JP2003203886A - 素子の分離方法及び素子の転写方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上に形成された素子を精度良く且つ確実
に素子分離し、さらに転写することが可能な素子の分離
方法及び転写方法を提供する。また、素子の高密度形成
を可能とすることにより半導体装置を安価に提供可能と
する素子の分離方法及び転写方法を提供する。 【解決手段】 素子形成基板上に形成された複数の素子
を分離する素子の分離方法であって、上記素子形成基板
の上記素子が形成された側と反対側の主面を研削して当
該素子形成基板を薄厚化する研削工程と、上記素子形成
基板の上記複数の素子間を上記研削が施された研削面側
からエッチングすることにより素子を分離する分離工程
とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、素子の分離方法及
び素子の転写方法に関し、特に微細素子の分離及び転写
に好適な素子の分離方法及び素子の転写方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、電子機器等においては、微細な素
子、電子部品、電子デバイス、さらにはそれらをプラス
チックのような絶縁体に埋め込んだ電子部品等を多数配
列することにより構成されたものが広く用いられてい
る。

【０００３】例えばアクティブマトリクス駆動の発光ダ
イオード（ＬＥＤ）ディスプレイの画素は、アクティブ
マトリクス駆動用素子（駆動チップ）と各色のＬＥＤ素
子とにより構成されている。そして、駆動チップとＬＥ
Ｄ素子とが同一基板上に配置されるが、駆動素子の厚み
が厚い場合にはＬＥＤ素子からの発光を効率良く利用す
ることができないため、バルクシリコン基板から作製す
る駆動チップはＬＥＤ素子の厚みに合わせて数十μｍ程
度まで薄膜化する必要がある。この駆動チップは、ウエ
ハプロセス工程においては基板厚みが１ｍｍ程度あるた
め、これを薄膜化及び画素チップサイズの１ｍｍ各以下
にペレタイズする必要がある。ペレタイズするために、
従来は、図２０に示すようにプロセス工程の終了したシ
リコン基板１０１のチップ分離領域に所望の仕上がり厚
さよりやや深い分離溝１０２を形成した後、当該シリコ
ン基板１０１を粘着テープ１０３で支持基板１０４に貼
り付け、図２１に示すようにシリコン基板１０１の裏面
側より所望の厚みまで当該シリコン基板１０１を研削す
ることでチップ分割を行ういわゆるＤＢＧプロセスが行
われている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では、分離溝の底まで研削が進むと、シリコン基板に
はその主面方向に押される応力が働き、粘着テープの接
着性によってはチップずれが発生してしまうという問題
がある。さらに、この粘着テープのベースフィルムの伸
縮によりチップのピッチがずれてしまい、分離後のチッ
プの転写が正確に行えないという問題もある。また、素
子が微細化された場合には、研削が溝に達したときに粘
着テープの粘着力では、粘着力不足によりチップを確実
に保持することができず、チップが剥離したり、倒れて
しまうという問題がある。

【０００５】また、近年、半導体装置に対してその特性
向上や歩留りの向上による低コスト化がより一層求めら
れるようになってきているのに伴い、素子形成時の高密
度化が急務となっている。

【０００６】例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）液晶の
場合には、Ｒ、Ｇ，Ｂの３色のＬＥＤからなる一画素の
輝度を制御するために、トランジスタ及びキャパシター
等からなる素子が必要となる。現在、大型液晶素子など
では、ガラス基板上にこれらの駆動回路を作り込んでい
る。しかしながら、基板の大面積化により、面内での特
性のばらつきが大きくなり、許容できなくなりつつあ
る。このため、複数の半導体チップを一つのパッケージ
で構成するＭＣＭ（Multi-Chip Module）に代表される
ように、駆動回路をシリコン基板上などの他の基板上で
作製した後に所望の基板上に拡大転写する技術が注目さ
れている。

【０００７】しかし、ＴＦＴ素子等の数百μｍ□サイズ
の素子の場合、従来のダイヤモンド鋸歯等を使用するダ
イシングにより素子分離方法では、ダイヤモンド鋸歯の
厚みが例えば３０μｍ〜４０μｍ程度あるため、素子分
離領域の幅を大きく設定しなければならない。すなわ
ち、ダイシングにおける切断代を確保するため、素子形
成時の素子の高密度化が困難であるという問題がある。

【０００８】したがって、本発明は、上述した従来の実
情に鑑みて創案されたものであり、基板上に形成された
素子を精度良く且つ確実に素子分離し、さらに転写する
ことが可能な素子の分離方法及び転写方法を提供するこ
とを目的とする。

【０００９】また、本発明の他の目的は、素子の高密度
形成を可能とすることにより半導体装置を安価に提供可
能とする素子の分離方法及び転写方法を提供することで
ある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】以上の目的を達成する本
発明に係る素子の分離方法は、素子形成基板上に形成さ
れた複数の素子を分離する素子の分離方法であって、素
子形成基板の素子が形成された側と反対側の主面を研削
して当該素子形成基板を薄厚化する研削工程と、素子形
成基板の複数の素子間を研削が施された研削面側からエ
ッチングすることにより素子を分離する分離工程とを備
えることを特徴とするものである。

【００１１】以上のような本発明に係る素子の分離方法
では、素子形成基板を薄厚化した後に、エッチングによ
り素子分離を行うため、素子分離時の素子分離領域が、
例えば５μｍ程度となり、従来のダイシングにより素子
分離を行う場合と比べて大幅に狭くなる。そして、この
ようなエッチングとしては、例えば塩素系ガスを用いた
プラズマドライエッチングが好適である。

【００１２】そして、この素子分離方法では、最終的な
素子分離工程が機械的な切削に因らないため、チッピン
グなどの機械的な切削に起因して素子に悪影響が及ぶこ
とが無く、また、分離工程中に素子が剥離したり倒れた
りすることがないため、素子の品質が保持されたまま確
実に素子分離される。

【００１３】また、以上の目的を達成する本発明に係る
素子の転写方法は、素子形成基板上に配列形成された複
数の素子の一部を、転写基板に転写する素子の転写方法
であって、素子形成基板を中間基板に素子と当該中間基
板とが対向するように接着・剥離層により接着する接着
工程と、素子形成基板の中間基板と反対側の主面を研削
して当該素子形成基板を薄厚化する研削工程と、素子形
成基板の複数の素子間を研削が施された研削面側からエ
ッチングすることにより素子を分離する分離工程と、分
離された素子を転写基板に転写する転写工程を備えるこ
とを特徴とするものである。

【００１４】以上のような本発明に係る素子の転写方法
では、素子分離を行う際に、素子形成基板を薄厚化した
後にエッチングにより素子分離を行うため、素子分離時
の素子分離領域が、例えば５μｍ程度となり、従来のダ
イシングにより素子分離を行う場合と比べて大幅に狭く
なる。そして、このようなエッチングとしては、例えば
塩素系ガスを用いたプラズマドライエッチングが好適で
ある。

【００１５】また、最終的な素子分離工程は機械的な切
削に因らないため、チッピングなどの機械的な切削に起
因して素子に悪影響が及ぶことが無く、また、分離工程
中に素子が剥離したり倒れたりすることがないため、素
子の品質が保持されたまま確実に素子分離され、品質の
良好な状態で分離された素子が転写される。

【００１６】また、以上の目的を達成する本発明に係る
素子の分離方法は、素子形成基板上に形成された複数の
素子を分離する素子の分離方法であって、素子形成基板
の素子が形成された側の主面に素子分離溝を形成する分
離溝形成工程と、素子形成基板の素子分離溝が形成され
た側と反対側の主面を上記素子分離溝の底部に所定の厚
みの連結部を残した状態に研削して素子形成基板を薄厚
化する研削工程と、連結部を除去して素子を分離する分
離工程とを備えることを特徴とするものである。

【００１７】以上のような本発明に係る素子の分離方法
では、素子形成基板の素子分離溝が形成された側と反対
側の主面を上記素子分離溝の底部に所定の厚みの連結部
を残した状態に研削し、その後、連結部を除去して素子
を分離する。したがって、連結部の存在により、素子分
離のプロセスにおいて素子形成基板の主面方向の応力に
起因する不具合の発生が防止される。

【００１８】そして、この素子分離方法では、最終的な
素子分離工程が機械的な切削に因らないため、チッピン
グなどの機械的な切削に起因して素子に悪影響が及ぶこ
とが無く、また、分離工程中に素子が剥離したり倒れた
りすることがないため、素子の品質が保持されたまま確
実に素子分離される。

【００１９】また、以上の目的を達成する本発明に係る
素子の転写方法は、素子形成基板上に配列形成された複
数の素子の一部を、転写基板に転写する素子の転写方法
であって、素子形成基板の素子を形成した側の主面の素
子間に素子分離溝を形成する分離溝形成工程と、素子形
成基板を中間基板に素子と当該中間基板とが対向するよ
うに接着・剥離層により接着する接着工程と、素子形成
基板の素子分離溝が形成された側と反対側の主面を素子
分離溝の底部に所定の厚みの連結部を残した状態に研削
して当該素子形成基板を薄厚化する研削工程と、連結部
を除去して素子を分離する分離工程と、分離された素子
を転写基板に転写する転写工程を備えることを特徴とす
るものである。

【００２０】以上のような本発明に係る素子の転写方法
では、素子分離を行う際に、素子形成基板の素子分離溝
が形成された側と反対側の主面を上記素子分離溝の底部
に所定の厚みの連結部を残した状態に研削し、その後、
連結部を除去して素子を分離する。したがって、連結部
の存在により、素子分離のプロセスにおいて素子形成基
板の主面方向の応力に起因する不具合の発生が防止され
る。

【００２１】そして、最終的な素子分離工程が機械的な
切削に因らないため、チッピングなどの機械的な切削に
起因して素子に悪影響が及ぶことが無く、また、分離工
程中に素子が剥離したり倒れたりすることがないため、
素子の品質が保持されたまま確実に素子分離され、品質
の良好な状態で分離された素子が転写される。

【００２２】また、本発明においては、中間基板として
レーザー光の照射により形状変化を生じないものを用い
るため、レーザ光を用いて素子を剥離する場合において
も中間基板が伸縮することが無く、分離された素子のピ
ッチにずれが生じることが防止される。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態を図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明
は、以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要
旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。

【００２４】まず、第１の実施の形態について説明す
る。本発明に係る素子の分離方法は、素子形成基板上に
形成された複数の素子を分離する素子の分離方法であっ
て、素子形成基板の素子が形成された側と反対側の主面
を研削して当該素子形成基板を薄厚化する研削工程と、
素子形成基板の複数の素子間を研削が施された研削面側
からエッチングすることにより素子を分離する分離工程
とを備えるものである。

【００２５】また、この素子の分離方法を適用した本発
明に係る素子の転写方法は、素子形成基板上に配列形成
された複数の素子の一部を転写基板に転写する素子の転
写方法であって、素子形成基板を中間基板に素子と当該
中間基板とが対向するように接着・剥離層により接着す
る接着工程と、素子形成基板の中間基板と反対側の主面
を研削して当該素子形成基板を薄厚化する研削工程と、
素子形成基板の複数の素子間を研削が施された研削面側
からエッチングすることにより素子を分離する分離工程
と、分離された素子を転写基板に転写する転写工程とを
備えるものである。

【００２６】第１の実施の形態では、上記の素子の分離
方法及び素子の転写方法を、素子形成基板であるシリコ
ン基板に形成された素子（アクティブチップ）を転写基
板に転写する場合を例に説明する。

【００２７】本発明により素子の分離及び転写を行うに
は、まず、図１に示すように、ウエハプロセス工程が終
了し複数の素子が形成された素子形成基板であるシリコ
ン基板１と中間基板である石英基板とを接着・剥離層に
より接着する。ここでは、接着・剥離層が剥離層３と接
着層４とからなる場合について説明する。まず、シリコ
ン基板１の素子２が形成された側の主面上に樹脂を均一
に塗布することにより例えば厚み１０μｍ程度の剥離層
３を形成する。ここで、剥離層３は、後述するようにレ
ーザー光を照射した際に、アブレーションを起こして素
子を固定材料から剥がす役割をするものである。すなわ
ち、これらの材料をレーザー光で一気に昇華させること
で素子２を固定材料から剥がす役割をするものである。
したがって、剥離層３としては、レーザー光を照射する
ことによりアブレーションを起こしやすい材料を用い
る。また、このときの剥離層３形成後に素子形成基板で
あるシリコン基板１に反りが生じないように低応力の材
料を用いることが好ましい。このような剥離層３を構成
する材料としては、例えばポリイミド、エポキシ、シリ
コン、ビルドアップ材料等を用いることができる。ま
た、剥離層３を形成する際の塗布方法は特に限定される
ものではなく、ローラを用いた方法や、スピンコーター
など、従来公知の方法を用いることができる。

【００２８】次に、図２に示すように、剥離層３が形成
されたシリコン基板１の当該剥離層３上に、接着層４と
して両面が粘着面とされた固着テープを積層し、さらに
その上に光透過性材料からなる中間基板として石英基板
５を載置して、素子形成基板であるシリコン基板１と中
間基板である石英基板５とを接着する。ここで、中間基
板は、後述するように剥離層３にレーザー光を照射する
際に、レーザー光が透過可能な光透過性を有し、レーザ
ー光を照射しても延びたり収縮したりする等の形状変化
を生じないものを用いる。このような中間基板として
は、石英基板５の他にも、例えばサファイヤ基板、ある
いは無アルカリ性のガラス等が好適である。また、無ア
ルカリ性のガラスとしては、具体的には、１７３７（商
品名、コーニング社製）などを用いることができる。

【００２９】中間基板として、従来の粘着テープを用い
た場合には、後の工程で接着層１３にレーザー光を照射
した際に、粘着テープが焼けて延びたり収縮したりして
しまうため、分離された素子のピッチにずれが生じてし
まい、精度良く転写を行うことができない。この問題
は、素子が微細化されるほど影響が大きくなり、転写精
度を確保することが困難となる。

【００３０】しかしながら、本発明においては、中間基
板としてレーザー光を照射しても形状変化を生じないも
のを用いるため、後の工程で素子を分離した際にも素子
が保持されている中間基板が伸縮することが無く、分離
された素子のピッチにずれが生じることが防止されてお
り、精度良く素子の転写を行うことが可能とされる。

【００３１】次に、図３に示すように石英基板５に固定
されたシリコン基板１を例えば研磨機６により機械的に
研削して例えば厚み３０〜１００μｍ程度に薄厚化す
る。このとき、シリコン基板１は、石英基板５と反対側
の主面、すなわち、素子２が形成された側と反対側の主
面を研削するがシリコン基板１を研削する手段として
は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）やＢＧＡなどを用いることがで
きる。また、本発明においては、シリコン基板１の薄厚
化は、このような機械的な研削に限定されるものではな
く、例えばドライエッチングによりシリコン基板１を全
面的にエッチバックすることによりシリコン基板１を研
削することも可能である。

【００３２】次に、薄厚化したシリコン基板１の裏面、
すなわち、上記において研削を施した側の主面に後述す
るドライエッチングにおいて使用するマスクとして、図
４に示すようにＳｉマスク７を形成する。Ｓｉマスク７
を形成するには、例えばスピンコートによりシリコン基
板１の研削を施した側の主面にレジストなどの樹脂材料
を塗布する。次いで、フォトリソグラフィによりパター
ニングして所望の領域、すなわち、素子領域を開口させ
る。そして、パターニングされたレジストをマスクとし
てＳｉをプラズマＣＶＤにより成膜する。その後、レジ
ストを除去することによりＳｉマスク７を形成すること
ができる。マスク材料としては、塩素系ガスに耐性を有
するものであれば特に限定されることはなく、Ｓｉの他
に例えばＳｉＯやＳｉ_３Ｎ_４等を用いることができる。

【００３３】次いで、薄厚化したシリコン基板１の裏
面、すなわち、上記において研削を施した側の主面を、
Ｓｉマスク７を用いて塩素系ガス、例えばＣＣｌ_４によ
るプラズマドライエッチングを行う。これにより、Ｓｉ
マスク７が形成されていない部分、すなわち、素子分離
領域のみがエッチングされ、その結果、図５に示すよう
に各素子が分離される。ここで、プラズマドライエッチ
ングに用いる塩素系ガスとしては、ＣＣｌ_４の他にＳｉ
Ｃｌ_４、Ｃｌ_２等を用いることができる。

【００３４】次いで、転写基板である無アルカリガラス
基板８に石英基板５上において素子分離された素子２を
転写する。まず、無アルカリガラス基板８上に素子２を
接着するための接着層９を例えばスクリーン印刷等によ
り塗布して形成する。ここで、転写基板としては、無ア
ルカリガラス等のガラス基板やプラスチック基板等を用
いることができる。また、接着層９は、例えばアクリル
系樹脂等を用いることができる。そして、接着層９を形
成した無アルカリガラス基板８上の所定の位置に石英基
板５を位置合わせし、転写する素子２と接着層８とを対
向させる。その後、図６に示すように、石英基板５の裏
面側、すなわち、シリコン基板１と反対側から、例えば
波長２４８ｎｍのクリプトンフッ素（ＫｒＦ）エキシマ
レーザー光を転写する素子２の上部、すなわち転写する
素子２に対応する剥離層３に選択的に照射する。これに
より、剥離層３がＫｒＦエキシマレーザー光で一気に昇
華させることで素子を石英基板５から引きはがす。すな
わち、剥離層３がアブレーションを起こし、素子２は石
英基板５から剥離して無アルカリガラス基板８上に形成
された接着層９により無アルカリガラス基板８に接着さ
れる。以上により、素子分離された素子を中間基板から
転写基板に選択的に転写することができる。

【００３５】以上において説明したように、本発明にお
いては、素子形成基板であるシリコン基板１を薄厚化し
た後に素子分離領域のみをドライエッチングして各素子
２を分離する。従来のダイヤモンド鋸歯等を使用するダ
イシングにより素子分離を行う場合、回転砥石鋸歯の厚
みが例えば３０μｍ〜４０μｍ程度あるため、素子分離
領域の幅を大きく設定しなければならず、素子形成基板
における素子の高密度形成が図れなかった。

【００３６】しかしながら、本発明においては、エッチ
ングにより素子分離を行うため、素子分離時の素子分離
領域は、例えば５μｍ程度と、ダイシングにより素子分
離を行う場合と比べて大幅に狭くすることが可能であ
る。その結果、素子形成基板に高密度で素子を形成する
ことが可能となり、素子の低コスト化を図ることが可能
となる。

【００３７】また、従来のダイシングによる素子分離の
場合、素子分離時の素子のチッピング、すなわち、素子
の欠けの発生が顕在化する。しかしながら、上述したよ
うに各素子２を分離することにより、従来のダイシング
において問題となっていた素子分離時の素子２のチッピ
ング、すなわち素子周辺部の欠けを防止することがで
き、素子２のチッピングによる不良品の発生を防止する
ことができる。そして、品質の良好な素子を転写するこ
とが可能となる。その結果、歩留まりを向上させること
ができ、生産性を向上させることが可能となるため、素
子の低コスト化を図ることが可能となる。

【００３８】また、ダイシングにより素子分離を行う場
合は、チッピング防止のために加工速度を上げることが
できないため、低速加工となり、素子分離プロセスが著
しく長時間化する。しかしながら、本発明においては、
素子形成基板全面を一括して素子分離することができる
ため、素子分離プロセス時間を大幅に短縮することが可
能である。したがって、生産性を向上させることがで
き、素子の低コスト化を図ることが可能となる。

【００３９】また、本発明において最終的な素子の分離
は機械的な切削に因らず、素子自体に無理な応力が加わ
ることが無い。このため、素子自体が薄膜化された場合
においても素子分離が素子の品質に影響を与えることは
なく、素子の薄膜化と品質との両立を実現することが可
能となる。

【００４０】そして、この素子分離方法では、最終的な
素子分離工程が機械的な切削に因らないため、機械的な
切削により発生するシリコン基板の主面方向の応力によ
り分離工程中に素子が剥離したり倒れたりすることがな
いため、素子の品質が保持されたまま確実に素子分離す
ることが可能とされ、良好な品質の素子を転写すること
が可能となる。そして、この効果は素子が微細化された
場合に特に有効である。

【００４１】なお、上記においては素子形成基板がシリ
コン基板１である場合について説明したが、本発明にお
いては、素子形成基板はシリコン基板１に限定されるも
のではなく、例えばＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体やＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体からなる層を有するものを用いるこ
とができ、具体的には、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板、Ｇ
ａＮ基板などを例示することができる。

【００４２】また、上記においては、接着・剥離層が剥
離層３と接着層４との２層からなる場合について説明し
たが、本発明においては接着・剥離層は、剥離層３と接
着層４との２層からなるものに限定されず、接着・剥離
層は例えば接着剤層単層からなるものであってもよい。
すなわち、図７に示すようにシリコン基板１上に接着・
剥離層として接着剤層１０が形成され、当該接着材層１
０によりシリコン基板１が石英基板５に接着された構成
とされても良い。このような構成の場合には、接着・剥
離層である接着材層１０にレーザー光を照射すると接着
材層１０がレーザー光を吸収してアブレーションを起こ
すことにより剥離可能となるものである。したがって、
接着剤としては、レーザー光を照射することによりアブ
レーションを起こしやすい材料を用いる。このような接
着剤としては、例えばエポキシ系の接着剤を用いること
ができる。

【００４３】また、剥離層３にレーザー光を照射する際
には、他の素子にレーザー光が当たらないように専用の
マスクを用いて石英基板５の全面にレーザー光を照射し
ても良い。マスクを用いることにより、確実に転写する
素子にのみレーザー光を照射することができるため、よ
り確実に選択転写を行うことができる。

【００４４】また、レーザーブレーションを行う際に剥
離層に照射するレーザー光としては、ＫｒＦエキシマレ
ーザー光の他にＹＡＧレーザー光などを用いることがで
きる。

【００４５】また、転写基板である無アルカリガラス基
板８上には、上述した接着層９の代わりにシリコン層を
設けておくことによっても、中間基板である石英基板５
から剥離した素子２を確実に捕獲し、素子２の位置ずれ
や素子の損傷を防止して転写することが可能である。

【００４６】次に、本発明に係る他の素子の分離方法及
び素子の転写方法について説明する。本発明に係る他の
素子の分離方法は、素子形成基板上に形成された複数の
素子を分離する素子の分離方法であって、素子形成基板
の素子が形成された側の主面に素子分離溝を形成する分
離溝形成工程と、素子形成基板の素子分離溝が形成され
た側と反対側の主面を素子分離溝の底部に所定の厚みの
連結部を残した状態に研削して素子形成基板を薄厚化す
る研削工程と、連結部を除去して素子を分離する分離工
程とを備えるものである。

【００４７】また、この素子の転写方法を適用した本発
明に係る素子の転写方法は、素子形成基板上に配列形成
された複数の素子の一部を転写基板に転写する素子の転
写方法であって、素子形成基板の素子を形成した側の主
面の素子間に素子分離溝を形成する分離溝形成工程と、
素子形成基板を中間基板に素子と当該中間基板とが対向
するように接着・剥離層により接着する接着工程と、素
子形成基板の素子分離溝が形成された側と反対側の主面
を素子分離溝の底部に所定の厚みの連結部を残した状態
に研削して当該素子形成基板を薄厚化する研削工程と、
連結部を除去して素子を分離する分離工程と、分離され
た素子を転写基板に転写する転写工程とを備えるもので
ある。

【００４８】第２の実施の形態では、上記の素子の分離
方法及び素子の転写方法を、素子形成基板であるシリコ
ン基板に形成された素子（アクティブチップ）を転写基
板に転写する場合を例に説明する。

【００４９】本発明により素子の分離及び転写を行うに
は、まず、図８に示すように、ウエハプロセス工程が終
了し、薄膜、回路パターン等が形成された素子形成基板
であるシリコン基板１１の素子１２が形成された側の主
面上に接着・剥離層を形成する。ここでは、接着・剥離
層が剥離層１３と接着層１５とからなる場合について説
明する。

【００５０】ここで、剥離層１３は、後述するようにレ
ーザー光を照射した際に、アブレーションを起こして素
子を固定材料から剥がす役割をするものである。すなわ
ち、これらの材料をこれらの材料をレーザー光で一気に
昇華させることで素子１２を固定材料から剥がす役割を
するものである。したがって、剥離層１３としては、レ
ーザー光を照射することによりアブレーションを起こし
やすい材料を用いる。また、このときの剥離層１３形成
後に素子形成基板であるシリコン基板１に反りが生じな
いように低応力の材料を用いることが好ましい。

【００５１】このような剥離層１３を構成する材料とし
ては、例えばポリイミド、エポキシ、シリコン、ビルド
アップ材料等を用いることができる。また、剥離層１３
を形成する際の塗布方法は特に限定されるものではな
く、ローラを用いた方法や、スピンコーターなど、従来
公知の方法を用いることができる。

【００５２】また、素子１２を後述する中間基板に確実
に接着するため、ゲル状の接着材を用いる。このような
接着剤としては、例えばエポキシ系の接着剤を用いるこ
とができる。接着剤の塗布方法は特に限定されるもので
はなく、ローラを用いた方法や、スピンコーターなど、
従来公知の方法を用いることができる。

【００５３】次に、図９に示すように剥離層１３が形成
されたシリコン基板１１に、素子１２を分離するための
素子分離溝１４を当該剥離層の上から形成する。ここ
で、シリコン基板の厚みは１ｍｍ程度であり、素子分離
溝は例えば１００μｍ程度の深さで形成する。素子分離
溝１４の深さは特に限定されるものではなく、素子１２
の厚みより大きい値であれば良く、作製される素子１２
により適宜設定すればよい。また、シリコン基板１１の
素子分離溝１４の形成は、例えば回転ブレードにより形
成する方法、シリコン基板１上にレジストを形成してパ
ターニングすることにより素子の分離領域を開口させた
後、例えば水酸化カリウム、硝酸、フッ酸系溶液による
ウエットエッチングにより形成する方法、またはＣＣｌ
_４等によるプラズマドライエッチング法などにより行う
ことができる。

【００５４】次に、素子分離溝１４が形成されたシリコ
ン基板１１上に接着剤を塗布して接着層１５を形成す
る。接着剤は、素子分離溝１４に入り込まないように選
択的に塗布する。接着剤の塗布方法は特に限定されず、
接着剤の付いたローラをシリコン基板１１上で転がすな
ど、公知の方法を用いることができる。ここで、接着剤
は、ゲル状の接着剤を用いる。

【００５５】次に、剥離層１３、接着層１５が形成され
たシリコン基板１１上に図１０に示すように光透過性材
料からなる中間基板である石英基板１６を配し、例えば
２００℃の温度で３０分の熱処理をすることにより接着
剤を加熱硬化させて図１１に示すように石英基板１６を
シリコン基板１１に接着する。本発明においては、この
ようにゲル状の接着剤を用いて素子形成基板であるシリ
コン基板１１を中間基板である石英基板１６に接着する
ため、シリコン基板１１が確実に石英基板１６に接着さ
れる。その結果、後の工程の途中においても分離した素
子１２が石英基板１６から剥がれたり、また、石英基板
１６上において倒れたりすることがない。また、中間基
板としては、光透過性を有し、レーザー光を照射しても
伸びたり収縮したりする等の形状変化を生じないものを
用いる。このような中間基板としては、石英基板１６の
他にガラス基板が好適である。ここで、中間基板とし
て、従来の粘着テープを用いた場合には、後の工程で接
着層１３にレーザー光を照射した際に、粘着テープが焼
けて延びたり収縮したりしてしまうため、分離された素
子のピッチにずれが生じてしまい、精度良く転写を行う
ことができない。この問題は、素子が微細化されるほど
影響が大きくなり、転写精度を確保することが困難とな
る。

【００５６】しかしながら、本発明においては、中間基
板としてレーザー光を照射しても形状変化を生じないも
のを用いるため、後の工程で素子を分離した際にも素子
が保持されている中間基板が伸縮することが無く、分離
された素子のピッチにずれが生じることが防止されてお
り、精度良く素子の転写を行うことが可能とされる。

【００５７】次に、図１２に示すようにシリコン基板１
１を裏面側から研削して薄厚化する。このとき、シリコ
ン基板１１は、先に設けた素子分離溝１４の底部に所定
の厚みの連結部１７を残した状態に研削する。このよう
に、素子分離溝１４の底部に連結部１７を残すことによ
り素子１２同士が連結された状態が保持されるため、研
削により生じるシリコン基板１１の主面方向の応力によ
り素子が剥がれたり、倒れることが防止される。したが
って、接着力の比較的弱い接着剤を用いることも可能と
なり、接着剤の選択の自由度が大きなものとなる。ここ
で、連結部の厚みは一例として例えば、基板の厚みが７
０μm程度の場合には、５μm〜５０μm程度とすること
ができるが、特に限定されることはなく、適宜変更可能
である。

【００５８】次いで、連結部１７を機械的手段に因らず
に除去する。すなわち、石英基板１６の裏面、すなわち
上記において研削した側の主面を、例えば塩素系ガスで
あるＣＣｌ_４のプラズマドライエッチングによりエッチ
ングする。これにより、図１３に示すように素子分離溝
１４の底部に残された連結部１７が除去され、その結
果、各素子が分離される。ここで、プラズマドライエッ
チングに用いるガスとしては、ＣＣｌ_４の他にＳｉＣｌ
_４、Ｃｌ_２等を用いることができる。

【００５９】次いで、転写基板である無アルカリガラス
基板１８に石英基板１６上において素子分離された素子
１２を転写する。まず、無アルカリガラス基板１８上に
素子１２を接着するための接着層１９を例えばスクリー
ン印刷等により塗布して形成する。ここで、転写基板と
しては、無アルカリガラス等のガラス基板やプラスチッ
ク基板等を用いることができる。また、接着層１９は、
例えばアクリル系樹脂等を用いることができる。そし
て、接着層１９を形成した無アルカリガラス基板１８上
の所定の位置に石英基板１６を位置合わせし、転写する
素子１２と接着層１８とを対向させる。その後、図１４
に示すように、石英基板１６の裏面側、すなわち、シリ
コン基板１１と反対側から、例えば波長２４８ｎｍのク
リプトンフッ素（ＫｒＦ）エキシマレーザー光を転写す
る素子２の上部、すなわち転写する素子１２に対応する
剥離層３に選択的に照射する。これにより、剥離層１３
をＫｒＦエキシマレーザー光で一気に昇華させることで
素子１２を石英基板１６から引き剥がす。すなわち、剥
離層１３がアブレーションを起こし、素子１２は石英基
板１６から剥離して無アルカリガラス基板１８上に形成
された接着層１９により無アルカリガラス基板１８に接
着される。以上により、素子分離された素子を中間基板
から転写基板に選択的に転写することができる。

【００６０】以上において説明したように、本発明にお
いては、素子形成基板であるシリコン基板１１を薄厚化
する際に所定の厚みの連結部１７を残した状態に研削
し、当該連結部をエッチングすることにより連結部１７
を除去して素子分離を行う。従来のダイシングによる素
子分離においては、シリコン基板１１の主面方向の応力
が発生するため素子が中間基板上から剥がれたり、中間
基板上において倒れたりするという問題があった。そし
て、素子が微細化されるほど素子と中間基板との接着力
を保持することが困難となるため、この問題は、素子が
微細化されるほど顕著となる。

【００６１】しかしながら、本発明においては、連結部
１７により、薄厚化の研削の際に生じるシリコン基板１
１の主面方向の応力により素子が剥がれたり、倒れたり
することがない。そして、エッチングにより最終的な素
子分離を行うため、シリコン基板１１の主面方向の応力
が発生することがなく、素子は中間基板の所定の位置に
接着された状態で素子分離を行うことができる。また、
本発明においては、シリコン基板１１を中間基板である
石英基板１６に接着する際にゲル状の接着剤を用いてい
るため、粘着テープなどのゾル状の接着剤を用いた場合
と比較して、より確実に素子１２を中間基板である石英
基板１６に接着することが可能とされ、素子分離の工程
中において素子１２が石英基板１６から剥がれたり、ま
た、石英基板１６上において倒れたりすることがない。

【００６２】したがって、本発明においては、素子分離
時にシリコン基板の主面方向の応力に起因する不良品の
発生が防止されている。その結果、歩留まりを向上させ
ることができ、生産性を向上させることが可能となるた
め、素子の低コスト化を図ることが可能となる。そし
て、この効果は素子が微細化された場合に特に有効であ
る。

【００６３】また、ダイシングによる素子分離の場合、
回転砥石鋸歯の厚みが例えば３０μｍ〜４０μｍ程度あ
るため、素子分離領域の幅を大きく設定しなければなら
ず、素子形成基板における素子の高密度形成が図れなか
った。しかしながら、本発明においては、最終的な素子
分離をエッチングにより行うため、素子分離溝もエッチ
ングで形成することにより、素子分離時の素子分離領域
を例えば５μｍ程度と、ダイシングにより素子分離を行
う場合と比べて大幅に狭くすることが可能である。その
結果、素子形成基板に高密度で素子を形成することが可
能となり、素子の低コスト化を図ることが可能となる。

【００６４】また、ダイシングにより素子分離を行う場
合は、チッピング防止のために加工速度を上げることが
できないため、低速加工となり、素子分離プロセスが著
しく長時間化する。しかしながら、本発明においては、
素子形成基板全面を一括して素子分離することができる
ため、素子分離プロセス時間を大幅に短縮することが可
能である。したがって、生産性を向上させることがで
き、素子の低コスト化を図ることが可能となる。

【００６５】また、本発明における素子の最終的な分離
は機械的な切削に因らず、素子自体に無理な応力が加わ
ることが無い。このため、素子自体が薄膜化された場合
においても素子分離が素子の品質に影響を与えることは
なく、素子の薄膜化と品質との両立を実現することが可
能となる。

【００６６】なお、上記においては素子形成基板がシリ
コン基板１である場合について説明したが、本発明にお
いては、素子形成基板はシリコン基板１に限定されるも
のではなく、例えばＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体やＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体からなる層を有するものを用いるこ
とができ、具体的には、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板、Ｇ
ａＮ基板などを例示することができる。

【００６７】また、上記においては、接着・剥離層が剥
離層１３と接着層１５との２層からなる場合について説
明したが、本発明においては接着・剥離層は、剥離層１
３と接着層１５との２層からなるものに限定されず、接
着・剥離層は例えば接着剤層単層からなるものであって
もよい。すなわち、図１５に示すようにシリコン基板１
１上に接着・剥離層として接着剤層２０が形成され、当
該接着材層２０によりシリコン基板１１が石英基板１６
に接着された構成とされても良い。このような構成の場
合には、接着・剥離層である接着材層２０にレーザー光
を照射すると接着材層１０がレーザー光を吸収してアブ
レーションを起こすことにより剥離可能となるものであ
る。したがって、接着剤としては、レーザー光を照射す
ることによりアブレーションを起こしやすい材料を用い
る。このような接着剤としては、例えばエポキシ系の接
着剤を用いることができる。

【００６８】また、上記においては、シリコン基板１１
の裏面全面をエッチングすることにより連結部１７を除
去したが、マスクを設けて連結部１７のみをエッチング
して連結部１７を除去しても良い。そして、上記におい
ては、ドライエッチングにより連結部１７を除去する場
合について説明したが、これに限定されることはなく、
ウエットエッチングにより連結部１７を除去することも
可能である。

【００６９】また、剥離層３にレーザー光を照射する際
には、他の素子にレーザー光が当たらないように専用の
マスクを用いて石英基板５の全面にレーザー光を照射し
ても良い。マスクを用いることにより、確実に転写する
素子にのみレーザー光を照射することができるため、よ
り確実に選択転写を行うことができる。

【００７０】また、レーザーブレーションを行う際に剥
離層に照射するレーザー光としては、ＫｒＦエキシマレ
ーザー光の他にＹＡＧレーザー光などを用いることがで
きる。

【００７１】また、転写基板である無アルカリガラス基
板１８上には、上述した接着層１９の代わりにシリコン
層を設けておくことによっても、中間基板である石英基
板１６から剥離した素子１２を確実に捕獲し、素子１２
の位置ずれや素子の損傷を防止して転写することが可能
である。

【００７２】次に、本発明の第３の実施の形態について
説明する。第３の実施の形態では、上述した第２の実施
の形態においてエッチングの代わりにレーザー光を用い
て素子分離する場合について説明する。

【００７３】まず、第２の実施の形態と同様にして素子
形成基板であるシリコン基板１１を中間基板である石英
基板１６に接着し、シリコン基板１１の裏面を研削して
図１２に示すように連結部１７を残した状態で薄厚化す
る。

【００７４】次いで、転写基板である無アルカリガラス
基板１８上に素子１２を接着するための接着層１９を例
えばスクリーン印刷等により塗布して形成する。そし
て、接着層１９を形成した無アルカリガラス基板１８上
の所定の位置に石英基板１６を位置合わせし、転写する
素子１２と接着層１８とを対向させる。その後、図１４
に示すように、石英基板１６の裏面側、すなわち、シリ
コン基板１１において素子１２が形成された側から、例
えば波長２４８ｎｍのクリプトンフッ素（ＫｒＦ）エキ
シマレーザー光を転写する素子２の上部、すなわち転写
する素子１２に対応する剥離層３及び当該素子１２を他
の素子と連結している連結部１７に選択的に照射する。
これにより、レーザー光が照射された連結部１７のシリ
コンが昇華し、除去され、その結果、所望の素子１２が
分離される。また、これと同時に、剥離層１３をレーザ
ー光で一気に昇華させることにより素子１２を石英基板
１６から引き剥がす。すなわち、剥離層１３がアブレー
ションを起こし、素子１２は石英基板１６から剥離して
無アルカリガラス基板１８上に形成された接着層１９に
より無アルカリガラス基板１８に接着される。ここで、
照射エネルギーや波長などのレーザー光の照射条件を選
択することにより、シリコンの昇華と剥離層１３のアブ
レーションとの双方を同時に生じさせ、上記のように素
子１２を転写することができる。以上により、素子分離
された素子を中間基板から転写基板に選択的に転写する
ことができる。

【００７５】以上のような方法においても上述した第２
の実施の形態において説明した本発明の効果を得ること
ができ、効率的、且つ確実に素子の分離及び転写を行う
ことができる。さらに、レーザー光の照射のみで素子の
最終的な分離と転写とを行うことができるため、工程を
簡略化することができ、またプロセス時間をさらに短縮
することが可能である。

【００７６】また、上記においては、素子の最終的な分
離と転写とを同時に行う場合について説明したが、素子
の最終的な分離と転写とを同時に行わずに、先に連結部
１７を除去し、その後に分離された素子１２の転写を行
っても良い。この場合には、連結部１７を除去する際と
分離された素子１２を転写する際とでレーザー光の照射
条件を変えても良い。また、連結部１７を除去する際に
は、シリコン基板１１の薄厚化のための研削を施した側
からレーザー光を照射しても良い。

【００７７】次に、本発明の第４の実施の形態を説明す
る。第４の実施の形態では、上述した第３の実施の形態
において、素子分離溝１４を先に形成し、その後に剥離
層１３を形成する場合について説明する。

【００７８】まず、図１６に示すように素子形成基板で
あるシリコン基板１１に素子分離溝１４を形成する。そ
して、図１７に示すように素子分離溝１４が形成された
シリコン基板１１上に剥離層１３を形成する。このと
き、素子分離溝１４に剥離層１３の樹脂が入り込まない
ようにする。

【００７９】次いで、図１８に示すように中間基板であ
る石英基板１６の主面にゲル状の接着剤を塗布して接着
層１５を形成する。そして、剥離層１３が形成されたシ
リコン基板１１と、接着層１５が形成された石英基板１
６とを剥離層１３と接着層１５とが対向するように重ね
合わせ、例えば２００℃の温度で３０分の熱処理をする
ことにより接着剤を加熱硬化させて石英基板１６をシリ
コン基板１１に接着する。

【００８０】次に、図１９に示すようにシリコン基板１
１を裏面側から研削して薄厚化する。このとき、シリコ
ン基板１１は、先に設けた素子分離溝１４の底部に所定
の厚みの連結部１７を残した状態に研削する。

【００８１】次いで、転写基板である無アルカリガラス
基板１８上に素子１２を接着するための接着層１９を例
えばスクリーン印刷等により塗布して形成する。そし
て、接着層１９を形成した無アルカリガラス基板１８上
の所定の位置に石英基板１６を位置合わせし、転写する
素子１２と接着層１８とを対向させる。その後、図１４
に示すように、石英基板１６の裏面側、すなわち、シリ
コン基板１１と反対側から、例えば波長２４８ｎｍのク
リプトンフッ素（ＫｒＦ）エキシマレーザー光を転写す
る素子２の上部、すなわち転写する素子１２に対応する
剥離層３及び当該素子１２を他の素子と連結している連
結部１７に選択的に照射する。これにより、レーザー光
が照射された連結部１７のシリコンが昇華し、除去さ
れ、その結果、所望の素子１２が分離される。また、こ
れと同時に、剥離層１３がアブレーションを起こし、素
子１２は石英基板１６から剥離して無アルカリガラス基
板１８上に形成された接着層１９により無アルカリガラ
ス基板１８に接着される。以上により、素子分離された
素子を中間基板から転写基板に選択的に転写することが
できる。

【００８２】以上のような方法においても上述した第２
の実施の形態において説明した本発明の効果を得ること
ができ、効率的、且つ確実に素子の分離及び転写を行う
ことが可能である。

【００８３】

【発明の効果】本発明に係る素子の分離方法は、素子形
成基板上に形成された複数の素子を分離する素子の分離
方法であって、上記素子形成基板の上記素子が形成され
た側と反対側の主面を研削して当該素子形成基板を薄厚
化する研削工程と、上記素子形成基板の上記複数の素子
間を上記研削が施された研削面側からエッチングするこ
とにより素子を分離する分離工程とを備えるものであ
る。

【００８４】以上のような本発明に係る素子の分離方法
では、素子形成基板を薄厚化した後にエッチングにより
素子分離を行うため、素子分離時の素子分離領域を大幅
に狭くすることが可能となる。また、最終的な素子分離
工程が機械的な切削に因らないため、高品質な状態が保
持されたまま確実に素子分離することができる。したが
って、素子形成基板における素子の高密度形成が可能と
なり、もって、半導体装置を安価に提供することが可能
となる。

【００８５】また、本発明に係る素子の転写方法は、素
子形成基板上に配列形成された複数の素子の一部を、転
写基板に転写する素子の転写方法であって、上記素子形
成基板を中間基板に上記素子と当該中間基板とが対向す
るように接着・剥離層により接着する接着工程と、上記
素子形成基板の上記中間基板と反対側の主面を研削して
当該素子形成基板を薄厚化する研削工程と、上記素子形
成基板の上記複数の素子間を上記研削が施された研削面
側からエッチングすることにより素子を分離する分離工
程と、上記分離された素子を転写基板に転写する転写工
程とを備えるものである。

【００８６】以上のような本発明に係る素子の転写方法
では、素子分離を行う際に、素子形成基板を薄厚化した
後にエッチングにより素子分離を行うため、素子分離時
の素子分離領域を大幅に狭くすることが可能となる。ま
た、最終的な素子分離工程が機械的な切削に因らないた
め、高品質な状態が保持されたまま確実に素子分離する
ことができ、高品質の素子を転写することができる。し
たがって、素子形成基板における素子の高密度形成が可
能となり、もって、半導体装置を安価に提供することが
可能となる。

【００８７】また、本発明に係る素子の分離方法は、素
子形成基板上に形成された複数の素子を分離する素子の
分離方法であって、上記素子形成基板の上記素子が形成
された側の主面に素子分離溝を形成する分離溝形成工程
と、上記素子形成基板の上記素子分離溝が形成された側
と反対側の主面を上記素子分離溝の底部に所定の厚みの
連結部を残した状態に研削して上記素子形成基板を薄厚
化する研削工程と、上記連結部を除去して素子を分離す
る分離工程とを備えるものである。

【００８８】以上のような本発明に係る素子の分離方法
では、素子形成基板の素子分離溝が形成された側と反対
側の主面を上記素子分離溝の底部に所定の厚みの連結部
を残した状態に研削し、その後、連結部を除去して素子
を分離する。したがって、連結部の存在により、素子分
離のプロセスにおいて素子形成基板の主面方向の応力に
起因する不具合の発生を防止することができる。また、
最終的な素子分離工程が機械的な切削に因らないため、
高品質な状態が保持されたまま確実に素子分離すること
ができる。したがって、基板上に形成された素子を精度
良く且つ確実に素子分離することが可能となり、もっ
て、半導体装置を安価に提供することが可能となる。

【００８９】また、本発明に係る素子の転写方法は、素
子形成基板上に配列形成された複数の素子の一部を、転
写基板に転写する素子の転写方法であって、上記素子形
成基板の上記素子を形成した側の主面の素子間に素子分
離溝を形成する分離溝形成工程と、上記素子形成基板を
中間基板に上記素子と当該中間基板とが対向するように
接着・剥離層により接着する接着工程と、上記素子形成
基板の上記素子分離溝が形成された側と反対側の主面を
上記素子分離溝の底部に所定の厚みの連結部を残した状
態に研削して当該素子形成基板を薄厚化する研削工程
と、上記連結部を除去して素子を分離する分離工程と、
上記分離された素子を転写基板に転写する転写工程とを
備えるものである。

【００９０】以上のような本発明に係る素子の転写方法
では、素子分離を行う際に、素子形成基板の素子分離溝
が形成された側と反対側の主面を上記素子分離溝の底部
に所定の厚みの連結部を残した状態に研削し、その後、
連結部を除去して素子を分離する。したがって、連結部
の存在により、素子分離のプロセスにおいて素子形成基
板の主面方向の応力に起因する不具合の発生が防止する
ことができる。また、最終的な素子分離工程が機械的な
切削に因らないため、高品質な状態が保持されたまま確
実に素子分離することができ、高品質の素子を精度良く
且つ確実に転写することが可能となり、もって、半導体
装置を安価に提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１の実施の形態のプロセスを説
明する工程図である。

【図２】本発明に係る第１の実施の形態のプロセスを説
明する工程図である。

【図３】本発明に係る第１の実施の形態のプロセスを説
明する工程図である。

【図４】本発明に係る第１の実施の形態のプロセスを説
明する工程図である。

【図５】本発明に係る第１の実施の形態のプロセスを説
明する工程図である。

【図６】本発明に係る第１の実施の形態のプロセスを説
明する工程図である。

【図７】本発明に係る第１の実施の形態のプロセスを説
明する工程図である。

【図８】本発明に係る第２の実施の形態のプロセスを説
明する工程図である。

【図９】本発明に係る第２の実施の形態のプロセスを説
明する工程図である。

【図１０】本発明に係る第２の実施の形態のプロセスを
説明する工程図である。

【図１１】本発明に係る第２の実施の形態のプロセスを
説明する工程図である。

【図１２】本発明に係る第２の実施の形態のプロセスを
説明する工程図である。

【図１３】本発明に係る第２の実施の形態のプロセスを
説明する工程図である。

【図１４】本発明に係る第２の実施の形態のプロセスを
説明する工程図である。

【図１５】本発明に係る第２の実施の形態のプロセスを
説明する工程図である。

【図１６】本発明に係る第４の実施の形態のプロセスを
説明する工程図である。

【図１７】本発明に係る第４の実施の形態のプロセスを
説明する工程図である。

【図１８】本発明に係る第４の実施の形態のプロセスを
説明する工程図である。

【図１９】本発明に係る第４の実施の形態のプロセスを
説明する工程図である。

【図２０】従来のＤＢＧプロセスを説明する図である。

【図２１】従来のＤＢＧプロセスを説明する図である。

【符号の説明】

１ シリコン基板、２ 素子、３ 剥離層、４ 接着
層、５ 石英基板、６研磨機、７ Ｓｉマスク、８ 転
写基板、９ 接着層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 秋彦 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 柳澤 喜行 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5F004 DA04 DA05 DA13 DB01 DB19 DB20 EA10 EB04 FA08

Claims (50)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 素子形成基板上に形成された複数の素子
   を分離する素子の分離方法であって、 上記素子形成基板の上記素子が形成された側と反対側の
   主面を研削して当該素子形成基板を薄厚化する研削工程
   と、 上記素子形成基板の上記複数の素子間を上記研削が施さ
   れた研削面側からエッチングすることにより素子を分離
   する分離工程とを備えることを特徴とする素子の分離方
   法。
2. 【請求項２】 上記エッチングはドライエッチングであ
   ることを特徴とする請求項１記載の素子の分離方法。
3. 【請求項３】 上記ドライエッチングは塩素系ガスを用
   いて行うことを特徴とする請求項２記載の素子の分離方
   法。
4. 【請求項４】 上記塩素系ガスは、ＳｉＣｌ_４、ＣＣｌ
   _４、Ｃｌ_２のいずれかであることを特徴とする請求項３
   記載の素子の分離方法。
5. 【請求項５】 上記研削工程の前に、上記素子形成基板
   を支持基板に上記素子と当該支持基板とが対向するよう
   に接着する接着工程を備えることを特徴とする請求項１
   記載の素子の分離方法。
6. 【請求項６】 上記分離工程は、上記研削面上にマスク
   を形成するマスク形成工程と、 上記マスクを用いて上記素子形成基板の上記複数の素子
   間を上記研削が施された研削面側からエッチングするエ
   ッチング工程を備えることを特徴とする請求項１記載の
   素子の分離方法。
7. 【請求項７】 上記素子形成基板は、Ｓｉ，ＩＩＩ−Ｖ
   族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のいずれか
   よりなる層を有することを特徴とする請求項１記載の素
   子の分離方法。
8. 【請求項８】 上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、Ｇａ
   Ａｓ、ＧａＰ、ＧａＮのいずれかであることを特徴とす
   る請求項７記載の素子の分離方法。
9. 【請求項９】 素子形成基板上に配列形成された複数の
   素子の一部を、転写基板に転写する素子の転写方法であ
   って、 上記素子形成基板を中間基板に上記素子と当該中間基板
   とが対向するように接着・剥離層により接着する接着工
   程と、 上記素子形成基板の上記中間基板と反対側の主面を研削
   して当該素子形成基板を薄厚化する研削工程と、 上記素子形成基板の上記複数の素子間を上記研削が施さ
   れた研削面側からエッチングすることにより素子を分離
   する分離工程と、 上記分離された素子を転写基板に転写する転写工程とを
   備えることを特徴とする素子の転写方法。
10. 【請求項１０】 上記接着工程において上記素子形成基
    板を光透過性を有する上記中間基板に接着し、且つ上記
    転写工程において、上記接着・剥離層にレーザー光を照
    射して上記素子を上記中間基板から剥離することを特徴
    とする請求項９記載の素子の転写方法。
11. 【請求項１１】 上記レーザー光は、エキシマレーザー
    光またはＹＡＧレーザー光であることを特徴とする請求
    項１０記載の素子の転写方法。
12. 【請求項１２】 上記レーザー光を選択的に上記接着・
    剥離層に照射することにより、上記素子を選択転写する
    ことを特徴とする請求項１０記載の素子の転写方法。
13. 【請求項１３】 上記光透過性を有する中間基板が石英
    基板、サファイヤ基板、無アルカリガラス基板のいずれ
    かであることを特徴とする請求項１０記載の素子の転写
    方法。
14. 【請求項１４】 上記接着・剥離層は、接着層と剥離層
    とが積層してなり、上記剥離層は上記素子に当接して設
    けられ、上記接着層は上記中間基板に当接して設けられ
    ることを特徴とする請求項９記載の素子の転写方法。
15. 【請求項１５】 上記剥離層は少なくともポリイミド、
    エポキシ、シリコンのいずれかを含有して構成されるこ
    とを特徴とする請求項１４記載の素子の転写方法。
16. 【請求項１６】 上記エッチングはドライエッチングで
    あることを特徴とする請求項９記載の素子の転写方法。
17. 【請求項１７】 上記ドライエッチングは塩素系ガスを
    用いて行うことを特徴とする請求項１６記載の素子の転
    写方法。
18. 【請求項１８】 上記塩素系ガスは、ＳｉＣｌ_４、ＣＣ
    ｌ_４、Ｃｌ_２のいずれかであることを特徴とする請求項
    １７記載の素子の転写方法。
19. 【請求項１９】 上記分離工程は、上記研削面上にマス
    クを形成するマスク形成工程と、 上記マスクを用いて上記素子形成基板の上記複数の素子
    間を上記研削が施された研削面側からエッチングするエ
    ッチング工程を備えることを特徴とする請求項９記載の
    素子の転写方法。
20. 【請求項２０】 上記素子形成基板は、Ｓｉ，ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のいずれ
    かよりなる層を有することを特徴とする請求項９記載の
    素子の転写方法。
21. 【請求項２１】 上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、Ｇ
    ａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＮのいずれかであることを特徴と
    する請求項２０記載の素子の転写方法。
22. 【請求項２２】 素子形成基板上に形成された複数の素
    子を分離する素子の分離方法であって、 上記素子形成基板の上記素子が形成された側の主面に素
    子分離溝を形成する分離溝形成工程と、 上記素子形成基板の上記素子分離溝が形成された側と反
    対側の主面を上記素子分離溝の底部に所定の厚みの連結
    部を残した状態に研削して上記素子形成基板を薄厚化す
    る研削工程と、 上記連結部を除去して素子を分離する分離工程とを備え
    ることを特徴とする素子の分離方法。
23. 【請求項２３】 上記分離工程において、上記連結部に
    レーザー光を照射することにより当該連結部を除去する
    ことを特徴とする請求項２２記載の素子の分離方法。
24. 【請求項２４】 上記レーザー光を上記素子形成基板の
    上記素子が形成された側から照射することを特徴とする
    請求項２３記載の素子の分離方法。
25. 【請求項２５】 上記レーザー光を上記研削が施された
    研削面側から照射することを特徴とする請求項２３記載
    の素子の分離方法。
26. 【請求項２６】 上記分離工程において、上記連結部を
    エッチングすることにより当該連結部を除去することを
    特徴とする請求項２２記載の素子の分離方法。
27. 【請求項２７】 上記エッチングはドライエッチングで
    あることを特徴とする請求項２６記載の素子の分離方
    法。
28. 【請求項２８】 上記ドライエッチングは塩素系ガスを
    用いて行うことを特徴とする請求項２７記載の素子の分
    離方法。
29. 【請求項２９】 上記塩素系ガスは、ＳｉＣｌ_４、ＣＣ
    ｌ_４、Ｃｌ_２のいずれかであることを特徴とする請求項
    ２８記載の素子の分離方法。
30. 【請求項３０】 上記エッチングはウエットエッチング
    であることを特徴とする請求項２６記載の素子の分離方
    法。
31. 【請求項３１】 上記分離溝形成工程と上記研削工程と
    の間に、上記素子形成基板を支持基板に上記素子と当該
    支持基板とが対向するように接着する接着工程を備える
    ことを特徴とする請求項２２記載の素子の分離方法。
32. 【請求項３２】 上記素子形成基板は、Ｓｉ，ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のいずれ
    かよりなる層を有することを特徴とする請求項２２記載
    の素子の分離方法。
33. 【請求項３３】 上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、Ｇ
    ａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＮのいずれかであることを特徴と
    する請求項３２記載の素子の分離方法。
34. 【請求項３４】 素子形成基板上に配列形成された複数
    の素子の一部を、転写基板に転写する素子の転写方法で
    あって、 上記素子形成基板の上記素子を形成した側の主面の素子
    間に素子分離溝を形成する分離溝形成工程と、 上記素子形成基板を中間基板に上記素子と当該中間基板
    とが対向するように接着・剥離層により接着する接着工
    程と、 上記素子形成基板の上記素子分離溝が形成された側と反
    対側の主面を上記素子分離溝の底部に所定の厚みの連結
    部を残した状態に研削して当該素子形成基板を薄厚化す
    る研削工程と、 上記連結部を除去して素子を分離する分離工程と、 上記分離された素子を転写基板に転写する転写工程とを
    備えることを特徴とする素子の転写方法。
35. 【請求項３５】 上記接着工程において上記素子形成基
    板を光透過性を有する上記中間基板に接着し、且つ上記
    転写工程において、上記接着・剥離層にレーザー光を照
    射して上記素子を上記中間基板から剥離することを特徴
    とする請求項３４記載の素子の転写方法。
36. 【請求項３６】 上記レーザー光は、エキシマレーザー
    光またはＹＡＧレーザー光であることを特徴とする請求
    項３５記載の素子の転写方法。
37. 【請求項３７】 上記レーザー光を選択的に上記接着・
    剥離層に照射することにより、上記素子を選択転写する
    ことを特徴とする請求項３５記載の素子の転写方法。
38. 【請求項３８】 上記光透過性を有する中間基板が石英
    基板、サファイヤ基板、無アルカリガラス基板のいずれ
    かであることを特徴とする請求項３５記載の素子の転写
    方法。
39. 【請求項３９】 上記接着・剥離層は、接着層と剥離層
    とが積層してなり、上記剥離層は上記素子に当接して設
    けられ、上記接着層は上記中間基板に当接して設けられ
    ることを特徴とする請求項３４記載の素子の転写方法。
40. 【請求項４０】 上記剥離層は少なくともポリイミド、
    エポキシ、シリコンのいずれかを含有して構成されるこ
    とを特徴とする請求項３９記載の素子の転写方法。
41. 【請求項４１】 上記分離工程において、上記連結部に
    レーザー光を照射することにより当該連結部を除去する
    ことを特徴とする請求項３４記載の素子の転写方法。
42. 【請求項４２】 上記レーザー光を上記素子形成基板の
    上記素子が形成された側から照射することを特徴とする
    請求項４１記載の素子の転写方法。
43. 【請求項４３】 上記レーザー光を上記研削が施された
    研削面側から照射することを特徴とする請求項４１記載
    の素子の転写方法。
44. 【請求項４４】 上記分離工程において、上記連結部を
    エッチングすることにより当該連結部を除去することを
    特徴とする請求項３４記載の素子の転写方法。
45. 【請求項４５】 上記エッチングはドライエッチングで
    あることを特徴とする請求項４２記載の素子の転写方
    法。
46. 【請求項４６】 上記ドライエッチングは塩素系ガスを
    用いて行うことを特徴とする請求項４５記載の素子の転
    写方法。
47. 【請求項４７】 上記塩素系ガスは、ＳｉＣｌ_４、ＣＣ
    ｌ_４、Ｃｌ_２のいずれかであることを特徴とする請求項
    ４６記載の素子の転写方法。
48. 【請求項４８】 上記エッチングはウエットエッチング
    であることを特徴とする請求項４２記載の素子の転写方
    法。
49. 【請求項４９】 上記素子形成基板は、Ｓｉ，ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のいずれ
    かよりなる層を有することを特徴とする請求項３４記載
    の素子の転写方法。
50. 【請求項５０】 上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、Ｇ
    ａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＮのいずれかであることを特徴と
    する請求項４９記載の素子の転写方法。