내지 6의 알콕시기인 경우는 제외된다.)
[화학식 S3]
Figure imgf000051_0001
(화학식 S3에서， 상기 Ra, Rb및 Rc는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)
[화학식 B1]
Figure imgf000052_0001
(상기 화학식 Bl에서ᅳ X는 CI, Br; I， -0-S02-CH3, -0-S02-CF3, 또는 -0-S02ᅳ C6H4- CH3 이며ᅳ Ra, I 및 Rc는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)
[화학식 B2]
HS i R1R2R
(화학식 B2에서, 내지 R3중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고 나머지는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이며， 상기 알칼기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 본 발명의 제 32견지에 의하면,
제 30견지 또는 제 31견지에 있어서， 상기 제 1단계는 상기 출발물질의 히드록시기 1 당량에 대하여 상기 화학식 B1의 알릴화합물의 알릴기가 0.5 내지 10 당량이 되도록 반웅되는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 33견지에 의하면，
제 30견지 또는 제 31견지에 있어서， 상기 제 1단계는 상온 내지 100°C로 1시간 내지 120시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 34견지에 의하면， 제 30견지 또는 제 31견지에 있어서， 상기 제 1단계에서 상기. 염기는 KOH, NaOH, K2C03, Na2C03, KHCOs, NaHC03, NaH, 트리에틸아만， 및 디이소프로필에틸 아민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 알종인 알콕시살릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 35견지에 의하면,
제 30견지 또는 제 31견지에 있어서， 상기 제 1단계에서 상기 용매는 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란， 메틸에틸케톤， 디메틸 포름아미드， 디메틸 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법아 제공된다. 본 발명의 제 36견지에 의하면,
제 30견지 또는 제 31견지에 있어서， 상기 제 2단계에서 상기 중간생성물 (11)은 140 °C 내지 250°C의 온도로 1 내지 200시간 동안 가열되는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 37견지에 의하면，
제 30견지 또는 제 31견지에 있어서， 상기 제 2단계에서 상기 용매는 자일렌， 1，2-다이클로로벤젠, 및 Ν,Ν-다이에틸아닐린으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 38견지에 의하면,
제 31견지에 있어서， 상기 제 2-1 단계는 상기 중간생성물 (12)의 히드록시기.1 당량에 대하여 상기 화학식 B1의 알릴화합물의 알릴기가 0.5 내지 10 당량이 되도록 반응되는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 39견지에 의하면， 제 31견지에 있어서， 상기 제 2-1 단계는 상온 내지 100°C로 1 내지 120시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 40견지에 의하면，
제 31견지에 있어서, 상기 제 2-1 단계에서 상기 염기는 KOH, NaOH, K2C03, Na2C03, KHCOs, NaHC03, NaH, 트라에틸아민， 및 디이소프로필에틸 아민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 41견지에 의하면,
제 31견지에 있어서, 상기 제 2-1 단계에서 상기 용매는 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란， 메틸에틸케혼， 디메틸 포름아미드， 디메틸 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 42견지에 의하면，
제 31견지에 있어서， 상기 제 2-2 단계는 14CTC 내지 250°C의 온도로 1 내지 200시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 43견지에 의하면,
제 31견지에 있어서， 상기 제 2-2 단계에서 상기 용매는 자일렌， 1,2- 다이클로로벤젠, 및 Ν,Ν-다이에틸아닐린으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 44견지에 의하면，
제 30견지 또는 제 31견지에 있어서， 상기 제 3단계는 상기 중간생성물 (12) 또는 중간생성물 (24)의 히드록시기 1 당량에 대하여 에피클로로히드린의 글리시딜기가 1 내지 10 당량이 되도록 반응되는 알콕시실릴기를 갖는. 에폭시 화합물와 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 45견지에 의하면，
제 30견지 또는 게 31견지에 있어서， 상기 제 3단계는 상온 내지 lCrc에서 1 내지 120시간 동안 행하는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 46견지에 의하면,
제 30견지 또는 제 31견지에 있어서， 상기 제 3단계에서 상기 염기는 KOH, NaOH, K2C03, Na2C03, KHCO3, NaHC03, NaH， 트리에틸아민, 및 디이소프로필에틸 아민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 47견지에 의하면，
제 30견지 또는 제 31견지에 있어서, 상기 게 3단계에서 상기 용매는 아세토나트릴， 테트라하이드로퓨란， 메틸에틸케톤， 디메틸 포름아마드， 디메틸 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 48견지에 의하면，
제 30견지 또는 제 31견지에 있어서， 상기 제 3-1 단계는 상가 중간생성물 (13) 또는 중간생성물 (25)의 알릴기 1 당량에 대하여 상기 과산화물의 퍼옥사이드 그룹이 1 내지 10 당량이 돠도록 반웅시키는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제.49견지에 의하면，
제 30견지 또는 제 31견지에 있어서, 상기 제 3-1 단계에서 과산화물은 m- CPBA(meta-chloroperoxybenzoic acid), ¾(¾， 및' DMDO(dimethyldioxirane)≤- 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. ' 본 발명의 제 50견지에 의하면，
제 30견지 또는 제 31견지에 있어서， 상기 제 3-1단계는 상온 내지 100°C로 1 내지 120시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 51견지에 의하면，
제 30견지 또는 제 31견지에 있어서， 상기 제 3-1단계에서 용매는 아세토니트릴， 테트라하이드로퓨란， 메틸에틸케톤, 디메틸 포름아미드, 디메틸 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 52견지에 의하면，
제 30견지 또는 제 31견지에 있어서， 상기 제 3-1단계에서 염기는 KOH, NaOH, K2CO3, KHCO3, NaH, 트리에틸아민， 및 디이소프로필쎄틸 아민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 53견지에 의하면，
제 30견지 또'는 제 31견지에 있어서， 상기 제 4단계는 상기 중간생성물 (15 중간생성물 (15' )， 중간생성물 (25) 또는 중간생성물 (25' )의 알릴기 1당량에 대하여 상기 화학식 B2의 알콕시실란이 1 당량 내지 5 당량이 되도록 반응시키는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 54견지에 의하면， 제 30견자 또는 제 31견지에 있어서， 상기 제 4단계는 상온 내지 120 °C로 1 내지 72시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 쎄폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. - 본 발명의 제 55견지에 의하면，
제 30견지 또는 제 31견지에 있어서， 상기 제 4단계에서 금속촉매는 Pt02 또는 ¾PtCl6인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 56견지에 의하면，
제 30견지 또는 제 31견지에 있어서, 상기 제 4단계에서 상기 용매는 를루엔, 아세토니트릴， 테트라하이드로퓨란， 메틸에틸케톤, 디메틸 포름아미드, 디메틸 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제 57견지에 의하면,
하기 화학식 AI 내지 KI로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물이 제공된다.
Figure imgf000058_0001
(상기 화학식 (AI) 내지 (KI)에서, 다수의 Q중 적어도 .하나는 하기 화학식 S1이며， 나머지는 하기 화학식 S3, 수소, 및 -C Rc-CRa=C¾ (Ra, ¾및 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이며 , 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)로 구성되는 그룹으로부터 각각 독립적으로 선택되며，
상기 DI에서 Y는 -(¾-， -C(C¾)2-, -C(CF3)2ᅳ， -S-또는 — S02_이다. [화학식 SI] .
-CRbRc-CHRa-CH2-SiRiR2R3
(화학식 SI에서， 상기 Ra, ¾및 Rc는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， ¾ 내지 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고， 나머지는 탄소수 1 내지 10 알킬기이며， 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다. 다만， 화학식 FI에서 화학식 S1이 하나인 경우에， 상기 화학식 S1 중 Ra, Rb 및 ¾가 모두 수소이고， R 내지 ¾ 이 모두 탄소수 1 내지 6의.알콕시기인 경우는 제외된다.)
[화학식 S3]
Figure imgf000059_0001
(화학식 S3에서, 상기 Ra, ¾및 Rc는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 본 발명의 제 58견지에 의하면，
제 57견지에 있어서， 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물， 글리시딜아민계 에폭시 화합물， 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물， 고무 개질된 에폭시 화합물， 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 에폭시 화합물을 추가로 포함하는 에폭시 조성물이 제공된다. 본 발명의 제 59견지에 의하면'
제 58견지에 있어서， 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀， 비페닐， 나프탈렌， 벤젠， 티오디페놀， 플루오렌 (fluorene), 안트라센ᅳ 이소시아누레이트， 트리페닐메탄， 1，1，2,2-테트라페닐에탄， 테트라페닐메탄, 4，4' -디아미노디페닐메탄， 아미노페놀 시클로 지방족， 또는 노볼락 유니트를 갖는 에폭시 조성물이 제공된다. 본 발명의 제 60견지에 의하면，
제 59견지에 있어서， 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비페닐， 나프탈렌， 또는 플루오렌을 갖는 에폭시 조성물이 제공된다. 본 발명의 제 61견지에 의하면，
제 57견지 내지 제 60견지 중 어느 일 견지에 있어서，, 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 10 내지 100wt% 미만 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물， 글리시딜계 에폭시 화합물， 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시필에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택돠는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt% 초과 내지 90wt% 로 포함하는 에폭시 조성물아 제공된다. 본 발명의 제 62견지에 의하면，
제 57견지 내지 제 60견지 중 어느 일 견지에 있어서，， 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 30 내지 100wt¾ 미만 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물， 글리시딜아민계 에폭시 화합물， 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물， 고무 개질된 에폭시 화합물， 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt%초과 내자 7Gwt% .로포함하는 에 ¾시 조성물이 제공된다. , 본 발명꾀 제 63.견지에 의하면,
하기 화학식 :/AI 내지 : KI로: 구성되는 ..그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 : 알콕시실릴기롤；:갖는 에폭시 화합물..및: ¾화제를 포함하는 에폭시 초성불이 제공된다,:
Figure imgf000062_0001
(상기 화학식 (AI) 내지 (KI)에서， 다수의 Q 중 적어도 하나는 하기 화학식 S1이며， 나머지는 하기 화학식 S3, 수소， 및 -CRbRc-CRa=CH2 (Ra, Rb및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이며， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)로 구성되는 그룹으로부터 각각 독립적으로 선택되며，
상기 Ε)Γ에서 Υ는 -(:¾-, -C(C¾)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 -S02-이다. [화학식 S1]
-CRbRc-CHRa-CH2-SiRiR2R3
(화학식 S1에서， Ra, Rb 및 Rc 는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, 내지 ¾ 증 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고， 나머지는 탄소수 1 내자 10 알킬기이며， 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다. 다만， 화학식 FI에서 S1이 하나인 경우에， 상기 화학식 S1 중 Ra, Rb 및 Rc가 모두 수소이고， ¾ 내자 R3이 모두 탄소수 1 내지 6의 알콕시기인 경우는 제외된다.)
[화학식 S3]
Figure imgf000063_0001
(화학식 S3에서 , 상기 Ra, Rb및 ¾는 각각독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며, N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) . 본 발명의 제 64견지에 의하면，
제 63견지에 있어서, 글리시딜에테르계 에폭시 화합물， 글리시딜계 에폭시 화합물， 글리시딜아민계 에폭시 화합물， 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물， 고무 개질된 에폭시 화합물， 지방족 폴뫼 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜.아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물을 추가로 포함하는 에폭시 조성물이 제공된다. 본 발명의 제 65견지에 의하면，
제 64견지에 있어서， 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀， 비페닐， 나프탈렌 벤젠， 티오디페놀, 플루오렌 (fluorene), 안트라센， 이소시아뉴레이트， 트리페닐메탄， 1，1，2，2-테트라페닐에탄， 테트라페닐메탄， 4,4' -디아미노디페닐메탄， 아미노페놀 시클로 지방족, 또는 노볼락 유니트를 갖는 에폭시 조성물이 제공된다. 본 발명의 제 66견지에 의하면，
제 65 지에 있어서, 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비페닐, 나프탈렌， 또는 플루오렌을 갖는 에폭시 조성물이 제공된다. 본 발명의 제 67견지에 의하면，
제 63견지 내지 제 66견지 중 어느 일 견지에 있어서,， 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 10 내지 100wt% 미만 및 글리시딜에테르계 쎄폭시 화합물， 글리시딜계 에폭시 화합물， 글리시딜아민계 에폭시 화합물， 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물， 고무 개질된 에폭시 화합물， 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt% 초과' 내지 90wt%로 포함하는 에폭시 조성물이 제공된다. 본 발명의 제 68견지에 의하면，
제 63견지 내지 제 67견지 중 어느 일 견지에 있어서，， 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 30 내지 100wt% 미만 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물， 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물， 고무 개질된 에폭사 화합물， 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 Owt% 초과 내지 70wt¾로 포함하는께폭시 조성물이 제공된다. 본 발명의 제 69견지에 의하면，
제 57 내지 제 68견지 중 어느 일 견지에 있어서,, 경화촉진제를 추가로 포함하는 에폭시 조성물이 제공된다. 본 발명의 제 70견지에 의하면'
제 57 내지 제 69항 중 어느 일 견지에 있어서，， 무기입자 및 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 충전제를 추가로 포함하는 에폭시 조성물이 제공된다. 본 발명의 제 기견지에 의하면，
제 70견지에 있어서， 상기 무기입자는 Si02, Zr02, 및 Ti02, A1203 로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 금속산화물, 및 T-10형 실세스퀴녹산， 래더 (ladder)형 실세스퀴녹산， 및 케이지형 실세스퀴녹산로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에폭시 조성물이 제공된다. 본 발명의 제 72견지에 의하면，
제 70견지 또는 제 기견지에 있어서， 상기 에폭시 조성물에서， 상기 무기입자는 에폭시 화합물에 대하여 5~1000 phr의 양으로 사용되는 에폭시 조성물이 제공된다. 본 발명의 제 73견지에 의하면,
제 70견지 또는 72견지에 있어서 에폭시 조성물에서, 상기 무기입자는 에폭시 화합물에 대하여 lQOphr
Figure imgf000065_0001
900 phr의 양으로 사용되는 에폭시 조성물이 제공돤다. 본 발명의 제 74견지에 의하면， ―
제 70견지 또는 73견지에 있어서， 상기 에폭시 조성물에서， 상기 무기입자는 에폭시 화합물에 대하여 50phr 내지 200 phr의 양으로 사용되는 에폭시 조성물이 제공된다. 본 발명의 제 75견지에 의하면，
제 70견지에 있어서， 상기 섬유는 E, T(S), NE, E, D, 및 석영으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 유리섬유 및 액정 폴리에스테르 섬유， 폴리에틸렌테레프탈레이트 섬유， 전방향족 섬유， 폴라옥시벤자졸 섬유， 나일론 섬유, 폴리에틸렌 나프탈레이트 섬유， 폴리프로필렌 섬유， 폴리에테르 술폰 섬유， 폴리비닐리덴플로라이드 섬유, 폴리에틸렌 술파이드 섬유， 및 풀리에테르에테르케톤 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 유기 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에폭시 조성물이 제공된다. 본 발명의 제 76견지에 의하면，
제 75견지에 있어서， 상기 섬유는 E 유리섬유인 에폭시 조성물아 제공된다. 본 발명의 제 77견지에 의하면
제 75견지에 있어서， 상기 섬유는 T유리섬유인 에폭시 조성물이 제공된다. 본 발명의 제 78견지에 의하면，
제 70견지 및 제 76견지 내지 제 77견지 중 어느 일 견지에 있어서，， 상기 에폭시 조성물의 총 증량에 대하여 상기 섬유는 10 wt% 내지 90 %로 포함되는 에폭시 조성물이 제공된다. 본 발명의 제 79견지에 의하면, 제 57견지 내지게 78견지 중 어느 일 견지의 에폭시 조성물은 포함하는 전자재료가 제공된다. 본 발명의 제 80견지에 의하면,
제 57견지 내지 게 78견지 중 어느 일 견지의 에폭시 조성물은 포함하는 프리프레그가 제공된다. 본 발명의 제 81견지에 의하면，
제 80견지의 프리프레그에 금속층이 배치된 적층판이 제공된다. 본발명의 제 82견지에 의하면'
제 57견지 내지 제 78견지 중 어느 일 견지의 에폭시 조성물을 포함하는 기판이 제공된다. 본 발명의 제 83견지에 의하면，
제 57견지 내지 제 78견지 중 어느 일 견지의 에폭시 조성물을 포함하는 필름이 제공된다. 본 발명의 제 84견지에 의하면，
제 80견지의 프리프레그를 포함하는 인쇄배선판이 제공된다. 본 발명의 제 85견지에 의하면，
제 84견지의 인쇄배선판에 반도체 소자가 탑재된 반도체 장치가 제공된다. 본 발명의 제 86견지에 의하면，
제 57견지 내자 제 78견지 중 어느 일 견지의 에폭시 조성물을 포함하는 반도체 꽤키징 재료가 제공된다. 본 발명의 제 87견지에 의하면,
제 86견지의 반도체 패키징 재료를 포함하는 반도체 장치가 제공된다. 본 발명의 제 88견지에 의하면，
제 57견지 내지 제 78견지 중 어느 일 견지의 에폭시 조성물의 경화물이 제공된다. 본 발명의 제 89견지에 의하면，
열팽창계수가 50ppm/°C 내지 150ppm/°C인 제 57견지 내지 제 69견지 중 어느 일 견지의 에폭시 조성물의 경화물이 제공된다. 본 발명의 제 90견지에 의하면，
열팽창계수가 15ppm/°C이하인 제 70견지 내지 제 78견지 중 어느 일 견지의 에폭시 조성물의 경화물이 제공된다. 본 발명의 제 91견지에 의하면，
유리전이온도가 100°C 보다 높거나 유리전이온도를 나타내지 않는 제 70견지 내지 제 78견지 증 어느 일 견지의 에폭시 조성물의 경화물이 제공된다.
【발명와호과】
본 발명에 의한 새로운 알콕시실릴가를 갖는 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물은 복합체에서， 에폭시 화합물 중 알콕시실릴기와 충전제의 화학적 결합에 의해, 에폭시 화합물과 충전제 사이의 화학결합 효율이 향상되며， 이러한 화학결합 효율의 향상으로 인하여， 향상된 내열특성， 즉， 에폭시 복합체의 CTE가 감소되고 유리전이온도 상승 또는 유리전이온도를 나타내지 않는 (이하， 'Tg 리스' 라 함) 효과를 나타낸다. 또한， 본 발명에 의한 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물을 포함하는 경화물은 알콕시실릴기의 도입에 의해, 우수한 난연성을 나타낸다. 나아가, 본 발명에 의한 에폭시 조성물을 기판의 금속필름에 작용하는 경우에， 금속필름 표면의 작용기와 알콕시실릴기의 화학결합에 의해 금속필름에 대하여 우수한 접착력을 나타낸다. 더욱이， 본 발명의 알콕사실릴계 에폭시 화합물을 포함하는 조성물은 알콕시실릴계 에폭시 화합물쎄 의한 상기 화학결합의 효율 향상으로 인하여， 종래 에폭시 조성물에 일반적으로 배합되던 실란커플링제의 배합을 필요로 하지 않는다. 상기 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물은 경화 (열경화 및 /또는 광경화 포함) 효율이 우수한 것으로 경화에 의한 복합체 형성시, 낮은 CTE 및 높은 유리전인온도 혹은 Tg 리스의 우수한 열팽창특성올 나타낸다.
【도면의 간단한 설명】
도 1은 비교예 1， 실시예 2의 CTE와 Tg 변화를 보여주는 그래프이다.
도 2는 비교예 6(도 a), 실시예 12(도 b) 및 실시예 13(도 c)의 CTE 변화를 보여주는 그래프이다.
도 3은 비교예 7(도 a), 실시예 17(도 b) 및 실시예 18(도 c)의 CTE 변화를 보여주는 그래프이다. '
도 4는 비교예 8(도 a) 및 실시예 20(도 b)의 CTE 변화를 보여주는 그래프이다. 도 5는 비교예 10(도 a), 실시예 23(도 b) 및 실시예 24(도 c)의 CTE 변화를 보여주는 그래프이다.
도 6은 실시예 2(도 a)와 실시예 13(도 b)의 Tg 변화를 보여주는 그래프이다.
도 7은 실시예 4(도 a)와 실시예 18(도 b)의 Tg 변화를 보여주는 그래프이다.
도 8은 실시예 6(도 a)와 실시예 20(도 b)의 Tg 변화를 보여주는 그래프이다.
도 9는 실시예 9(도 a)와 실시예 24(도 b)의 Tg 변화를 보여주는 그래프이다.
도 10은 알콕시실릴기 수의 변화에 따른 에폭시 경화물과 복합체의 CTE 관계를 보여주는 그래프이다.
도 11은 실시예 12와 비교예 6의 에폭시 경화물물의 연소 후 상태를 나타내는 사진이다. 도 12는 실시예 17과 비교예 7의 에폭시 경화물물의 연소 후 상태를 나타내는 사진이다.
도 13은 실시예 20과 비교예 8의 에폭시 경화물물의 연소 후 상태를 나타내는 사진이다.
도 14는 실시예 23과 비교예 9의 에폭시 경화물물의 연소 후 상태를 나타내는 사진이다.
【발명올 실시하기 위한 구체적인 내용】
본 발명은 에폭시 조성물의 경화에 의한 복합체에서 개선된 내열특성， 구체작으로는 낮은 CTE 및 높은 Tg 혹은 Tg 리스 및 /또는 경화물에서 우수한 난연성올 갖는 새로운 알콕시실릴계 에폭시 화합물, 이의 제조방법， 이를 포함하는 에폭시 조성물과 경화물 및 이의 용도를 제공하는 것이다. 본 발명에서 "복합체" 란 에폭시 화합물 및 층전제인 무기재료 (섬유 및 /또는 무기입자)를 포함하는 조성물의 경화물을 말한다. 본 발명에서 "경화물" 이란 에폭시 화합물을 포함하는 조성물의 경화물을 말하는 것으로， 에폭시 화합물; 경화제; 그리고 임의의 무기재료 (충전제)， 임의의 경화촉매 및 기타 첨가제로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종을 포함하는, 어떠한 에폭시 화합물을 포함하는 조성물의 경화물을 말한다. 또한， 상기 경화물은 반경화물을 포함하는 의미로 사용된다. 본 발명에 의한 알콕시실릴계 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물은 경화에 의한 복합체 형성시,， 에폭시기는 경화제와 반응하여 경화반응이 진행되고， 알콕시실릴기는 무기재료인 충전제 표면과 계면 결합을 형성한다. 따라서， 매우 우수한 에폭시 복합체 시스템와 화학결합 형성 효율을 나타내므로， 낮은 CTE 및 높은 유리전이온도 상승효과 또는 Tg-리스 (less)를 나타낸다. 따라서, 치수안정성이 향상된다. 또한, 본 발명에 의한 알콕시실릴계 에폭시 화합물을 포함하는 경화물은 우수한 난연성을 나타낸다. 나아가, 본 발명에 의한 알콕시실릴계 에폭시. 화합물을 .포함하는 에폭시 조성물은 우수한 경화특성을 나타낸다. 상기 경화특성은 열경화 및 광경화 모두를 포함한다. 나아가, 본 발명에 의한 에폭시 조성물은 화학적으로 처리된 금속필름, 예를 들어 동박 등에 적용시， 금속표면 처리에 의한 금속표면의 -0H기 등과 화학결합하므로 금속필름과 우수한 접착력을 나타낸다.
1. 화합물
본 발명의 일 실시형태에 의하면， 코어에 적어도 하나의 하가 화학식 S1의 치환기 및 적어도 두 개의 에폭시기를 갖는 알콕시실릴계 에폭시 화합물이 제공된다. 상기 에폭시기는 구체적으로 하기 화학식 S2의 치환기일 수 있다. [화학식 S1]
-CRbRc-CHRa-CH2-S i R1R2R3 상기 화학식 SI에서， Ra, ¾및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6 의 알킬기이고， Ri 내지 ¾ 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6 알콕시기이고, 나머지는 탄소수 1 내지 10 알킬기이며, 상기 알킬기 및 알콕시가는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며, N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다. 바람직하게는 상기 ¾ 내지 R3 는 에록시기이다.
[화학식 S2]
Figure imgf000071_0001
또한， 상기 본 발명의 일 실시형태에 의하여 제공되는 알쿡시실릴계 에폭入' 화합물은 하기 화학식 S3의 치환기를 추가로 포함할 수 있다. [화학식 S3]
Figure imgf000072_0001
상기 화학식 S3에서， Ra, Rb및 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6 의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다. 본 명세서에서 사용된 용어ᅳ "코어" 는 적어도 세 개의 치환기를 가질 수 있는 직쇄상 또는 측쇄상， 또는 고리형 또는 비고리형， 또는 방향족 또는 지방족 탄화수소 화합물을 말하며, 이는 또한， N, 0, S， 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다. 본 명세서에서 사용된 용어 "방향족 화합물" 은 화학분야에서 규정되는 방향족 화합물의 의미로 사용되며, 헤테로 원소를 포함하지 않는 방향족 화합물뿐만 아니라 헤테로 방향족 화합물을 포함하며， 헤테로 방향족 화합물에서 헤테로 원자로는 N, 0, S, 또는 P를 포함할 수 있다. 상기 코어는 방향족 화합물일 수 있다. 상기 방향족 화합물의 예로는 이로써 한정하는 것은 아니지만， 벤젠 (benzene), 나프탈렌 (naphthalene) , 바이페닐 (biphenyl), 플루오렌 (f luorene)， 안트라센 (anthracene)， 페난트렌 (phenanthrene) , 크리센 (chrysene) , 피렌 (pyrene), 아눌렌 (annulene) , 코라눌렌 (corannulene) , 코로넨 (coronene)， 퓨린 (purine), .피리미딘 (pyrimidine) 벤조피렌 (benzopyrene), 디벤즈안트라센 (dibenzanthracene)， 또는 핵사헬리센 (hexahelicene) 또는 상기 화합물 중 적어도 하나 이상이 직접 또는 링커에 의한 공유결합으로 연결된 다환 방향족 화합물일 수 있다. 상기 링커는 -CRe¾- (상기 식에서 Re 및 Rf는 각각 독립적으로 수소， F, CI, Br 또는 I의 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 탄소수 4~6개의 고리형 화합물임)， 카르보닐 (-C0-), 에스터 (-C00-), 카보네이트 (-0C00-), 에틸렌 (-CH2CH2—), 프로필렌 (-CH2CH2CH2_), 에테르 (-으)， 아민 (― NH-), 티오에테르 (-S -)， 또는 설퍼릴 (ᅳ 수 있다. 상기 코어는 하기 화학식 A' 내지 Κ' 로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 어떠한 하나일 수 있다.
[코어 구조]
Figure imgf000073_0001
상기 화학식 D' 에서， Υ는 -CH2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -S— 또는 -S02-이다. 상기 본 발명의;：일 실시형태에 의하여 제공돠는 알콕시실릴；계：에폭시 화합물은 구체적：으로， 하기: 화학직 Α Γ 내지 .,1(1으¾ 구성되는 그룹으로부터. 선택되는 어떠한 알콕시실 기계 에폭시 화합물일 수 있다.
[화학식 A I 내지 KI]
Figure imgf000075_0001
상기 화학식 (AI) 내지 (KI)에서， 다수의 Q 중 적어도 하나， 예를 들어， 1 내지 4개는 하기 화학식 S1이며， 나머지는 하기 화학식 S3, 수소， 및 -CRbRc-CRa=CH2 (Ra, ¾및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이며， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 로 구성되는 그룹으로부터 각각독립적으로 선택.되며， 상기 DI에서 Y는 -CH2-, -C(CH3)2—， - C(CF3)2-, -S- 또는 —S02-이다.
[화학식 S1]
-CRbRc-CHRa-CH2-S i R1R2R3 상기 화학삭 SI에서， Ra, Rb및 Rc는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6 의 알킬기이고， 내지 R3 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6 알콕시기이고， 나머지는 탄소수 1 내지 10 알킬기이며， 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형알 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다. 다만， 화학식 FI에서， S1이 하나인 경우에， 상기 S1에서， Ra, Rb 및 Rc가 모두 수소이고， 내지 이 모두 탄소수 1 내지 6 알콕시기안 경우는 제외된다. 바람직하게는 상기 ¾ 내지 R3는 에특시기이다.
[화학식 S3]
Figure imgf000076_0001
상기 화학식 S3에서， Ra, Rb및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이며， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다. 본 발명와 일 실시형태에 있어서， 상기 알콕시실릴계 에폭시 화합물은 상기 화학식 AI 내지 DI로부터 선택되는머떠한 하나밀 수 있다. 또한， 본 발명의 일 . 실시형태에 있어서， 상기 알콕사실릴계 에폭시 화합물은 상기 화학식 BI 또는 화학식 DI일 수 있다. 또한， 예를들어， 상기 화학식 DI 화합물에서， Y는 - C(CH3)2-일 수 있다. 본 발명의 다른 실시형태에 있어서， 상기 화학식 AI 내지 KI의 화합물 중 어느 하나， 예를들어, 상기 화학식 AI 내지 DI의 화합물 중 어느 하나， 예를들어， BI 또는 DI의 화합물， 예를들어， Y가 -C(C¾)2인 DI 화합물은 상기 화학식 S3
치환기를 추가로, 예를들어 1 내지 3개의 S3 치환기를 포함할 수 있다. 상기 화학식 AI 내지 ΚΓ의 화합물을 포함하는 복합체는 알콕시실릴기 도입으로 인하여, 복합체의 유리전이온도가 상승 또는 Tg 리스 효과를 나타내지만， 무기재료를 포함하지 않는 화학식 ΑΓ 내지 KI 의 화합물 자체의 경화물은 풀렉서블한 알콕시 실릴기의 도입으로 인하여， 유리전이온도가 감소되는 경향이 있다. 이러한 무기재료를 포함하지 않는 에폭시 화합물의 자체의 경화물의 유리전이온도 감소는 에폭시 화합물에서 존재하는 에폭시기와 알콕시실릴기의 농도비 (당량바)에 의존하는 경향을 보인다. 따라서， 복합체의 내열특성을 고려할 때， 에폭시 화합물의 알콕시 실릴기의 농도 증가는 에폭시 화합물 자체 경화물의 CTE축면에서는 바람직하지만， 에폭시 화합물 자체 경화물의 유리전이온도 감소로 인하여 복합체의 유리전이 온도가 낮아질 수 있으므로， 이 같은 경우， 복합체의 레진 함량 감소 또는 에폭시 화합물쎄 .추가적으로 상기 화학식 S3의 에폭시기를 도입하여 복합체의 유리전이 은도를 을리거나 Tg-리스가 되도록 보완할 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에 의하면， 상기 알콕시 실릴계 에폭시 화합물의 구체적인 예는 상기 화학식 M에 기재된 것일 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에 의하면， 또한， 상기 중간생성물 (All) 내지 (K11), 예를들어 . (All) 내지 (D11)， 또한， 예를들어， 상기 화학식 S11의 화합물 ; 중간생성물 (A12) 내지 (K12), 예를들어, (A12) 내지 (D12), 또한， 예를들어, 상기 화학식 S12의 화합물; 중간생성물 (A13) 내지 (K13), 예를들어 , (A13) 내지 (D13), 또한， 예를들어 상기 화학식 S13의 화합물; 중간생성물 (Α13' ) 내지 (Κ13' ) , 예를들어， (Α13' ) 내지 (D13' )， 또한， 예를들어， 상기 화학식 S13' 의 화합물; 중간생성물 (Α23) 내지 (J23), 예를들어 (Α23) 내지 (D23), 또한 예를들어 상기 화학식 S23의 화합물； 중간생성물 (Α24) 내지 (J24), 예를들어 (Α24) 내지 (D24), 또한 예를들어 상기 화학식 S24의 화합물; 중간생성물 (Α25) 내지 (J25), 예를들어 (Α25) 내지 (D25), 또한 예를들어 상기 화학식 S25의 화합물; 및 중간생성물 (A25' ) '내지 (J25' )， 예를들어 (A25' ) 내지 (D25' ) , 또한 예를들어, 상기 화학식 S25' 의 화합물이 제공된다. 본 발명의 또 다른 실시형태에 의하면， 상기 화학식 (ΑΡ) 내지 (ΚΡ), 예를 들어, 화학식 (ΑΡ) 내지 (DP), 예를 들어, 화학식 (CP) 또는 (DP)의 에폭시 폴리머가 제공된다. 상기 화학식 (AP) 내지 (KP)의 에폭시 폴리머에서 반복단위 m은 1 내지 100의 정수， 바람직하게는 1 내지 10의 정수일 수 있다. 예를들어， 상기 본 발명에 의한 알콕시실릴기계 에폭시 화합물 제조시, 즉 에피클로히드린을 이용한 방향족 알코올의 에폭시화 반웅시， 반응생성물 (코어)에 도입된 에폭시기가 반웅물 (reactant)의 히드록시기와 반웅하여， 모노머 형태의 에폭시 이외에， 다이머 이상의 분자량을 가지는 에폭시 (본 명세서에서 '에폭시 폴리머' 라 함)가 동시에 형성될 수 있다. 본 명세서에서， "에폭시 폴리머" 는 올리고머 및 폴리머를 포함하는 의미로 사용된다.
2. 에폭시화합물의 제조방법
본 발명의 다른 실시형태에 의하면， 상기 본 발명의 일 실시형태에 의한 코어에 적어도 하나의 상기 화학식 S1 치환기 및 두 개의 에폭시기, 구체적으로 상기 화학식 S2의 에폭시기 그리고 임의의 상기 화학식 S3의 에폭시기를 포함하는 상기 알콕시실릴계 에폭시 화합물， 예를들어， 상기. 화학식 AI 내지 KI의 알콕시실릴계 에폭시 화합물， 예를들어， 상기. 화학식 AI 내지 DI, 예를들어, 상기 화학식 CI 또는 DI , 예를들어， Y가 -C(CH3)2-인'화학식 DI의 알콕시실¾계 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 상기 알콕시실릴계 에폭시 화합물은 출발물질, 예를들어， 하기 화학식 (AS) 내지 (KS)증 어느 하나의 알릴화, 클라이센 리어레인지먼트 (Claisen Rearrangement), 에폭시화 및 알콕시실릴화로 제조될 수 있다. 다만, 하기 본 발명의 일 구현에 꾀한 알콕시실릴계 에폭시 화합물의 제조방법에서 명확하게 이해되는 바와 같이, 알릴화 및 클라이센 리어레인지먼트가 각각 1회 행하여지는 경우에는 상기 화학식 (A14) 내지 (K14)의 알콕시실릴계 에폭시 화합물이 얻어지며， 알릴화 및 클라이센 리어레인지먼트가 각각 2회 행하여지는 경우에는 상기 화학식 (A26) 내지 (J26)의 알콕시실릴계 에폭시 화합물이 얻어진다. 상기 화학식 (AI) 내지 (KI)는 두 가지 경우를 모두 포함하도록 기재되었다. 본 발명의 일 실시형태에 의하면， 하기 화학식 (AS) 내지 (KS)중 하나의 출발물질의 알릴화 (제 1단계)， 클라이센 리어레인지먼트 (제 2단계)， 에폭시화 (제 3단계), 임의의 추가적인 에폭시화 (제 3-1단계) 및 알콕시실릴화 (제 4단계)를 포함하는 알콕시실릴계 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 이하， 상기 방법을 방법 1이라 하며， 이에 대하여 기술한다. 제 1단계에서는 하기 화학식 (AS) 내지 (KS)중 어느. 하나의 출발물질의 히드록시기를 알릴화하므로써 하기 화학식 (All) 내지 (K11)중 어느 하나의 중간생성물 (11)이 얻어진다. 이때， 출발물질 (AS) 내지 (KS)의 2개의 히드록시기 중에서 하나만이 알릴화될 수도 있고， 두개의 히드록시기가 모두 알릴화될 수도 있다. 제 1단계에서 알릴화되는 히드록시기의 수에 따라， 최종 목적물인 화학식 (AI) 내지 (KD의 알콕시실릴계 에폭시 화합물에서， 관능기인 알콕시실릴기의 수가 달라질 수 있다. 구체적으로 하나의 히드록시기만 알릴화되면, 최종 목적물에서 화학식 S1인 알콕시실릴기의 수가 1개이다. 2개의 히드록시기가 모두 알릴화되면， 최종 목적물에서 화학식 S1의 알콕시실릴기의 수가 최대 2개일 수 있으며， 혹은 화학식 S1의 알콕시실릴기 하나와 화학식 S3의 에폭시기가 하나 일 수 있다. 알릴화되는 히드록시기의 수는 반웅물의 당량비를 조절하여 행할 수 있다. 제 1단계에서는 상기 화학식 (AS) 내지 (KS)중 하나의 출발물질과 화학식 B1의 알릴화합물을 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반웅시킨다. 이때, 출발물질의 히드록시기 1당량에 대하여 화학식 B1의 알릴화합물의 알릴기가 0.5 내지 10당량이 되도록 반응된다.
[화학식 (AS) 내지 (KS)] -출발물질
Figure imgf000081_0001
상기 화학식 DS에서 Y는 -CH2-, -C(CH3)2—， — C(CF3)2-, -S- 또는 -S02ᅳ이다.
[화학식 B1]
Figure imgf000081_0002
상기 화학식 Bl에서， X는 CI, Br 또는 I， -()-S02— CH3， -0_S02-CF3 , 또는 -0-S02- C6H4-CH3 이고， Ra, ¾ 및 Rc 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6 의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며, N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다. 제 1단계 반응의 반웅온도 및 반웅시간은 반웅물의 종류에 따라 달라지지만, 예를 들어， 상온 (예를 들어, 15°C 내지 25°C) 내지 10CTC로 1 내지 120시간동안 반웅시키므로써 하기 화학식 (All) 내지 (K11)중 어느 하나의 중간생성물 (11)이 얻어진다.
[화학식 (All) 내지 (K11)]
Figure imgf000082_0001
상기 화학식 All 내지 K11에서， 두 개의 K 중 적어도 하나는 -0-CH2-CRa=CRbRc (단， . 및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고ᅤ 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고， 나머지는 히드록시기이며， 상기 화학식 D11에서 Y는 -(¾ᅳ， -C(C¾)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는— S02—이다. 사용 가능한 염기의 예로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를 들어 K0H, NaOH, K2C03, Na2C03( KHC03) NaHC03, NaH, 트리에틸아민， 디이소프로필에틸 아민올 들 수 있다. 이들 염기는 단독으로 혹은 2가지 이상의 함께 사용될 수 있다. 염기는 상기 출발물질의 히드록시 그룹 1당량에 대하여 1 당량 내지 5 당량으로 사용하는 것이 반응효율 측면에서 좋다. 제 1단계 반웅에서 용메는 필요에 따라 임의로 사용될 수 있다. 예를 들어， 제 1단계 반응에서 별도의 용매 없이도 반웅온도에서 반웅물의 점도가 반웅이 진행되기에 적합하면 용매를 사용하지 않을 수 있다. 즉, 반웅물의 흔합 및 교반이 용매 없이 원활하게 진행될 수 있을 정도로 반웅물꾀 점도가 낮아지면 별도의 용매를 필요로 하지 않으며, 이는 당업자가 용이하게 판단할 수 있다.. 용매를 사용할 경우， 가능한 용매로는 반응물을 잘 용해할 수 있으며， 반웅에 어떠한 악영향을 미치지 않고 반웅 후에 쉽게 제거될 수 있는 한 어떠한 유기용매가사용될 수 있으며， 이로써 특히 한정하는 것은 아니지만， 예를 들어， 아세토니트릴， THFCtetra hydro furan), MEK(methyl ethyl ketone), DMF(dimethyl formamide), DMS0( dimethyl sulfoxide), 메틸렌 클로라이드 (MC) 등이 사용될 수 있다. 이들 용매는 단독으로 혹은 2가지 이상이 함께 사용될 수 있다. 용매의 사용양은 특히 한정하는 것은 아니며， 반웅물이 충분히 용해되고 반웅에 바람직하지 않은 영향을 미치지 않는 범위에서 적합한 양으로 사용될 수 있으며， 이 기술분야의 기술자는 이를 고려하여 적합하게 선택할수 있다. 제 2단계에서는 상기 제 1단계에서 얻어진 중간생성물 (11)을 가열함에 따라， 클라이센-리어레이지먼트 (Claisen Rearrangement )에 의해 하기 화학식 (A12) 내지 (K12)의 중간생성물 (12)가 형성된다. 상기 중간 생성물 (11)은 14CTC 내지 250°C의 온도로 1 내지 200 시간 동안 가열하므로써 클라이센 -리어레이지먼트될 수 있다. 상기 제 2 단계 반웅은 필요에 따라， 용매의 존재하에서 행하여 질 수 있으며， 용매로는 이로써 한정하는 것은 아니지만， 자일렌， 1，2-다이클로로벤젠， Ν,Ν-디에틸아닐린 등이 사용될 수 있다. -
[화학식 (A12) 내지 (K12)]
Figure imgf000085_0001
상가화학식 A12 내지 K12에서， L 중 적어도 하나는 - CRbRc-CRa=C¾(식중， Ra, Rb 및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 . 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P.해테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다. ) 이고， 나머지는 수소이며, 상기 화학식 D12에서 Y는 -CH2-, -C(C¾)2ᅳ， -C(CF3)2-, -S- 또는 -S02- 이다. 제 3단계에서는 상기 화학식 (A12) 내지 (K12) 중 어떠한 하나의 중간생성물 (12)와 에피클로로히드린의 반응으로 히드록시기를 에폭시화하여 하기 화학식 (A13) 내지 (K13)의 중간생성물 (13)을 형성한다. 이때， 중간생성물 (12)과 에피클로로히드린은 중간생성물 (12)의 히드록시 그룹 1 당량에 대하여 에폭시기가 1 내지 10 당량이 되도록 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반웅시켜서 중간생성물 (13)을 형성한다. 뿐만 아니라, 임의의 용매를 사용하지 않고 용매 대신에 에피클로히드린을 과량으로 사용할 수도 있다.
[화학식 (A13) 내지 (K13)]
Figure imgf000087_0001
상기 화학식 A13 내지 K13에서， 2개의 M 중 적어도 하나는 - CRbRc-CRa=CH2 (식중, Ra, Rb 및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N,
0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고， 나머지는 수소이몌 상기 화학식 D13에서 Y는 -(¾-， -C(C¾)2-, ᅳ C(CF3)2ᅳ， -S- 또는 -S02- 이다. 제 3단계의 반웅온도 및 반웅시간은 반웅물의 종류에 따라 달라지지만， 예를 들어， 상온 (예를 들어, 15°C 내지 25°C) 내지 100°C로 1 내지 120시간 동안 반응시키므로써 중간생성물 (13)이 형성된다. 사용가능한 염기의 예로는 이로써 한장하는 것은 아니지만， 예를 들어， K0H, NaOH, K2C03, Na2C03, KHC03, NaHC03, NaH, 트리에틸아민， 디이소프로필에틸 아민을 들 수 있다. 이들 염기는 단독으로 혹은 2가지 이상의 함께 사용될 수 있다. 염기는 중간생성물 (12)의 히드록시 그룹 1당량에 대하여 1 당량 내지 5 당량으로 사용하는 것이 반응효율 측면에서 좋다. 제 3단계의 반응에서 용매는 필요에 따라 임의로 사용될 수 있다. 예를 들어 제 3단계의 반웅이 별도의 용매 없이도 반웅온도에서 반응물의 점도가 반웅이 진행되기에 적합하면 용매를 사용하지 않을 수 있다. 즉, 반응물의 흔합 및 교반이 용매 없이 원활하게 진행될 수 있을 정도로 반웅물의 점도가 낮아지면 별도의 용매를 필요로 하지 않으며， 이는 당압자가 용이하게 판단할 수 있다. 용매를 사용할 경우， 가능한 용매로는 반웅물을 잘 용해할 수 있으며， 반웅에 어떠한 악영향을 미치지 않고 반웅 후에 쉽게 제거될 수 있는 한 어떠한 유기용매가사용될 수 있으며， 이로써 특히 한정하는 것은 아니지만， 예를 들어， 아세토니트릴， THF(tetra hydro furan), MEK(methyl ethyl ketone), DMF(dimethyl formamide) , DMS0(dimethyl sulfoxide), 메틸렌 클로라이드 (MC) 등이 사용될 수 있다. 이들 용매는 단독으로 흑은 2가지 이상이 함께 사용될 수 있다. 용매의 사용양은 특히 한정하는 것은 아니며, 반응물이 층분히 용해되고 반웅에 바람직하지 않은 영향을 미치지 않는 범위에서 적합한 양으로 사용될 수 있으며， 이 기술분야의 기술자는 이를 고려하여 적합하게 선택할 수 있다. 한편, 거1 3단계의 에폭사화ᅵ 과정에서， 하기 반웅식 (1)에 나타낸 바와 같은 반웅이 진행되어， 에폭시화된 중간생성물 (13)이 중간생성물 (12)의 히드록시기와 반웅하여 상기 화학식 (AP) 내지 (KP)로 나타낸 바와 같은 이합체 이상의 폴리머가 형성될 수 있다. 하기 반웅식 (1)은 중간생성물 (B12)의 에폭시화로 중간생성물 (B13)이 생성되며， B13에서 M이 모두 -CH2-CH=CH2인 경우를 예로 하여 나타내었다.
[반응식 1]
Figure imgf000089_0001
(단， m은 1 내지 100의 정수임.) 상기 제 3단계 후에， 필요에 따라 임의^ 알릴기를 에폭시화하는 추가적인 에폭시화 제 3-1단계가 행하여질 수 있다. 쎄 3-1단계에서는， 중간생성물 (13) 중 어느 하나의 화합물의 알릴기를 산화시켜서 에폭시화하므로써 하기 화학식 (Α13' ) 내지 (K13' )중 어느 하나와 중간생성물 (13' )가 얻어진다. 제 3-1단계에서는 상기 중간생성물 (13)과 과산화물을 임의의 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반웅시킨다. 이 때， 상기 중간생성물 (13)의 알릴기 그룹 1당량에 대하여 과산화물의 퍼옥사이드 그룹이 1 당량 내지 10 당량이 되도록 중간생성물 (13)과 과산화물이 반웅된다.
[화학식 (A13' ) 내지 (K13' )]
Figure imgf000090_0001
상기 화학식 A13' .내지 13' 에서， Ν 증 하나는 - CRbRc-CRa=CH2 (식중， Ra, Rb및 Rc는 각각 독립적으로 Hᅳ또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며 , N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고， 다른 하나는 상기 , 화학식 S3이며， 상기 화학식 D13' 에서 Y는 -(¾-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2—， -S- 또는 -so2-이다. 제 3-1단계 반웅의 반웅온도 및 반웅시간은 반웅물의 종류에 따라 달라지지만, 예를들어， 상온 (예를 들어， 15°C 내지 25°C) 내지 K rC로 1 내지 120시간일 수 있다. 상기 과산화물로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를 들어， tn-CPBA (meta- chloroperoxybenzoic acid), ¾(¾， 聽ᄋ (dimethyldioxirane)가 入용될 수 있다. 이들 과산화물은 단독으로 혹은 2가지 이상이 함께 사용될 수 있다. 상기 제 3-1단계 반응에서 염기는 필요에 따라 임의로 사용될 수 있다. 상기 염기는 반웅 후, 사용되는 과산화물의 종류에 따라 잔류할 수 있는 산 성분을 중화시키기 위해 사용된다. 사용가능한 염기의 예로는 이로써 한정하는 것은 아니지만， 예를 들어， KOH, NaOH, K2C03, KHC03, NaH, 트리에틸아민, 디이소프로필에틸 아민을 들 수 있다 이들 염기는 단독으로 혹은 2가지 이상이 함께 사용될 수 있다. 염기가 사용되어야 하는 경우에， 염기는 중간생성물 (13)의 알릴 그룹 1당량에 대하여 0.1 당량 내지 5 당량의 양으로 사용하는 것이 반웅효율 측면에서 좋다. 제 3-1단계 반웅에서 용매는 필요에 따라 임의로 사용될 수 있다. 예를 들어， 제 1단계 반웅에서 별도의 용매 없이도 반웅온도에서 반웅물의 점도가 반응이 진행되기에 적합하면 용매를 사용하지 않을 수 있다. 즉， 반웅물의 흔합 및 교반이 용매 없이 원활하게 진행될 수 있을 정도로 반응물의 점도가 ¼아지면 별도의 용매를 필요로 하지 않으며， 이는 당업자가 용이하게 판단할 수 있다. 용매를 사용할 경우， 가능한 용매로는 반웅물을 잘 용해할 수 있으며， 반응에 어떠한 악영향을 미치지 않고 반웅 후에 쉽게 제거될 수 있는 한 어떠한 유기용매가 사용될 수 있으며, 이로써 특히 한정하는 것은 아니지만， 예를 들어， 아세토니트릴, THF.(tetra hydro f uran) , ME (methyl ethyl ketone), DMF( dimethyl formamide), DMSOCdimethyl sulfoxide), 메틸렌 클로라이드 (MC) 등이 사용될 수 밌다. 이들 용매는 단독으로 혹은 2가지 이상이 함께 사용될 수 있다. 용매의 사용양은 특히 한정하는 것은 아니며， 반웅물이 층분히 용해되고 반응에 바람직하지 않은 영향을 미치지 않는 범위에서 적합한 양으로 사용될 수 있으며, 이 기술분야의 기술자는 이를 고려하여 적합하게 선택할 수 있다. 제 4단계에서는 상기 중간생성물 (13) 중 어느 하나 또는 임의의 제 3-1단계가 행하여지는 경우에는, 상기 중간생성물 (13' ) 중 어느 하나와 하기 화학식 B2의 알콕시실란의 반웅으로 상기 중간생성물 (13) 또는 (13' )의 알릴기를 알콕시실릴화하여 알콕시실릴기를 갖는 에폭시화합물이 얻어진다. 제 4단계 반응에서， 중간생성물 (13) 또는 중간생성물 (13' )와 알콕시실란은 중간생성물 (13) 또는 중간생성물 (13' )의 알릴 그룹과 알콕시 실란이 화학양론에 따라 당량비로 반응하므로， 이를 고려하여 상기 중간생성물 (13) 또는 중간생성물 (13' )의 알릴 그룹 1 당량에 대하여 화학식 B2의 알콕시실란이 1당량 내지 5 당량이 되도록 중간생성물 (13) 또는 (13' )와 하기 화학식 B2의 알콕시실란을 반응시킨다.
[화학식 B2]
HSiRiR2¾
화학식 B2에서， ¾ 내지 ¾중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고 나머지는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이며， 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다. 바람직하게, ¾ 내지 ¾는 에톡시기이다. 제 4단계 반웅의 반응온도 및 반웅시간은 반웅물에 따라 다르지만， 예를 들어， 상은 (예를 들어， 15 °C 내지 25 °C) 내지 1201：에서 1시간 내지 72시간 동안 반응시킬 수.있다. 상기 제 4단계 반웅에서 금속촉매로는 이로써 한정하는 것은 아니지만， 예를 들어， Pt02 또는 ¾PtCl6(Chloroplatinic acid)의 백금촉매가 사용될 수 있다. 백금촉매는 중간생성물 (13) 또는 중간생성물 (13' )의 알릴 그룹 1 당량에 대하여 0.01 내지 0.05 당량으로 사용하는 것이 반웅효율 측면에서 바람직하다. 제 4단계 반웅에서 용매는 필요에 따라 임의로 사용될 수 있다. 예를 들어， 제 4 단계 반응에서 별도의 용매 없이도 반응온도에서 반웅물의 점도가 반웅이 진행되기에 적합하면 용매를 사용하지 않을 수 있다. 즉， 반웅물의 흔합 및 교반이 용매 없이 원활하게 진행될 수 있을 정도로 반응물의 점도가 낮아지면 별도의 용매를 필요로 하지 않으며, 이는 당업자가 용이하게 판단할 수 있다. 용매를 사용할 경우에， 가능한 용매로는 반웅물을 잘 용해할 수 있으며， 반웅에 어떠한 악영향을 미치지 않고 반웅 후에 쉽게 제거될 수 있는 한 어떠한 비양성자성 용매 (aprotic solvent)가 사용될 수 있다. 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를 들어， 를루엔， 아세토니트릴， THF tetra hydro fur an), ME (methyl ethyl ketone) , DMF( dimethyl formamide) , DMS0( dimethyl sulfoxide) 메틸렌 클로라이드 (MC) 등이 사용될 수 있다. 이들 용매는 단독으로 혹은 2가지 이상이 함께 사용될 수 있다. 용매의 사용양은 특히 한정하는 것은 아니며， 반웅물이 층분히 용해되고 반응에 바람직하지 않은 영향을 미치지 않는 범위에서 적합한 양으로 사용될 수 있으며， 이 기술분야의 기술자는 이를 고려하여 적합하게 선택할 수 있다. 제 4단계에서는 상기 중간생성물 (13) 또는 중간생성물 (13' )와 상기 화학식 B2의 알콕시실란의 반응으로 상기 중간생성물 (13) 또는 중간생성물 (13' )의 알릴기를 알콕시실릴화하여 본 발명의 일 실시형태에 의한， 하기 화학식 A14 내지 K14, 예를들어, 화학식 A14 내지 D14, 예를들어， 화학식 B14 또는 D14, 예를들어 , Y가 C(CH3)2인 D14의 알콕시실릴계 에폭시 화합물이 얻어진다.
Figure imgf000094_0001
상기 화학식 A14 내지 KM에서， P 중 적어도 하나는 상기 화학식 S1이며 , 나머지는 상기 화학식 S3， 수소， 및 -CRbRc-CRa=C¾ (Ra, 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P해테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 로 구성되는 그룹으로부터 각각 독립적으로 선택되며， 바람직하게는 상기 화학식 S3이며， 상기 D14에서 Y는 -(:¾-,
-C(C¾)2—， -C(CF3)2-, -S- 또는 -S02-이다. 다만， 화학식 FI에서, S1이 하나인 경우에 , 상기 S1에서， Ra, Rb및 가 모두 수소이고， ¾ 내지 ¾이 모두 탄소수 1 내지 6알콕시기인 경우는 제외된다. 상기 방법 1에 의한 예시적인 반웅스킴 (I) 내지 (ΠΌ을 다음에 나타내었다. 비스페놀 A 화합물인 화학삭 D1중 Y가 ᅳ C(C¾)2-인 경우를 예로 하였으며， 반웅스킴 (I)은 제 1단계의 알릴화에서 하나의 히드록시기 만이 알릴화된 경우를， 반웅스킴 (Π)는 제 1단계의 알릴화에서 2개의 히드톡시기가 모두 알릴화된 경우를 그리고 반응스킴 (ΠΙ)은 추가적인 에폭시화 제 3-1단계가 진행된 경우를 나타낸다. 반응스킴 (I)은 식 D14에서 P 중 하나는 -(CH^sSiRiR^sa^ 내지 ¾는 상기 정의한 바와 같음)， 하나는 H인 경우이며， 반웅스킴 (Π)는 식 D14에서 P가 모두 -((：¾)3^¾¾¾( 내지 ¾는 상기 정의한 바와 같음)인 경우이며, 반웅스킴 (ΠΙ)은 식 D14에서 P 증 하나는 -((¾)3^¾¾¾( 내지 는 상기 정의한 바와 같음)이고 하나는 화학식 S3의 치환기인 경우를 나타낸다.
Figure imgf000096_0001
본 발명의 다른 실시형태에 의하면， 상가 화학식 (AS) 내지 (JS)중 하나의 출발물질의 알릴화 (제 1단계), 클라이센 리어레인지먼트 (Claisen
Rearrangement) (제 2단계)， 알릴화 (제 2-1 단계)， 클라이센 리어레인지먼트 (제
2-2단계)， 에폭시화 (제 3단계), 임의의 에폭시화 (제 3-1단계) 및 알콕시실릴화 (제 4단계)를 포함하는 화학식 (A26) 내지 (J26) (또는 (AI) 내지
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대체용지 (규칙 제 26조) (JI))의 알콕시실릴계 에폭시 화합물의 제조방법이 제공된다. 아하， 상기 방법을 방법 2이라 하며， 이에 대하여 설명한다. 방법 2의 제 1단계 및 제 2단계는 각각 상기 방법 1의 제 1 단계 및 거 12단계와 동일하다. 다만， 출발물질 중 화학식 (KS)는 구조상 2회 글라이센 리어레이지먼트가 될 수 없으므로 방법 2에 적용될 수 없다. 상기 방법 1에 기재한 바와 같이， 제 1단계에서， 출발물질와 히드록시기가 1개만 혹은 2개가 모두 알릴화될 수 있다. 제 2-1단계쎄서는 상기 화학식 (A12) 내자 (J12)중 어느 하나의 중간생성물 (12)의 히드록시기를 알릴화함으로써 하기 화학식 (A23) 내지 (J23)중 하나의 중간생성물 (23)이 얻어진다. 제 2-1단계에서는 중간생성물 (12)과 상기 화학식 B1의 알릴화합물이 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반웅된다. 이 때， 상기 중간생성물 (12)의 히드록시기 1당량에 대하여 상기 화학식 B1의 알릴화합물의 알릴기가 0.5 내지 10당량이 되도록 반응된다. 제 2-1단계는 상기 방법 1의 제 1 단계와 동일하다. 구체적으로， 반웅온도， 반웅시간， 반응물의 당량비 및 염기 및 임의의 용매의 종류 및 사용양 등을 포함하는 모든 반웅조건은 방법 1의 상기 제 1 단계와 동일하다.
[화학식 (A23) 내지 (J23)]
Figure imgf000098_0001
상기 화학식 A23 내자 J23에서， K' 중 적어도 하나는 -CK¾-CRa=CRbRc (단， 식중 Ra, ¾ 및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고, 나머자는 히드록시기이며， L 중 적어도 하나는 -CRbRc-CRa=CH2 (단, 식증 Ra, 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며, N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고， 나머지는 수소이며，
상기 화학식 D23에서 Y는 -( -， -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 -S —이다. 상기 제 2-1단계에서는 중간생성물 (12)의 2개꾀 히드록시기. 중에서 하나만이 알릴화될 수도 있고， 두개의 히드록시기가 모두 알릴화될 수도 있다. 알릴화되는 히드록시기의 수에 '따라， 최종 목적물인 화학식 (A26) 내지 (J26) (또는 화학식 (AI) 내지 (JI))의 알콕시실릴계 에폭시 화합물에서, 관능기인 알콕시실릴기 치환기 S1 및 /또는 S3 알콕시 치환기의 수가 달라질 수 있다. 이때， 알릴화되는 히드록시기와수는 반웅물의 당량비를 조절하여 행할 수 있다. 제 2-2단계에서는 제 2-1단계에서 얻어진 중간생성물 (23)을 가열함에 따라， 클라이센ᅳ리어레이지먼트에 의해 하기 화학식 (A24) 내지 (J24)의 중간생성물 (24)가 얻어진다. 상기 제 2-2단계는 상기 방법 1의 제 2단계와 동일하다. 구체적으로， 반응온도， 반웅시간 및 임의의 용매꾀 종류 및 사용양 등을 포함하는 모든 반응조건은 상기 방법 1의 상기 제 2단계와 동일하다.
[화학식 (A24) 내지 (J24)]
Figure imgf000100_0001
상기 화학식 A24 내지 J24에서， 다수의 L' 중 적어도 2개， 또한 예를들어， 적어도 3개는 -CRbRc— CRa=C¾ (단， 식중 Ra, Rb 및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 바고리형일 수 있으며， N, 0， Sᅳ또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고， 나머지는 수소이며， 상기 화학식 D24에서 Y는 -C¾_, ᅳ C(C¾)2—， -C(CF3)2-, -S- 또는 -S02-이다. 제 3단계에서는 상기 화학식 (A24) 내지 (J24)의 중간생성물 (24) 중 어느 하나와 에피클로로히드린의 반웅으로 중간생성물 (24)의 히드록시기를 에폭시화하여 하기 화학식 (A25) 내지 (M25)의 중간생성물 (25)를 얻는다. 이때， 중간생성물 (24)와 에피클로로히드린은 중간생성물 (24)의 히드록시 그룹 1 당량에 대하여 에폭.시기가 1ᅵ 내지 10 당량이 되도록 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반웅시켜서 중간생성물 (25)를 형성한다. 방법 2의 제 3단계는 방법 1의 제
3단계와 동일하다. 구체적으로， 반응온도，'반웅 시간, 반웅물의 당량비 , 염기 및 임의의 용매의 종류 및 사용양 등을 포함하는 모든 반응조건은 방법 1의 제
3단계와 동일하다.
[화학식 (A25) 내지 (L25)]
Figure imgf000102_0001
상기 화학식 A25 내지 J25에서， 다수의 M' 중 적어도 2개， 예를들어， 적어도 3개는 -C¾Rc-CRa ¾ (단， 식중 Ra, Rb및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는.비고리형일 수 있으며., N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를.갖거나 갖지 않을 수 있다) 이고， 나머지는 수소이며， 상기 화학식 D25에서 Y는 -CH2-, — C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 一 SO2-이다. 한편， 방법 1에서 기재한 바와 같이， 제 3 단계의 에폭시화 과정에서， 하기 반웅식 (2)에 나타낸 바와 같이， 에폭시화된 증간생성물 (25)가 반웅물인 중간생성물 (24)의 히드록시기와 반응하여 상기 화학식 (AP) 내지 (KP)로 나타낸 바와 같은 이합체 이상의 폴리머를 형성할 수 있다. 하기 반응식 (2)는 중간생성물 (B24)의 에폭시화로 중간생성물 (B25)이 생성되며， B25에서 M' 이 모두 -CH2-CH=CH2인 경우를 예로 하여 나타내었다.
[반웅식 2]
Figure imgf000103_0001
(단， m은 1 내지 100의 정수임.) 상기 제 3단계 후에， 필요에 따라 임의로 알릴기를 에폭시화하는 추가적인 에폭시화 제 3ᅳ1단계가 행하여질 수 있다. 제 3-1단계에서는, 중간생성물 (25) 중 어느 하나의 화합물의 알릴기를 산화시켜서 에폭시화하므로써 하기 중간생성물 (A25' ) 내지 (J25' )중 어느 하나의 중간생성물 (25' )가 얻어진다. 상기 제 3-1단계에서는 상기 중간생성물 (25)와 과산화물을 임의의 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반웅시킨다. 이 때， 상기 중간생성물 (25)의 알릴기 그룹 1당량에 대하여 과산화물의 퍼옥사이드 그룹이 1 당량 내지 10 당량이 되도록 중간생성물 (25)과 과산화물이 반웅된다. 방법 2의 제 3-1단계 반웅은 상기 방법 1의 제 3—1단계와 동일하다. 구체적으로， 반응은도， 반응 시간, 반웅물의 당량비， 임의의 염기 및 임의의 용매의 종류 및 사용양 등을 포함하는 모든 반웅조건은 방법 1의 제 3-1단계와 동일하다.
[화학식 (A25' ) 내지 (J25' )]
Figure imgf000105_0001
상기 화학식 A25' 내지 J25' 에서， 다수의 N' 중 1 내지 3개는 -CRbRc-CRa=CH2 (단， 식중 Ra. Rb 및 Rc 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0 S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고， 1 내지 3개는 상기 화학식 S3이며， 나머지는 수소이며， 상기 화학식 D25' 에서 Y는 -C¾-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2ᅳ， -S- 또는 -S02-이다. 제 4단계에서는 상기 중간생성물 (25)중 어느 하나 또는 상기 임의의 에폭시화 제 3-1단계가 행하여지는 경우에는， 상기 중간생성물 (25' )중 어느 하나와 상기 화학식 B2의 알콕시실란의 반응으로 상기 중간생성물 (25) 또는 (25' )의 알릴기를 알콕시실릴화하여 알콕시실릴기계 에폭시화합물이 얻어진다. 제 4단계에서， 상기 중간생성물 (25) 또는 중간생성물 (25' )의 알릴 그룹 1 당량에 대하여 화학식 B2 알콕시실란아 1당량 내지 5 당량아 되도록 금속 촉매 및 임의의 용매 존재하에서 중간생성물 (25) 또는 (25' )와 상기 화학식 B2의 알콕시실란을 반웅시켜서 하기 화학식 A26 내지 J26 (또는 상기 화학식 AI 내지 JI)중 어느 하나의 목적물을 얻는다. 방법 2의 쩨 4단계 반웅조건은 상기 방법 1의 제 4단계와 동일하다. 구체적으로, 반응온도， 반웅 시간, 반웅물의 당량비， 금속촉매 및 임의의 용매의 종류 및 사용양 등을 포함하는 모든 '반웅조건은 방법 1의 제 4단계와 동일하다.
[화학삭 (A26) 내지 (J26)]
Figure imgf000107_0001
상기 화학식 A26 내지 J26에서， P' 중 적어도 하나， 예를들어, 1 내지 4개는 상기 화학식 S1일 수 있으며， 나머지는 상기 화학식 S3, 수소， 및 CRbRc-CRa=CH2 (단， 식중 Ra, ¾ 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며 ,. N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 로 구성되는 그룹으로부터 각각 독립적으로 선택되며， 예를들어， 화학식 S3이며， S3는 1 내지 3개 일 수 있다. 상기 D26에서 Y는 -CH2-, -C(C¾)2_, - C(CF3)2-, -S- 또는 -S02-이다. 다만, 화학식 Π에서， S1이 하나인 경우에， 상기 S1에서， Ra, Rb 및 ¾가 모두 수소이고， Ri 내지 ¾ .이 모두 탄소수 1 내지 6 알콕시기인 경우는 제외된다. 상기 방법 2에 의한 예시적인 반응스킴 (IV) 내지 (X)을 다음에 나타내었다. 화학삭 D1중 Y가 -C(CH3)2-인 비스페놀 A 화합물인 경우를 예로 하였다. 반응스킴 (IV)는 제 1단계의 알릴화에서 2개의 히드록시기가 그리고 게 2- 1단계에서 1개의 히드록시기가 알릴화된 경우로서， 식 D26의 P' 중 3개는 - (CH2)3SiRiR2R3( i 내지 ¾는 상기 정의한 바와 같음) 그리고 하나는 수소인 경우를 나타낸다. 반웅스킴 (V)는 제 1단계의 알릴화에서 2개의 히드록시기가 그리고 제 2-1단계에서 1개의 히드록시기가 알릴화되고， 임의의 제 3-1단계에서 하나의 알릴기가 에폭시화된 경우로서， 식 D26의 P' 중 2개는 -(CH2)3SiRiR2R3(Ri 내지 ¾는 상기 정와한 바와 같음)， 1개는 화학식 S3의 에폭시기 그리고 1개는 수소인 경우를 나타낸다. 반웅스킴 (VI)은 제 1단계의 알릴화에서 2개의 히드록시기가 그리고 제 2-1단계에서 1개의 히드록시기가 알릴화되고， 임의의 제 3-1단계에서 두개의 알릴기가 에폭사화된 경우로서， 식 D26의 P' 중 1개는 ― (CH2)3SiRiR2R3(Ri 내지 ¾는 상기 정의한 바와 같음)， 2개는 화학식 S3 치환기 그리고 1개는 수소안 경우를 나타낸다. 반웅스킴 (VH)은 제 1단계 및 제 2- 1단계에서 각각 2개의 히드록시기가 알릴화된 경우로서， 식 D26의 P' 중 4개가 - (0½)3^ (¾ 내지 R3는 상기 정의한 바와 같음)인 경우를 나타낸다. 반웅스킴 (VHI)은 제 1단계 및 제 2-1단계에서 각각 2개의 히드록시기가 알릴화되고， 임의의 제 3-1단계에서 1개의 알릴기가 에폭시화된 경우로서， 식 D26의 P' 중 3개가 -(CH2)3SiRiR2R3( i 내지 ¾는 상기 정의한 바와 같음) 그리고 1개는 화학식 S3 치환기인 경우를 나타낸다. 반웅스킴 (DO는 제 1단계 및 제 2- 1단계에서 각각 2개의 히드록시기가 알릴화되고, 임의의 제 3-1단계에서 2개의 알릴기가 에폭시화돤 경우로서， 식 D26의 P' 중 2개가 -((¾)3 ¾( 내지 ¾는 상기 정의한 바와 같음) 그리고 2개는 화학식 S3 치환기인 경우를 나타낸다. 반응스킴 (X)은 제 1단계 및 제 2-1단계에서 ：각각 2개의 히드톡시기가 알릴화되고， 임의의 제 3ᅳ 1단계에서 3개의 알릴기가 에폭시화된 경우로서， 식 D26의 P' 증 1개가 -(CH2)3SiRiR2R3(Ri 내지 ¾는 상기 정의한 바와 같음) 그리고 3개는 화학식 S3 치환기인 경우를 나타낸다.
Figure imgf000110_0001
방법 2(2) 알¾화 (단계 1)및
Figure imgf000111_0001
3. 에폭사조성물
본 발명의 또 다른 실시형태에 의하면， 상기 본 발명의 어떠한 실시형태에서 제공되는 어떠한 알콕시실릴계 에폭시 화합물을 >포함하는 조성물이 제공된다. 예를들어， 코어에 적어도 하나의 상기 화학식 S1 치환기 및 두개의 에폭시기， 예를들어， 상기 화학식 S2의 에폭시기를 포함하는 알콕시실릴계 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물이 제공된다. 또한, 코어에 적어도 하나의 상기 화학식 S1 치환기， 두개의 에폭시기， 예를들어， 상기 화학식 S2의 에폭시기， 및 추가로 상기 화학식 S3의 에폭시기를 포함하는 알콕시실릴계 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물이 제공된다. 나아가， 상기 화학식 AI 내지 KIᅳ 예를들어， 화학식 AI 내지 DI로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 알콕시실릴계 에폭시 화합물, 예를들어， 화학식 CI 또는 DI, 또한， 예를들어， Y가 -C(CH3)2ᅳ인 화학식 DI의 알콕시실릴계 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물이 또한 제공된다. 상기 본 발명에서 제공되는 어떠한 조성물은 전자재료 제조용으로 사용될 수 있다. 또한， 상기 본 발명에서 제공되는 어떠한 조성물은 경화성 조성물 및 /또는 무기재료를 포함하는 경화성 조성물일 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에 의한 에폭시 조성물에는 에폭시 화합물로 본 발명의 어떠한 실시형태에 의해 제공되는 알콕시실릴계 에폭시 화합물을 포함하는 한， 종래 이 기술분야에 알려져 있는 어떠한 종류 및 /또는 배합의 에폭시 조성물이 포함되는 것으로 이해되며， 에폭시 조성물을 구성하는 경화제， 경화촉진제 (촉매)， 무기재료 (층전제) (예를들어， 무기입자 및 /또는 섬유) 및 기타 첨가제의 종류 및 배합비를 한정하는 것은 아니다. 나아가ᅳ 본 발명의 어떠한 실시형태에 의한 에폭시 조성물에서 상기 에폭시 화합물로는 본 발명의 어떠한 실시형태에서 제공되는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 (이하， '본 발명의 에폭시 화합물' 또는 '알콕시실릴계 에폭시 화합물' 이라 한다)， 예를들어， 코어에 적어도 하나의 상기 화학식 S1 치환기 및 두 개의 에폭시기， 예를 들어， 상기 화학식 S2의 에폭시기를 포함하는 알콕시실릴계 에폭시 화합물; 코어에 적어도 하나의 상기 화학식 S1 치환기., 두개의 에폭시기， 예를들어， 상기 화학식 S2 에폭시기， 및 추가로 상기 화학식 S3 에폭시기를 포함하는 알콕시실릴계 에폭시 화합물; 또는 상기 화학식 AI 내지 KI로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 알콕시실릴계 에폭시 화합물， 예를들어 , 화학식 AI 내자 DI로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 알콕시실릴계 에폭시 화합물， 예를들어， 화학식 CI 또는 DI, 또한， 예를들어， Y가 -C(C¾)2-인 화학식 DI의 알콕시실릴계 에폭시 화합물뿐만 아니라， 종래 이 기술분야에 알려져 있는 어떠한 종류의 에폭시 화합물 (이하， "종래의 에폭시 화합물" )을 또한 포함할 수 있다. 상기 종래의 에폭시 화합물은 특히 한정하는 것은 아니며 종래 아 기술분야에 알려져 「있는 어떠한 에폭시 화합물 일 수 있으며, 예를들어， 글리시딜에테르계 에폭시 화합물， 글리시딜계 에폭시 화합물， 글라시딜아민계 에폭시 화합물， 글리사딜에스테르계 에폭시 화합물， 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 적어도 일종일 수 있다. 나아가， 상기 종래와 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 Α,. 비스페놀 F, 비스페늘 S, 비페닐， 나프탈렌， 벤젠， 티오디페놀， 플루오렌 (fluorene), 안트라센， 이소시아누레이트, 트리페닐메탄， 1，1，2,2-테트라페닐에탄, 테트라페닐메탄， 4,4' —디아미노디페닐메탄， 아미노페놀 시클로 지방족， 또는 노볼락 유니트를 갖는 글리시딜에테르계 에폭시 화합물， 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물， 고무 개질된 에폭시 화합물，. 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 적어도 일종일 수 있다. 바람직하게， 상기 종래의 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 비페닐, 나프탈렌， 또는 플루오렌을 갖는 글리시딜에테르계 에폭시 화합물， 글리시딜계 에폭시 화합물， 글리시딜아민계 에폭시 화합물， 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물， 고무 개질된 에폭시 화합물， 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 적어도 일종일 수 있다. 이로써 한정하는 것은 아니지만 예를 들어， 본 발명의 일 실시형태에 의한 어떠한 에폭시 조성물은 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 본 발명의 에폭시 화합물 1 내지 100 wt% 및 종래의 에폭시 화합물 0 내자 99wt%; 예를들어， 본 발명의 에폭시 화합물 10 내지 100 wt¾> 및 종래의 에폭시 화합물 0 내지 90wt%; 예를들어 , 본 발명의 에폭시 화합물 30 내지 100 wt% 및 종래의 에폭시 화합물 0 내지 70wt%, 예를들어， 본 발명의 에폭시 화합물 10 내지 100 wt% 미만 및 종래의 에폭시 화합물 0 초과 내지 90wt¾; 예를들어， 본 발명의 에폭시 화합물 30 내지 100 wt% 미만 및 종래의 에폭시 화합물 0 초과 내지 70w ^를 포함할 수 있다. 나아가， 본 발명의 또 다른 실시형태에 의하면， 상기한 본 발명에 의해 제공되는 어떠한 알콕시실릴계 에폭시 화합물 및 경화제를 포함하는 포함하는 조성물이 제공된다. 본 발명의 또 다른 실시형태에. 의하면， 코어에 적어도 하나의 상기 화학식 S1 치환기 및 두개의 에폭시기， 예를들어， 상기 화학식 S2의 에폭시기를 포함하는 알콕시실릴계 에폭시 화합물 및 경화제를 포함하는 에폭시 조성물이 제공된다. 또한， 코어에 적어도 하나의 상기 화학식 sr치환기， 두개의 에폭시기, 예를들어， 상기 화학식 S2의 에폭시기， 및 추가로 상기 화학식 S3의 에폭시기를 포함하는 알콕시실릴계 에폭시 화합물 및 경화제를 포함하는 에폭시 조성물이 제공된다. 나아가, 상기 화학식 AI 내지 KI, 예를들어, AI 내지 DI로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 새로운 알콕시실릴계 에폭시 화합물, 예를들어， 화학식 AI 내지 DI로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 알콕시실릴계 에폭시 화합물， 예를들어.， 화학식 CI 또는 DI, 또한， 예를들어， Y가 -C(C¾)2-인 화학식 DI의 알콕시실릴계 에폭시 화합물 및 경화제를 포함하는 에폭시 조성물이 또한 제공된다. 상기 어떠한 알콕시실릴계 에폭시 화합물과 경화제를 포함하는 조성물 또한， 에폭시 화합물로서 종래와 에폭시 화합물을 포함할 수 있으며, 이 경우에 포함될 수 있는 종래의 에폭시 화합물의 종류 및 알콕시실릴계 에폭시 화합물과 종래의 에폭시 화합물의 배합량은 상기한 바와 같다 . 본 발명와 일 실시형태에 의한 알콕시실릴계 에폭시 화합물과 경화제를 포함하는 조성물에서 상기 경화제로는 에폭시 폴리머에 대한 경화제로 일반적으로 알려져 있는 어떠한 경화제가 사용될 † 있으며， 이로써 특히 한정하는 것은 아니지만， 예를 들어， 아민계 수지， 페놀계 수지, 무수산화물계 등이 사용될 수 있다. 보다 구체적으로 , 이로써 한정하는 것은 아니지만， 아민계 경화제로는 지방족 아민， 지환족 아민， 방향족 아민 , 기타 아민 및 변성폴리아민을 사용할 수 있으며， 2개 이상의 일차 아민기를 포함하는 아민 화합물을 사용할 수 있다. 상기 아민 경화제의 구체적인 예로는 4，4'-디메틸아닐린 (디아미노.디페닐 메탄) (4,4'-Dimethylaniline(Diamino di henyl methane, DAM 또는 DDM), 디아미노 디페닐설폰 (Diamino di phenyl sulfone, DDS), m-페닐렌 디아민 (m-phenylene diamine)으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 방향족 아민, 디에틸렌트리아민 ( ethylene triamine, DETA) , 디에틸렌테트라아민 (Diethylene tetramine), 트리에틸렌테트라아민 (Triethylene Tetramine, TETA) , m-크실렌 디아민 (m-xylene Diamine, MXDA), 메탄 디아민 (Methane Diamine, MDA), Ν,Ν'- 디에틸렌디아민 (N,N'-Diethylenediamine, Ν,Ν'-DEDA), 테트라에틸렌펜타아민 (Tetraethylenepentaamine, TEPA)， 및 핵사메틸렌디아민 (Hexamethylenediamine)으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 지방족 아민， 이소포론 디아민 (Isophorone Diamine, IPDI), N-아미노에틸 피레라진 (N-Aminoethyl piperazine, AEP), 비스 (4-아미노 3- 메틸시클로핵실)메탄 (Bis(4-Amino 3-Methylcyclohexyl )Methane, Larominc 260)으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 지환족아민， 디시안디아미드 (DICY) 등과 같은 기타 아민， 폴리아미드계， 에폭사이드계 등의 변성아민을 들 수 있다. . 이로써 한정하는 것은 아니지만， 페놀계 경화제의 예로는 페놀노블락 수지， 크레졸 노볼락， 비스페놀 A 노볼락 수지ᅵ， 자일렌노블락 수지， 트리페닐 노블락 수지, 비페닐 노블락수지， 디시클로펜타디엔 노블락수지， 페놀ᅳ P-자일렌， 나프탈렌계 페놀노블락 수지 등을 들 수 있다. 이로써 한정하는 것은 아니지만, 무수산화물계 경화제의 예로는 도데세닐 숙신산 무수물 (dodecenyl succinic anhydride, DDSA), 폴리 아젤라익 폴리 안하이드리드 (poly azelaic poly anhydride)등과 같은 지방족 무수산화물, 핵사하이드로프탈릭 안하이드리드 (hexahydrophthalic anhydride, HHPA) , 메틸 테트라하이드로프탈릭 안하이드리드 (methyl tetrahydrophthal ic anhydride, MeTHPA) , 메틸나딕 안하이드리드 (methylnadic anhydride, MNA)등과 같은 지환족 무수산화물, 트리멜리트 안하이드리드 (Trimellitic Anhydride, TMA) , 피로멜리트산 디안하이드리드 (pyromellitic acid di anhydride, PMDA), 벤조페논테트라카르복시산 디안하이드리드 (benzophenonetetracarboxylic di anhydride, BTDA) 등과 같은 방향족 무수산화물， 테트라브로모프탈릭 안하이드리드 (tetrabromophthalic anhydride, TBPA), 클로렌딕 안하이드리드 (chlorendic anhydride, HET) 등과 같은 할로겐계 무수화합물 등을 들 수 있다. 일반적으로 경화제와 에폭시기의 반응 정도로 에폭시 복합체의 경화도를 조절할 수 있으며, 목적하는 경화도 범위에 따라 에폭시 화합물의 에폭시기의 농도를 기준으로 하여 경화제의 함량을 조절할 수 있다. 예를 들어, 아민 경화제가 사용되는 경우에는， 아민 경화제와 에폭시 그룹의 당량 (equivalent) 반응에서는 에폭시 당량 /아민 당량비가 0.5 내지 2.0이 되도록， 또한， 예를들어， 0.8 내지 1.5이 되도록 조절하여 사용하는 것이 바람직하다. 아민계 경화제의 경우를 예로 하여 경화제의 배합량에 대하여 설명하였으나， 페놀계 경화제， 무수산화물계 경화제 및 본 명세서에 별도로 기재하지 않은 에폭시 화합물의 경화에 사용될 수 있는 어떠한 경화제 또한 원하는 경화도 범위에 따라 에폭시 조성물 중 총 에폭시기의 농도를 기준으로 하여 에폭시 작용기와 경화제의 반웅성 작용기의 화학반웅식에 따라 화학양론적 양으로 적합하게 배합하여 사용할 수 있으며， 이는 이 기술분야에서 일반적인 것이다. 양이온 광경화제로는 이 기술분야에 일반적으로 알려져 있는 어떠한 광경화제가 사용될 수 있으며， 이로써 한정하는 것은 아니지만 예를 들어， 방향족 포스포늄염, 방향족 요오드늄염 및 방향족 술포늄염 등을 들 수 있다. 구체적으로는， 디페닐요오드늄 테트라키스 (펜타플루오로페닐)보레이트， 디페닐요오드늄 핵사플루오로포스페이트, 디페닐요오드늄 핵사플루오로안티모네이트， 디 (4-노닐페닐)요오드늄 핵사플루오로포스페이트， 트리페닐술포늄 핵사플루오로포스페이트， 트리페닐술포늄 핵사플루오로안티모네이트， 트리페닐술포늄 테트라키스 (펜타플루오로페닐)보레이트， 4，4'—비스 [디페닐술포니오]디페닐술피드 비스핵사플루오로포스페이트，. 4，4'-비스 [디 (β- 히드록시에톡시 )페닐술포니오]디페닐술피드 비스핵사플루오로안티모네이트，
4，4'-비스 [디 (β-히드록시에특시 )페닐술포니오]디페닐술피드
비스핵사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다. 이로써 한정하는 것은 아니지만， 광경화제는 예를 들어, 에폭시 화합물에 대하여 일반적으로 0.5phr 내지 20phr (parts per hundred, 에폭시 화합물 100중량부당의 중량부)， 바람직하게는 lphr이상， 또한 바람직하게는 lphr 내지 5phr로 사용될 수 있다. 상기한 본 발명에서 제공되는 어떠한 에폭시 조성물 알콕시실릴계 에폭시 화합물과 경화제의 경화반웅을 촉진하도록 임의의 경화촉진제 (촉매)를 필요에 따라 추가로 포함할 수 있다. 경화촉진제 (촉매)로는 아 기술분야에서 에폭시 조성물의 경화에 일반적으로 사용되는 것으로 알려져 있는 어떠한 촉매가 사용될 수 있으며， 이로써 한정하는 것은 아니지만， 예를 들어, 예를 들어， 이미다졸계， 제 3급 아민계， 제 4급 암모늄계， 유기산염계, 인 화합물계 등의 경화촉진제가 사용될 수 있다. 보다 구체적으로, 예를 들어， 디메틸 벤질 아민， 2-메틸이미다졸 (2MZ), 2- 운데실이미다졸， 2-에틸— 4—메틸이미다졸 (2E4M), 2-페닐이미다졸， 1— (2- 시아노에틸) -2-알킬 이미다졸， 2-헵타데실이미다졸 (heptadecyl imidazole, 2HDI) 등의 이미다졸계 ; 벤질디메틸아민 (benzyl dimethyl amine, BDMA) , 트리스디메틸아미노메틸페놀 (DMP-30), 트리에틸렌디아민 등의 3급 아민계 화합물; 테트라부틸암모늄브로마이드 등의 4급 암모늄염; 디아자비시클로운데센 (DBU)이나 DBU의 유기산염 ; 트리페닐포스핀, 인산에스테르 등의 인계 화합물， BF3-모노에틸 아민 (BF3-MEA) 등과 같은 루이스산 등을 들 수 있으며， 이로써 한정하는 것은 아니다. 이들 경화촉진제는 이들의 마이크로 캡슐코팅 및 착염 형성 등으로 잠재화된 것을 사용할 수도 있다. 이들은 경화 조건에 따라 단독으로 사용할 수도 있고， 2종 이상을 병용할 수도 있다. 상기 경화 촉진제의 배합량은， 특히 한정하는 것은 아니며， 이 기술분야에서 일반적으로 사용되는 양으로 배합하여 사용할 수 있다. 예를 들어， 상기 에폭시 화합물에 대하여 0.1 내지 10 phr, 바람직하게는 0.2 내지 5 phr일 수 있다. 경화 촉진제는 경화반웅 촉진 효과 및 경화 반응 속도 제어 측면에서 상가 함량으로 사용되는 것이 바람직하다. 상기 경화 촉진제를 상기 범위의 배합량으로 사용함으로써 빠르게 경화가 진행되고, 밀봉 공정의 작업처리량의 향상을 기대할 수 있다. 나아가， 본 발명에서 제공되는 어떠한 에폭시 조성물， 예를들어， 알콕시실릴계 에폭시 화합물과 종래의 에폭시 화합물， 경화제 및 촉매로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 일종을 포함하는 상기한 어떠한 에촉시 조성물은 또한， 무기입자 및 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 일종의 무기 재료인 충전제를 추가로 포함할 수 있다. . 무기입자로는 종래 유기수지의 열팽창계수를 감소시키기 위해 사용되는 것으로 알려져 있는 어떠한 무기입자가 사용될 수 있으며， 이로써 한정하는 것은 아니지만， Si02, Zr02, Ti02, 및 A1203로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 금속산화물， 및 T-10형 실세스퀴녹산， 래더 (ladder)형 실세스퀴녹산, 및 케이지형 실세스퀴녹산로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종이 사용될 수 있다. 상기 무기입자는 단독으로 또는 2종 아상의 흔합물로 사용될 수 있다. 상기 무기입자로는 이로써 한정하는 것은 아니지만， 복합체의 사용용도， 구체적으로는 무기입자의 분산성 등을 고려하여， 입자크기가 0.5nm 내지 수십 (예를들어， lOOiffli, 또한， 예를들어 , 50 내지 60 )인 무기입자가 사용될 수 있다. 무기입자는 에폭시 화합물에 분산되므로 입자크기에 따른 분산성의 차이로 인하여 상기한 크기의 무기입자가 사용되는 것이 바람직하다. 본 발명의 일 실시형태에 의한 에폭시 조성물에서 상기 에폭시 화합물에 대하여 무기입자는 에폭시 복합체의 CTE 감소 및 적용시 요구되는 적정한 점도를 고려하여 에폭시 화합물의 양에 대하여 5 phr 내지 1000 phr, 예를들어， 100 phr 내지 900phr, 또한 예를들어， 50 phr 내지 200 phr의 양으로 배합될 수 있다. 보다 구체적으로， 일 예로서 , 에폭시 조성물이 반도체 봉지재 등으로 사용되는 경우에는， 이로써. 한정하는 것은 아니지만， CTE 값과 재료 가공성을 고려하여 무기입자는 예를 들어， 에폭시 화합물의 양에 대하여 100 내지 900phr 정도로 배합될 수 있다. 또한 일 예로서， 에폭시 조성물이 반도체 기판 등으로 사용되는 경우에는， 기판의 CTE 값과 강도 등을 고려하여 무기입자는 예를 들어, 에폭시 화합물의 양에 대하여 50 내지 200 phr로 배합될 수 있다. 한편, 섬유가 무기재료로 사용되는 경우에는, 주로 섬유에 에폭시 화합물이 적셔지는 방식으로 복합화되므로 섬유의 크기 등이. 특히 제한되지 않으며， 이 기술분먀에서 일반적으로 사용되는 어떠한 종류 및 치수의 섬유가 사용될 수 있다. 섬유로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 종래 유기 수지 경화물의 물성개선을 위해 사용되는 일반적인 어떠한 섬유가사용될 수 있다. 구체적으로는 유리 섬유， 유기 섬유 또는 이들의 흔합물이 사용될 수 있다. 또한， 본 명세서에서 사용된 용어 '유리섬유'는 유리섬유뿐만 아니라， 유리섬유직물， 유리섬유 부직물 등을 포함하는 의미로 사용된다. 이로써 한정하는 것은 아니지만, 유리섬유로는 E, T(S), NE, E, D, 석영 등의 유리섬유를 예로 들 수 있으며， 예를들어, E 또는 T 유리 섬유를 예로 들 수 있다. 유기 섬유로는 이로써 특별히 한정하는 것은 아니지만， 액정 폴리에스테르 섬유， 폴리에틸렌테레프탈레이트 섬유, 전방향족 섬유， 폴리옥시벤자졸 섬유, 나일론 섬유, 폴리에틸렌 나프탈레이트 섬유， 폴라프로필렌 섬유， 폴리에테르 술폰 섬유， 폴리비닐리덴플로라이드 섬유， 폴리에틸렌 술파이드 섬유， 폴리에테르에테르케톤 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 일종이 단독으로 혹은 이종 이상이 함께 사용될 수 있다.
본 발명에 의한 어떠한 에폭시 조성물에서 충전제로서 섬유가 사용되는 경우에， 섬유의 함량은 에폭시 조성물의 총 중량에 대하여 10wt% 내지 90wt%, 예를들어， 30wt% 내지 70wt%, 또한 예를들어， 35wt% 내지 65 %일 수 있다. 섬유를 포함하는 에폭시 조성물에서, 통상， 섬유를 제외한 부분은 레진 성분으로 칭하여지면， 섬유를 포함하는 에폭시 조성물에서， 섬유 이외의 양은 레진 성분의 양이다. 따라서， 레진 함량은 10wt% 내지 90wt%, 예를들어 , 30wt% 내지 70wt%, 또한 예를들어， 35wt% 내지 65 %일 수 있다. 섬유의 함량이 상기 범위인 것이 내열성 향상 및 가공성 측면에서 바람직하다. 상기 에폭시 조성물의 총 중량은 조성물이 경화제， 촉매， 무기재료 및 /또는 기타 첨가제 등을 에폭시 조성물을 구성하는 모든 성분의 양으로 포함하는 모든 조성물 구성성분의 중량의 합올 말한다. 또한， 상기한 바와 같이, 레진 함량은, 섬유 이외의 에폭시 조성물을 구성하는 경화제：， 촉매 및 기타 첨가제 등의 모든 구성성분의 함량을 포함하는 의미이다. 본 발명에서 제공되는 상기 섬유를 포함하는 어떠한， 에폭시 조성물에는 또한, 필요에 따라， 무기입자가 추가로 포함될 수 있다. 이때 무기입자는 물성 향상 및 공정성을 고려하여， 레진 함량 증의 1 내지 70wt%정도의 양으로 배합될 수 있다. 상기 에폭시 조성물은 에폭시 조성물의 물성을 손상시키지 않는 범위에서, 에폭시 조성물의 물성조절을 위해 통상적으로 배합되는 유기용제， 이형제， 표면 처리제， 난연제， 가소제， 항균제， 레쎌링제, 소포제， 착색제， 안정제, 커플링제， 점도조절제 , 희석제'등의 기타 첨가제가 또한 필요에 따라 배합될 수 있다. 상기 본 발명의 어떠한 실시형태에서 제공되는 어떠한 에폭시 조성물은 전자재료 용으로 사용될 수 있다. 구체적으로 상기 전자재료는 프리프레그， 프리프레그에 금속층이 배치된 적층판, 기판， 필름, 인쇄배선판， 패키징 재료 등일 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시형태에 의하면， 본 발명의 알콕시실릴계 에폭시 화합물을 포함하는 조성물로 된 전자재료를 포함하거나 이로 이루어지는 반도체 장치가 제공된다. 구체적으로 상기 반도체 장치는 본 발명의 알콕시실릴계 에폭시 화합물을 포함하는 조성물로 제조된 인쇄배선관에 반도체 소자가 탑재된 반도체 장치 및 /또는 반도체 패키징 재료를 포함하는 반도체 장치일 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시형태에 의하면， 상기한 본 발명의 어떠한 실시형태에서 제공되는 에폭시 조성물의 경화물이 제공된다. 상기 본 발명의 어떠한 실시형태에서 제공되는 에폭시 조성물은 실제 적용되는 경우에， 예를들어, 전자재료 등으로 적용되는 경우에는 경화물로서 사용되며, 이 기술분야에서 에폭시 화합물과 무기 성분인 충전제를 포함하는 조성물의 경화물은 일반적으로 복합체로 칭하여진다. 상기한 본 발명의 일 실시형태에서 제공되는 알콕시실릴계 에폭시 화합물은 복합체에서 우수한 내열특성 및 /또는 경화물에서 우수한 난연성을 나타낸다. 구체적으로， 복합체는 낮은 CTE， 예를들어， 15ppm/ °C 이하, 예를들어 , 12ppm/°C이하， 예를들어, 10ppm/°C이하， 예를들어， 8ppm/°C이하， 예를들어, 6ppm/°C이하， 예를들어, 4ppm/°C이하의 CTE를 나타낸다. 예를들어, 에폭시 화합물로서 본 발명에 의한 어떠한 알콕시실릴계 에폭시 화합물， 무기재료로서 유리섬유, 예를들어， E-글라스 유리섬유를 포함하고， 레진함량이 35 wt% 내지 45 %인 복합체는 15ppm/°C 이하， 예를들어， 12ppmrc이하의 CTE를 나타낸다. 상기 화학식 S1의 알콕시실릴기 수가 증가함에 따라, 복합체의 CTE가 감소되는 경향을 보이며， 예를들어， 에폭시 화합물로서 2개의 알콕시실릴기를 갖는 본 발명에 의한 알콕시실릴계 에폭시 화합물， 무기재료로서 유리섬유, 예를들어， E-글라스 유리섬유를 포함하고， 레진함량이 35 wt 내지 45 %인 복합체는 10ppm/°C 이하， 예를들어， 8 ppm/°C 이하의 CTE를 나타낸다. 또한， 예를들어, 에폭시 화합물로서 2개의 알콕시실릴기를 가지며， 바이페닐 코어구조를 갖는 본 발명에 와한 알콕시실릴계 에폭시 화합물， 무기재료로서 유리섬유， 예를들어， E-글라스 유리섬유를 포함하고， 레진함량아 35 wt% 내지 45\¥«인 복합체는 10ppm/°C 이하， 예를들어， 6 ppm/°C 이하의 CTE를 나타낸다. 예를들어， 에폭시 화합물로서 본 발명에 의한 어떠한 알콕시실릴계 에폭시 화합물， 무기재료로서 유리섬유， 예를들어, Tᅳ글라스 유리섬유를 포함하고, 레진함량이 35 \vt 내지 45 ¾>인 복합체는 15ppm/°C 이하， 예를들어， lOppm/t:이하의 CTE를 나타낸다. 상기 화학식 S1의 알콕시실릴기 수가 증가함에 따라， 복합체의 CTE가 감소되는 경향을 보이며， 예를들어， 에폭시 화합물로서 2개의 알콕시실릴기를 갖는 본 발명에 의한 알콕시실릴계 께폭시 화합물， 무기재료로서 유리섬유， 예를들어， T-글라스 유리섬유를 포함하고， 레진함량이 35 wt% 내지 45 %안복합체는 6ppm/°C 이하의 CTE를 나타낸다. 또한， 예를들어 , 에폭시 화합물로서 2개의 알콕시실릴기를 가지며， 나프탈렌， 바이페닐， 카도 비스페놀 코어구조를 갖는 본 발명에 의한 알콕시실릴계 에폭시 화합물, 무기재료로서 유리섬유， 예를들어， T-글라스 유리섬유를 포함하고， 레진함량이 35wt% 내지 45 %인 복합체는 4ppi/°C 이하의 CTE를 나타낸다. 또한， 본 발명에 의한 복합체 (무기재료를 포함하는 경화물)는 Tg가 100°C 보다 높으며, 예를들어， 130°C이상， 또한， 예를들어， 250°C 이상 또는 Tg-리스일 수 있다. 한편, 본 발명에 의한 알콕시실릴계 에폭시 화합물 자체 경화물 (무기재료를 함유하지 않는 경화물)은 50ρρπιΑ 내지 150Ppm/°C의 CTE를 갖는다. 예를들어， 에폭시 화합물이 1개의 알콕시실릴기를 갖는 경우에， 50ppm/°C 내지 110ppm/t의 CTE 그리고 에폭시 화합물아 2개의 알콕시실릴기를 갖는 경우에， 80ppm/r: 내지 150ppm/°C의 CTE 값을 갖는다. 이하， 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 상세히 설명한다. 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것으로， 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 합성예 AI-1: 디하이드록시나프탈렌을 이용한 모노-알콕시실릴화된 에폭시 화합물의 합성
(1) 제 1단계: 5- (알릴옥시)나프탈렌 -1-을의 합성
환류 콘덴서가 장착된 1000ml 의 2 구 플라스크에 1， 5—디히드록시나프탈렌 (시그마 알드리치) 20.0g, 2C03 51.81g, 및 아세톤 500mi 을 넣고 상온에서 흔합하였다. 그 후， 환류장치 설정온도를 80°C로 하여 균일하게 잘 흔합된 용액을 환류하면서 (아하， 합성예에서 기재된 온도는 환류장치의 설정은도이며， 이는 실제 반웅온도보다 약 10 내지 15°C정도 높은 온도이다.) 균일하게 잘 흔합된 용액을 환류하면서 알릴. 브로마이드 (시그마 알드리치) 13.5ifil 를 적가한 다음에 하루 밤새 동안 반웅시켰다. 반웅 후， 상온으로 넁각된 반웅물을 셀라이트 여과 (celite fi Iteration)하고， 유기용액을 증발시켜서 조질의 생성물을 얻었다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3 회 세척하고， MgS04로 건조하였다. MgS04를 필터로 제거하고， 증발기를 이용해 용매를 제거하여， 중간생성물 (11)인 5- (알릴옥시)나프탈렌 -1-올을 얻었다. 제 1단계의 반응스킴 및 얻어잔 중간생성물 (11)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000124_0001
Ή NMR (400MHz, CDC13): δ=4.70 (dt , J=5.2Hz, 1.6Hz, 2H), 5.33-5.34 (m, 1H), 5.49-5.53 (m, 2H) , 6.12-6.20 (m, 1H), 6.82-6.91 (m, 2H), 7.32-7.43 (m, 2H) , 7.72 (d, J=8.8Hz, 1H), 7.89 (d, J=8.8Hz, 1H) .
(2) 제 2단계 : 2-알릴나프탈렌 -1,5-디올의 합성
환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 1 단계에서 얻어진 중간생성물 (11) 10.0g 및 1,2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 50ml 을 넣고 상온에서 흔합한 후， 균일해진 반웅용액을 190°C의 환류장치 설정온도로 8 시간동안 환류하였다. 반응 후， 상온으로 넁각하고， 진공 오본에서 용매를 제거한 다음에， 2-알릴나프탈렌 -1，5-디을을 얻었다. 제 2 단계의 반웅스킴 및 얻어진 중간생성물 (12)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000125_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) : δ =3.57 (d, J=5.8Hz, 2H), 5.09-5.25 (m, 2H), 5.50 (s 2H), 6.02-6.12 (m, IH), 6.84 (d, J=8.2Hz, 1H), 7.19 (d, J =8.5Hz, 1H), 7.68- 7.72 (m, 2H), 7.89 (d, J=8.8Hz, 1H).
(3) 제 3 단계: 2，2'— (2-알릴나프탈렌 -1，5- 디일)비스 (옥시)비스 (메틸렌)디옥시란의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 2 단계에서 얻은 증간생성물 (12) 7.0g, 에피클로로히드린 (시그마 알드리치) 22.75ml, K2C03 25.95g, 및 아세토니트릴 200ml 을 넣고 상온에서 흔합한 다음에， 온도를 올려 80°C에서 하루 밤새 반웅시켰다. 반웅 후， 상온으로 넁각된 반응물을 셀라이트 여과하고 유기용액을 증발시켜서 증간생성물 (13)을 얻었다. 제 3 단계의 반웅스킴 및 얻어진 중간생성물 (13)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000125_0002
¾ NMR (400MHz, CDC13)： δ =2.76 (dd, J=2.6Hz( 2H)， 2.88 (dd, J=4.2Hz, 2H) , 3.10-3.35 (m, 4H), 3.96 (dd, J=5.4Hz, 2H), 4.13 (dd, J=3.2Hz, 2H)， 4.96- 5.03 (m, 2H), 5.91-6.03 (m, 1H), 6.84 (d, J=8.2Hz, IH), 7.19 (d, J=8.5Hz, 1H), 7.28-7.38 (m, 2H), 7.90 (d, J=8.8Hz, IH). (4)제 ' 4 단계： (3-C1, 5-비스 (옥시란 -2-일메톡시)나프탈렌 -2ᅳ 일)프로필)트리에록시실란의 합성
250ml 플라스크에 상기 제 3 단계에서 얻은 중간생성물 (13) 10. Og, 트리에특시실란 (시그마 알드리치) 6.62ml, 백금 산화물 58mg, 및 를루엔 100ml 을 넣고 잘 흔합한 후, 아르곤이 층전된 상태에서 85°C에서 24 시간 동안 교반하였다. 반웅 후， 얻어진 조질의 생성물을 셀라이트 여과하고 증발기를 이용하여 용매를 제거하여 최종 목적물인 알콕시 실릴기를 갖는 나프탈렌 에폭시를 얻었다. 제 4 단계의 반응스킴 및 얻어진 최종 목적물의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000126_0001
¾薩(400顧 z, CDC 13)： δ =0.65-0.68 (m, 2H)， 1.22 (t, J=7.0Hz, 9H)， 1.61-1.72 (m, 2H), 2.60 (t, J=7.6Hz, 2H), 2.74 (dd, J=2.6Hz, 2H), 2.86 (dd, J=4.2Hz, 2H), 3.30-3.34 (m, 2H), 3.79 (q, J=1.6Hz, 6H) , 3.97 (dd, J=5.2Hz, 2H) , 4.14 (dd, J=3.2Hz, 2H), 6.85 (d, J=8.2Hz, 1H), 7.19 (d, J=8.5Hz, 1H) , 7.67-7.72 (m, 2H), 7.88 (d, J =8.8Hz, 1H) . 합성예 AI-2: 디하이드톡시나프탈렌을 이용한 디-알콕시실릴화된 에폭시 화합물의 합성
(1)제 1단계: 1,5-비스 (알릴옥시)나프탈렌의 합성
환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 1， 5-디히드록시나프탈렌 (시그마 알드리치) 20.0g, 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 27.0ml, K2C03103.6 lg, 및 아세톤 50( l 을 첨가하고 상온에서 흔합하였다. 균일하게 잘 흔합된 용액을 80°C의 환류장치 설정온도로 환류 (reflux)하면서 하루 밤새 동안 반웅시킨다. 반웅 후， 상온으로 넁각된 반웅물을 셀라이트 여과하고, 증발시켜서 조질의 생성물을 얻었다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3 번 세척하고 MgS04로 건조하였다. MgS04를 필터로 제거하고， 증발기를 이용하여 용매를 제거하여， 중간생성물 (11)인 1,5-비스 (알릴옥시)나프탈렌을 얻었다. 제 1 단계의 반응스킴 및 얻어진 중간생성물 (11)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000127_0001
¾ NMR (400丽 z, CDCls)-' δ=4.70 (dt , J=5.2Hz, 1.6Hz, 4Η), 5.32-5.34 (m, 2Η), 5.49-5.54 (m, 2Η), 6.12-6.21 (m, 2H) , 6.84 (d, J=8.0Hz, 2H), 7.35 (dd, J=7.6, 0.8Hz, 2H), 7.89 (d, J =8.8Hz, 2H).
(2)제 2단계 : 2,6-디알릴나프탈렌 -1，5-디올의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 1 단계의 반웅에서 얻은 중간생성물 (11) 20.0g 과 1,2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 100ml 을 넣고 상온에서 잘 흔합한 후， 균일해진 용액을 190°C의 환류장치 설정온도로 8 시간 동안 환류하였다. 반웅 후 상온으로 냉각하고， 진공 오븐으로 용매를 제거한 후， 중간생성물 (12)인 2,6-디알릴나프탈렌 -1，5ᅳ디올을 얻었다. 제 2.단계의 반응스킴 및 얻어진 중간생성물 (12)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000128_0001
¾匿 (400MHz , CDC13): δ=3.57 (dt, J=6.4Hz, 1.6Hz, 4H)， 5.21-5.27 (m, 4H) 5.50 (s, 2H), 6.02-6.12 (m, 2H)， 7.21 (d, J=8.4Hz, 2H) , 7.70 (d, J=8.4Hz, 2H).
(3)제 3 단계: 2，2'-(2，6-디알릴나프탈렌 -1，5ᅳ 디일)비스 (옥시)비스 (메틸렌)디옥시란의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 의 2 구 플라스크에 상기 제 2 단계쎄서 얻어진 중간생성물 (12) 20. Og, 에피클로로히드린 (시그마 알드리치) 65.07ml, K2C03 74.15g 및 아세토나트릴 300ml 을 넣고 상온에서 흔합 다음에 온도를 올려 80°C에서 하루 밤새 동안 반웅시켰다. 반웅 후， 상온으로 냉각된 반응물을 샐라이트 여과하고 유기용액을 증발시켜서 중간생성물 (13)을 얻었다. 제 3단계의 반응스킴 및 얻어진 중간생성물 (13)의 MR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000128_0002
¾ NMR (400MHz, CDC13): δ=2.77 (dd, J=2.6Hz, 2H), 2.93 (dd, J=4.4Hz, 2H) 3.44-3.48 Cm, 2H), 3.61 (d, J=6.4Hz, 4H), 3.91 (dd, J=6.0Hz, 2H), 4,24 (dd J=2.8Hz, 2H), 5.07-5.12 (m, 4H), 5.98-6.08 (m, 2H) 7.34 (d, J=8.4Hz, 2H) 7.88 (d, J =8.4Hz, 2H). (4)제 4 단계: (3，3'-(1，5-비스 (옥시란ᅳ 2ᅳ일메특시.)나프탈렌 -2，6ᅳ디일)비스 (프로관 -3，1-디일))비스 (트리에톡시실란)의 합성
500ml 플라스크에 상기 제 4 단계의 반웅에서 얻어진 증간생성물 (13) 20.0g, 트리에톡시실란 (시그마 알드리치) 23.50ml, 백금 산화물 200mg, 및 를루엔 200ml 을 넣고 흔합한 후， 아르곤이 충전된 상태에서 85°C에서 24 시간 동안 교반하였다. 반웅 후， 얻은 조질의 생성물을 셀라이트 여과하고 증발기를 이용해 용매를 제거하여 최종 목적물인 알콕시 실릴기를 갖는 나프탈렌 에폭시 화합물을 얻었다. 제 4 단계의 반응스킴 및 얻어진 최종 생성물의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000129_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) : δ =0.64-0.69 (m, 4H) , 1.20 (t, J=7.0Hz, 18H)， 1.62- 1.72 (m, 4H), 2.61 (t, J=7.6Hz, 4H), 2.74 (dd, J=2.6Hz, 2H) , 2.86 (dd, J=4.2Hz, 2H), 3.30-3.34 (m, 2H), 3.79 (q, J=1.6Hz, 12H), 3.97 (dd, J=5.2Hz, 2H)ᅳ 4.14 (dd, J=3.2Hz, 2H) , 7.28 (d, J=8.5Hz, 2H)， 7.75 (d, J=8.5Hz,2H).
예측예 AI-3 ： 디하이드록시나프탈렌을 이용한 트리-알축시실릴화된 에폭시 화합물의 합성
(1) 제 1단계: 2, 6-비스 (알릴옥시)나프탈렌의 합성
환류 콘덴서가 장착돤 1000ml 2 구 플라스크에 2， 6-디히드록시나프탈렌 (시그마 알드리치) 20. Og, 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 27.0ml, K2C03103.6 lg, 및 아세톤 500ml 을 첨가하고 상온에서 흔합한다. 균일하게 잘 흔합된 용액을 80°C의 환류장치 설정온도로 환류 (reflux)하면서 하루 밤새 동안 반웅시킨다. 반응 후， 상온으로 냉각된 반웅물을 셀라이트 여과하고， 증발시켜서 조질의 생성물을 얻는다. 상가조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3 번 세척하고 MgS04로 건조하였다. MgS04를 필터로 제거하고 증발기를 이용하여 용매를 제거하여， 중간생성물 (11)인 2，6-비스 (알릴옥시)나프탈렌을 얻는다. 제 1단계의 반응스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000130_0001
(2)제 2단계 : 1,5-디알릴나프탈렌 -2,6-디올의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 1 단계의 반웅에서 얻은 중간생성물 (11) 20.0g 과 1,2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 100ml 을 넣고 상온에서 잘 흔합하여 균일해진 용액을 190°C의 환류장치 설정온도로 8 시간 동안 환류한다. 반웅 후 상은으로 넁각하고， 진공 오븐으로 용매를 제거하여 증간생성물 (12)인 1， 5-디알릴나프탈렌 -2,6ᅳ디올을 얻는다. 제 2 단계의 반응스킴 및 중간생성물 (12)의 NMR데이터는 다음과 같다.
Figure imgf000131_0001
(3) 제 2-1단계: 1，5-디알릴 -6- (알릴옥시)나프탈렌 -2-을의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 의 2 구 플라스크에 상기 제 2-1 단계에서 얻어진 중간생성물 (12) 20.0g, K2C03 29.60g， 및 아세톤 500ml 을 넣고 상온에서 흔합한다. 그 후， 균일하게 잘 흔합된 용액을 80°C의 환류장치 설정온도로 환류하면서 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 6.78ml 를 적가한 다음에 하루 밤새 동안 반웅시킨다. 반웅 후， 상온으로 넁각된 반웅물을 셀라이트 여과 (celite filteration)하고， 유기용액을 증발시켜서 조질의 생성물을 얻었다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3 회 세척하고， MgS04로 건조한다.. MgS04를 필터로 제거하고， 증발기를 이용해 용매를 제거하고， 실리카 컬럼으로 정제하여， 중간생성물 (23)인 1，5-디알릴 -6- (알릴옥시)나프탈렌 -2-올을 얻는다. 제 2-1단계의 반웅스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000131_0002
(4)제 2-2단계 : 1，3, 5-트리알릴나프탈렌 -2 ,6-디을 의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 2-1 단계에서 얻어진 중간생성물 (23) 20. Og 과 1,2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 100ml 을 넣고 상온에서 잘 흔합한 후， 균일해진 용액을 8 시간 동안 19C C의 환류장치 설정온도로 환류한다. 반웅 후 상온으로 냉각하고， 진공 오븐으로 용매를 제거한 후， 중간생성물 (24)인 1，3,5-트리알릴나프탈렌 -2，6-디을을 얻는다. 제 2- 2단계의 반웅스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000132_0001
(5)제 3 단계: 2，2'— (1,3,5- 트리알릴나프탈렌 -2,6- 디일)비스 (옥시)비스 (메틸렌)디옥시레인의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 의 2 구 플라스크에 상기 제 2-2 단계에서 얻어진 중간생성물 (24) 20.0g, 에피클로로히드린 (시그마 알드리치) 55.76ml, K2C03 64.49g 및 아세토니트릴 300ml 을 넣고 상온에서 흔합한 다음에 은도를 을려 80°C에서 하루 밤새 동안 반웅시킨다. 반웅 후， 상온으로 냉각된 반웅물을 셀라이트 여과하고 유기용액을 증발시켜서 중간생성물 (25)인 2,2'-(1,3，5- 트리알릴나프탈렌 -2，6ᅳ디일)비스 (옥시)비스 (메틸렌)디옥시레인을 얻는다. 제 3단계의 반웅스킴은다음과 같다.
Figure imgf000133_0001
(6)제 4. 단계: (3，3'，3''-(2，6-비스(옥시란-2—일메록시)나프탈렌-1，3，5- 트리일)트리스 (프로페인 -3,1-디일))트리스 (트리에톡시실레인)의 합성
500ml 플라스크에 상기 제 3 단계에서 얻어진 증간생성물 2，2'-(1，3，5- 트리알릴나프탈렌— 2，6—디일)비스 (옥시)비스 (메틸렌)디옥시레인 20. Og, 트리에톡시실란 (시그마 알드리치 ) 31.06ml， 백금 산화물 348mg, 및 '를루엔 200ml 을 넣고 흔합한 후, 아르곤이 충전된 상태에서 85°C에서 24 시간 동안 교반한다. 반웅 후, 얻은 조질의 생성물을 셀라이트 여과하고 증발기를 이용해 용매를 제거하여 최종 목적물인 알콕시 실릴기를 갖는 나프탈렌 에폭시 화합물을 얻는다. 제 4 단계의 반응스킴 및 얻어지는 최종목적물의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000133_0002
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： 5=0.65-0.70 (m, 6H)， 1.20-1.25 (t, 27H), 1.60- 1.70 (m, 6H), 2.60-2.65 (t, 6H), 2.80-2.85 (m, 2H)， 2.90-2.95(m, 2H) , 3.40- 3.45(m, 2H), 3.75-3.80(q, 18H), 4.00-4.05 (m, 2H), 4.30-4.35 (m, 2H), 6.80- 7.20(d, 1H), 7.60-7.65(s, 1H), 7.65-7.70(s, 1H). 예측예 AI-4 ： 디하이드록시나프탈렌을 이용한 테트라-알콕시실릴화된 에폭시 화합물의 합성
(1) 제 1단계: 2,6-바스 (알릴옥시)나프탈렌꾀 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 2， 6-디히드록시나프탈렌 (시그마 알드리치) 20.0g， 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 27.0ml, K2C03103.61g, 및 아세톤 500ml 을 첨가하고 상온에서 흔합한다. 균일하게 잘 흔합된 용액을 80°C의 환류장치 설정온도로 환류 (reflux)하면서 하루 밤새 동안 반응시킨다. 반응 후， 상온으로 냉각된 반웅물을 셀라이트 여과하고， 증발시켜서 조질의 생성물을 얻는다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3 번 세척하고 MgS04 로 건조한다. MgS04 를 필터로 제거하고， 증발기를 이용하여 용매를 제거하여， 중간생성물 (11)인 2，6-비스 (알릴옥시)나프탈렌을 얻는다. 제 1단계의 반응스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000134_0001
(2)제 2단계 : 1，5-디알릴나프탈렌— 2，6ᅳ디을의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플 5}스크에 상기 제 1 단계에서 얻어진 증간생성물 (11) 2으 0g 과 1，2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 100ml 을 넣고 상은에서 잘 흔합한 후, 균일해진 반웅용액을 8 시간 동안 19C C의 환류장차 설정온도로 환류한다. 반응 후 상은으로 냉각하고， 진공 오븐으로 용매를 제거한 후, 중간생성물 (12)인 1,5-디알릴나프탈렌 -2，6-디올을 얻는다. 제 2 단계의 반응스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000135_0001
(3) 제 2-1단계: 1，5-디알릴 -2，6-비스 (알릴옥시)나프탈렌의 합성
환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 2 단계에서 얻어진 중간생성물 (12) 20. Og, 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 27.0ml, K2C03 103.61g, 및 아세톤 500ml 을 첨가하고 상온에서 흔합한다. 균일하게 잘 흔합된 용액을 80°C의 환류장치 설정온도로 환류 (reflux)하면서 하루 밤새 동안 반응시킨다. 반웅 후， 상온으로 냉각된 반웅물을 셀라이트 여과하고， 증발시켜서 조질의 생성물을 얻는다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고, 물로 3 번 세척하고 MgS04로 건조한다. MgS04 를 필터로 제거하고， 증발기를 이용하여 용매를 제거하여， 중간생성물 (23)인 1,5-디알릴 -2,6- 비스 (알릴옥시)나프탈렌을 얻는다. 제 2-1단계의 반웅스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000135_0002
(4)제 2-2단계 : 1,3, 5， 7-테트라알릴나프탈렌—2， 6-디을의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 2-1 단계에서 얻어진 중간생성물 (23) 20. Og 과 1,2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 100ml 을 넣고 상온에서 잘 흔합한 후， 균일해진 반응용액을 8 시간 동안 190°C의 환류장치 설정온도로 환류한다. 반웅 후 상은으로 냉각하고, 진공 오븐으로 용매를 제거한 후， 중간생성물 (24)인 1,3, 5，그테트라알릴나프탈렌 -2,6-디올을 얻는다. 제 2- 2단계의 반응스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000136_0001
(5)제 3 단계: 2，2'-(1，3,5，7— 테트라알릴나프탈렌 ᅳ2，6- 디일)비스 (옥시)비스 (메틸렌)디옥시레인의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 의 2 구 플라스크에 상기 제 2-2 단계에서 얻어진 중간생성물 (24) 20. Og, 에피클로로히드린 (시그마 알드리치) 55.76ml, K2C03 64.49g 및 아세토니트릴 300ml 을 넣고 상온에서 흔합 다음에 온도를 올려 8CTC에서 하루 밤새 동안 반응시킨다. 반웅 후， 상온으로 넁각된 반웅물을 샐라이트 여과하고 유기용액을 증발시켜서 중간생성물 (25)인 2，2'-(1,3，5，그 테트라알릴나프탈렌 -2，6-디일)비스 (옥시 )비스 (메틸렌)디옥시레인을 얻는다. 제 3단계의 반응스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000136_0002
(6)제 4 단계: (3，3'，3' ' ,3' ' '-(2，6-비스 (옥시란 -2-일메톡시)나프탈렌 -l,3，5,7- 테트라일 )테트라키스 (프로페인 -3 , 1-디일 ) )테트라키스 (트리에특시실레인)의 합성 500ml 플라스크에 상기 제 .3 단계에서 얻어진 중간생성물 (25) 20. Og, 트리에톡시실란 (시그마 알드리치) 31.06ml, 백금 산화물 348mg, 및 를루엔 200ml 을 넣고 흔합한 후， 아르곤이 층전된 상태에서 85°C에서 24 시간 동안 교반한다. 반웅 후， 얻은 조질의 생성물을 셀라이트 여과하고 증발기를 이용해 용매를 제거하여 최종 목적물인 알콕시 실릴기를 갖는 나프탈렌에폭시 화합물을 얻는다. 제 4단계의 반웅스킴 및 최종 목적물의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000137_0001
¾ 證 (400MHz, CDCls) ： 5=0.65-0.70 (m, 8H), 1.20-1.25 (t, 36H), 1.60- 1.70 (m, 8H), 2.60-2.65 (t, 8H), 2.80-2.85 (m, 2H) , 2.90-2.95 (m, 2H) , 3.40- 3.45(m, 2H), 3.75— 3.80(q, 24H) , 4.00-4.05 (m, 2H) , 4.30-4.35 (m, 2H)， 7.60- 7.65(s, 1H), 7.65-7.70(s, 1H)
합성예 BI -1: 디하이드특시바이쩨날올 이용한모노-알콕시실릴화된 에폭시 화합 물의 합성
(1)제 1단계: 4— (알릴일옥시)바이페닐 -4-올의 합성
환류 콘덴서가 장착된 1000ml .의 2 구 플라스크에 바이페닐 -4,4' -디올 (시그마 알드리치) 10.Og, K2CO322.28g, 및 아세톤 500ml 을 넣고 상온에서 흔합하였다. 그 후, 균일하게 잘 흔합된 용액을 8( C의 환류장치 설정온도로 환류하면서 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 5.81ml 를 적가한 다음에 하루 밤새 동안 반웅시켰다. 반웅 후, 상온으로 넁각된 반응물을 셀라이트 여과 (celite fi Iteration)하고， 유기용액을 증발시켜서 조질의 생성물을 얻었다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 출하고， 물로 3 회 세척하고， MgS04로 건조하였다. MgS04 를 필터로 제거하고， 증발기를 이용해 용매를 제거하여， 중간생성물 (11)인 4- (알릴일옥시)바이페닐 -4-을을 얻었다. 제 1 단계의 반웅스킴 및 얻어진 중간생성물 (11)의 NMR데이타는 다음과 같다. .
Figure imgf000138_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： δ=4.56 (dt , J=5.2Hz, 1.6Hz, 2H), 5.30 (m, 2H) , 5.41-5.45 (m, 1H) , 6.03-6.12 (m, 1H) , 6.86(d, J=8.2Hz, 2H), 7.02 (d, J=8.4Hz, 2H), 7.46 (td, J=3.0, 2.2, 8.8Hz, 4H) .
(2)제 2단계 : 3-알릴바이페닐 -4，4'-디을의 합성
환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 1 단계에서 얻어진 중간생성물 (11) 10. Og 및 1,2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 50ml 을 넣고 상온에서 흔합한 후, 균일해진 반응용액을 72 시간 동안 190°C의 환류장치 설정온도로 환류하였다. 반웅 후， 상온으로 넁각하고， 진공 오븐에서 용매를 제거한 다음에， 3-알릴바이페닐 -4，4'-디올을 얻었다. '제 2 단계의 반웅스킴 및 얻어진 중간생성물 (12)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000138_0002
¾ NMR (400MHz, CDCI3) ： 5=3.35 (d, J=6.4Hz, 2H), 5.08-5.12 (m, 4H) , 5.99- 6.07(m, 1H)ᅳ 6.85-6.90(m, 3H)， 7.30-7.39(m, 4H).
(3) 제 3단계: 2，2'-(3-알릴바이페닐 -4，4'-디일)비스 (옥시)비스 (메틸렌)디옥시란 의 합성
환류 콘덴서가 장착된 1000ml 의 2 구 플라스크에 상기 제 2 단계에서 얻어진 중간생성물 (12) 10. Ogᅳ 에피클로로히드린 (시그마 알드리치) 30.38ml, K2C03 35.13g 및 아세토니트릴 300ml 을 넣고 상온에서 흔합 다음에 온도를 올려 80°C에서 하루 밤새 동안 반응시켰다. 반웅 후， 상온으로 냉각된 반웅물을 셀라이트 여과하고 유기용액을 증발시켜서 증간생성물 (13)을 얻었다. 제 3단계의 반웅스킴 및 얻어진 중간생성물 (13)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000139_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： 8=2.75 (dd, J=2.6Hz, 2H), 2.87 (dd, J=4.2Hz, 2H)， 3.10-3.35 (m, 4H), 3.96 (dd, J=5.4Hz, 2H) , 4.24 (dd, J=3.2Hz, 2H), 4.97- 5.03 (m, 2H), 5.93-6.03 (m, 1H), 6.86-6.95 (m, 3H), 7.31-7.40 (m, 4H) .
(4)제 4 단계: (3ᅳ (4，4'—비스 (옥시란 -2-일메톡시)비페닐 -3- 일)프로필)트리에톡시실란의 합성
250ml 플라스크에 상기 제 3 단계에서 얻은 중간생성물 (13) 10. Og, 트리에특시실란 (시그마 알드리치) 4.8½1， 백금 산화물 (Pt02) 55mg, 및 를루엔 100ml 을 넣고 잘 흔합한 후， 아르곤이 층전된 상태에서 85°C에서 24 사간 동안 교반하였다. 반웅 후， 얻어진. 조질의 생성물을 샐라이트 여과하고 증발기를 이용하여 용매를 제거하여 최종 목적물인 알콕시 실 ¾기를 갖는 비페닐 에폭시를 얻었다. 제 4 단계의 반웅스킴 및 얻어진 최종 목적물의 MR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000139_0002
Ή NMR (400MHz, CDC13) ： 5=0.64-0.69 (m, 2H), 1.20 (t, J=7.0Hz, 9H), 1.62- 1.72 (m, 2H), 2.61 (t, J=7.6Hz, 2H) , 2.74 (dd, J=2.6Hz, 2H), 2.86 (dd, J=4.2Hz, 2H), 3.30-3.34 (m, 2H), 3.79 (q, J=1.6Hz, 6H), 3.97 (dd, J=5.2Hz, 2H), 4.14 (dd, J=3.2Hz, 2H), 6.88-6.97 (m, 3H), 7.30-7.43 (m, 4H). . 합성예 BI-2: 디하이드록시바이페닐을 이용한 디-알콕시실릴화된 에폭시 화합물의 합성
(1)제 1단계: 4，4'-비스 (알릴일옥시)바이페닐의 합성
환류 콘덴서가 장착된 lOOOtnl 2 구 플라스크에 바이페닐— 4，4'-디올 (시그마 알드리치) 10.0g, 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 11.61.0ml, K2C0344.56g, 및 아세톤 500ml 을 첨가하고 상온에서 흔합하였다. 균일하게 잘 흔합된 용액을 80°C의 환류장치 설정온도로 환류 (reflux)하면서 하루 밤새 동안 반웅시킨다. 반응 후， 상온으로 넁각된 반웅물을 셀라이트 여과하고， 증발시켜서 조질의 생성물을 얻었다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3 번 세척하고 MgS04로 건조하였다. MgS04를 필터로 제거하고， 증발가를 이용하여 용매를 제거하여， 중간생성물 (11)인 4，4'-비스 (알릴일옥시)바이페닐을 얻었다. 제 1 단계의 반웅스킴 및 얻어진 중간생성물 (11)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000140_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： 6=4.56 (dt, J=5.2Hz, 1.6Hz, 4H), 5.30-5.33 (m, 2H), 5.41-5.44 (m, 2H)„ 6.03-6.12 (m, 2H)， 6.96 (td, J=3.0, 2.2， 8.8Hz, 4H) 7.46 (td, J=3.0, 2.2, 8.8Hz, 4H).
(2)제 2단계: 3,3'ᅳ디알릴바이페닐 -4，4'—디올의 합성
환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 1 단계의 반웅에서 얻은 중간생성물 (11) 10.0g 과 1，2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 100ml 을 넣고 상온에서 잘 흔합한 후ᅳ 균일해진 반웅용액을 72 시간 동안 19C C의 환류장치 설정온도로 환류하였다. 반응 후 상온으로 넁각하고， 진공 오븐으로 용매 제거한 후， 중간생성물 (12)인 3, 3'-디알릴바이페닐 -4, 4'-디올을 얻었다.
Figure imgf000141_0001
2단계의 반웅스킴 및 얻어진 중간생성물 (12)의 匪 R 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000141_0002
¾ 爾 (400MHz, CDC13) ： 5=3.35 (d, J=6.4Hz, 4H) , 5.14-5.25 (m, 6H) , 6.00- 6.10 (m, 2H), 6.84 (dd, J=2.0Hz, 7.2Hz, 2H) ' 7.29 (dd, J=10.6Hz, 4H) .
(3)제 3단계: 2，2'-(3，3'-다알릴바이페닐 -4，4'-디일)비스 (옥시)비스 (메틸렌)디옥 시란의 합성
환류 콘덴서가 장착된 1000ml 의 2 구 플라스크에 상기 제 2 단계에서 얻어진 중간생성물 (12) 10.0g, 에파클로로히드린 (시그마 알드리치) 30.38ml, K2C03 35.13g 및 아세토니트릴 300ml 을 넣고 상온에서 흔합 다음에 은도를 올려 80°C에서 하루 밤새 동안 반웅시켰다. 반웅 후, 상온으로 냉각된 반응물을 셀라이트 여과하고 유기용액을 증발시켜서 중간생성물 (13)을 얻었다. 제 3단계의 반웅스킴 및 얻어진 중간생성물 (13)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000141_0003
¾ NMR (400MHz, CDCI3) ： 5=2.75 (dd, J =2.6Hz, 2H), 2.87 (dd, J=4.2Hz, 2H) , 3.11-3.35 (m, 6H), 3.96 (dd, J=5.4Hz, 2H)， 4.25 (dd, J=3.2Hz, 2H), 5.03- 5.13 (m, 4H), 5.93-6.03 (m, 2H) , 6.81 (d, J= 7.2Hz, 2H), 7.34-7.42 m, 4H). (4)제 4단계: (3，3|-(4，4'-비스(옥시란-2-일메특시)바이페닐-3，3'-.디일)비스(프 로판 -3,1-디일))비스 (트리에톡시실란)의 합성
500ml 플라스크에 상기 제 4 단계의 반웅에서 얻어진 중간생성물 (13) 10. Og, 트리에록시실란 (시그마 알드리치) 9.67ml, 백금 산화물 109mg 및 를루엔 200mr을 넣고 흔합한 후， 아르곤이 충전된 상태에서 85°C에서 24시간 동안 교반하였다. 반웅 후, 얻은 조질의 생성물을 샐라이트 여과하고 증발기를 이용해 용매를 제거하여 최종 목적물인 알콕시 실릴기를 갖는 바이페닐 에폭시를 얻었다. 제 4단계의 반응스킴 및 얻어진 최종 생성물의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000142_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： 5=0.64-0.69 (m, 4H), 1.20 (t, J=7.0Hz, 18H), 1.62-1.72 (m, 4H) , 2.61 (t, J =7.6Hz, 4H), 2.74 (dd, J=2.6Hz, 2H) , 2.86 (dd, J=4.2Hz, 2H), 3.30-3.34 (m, 2H), 3.79 (q, J-1.6Hz, 12H), 3.97 (dd, J=5.2Hz, 2H), 4.14 (dd, J=3.2Hz, 2H), 6.85 (d, J=7.2Hz, 2H) , 7.32-7.42 (m, 4H) . 예측예 BI-3: 디하이드록시바이페닐을 이용한 트리-알콕시실릴화된 에폭시 화합물의 합성
(1)제 1단계: 4，4'-비스 (알릴일옥시)바이페닐의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 바이페닐 -4，4'-디올 (시그마 알드리치) 10. Og, 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 11.61ml, K2C0344.56g, 및 아세톤 500ml 을 첨가하고 상온에서 흔합하였다. 균일하게 잘 흔합된 용액을 80°C의 환류장치 설정온도로 환류 (reflux)하면서 하루 밤새 동안 반웅시켰다. 반응. 후， 상은으로 넁각된 반웅물을 셀라이트 여과하고， 증발시켜서 조질의 생성물을 얻었다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3 번 세척하고 MgS04로 건조하였다. MgS04를 필터로 제거하고， 증발기를 이용하여 용매를 제거하여, 중간생성물 (11)인 4，4'-비스 (알릴일옥시)바이페닐을 얻는다. 제 1 단계의 반웅스킴 및 중간생성물 (11)의 NMR 데이터는 다음과 같았다.
Figure imgf000143_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： 5=4.56 (dt， J=5.2Hz, 1.6Hz, 4H), 5.30-5.33 (m, 2H), 5.41-5.44 (m, 2H), 6.03-6.12 Cm, 2H) , 6.96 (td, J-3.0, 2.2, 8.8Hz, 4H)， 7.46 (td, J=3.0, 2.2, 8.8Hz, 4H).
(2)제 2단계: 3，3'-디알릴바이페닐 -4,4'-디올의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 폴라스크에 상기 제 1 단계의 반웅에서 얻어지는 중간생성물 (11) 10. Og 과 1，2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 100ml 을 넣고 상온에서 잘 흔합한 후， 균일해진 용액을 72 시간 동안 190°C의 환류장치 설정온도로 환류하였다. 환류에 의한 반응 후， 상온으로 냉각하고， 잔공 오븐으로 용매를 제거하여 중간생성물 (12)인 3,3'-디알릴바이페닐-4，4'- 디올을 얻었다. 제 2 단계의 반응스킴 및 중간생성물 (12)의 NMR 데이타는 다음과 같았다. '
Figure imgf000143_0002
Ή NMR (400MHz, CDCI3) ： 6=3.35 (d, J=6.4Hz, 4H) , 5.14-5.25 (m, 6H)， 6.00-
6.10 On, 2H), 6.84 (dd, J=2.0Hz, 7.2Hz, 2H), 7.29 (dd, J=10.6Hz, 4H) . (3) 제 2-1단계: 3，3'ᅳ디알릴 -4'- (알릴옥시)바이페닐 -4-올의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 의 2 구 플라스크에 상기 단계 2 에서 얻어진 중간생성물 (12) 20. Og, K2CO3 26.71g, 및 아세톤 500ml 을 넣고 상온에서 흔합한다. 그 후， 균일하게 잘 흔합된 용액을 8( C의 환류장치 설정온도로 환류하면서 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 6.12ml 를 작가한 다음에 하루 밤새 동안 반웅시킨다. 반웅 후， 상온으로 냉각된 반웅물을 샐라이트 여과 (celite filteration)하고， 유기용액을 증발시켜서 조질의 생성물을 얻는다. 상기 조질의 생성불 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고, 물로 3 회 세척하고， MgS04로 건조한다. MgS04를 필터로 제거하고, 증발기를 이용해 용매를 제거하고， 실리카 컬럼을 이용하여， 중간생성물 (23)인 3, 3'-디알릴 -4'- (알릴옥시)바이페닐 -4-올을 얻는다. 제 2-1단계의 반응스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000144_0001
(4)제 2— 2단계 : 3,3' ,5-트리알릴바이페닐 -4，4'-디을의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 2-1 단계에서 얻어지는 중간생성물 (23) 20.0g 과 1,2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 100ml 을 넣고 상온에서 잘 흔합한 후， 균일해진 용액을 8 시간 동안 19C C의 환류장치 설정온도로 환류한다. 반응 후 상온으로 넁각하고， 진공 오븐으로 용매를 제거한 후 중간생성물 (24)인 3,3'，5-트리알릴바이페닐ᅳ4, 4'-디올을 얻는다. 게 2- 2단계의 반응스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000145_0001
(5)제 3 단계: 2，2'— (3，3'，5_ 트리알릴바이페닐 -4,4'- 디일)비스 (옥시)비스 (메틸렌)디옥시레인의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 의 2구 플라스크에 상기 제 2-2단계에서 얻어지는 중간생성물 (24) 20.0g, 에피클로로히드린 (시그마 알드리치) 50.31ml, K2C03 58.18g 및 아세토니트릴 300ml 을 넣고 상온에서 흔합 다음에 온도를 을려 80°C에서 하루 밤새 동안 반응시킨다. 반응 후， 상온으로 넁각된 반응물을 셀라이트 여과하고 유기용액을 증발시켜서 중간생성물 (25)인 2，2'-(3,3'，5- 트리알릴바이페닐— 4,4'ᅳ디일)비스 (옥시 )비스 (메틸렌)디옥시레인을 얻는다. 제 3단계의 반웅스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000145_0002
(6)제 4 단계 : (3,3'，3' '-(2,6ᅳ비스 (옥시란 -2-일메특시)나프탈렌 -1,3,5- 트리일)트리스 (프로페인 -3， 1-디일))트리스 (트리에록시실레인)의 합성
500ml 플라스크에 상기 제 3 단계에서 얻어지는 증간생성물 (23) 20.0g, 트리에톡시실란 (시그마 알드리치) 29.13ml, 백금 산화물 326mg, 및 를루엔 200ml 을 넣고 흔합한 후， 아르곤이 충전된 상태에서 85°C에서 24 시간 동안 교반한다. 반웅 후， 얻은 조질의 생성물을 셀라이트 여과하고 증발기를 이용해 용매를 제거하여 최종 목적물인 알콕시 실릴기를 갖는 바이페닐 에폭시 화합물을 얻는다. 제 43단계의 반응스킴 및 최종 생성물의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000146_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： 5=0.60-0.70 (m, 6H), 1.20τ1.25 (t, 27H), 1.60- 1.70 (m, 6H), 2.50-2.70 (t, 6H), 2.70-2.80 (m, 2H) , 2.80-2.90 (m, 2H), 3.30-3.40 (m, 2H) , 3.70-4.00 (m, 20H), 4.10-4.20 (m, 2H), 6.90-7.50 (m, 5H). 예측예 BI-4 ： 디하이드톡시바이페닐을 이용한 테트라-알콕시실릴화된 에폭시 화합물의 합성
(1)제 1단계: 4，4'-비스 (알릴일옥시)바이페닐의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 바이페닐— 4, 4'ᅳ디을 (시그마 알드리치) 10.0g, 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 11.61.0ml, 2CO344.56g, 및 아세톤 500ml 을 첨가하고 상온에서 흔합하였다. 균일하게 잘 흔합된 용액을 8( C의 환류장치 설정온도로 환류 (reflux)하면서 하루 밤새 동안 반응시 다. 반응 후， 상온으로 냉각된 반웅물올 셀라이트 여과하고， 증발시켜서 조질의 생성물을 얻었다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3 번 세척하고 MgS04로 건조하였다. MgS04를 필터로 제거하고， 증발기를 이용하여 용매를 제거하여, 중간생성물 (11)인 4, 4'ᅳ비스 (알릴일옥시)바이페닐을 얻었다. 제 1 단계의 반응스킴 및 증간생성물 (11)의 NMR 데이타는 다음과 같았다.
Figure imgf000146_0002
¾ NMR (400MHz , CDC13) δ=4.56 (dt , J =5.2Hz, 1.6Hz, 4H) , 5.30-5.33 (m, 2H), 5,41-5.44 (m, 2H), 6.03-6.12 (m, 2H), 6.96 (td, J=3.0, 2.2， 8.8Hz, 4H) 7.46 (td, J =3.0, 2.2， 8.8Hz, 4H). .
(2)제 2단계: 3，3'-디알릴바이페닐 -4，4'-디올의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 1 단계에서 얻어지는 중간생성물 (11) 10. Og 과 1，2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 100ml 을 넣고 상온에서 잘 흔합한 후， 균일해진 용액을 72 시간 동안 190°C의 환류장치 설장온도로 환류하였다. 반웅 후 상온으로 넁각하고， 진공 오븐으로 용매를 제거한 후， 중간생성물 (12)인 3,3'-디알릴바이페닐-4，4'-디올을 얻었다. 제 2단계의 반웅스킴 및 중간생성물 (12)의 NMR 데이타는 다음과 같았다.
Figure imgf000147_0001
1Hᅳ匿 (400MHz, CDCI3) ： 5=3.35 (d, J=6.4Hz, 4H), 5.14-5.25 (m, 6H), 6.00- 6.10 (in, 2H), 6.84 (dd, J=2.0Hz, 7.2Hz, 2H), 7.29 (dd, J=10.6Hz, 4H) .
(3) 제 2-1단계: 3，3'- 디알릴 ᅳ4，4'- 비스 (알릴옥시)바이페닐의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 폴라스크에 상기 ·제 2 단계에서 얻어지는 중간생성물 (12) 20. Og, 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 24.40ml, K2C03 93.47g, 및 아세톤 500ml 올 첨가하고 상온에서 흔합한다. 균일하게 잘 .흔합된 용액을 80°C의 환류장치 설정온도로 환류 (reflux)하면서 하루 밤새 동안 반응시킨다. 반웅 후， 상온으로 냉각된 반웅물을 셀라이트 여과하고， 증발시켜서 조질의 생성물을 얻는다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3 번 세척하고 MgS04 로 건조한다. MgS04 를 필터로 제거하고， 증발기를 이용하여 용매를 제거하여， 중간생성물 (23)인 3，3'- 디알릴 — 4，4'ᅳ 비스 (알릴옥시)바이페닐을 얻는다. 제 2-1단계의 반웅스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000148_0001
(4)제 2-2단계 : 3,3'，5，5'-테트라알릴바이페닐— 4，4'-디을의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 2-1 단계에서 얻어지는 중간생성물 (23) 20. Og 과 1,2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 100ml 을 넣고 상온에서 잘 흔합한 후ᅳ 균일해진 반웅용액을 8 시간 동안 19( C의 환류장치 설정온도로 환류한다. 반웅 후 상온으로 넁각하고， 진공 오본으로 용매를 제거하여 중간생성물 (24)인 3,3' ,5,5'-테트라알릴바이페닐—4，4'-디올을 얻는다. 제 2-2단계의 반응스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000148_0002
(5)제 3 단계 : 2,2'-(3，3'，5，5'- 테트라알릴바이페닐 -4，4'— 디일)비스 (옥시)비스 (메틸렌)디옥시레인의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 의 2 구 플라스크에 상기 단계 2-2 에서 얻어지는 중간생성물 (24) 20.0g, 에피클로로히드린 (시그마 알드리치) 55.76ml, K2C03 64.49g 및 아세토니트릴 300ml 을 넣고 상온에서 흔합 다음에 온도를 올려 80°C에서 하루 밤새 동안 반웅시킨다. 반웅 후， 상은으로 넁각된 반웅물을 셀라이트 여과하고 유기용액을 증발시켜서 중간생성물 (25)인 2，2'-(3,3'，5，5'- 테트라알릴바이페닐 -4，4'-디일)비스 (옥시)비스 (메틸렌)디옥시레인을 얻는다. 제 3단계의 반웅스킴 및 중간생성물 (25)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000149_0001
(6)제 4 단계: (3,3'，3' ' ,3' ' '-(4，4'— 비스 (옥시란— 2-일메록시)바이페닐- 3,3' ,5,5'- 테트라일)테트라키스 (프로페인 -3，1 디일))테트라키스 (트리에록시실레인)의 합성
500ml 플라스크에 상기 제 3 단계에서 얻어지는 중간생성물 (25) 20. Og, 트리에톡시실란 (시그마 알드리치) 29.29ml, 백금 산화물 328mg, 및 를루엔 200ml 을 넣고 흔합한 후， 아르곤이 충전된 상태에서 85°C에서 24 시간 동안 교반한다. 반웅 후, 얻은 조질의 생성물을 셀라이트 여과하고 증발기를 이용해 용매를 제거하여 최종 목적물인 알콕시 실릴기를 갖는 바이페닐 에폭시 화합물을 얻는다. 제 4단계의 반웅스킴 및 최종 목적물의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000149_0002
¾ 腹 (400MHz, CDCls) ： 5=0.60-0.70 (m, 8H)， 1.20-1.25 (t, 36H), 1.60- 1.70 (m, 8H), 2.50-2.70 (t, 8H), 2.70-2.80 (m, 2H), 2.80-2.90 (m, 2H), 3.30-3.40 (m, 2H), 3.70-4.00 (m, 26H), 4.10-4.20 (m, 2H), 7.30-7.50 (s, 4H). 합성예 CI-1: 플루오렌을 이용한모노-알콕시실릴화된 에폭시 화합물의 합성 (1)제 1단계 : 4-(9-(4ᅳ (알릴옥시 )페날 Π-9Η-플루오렌 -9-일)페놀의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 의 2 구 플라스크에 4,4' -(9H-폴루오렌ᅳ 9，9- 디일)디페놀 (시그마 알드리치) 10.0g, K2C03 11.84g, 및 아세톤 500ml 을 넣고 상온에서 흔합하였다. 그 후， 균일하게 잘 흔합된 용액을 80°C의 환류장치 설장온도로 환류하면서 알랄 브로마이드 (시그마 알드리치) 3.08ml 를 적가한 다음에 하루 밤새 동안 반웅시찼다. 반응 후， 상온으로 냉각된 반웅물을 샐라이트 여과 (celite fi Iteration)하고， 유기용액을 증발시켜서 조질의 생성물을 얻었다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3 회 세척하고， MgS04로 건조하였다. MgS04를 필터로 제거하고， 증발기를 이용해 용매를 제거하여， 중간생성물 (11)을 얻었다. 제 1 단계의 반응스킴 및 얻어진 중간생성물 (11)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000150_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： 5=4.46 (dt, 1=5.2, 1.6Hz, 2H) , 5.20-5.25 (m, 2H) , 5.35-5.38 (m, 1H) , 5.98-6.06 (m, 1H) , 6.72-6.76 (m, 4H)， 7.06-7.11 (m, 4H), 7.24-7.39 (m, 6H)， 7.70-7.79 (m, 2H).
(2) 제 2단계 : 2-알릴 -4-(9-(4-히드록시페닐 )-9H-플루오렌 -9-일)페놀의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000m Γ 2 구 플라스크에 상기 제 1 단계에서 얻어진 중간생성물 (11) 10.0g 및 1，2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 50ml 을 넣고 상온에서 흔합한 후， 균일해진 반웅용액을 96 시간 동안 190°C의 환류장치 설정온도로 환류하였다. 반응 후， 상온으로 냉각하고， 진공 오본에서 '용매를 제거한 다음에， 2-알릴 -4-(9ᅳ(4-히드록시페닐 )-9H-플루오렌 -9-일)페놀을 얻었다. 제 2단계의 반응스킴 및 얻어진 중간생성물 (12)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000151_0001
¾ 證 (400丽 z, CDCls) ： 6=3.28 (d, J=6.0Hz, 2H), 5.04-5.10 (m, 2H)， 5.21 (br.s, 2H), 5.87-5.97 (m, 1H), 6.71-6.75 (m, 3H), 7.05-7.11 On, 4H), 7.24- 7.39 (m, 6H), 7.70-7.78 (m, 2H) .
(3) 제 3단계: 2-((2-알릴 -4-(9ᅳ(4ᅳ (옥시란 -2-일메특시)페닐) -9H-플루오렌 -9-일) 페녹시)메틸)옥시란의 합성
환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 2 단계에서 얻은 중간생성물 (12) 10.0g, 에피클로로히드린 (시그마 알드리치) 18.16ml, K2C03 21.00g, 및 아세토니트릴 200ml 을 넣고 상온에서 흔합한 다음에， 온도를 을려 80°C에서 하루 밤새 반웅시켰다. 반웅 후， 상온으로 넁각된 반웅물을 셀라이트 여과하고 유기용액을 증발시켜서 중간생성물 (13)을 얻었다. 제 3 단계의 반웅스킴 및 얻어진 중간생성물 (13)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000151_0002
¾ NMR (400MHz, CDCI3) ： 5=2.77 (dd, J =2.6Hz, 2H), 2.87 (dd, J=4.2Hz, 2H), 3.10-3.36 (m, 4H), 3.98 (dd, J=5.'4Hz, 2H), 4.14 (dd, J=3.2Hz, 2H), 4.97- 5.04 (m, 2H), 5.92-6.03 (m, 1H)， 6.75-6.85 (m, 3H), 7.01—7.12 (m, 4H), 7.24-7.39 (m, 6H), 7.70-7.78 (m, 2H).
(4)제 4 단계: 트리에록시 (3ᅳ(2- (옥시란 -2-일메특시) -5-(9-(4- (옥시란 -2- 일메록시)페닐) -9H-플루오렌 -9-일)페닐)프로필)실란의 합성 250ml 플라스크에 상기 제 3 단계에서 얻은 중간생성물 (13) 10. Og, 트리에록시실란 (시그마 알드리치) 3.7½1， 백금 산화물 41mg, 및 를루엔 100ml 을 넣고 잘 흔합한 후, 아르곤이 충전된 상태에서 85°C에서 72 시간 동안 교반하였다. 반응 후， 얻어진 조질의 생성물을 샐라이트 여과하고 증발기를 이용하여 용매를 제거하여 최종 목적물인 알콕시 실릴기를 갖는 플루오렌 에폭시를 얻었다. 제 4 단계의 반웅스킴 및 얻어진 최종 목적물의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000152_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： 5=0.64-0.69 (m, 2H), 1.21 (t, J=7.0Hz, 9H), 1.62- 1.74 (m, 2H), 2.64 (t, J=7.6Hz, 2H)， 2.74 (dd, J=2.6Hz, 2H) , 2.87· (dd, J =4.2Hz, 2H), 3.29-3.34 (m, 2H), 3.79 (q, J=1.6Hz, 6H), 3.97 (dd, J=5.2Hz, 2H), 4.14 (dd, J=3.2Hz, 2H), 6.81—6.87 (m, 3H), 6.96-7.07 (m, 4H)， 7.24- 7.39 (m, 6H), 7.70-7.78 (m, 2H). 합성예 CI-2: 플루오렌을 이용한디-알콕시실릴화된 에폭시 화합물의 합성
(1)제 1단계: 9, 9-비스 (4- (알릴옥시)페닐) -9H-플루오렌의 합성
환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 4， 4' -(9H-플루오렌 -9，9- 디일)디페놀 (시그마 알드리치) 10. Og, 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 6.17ml K2CO323.68g, 및 아세톤 500m Γ을 첨가하고 상온에서 흔합하였다. 균일하게 잘 흔합된 용액을 80°C의 환류장치 설정온도로 환류 (reflux)하면서 하루 밤새 동안 반웅시킨다. 반웅 후， 상은으로 넁각된 반웅물을 셀라이트 여과하고， 증발시켜서 조질의 생성물을 얻었다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에될 아세테이트로 추출하고， 물로 3 번 세척하고 MgS04로 건조하였다. MgS04를 필터로 제거하고， 증발기를 이용하여 용매를 제거하여, 중간생성물 (11)인 9,9-비스 (4- (알릴옥시)페닐)—9H-플루오렌을. 얻었다. 제
Figure imgf000153_0001
중간생성물 (11)의 MR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000153_0002
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： 5=4.46 (td, J=1.4, 2.4Hz, 4H), 5.25 (qd, J=1.6, 1.2， 10.4Hz, 2H), 5.35-5.38 (m, 2H), 5.97-6.06 (m, 2H), 6.75 (td, J=3.2, 2.0， 8.8Hz, 4H), 7.10 (td, J=3.2, 2.0, 8.8Hz, 4H), 7.23-7.39 (m, 6H), 7.70- 7.79 (m, 2H).
(2)제 2단계: 4,4'-(9H-플루오렌 -9，9-디일)비스 (2-알릴페놀)의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 1 단계의 반웅에서 얻은 증간생성물 (11) 10. Og 과 1,2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 100ml 을 넣고 상온에서 잘 흔합한 후， 균일해진 반응용액을 96 시간 동안 190X:의 환류장치 설정온도로 환류하였다. 반웅 후 상은으로 냉각하고， 진공 오븐으로 용매를 제거한 후， 중간생성물 (12)인 4,4'-(9H-플루오렌 -9,9-디일)비스 (2-알릴페놀) 을 얻었다. 제 2 단계의 반웅스킴 및 얻어진 중간생성물 (12)의 NMR 데이타는 다음과 같다. ' .
Figure imgf000153_0003
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： δ=3.28 (d, J=6.0Hz, 4H), 5.04-5.09 (m, 4H), 5.21 (s, 2H), 5.87-5.97 (m, 2H), 6.62 (d, J=8.4Hz, 2H), 6.88 (dd, J=2.4, 6.0Hz, 2H), 6.96 (d, J=2.4Hz, 2H) , 7.22-7,36 (m, 6H),.7.74 (d, J=7.2Hz, 2H).
(3)제 3 단계: 2，2'-(4,4'-(9 플루오렌-9，9-디일)비스(2-알릴-4，1-페닐렌)) 비스 (옥시)비스 (메틸렌)디옥시란의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 의 2 구 플라스크에 상기 제 2 단계에서 얻어진 중간생성물 (12) 10.0g, 에피클로로히드린 (시그마 알드리치) 18.16ml, K2C03 21.00g 및 아세토니트릴 300ml 을 넣고 상온에서 흔합 다음에 온도를 을려 80°C에서 하루 밤새 동안 반웅시켰다. 반웅 후， 상온으로 넁각된 반웅물을 셀라이트 여과하고 유기용액을 증발시켜서 중간생성물 (13)을 얻었다. 제 3단계의 반웅스킴 및 얻어진 중간생성물 (13)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000154_0001
¾赚 (400MHz, CDCI3) ： 5=2.75 (dd, J =2.6Hz, 2H) , 2.87 (dd, J=4.2Hz, 2H)， 3.11-3.35 (tn, 6H)， 3.96 (dd, J=5.4Hz, 2H) , 4.12 (dd, J=3.2Hz, 2H), 4.97- 5.03 (m, 4H) , 5.93-6.03 (m, 2H)， 6.69 (d, J=8.4Hz, 2H), 6.80-6.83(m, 2H), 7.05 (s, 2H), 7.22-7.36 (m, 6H), 7.74 (d, J=7.2Hz, 2H) .
(4)제 .4단계： (3，3 ' -(5， 5 ' -(9H-플루오렌 -9， 9-디일 )비스 (2- (옥시란 -2-일메특시 )一 5， 1-페닐렌))비스 (프로판 -3， 1-디일 ) ) -비스 (트리에록시실란) 합성
500ml 플라스크에 상기 제 4 단계의 반웅에서 얻어진 중간생성물 (13) 10.0g, 트리에특시실란 (시그마 알드리치) 7.48ml, 백금 산화물 84mg, (및 를루엔 200ml 을 넣고 흔합한 후， 아르곤이 층전된 상태에서 85°C에서 72 시간 동안 교반하였다. 반응 후, 얻은 조질의 생성물을 셀라이트 여과하고 증발기를 이용해 용매를 제거하여 최종 목적물을 얻었다. 제 4 단계의 반응스킴 및 얻어진 최종 생성물의 證 데이타는 다음과 같다. . '
Figure imgf000155_0001
¾ NMR (400腿 z, CDCls) ： 6-0.66-0.70 (m, 4H)， 1.20 (t, J=7.0Hz, 18H)， 1.63-1.71 (m, 4H), 2.61 (t, J=7.6Hz, 4H)， 2.75 (dd, J=2.6Hz, 2H), 2.86 (dd, J =4.2Hz, 2H), 3.30-3.35 (m, 2H) , 3.79 (q, J=1.6Hz, 12H), 3.96 (dd, J=5.2Hz, 2H), 4.14 (dd, J=3.2Hz, 2H) , 6.69 (d, J=8.4Hz, 2H)， 6.80-6.83 (in, 2H) , 7.03 (s, 2H), 7.21-7.36 (m, 6H), 7.73 (d, J=7.2Hz, 2H) . 예측예 CI-3 ： 디하이드록시플루오렌을 이용한 트리-알콕시실릴화된 에폭시 화합물의 합성
(1)제 1단계: 9，9-비스 (4- (알릴옥시)페닐) 9H-플루오렌의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 의 2 구 플라스크에 4,4' -(9H-플루오렌ᅳ9，9- 디일)디페놀 (시그마 알드리치) 10. Og, 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 6.17ml, K2C0323.68g, 및 아세톤 500ml 을 첨가하고 상온에서 흔합하였다. 균일하게 잘 흔합된 용액을 80°C의 환류장치 설정온도로 환류 (reflux)하면서 하루 밤새 동안 반응시켰다. 반응 후， 상은으로 넁각된 반웅물을 셀라이트 여과하고， 증발시켜서 조질의 생성물을 얻었다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3 번 세척하고 MgS04로 건조하였다. MgS04를 필터로 제거하고， 증발기를 이용하여 용매를 제거하여, 중간생성물 (11)인 9,9-비스 (4- (알릴옥시)페닐) -9Hᅳ플루오렌을 얻었다. 제 .1 단계의 반웅스킴 및 얻어진 증간생성물 (11)의 NMR 데이타는 다음과 같았다.
Figure imgf000156_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： δ=4.46 (td, J=1.4, 2.4Hz, 4H), 5.25 (qd, J=1.6, 1.2， 10.4Hz, 2H), 5.35-5.38 (m, 2H), 5.97-6.06 (m, 2H), 6.75 (td, 1=3.2, 2.0， 8.8Hz, 4H), 7.10 (td, 1=3.2, 2.0, 8.8Hz, 4H), 7.23-7.39 (m, 6H) , 7.70— 7.79 (m, 2H).
(2)제 2단계 : 4,4'-(9H-플루오렌 -9,9-디일)비스 (2-알릴페놀)의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000m Γ 2 구 플라스크에 상기 제 1 단계에서 얻어지는 중간생성물 (11) 10. Og 과 1,2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 100ml 을 넣고 상온에서 잘 흔합한 후， 균일해진 용액을 96 시간 동안 환류하였다. 환류에 의한 반웅 후， 상온으로 넁각하고， 진공 오본으로 용매를 제거하여 중간생성물 (12)인 4,4'— (9H-플루오렌 -9,9-디일)비스 (2-알릴페놀)을 얻었다. 제 2 단계의 반응스킴은 다음과 같았다.
Figure imgf000156_0002
¾ NMR (400MHz, CDCI3) ： 5=3.28 (d, J=6.0Hz 4H), 5.04-5.09 (m, 4H)， 5.21 (s, 2H), 5.87-5.97 (m, 2H), 6.62 (d, J=8.4Hz 2H), 6.88 (del,' J =2.4， 6.0Hz， 2H), 6.96 (d, J=2.4Hz, 2H) , 7.22-7.36 (m, 6H) 7.74 (d, J=7.2Hz, '2H).
(3) 제 2-1 단계: 2-알릴 -4ᅳ(9-(3-알랄 -4- (알릴옥시)페닐) -9H-플루오렌 -9- 일)페놀의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 의 2 구 플라스크메 상기 제 2 단계에서 얻어지는 중간생성물 (12) 20.0g, K2C03 16.52g, 및 아세톤 500ml 을 넣고 상온에서 흔합한다. 그 후, 균일하게 잘 흔합된 용액을 190°C의 환류장치 설정온도로 환류하면서 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 3.79tnl 를 적가한 다음에 하루 밤새 동안 반웅시킨다. 반응 후, 상온으로 넁각된 반응물을 셀라이트 여과 (celite filteration)하고， 유기奇액을 증발시켜서 조질의 생성물을 얻는다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3 회 세척하고， MgS04로 건조한다. MgS04를 필터로 제거하고， 증발기를 이용해 용매를 제거하고， 실리카 컬럼을 이용하여， 중간생성물 (23)인 2-알릴 -4-(9-(3—알릴 -4- (알릴옥시)페닐)—9H-플루오렌 -9-일)페놀을 얻는다. 제 2-1 단계의 반웅스킴 및 얻어진 중간생성물 (23)의 MR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000157_0001
(4)제 2-2 단계: 2，6-디알릴-4-(9-(3-알릴-4-하아드록시페닐)-911- 풀루오렌 -9ᅳ 일)페놀의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 2-1 단계에서 얻어지는 중간생성물 (23) 20.0g 과 1,2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 100ml 을 넣고 상온에서 잘 흔합한 후， 균일해진 반응용액을 8 시간 동안 환류한다. 반웅 후 상온으로 넁각하고， 진공 오븐으로 용매를 제거하여 중간생성물 (24)를 얻는다. 제 2-2단계의 반응스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000158_0001
(5)제 3 단계: 2ᅳ((2-알릴 -4-(9ᅳ(3，5- 디알릴 -4- (옥시란 -2-일메록시)페닐) -9H- 플루오렌 -9-일)페녹시)메틸)옥시레인의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 의 2구 플라스크에 상기 제 2-2단계에서 얻어지는 증간생성물 (24) 20. Og, 에괴클로로히드린 (시그마 알드리치) 32.76ml, K2C03 37.88g 및 아세토니트릴 300ml 을 넣고 상온에서 흔합 다음에 온도를 을려 80°C에서 하루 밤새 동안 반응시킨다. 반웅 후, 상온으로 넁각된 반웅물을 셀라아트 여과하고 유기용액을 증발시켜서 중간생성물 (25)인 2-((2-알릴 -4-(9- (3,5- 디알릴 -4- (옥시란 -2-일메톡시)페닐) -9Hᅳ플루오렌 -9- 일〉페녹시)메틸)옥시레인을 얻는다. 제 3단계의 반웅스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000158_0002
(6)제 4 단계: (2,2'-(2- (옥시란 -2- 일메톡시) -5-(9-(4- (옥시란 -2- 일메록시) - 3-(2- (트리에톡시실릴)에틸)페닐 )-9H-플루오렌 -9-일 )-1， 3-페닐렌)비스 (에탄 -2， 1- 디일))비스 (트리에특시실레인)의 합성
500ml 플라스크에 상기 제 3 단계에서 얻어지는 중간생성물 (25) 20.0g, 트리에톡시실란 (시그마 알드리치) 29.13ml, 백금 산화물 326mg, 및 롤루엔 200ml 을 넣고 흔합한 후, 아르곤이 층전된 상태에서 85°C에서 24 시간 동안 교반한다. 반웅 후， 얻은 조질의 생성물을 셀라이트 여과하고 증발기를 이용해 용매를 제거하여 최종 목적물인 알콕시 실릴기를 갖는 플루오렌 에폭시 화합물을 얻는다. 제 4단계의 반웅스킴 및 최종 목적물의 NMR.데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000159_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： 5=0.60-0.70 (m, 6H)， 1.20-1.25 (t, 27H), 1.60- 1.70 (m, 6H), 2.50-2.70(t, 6H), 2.70-2.80 (m, 2H)， 2.80—2.90 (m, 2H), 3.30- 3.40 (m, 2H), 3.70-4.00 (m, 20H) , 4.10-4.20 (m, 2H), 6.70-7.00 Cm, 5H) , 7.20-7.40 (m, 6H), 7.70-7.90 (d, 2H) . 예측예 CI-4 ： 디하이드록시플루오렌을 아용한 테트라—알콕시실릴화된 에폭시 화합물의 합성
(1)제 1단계: 9，9-비스 (4- (알릴옥시)페닐) -9H-플루오렌의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 4，4' -(9H-플루오렌 -9 ,9- 디일)디페놀 (시그마 알드리치) 10.0g, 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 6.17ml, K2CO323.68g, 및 아세톤 500ml 을 첨가하고 상온에서 흔합하였다. 균일하게 잘 흔합된 용액을 80°C의 환류장치 설정은도로 환류 (reflux)하면서 하루 밤새 동안 반웅시켰다. 환류에 의한 반웅 후, 상온으로 넁각된 반응물을 셀라이트 여과하고， 증발시켜서 조질의 생성물을 얻었다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3 번 세척하고 MgS04 로 건조하였다. MgS04 를 필터로 제거하고， 증발기를 이용하여 용매를 제거하여, 중간생성물 (11)인 9，9- 비스 (4- (알릴옥시)페닐) -9H-플루오렌을 얻었다. 제 1 단계의 반응스킴 및 얻어진 중간생성물 (11)의 NMR 데이타는 다음과 같았다.
Figure imgf000160_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： δ=4.46 (td, J=1.4, 2.4Hz, 4H)， 5.25 (qd, J=1.6, 1.2， 10.4Hz, 2H), 5.35-5.38 (m, 2H) , 5.97-6.06 (m, 2H) , 6.75 (td, J =3.2, 2.0, 8.8Hz, 4H), 7.10 (td, J=3.2, 2,0, 8.8Hz, 4H), 7.23-7.39 (m, 6H) , 7.70- 7.79 (m, 2H).
(2)제 2단계 : 4,4'-(9H-플루오렌ᅳ9，9-디일)비스 (2ᅳ알릴페놀)의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2구 플라스크에 상기 제 1단계에서 얻어지는 9，9- 비스 (4- (알릴옥시)페닐 )-9H-플루오렌 10.0g 과 1,2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 100ml 을 넣고 상온에서 잘 흔합한 후， 균일해진 용액을 96 시간 동안 190°C의 환류장치 설정온도로 환류하였다. 환류에 의한 반웅 후， 상온으로 넁각하고， 진공 오븐으로 용매를 제거한 후, 중간생성물 (12)인 4,4'-(9H- 플루오렌 -9，9-디일)비스 (2-알릴페놀) 을 얻었다. 제 2 단계의 반웅스킴 및 얻어진 중간생성물 (12)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000160_0002
¾ 赚 (400MHz, CDCI3) ： 5=3.28 (d, J=6.0Hz, 4H)， 5.04-5.09 (m, 4H), 5.21 (s, 2H), 5.87-5.97 (m, 2H) , 6.62 (d, J=8.4Hz, 2H), 6.88 (dd, J-2.4, 6.0Hz, 2H), 6.96 (d, J=2.4Hz, 2H)， 7.22-7.36 (m, 6H), 7.74 (d, J =7.2Hz, 2H) . (3) 제 2-1단계: 9,9-비스 (3-알릴 -4- (알릴옥시)페닐)—9H-플루오렌와 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 2 단계에서 얻어지는 중간생성물 (12) 20.0g, 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 15.09ml, K2C03 57.82g, 및 아세톤 500ml 을 첨가하고 상온에서 흔합한다. 균일하게 잘 흔합된 용액을 8( C의 환류장치 설정온도로 환류 (reflux)하면서 하투 밤새 동안 반웅시킨다. 반응 후, 상온으로 냉각된 반응물을 셀라이트 여과하고， 증발시켜서 조질의 생성물을 얻는다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3 번 세척하고 MgS04로 건조한다. MgS04 를 필터로 제거하고, 증발기를 이용하여 용매를 제거하여, 중간생성물 (23)인 9, 9-비스 (3-알릴 -4- (알릴옥시)페닐) -9H-플루오렌을 얻는다. 제 2-1단계의 반응스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000161_0001
(4)제 2-2단계 : 4,4'-(9H-플루오렌 -9,9-디일)비스 (2，6-다알릴페놀)의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 2-1 단계의 중간생성물 (23) 20.0g 과 1，2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 100ml 을 넣고 상온에서 잘 흔합한 후, 균일해진 용액을 8 시간 동안 190°C의 환류장치 설정온도로 환류한다. 환류에 의한 반응 후， 상온으로 넁각하고， 진공 오븐으로 용매를 제거한 후， 중간생성물 (24)인 4，4'-( ᅳ플루오렌-9，9-디일)비스(2,6-디알릴페놀)을 얻는다. 제 2-2단계의 반응스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000162_0001
(5)제 3 단계: 2,2'-(4,4'-(9H—플루오렌 -9，9-디일)비스 (2,6-디알릴 -4,1- 페닐렌))비스 (옥시)비스 (메틸렌)디옥시레인의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 의 2구 폴라스크에 상기 제 2-2단계에서 얻어지는 중간생성물 (24) 20. Og， 에피클로로히드린 (시그마 알드리치) 37.8½1， K2C03 43.76g 및 아세토니트릴 300ml 을 넣고 상온에서 흔합 다음에 온도를 을려 8( C에서 하루 밤새 동안 반웅시킨다. 반웅 후， 상온으로 넁각된 반웅물을 샐라이트 여과하고 유기용액을 증발시켜서 중간생성물 (25)인 2,2'-(4,4'-(9H- 폴루오렌 -9,9-디일)비스 (2,6-디알릴 -4,1- 페닐렌))비스 (옥시)비스 (메틸렌)디옥시레인을 얻는다. 제 3 단계의 반웅스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000162_0002
(6)제 4 단계 : (3，3' ,3' ' ,3' ' '-(5,5'-(9Η-플루오렌ᅳ 9，9-디일)비스 (2- (옥시란 -2- 일메록시)벤젠 -5,3， 1-트리일)) 테트라키스 프로페인 -3,1- 디일))테트라키스 (트리에록시실레인)의 합성
500ml 플라스크에 상기 단계 3 에서 얻어지는 중간생성물 (25) 20.0g, 트리에특시실란 . (시그마 알드리치) 21.57ιτι1, 백금 산화물 241mg, 및 를루엔 200ml 을 넣고 흔합한 후， 아르곤이 충전된 상태에서 85°C에서 24 시간 동안 교반한다. 반응 후， 얻은 조질의 생성물을 셀라이트 여과하고 증발기를 이용해 용매를 제거하여 최종 목적물인 알콕시 실릴가를 갖는 플루오렌 에폭시 화합물을 얻는다. 제 4단계의 반웅스킴 및 최종 목적물와 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000163_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： 6=0.60-0.70 (m, 8H) , 1.20-1.25 (t, 36H), 1.60- 1.70 (in, 8H), 2.50-2.70(t, 8H), 2.70-2.80 (m, 2H), 2.80-2.90 (m, 2H), 3.30- 3.40 (m, 2H), 3.70-4.00 (m, 26H), 4.10-4.20 (m, 2H), 6.70-7.00 (s, 4H), 7.20-7.40 (m, 6H), 7.70-7.90 (d, 2H). 합성예 DI-1: 비스페놀 A을 이용한모노-알콕시실릴화된 에폭시 화합물의 합성
(1) 제 1단계: 4-(2-(4ᅳ (알릴옥시)페닐)프로판 -2-일)페놀의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 의 2 구 플라스크에 비스페놀 A (시그마 알드리치) 20.0g, 2C03 36.35g, 및 아세톤 500ml 을 넣고 상온에서 흔합하였다. 그 후， 균일하게 잘 흔합된 용액을 80°C의 환류장치 설정온도로 환류하면서 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 8.33ml 를 적가한 다음에 하루 밤새 동안 반웅시켰다. 반응 후， 상온으로 냉각된 반웅물을 샐라이트 여과 (celite filteration)하고， 유기용액을 증발시켜서 조질의 생성물을 얻었다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3 회 세척하고， MgS04로 건조하였다. MgS04 를 필터로 제거하고, 증발기를 이용해 용매를 제거하여, 중간생성물 (11)인 4-(2-(4ᅳ (알릴옥시)페닐)프로판 -2-일)페놀올 얻었다. 제 1단계의 반웅스킴 및 얻어진 중간생성물 (11)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000164_0001
¾ 醒 (400MHz, CDCls) ： 8=1.60 (s, 6H), 4.87 (s, 1H), 4.60 (d, J=5.2Hz, 2H), 5.33 (dd, J=1.4Hz, 1H) , 5.44 (dd, J=1.6Hz, 1H), 6.05-6.15 (m, 1H)， 6.47(d, J=8.2Hz, 2H), 6.70 (d, J=8.4Hz, 2H), 7.28 (d, J=10.8Hz, 4H) .
(2) 제 2단계 : 2-알릴 -4-(2— (4-하이드톡시페닐)프로판 -2-일)페놀의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2구 폴라스크에 상기 제 1단계에서 얻어진 중간생 성물 (11) 8.0g 및 1，2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 250ml올 넣고 상온에서 흔합한 후， 균일해진 용액을 8시간 동안 19CTC의 환류장치 설정온도로 환류하였 다. 환류에 의한 반웅 후， 상온으로 냉각하고， 진공 오븐에서 용매를 제거하여 중간생성물 (12)인 2ᅳ알릴 -4-(2-(4-하이드톡시페닐)프로판 -2-일)페놀을 얻었다. 제 2단계의 반응스킴 및 얻어진 중간생성물 (12)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000164_0002
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： 5=1.60 (s, 6H)， 3.36 (d, J=6.4Hz, 2H) , 4.86 (br.s, 2H), 5.08-5.12 (m, 2H) , 5.92-6.03 (m, 1H)， 6.76 (m, 3H), 6.94 (m, 4H) .
(3) 제 3단계: 2ᅳ((2-알릴 -4-(2ᅳ(4- (옥시란— 2-일메톡시)페닐)프로판 -2-일)페녹시) 메틸)옥시레인의 합성 환류 콘덴서가 장착된 500m 1: 2 구 플라스크에 상기 제 2 단계에서 얻은 중간생성물 (12) 7.0g, 에피클로로히드린 (사그마 알드리치) 19.35ml, K2C03 21.64g, 및 아세토니트릴 200m ί 을 넣고 상온에서 흔합한 다음에， 온도를 을려 80°C에서 하루 밤새 반웅시켰다. 반웅 후， 상온으로 넁각된 반웅물을 샐라이트 필터로 여과하고 유기용액을 증발시켜서 중간생성물 (13)인 2— ((2-알릴 -4-(2-(4- (옥시란 -2-일메특시)페닐)프로판 -2-일)페녹시)메틸)옥시레인을 얻었다. 제 3단계와 반웅스킴 및 얻어진 중간생성물 (13)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000165_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： 5=1.60 (s, 6H) , 2.76 (dd, J=2.6Hz, 2H), 2.87 (dd, J=4.2Hz, 2H), 3.30-3.36 (m, 4H)， 3.95-3.98 (m, 2H), 4.17-4.20 (m, 2H), 4.97-5.03 (m, 2H) , 5.93-5.98 (m, 1H) , 6.72 (m, 3H), 6.96-7.01 (m, 4H) .
(4) 제 4단계: 트리에특시 (3-(2- (옥시란 -2-일메특시) -5-(2-(4- (옥시란 -2-일메톡 시)페닐)프로판 -2-일)페닐)프로필)실레인의 합성
250ml 플라스크에 상기 제 3 단계에서 얻은 중간생성물 (13) 10.0g, 트리에톡시실란 (시그마 알드리치) 5.95ml, 백금 산화물 lOOmg, 및 를루엔 100ml 을 넣고 잘 흔합한 후， 아르곤이 충전된 상태에서 85°C에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응 후, 얻어진 조질의 생성물을 샐라이트 여과하고 증발기를 이용하여 용매를 제거하여 최종 목적물인 알콕시 실릴기를 갖는 비스페놀 A 에폭시를 얻었다. 제 4 단계의 반응스킴 및 얻어진 최종 목적물의 NMR 데이타는 다음과 같았다.
Figure imgf000166_0001
NMR (400MHz, CDC13) ： 5=0.65-0.70 (m, 2H), 1.23 (t, J=7.0Hz, 9H), 1.61 (s, 6H), 1.60-1.71 (m, 2H)， 2.62 (t, J=7,6Hz, 2H), 2.74 (dd, J=2.6Hz, 2H) , 2.86 (dd, J =4.2Hz, 2H), 3.30-3.34 (m, 2H), 3.80 (q, 1.6Hz, 6H) , 3.98 (dd, J=5.2Hz, 2H), 4.13 (dd, J-3.2Hz, 2H), 6.72 (m, 3H), 6.96-7.03 (m, 4H). 합성예 DI-2: 비스페놀 A을 이용한다이-알콕시실릴화된 에폭시 화합물의 합성
(1) 제 1단계: 4, 4'- (프로페인 -2，2-디일)비스 (알릴옥시벤젠)의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2구 플라스크에 바스페놀 A (시그마 알드리치) 20. Og, 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 18.9½1， K2C0372.69g, 및 아세톤 500tnl을 첨가하고 상온에서 흔합하였다. 균일하게 잘 흔합된 용액을 80°C의 환류 장치 설정온도로 환류 (reflux)하면서 하루 밤새 동안 반응시켰다. 반웅 후， 상온 으로 넁각된 반응물을 샐라이트 여과하고， 증발시켜서 조질의 생성물을 얻었다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3번 세척하 고 MgS04로 건조하였다. MgS04를 필터로 제거하고， 증발기를 이용하여 용매를 제 거하여， 중간생성물 (11)인 4, 4'- (프로페인 -2，2—디일)비스 (알릴옥시벤젠)을 얻었 다. 제 1단계의 반웅스킴 및 얻어진 중간생성물 (11)의 NMR 데이타는 다음관 같다.
Figure imgf000166_0002
Ή NMR (400MHz, CDCI3) ： δ=1.60 (s, 6H), 4.61 (d, J=5.2Hz, 4H), 5.31 (dd
J=1.4Hz, 2H), 5.45 (dd, J=1.6Hz, 2H), 6.06-6.15 (m, 2H), 6.69 (d, J=8.4Hz 4H), 7.28 (d, J=10.8Hz, 4H).
(2)제 2단계: 4，4'- (；프로페인 -2，2ᅳ디일)비스 (2-알릴페놀)의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2구 플라스크에 상기 제 1단계의 반웅에서 얻은 중 간생성물 (11) 20. Og과 1,2—다클로로벤젠 (시그마 알드리치) 250ml을 넣고 상온에 서 잘 흔합한 후, 균일해진 용액을 8시간 동안 190°C의 환류장치 설정온도로 환 류하였다. 환류에 의한 반웅 후， 상온으로 냉각하고， 진공 오븐으로 용매를 제거 한 후， 중간생성물 (12)인 2，2' -디알릴비스페놀 A—을 얻었다. 제 2단계의 반웅스 킴 및 얻어진 중간생성물 (12)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000167_0001
Ή 證 (400MHz , CDCls) ： 5=1.60 (s, 6H) , 3.35 (d, J=6.4Hz, 4H), 4.86 (s 2H), 5.08-5.12 (m, 4H) , 5.93-6.03 (m, 2H) , 6.75 (d, J=8.4Hz, 2H)， 6.94 (dd J=10.6Hz, 4H).
(3)제 3단계: 2，2'-(4，4'- (프로페인 -2,2—다일)비스 (2-알릴 -4，1ᅳ 페닐렌))비스 (옥시)비스 (메틸렌)다옥시레인의 합성 환류 콘덴서가 장착된 ΙΟΟΟπ 의 2구 플라스크에 상기 제 2단계에서 얻어진 증간 생성물 (12) 29.0g, 에피클로로히드린 (시그마 알드리치) 73.54ml, 2C0385.67g 및 아세토니트랄 300ml을 넣고 상은에서 흔합한 다음에 온도를 을려 80°C에서 하루 밤새 동안 반응시켰다. 반웅 후， 상온으로 냉각된 반웅물을 샐라이트 여과하고 유기용액을 증발시켜서 중간생성물 (13)을 얻었다. 제 3단계의 반응스킴 및 얻어 진 중간생성물 (13)의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000168_0001
¾ NMR (4.00MHz, CDC13) ： δ=1.61 (s, 6H) , 2.75 (dd, J=2.6Hz, 2H), 2.87 (dd, J=4.2Hz, 2H), 3.32-3.36 (m, 6H) , 3.94-3.98 (m, 2H), 4.16-4.20 (m, 2H) , 4.97-5.03 (m, 4H) , 5.93-5.98 (m, 2H) , 6.71 (d, J=8.4Hz, 2H)， 6.97-7.00 (m, 4H).
(4) 제 4단계: (3，3' -(5， 5' - (프로페인 -2，2-디일)비스 (2- (옥시란 -2-일메톡시) - 5,1-페닐렌))비스 (프로페인 -3，1—디일))비스 (트리에톡시실레인)의 합성
500ml 플라스크에 상기 제 4단계의 반웅에서 얻어진 중간생성물 (13) 26.25g, 트 리에특시실란 (시그마 알드리치) 25.35nil, 백금 산화물 250mgᅳ 및 를루엔 200ml 을 넣고흔합한 후, 아르곤이 층전된 상태에서 85°C에서 24시간 동안 교반하였다. 반웅 후， 얻은 조질의 생성물을 샐라이트 여과하고 증발기를 이용해 용매를 제거 하여 최종 목적물인 알콕시 실릴기를 갖는 비스페놀 A 에폭시 화합물을 얻었다. 제 4단계의 반웅스킴 및 얻어진 최종 생성물의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000168_0002
¾ 墮 (400MHz, CDCI3) ： 5=0.64-0.69 (m, 4H), 1.22 (t, J=7.0Hz, 18H), 1.60
(s, 6H), 1.62-1.72 (m, 4H), 2.61 (t, J-7.6Hz, 4H), 2.74 (dd, J=2.6Hz, 2H) ,
2.86 (dd, J=4.2Hz( 2H), 3.30-3.34 (m, 2H), 3.79 (q, 1.6Hz, 12H), 3.97 (dd,
J-5.2Hz, 2H), 4.14 (dd, J=3.2Hz, 2H), 6.70 (d, J=7.6Hz, 2H) , 6.94 (dd, J=2.8Hz, 2H), 6.99 (d, J=7.6Hz, 2H). 합성예 DI-2-1: 비스페놀 A 을 이용한 모노-알콕시실릴화된 에폭시 화합물의 합성
(1) 제 3-1단계: 2-((2-알릴 -4-(2-(4- (옥시란 -2-일메록시) -3- (옥시란 -2-일메톡시) 페닐)프로판 -2-일)페녹시) -메틸)옥시레인
500ml 플라스크에 상기 합성예 D-2 의 제 3 단계에서 얻어진 2,2'-(4，4'- (프로페인 -2，2-디일)비스 (2-알릴 -4,1-페닐렌))비스 (옥시)비스 (메틸렌)디옥시레인 15. Og, 77mol% 3-클로로과옥시벤조산 10.39g, 그리고 메틸렌 클로라아드 (300ml)를 넣고， 상온에서 18 시간 동안 교반하였다. 그 후, 티오황산나트륨 5 수화물 수용액으로 반응을 워크 업 (work up)하고， 에틸 아세테이트로 추출하였다. 그 후， 반웅생성물을 1N 수산화나트륨 수용액 및 브라인 (brine)으로 씻어주고， MgS04 로 건조한 다음에 필터로 여과하고 증발시켜서 용매를 제거하고 실리카 컬럼으로 정제하여 중간생성물 (13' )인 2- ((2-알릴— 4-(2-(4— (옥시란 -2-일메록시) -3- (옥시란 -2-일메톡시)페닐)프로판 -2- 일)페녹시) -메틸)옥시레인을 얻었다. 제 3-1 단계의 반웅스킴 및 얻어진 최종 생성물의 NMR 데이타는 다음과 같다
Figure imgf000169_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： δ 1.60 (s, 6H), 2.53-2.57 (m, 1H), 2.73-2.81 (m 5H)„ 2.89-2.92 (m, 3H) , 3.16-3.18 (m, 1H) , 3.31-3.35 (m, 3H) , 3.90-3.97 (m 2H), 4.22-4.25 (m, 2H), 4.97-5.04 (m, 2H) , 5.93-5.97 (m, 1H), 6.66-6.82 (m 2H), 6.73-6.75 (m, 2H), 7.03-7.05 (m, 2H) . (2) 제 4단계 : 트리에록시 (3-(2— (옥시란 -2ᅳ일메록시 ) -5-(2-(4- (옥시란— 2-일메록 시) -3-C옥시란 -2-일메톡시)페닐) -프로판 -2-일)페닐)프로필)실레인의 합성
250ml 플라스크에 상기 제 3-1단계에서 얻어진 중간생성물 (13' ) 10.0g, 트리에 록시실란 (시그마 알드리치) 5.01mi, 백금 산화물 lOOmg， 및 를루엔 100ml을 넣 고 흔합한 후， 아르곤이 층전된 상태에서 85°C에서 24시간 동안 교반하면서 반응 시켰다. 반웅 후, 얻어진 생성물을 셀라이트 여과하고 증발기를 이용해 용매를 제거하여 최종 목적물인 알콕시 실릴기를 갖는 비스페놀 A 에폭시 화합물을 얻었 다. 제 4단계의 반웅스킴 및 최종 생성물의 NMR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000170_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： 5=0.64-0.69 (m, 2H) , 1.20 (t, J=7.0Hz, 9H)， 1.60 (s, 6H), 1.62-1.72 (m, 2H) , 2.53-2.57 (m, 1H) , 2.61 (t, J =7.6Hz, 2H) , 2.73- 2.81 (m, 5H),. 2.89-2.92 (m, 3H), 3.16-3.18 (m, 1H)， 3.35-3.37 (m, 1H), 3.79 (q, 1.6Hz, 6H), 3.90-3.97 (m, 2H) , 4.22-4.25 (m, 2H), 6.66-6.82 (m, 2H), 6.73-6.75 (m, 2H)， 7.03-7.05 (m, 2H) . 예측예 DI-3 ： 비스페놀 A를 이용한트리-알콕시실릴화된 에폭시 화합물의 합성
(1)제 1단계: 4，4'- (프로페인 -2,2-디일)비스 (알릴옥시벤젠)의 합성
환류 콘덴서가 장착돤 1000ml의 2구 플라스크에 비스페놀 A (시그마 알드리치) 20.0g, 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 18.9½1, K2C03 72.69g, 및 아세톤 500ml을 첨가하고 상온에서 흔합하였다. 균일하게 잘 흔합된 용액을 80°C의 환류장치 설정온도로 환류 (reflux)하면서 하루 밤새 동안 반웅시켰다. 반응 후, 상온으로 넁각된 반웅물을 샐라이트 여과하고， 증발시켜서 조질의 생성물을 얻었다. 상기 조잘의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3번 세척하고 MgS04로 건조하였다. MgS04를 필터로 제거하고， 증발기를 이용하여 용매를 제거하여， 중간생성물 (11)인 4, 4'- (프로페인 -2,2- 다일)비스 (알릴옥사벤젠)을 얻었다. 상기 제 1단계의 반응스킴 및 중간생성물 (11)의 NMR 데이터는 다음과 같았다.
Figure imgf000171_0001
¾ NMR (400MHz, CDC13) ： 5=1.60 (s, 6H)， 4.61 (d, J=5.2Hz, 4H) , 5.31 (dd, J=1.4Hz, 2H), 5.45 (dd, J=1.6Hz, 2H)， 6.06-6.15 (m, 2H), 6.69 (d, J=8.4Hz, 4H), 7.28 (d, J=10.8Hz, 4H).
(2)제 2단계: 4,4'- (프로페인 -2, 2-디일)비스 (2-알릴페놀)의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2구 플라스크에 상기 제 1 단계에서 얻어지는 중간생성물 (11) 20.0g과 1,2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 250ml을 넣고 상온에서 잘 흔합한 후, 균일해진 용액을 8시간 동안 190°C의 환류장치 설정온도로 환류하였다. 환류에 의한 반웅 후ᅳ 상온으로 넁각하고， 진공 오븐으로 용매를 제거하여 중간생성물 (12)인 4,4'- (프로페인 -2,2-디일)비스 (2- 알릴페놀)을 얻었다. 상기 제 2단계의 반웅스킴 및 중간생성물 (12)의 NMR 데이터는 다음과 같았다.
Figure imgf000171_0002
Ή NMR (400MHz, CDCI3) ： 5=1.60 (s, 6H) , 3.35 (d, J=6.4Hz, 4H)， 4.86 (s, 2H), 5.08-5.12 (m, 4H), 5.93-6.03 (m, 2H), 6.75 (d, J=8.4Hz, 2H), 6.94 (dd J=10,6Hz, 4H).
(3) 제 2-1 단계: 2-알릴 -4-(2-(3-알릴 -4- (알릴옥시)페닐)프로판 -2ᅳ일)페놀의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml의 2구 플라스크에 상기 제 2단계에서 얻어지는 중간생성물 (12) 20.0g, K2C03 23.07g, 및 아세톤 500ml을 넣고 상온에서 흔합한다. 그 후, 균일하게 잘 흔합된 용액을 80°C의 환류장치 설정온도로 환류하면서 알뮐 브로마이드 (시그마 알드리치) 5.29ml를 적가한 다음에 하루 밤새 동안 반응시킨다. 반웅 후, 상온으로 넁각된 반응물을 셀라이트 여과 (celite filteration)하고, 유기용액을 증발시켜서 조질의 생성물을 얻었다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고, 물로 3회 세척하고， MgS04로 건조한다. MgS04를 필터로 제거하고， 증발기를 이용해 용매를 제거하고, 실리카 컬럼으로 정제하여 중간생성물 (23)인 2-알릴 -4-(2-(3-알릴 -4- (알릴옥시)페닐)프로판 -2-일)페놀을 얻는다. 상기 제 2-1단계의 반웅스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000172_0001
(4)제 2-2 단계: 2,6-디알릴 -4-(2-(3-알릴 -4-하이드록시페닐)프로판 -2-일)페놀의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2구 플라스크에 상기 제 2-1단계에서 얻어지는 중간생성물 (23) 20.0g과 1,2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 100ml을 넣고 상온에서 잘 흔합한 후， 균일해진 용액을 8시간 동안 19( C의 환류장치 설정온도로 환류한다. 반응 후 상온으로 냉각하고, 진공 오본으로 용매를 제거하여 중간생성물 (24)인 2ᅳ 6ᅳ디알릴 -4-(2-(3ᅳ알릴 4-하이드록시페닐)프로판ᅳ 2-일)페놀을 얻는다. 상기 제 2-2단계의 반웅스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000173_0001
(5)제 3 단계: 2-((2-알릴 -4— (2-(3，5-디알릴 4- (옥시란— 2-일메톡시)페닐)프로판- 2-일)페녹시)메틸)옥시레인의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml의 2구 플라스크에 상기 제 2-2단계에서 얻어지는 중간생성물 (24) 20.0g, 에괴클로로히드린 (시그마 알드리치) 44.24ml, K2C03 51.16g 및 아세토니트릴 300ml을 넣고 상온에서 흔합한 다음에 온도를 을려 8(TC에서 하루 밤새 동안 반웅시킨다. 반웅 후， 상온으로 넁각된 반응물을 셀라이트 여과하고 유기용액을 증발시켜서 중간생성물 (25)인 2-((2-알릴 -4-(2- (3ᅳ 5-디알릴ᅳ4— (옥시란— 2-일메톡시)페닐)프로판 -2-일)페녹시)메틸)옥시레인을 얻는다. 상기 제 3단계의 반웅스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000173_0002
(6)제 6 단계: (3，3'-(2- (옥시란 -2ᅳ일메특시) -5-(2-(4- (옥시란 -2-일메록시) -3- (3- (트리에록시실릴)프로필)페닐)프로판 -2-일 )-1， 3ᅳ페닐렌 )비스 (프로페인 -3 , 1- 디일))비스 (트리에록시실레인)의 합성
500ml 플라스크에 상기 제 3단계에서 얻어지는 중간생성물 (25) 20.0g, 트리에특시실란 (시그마 알드리치) 26.47ml, 백금 산화물 296mg.， 및 를루엔 200ml을 넣고 흔합한 후， 아르곤이 충전된 상태에서 85°C에서 24시간 동안 교반한다ᅳ 반웅 후， 얻은 조질의 생성물을 셀라이트 여과하고 증발기를 이용해 용매를 제거하여 최종 목적물인 알콕시 실릴기를 갖는 비스페놀 A 에폭시 화합물을 얻는다. 상기 제 4단계의 반응스킴 및 최종 목적물의 MR 데이타는 다음과 같다.
Figure imgf000174_0001
¾ 賺 (400MHz, CDCI3) ： 5=0.60-0.70 (m, 6H), 1.20-1.25 (t, 27H), 1.60- 1.80 (m, 12H), 2.50-2.70 (t, 6H), 2.70-2.80 (m, 2H), 2.80-2.90 (m, 2H), 3.30-3.40 (m, 2H), 3.70-4.00 (m, 20H) , 4.10-4.20 (m, 2H), 6.80-7.10 (m, 5H). 예측예 DI-4 ： 비스페놀 A를 이용한 테트라-알콕시실릴화된 에폭시 화합물의 합성
(1)제 1단계: 4，4'ᅳ (프로페인 -2,2-디일)비스 (알릴옥시벤젠)의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2구 플라스크에 비스페놀 A (시그마 알드리치) 20.0g, 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 18.9½1， K2C0372.69g, 및 아세톤 500ml을 첨가하고 상온에서 흔합하였다. 균일하게 잘 흔합된 용액을 8( C의 환류장치 설정온도로 환류 (reflux)하면서 하루 밤새 동안 반웅시켰다. 반웅 후， 상온으로 냉각된 반웅물을 셀라이트 여과하고, 증발시켜서 조질의 생성물을 얻었다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3번 세척하고 MgS04로 건조하였다. MgS04를 필터로 제거하고, 증발기를 이용하여 용매를 제거하여, 중간생성물 (11)인 4,4'-(프로페인-2，2- 디일)비스 (알릴옥시벤젠)을 얻었다. 상기 제 1단계의 반웅스킴은 다음과 같았다.
Figure imgf000175_0001
¾ 讓 (400MHz, CDCI3) ： 6=1.60 (s, 6Η), 4.61 (d, J=5.2Hz, 4H), 5.31 (dd J=1.4Hz, 2H), 5.45 (dd, J=1.6Hz( 2H), 6.06-6.15 (m, 2H), 6.69 (d, J=8.4Hz 4H), 7.28 (d, J=10.8Hz, 4H).
(2)제 2단계: 4，4'- (프로페인 -2, 2-디일)비스 (2-알릴페놀)의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2구 플라스크에 상기 제 1단계에서 얻어지는 중간생성물 (11) 20.0g과 1,2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 250ml을 넣고 상온에서 잘 흔합한 후， 균일해진 반웅용액을 8시간 동안 190°C의 환류장치 설정온도로 환류한다. 환류에 의한 반응 후에， 상온으로 냉각하고， 진공 오븐으로 용매를 제거하여 중간생성물 (12)인 4，4'- (프로페인 -2,2-디일)비스(2- 알릴페놀)을 얻었다. 상기 제 2 단계의 반응스킴 및 중간생성물 (12)의 NMR 데이터는 다음과 같았다.
Figure imgf000175_0002
¾ 醒 R (400MHz, CDCI3) ： δ=1.60 (s, 6H)， 3.35 (d, J=6.4Hz, 4H), 4.86 (s, 2H), 5.08-5.12 (m, 4H)， 5.93-6.03 On' 2H), 6.75 (d, J =8.4Hz, 2H) , 6.94 (dd, J=10.6Hz, 4H).
(3) 제 2-1 단계: 4，4'- (프로페인 -2，2ᅳ디일)비스 (2-알릴 -1- (알릴옥시)벤젠)의 합성 환류 콘덴서가 장착된 lOOOtnl 2 구 플라스크에. 상기 게 2 단계에서 얻어지는 중간생성물 (12) 20. Og, 알릴 브로마이드 (시그마 알드리치) 21.07mlᅳ K2C03 83.31g, 및 아세톤 500ml 을 첨가하고 상온에서 흔합한다. 균일하게 잘 흔합된 용액을 80°C의 환류장치 설정온도로 환류 (reflux)하면서 하루 밤새 동안 반웅시킨다. 반웅 후, 상온으로 냉각된 반응물을 셀라이트 여과하고, 증발시켜서 조질의 생성물을 얻는다. 상기 조질의 생성물 중 목적물을 에틸 아세테이트로 추출하고， 물로 3 번 세척하고 MgS04 로 건조한다. MgS04 를 필터로 제거하고， 증발기를 이용하여 용매를 제거하여， 중간생성물 (23)인 4，4'- (프로페인 -2,2- 디일)비스 (2-알릴 -1- (알릴옥시)벤젠)을 얻는다. 단계 2-1 의 반웅스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000176_0001
(4)제 2-2단계 : 4，4'- (프로페인— 2,2-디일)비스(2，6-디알릴페놀)의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml 2 구 플라스크에 상기 제 2-1 단계에서 얻어지는 중간생성물 (23) 20.0g 과 1，2-디클로로벤젠 (시그마 알드리치) 100ml 을 넣고 상온에서 잘 흔합한 후， 균일해진 반응용액을 8 시간 동안 19CTC의 환류장치 설정온도로 환류한다. 환류에 의한 반웅 후， 상온으로 냉각하고， 진공 오븐으로 용매를 제거하여 중간생성물 (24)인 4，4'- (프로페인 -2，2-디일)비스 (2，6- 디알릴페놀)을 얻는다. 상기 제 2-2단계의 반웅스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000176_0002
(5)제 3 . 단계: 2，2'-(4，4'- (프로페인 -2,2-디일)비스 (2,6-디알릴-4，lᅳ 페닐렌))비스(옥시)비스(메틸렌)디옥시레인의 합성 환류 콘덴서가 장착된 1000ml의 2구 플라스크에， 상가 제 2— 2단계에서 얻어지는 중간생성물 (24) 20.0g, 에피클로로히드린 (시그마 알드리치) 49.71ml, K2C03 57.68g 및 아세토니트릴 300ml 을 넣고 상온에서 흔합 다음에 온도를 을려 80°C에서 하루 밤새 동안 반응시킨다. 반응 후, 상온으로 넁각된 반응물을 셀라이트 여과하고 유기용액을 증발시켜서 중간생성물 (25)인 2，2'-(4，4'- (프로페인 -2, 2—디일)비스 (2,6-디알릴 -4,1ᅳ
페닐렌))비스 (옥시 )비스 (메틸렌)디옥시레인올 얻는다. 상기 제 3 단계의 반응스킴은 다음과 같다.
Figure imgf000177_0001
(6)제 4 단계: (3，3' ,3' '，3' ' '-(5，5'- (프로페인 -2，2-디일)비스 (2- (옥시란 -2- 일메톡시 )벤젠ᅳ5，3， 1-트리일 ) )테트라키스 (프로페인 -3， 1- 디일))테트라키스 (트리에특시실레인)의 합성
500ml 플라스크에 상기 제 3 단계에서 얻어지는 중간생성물 (25) 20.0g, 트리에톡시실란 (시그마 알드리치) 26.83mᄂ 백금 산화물 300mg, 및 를루엔 200ml 을 넣고 흔합한 후， 아르곤이 층전된 상태에서 85°C에서 24 시간 동안 교반하면서 반웅시킨다. 반웅 후， 얻은 조질의 생성물을 셀라이트 여과하고 증발기를 이용해 용매를 제거하여 최종 목적물인 알콕시 실릴기를 갖는 비스페놀 A 에폭시 화합물을 얻는다. 상기 제 4 단계의 반웅스킴 및 최종 목적물의 NMR 데이터는 다음과 같다.
Figure imgf000178_0001
Έ NMR (400MHz, CDC13) ： 5=0.60-0.70 (m, 8H)， 1.20-1.25 (t, 36H) ,. 1.60- 1.80 (m, 14H), 2.50-2.70 (t, 8H), 2.70-2.80 (m, 2H), 2.80-2.90 (m, 2H), 3.30-3.40 (m, 2H), 3.70-4.00 (m, 26H) , 4.10—4.20 (m, 2H), 6.80-7.10 (s, 4H) .
물성평가 ：경화물 제조 및 내열특성 평가
1. 에폭시 경화물의 제조 하기 표 1 의 조성으로 에폭시 화합물， 페놀계 경화제 (HF-lMTM(Meiwa Plastic Industries, Ltd.， 당량 107) 및 트리페닐포스핀 (triphenyl phosphine, 알드리치) 경화촉매를 메틸에틸케톤에 고형분 함량이 40 ¾이 되도록 녹인후， 균일한 용액이 되도록 흔합하여 흔합액을 제조하였다 (상기 고형분 함량이란， 흔합액 중 고상 물질의 함량을 말한다). 그 후, 상기 흔합액을 100°C로 가열된 진공 오븐에 넣어， 용매를 제거한 다음에 120°C로 예열된 핫 프레스에서 120°C에서 2 시간， 180°C에서 2시간 그리고 20( C 내지 260°C에서 2시간 동안 경화시켜서 경화물을 얻었다.
2. 에폭시 화합물과 유리섬유를 포함하는 복합체 (경화물)의 제조 하기 표 2의 조성으로 에폭시 화합물， 페놀계 경화제 (HF-lMTM(Meiwa Plastic Industries, Ltd. 당량 107) 및 트리페닐포스핀 (triphenyl phosphine, 알드리치) 경화촉매를 메틸에틸케톤에 고형분 함량이 40 %이 되도록 녹인후, 균일한 용액이 되도특 흔합하여 얻어진 흔합물에 유리섬유 (Nittobo사의 유리섬유 직물， E-glass 2116 또는 T-glass 2116)를 침지하여 에폭시 화합물을 포함하는 유리섬유 복합물을 제조하였다. 그 후， 상기 복합물을 lOCTC로 가열된 진공 오븐에 넣어 용매를 제거한 다음에 120°C로 예열된 핫 프레스에서 120°C에서 2시간， 18CTC에서 2시간 그리고 20(rc 내지 260°C에서 2시간 동안 경화시켜서 유리섬유 복합쎄 필름을 얻았다. 복합체 필름 제조시, 프레스의 압력과 레진의 점도에 따라 복합체 필름의 레진 함량을 조절하였으며， 복합체 필름에서 레진의 함량은 하기 표 2에 나타낸 바와 같다.
3. 에폭시화합물， 유리섬유 및 실리카를 포함하는 복합체 (경화물)의 제조 하기 표 2의 조성으로， 에폭시 화합물， 및 실리카 슬러리 (고형분 함량 70wt¾>, 2- methoxyethanol 용매， 실리카 평균 크기 1 ， 삼성전기제공)를 메틸에틸케톤에 고형분 함량이 40^%이 되도록 녹인다. 이 흔합액을 1500 rpm의 속도로 1 시간 흔합한 후， 페놀계 경화제 (HF-lMTM(Meiwa Plastic Industries, Ltd. , 당량 107)를 넣고 추가로 50분간 더 흔합하였다. 그 후， 여기에, 마지막으로 트리페닐포스핀 (triphenyl phosphine， 알드리치) 경화촉매를 넣고 10분간 더 흔합하여 에폭시 흔합물을 얻었다. 상기 에폭시 흔합물에 유리섬유 (Nittobo사 유리 섬유 직물 (Glass fiber fabric) E-glass 2116 또는 T-glass 2116)를 침지하여 에폭시 화합물을 포함하는 유리섬유 복합물을 제조하였다. 그 후， 상기 복합물을 10CTC로 가열된 진공 오븐에 넣어 용매를 제거한 다음에 12( C로 예열된 핫 프레스에서 12CTC에서 2시간， 180°C에서 2시간 그리고 200°C 내지 260T C에서 2시간 동안 경화시켜서 유리섬유 복합체 필름을 얻었다. 복합필름 제조시， 프레스의 압력과 레진의 점도에 따라 복합체 필름의 레진 함량을 조절하였으며， 복합체 필름에서 레진의 함량은 하기 표 2에 나타낸 바와 같다.
4. 물성평가
(1)내열특성 평가
하기 표 1 및 2의 실시예 및 비교예에서 얻어진 경화물의 은도에 따른 치수변화를 열一기겨) 분석기 (Thermo—niechanical Analysizer )(Fi lm/f iber mode, Force 0.1N) 를 이용하여 평가하여 하기 표에 나타내었다. 에폭시 경회 :물의 시편은 5X5X3 薩 3)의 크기로 그리고 복합필름의 시편은 4X16X0.1(腦3)의 크기로 제조하였다.
[표 1] 에폭시 경화물
Figure imgf000180_0001
[표 2] 에폭시 복합체
Figure imgf000181_0001
주: 상기 표 1 및 2에서 사용된 종래 에폭시 화합물은 다음과 같음. (1)나프탈렌 에
(2)바이페닐 에
(3)카도 에폭
(4)비스페놀 에
Figure imgf000182_0001
(5)비스페놀 에폭시 (4관능성)
Figure imgf000182_0002
상기 표 1 및 2 그리고 도 1에 나타낸 바와 같이， 본 발명에 의한 나프탈렌 코어를 갖는 화학식 ΑΙ의 알콕시실릴계 에폭시 화합물 자체의 경화물 (실시예 2)은 코어 구조는 같지만 알콕시실릴기를 갖지 않는 나프탈렌 에폭시 화합물 .자체의 경화물 (비교예 1)에 비하여 CTE는 증가하고， Tg는 낮아지는 경향을 보인다. 그러나， 유리섬유와 복합화된 복합체 또는 유리섬유 및 무기입자와 복합화된 나프탈렌 코어를 갖는 화학식 AI의 알콕시실릴계 에폭시 화합물의 복합체 (실시예 11 내지 15)의 CTE는 7 내지 10 ppm/°C (실시예 12~13， E-글라스) 또는 약 4ppm/°C (실시예 14~15， T-글라스)로 알콕시실릴기를 갖지 않는 나프탈렌 에폭시 화합물의 복합체. (비교예 6)의 CTE= 14 ppm/°C에 비하여 매우 낮았다. 구체적으로， 나프탈렌 코어를 갖는 에폭시 화합물은， 도 2에 나타낸 바와 같이， 비교예 6 복합체의 CTE에 비하여 실시예 12 및 실시예 13 복합체의 CTE가 감소되었다. 예를들어， 바이페닐 코어를 갖는 에폭시 화합물은， 도 3에 나타낸 바와 같이， 비교예 7 복합체의 CTE에 비하여 실시예 17 및 .실시예 18 복합체의' CTE가 감소되었다. .예를들어, 카도 (플루오렌) 코어를 갖는 에폭시 화합물은， 도 4에 나타낸 바와 같이, 비교예 8 복합체의 CTE에 비하여 실시예 20 복합체의 CTE가 감소되었다. 예를들어, 비스페놀 A 코어를 갖는 에폭시 화합물은， 도 5에 나타낸 바와 같이， 비교예 10 복합체의 CTE에 비하여 실시예 23 및 실시예 24 복합체의 CTE가 감소되었다. 또한， 본 발명에 의한 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 복합체는 에폭시 화합물 자체의 경화물의 Tg에 비하여 복합체의 Tg가 증가하며, 적절한 배합조절， 예를 들어 소량의 실리카 첨가에 의해 Tg—리스가 관찰되기도 하였다. 예를들어， 나프탈렌 코어를 갖는 에폭시 화합물은， 도 6에 나타낸 바와 같이， 실시예 2 복합체와 달리， 실시예 13 복합체에서 Tg리스를 나타내었다. 예를들어， 바이페닐 코어를 갖는 에폭시 화합물은， 도 7에 나타낸 바와 같이， 실시예 4 복합체와 달리 실시예 18 복합체는 Tg리스를 나타내었다. 예를들어， 카도 (플루오렌) 코어를 갖는 에폭시 화합물은, 도 8에 나타낸 바와 같이， 실시예 6 복합체와 달뫼， 실시예 20 복합체는 Tg 리스를 나타내었다. 예를들어， 비스페놀 A 코어를 갖는 에폭시 화합물은， 도 9에 나타낸 바와 같이， 실시예 9 복합체와 달라， 실시예 24 복합체는 Tg 리스를 나타내었다.. 상기한 바와 같이， 본 발명의 알콕시실릴계 에폭시 화합물의 경화물은 알콕시실릴기를 갖는 않는 에폭시 화합물의 경화물에 비하여， CTE는 증가하고
Tg는 감소한다. 그러나, 이와 상반되게, 본 발명의 알콕시실릴계 에폭시 화합물의 복합체는 알콕시실릴기를 갖는 않는 에폭시 화합물의 복합체에 비하여， CTE가 감소할 뿐만 아니라 적합한 배합조절에 의해， 알콕시실릴기를 갖지 않는 에폭시 화합물의 경화물에 비하여 높은 Tg혹은 Tg 리스를 나타내었다. 이러한， 알콕시 실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 복합체에서의 CTE 감소 및 Tg 증가 혹은 Tg-리스 특성은 복합체에서 에폭시 화합물과 층전제의 결합특성이 향상됨에 기인한 것으로, 상기한 특성으로부터 복합체에서 에폭시 화합물과 충전제의 결합특성이 향상됨을 확인할 수 있다. 또한， 에폭시 화합물에서 알콕시실릴기의 수에 따른 에폭시 화합물 자체의 경화물 및 에폭시 복합체에서의 CTE 값의 변화를 도 10에 나타내었다. 도 10에 나타낸 바와 같이， 본 발명에 의한 알콕시실릴기를 갖는 에폭사 화합물 자체의 경화물의
CTE는 알콕시실릴기를 갖지 않는 에폭사 화합물 자체의 경화물의 CTE에 비하여 높다. 그러나, 본 발명에 의한 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 복합체의 CTE는 알콕시실릴기를 갖지 않는 에폭시 화합물의 복합체의 CTE에 비하여 현저하게 낮아진다. 이러한 경향은 또한， 에폭시 화합물에서 알콕시실릴기의 수가 증가함에 따라 증가한다.
(2) 난연성 평가
상기 표 2의 실시예 12， 17， 20， 및 23과 비교예 6， 7， 8， 및 9 의 복합체의 스트립에 점화하였으며， 이들 스트림이 연소된 사진을 도 11 내지 14에 나타내었다. 도 11 내지 14에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 의한 에폭시 화합물의 복합체인 실시예 12, 17, 20, 및 23 복합체의 스트립은 모두 1초 내지 2초 이내에 자연 소화되었다. 그러나， 알콕시실릴기를갖지 않는 비교예 6， 7, 8， 및 9 의 복합체 스트립은 자연소화되는 경우도 있지만， 자연소화시 소요되는 시간이 동일한 코어의 알콕시실릴기를 갖는 본 발명에 의한 에폭시 화합물의 경우보다 길었으며, 비교예 4의 비스페놀계 에폭시 경화물은 완전 연소되었다. 이로부터， 본 발명에 의한 알콕시실릴계 에폭시 '화합물을 포함하는 경화물은 우수한 난연성올 나타냄을 알 수 있다.

Claims

[특허청구범위】
【청구항 11
코어에 적어도 하나의 하기 화학식 S1 치환기 및 두 개의 에폭시기를 포함하는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물.
[화학식 S1]
-CRbRc-CHRa-CH2-S i R1R2R3
(화학식 S1에서 , 상기 Ra, Rb및 ¾는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 내지 R3 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고， 나머지는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이며 , 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 았고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며, N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있으며, 상기 코어가 벤젠이고 S1이 하나인 경우에， 상기 S1에서， Raᅳ ¾및 ¾가 모두 수소이고， ¾ 내지 ¾이 모두 탄소수 1 내지 6 알콕시기인 경우는 제외된다：)
【청구항 2】
제 1항에 있어서， 상기 에폭시기는 하기 화학식 S2의 구조인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물.
[화학식 S2]
Figure imgf000185_0001
【청구항 3】
제 1항에 있어서， 하기 화학식 S3의 치환기를 추가로 포함하는
Figure imgf000185_0002
갖는 에폭시 화합물.
[화학식 S3]
Figure imgf000186_0001
(화학식 S3에서， Ra, Rb 및 R (； 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상 일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며, N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다)
【청구항 4】
제 1항에 있어서， 상기 코어는 하기 화학식 A' 내지 K' 로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 방향족 코어 중 적어도 일종인 하나인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물.
Figure imgf000187_0001
(상기 화학식 D' 에서， Y는 -CH2-( -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -S—또는 -S02-이다) 【청 ΐ항 5】
제 1항에 있어서， 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물은 하기 화학식 ΑΙ 내지 ΚΙ로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일정인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물.
Figure imgf000188_0001
(상기 화학식 (AI) 내지 (KI)에서， 다수의 Q 중 적어도 하나는 하기 화학식 S1이며， 나머지는 하기 화학식 S3, 수소， 및 -C Rc-CRa (Ra, ¾및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이며， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며 , N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)로 구성되는 그룹으로부터 각각 독립적으로 선택되며， 상기 DI에서 Y는 -(¾ᅳ， -C(C¾)2-, -C(CF3)2-,. -Sᅳ 또는 -S02-이다. [화학식 S1]
-CRbRc-CHRa-C¾— S i RiR2R3
(화학식 SI에서， 상기 Ra, Rb및 ¾는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, 내지 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고， 나머지는 탄소수 1 내지 10 알킬기이며， 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있으며, 다만， 화학식 FI에서 S1아 하나인 경우에 , 상기 화학식 S1에서 Ra, ¾및 ¾가 모두 수소이고, 내지 R3이 모두 탄소수 1 내지 6의 알콕시기인 경우는 제외된다.)
[화학식 S3]
Figure imgf000189_0001
(화학식 S3에서 , 상기 Ra, Rb및 는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， Nᅳ 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다 .))
【청구항 6】
제 5항에 있어서， 상기 다수의 Q중 적어도 하나는 상기 화학식 S3인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물.
【청구항 7] 제 5항에 있어서， 상기 다수의 Q증 적어도 하나는 상기 화학식 S1이며， 나머지는 상기 화학식 S3인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물..
【청구항 8】
제 5항에 있어서, 상기 ¾ 내지 ¾ 는 에록시기인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물.
【청구항 9】
제 5항에 있어서， 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물은 상기 화학식 AI 내지 DI로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 어떠한 하나인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물.
【청구항 10】
제 9항에 있어서， 상기 일:콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물은 상기 화학식 DI인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물.
【청구항 11】
제 10항에 있어서， 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물은 상기 화학식 DI이고， Y는 - C(CH3)2 -안알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물.
【청구항 12]
제 5항에 있어서, 싱ᅳ기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물은 하기 화학식 M의 화합물 중 어느 하나인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물.
[화학식 M]
Figure imgf000190_0001
Figure imgf000191_0001
【청구항 13】
하기 화학식 (All) 내지 (K11)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물.
Figure imgf000192_0001
(상기 화학식 All 내지 K11에서 , K중 적어도 하나는 -0-CH2-CRa=CRbRc (Ra, Rb및 Rc는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며, N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고， 나머지는 히드록시기이며， 상기 화학식 D11에서 Y는 -(:¾-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 — S02-이다)
【청구항 14】
제 13항에 있어서， 상기 화합물은 하기 화학식 S(ll) 증 적어도 일종의 화합물.
[화학식 S(ll)]
Figure imgf000193_0001
【창구항 15】
하가 화학식; (A12)：내자 (Π2)로ᅵ구성되는 ^룹으로부터 선택되는 .적어도 일종의 화합물 :
Figure imgf000194_0001
(상기 화학식 A12 내지 K12에서， L 중 적어도 하나는 - C b c-CRa=CH2 (Ra, ¾및 Rc는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고， 나머지는 수소이며, 상기 화학식 D12에서 Y는 -CHr, -C(C¾)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 -S02-이다)
【청구항 16】
제 15항에 있어서， 상기 화합물은 하기 화학식 S(12) 중 적어도 일종의 화합물. 19
3
Figure imgf000195_0001
Figure imgf000196_0001
(상기 화학식 A13 내지 K13에서, Μ 중 적어도 하나는 -CRbRc-CRa=CH2 (식중， Ra, Rb 및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기
알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고, 나머자는 수소이며，
상기 화학식 D13에서 Y는 -(¾-, -C(C¾)2一， -C(CF3)2-, -S- 또는 -S02—이다) [청구항 18】
제 17항에 '있어서， 상기 화합물은 하기 화학식 S(13) 중 적어도 일종의 화합물.
[화학식 S(13)]
Figure imgf000197_0001
【청구항 19】
하기 화학식 (A13' ) 내지 (K13' )로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물.
Figure imgf000198_0001
(상기 화학식 Α13' 내지 Κ13' 에서, Ν 중 하나는 - CRbRc-CRa=CH2 (식중， Ra, ¾ 및 Rc 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 해테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고， 다른 하나는 하기 화학식 S3이며, 상기 화학식 D13' 에서 Y는 ᅳ CH2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 — S02-이다. [화학식 S3]
Figure imgf000199_0001
(화학식 S3중， Ra, Rb 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고ᅳ 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)
【청구항 20】
제 19항에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 SU3' )인 화합물.
[화학식 SCL3' )] '
Figure imgf000199_0002
【청구항 21】
하기 화학식 (A23) 내지 (J23)으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물.
Figure imgf000200_0001
(상기 화학식 Α23 내지 J23에서， K' 중 적어도 하나는 0-C¾-CRa=CRbRc (식중 Ra, Rb 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고， 나머지는 히드톡시기이며，
L 중 적어도 하나는 -CRbRc-CRa=CH2 (Ra, Rb 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고 나머지는 수소이며,
상기 화학식 D23에서 Y는 -CH2-, — C(CH3)2-, -C(CF3)2ᅳ， -S- 또는 S02-이다) 【청구항 22】
제 21항에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 S(23) 중 적어도 일종의 화합물.
Figure imgf000201_0001
[청구항 23】
하기 화학삭 (A24) 내지 (J24)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물.
Figure imgf000202_0001
(상기 화학식 A24 내지 J24에서， 다수의 V 중 적어도 2개는 -CRbRc-CRa<¾ (Ra, ¾ 및 Rc 는 각각 독립적으로 H， 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고， 나머지는 수소이며，
상기 화학식 D24에서 Y는 -(¾-， -C(C¾)2—， -C(CF3)2-, -S- 또는 -S02-이다) [청구항 24】
제 23항에 있어서 /상기 화합물은 하가 화학식 S(24) 중 적어도 일종의 화합물.
[화학식 S(24)]
Figure imgf000203_0001
Figure imgf000204_0001
(상기 화학식 A25 내지 J25에서ᅳ 다수의 M' 중 적어도 2개는 -CRbRc-C =CH2 (단， 식중 Ra, ¾ 및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0 S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고， 나머지는 수소이며, 상기 화학식 D25에서 Y는 -CH2-, -C(CH3)2-, 一 C(CF3)2— , -S- 또는 -S02—이다) [청구항 26】
제 25항에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 S(25) 중 적어도 일종의 화합물.
[화학식 S(25)]
Figure imgf000205_0001
【청구항 27】 .
하기 화학식 (Α25' ) 내지 (J25' )로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물.
Figure imgf000206_0001
(상기 화학식 A25' 내지 J25' 에서， 다수의 N' 중 1 내지 3개는 -C¾Rc-CRa=C¾
(Ra, Rb및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고，
1 내지 3개는 하기 화학식 S3이며， 나머지는 수소이며，
상기 화학식 D25' 에서 Y는 -(¾-， -C(CH3)2-, -C(CF3)2ᅳ， -S- 또는 -S02-이다)
[화학식 S3]
Figure imgf000207_0001
(화학식 S3에서 , Ra, Rb 및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， Nᅳ 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다))
【청구항 28】
하기 화학식 AP 내자 KP로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 폴리머.
[화학식 AP]
Figure imgf000207_0002
[화학식 BP]
Figure imgf000207_0003
Figure imgf000208_0001
[화학식 FP]
Figure imgf000208_0002
[화학식 GP]
Figure imgf000209_0001
[화학식 HP]
Figure imgf000209_0002
[화학식 KP]
Figure imgf000209_0003
(상기 화학식 AP 내지 :KP에서， 다수의 Q중 적어도 하나는 하기 화학식 S1이며， 나머지는 하기 화학식 S3ᅳ 수소， 및 -CRbRc-CRa=CH2 (Ra, Rb 및 Rc 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내자 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 알킬 또는 측쇄상 알킬일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며, N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다)로 구성되는 그룹으로부터 각각 독립적으로 선택되며，
m은 1 내지 100의 정수이며， '
상기 화학식 DP에서 Y는 -CH2—， -C(CH3)2-, -C(CF3)2一， _S- 또는 -S02-이다) [화학식 S1]
-CRbRc-CH a-CH2-S i RiR2R3
(식 SI 중 Ra, Rb및 Rc는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， Ri 내지 ¾중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고， 나머지는 탄소수 1 내지 10 알킬기이며， 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며, N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다)
[화학식 S3]
Figure imgf000210_0001
(화학식 S3에서, Ra. Rb 및 ¾는 각각 독립적으로 Hᅳ 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 알킬 또는 측쇄상 알킬일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다)) 【청구항 29】.
제 28항에 있어서, 상기 내지 ¾는 에특시기인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 폴리머.
[청구항 30】
하기 화학식 (AS) 내지 (KS)중 어느 하나의 출발물질과 하기 화학식 B1의 알릴화합물을 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반웅시켜서 하기 화학식 (All) 내지 (K11) 중 어느 하나의 중간생성물 (11)을 형성하는 제 1단계;
상기 중간생성물 (11)중 어느 하나를 임의의 용매 존재하에서 가열하여 하기 화학식 (A12) 내지 (M12) 중 어느 하나의 중간생성물 (12)를 형성하는 제 2단계; 상기 중간생성물 (12) 중 어느 하나와 에피클로로히드린을 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A13) 내지 (K13) 중 어느 하나의 중간생성물 (13)를 형성하는 제 3단계;
임의로 상기 중간생성물 (13) 중 어느 하나와 과산화물을 임의의 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반웅시켜서 하기 화학식 (A13' ) 내지 화학식 (K13' )중 어느 하나의 중간생성물 (13' )를 형성하는 임의와 제 3-1단계; 및 - 상기 중간생성물 (13) 중 어느 하나 또는 상기 중간생성물 (13， ) 중 어느 하나와 하기 화학식 B2의 알콕시실란을 금속촉매 및 임의의 용매 존재 하에서 반웅시키는 제 4단계를 포함하는 화학식 A(14) 내지 K(14)의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 .
[화학식 (AS) 내지 (KS)] .
Figure imgf000212_0001
(상기 화학식 DS에서 Y는 -CH2-, -C(C¾)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 _S02-이다)
[화학식 (MI) 내지 ααυ]
Figure imgf000213_0001
(상기 화학식 All 내지 K11에서， K중 적어도 하나는 -0-CH2-CRa=CRbRc (Ra, Rb및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고, 나머지는 히드톡시기이며,
상기 화학식 D11에서 Y는 -CH2-, -C(C¾)2— , -C(CF3)2-, -S-또는 -S02ᅳ이다.)
[화학식 (A12) 내지 (K12)]
Figure imgf000214_0001
(상기 화학식 A12 내지 K12에서， L 중 적어도 하나는 - CRbRc-CRa=CH2( a, Rb및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며, N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고， 나머지는 수소이며， 상기 화학식 D12에서 Y는 -CH2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 -S02-이다)
[화학식 (A13) 내지 (K13)]
Figure imgf000215_0001
(상기 화학식 A13 내지 K13에서, M중 적어도 하나는 - CRbRc-CRa=CH2 (Ra, ¾및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며, N, 0, S, 또는 P헤테 원자를 갖거나 갖지 .않을 수.았다.) 이고， 나머지는 수소.이며， 상기 화학식 D13에서 Y는. -CH2- , .-C(CH3)2-.. -C(CF3)2- , 또는ᅳ02-이다) .
[화학식 (A13' ) 내지 (K13' )]
Figure imgf000217_0001
(상기 화학식 A13' 내지 K13' 에서， Ν 중 하나는 - CRbRc-CRa=CH2 (Ra, ¾및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다) 이고, 다른 하나는 하기 화학식
S3이며，
상기 화학식 D13' 에서 Y는 (¾ᅳ， -C(CH3)2-, — C(.CF3)2一， -S- 또는 -S02—이다)
[화학식 S3]
Figure imgf000218_0001
(식 S3중， Ra, ¾ 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， ·고리형 또는 비고라형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 해테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다)
[화학식 (A14) 내지 (K14)]
Figure imgf000219_0001
(상기 화학식 A14 내지 K14에서， P 중 적어도 하나는 하기 화학식 S1이며， 나머지는 하기 화학식 S3, 수소， 및 -CRbRc-CRa (Ra, ¾ 및 Rc 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며 , N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다)로 구성되는 그룹으로부터 각각 독립적으로 선택되며， 상기 D14에서 Y는 -CH2—， -C(C¾)2-, -C(CF3)2-, _S— 또는 -S02-이다)
[화학식 SI]
-CRbRc-CHRa-CH2-SiRiR2R3
(식 SI 중 Ra, Rb및 Rc는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， Ri 내지 ¾중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고, 나머지는 탄소수 1 내지 10 알킬기이며, 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다. 다만， 화학식 F14에서 S1이 하나인 경우에는， 상기 화학식 S1 중 Ra, Rb및 ¾가 모두 수소이고, Ri 내지 R3 이 모두 탄소수 1 내지 6의 알콕시기인 경우는 제외된다.)
Figure imgf000220_0001
(화학식 S3 중 상기 Ra, Rb및 ¾는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， Nᅳ 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다)
[화학식 B1]
Figure imgf000220_0002
(상기 화학식 Bl에서, X는 CI, Br, I, -0-S02-CH3, -으 S02-CF3, 또는 -0-S02-C6H4- CH3 이며, 상기 Ra, Rb 및 Rc 는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 ¾으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)
[화학식 B2]
HS i R1R2R3
(상기 화학식 B2에서， ¾ 내지 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고， 나머지는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이며, 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않올 수 있다.)
【청구항 31】
하기 화학식 (AS) 내지 (JS)중 어느 하나의 출발물질과 하기 화학식 B1의 알릴화합물을 염기 및 임의의 용매존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A1) 내지 (J1) 중 하나의 중간생성물 (11)을 형성하는 제 1단계;
상기 중간생성물 (11)중 어느 하나를 임의의 용매 존재하에서 가열하여 하기 화학식 (A12) 내지 (J12) 중 어느 하나의 중간생성물 (12)를 형성하는 제 2단계; 상기 중간생성물 (12) 중 어느 하나와 하기 화학식 B1의 알릴화합물올 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A23) 내지 (J23)중 어느 하나의 중간생성물 (23)을 형성하는 제 2-1 단계;
상기 중간생성물 (23)을 임의의 용매 존재하에서 가열하여 하기 화학식 (A24) 내지 (J24) 중 어느 하나의 증간생성물 (24)를 형성하는 제 2-2 단계;
상기 중간생성물 (24)중 어느 하나와 에피클로로히드린을 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반웅시켜서 하기 화학식 (A25) 내지 (J25) 중 하나의 중간생성물 (25)를 형성하는 제 3단계;
임의로 상기 중간생성물 (25) 중 어느 하나와 과산화물을 임의의 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반웅시켜서 하기 화학식 (A25' ) 내지 화학식 (J25' )의 중간생성물 (25' )를 형성하는 임의의 제 3-1단계; 및
상기 중간생성물 (25) 중 어느 하나 또는 상기 중간생성물 (25' ) 중 어느 하나와 하기 화학식 B2의 알콕시실'란을 금속촉매 및 임의의 용매 존재하에서 반응시키는 제 4단계를 포함하는 하기 화학식 (A26) 내지 (J26)의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 .
[화학식 (AS) 내지 (JS)]
Figure imgf000222_0001
(상기 화학식 DS에서 Y는 -CH2-( — C(C¾)2-, -C(CF3)2—， — S- 또는 S -이다)
[화학식 (Aii) 내지 (ηυ]
Figure imgf000223_0001
(상기 화학식 All 내지 Jll에서， K 중 적어도 하나는 -0-CH2-CRa=CRbRc (Ra, ¾및 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내 6의 알킬기이고, 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며 , N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고， 나머지는 히드록시기이며，
상기 화학식 D11에서 Y는 -CH2-, -C(C¾)2-, -C(CF3)2-, ~S-또는 ᅳ S02-이다) [화학식 (A12) 내지 (J12)]
Figure imgf000224_0001
(상기 화학식 A12 내지 J12에서， L 중 적어도 하나는 - CRbRc-CRa=CH2(Ra, ¾및 ¾ 는각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고, 나머지는 수소이며， 상기 화학식 D12에서 Y는 -(¾-, -C(C¾)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 02-이다)
[화학식 (A23) 내지 (J23)]
Figure imgf000225_0001
(상기 화학식 A23 내지 J 23에서， Κ' 증 적어도 하나는 -0-C¾-CRa=C¾Rc (Ra> Rb및 Rc는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으껴， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고, 나머지는 히드록시기이며, L 중 적어도 하나는 -CRbRc-CRa ¾ (Ra, ¾ 및 Rc 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고 나머지^ 수소이며，
상기 화학식 D23에서 Y는 -CH2-, -C(CH3)2一， -C(CF3)2-, -S-또는 _S02-이다) [화학식 (A24) 내지 (J24)]
Figure imgf000226_0001
(상기 화학식 A24 내지 J24에서, 다수의 V 중 적어도 2개는 -CRbRc-CRa=CH2 (Ra, Rb 및 Rc 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고.리형일 수 있으며, N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.) 이고， 나머지는 수소이며，
상기 화학식 D24에서 Y는 -CH2-; -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, ~S- 또는 -S02-이다) [화학식 (A25) 내지 (J25)]
Figure imgf000227_0001
(상기 화학식 A25 내지 J25에서， 다수의 M' 증 적어도 2개는 -C bRc-CRa=CH2 (Ra, Rb 및 Rc 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 해테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고， 나머지는 수소이며， 기 화학식 D25에서 Y는 -CH2-, -C(CH3)2—， -C(CF3)2-, ᅳ S- 또는 -S02-이다)
[화학식 (A25' ) 내지 (J25' )]
Figure imgf000228_0001
(상기 화학식 A25' 내지 J25'.에서， 다수의 Ν' 중 1 내지 3개는 -CRbRc-CRa=CH2 (Ra, ¾및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 .탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 알킬 또는 측쇄상 알킬일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)이고 1 내지 3개는 하기 화학식 S3이고， 나머지는 수소이며,
상기 화학식 D25' 에서 Y는 -CH2-, —C(C¾)2—， — C(CF3)2—, -S- 또는 -S02-이다) [화학식 (A26) 내지 (J26)]
Figure imgf000230_0001
(상기 화학식 A26 내지 J26에서， P' 중 적어도 하나는 하기 화학식 S1이며， 나머지는 하기 화학식 S3， 수소， 및 -CRbRc-CRa=C¾ (Ra, Rb 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6와 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다)로 구성되는 그룹으로부터 각각 독립적으로 선택되며，
상기 D26에서 Y는 -C¾-, -C(C¾)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 -S02-이다)
[화학식 S1]
-CRbRc-CHRa-CH2-SiRiR2R3
(식 S1에서， Ra, ¾ 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, 내지 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고， 나머지는 탄소수 1 내지 10 알킬기이며， 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다. 다만， 화학식 F26에서 S1이 하나인 경우에, 상기 화학식 S1 중 Ra, Rb및 ¾가 모두 수소이고， Ri 내지 ¾ 이 모두 탄소수 1 내지 6의 알콕시기인 경우는 제외된다.)
Figure imgf000231_0001
(화학식 S3에서， 상기 Ra, ¾및 ¾는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다. ) .
[화학식 B1]
Figure imgf000232_0001
(상기 화학식 Bl에서， X는 ( 1， Br, I, -0-S02-CH3> -0-S02-CF3, 또는 -0-S02-C6H4- CH3 이며， Ra, ¾및 Rc는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며, N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다,)
[화학식 B2]
HS1R1R2R3
(화학식 B2에서， 내지 ¾중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고 나머지는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이며， 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)
【청구항 32】
제 30항 또는 제 31항에 있어서， 상기 제 1단계는 상기 출발물질의 히드록시기 1 당량에 대하여 상기 화학식 B1의 알릴화합물의 알릴기가 0.5 내지 10 당량이 되도록 반응되는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법.
【청구항 33】
제 30항 또는 제 31항에 있어서， 상기 제 1단계는 상은 내지 10CTC로 1시간 내지 120시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법.
【청구항 34】
제 30항 또는 제 31항에 있어서， 상기 제 1단계에서 상기 염기는 KOH, NaOH, K2CO3, Na2C03, KHCO3, NaHCOs, NaH,. 트리에틸아민, 맞 디이소프로필에틸 아민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알쿡시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법.
【청구항 35】
제 30항 또는 제 31항에 있어서， 상기 제 1단계에서 상기 용매는 아세토니트릴， 테트라하아드로퓨란, 메틸에틸케톤， 디메틸 포름아미드， 디메틸 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법.
【청구항 36】
제 30항 또는 제 31항에 있어서, 상기 제 2단계에서 상기 중간생성물 (11)은 14C C 내지 250°C의 온도로 1 내지 200시간 동안 가열되는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 .
【청구항 37】
제 30항 또는 제 31항에 있어서， 상기 제 2단계에서 상기 용매는 자일렌， 1,2- 다이클로로벤젠， 및 Ν,Ν-다이에틸아닐린으로 구성.되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법.
【청구항 38】
제 31항에 있어서， 상기 제 2-1 단계는 상기 중간생성물 (12)의 히드록시기 1 당량에 대하여 상기 화학식 B1의 알릴화합물의 알릴기가 0.5 내지 10 당량이 되도록 반응되는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법.
【청구항 39】
제 31항에 있어서， 상기 제 2-1 단계는 상온 내지 100°C로 1 내지 120시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법. 【청구항 40】
제 31항에 있어.서， 상기 제 2-1 단계에서 상기 염기는 匪， NaOH, K2C03> Na2C03l KHC03, NaHC03, NaH, 트리에틸아민， 및 디이소프로필에틸 아민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법.
【청구항 41】
제 31항에 있어서, 상기 제 2-1 단계에서 상기 용매는 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란， 메틸에틸케톤， 디메틸 포름아미드， 디메틸 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실¾기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법.
[청구항 42]
제 31항에 있어서, 상기 제 2-2 단계는 140°C 내지 250°C의 온도로 1 내지 200시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법.
【청구항.43]
제 31항에 있어서， 상기 제 2-2 단계에서 상기 용매는 자일렌， 1 2 다이클로로벤젠， 및 Ν,Ν-다이에틸아닐린으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법.
【청구항 44
제 30항 또는 제 31항에 있어서， 상기 제 3단계는 상기 중간생성물 (12) 또는 중간생성물 (24)의 히드록시기 1 당량에 대하여 에피클로로히드린의 글리시딜기가 1 내지 10 당량이 되도록 반웅되는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법.
【청구항 45】 제 30항 또는 제 31항에 있어서， 상기 제 3단계는 상온 내지 100°C에서 1 내지 120시간 동안 행하는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 .
【청구항 46】
제 30항 또는 제 31항에 있어서， 상기 제 3단계에서 상기 염가는 KOH, NaOH, K2CO3, Na2C03, KHCO3, NaHCOs, NaH, 트리에틸아민， 및 디이소프로필에틸 아민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 .
[청구항 47】
제 30항 또는 제 31항에 있어서， 상기 제 3단계에서 상기 용매는 아세토니트릴， 테트라하이드로퓨란， 메틸에틸케톤， 디메틸 포름아미드， 디메틸 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법.
【청구항 48】
제 30항 또는 제 31항에 있어서, 상기 제 3-1 단계는 상기 중간생성물 (13) 또는 중간생성물 (25)의 알릴기 1 당량에 대하여 상기 과산화물의 퍼옥사이드 그룹이 1 내지 10 당량이 되도록 반웅시키는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법.
【청구항 49】
제 30항 또는 제 31항에 있어서， 상기 제 3-1 단계에서 과산화물은 m-CPBA(meta- chl oroperoxybenzo i c acid) , H2O2, 및 励 O(dimethyldioxirane)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법.
【청구항 50】 제 30항 또는 제 31항에 있어서， 상기 제 3-1단계는 상온 내지 10( C로 1 내지 120시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법.
【청구항 51】
제 30항 또는 제 31항에 있어서， 상기 제 3ᅳ1단계에서 용매는 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란， 메틸에틸케톤， 디메될 포름아미드， 디메틸 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 .
【청구항 52】
제 30항 또는 제 31항에 있어서， 상기 제 3-1단계에서 염기는 KOH, NaOH, 2C03( KHC03, NaH, 트리에틸아민， 및 디이소프로필에틸 아민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법.
【창구항 53】
제 30항 또는 제 31항에 있어서， 상기 제 4단계는 상기 중간생성물 (15)， 중간생성물 (15' )， 중간생성물 (25) 또는 중간생성물 (25' )의 알릴기 1당량에 대하여 상기 화학식 B2의 알콕시실란이 1 당량 내지 5 당량이 되도록 반웅시키는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법.
【청구항 54】
제 30항 또는 제 31항에 있어서， 상기 제 4단계는 상온 내지 120 °C로 1 내지 72시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 .
【청구항 55】 、
제 30항 또는 제 31항에 있어서， 상기 제 4단계에서 금속촉매는 Pt 또는 ¾PtCl6인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 . 【.청구항 56】/
제 30항 또는 제 31항에 있어서， 상기 ：제 .4단계에서 상기 용매는 .를루엔， 아세토니트릴, 테 H라하이드로퓨란， 메틸에틸쩨톤， .디메틸 포름아미드， 디메랄 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법:
【청구항 57】 .
하기" 화학식 AI 내지 KI로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물,
Figure imgf000238_0001
(상기 화학식 (AI) 내지 (KI)에서， 다수의 Q 중 적어도 하나는 하기 화학식 S1이며， 나머지는 하기 화학식 S3， 수소， 및 -CRbRc-CRa ¾ (Ra, ¾및 ¾는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이며， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며 , N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)로 구성되는 그룹으로부터 각각 독립적으로 선택되며，
상기 에서 Y는 -CH2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는ᅳ S02-이다. [화학식 SI]
-CRbRc-CHRa-CH2-SiRiR2 3
(화학식 SI에서， 상기 Ra, Rb및 ¾는 각각 독팁적으로 H또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， ¾ 내지 ¾ 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고， 나머자는 탄소수 1 내지 10 알킬기이며， 상기 알킬기 및 알콕시기는 직'쇄상 또는 측쇄상일 수 있고, 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다. 다만， 화학식 FI에서 화학식 S1이 하나인 경우에， 상기 화학식 S1 중 Ra, Rb 및 ¾가 모두 수소이고， 내지 이 모두 탄소수 1 내지 6의 알콕시기인 경우는 제외된다.)
Figure imgf000239_0001
(화학식 S3에서， 상기 Ra, ¾및 ¾는 각각 독립적으로 H또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기아고， 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)
【청구항 58】 .
제 57항에 있어서， 글리시딜에테르계 에폭시 화합물， 글리시딜계 에폭시 화합물， 글리시딜아민계 에폭시 화합물， 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물， 고무 개질된 에폭시 화합물， 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 에폭시 화합물을 추가로 포함하는 에폭시 조성물. 【청구항 59】
제 58항에 있어서, 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀, 비페닐， 나프탈렌， 벤젠， 티오디페놀， 플루오렌 (fluorene), 안트라센, 이소시아누레이트， 트리페닐메탄, 1，1，2，2-테트라페닐에탄, 테트라페닐메탄, 4,4' -디아마노디페닐메탄， 아미노페놀 시클로 지방족, 또는 노볼락 유니트를 갖는 에폭시 조성물.
【청구항 60】
제 59항에 있어서, 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A， 비페닐， 나프탈렌， 또는 플루오렌을 갖는 에폭시 조성물.
【청구항 61】
제 57항 내지 제 60항 중 어느 한 항에 있어서， 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 10 내지 100wt% 미만 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물， 글리시딜계 에폭시 화합물， 글리시딜아민계 에폭시 화합물， 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물， 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt% 초과 내지 90wt%로 포함하는 에폭시 조성물.
【청구항 62】
제 57항 내지 제 60항 중 어느 한 항에 있어서， 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 30 내지 100wt% 미만 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물 글리시딜계 에폭시 화합물， 글리시딜아민계 에폭사 화합물， 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물， 고무 개질된 에폭시 화합물， 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt% 초과 내지 70wt % 로 포함하^ 에폭시 조성물 . 【청구항 63】
하기 화학식 AI 내지 KI로 구성되는 그룹으로부터 산택된 적 어도 하나의 알콕시실릴기를 갖는 에폭사 화합물 및 경화제를 포함하는 에폭사 조성물 .
Figure imgf000242_0001
(상기 화학식 (AI) 내지 (KI)에서， 다수의 Q 중 적어도 하나는 하기 화학식 S1이며， 나머지는 하기 화학식 S3, 수소， 및 -C¾Rc-CRa ¾ (Ra. Rb및 는 각각 독립적으로 H, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이며, 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며 , N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)로 구성되는 그룹으로부터 각각 독립적으로 선택되며'
상기 DI에서 Y는 -(¾-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 -S02-이다.
'[화학식 S1]
-CRbRc-CHRa-CH2-S i R1R2R3
(화학식 S1에서 , Ra, ¾ 및 ¾ 는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 내지 R3 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고， 나머지는 탄소수 1 내지 10 알킬기이며， 상기 알킬기 및 알콕시기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0， S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다. 다만， 화학식 FI에서 S1이 하나인 경우에， 상기 화학식 S1 중 Ra, Rb 및 ¾가 모두 수소이고， Ri 내지 ¾ 이 모두 탄소수 1 내지 6와 알콕시기인 경우는 제외된다.)
[화학식 S3]
Figure imgf000243_0001
(화학식 S3에서， 상기 Ra, Rb및 Rc는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, 상기 알킬기는 직쇄상 또는 측쇄상일 수 있고， 고리형 또는 비고리형일 수 있으며， N, 0, S, 또는 P 헤테로 원자를 갖거나 갖지 않을 수 있다.)
【청구항 64】
제 63항에 있어서， 글리시딜에테르계 에폭시 화합물， 글리시딜계 에폭시 화합물， 글리시딜아민계 에폭시 화합물， 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물， 고무 개질된 에폭시 화합물， 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시달 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물을 추가로 포함하는 에폭시 조성물.
【청구항 65】 ；
제 64항에 있어서， 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀, 비페닐， 나프탈렌, 벤젠， 티오디페놀, 플루오렌 (fluorene), 안트라센， 이소시아뉴레이트， 트리페닐메탄， 1，1，2，2-테트라페닐에탄， 테트라페닐메탄， 4,4' -디아미노디페닐메탄， 아미노페놀 시클로 지방족， 또는 노볼락 유니트를 갖는 에폭시 조성물.
【청구항 66】
제 65항에 있어서， 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비페닐， 나프탈렌， 또는 플루오렌을 갖는 에폭시 조성물.
【청구항 67】
제 63항 내지 제 66항 중 어느 한 항에 있어서, 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 10 내지 100wt% 미만 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물， 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물， 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt% 초과 내지 90wt% 로 포함하는 에폭시 조성물.
【청구항 68】
제 63항 내지 제 67항 중 어느 한 항에 있어서， 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 30 내지 100wt% 미만 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물， 글리시딜계 에폭시 화합물， 글리시딜아민계 에폭시 화합물， 글리시딜에스테르계 쎄폭시 화합물， 고무 개질된 에폭시 화합물， 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 Owt% 초과 내지 70wt%로 포함하는 에폭시 조성물.
【청구항 69】
제 '57 내지 제 68항 중 어느 한 항에 있어서， 경화촉진제를 추가로 포함하는 에폭시 조성물.
【청구항 70】
제 57 내지 제 69항 중 어느 한 항에 있어서， 무기입자 및 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 층전제를 추가로 포함하는 에폭시 조성물.
[청구항 71】
제 70항에 있어서， 상기 무기입자는 Si02, Zr02, 및 Ti02, A1203 로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 금속산화물， 및 T-10형 실세스퀴녹산， 래더 (ladder)형 실세스퀴녹산， 및 케이지형 실세스퀴녹산로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에폭시 조성물.
【청구항 72】
제 70항 또는 제 기항에 있어서， 상기 에폭시 조성물에서， 상기 무기입자는 에폭시 화합물에 대하여 5-1000 phr의 양으로 사용되는 에폭시 조성물.
【청구항 73】
제 70항 또는 72항에 있어서 , 상기 에폭시 조성물에서, 상기 무기입자는 에폭시 화합물에 대하여 lOOphr 내지 900 phr의 양으로 사용되는 에폭시 조성물.
【청구항 74】 제 70항 또는 73항에 있어서, 상기 에폭시 조성물에서， 상기 무기입자는 에폭시 화합물에 대하여 50phr 내지 200 phr의 양으로 사용되는 에폭시 조성물.
【청구항 75】
제 70항에 있어서， 상기 섬유는 E, T(S), NE, E, D, 및 석영으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 유리섬유 및 액정 폴리에스테르 섬유， 폴리에틸렌테레프탈레이트 섬유， 전방향족 섬유 폴리옥시벤자졸 섬유， 나일론 섬유, 폴리에틸렌 나프탈레이트 섬유， 폴리프로필렌 섬유， 폴리에테르 술폰 섬유, 폴리비닐리덴플로라이드 섬유， 폴리에틸렌 술파이드 섬유， 및 폴리에테르에테르케톤 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 유기 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에폭시 조성물.
【청구항 76】
제 75항에 있어서， 상기 섬유는 E 유리섬유인 에폭시 조성물. 【청구항 77】
제 75항에 있어서， 상기 섬유는 T 유리섬유인 에폭시 조성물. 【청구항 78】
제 70항 및 제 76항 내지 제 77항 중 어느 한 항에 있어서， 상기 에폭시 조성물의 총 중량에 대하여 상기 섬유는 10 wt% 내지 90 %로 포함되는 에폭시 조성물,
【청구항 79】
제 57항 내지 제 78항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물은 포함하는 전자재료. 【청구항 80】
제 57항 내지 제 78항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물은 포함하는 프리프레그. 【청구항 81】
제 80항의 프리프레그에 금속층이 배치된 적층판. 【청구항 82】
제 57항 내지 제 78항 중 어느 한 항와에폭시 조성물을 포함하는기판. 【청구항 83】
제 57항 내지 제 78항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물을 포함하는 필름. 【청구항 84】
제 80항의 프리프레그를 포함하는 인쇄배선판. [청구항 85】
제 84항의 인쇄배선판에 반도체 소자가 탑재된 반도체 장치 . 【청구항 86】
제 57항 내지 제 78항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물을 포함하는 반도체 패키징 재료.
【청구항 87】
제 86항의 반도체 패키징 재료를 포함하는 반도체 장치 ·. [청구항 88】
제 57항 내지 제 78항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물의 경화물.
[청구항 89】
열팽창계수가 50ppm/°C 내지 150ppm/°C인 제 57항 내지 제 69항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물의 경화물. 【청구항.90】
열팽창계수가 15ppm/°C이하인 제 :70항 내지. 제 78 " 중 어느 '한 항와 에폭시 초성.물의 경화물.
【청구항 91】
유리전이온도가 100°C 보다 높거 유리전이온도를 나타내지 않는 제 70항 내^ 제 78항중어느 한 항의 에폭시 조성물의 경화물.
PCT/KR2012/006832 2011-08-25 2012-08-27 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도 WO2013028045A2 (ko)

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