JP2014523112A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 複数のＩＣを含む基板をダイシングする方法であって、
   基板上にＩＣを被覆し保護するマスクを形成する工程であって、マスクはＩＣの上面と接触する水溶性材料の層を含む工程と、
   レーザスクライビングプロセスによってマスク及び基板の一部をパターニングして、ギャップを有するパターニングされたマスクを提供し、ＩＣ間の基板の領域を露出させる工程であって、各々のギャップは基板内にある幅を有する工程と、
   ギャップを貫通してプラズマエッチングして、これによって基板内にトレンチを形成し、ＩＣを個片化する工程であって、各々のトレンチは前記幅を有する工程を含む方法。
2. レーザスクライビングプロセスによってマスクをパターニングする工程が、フェムト秒レーザでギャップを形成する工程を含み、水溶性材料が、水溶性ポリマーを含み、半導体基板をエッチングする工程が、水溶性材料を１００℃未満に維持しながら、ディープトレンチエッチングプロセスでトレンチをエッチングする工程を含む請求項１記載の方法。
3. フェムト秒レーザスクライビングプロセスによってマスクをパターニングする工程が、５３０ナノメートル以下の波長と５００フェムト秒以下のレーザパルス幅を有するレーザを用いる工程を含む請求項２記載の方法。
4. マスクを形成する工程が、ＩＣ間のストリートの上で２０μｍ以下、ＩＣの上部バンプ上に少なくとも１０μｍの厚さに水溶性材料層を形成する工程を含む請求項１記載の方法。
5. マスクを形成する工程が、ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（アクリル酸）、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（アクリルアミド）、又はポリ（エチレンオキシド）のうちの少なくとも１つをＩＣの上面に接触して塗布する工程を含む請求項１記載の方法。
6. マスクを形成する工程が、ポリ（ビニルアルコール）をＩＣの上面に接触して塗布する工程を含む請求項５記載の方法。
7. 塗布する工程が、
   ＩＣの上面の上に水溶性ポリマーの水溶液をスピンコーティングする工程と、
   水溶液を乾燥させる工程を含む請求項１記載の方法。
8. 裏面研削プロセスによって基板を薄くする工程を含み、スピンコーティングは裏面研削の後に実行される請求項７記載の方法。
9. 塗布する工程が、ＩＣの上面の上に水溶性材料のドライフィルムを真空ラミネートする工程を含む請求項１記載の方法。
10. 裏面研削プロセスで基板を薄くする工程を含み、真空ラミネートは裏面研削の後に実行される請求項１記載の方法。
11. 基板をプラズマエッチングした後の水溶性マスクを水溶液で除去する工程を含む請求項１記載の方法。
12. 除去する工程は、水溶性マスクを水の加圧されたジェットで洗い流す工程を含む請求項１１記載の方法。
13. 複数のＩＣを含む半導体基板をダイシングする方法であって、
    シリコン基板の上に水溶性マスクを形成する工程であって、水溶性マスクは、シリコン基板上に配置されたＩＣを覆い保護し、ＩＣは、二酸化ケイ素の層、低ｋ材料の層、及び銅の層を含む薄膜スタックを含む工程と、
    水溶性マスク、低ｋ材料の層、銅の層、及びシリコン基板の一部をフェムト秒レーザでパターニングし、これによって内部にギャップを生成し、ＩＣ間のシリコン基板の領域を露出させる工程であって、各々のギャップはシリコン基板内にある幅を有する工程と、
    ギャップを貫通してシリコン基板をプラズマエッチングし、これによってシリコン基板内にトレンチを形成し、ＩＣを個片化する工程であって、各々のトレンチは、シリコン基板内に前記幅を有する工程を含む方法。
14. 二酸化ケイ素の層、低ｋ材料の層、及び銅の層をフェムト秒レーザでパターニングする工程は、低ｋ材料の層、及び銅の層をアブレーション加工する前に、二酸化ケイ素の層をアブレーション加工する工程を含み、シリコン基板をエッチングする工程は、水溶性材料層を１００℃未満の温度に維持しながら、ＳＦ _６ と、Ｃ _４ Ｆ _８ 及びＣ _４ Ｆ _６ のうちの少なくとも１つとのプラズマに基板を曝露する工程を含む請求項１３記載の方法。