JP2011243905A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 45
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 33
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 abstract description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【解決手段】 表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスを有するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に耐熱性ボンド剤を介して補強プレートを配設する補強プレート配設工程と、該補強プレートをチャックテーブルで保持してウエーハの裏面を研削砥石で研削する裏面研削工程と、該補強プレートに配設されたウエーハの裏面からウエーハの表面に形成されたデバイスの電極に接続する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、ウエーハの裏面をレーザ加工装置のチャックテーブルで保持し、該補強プレート側から該補強プレートに対して透過性を有する波長のレーザビームを該レーザビームの集光点を該耐熱性ボンド剤に位置づけて照射し、該耐熱性ボンド剤の貼着力を低下させて該補強プレートをウエーハの表面から除去する補強プレート除去工程と、を具備したことを特徴とする。
【選択図】図5
Description
波長 :1064nm
出力 :0.3W
繰り返し周波数 :100kHz
パルス幅 :10ps
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :100mm/秒
5 デバイス
10 耐熱性ボンド剤
11 耐熱性ボンド剤層
12 補強プレート
28 貫通電極
32 レーザヘッド
34 変質層
36 押さえ部材
42 溶剤
52 ダイシングテープ
54 環状フレーム
Claims (3)
- 表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスを有するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に耐熱性ボンド剤を介して補強プレートを配設する補強プレート配設工程と、
該補強プレートをチャックテーブルで保持してウエーハの裏面を研削砥石で研削する裏面研削工程と、
該補強プレートに配設されたウエーハの裏面からウエーハの表面に形成されたデバイスの電極に接続する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
ウエーハの裏面をレーザ加工装置のチャックテーブルで保持し、該補強プレート側から該補強プレートに対して透過性を有する波長のレーザビームを該レーザビームの集光点を該耐熱性ボンド剤に位置づけて照射し、該耐熱性ボンド剤の貼着力を低下させて該補強プレートをウエーハの表面から除去する補強プレート除去工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 該補強プレートはシリコンから形成されており、前記レーザビームの波長は1064nmである請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 該補強プレート除去工程を実施した後、環状フレームに外周部が装着されたダイシングテープにウエーハの裏面を貼着して、ダイシングテープを介してウエーハを該環状フレームで支持するウエーハ支持工程と、
該環状フレームに支持されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程と、
を更に具備した請求項1又は2記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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JP2010117036A JP5570298B2 (ja) | 2010-05-21 | 2010-05-21 | ウエーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011243905A true JP2011243905A (ja) | 2011-12-01 |
JP5570298B2 JP5570298B2 (ja) | 2014-08-13 |
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ID=45410225
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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