JPH05226675A - 圧力センサの製造方法 - Google Patents
圧力センサの製造方法Info
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- JPH05226675A JPH05226675A JP5893292A JP5893292A JPH05226675A JP H05226675 A JPH05226675 A JP H05226675A JP 5893292 A JP5893292 A JP 5893292A JP 5893292 A JP5893292 A JP 5893292A JP H05226675 A JPH05226675 A JP H05226675A
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- pressure sensor
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- silicon substrate
- glass pedestal
- semiconductor device
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- Pending
Links
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
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Landscapes
- Dicing (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体を用いた圧力センサにおいて、信頼性
を向上し、かつ歩留りを向上させるようにする。 【構成】 シリコン基板１上に金属配線層である酸化膜
２を設け、かつ前記シリコン基板にガラス台座５を接合
した半導体装置において、前記半導体装置に対してスク
ライブラインに沿ってガラス台座内にまでカットして保
護膜４を付着した後、前記スクライブラインに沿ってガ
ラスの台座の残余をカットするようにした。
を向上し、かつ歩留りを向上させるようにする。 【構成】 シリコン基板１上に金属配線層である酸化膜
２を設け、かつ前記シリコン基板にガラス台座５を接合
した半導体装置において、前記半導体装置に対してスク
ライブラインに沿ってガラス台座内にまでカットして保
護膜４を付着した後、前記スクライブラインに沿ってガ
ラスの台座の残余をカットするようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップを用いた圧
力センサの製造方法に関する。
力センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】圧力センサには半導体チップを用いたも
のがあり、この種の半導体チップは保護膜で覆って、素
子の安定化をはかっている。図２は従来の製造方法を示
す図であり、これによって概要を説明する。先ず、(a)
はシリコン基板１に酸化膜２と金属配線層３を形成した
状態を示し、(b) ではこれらの上部をパッシベーション
膜４にて覆い、(c) ではその下部にガラス台座５を接合
し、しかる後、(d) で切断（ダイシング）して各チップ
個々を分離して１個のチップを構成したものである。
のがあり、この種の半導体チップは保護膜で覆って、素
子の安定化をはかっている。図２は従来の製造方法を示
す図であり、これによって概要を説明する。先ず、(a)
はシリコン基板１に酸化膜２と金属配線層３を形成した
状態を示し、(b) ではこれらの上部をパッシベーション
膜４にて覆い、(c) ではその下部にガラス台座５を接合
し、しかる後、(d) で切断（ダイシング）して各チップ
個々を分離して１個のチップを構成したものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来方法によれ
ば、(d) に示されるようにダイシングした後の半導体チ
ップは、その側面においてシリコン表面が露出した状態
になっている。したがってこれらの素子を用いてアセン
ブリーしようとすれば、チップのかけが生じたり、ある
いは不純物がここより進入したりして、チップの電気的
特性を劣化させたり、表面リーク電流等により誤動作の
発生等の原因となっていた。本発明は上記事情に鑑みて
なされたものであり、圧力センサの信頼性の向上及び歩
留りの向上を可能とする圧力センサの製造方法を提供す
ることを目的としている。
ば、(d) に示されるようにダイシングした後の半導体チ
ップは、その側面においてシリコン表面が露出した状態
になっている。したがってこれらの素子を用いてアセン
ブリーしようとすれば、チップのかけが生じたり、ある
いは不純物がここより進入したりして、チップの電気的
特性を劣化させたり、表面リーク電流等により誤動作の
発生等の原因となっていた。本発明は上記事情に鑑みて
なされたものであり、圧力センサの信頼性の向上及び歩
留りの向上を可能とする圧力センサの製造方法を提供す
ることを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明はシリコン基板上に金属配線層である酸化膜
を設け、かつ前記シリコン基板にガラス台座を接合した
半導体装置におて、前記半導体装置に対してスクライブ
ラインに沿ってガラス台座内にまでカットして保護膜を
付着した後、前記スクライブラインに沿ってガラスの台
座の残余をカットするようにした。
め、本発明はシリコン基板上に金属配線層である酸化膜
を設け、かつ前記シリコン基板にガラス台座を接合した
半導体装置におて、前記半導体装置に対してスクライブ
ラインに沿ってガラス台座内にまでカットして保護膜を
付着した後、前記スクライブラインに沿ってガラスの台
座の残余をカットするようにした。
【作用】スクライブ領域を確保するとき、ガラス基台の
内部にまで入ってカットし、かつその後に保護膜を設け
た後、スクライブラインに沿ってガラス台座の残余部を
カットするため、シリコン基板が露出することがない。
内部にまで入ってカットし、かつその後に保護膜を設け
た後、スクライブラインに沿ってガラス台座の残余部を
カットするため、シリコン基板が露出することがない。
【０００５】
【実施例】以下図面を参照して実施例を説明する。図１
は本発明による圧力センサの製造方法を示す一実施例の
構成図である。図１(a) は圧力センサのウェハー工程を
終了したウェハーの断面図であり、従来例の図２(a) に
対応する。図１(b) は図１(a) の状態にあるウェハーの
裏面にガラス台座４を接合し、図１(c) ではスクライブ
ラインに沿ってガラスの台座の内部にまで完全にカット
する。この段階ではチップはガラス台座により支持され
ているため、各チップがばらばらになることはない。そ
の後図１(d) に示されるように表面全面に例えば窒化膜
３をＣＶＤにて堆積する。最後にスクライブラインに残
っているガラス台座をカットし、各チップに分解する
（図１(e) ）。
は本発明による圧力センサの製造方法を示す一実施例の
構成図である。図１(a) は圧力センサのウェハー工程を
終了したウェハーの断面図であり、従来例の図２(a) に
対応する。図１(b) は図１(a) の状態にあるウェハーの
裏面にガラス台座４を接合し、図１(c) ではスクライブ
ラインに沿ってガラスの台座の内部にまで完全にカット
する。この段階ではチップはガラス台座により支持され
ているため、各チップがばらばらになることはない。そ
の後図１(d) に示されるように表面全面に例えば窒化膜
３をＣＶＤにて堆積する。最後にスクライブラインに残
っているガラス台座をカットし、各チップに分解する
（図１(e) ）。
【０００６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればガ
ラス台座の上部にシリコン基板を接合した後、ガラス台
座内にまでスクライブラインに沿ってカットし、保護膜
にてスクライブ領域を覆い、しかる後スクライブライン
に沿ってガラス台座の残部をカットするようにしたの
で、極めて簡単に圧力センサを製造できる。又、組立工
程でのチップの保護により、組立歩留りを向上させるこ
とができる。更にチップのシリコン表面が完全に覆われ
て露出している部分がないため、不純物の進入を完全に
抑えることができ、その結果、信頼性の向上が見込まれ
る。
ラス台座の上部にシリコン基板を接合した後、ガラス台
座内にまでスクライブラインに沿ってカットし、保護膜
にてスクライブ領域を覆い、しかる後スクライブライン
に沿ってガラス台座の残部をカットするようにしたの
で、極めて簡単に圧力センサを製造できる。又、組立工
程でのチップの保護により、組立歩留りを向上させるこ
とができる。更にチップのシリコン表面が完全に覆われ
て露出している部分がないため、不純物の進入を完全に
抑えることができ、その結果、信頼性の向上が見込まれ
る。
【図１】本発明による圧力センサの製造方法を説明する
ための一実施例の工程図。
ための一実施例の工程図。
【図２】従来方法を説明する図。
１ シリコン基板 ２ 酸化膜 ３ 金属配線層 ４ パッシベーション膜 ５ ガラス基台
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 正之 埼玉県熊谷市大字三ケ尻5310番地 秩父セ メント株式会社ファインセラミックス本部 内 (72)発明者 浅見 祖 埼玉県熊谷市大字三ケ尻5310番地 秩父セ メント株式会社ファインセラミックス本部 内
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコン基板上に絶縁層である酸化膜と
金属配線層を設け、かつ前記シリコン基板にガラス台座
を接合した半導体装置において、前記半導体装置に対し
てスクライブラインに沿ってガラス台座内にまでカット
して保護膜を付着した後、前記スクライブラインに沿っ
てガラスの台座の残余をカットすることを特徴とする圧
力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5893292A JPH05226675A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5893292A JPH05226675A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 圧力センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226675A true JPH05226675A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=13098610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5893292A Pending JPH05226675A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226675A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009147108A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Denso Corp | 半導体チップ及びその製造方法 |
| CN110877893A (zh) * | 2018-09-06 | 2020-03-13 | 三菱电机株式会社 | 物理量检测传感器的制造方法、物理量检测传感器 |
-
1992
- 1992-02-12 JP JP5893292A patent/JPH05226675A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009147108A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Denso Corp | 半導体チップ及びその製造方法 |
| CN110877893A (zh) * | 2018-09-06 | 2020-03-13 | 三菱电机株式会社 | 物理量检测传感器的制造方法、物理量检测传感器 |
| CN110877893B (zh) * | 2018-09-06 | 2024-01-09 | 三菱电机株式会社 | 物理量检测传感器的制造方法、物理量检测传感器 |
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