JPH05335322A - メサ型半導体装置の製造方法 - Google Patents
メサ型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05335322A JPH05335322A JP26090592A JP26090592A JPH05335322A JP H05335322 A JPH05335322 A JP H05335322A JP 26090592 A JP26090592 A JP 26090592A JP 26090592 A JP26090592 A JP 26090592A JP H05335322 A JPH05335322 A JP H05335322A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective glass
- mesa type
- semiconductor device
- glass layer
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Dicing (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】保護ガラス層にクラックのないメサ型半導体装
置をより一層効率よく得る方法を提供する。 【構成】（ａ）及び（ｂ）の工程は、シリコンウエハー
10上の凹部30の形成と保護ガラス11の形成及び焼成であ
る。（ｃ）では、保護ガラス層11を切断する。（ｄ）で
は、保護ガラス層11を再度焼成する。このようにする
と、工程（ｃ）において保護ガラス層11にクラックが生
じていたとしても、ガラスが溶けて発生したクラックを
補修することができる。（ｅ）では、凹部30を除くシリ
コンウエハー10の表面と、裏面にアルミニウム等の電極
12及び13を形成する。（ｆ）では、保護ガラス層11の切
断部20からシリコンウエハー10を切断し、個々のメサ型
ダイオード21を得る。得られたメサ型ダイオード21は、
保護ガラス層11にクラックのないものである。
置をより一層効率よく得る方法を提供する。 【構成】（ａ）及び（ｂ）の工程は、シリコンウエハー
10上の凹部30の形成と保護ガラス11の形成及び焼成であ
る。（ｃ）では、保護ガラス層11を切断する。（ｄ）で
は、保護ガラス層11を再度焼成する。このようにする
と、工程（ｃ）において保護ガラス層11にクラックが生
じていたとしても、ガラスが溶けて発生したクラックを
補修することができる。（ｅ）では、凹部30を除くシリ
コンウエハー10の表面と、裏面にアルミニウム等の電極
12及び13を形成する。（ｆ）では、保護ガラス層11の切
断部20からシリコンウエハー10を切断し、個々のメサ型
ダイオード21を得る。得られたメサ型ダイオード21は、
保護ガラス層11にクラックのないものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、メサ型半導体装置の製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】メサ型半導体装置は、半導体基板に形成
されたＰＮ接合部を含む凹部の表面を保護または安定化
させるためにガラス被覆によりパシベーションされ、電
極付けされた後、ダイシングされて製造される。より具
体的には、例えば、従来のメサ型ダイオードの製造は、
図２に示す工程により行なわれている。工程は（ａ）か
ら（ｄ）に進行する。（ａ）で、シリコンウエハー10
を、図示のような形状にエッチングして、メサ型を形成
する。（ｂ）では、凹部30に鉛ガラス等の保護ガラス11
を形成し、焼成する。（ｃ）では、凹部30を除くシリコ
ンウエハー10の表面と、裏面にアルミニウム等の電極12
及び13を形成する。この電極12及び13の融点は、保護ガ
ラス11の融点より低いため、保護ガラス11の焼成後形成
しなければならない。（ｄ）で、シリコンウエハー10を
凹部30の保護ガラス11の中心から切断すれば、メサ型ダ
イオード14が得られる。ここでは不図示であるが、表面
電極12の下方には、拡散層が形成されており、基板との
間にＰＮ接合を有している。
されたＰＮ接合部を含む凹部の表面を保護または安定化
させるためにガラス被覆によりパシベーションされ、電
極付けされた後、ダイシングされて製造される。より具
体的には、例えば、従来のメサ型ダイオードの製造は、
図２に示す工程により行なわれている。工程は（ａ）か
ら（ｄ）に進行する。（ａ）で、シリコンウエハー10
を、図示のような形状にエッチングして、メサ型を形成
する。（ｂ）では、凹部30に鉛ガラス等の保護ガラス11
を形成し、焼成する。（ｃ）では、凹部30を除くシリコ
ンウエハー10の表面と、裏面にアルミニウム等の電極12
及び13を形成する。この電極12及び13の融点は、保護ガ
ラス11の融点より低いため、保護ガラス11の焼成後形成
しなければならない。（ｄ）で、シリコンウエハー10を
凹部30の保護ガラス11の中心から切断すれば、メサ型ダ
イオード14が得られる。ここでは不図示であるが、表面
電極12の下方には、拡散層が形成されており、基板との
間にＰＮ接合を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のような製造方法
においては、保護ガラス層11の厚みが５０μｍ程度と厚
いため、シリコンウエハー10を切断して個々のメサ型ダ
イオード14を作成する際、保護ガラス層11にクラックが
発生してしまうことが多かった。保護ガラス層11にクラ
ックが生じると、そこから浸水したり、また空気中のＮ
ａイオン等が入って汚染されたりするので、特性の面で
問題が生じることがあった。本発明は、このような問題
を解決し、保護ガラス層にクラックのないメサ型半導体
装置をより一層効率よく得る方法を提供することを目的
とする。
においては、保護ガラス層11の厚みが５０μｍ程度と厚
いため、シリコンウエハー10を切断して個々のメサ型ダ
イオード14を作成する際、保護ガラス層11にクラックが
発生してしまうことが多かった。保護ガラス層11にクラ
ックが生じると、そこから浸水したり、また空気中のＮ
ａイオン等が入って汚染されたりするので、特性の面で
問題が生じることがあった。本発明は、このような問題
を解決し、保護ガラス層にクラックのないメサ型半導体
装置をより一層効率よく得る方法を提供することを目的
とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のメサ型半導体装置の製造方法は、半導体基
板の凹部表面に形成された保護ガラス層を切断する工程
と、前記保護ガラス層を焼成する工程と、前記凹部を除
く前記半導体基板の表面に電極を形成する工程と、前記
保護ガラス層の切断箇所から前記半導体基板を切断する
工程と、から成っている。
め、本発明のメサ型半導体装置の製造方法は、半導体基
板の凹部表面に形成された保護ガラス層を切断する工程
と、前記保護ガラス層を焼成する工程と、前記凹部を除
く前記半導体基板の表面に電極を形成する工程と、前記
保護ガラス層の切断箇所から前記半導体基板を切断する
工程と、から成っている。
【０００５】
【作用】このようにすると、保護ガラス層を切断した
後、再度焼成を行なっているので、切断時に発生した保
護ガラス層のクラックを補修することができる。再焼成
後に完全に素子を切断するために保護ガラス層にはクラ
ックは生じ難い。従って、素子として特性が悪くなると
いうような不具合は生じない。
後、再度焼成を行なっているので、切断時に発生した保
護ガラス層のクラックを補修することができる。再焼成
後に完全に素子を切断するために保護ガラス層にはクラ
ックは生じ難い。従って、素子として特性が悪くなると
いうような不具合は生じない。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ、
説明する。図１に、本発明を実施したメサ型ダイオード
の製造方法を示す。図２と同様に工程は（ａ）から
（ｆ）に進行する。（ａ）で、シリコンウエハー10を、
図示のような形状にエッチングして、メサ型を形成す
る。（ｂ）では、凹部30に鉛ガラス等の保護ガラス11を
形成し、焼成する。ここでガラスは焼成工程を必要とす
るものであればよく、特にその種類は限定されない。焼
成温度はガラス組成により決定され、一般的には９００
°Ｃ以下とされている。これ以上の温度では半導体基板
１０に悪影響を与えるからである。（ｃ）では、保護ガ
ラス層１１を切断する。このとき、ウエハーの強度が保
たれる（割れない）範囲であれば、ウエハー表面をもカ
ットしてもよい。（ｄ）では、保護ガラス層11を再度焼
成する。このようにすると、工程（ｃ）において保護ガ
ラス層11にクラックが生じていたとしても、ガラスが溶
けて発生したクラックを補修することができる。尚、こ
のときの再焼成温度は工程（ｂ）での焼成温度と同程度
の温度で行なうのがよい。（ｅ）では、図２（ｃ）のよ
うに、凹部30を除くシリコンウエハー10の表面と、裏面
にアルミニウム等の電極12及び13を形成する。（ｆ）で
は、保護ガラス層11の切断部20からシリコンウエハー10
を切断し、個々のメサ型ダイオード21を得る。得られた
メサ型ダイオード21は、保護ガラス層11にクラックのな
いものである。
説明する。図１に、本発明を実施したメサ型ダイオード
の製造方法を示す。図２と同様に工程は（ａ）から
（ｆ）に進行する。（ａ）で、シリコンウエハー10を、
図示のような形状にエッチングして、メサ型を形成す
る。（ｂ）では、凹部30に鉛ガラス等の保護ガラス11を
形成し、焼成する。ここでガラスは焼成工程を必要とす
るものであればよく、特にその種類は限定されない。焼
成温度はガラス組成により決定され、一般的には９００
°Ｃ以下とされている。これ以上の温度では半導体基板
１０に悪影響を与えるからである。（ｃ）では、保護ガ
ラス層１１を切断する。このとき、ウエハーの強度が保
たれる（割れない）範囲であれば、ウエハー表面をもカ
ットしてもよい。（ｄ）では、保護ガラス層11を再度焼
成する。このようにすると、工程（ｃ）において保護ガ
ラス層11にクラックが生じていたとしても、ガラスが溶
けて発生したクラックを補修することができる。尚、こ
のときの再焼成温度は工程（ｂ）での焼成温度と同程度
の温度で行なうのがよい。（ｅ）では、図２（ｃ）のよ
うに、凹部30を除くシリコンウエハー10の表面と、裏面
にアルミニウム等の電極12及び13を形成する。（ｆ）で
は、保護ガラス層11の切断部20からシリコンウエハー10
を切断し、個々のメサ型ダイオード21を得る。得られた
メサ型ダイオード21は、保護ガラス層11にクラックのな
いものである。
【０００７】尚、本発明は、メサ型ダイオードに限定さ
れることなく、トランジスタ、サイリスタ等の他のメサ
型半導体装置においても有効である。
れることなく、トランジスタ、サイリスタ等の他のメサ
型半導体装置においても有効である。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
保護ガラス層を切断する際に発生したクラックを、再度
焼成することによって補修しているので、保護ガラス層
にクラックのない半導体装置を効率よく得ることができ
る。従って、本発明により得られる半導体装置は、浸水
したり汚染されたりするようなことがなく、特性不良が
起こらない信頼性の高いものである。さらに、本発明に
よれば、手間のかかる外観不良品の選別作業を省略する
ことができるという長所もある。
保護ガラス層を切断する際に発生したクラックを、再度
焼成することによって補修しているので、保護ガラス層
にクラックのない半導体装置を効率よく得ることができ
る。従って、本発明により得られる半導体装置は、浸水
したり汚染されたりするようなことがなく、特性不良が
起こらない信頼性の高いものである。さらに、本発明に
よれば、手間のかかる外観不良品の選別作業を省略する
ことができるという長所もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明を実施したメサ型半導体装置の製造方
法を示す図。
法を示す図。
【図２】 従来のメサ型半導体装置の製造方法を示す
図。
図。
10 シリコンウエハー 11 保護ガラス層 12、13 電極 14、21 メサ型ダイオード 20 切断部 30 凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の凹部表面に形成された保護
ガラス層を切断する工程と、 前記保護ガラス層を焼成する工程と、 前記凹部を除く前記半導体基板の表面に電極を形成する
工程と、 前記保護ガラス層の切断箇所から前記半導体基板を切断
する工程と、 から成ることを特徴とするメサ型半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26090592A JPH05335322A (ja) | 1992-03-31 | 1992-09-30 | メサ型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7652992 | 1992-03-31 | ||
| JP4-76529 | 1992-03-31 | ||
| JP26090592A JPH05335322A (ja) | 1992-03-31 | 1992-09-30 | メサ型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335322A true JPH05335322A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=26417674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26090592A Pending JPH05335322A (ja) | 1992-03-31 | 1992-09-30 | メサ型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335322A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101982872A (zh) * | 2010-10-30 | 2011-03-02 | 强茂电子(无锡)有限公司 | 沟槽式二极管芯片的制造方法 |
| CN102244046A (zh) * | 2010-05-11 | 2011-11-16 | 扬州杰利半导体有限公司 | 一种钝化保护二极管芯片及其加工方法 |
| CN102290380A (zh) * | 2010-06-17 | 2011-12-21 | 璟茂科技股份有限公司 | 玻璃保护式二极管及其制法 |
| CN104795509A (zh) * | 2015-05-07 | 2015-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件的封装方法及封装结构、显示装置 |
| CN105679818A (zh) * | 2016-04-05 | 2016-06-15 | 江苏东晨电子科技有限公司 | 一种集成保护台面晶闸管及其制作方法 |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP26090592A patent/JPH05335322A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102244046A (zh) * | 2010-05-11 | 2011-11-16 | 扬州杰利半导体有限公司 | 一种钝化保护二极管芯片及其加工方法 |
| CN102290380A (zh) * | 2010-06-17 | 2011-12-21 | 璟茂科技股份有限公司 | 玻璃保护式二极管及其制法 |
| CN101982872A (zh) * | 2010-10-30 | 2011-03-02 | 强茂电子(无锡)有限公司 | 沟槽式二极管芯片的制造方法 |
| CN104795509A (zh) * | 2015-05-07 | 2015-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件的封装方法及封装结构、显示装置 |
| CN105679818A (zh) * | 2016-04-05 | 2016-06-15 | 江苏东晨电子科技有限公司 | 一种集成保护台面晶闸管及其制作方法 |
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