JP2009147108A - 半導体チップ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板21を割断予定ラインに沿い当該半導体基板21の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射してこの集光点に多光子吸収による改質領域Kを形成する改質領域形成工程と、この改質領域形成工程を経た半導体基板21を改質領域Kを起点にして割断予定ラインに沿って厚さ方向に割断して半導体チップ22を得る割断工程と、この割断工程により半導体チップ22に形成された割断面21dを化学気相成長法(CVD法)によって形成されるシリコン窒化膜25により成膜する成膜工程と、を備える。
【選択図】図5
Description
これにより、半導体チップに微小片が付着することがないため、微小片の飛散による製品の歩留まり低下や品質低下を防止することができる。
この発明に係る半導体チップ及びその製造方法の第1実施形態について、図を参照して説明する。図1は、この発明の製造方法により割断するウェハの構成例を示す模式図であって、図1(A)は、ウェハの表面の平面説明図であり、図1(B)は、図1(A)の1B−1B矢視断面拡大図である。図2は、半導体基板にレーザ光の照射を行う割断装置の説明図である。図3は、保護膜形成工程であるシリル化工程によりウェハ表面に保護膜であるシリコン酸化膜が形成された半導体チップの断面説明図である。図4は、割断工程によりウェハを割断して形成された半導体チップの断面説明図である。図5は、化学気相成長法(CVD法)を利用した成膜工程により割断面が成膜された半導体チップの断面説明図である。
なお、いずれの図においても、説明のために一部を拡大して誇張して示している。
また、上述した成膜工程において、ウェハ20を所定の温度に昇温することなく、図6に示すように、選択的CVD法として図略のレーザ照射装置によりレーザ光L2を割断面21d近傍に照射して反応ガスを反応させることで、当該割断面21dをシリコン窒化膜25により選択的に成膜してもよい。これにより、各半導体チップ22の表面上をシリコン窒化膜25により成膜することなく、各割断面21dを確実に成膜することができる。
上記成膜工程にて半導体チップ22に形成された上記割断面21dが化学気相成長法(CVD法)によって形成される成膜部材であるシリコン窒化膜25により成膜されるため、半導体チップ22の割断面21dから剥離した改質領域Kが微小片として飛散することを防止することができる。
これにより、半導体チップ22に微小片が付着することがないため、微小片の飛散による製品の歩留まり低下や品質低下を防止することができる。
この発明に係る半導体チップ及びその製造方法の第2実施形態について、図を参照して説明する。
本第2実施形態の半導体チップ及びその製造方法は、上記第1実施形態の成膜工程において、化学気相成長法(CVD法)により割断面21dを成膜することに代えて、原子層成長法(ALD法)により割断面21dを成膜する点において上記第1実施形態と異なっている。
上記成膜工程にて半導体チップ22に形成された上記割断面21dが原子層成長法(ALD)により形成されるAl2O3膜26により成膜されるため、半導体チップ22の割断面21dから剥離した改質領域Kが微小片として飛散することを防止することができる。
(1)MEMS23に対して成膜工程によるシリコン窒化膜25の影響がない場合には、上述した保護膜形成工程であるシリル化工程を実施しなくてもよい。
21…半導体基板
21a…基板面
21b…裏面
21c…外周端部
21d…割断面
22…半導体チップ
23…MEMS(素子)
24…シリコン酸化膜(保護膜)
25…シリコン窒化膜
26…Al2O3膜
31…レーザヘッド
41…シート
42…フレーム
DL…割断予定ライン
K…改質領域
L…レーザ光
P…集光点
Claims (5)
- 基板面に素子が形成された半導体基板をその厚さ方向に割断するための割断予定ラインに沿って、レーザ光を照射するレーザヘッドを前記半導体基板に対して相対移動させながら、前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記集光点に多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成工程と、
この改質領域形成工程を経た前記半導体基板を、前記改質領域を起点にして、前記割断予定ラインに沿って厚さ方向に割断して半導体チップを得る割断工程と、
前記割断工程により前記半導体チップに形成された割断面を化学気相成長法により成膜する成膜工程と、
を備えることを特徴とする半導体チップの製造方法。 - 前記成膜工程は、前記割断面を原子層成長法により成膜することを特徴とする請求項1に記載の半導体チップの製造方法。
- 前記改質領域形成工程を行う前に、前記基板面に形成された素子の表面に当該素子を前記成膜工程による成膜から保護する保護膜を形成する保護膜形成工程を更に備えることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体チップの製造方法。
- 前記基板面に形成された素子は、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術により形成された可動部を有する素子であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体チップの製造方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体チップの製造方法によって作製された半導体チップであって、前記割断面が成膜されていることを特徴とする半導体チップ。
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