JP4318353B2 - 基板の製造方法 - Google Patents
基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4318353B2 JP4318353B2 JP28089599A JP28089599A JP4318353B2 JP 4318353 B2 JP4318353 B2 JP 4318353B2 JP 28089599 A JP28089599 A JP 28089599A JP 28089599 A JP28089599 A JP 28089599A JP 4318353 B2 JP4318353 B2 JP 4318353B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- substrate
- active matrix
- water
- soluble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、マザーボードに複数の基板を多数面取りし、前記マザーボードより基板を切り出す基板の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
小型のアクティブマトリクス型液晶表示装置では、マザーボードにポリシリコン薄膜トランジスタなどを設けたアクティブマトリクス基板を多数面取りし、切断して分離した後、チップ状態で液晶表示装置の組立工程を行うことが多い。
図3〜図5は、従来のアクティブマトリクス基板の製造方法を示す。
【0003】
図3はマザーボード1の平面図を示し、図4はA−B線に沿う断面図を示す。
マザーボード1には、ポリシリコン薄膜トランジスタなどを設けたアクティブマトリクス基板2が多数面取りされている。
マザーボード1からのアクティブマトリクス基板2の切り出しは、例えば図5に示すようにダイシングブレード5を用いたダイシング加工により行われる。
【0004】
このようなダイシング加工では、アクティブマトリクス基板2の面取り、切断、分離の際に切屑やダスト6が発生してアクティブマトリクス基板2の表面に固着しやすく、この切屑やダスト6が液晶表示装置を組み立てた後にも残った場合には、付着部分に表示不良が発生する。
そのため、マザーボード1の表面には、切屑やダスト6の付着を防ぐために保護膜7が形成される。
【0005】
ダイシング加工では面取り、切断、分離の時に冷却水を使用することから、この保護膜7を水溶性材料にて形成すると溶解してしまうため、保護膜7は、ノボラック系樹脂、環化ゴム系樹脂などの難水溶性の材料にて形成される。
切り出したアクティブマトリクス基板2から保護膜7を除去する際には、アルカリ性無機溶剤、アルカリ性有機溶剤および中性有機溶剤などの溶剤にて保護膜7が溶解され、その後水による洗浄が行われる。
【0006】
このような保護膜7以外にも、特開平6−273617号公報に記載のように、マザーボード1に形成したポリビニールアルコール系樹脂からなる塗布膜に、粘着性フィルムを貼り合わせた保護膜が提案されている。このポリビニールアルコール系樹脂と粘着性フィルムからなる保護膜は、基板の面取り、切断、分離が行われた後、合成フィルムが剥離され、ポリビニールアルコール系樹脂が水で溶解されて取り除かれる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような難水溶性の保護膜7は、保護膜7を溶解する溶剤がアルカリ性溶剤である場合には、アクティブマトリクス基板2に形成されたアルミ配線が腐食されるという問題がある。
また、中性有機溶剤を用いた場合でも有機溶剤がアクティブマトリクス基板2の表面に残るという問題がある。有機溶剤の残った基板にてアクティブマトリクス型液晶表示装置を製造すると、配向膜の材料としてポリイミドなどの有機高分子材料が使用されているため配向膜の塗布工程で塗布ムラが生じ、画質の悪化が発生する。
【0008】
また、特開平6−273617号公報に記載の構成では、有機溶剤がアクティブマトリクス基板2の表面に残ることはないが、合成樹脂製フィルムを剥離する時にアクティブマトリクス基板2が帯電して、薄膜トランジスタの静電破壊などが発生する。
本発明は前記問題点を解決し、基板に切り屑やダストを付着させることなく、また基板の劣化や洗浄時の有機溶剤の付着を生じることなく、マザーボードから複数の基板を多数面取りして切り出すことのできる基板の製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の基板の製造方法は、マザーボードの表面に特殊な構成とした保護膜を形成することを特徴とする。
この本発明によると、切り屑やダストの付着を防止できるだけでなく、基板の劣化や有機溶剤の付着を生じることなくマザーボードから複数の基板を多数面取りして切り出すことができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の基板の製造方法は、マザーボードに複数の基板を多数面取りし、前記マザーボードより基板を切り出すに際し、前記マザーボードの表面に、耐油性を有する水溶性の第1の保護膜を形成し、次いで前記第1の保護膜の上に難水溶性の第2の保護膜を形成し、前記第1の保護膜および前記第2の保護膜が形成されたマザーボードを切断して複数の基板を切り出し、前記切断された基板を有機溶剤にて洗浄して前記第2の保護膜を除去し、次いで水にて洗浄して第1の保護膜を除去することを特徴とする。
【0011】
本発明の基板の製造方法において、マザーボードはガラスウエハであり、基板は液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板であることを特徴とする。
本発明の基板の製造方法において、マザーボードは半導体ウエハであり、基板は撮像素子に用いる半導体チップであることを特徴とする。
【0012】
本発明の基板の製造方法において、第1の保護膜としてポリビニルアルコール系樹脂、ポリビニルピロリドン系樹脂を用い、第2の保護膜として環化ゴム系樹脂、ノボラック系樹脂、ヒドロキシレン系樹脂、多価アクリレート系樹脂を用いることを特徴とする。
以下、本発明の基板の製造方法を図1と図2を用いて説明する。
【0013】
なお、上記従来例を示す図3〜図5と同様をなすものには同一の符号を付けて説明する。
この実施の形態では、マザーボードから切り出す基板が絶縁体基板あるいは半導体基板の上にマトリクス状に薄膜トランジスタまたはMOSトランジスタを設けたアクティブマトリクス基板である例を挙げて基板の製造方法を説明する。
【0014】
図1に示すように、複数の基板2が面取りされたマザーボード1から、アクティブマトリクス基板2を切り出すに際し、図2のステップS1に示すように、マザーボード1の表面にポリビニルアルコール系樹脂やポリビニルピロリドン系樹脂などの樹脂を塗布して硬化し、第1の保護膜として水溶性の保護膜3を形成する。
【0015】
次いで、ステップS2に示すように、前記第1の保護膜の上に環化ゴム系樹脂、ノボラック系樹脂、ヒドロキシレン系樹脂、多価アクリレート系樹脂などの難水溶性樹脂を塗布して硬化し、第2の保護膜として難水溶性の保護膜4を形成する。
ステップS3では、第1,第2の保護膜が形成されたマザーボード1を、上記従来例を示す図5と同様にダイシングブレード5にてアクティブマトリクス基板2の面取り、切断、分離を行う。
【0016】
ステップS4では、切り出されたアクティブマトリクス基板2を有機溶剤にて洗浄し、第2の保護膜である難水溶性の保護膜4を除去する。
次いで、ステップS5では、アクティブマトリクス基板2を水で洗浄して、第1の保護膜である水溶性の保護膜3を除去し、ステップS6にてアクティブマトリクス基板2を乾燥する。
【0017】
このような構成とすると、第1,第2の保護膜にて、マザーボード1の表面を保護しているため、アクティブマトリクス基板2の面取り、切断、分離時における切屑やダストの付着がなくなる。
また、第2の保護膜である難水溶性の保護膜4を除去する際には、第1の保護膜である水溶性の保護膜3がアクティブマトリクス基板2の表面を保護しているため、アクティブマトリクス基板2と溶剤との接触がなくなり、アクティブマトリクス基板2に形成されたアルミ配線の腐食を防止できる。
【0018】
また、第1,第2の保護膜の除去に際しては、接着剤などによる保護膜の剥離などがないため、アクティブマトリクス基板2の表面に形成されたトランジスタの静電破壊などを防止でき、製造歩留まりを向上できる。
また、このアクティブマトリクス基板2を例えば液晶表示装置用の基板として使用した場合には、アクティブマトリクス基板2の表面に直接に有機溶剤が接触することがないため、配向膜を形成する際においても、配向膜材であるポリイミド等の有機高分子材料の塗布膜の塗布ムラが発生することがない。
【0019】
従って、表示品質の良いアクティブマトリクス型液晶装置が得られ、製造歩留を向上させることができる。
以下、この(実施の形態)の具体例を示す。
実施例
プローブ検査後のマザーボード1の表面に、例えば、所定の粘度を有するポリビニールアルコール液を、スピンコーティングで0.5〜5μmの膜厚に塗布する。そして、70℃〜100℃の温度で熱硬化し、第1の保護膜である水溶性の保護膜層3を形成する。
【0020】
熱硬化の方法としては、ホットプレート方式、オーブン方式のどちらでも良く、硬化時間は、ホットプレートであれば2〜10分、オーブン方式であれば10〜90分であることが好ましい。
この第1の保護膜の上に、例えば、所定の粘度を有する環化ゴム系樹脂をスピンコーティングで0.5〜5μmの膜厚に塗布する。そして、70℃〜100℃の温度で熱硬化し、第2の保護膜である難水溶性の保護膜4を形成する。
【0021】
熱硬化の方法としては、ホットプレート方式、オーブン方式のどちらでも良く、硬化時間は、ホットプレートであれば2〜10分、オーブン方式であれば10〜90分が好ましい。
上記のように第1,第2の保護膜が形成されたマザーボードから、ダイシングによりアクティブマトリクス基板1を面取り、切断、分離する。
【0022】
次に、第1,第2の保護膜の除去工程を行う。
第2の保護膜である難水溶性の保護膜4を除去するために、環化ゴム系樹脂の除去溶剤として、例えば有機溶剤であるキシレンを用いる。
上記のように面取り、切断、分離したアクティブマトリクス基板2を25℃のキシレン溶液中に5〜30分浸漬し、超音波を照射しながら難水溶性の保護膜4を溶解する。
【0023】
なお、この第2の保護膜1の除去に際し、第1の保護膜である水溶性の保護膜3を形成するポリビニールアルコールは、耐油性が極めて高いためほとんどの有機溶剤には溶解しないが、グリコール類、DMSO、フェノールなどの限られた有機溶剤には溶解するものもあるので注意が必要である。
上記の保護膜の除去作業は、2〜3回繰り返すことが好ましい。
【0024】
次に、抵抗率が25℃時に16MΩ・cm以上の純水中に、アクティブマトリクス基板2を5〜30分浸漬し、超音波を照射しながら第1の保護膜である水溶性の保護膜3を溶解、除去する。この時、純水の温度は25℃程度でもかまわないが、95℃以下の高温のほうが溶解しやすい。
上記の保護膜の除去作業は、2〜3回繰り返すことが好ましい。
【0025】
この洗浄工程では、抵抗率が25℃時に16MΩ・cm以上の純水を用いているため、アクティブマトリクス基板2の洗浄効果も有する。最後に分離されたアクティブマトリクス基板1の乾燥を行う。
このアクティブマトリクス基板1の面取り、切断、分離および第1,第2の保護膜を完全に除去した後、アクティブマトリクス型液晶表示装置の組立工程が行われる。
【0026】
なお、上記実施の形態では、基板2として液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板2を例に挙げて説明したが、液晶表示装置において、透過型の液晶表示装置に用いるマザーボード1としては、米国コーニング社製の品番7059などの無アルカリガラス基板や石英ウエハ等の透明な絶縁体が用いられ、反射型の液晶表示装置に用いるマザーボード1には半導体ウエハが用いられる。
【0027】
また、上記実施の形態では、基板2として液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板2を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、CCD撮像素子等の半導体チップの場合には、マザーボード1が半導体ウエハであり、基板2が半導体チップである場合も同様の効果が得られる。
また、上記説明では、第1,第2の保護膜をそれぞれ一層ずつ形成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、マザーボードの表面に水溶性の保護膜、難水溶性の保護膜の順で保護膜が形成されていれば、それぞれの保護膜が2層以上形成されていてもよい。
【0028】
【発明の効果】
以上のように本発明の基板の製造方法によると、マザーボードの表面に水溶性の第1の保護膜を形成し、次いで前記水溶性の第1の保護膜の上に難水溶性の第2の保護膜を形成し、前記第1,第2の保護膜が形成されたマザーボードを切断して複数の基板を切り出し、前記切断された基板を溶剤にて洗浄して前記第2の保護膜を除去し、次いで水にて洗浄して第1の保護膜を除去することで、面取り、切断、分離時における切り屑やダストの付着のない基板が得られる。
【0029】
また、上記のように性質の異なった第1,第2の保護膜が形成されることで、有機溶剤が直接に基板の表面に接触することがなくなるため、例えば絶縁体基板あるいは半導体基板の上にマトリクス状に薄膜トランジスタまたはMOSトランジスタを設けたアクティブマトリクス基板においても、基板に形成されたアルミ配線が腐食されることがなくなる。また、前記アクティブマトリクス基板を液晶表示装置に使用する場合には、基板への有機溶剤の付着をなくすことができるため、配向膜の形成工程における配向膜の塗布ムラを解消でき、表示品質の良い液晶表示装置が実現できる。
【0030】
さらに、基板に形成されたトランジスタの静電破壊を防止でき、液晶表示装置を製造する際の歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態におけるマザーボードの断面図
【図2】本発明の実施の形態における基板の製造工程を示すフローチャート図
【図3】従来のマザーボードの平面図
【図4】従来のマザーボードの断面図
【図5】従来のマザーボードのダイシング工程を示す模式図
【符号の説明】
1 マザーボード
2 アクティブマトリクス基板
3 水溶性の保護膜
4 難水溶性の保護膜
Claims (3)
- マザーボードに複数の基板を多数面取りし、前記マザーボードより基板を切り出すに際し、
前記マザーボードの表面に、耐油性を有する水溶性の第1の保護膜を形成し、次いで前記第1の保護膜の上に難水溶性の第2の保護膜を形成し、
前記第1の保護膜および前記第2の保護膜が形成されたマザーボードを切断して複数の基板を切り出し、
前記切断された基板を有機溶剤にて洗浄して前記第2の保護膜を除去し、次いで水にて洗浄して第1の保護膜を除去する
基板の製造方法。 - マザーボードはガラスウエハであり、基板は液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板である請求項1記載の基板の製造方法。
- マザーボードは半導体ウエハであり、基板は撮像素子に用いる半導体チップである請求項1記載の基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28089599A JP4318353B2 (ja) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | 基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28089599A JP4318353B2 (ja) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | 基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001102330A JP2001102330A (ja) | 2001-04-13 |
JP4318353B2 true JP4318353B2 (ja) | 2009-08-19 |
Family
ID=17631448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28089599A Expired - Fee Related JP4318353B2 (ja) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | 基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4318353B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6582983B1 (en) * | 2002-07-12 | 2003-06-24 | Keteca Singapore Singapore | Method and wafer for maintaining ultra clean bonding pads on a wafer |
JP4514409B2 (ja) * | 2003-02-20 | 2010-07-28 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの仮固定方法及び電子部品、回路基板 |
JP2006277989A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置の製造方法 |
JP2007087807A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | 有機el表示装置の製造方法 |
KR100841359B1 (ko) * | 2005-10-19 | 2008-06-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
KR100812002B1 (ko) | 2006-05-11 | 2008-03-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광표시장치의 제조방법 |
JP2008006379A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護被膜の被覆方法 |
JP5011981B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2012-08-29 | 富士通株式会社 | デバイス素子製造方法およびダイシング方法 |
KR101372148B1 (ko) * | 2007-07-03 | 2014-03-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치의 제조방법 |
KR101413380B1 (ko) * | 2007-08-28 | 2014-06-30 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 반도체 다이의 제조방법, 상기 방법으로 제조된 반도체다이를 포함하는 반도체 소자 |
JP2012198477A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Fujifilm Corp | レンズの製造方法 |
US8557682B2 (en) * | 2011-06-15 | 2013-10-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer mask for substrate dicing by laser and plasma etch |
US8703581B2 (en) * | 2011-06-15 | 2014-04-22 | Applied Materials, Inc. | Water soluble mask for substrate dicing by laser and plasma etch |
US8993414B2 (en) * | 2012-07-13 | 2015-03-31 | Applied Materials, Inc. | Laser scribing and plasma etch for high die break strength and clean sidewall |
US8845854B2 (en) * | 2012-07-13 | 2014-09-30 | Applied Materials, Inc. | Laser, plasma etch, and backside grind process for wafer dicing |
US20150037915A1 (en) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | Wei-Sheng Lei | Method and system for laser focus plane determination in a laser scribing process |
JP6295094B2 (ja) * | 2014-02-06 | 2018-03-14 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6260416B2 (ja) * | 2014-04-07 | 2018-01-17 | 株式会社ディスコ | 板状物の加工方法 |
DE102015118991A1 (de) * | 2015-11-05 | 2017-05-11 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zur Behandlung von Millimeter- und/oder Mikrometer- und/oder Nanometerstrukturen an einer Oberfläche eines Substrats |
-
1999
- 1999-10-01 JP JP28089599A patent/JP4318353B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001102330A (ja) | 2001-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4318353B2 (ja) | 基板の製造方法 | |
KR101033797B1 (ko) | 박리 방법 및 그 박리 방법을 사용한 표시 장치의 제작 방법 | |
TWI446420B (zh) | 用於半導體製程之載體分離方法 | |
JP3974749B2 (ja) | 機能素子の転写方法 | |
JP5334411B2 (ja) | 貼り合わせ基板および貼り合せ基板を用いた半導体装置の製造方法 | |
TWI313057B (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP2007019362A (ja) | レジストおよびこれを用いた表示装置の製造方法 | |
JP2014029921A (ja) | 半導体基板の処理方法及び半導体基板処理品 | |
KR20100067050A (ko) | 반도체 기판의 저면 및 측면을 수지 보호막으로 덮은 반도체 장치의 제조방법 | |
JP2003203886A (ja) | 素子の分離方法及び素子の転写方法 | |
JP4271409B2 (ja) | 脆質材料の加工方法 | |
JP3045107B2 (ja) | 固体撮像素子の組立方法 | |
TWI236058B (en) | Method of performing double side processes upon a wafer | |
JP2012138547A (ja) | フレキシブル電子デバイスの製造方法および樹脂層付積層基板、ならびにフレキシブル電子デバイス製造部材 | |
JPH06275717A (ja) | ウエハはがし方法 | |
JPH0697017A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009231533A (ja) | 剥離方法、剥離装置および半導体装置の製造方法 | |
JP5428135B2 (ja) | 積層物及びその製造方法 | |
JP2006310398A (ja) | 薄膜素子の製造方法、及び電子機器 | |
JP4173778B2 (ja) | 素子基板の製造方法 | |
JP2001027812A (ja) | 基板表面のレジストまたは異物の除去方法 | |
JP2008130705A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4291589B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH11243081A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
JP2013069946A (ja) | 支持基板、支持基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050928 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080701 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080825 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090428 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090526 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120605 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120605 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |