JP7418941B2 - 樹脂組成物、シート状積層材料、プリント配線板及び半導体装置 - Google Patents
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
ガラス転移温度が低い場合、リフロー処理時の熱により、絶縁層を構成する材料に変化が生じ易くなり、クラックや反り等が生じる場合がある。また、密着性が低い場合、微細パターンの配線の形成が困難になる場合がある。そのため、実装信頼性や接続信頼性が劣る傾向にある。更に、誘電正接が高い場合、信号の伝送遅延や消費電力の増大を引き起こす場合がある。
すなわち、本発明は、下記の内容を含む。
〔2〕前記(D)成分が、下記一般式(1)で表される化合物である上記〔1〕に記載の樹脂組成物。
〔3〕前記(C)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、30~85質量%である上記〔1〕又は〔2〕に記載の樹脂組成物。
〔4〕前記(C)成分の平均粒径が、0.01μm~2μmである上記〔1〕~〔3〕のいずれかに記載の樹脂組成物。
〔5〕前記(C)成分が、シリカである上記〔1〕~〔4〕のいずれかに記載の樹脂組成物。
〔6〕前記(B)成分が、フェノール化合物及び活性エステル化合物の少なくともいずれかである上記〔1〕~〔5〕のいずれかに記載の樹脂組成物。
〔7〕前記(C)成分が、前記(D)成分で表面処理されている上記〔1〕~〔6〕のいずれかに記載の樹脂組成物。
〔8〕プリント配線板の絶縁層形成用である上記〔1〕~〔7〕のいずれかに記載の樹脂組成物。
〔9〕上記〔1〕~〔8〕のいずれかに記載の樹脂組成物を含む、シート状積層材料。
〔10〕上記〔1〕~〔8〕のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、プリント配線板。
〔11〕上記〔10〕に記載のプリント配線板を含む、半導体装置。
本発明の樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)無機充填材及び(D)フルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物を含む。(D)フルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物は、フロオレン部位にπ-π相互作用が発現し得る。π-π相互作用は、通常の分子間力よりも強い作用を有するため、(D)フルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物を含む樹脂組成物の硬化物は、構造が安定化する傾向にある。そのため、加熱による構造の変化が生じ難くなり、ガラス転移温度が高くなる。また、樹脂組成物の硬化物の破損に由来する導体層の剥離が生じ難くなり、絶縁層と導体層との密着性が高くなる。
(A)エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
エポキシ当量は、1当量のエポキシ基を含む樹脂の質量であり、JIS K7236に従って測定し得る。
(A)エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により、ポリスチレン換算の値として測定し得る。例えば、樹脂の重量平均分子量は、測定装置として島津製作所社製LC-9A/RID-6Aを、カラムとして昭和電工社製Shodex K-800P/K-804L/K-804Lを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を40℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。
樹脂組成物は、(B)硬化剤を含む。硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有するものであれば、特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、及びカルボジイミド系硬化剤等が挙げられる。中でも、後述する(D)フルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物のフルオレン部位とπ-π相互作用を形成する観点からはフェノール系硬化剤が好ましく、導体層との密着性に優れる絶縁層を得る観点からは、活性エステル系硬化剤が好ましい。なお、(B)硬化剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
樹脂組成物は、(C)無機充填材を含む。(C)無機充填材を用いることにより、樹脂組成物の硬化物の熱膨張係数を小さくできるので、絶縁層のリフロー反りを抑制することができる。
樹脂組成物は、(D)フルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物を含む。(D)フルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物を用いることにより、フルオレン部位にπ-π相互作用が発現し、樹脂組成物の硬化物の構造が安定化する傾向にある。そのため、加熱による構造の変化が生じ難くなり、ガラス転移温度が高くなる。また、樹脂組成物の硬化物の破損に由来する導体層の剥離が生じ難くなり、絶縁層と導体層との密着性が高くなる。なお、π-π相互作用は、(D)フロオレン骨格含有アルコキシシラン化合物同士の間に働くものであってもよく、他の成分(ビスフェノールA型エポキシ樹脂等の(A)成分;フェノール系硬化剤等の(B)成分;後述するフェノキシ樹脂等)の芳香環部位と(D)フルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物のフルオレン部位との間に働くものであってもよい。
本発明の樹脂組成物は、必要に応じて、熱可塑性樹脂、硬化促進剤及び難燃剤からなる群から選択される1種以上の(E)添加剤をさらに含有していてもよい。
本発明の樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を更に含んでもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられる。中でも、(D)フルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物とπ-π相互作用を形成する観点から、フェノキシ樹脂が好ましい。なお、熱可塑性樹脂は1種単独で用いてもよく、2種以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法で測定される。例えば、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として島津製作所社製LC-9A/RID-6Aを、カラムとして昭和電工社製Shodex K-800P/K-804L/K-804Lを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度40℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。
本発明の樹脂組成物は、硬化促進剤を更に含んでもよい。硬化促進剤を用いることにより、樹脂組成物を硬化させる際に硬化を促進できる。
本発明の樹脂組成物は、難燃剤を含んでもよい。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三光社製の「HCA-HQ」、「HCA-HQ-HS」、大八化学工業社製の「PX-200」等が挙げられる。また、難燃剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
本発明の樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意成分を含み得る。このような任意成分としては、例えば、有機充填材;有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物;増粘剤;消泡剤;レベリング剤;密着性付与剤;着色剤等の樹脂添加剤が挙げられる。
本発明の樹脂組成物は、有機充填材を用いることにより、樹脂組成物の硬化物の柔軟性を向上させられるので、絶縁層の伸び性を改善できる。
本発明の樹脂組成物は、ワニス状態で塗布して使用することもできるが、工業的には一般に、該樹脂組成物を含有するシート状積層材料の形態で用いることが好適である。
本発明のプリント配線板は、本発明の樹脂組成物又は本発明のシート状積層材料を熱硬化して得られた絶縁層を含む。
(I)内層基板上に、接着フィルムを、該接着フィルムの樹脂組成物層が内層基板と接合するように積層する工程
(II)樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程
本発明の半導体装置は、本発明のプリント配線板を含む。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製「828US」、エポキシ当量約180)10部、ビフェニル型エポキシ樹脂(三菱化学社製「YX4000H」、エポキシ当量約190)12部、及びナフトール型エポキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「ESN475V」、エポキシ当量約330)10部を、ソルベントナフサ30部に撹拌しながら加熱溶解させた。これを室温にまで冷却し、(A)エポキシ樹脂の溶解組成物を調製した。
(A)エポキシ樹脂の溶解組成物に対し、難燃剤(三光社製「HCA-HQ-HS」)3部、フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YX7553BH30」、固形分30質量%のMEKとシクロヘキサノンの1:1溶液)10部、フェノール系硬化剤(DIC社製「LA-3018-50P」、活性基当量約151、固形分50%の2-メトキシプロパノール溶液)5部、活性エステル化合物(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性基当量約223、固形分65質量%のトルエン溶液)20部、硬化促進剤(4-ジメチルアミノピリジン(DMAP)、固形分0.5質量%のMEK溶液)3部、アミン系アルコキシシラン化合物(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径0.5μm、アドマテックス社製「SO-C2」)100部、フルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物(大阪ガスケミカル社製「SC001」)1部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。かかる樹脂ワニスを離型PETフィルム(リンテック社製「501010」、厚さ38μm)の離型層上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが40μmとなるように樹脂ワニスを均一に塗布し、80~120℃(平均100℃)で4分間乾燥させて、接着フィルムを得た。
実施例1のフェノール系硬化剤(DIC社製「LA-3018-50P」、活性基当量約151、固形分50%の2-メトキシプロパノール溶液)5部を、フェノール系硬化剤(DIC社製「LA7054」、活性基当量125、固形分60%のMEK溶液)3部に変更すること以外は全く同様にして、樹脂ワニスを作製した。次に、かかる樹脂ワニスを使用し、実施例1と全く同様にして接着フィルムを得た。
実施例1のフェノキシ樹脂(三菱化学社製「YX7553BH30」、固形分30質量%のMEKとシクロヘキサノンの1:1溶液)10部を、フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YX6954BH30」、固形分30質量%のMEKとシクロヘキサノンの1:1溶液)10部に変更すること以外は全く同様にして、樹脂ワニスを作製した。次に、かかる樹脂ワニスを使用し、実施例1と全く同様にして接着フィルムを得た。
実施例1にカルボジイミド化合物(日清紡ケミカル社製「V-03」、活性基当量約216、固形分50質量%のトルエン溶液)5部を加えること以外は全く同様にして、樹脂ワニスを作製した。次に、かかる樹脂ワニスを使用し、実施例1と全く同様にして接着フィルムを得た。
実施例1の活性エステル化合物(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性基当量約223、固形分65質量%のトルエン溶液)20部を、活性エステル化合物(DIC社製「EXB9416-70BK」、活性基当量約274、固形分70質量%のMIBK溶液)15部に変更すること以外は全く同様にして、樹脂ワニスを作製した。次に、かかる樹脂ワニスを使用し、実施例1と全く同様にして接着フィルムを得た。
実施例5にカルボジイミド化合物(日清紡ケミカル社製「V-03」、活性基当量約216、固形分50質量%のトルエン溶液)5部を加えること以外は全く同様にして、樹脂ワニスを作製した。次に、かかる樹脂ワニスを使用し、実施例1と全く同様にして接着フィルムを得た。
実施例1のフルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物(大阪ガスケミカル社製「SC001」)1部を、フルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物(大阪ガスケミカル社製「SC003」)1部に変更すること以外は全く同様にして、樹脂ワニスを作製した。次に、かかる樹脂ワニスを使用し、実施例1と全く同様にして接着フィルムを得た。
実施例1のフルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物(大阪ガスケミカル社製「SC001」)1部を、アミン系アルコキシシラン化合物(信越化学工業社製「KBM573」)1部に変更すること以外は全く同様にして、樹脂ワニスを作製した。次に、かかる樹脂ワニスを使用し、実施例1と全く同様にして接着フィルムを得た。
実施例1のフルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物(大阪ガスケミカル社製「SC001」)1部を、アルコキシシラン化合物(信越化学工業社製「KBM22」)1部に変更すること以外は全く同様にして、樹脂ワニスを作製した。次に、かかる樹脂ワニスを使用し、実施例1と全く同様にして接着フィルムを得た。
実施例1のフルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物(大阪ガスケミカル社製「SC001」)1部を、アミノアルコキシシラン化合物(信越化学工業社製「KBE903」)1部に変更すること以外は全く同様にして、樹脂ワニスを作製した。次に、かかる樹脂ワニスを使用し、実施例1と全く同様にして接着フィルムを得た。
実施例5のフルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物(大阪ガスケミカル社製「SC001」)1部を、アミン系アルコキシシラン化合物(信越化学工業社製「KBM573」)1部に変更する以外は全く同様にして、樹脂ワニスを作製した。次に、かかる樹脂ワニスを使用し、実施例5と全く同様にして接着フィルムを得た。
実施例5のフルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物(大阪ガスケミカル社製「SC001」)1部を、アルコキシシラン化合物(信越化学工業社製「KBM22」)1部に変更すること以外は全く同様にして、樹脂ワニスを作製した。次に、かかる樹脂ワニスを使用し、実施例5と全く同様にして接着フィルムを得た。
実施例5のフルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物(大阪ガスケミカル社製「SC001」)1部を、アミノアルコキシシラン化合物(信越化学工業社製「KBE903」)1部に変更する以外は全く同様にして、樹脂ワニスを作製した。次に、かかる樹脂ワニスを使用し、実施例5と全く同様にして接着フィルムを得た。
上述した実施例及び比較例で得た接着フィルムを、下記の方法によって評価した。
実施例及び比較例で得た接着フィルムを200℃で90分間乾燥させた後、支持体のPETより剥がすことで硬化物性評価用サンプルを作製した。
硬化物性評価用サンプルを、幅約5mm、長さ約15mmの試験片に切断し、熱機械分析装置(リガク社製「Thermo Plus TMA8310」)を使用して、引張加重法にて熱機械分析を行った。詳細には、試験片を前記熱機械分析装置に装着した後、荷重1g、昇温速度5℃/分の測定条件にて連続して2回測定した。そして2回目の測定において、ガラス転移温度(Tg;℃)を算出した。なお、150℃以上である場合を「良」と評価し、150℃未満である場合を「不良」と評価した。
硬化物性評価用サンプルから、幅2mm、長さ80mmの試験片を切り取った。この試験片2個について誘電正接を測定し、その測定値の平均を絶縁層の誘電正接として求めた。なお、試験片の誘電正接の測定は、アジレントテクノロジーズ社製の測定装置「HP8362B」を用いて、空洞共振摂動法により、測定周波数5.8GHz、測定温度23℃にて誘電正接を測定した。2本の試験片について測定を行い、平均値を算出した。なお、0.0081以下である場合を「良」と評価し、0.0081超である場合を「不良」と評価した。
(1)内装基板の下地処理:
回路基板の下地処理回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板の厚さ0.4mm、パナソニック社製「R1515A」)の両面を、マイクロエッチング剤(メック社製「CZ8100」)を用いて、銅エッチング量1μmにてエッチングして、銅表面の粗化処理を行った。
上述した実施例及び比較例で得た接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター(ニッコー・マテリアルズ社製2ステージビルドアップラミネーター「CVP700」)を用いて、樹脂組成物層が回路基板と接合するように、回路基板の両面に積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaにて30秒間圧着することにより実施した。次いで、積層された接着フィルムを、大気圧下、100℃、圧力0.5MPaにて60秒間熱プレスして平滑化した。
樹脂組成物層である接着フィルムの積層後、樹脂組成物層を熱硬化して、回路基板の両面に硬化物を形成した。その際、支持体であるPETフィルムが付いた状態で樹脂組成物層を熱硬化した。
樹脂組成物層の熱硬化は、以下の熱硬化処理により実施した。100℃で(100℃のオーブンに投入後)30分間、次いで175℃で(175℃のオーブンに移し替えた後)30分間、熱硬化した。その後、基板を室温雰囲気下に取り出して、支持体を剥離した。絶縁層、回路基板、絶縁層をこの順に備える複層基板を作製した。
複層基板を、膨潤液(アトテックジャパン社製「スエリングディップ・セキュリガントP」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及び水酸化ナトリウムを含有する水溶液)に60℃で5分間浸漬した。次いで、酸化剤(アトテックジャパン社製「コンセントレート・コンパクトCP」、KMnO4:60g/L、NaOH:40g/Lの水溶液)に80℃で20分間浸漬した。その後、中和液(アトテックジャパン社製「リダクションソリューション・セキュリガントP」、硫酸ヒドロキシルアミン水溶液)に40℃で5分間浸漬した。80℃で30分間乾燥させて、回路基板の両面に粗化処理が施された複層基板を得た。得られた基板を「評価基板A」と称する。
セミアディティブ工法に従って、評価基板Aの絶縁層の粗化面に導体層を形成した。具体的には、下記の操作を行った。
評価基板Aを、PdCl2を含む無電解メッキ液に40℃で5分間浸漬した。次いで、無電解銅メッキ液に25℃で20分間浸漬した。得られた基板を150℃にて30分間加熱してアニール処理を行った後、硫酸銅電解メッキを行い、厚さ30μmの導体層を形成した。その後、基板を190℃にて60分間加熱してアニール処理を行った。得られた基板を「評価基板B」と称する。
メッキ導体層のピール強度の測定は、評価基板Bについて、JIS C6481に準拠して行った。具体的には、下記の操作を行った。
評価基板Bの導体層に、幅10mm、長さ100mmの部分の切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具(ティー・エス・イー社製、オートコム型試験機「AC-50C-SL」)で掴み、室温中にて、50mm/分の速度で垂直方向に35mmを引き剥がした時の荷重(kgf/cm)を測定することで密着性を評価した。なお、0.50kgf/cm以上である場合を「良」と評価し、0.50kgf/cm未満である場合を「不良」と評価した。
上述した実施例及び比較例の結果を、下記の表に示す。下記の表において、略称の意味は、下記のとおりである。
828US:ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製「828US」)
ESN475V:ナフトール型エポキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「ESN475V」)
YX4000H:ビフェニル型エポキシ樹脂(三菱化学社製「YX4000H」)
SO-C2:アミノシランカップリング剤(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(アドマテックス社製「SO-C2」)
HCA-HQ-HS:難燃剤(三光社製「HCA-HQ-HS」)
YX7553BH30:フェノキシ樹脂の溶液(三菱化学社製「YX7553BH30」)
YX6954BH30:フェノキシ樹脂の溶液(三菱化学社製「YX6954BH30」)
HPC8000-65T:活性エステル化合物の溶液(DIC社製「HPC-8000-65T」)
EXB-9416-70BK:ナフタレン構造を含む活性エステル化合物(DIC社製「EXB-9416-70BK」)
LA3018:トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤の溶液(DIC社製「LA-3018-50P」)
LA7054:フェノール系硬化剤(DIC社製「LA7054」)
V03:カルボジイミド化合物(日清紡ケミカル社製「V-03」)
DMAP:4-ジメチルアミノピリジン
SC001:フルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物(大阪ガスケミカル社、「オグソール SC-001」)
SC003:フルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物(大阪ガスケミカル社、「オグソール SC-003」)
KBM573:アミノアルコキシシラン化合物(信越化学工業社製「KBM573」)
KBM22:アルコキシシラン化合物(信越化学工業社製「KBM22」)
KBE903:アミノアルコキシシラン化合物(信越化学工業社製「KBE903」)
IP150:ソルベントナフサ
SiO2:樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対する無機充填材の割合
なお、表中の各成分の配合量は固形分換算値である。
アミノアルコキシシラン化合物を用いた比較例1、4は、ガラス転移温度、誘電正接は良好であるけれども、密着性に劣る。また、他のアミノアルコキシシラン化合物を用いた比較例3、6は、ガラス転移温度は良好であるけれども、誘電正接、密着性に劣る。一方、アルコキシシラン化合物を用いた比較例2、5は、密着性は良好であるけれども、ガラス転移温度、誘電正接に劣る。これに対し、(D)フルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物を用いた実施例1~7は、誘電正接が低く、ガラス転移温度が高く、且つ、密着性が良好である。よって、これら実施例1~7、比較例1~6の結果から、(A)エポキシ樹脂と、(B)硬化剤と、(C)無機充填材と、(D)フルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物を組み合わせることによって、誘電正接が低く、ガラス転移温度が高く、導電層との密着性の良好な絶縁層を得ることができる樹脂組成物を実現できることが確認された。
Claims (9)
- (A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)無機充填材及び(D)フルオレン骨格含有アルコキシシラン化合物を含み、
(B)硬化剤が、活性エステル系硬化剤を含み、
前記(D)成分が、下記一般式(1)で表される化合物であり、
プリント配線板の絶縁層形成用である、
樹脂組成物。
- 前記(C)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、30~85質量%である請求項1に記載の樹脂組成物。
- 前記(C)成分の平均粒径が、0.01μm~2μmである請求項1又は2に記載の樹脂組成物。
- 前記(C)成分が、シリカである請求項1~3のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記(B)成分が、フェノール系硬化剤を含む請求項1~4のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記(C)成分が、前記(D)成分で表面処理されている請求項1~5のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 請求項1~6のいずれか1項に記載の樹脂組成物を含む、シート状積層材料。
- 請求項1~6のいずれか1項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、プリント配線板。
- 請求項8に記載のプリント配線板を含む、半導体装置。
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