JP2011142213A - 薄膜電子素子の個片化方法及びその方法により製造された電子素子搭載粘着性シート - Google Patents
薄膜電子素子の個片化方法及びその方法により製造された電子素子搭載粘着性シート Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】互いに離間する2つの電子素子13がその上に形成された基板を準備する工程と、サポート基板S2が電子素子13を介して基板と対向するように、接着層15を介して基板とサポート基板S2とを貼り合わせる工程と、基板を除去して電子素子13及び接着層15を露出させる工程と、露出された電子素子13及び接着層15と加熱により粘着力が低下する材料を含むダイシングテープ11とを貼り付ける工程と、サポート基板S2を除去する工程と、接着層15をダイシングテープ11及び電子素子13から剥離して電子素子13を露出させる工程と、ダイシングテープ11を加熱することで電子素子13をダイシングテープ11から分離する工程と、を備える。
【選択図】図5
Description
まず、互いに離間する複数の電子素子13がその上に形成された基板(第1基板)S1を準備する。このような基板S1は、市販されているものを準備し、そこに複数の電子素子13を固定してもよいが、図2(a)に示されているように、基板S1を用意し、基板S1上に複数の電子素子13を同時に形成することで得ることができる。また、複数の電子素子13は、例えば、以下の方法で形成される。すなわち、エピタキシャル成長法、スパッタ法、蒸着法、CVD法等を用いて、基板S1上にバッファ層、第1電極層、圧電体層及び第2電極層を順次に形成する(図示せず)。その後、フォトリソグラフィー及びエッチング技術等を用いてそれらの層のパターニングを行い、所定の間隔で互いに離間する複数の積層体を形成して、各積層体を覆うように保護層を形成する。その後、各積層体の保護層上に、第1電極層又は第2電極層に電気的に接続された複数の電極を形成する。これによって、基板S1上に領域13a及び領域13bが間隔Dで互いに分離された複数の電子素子13が間隔Pで形成される。間隔P及び間隔Dは、電子素子13の大きさに応じて、例えば10〜1000μmの範囲内であることが好ましい。間隔P及びDがこの範囲内であれば、基板S1の所定の面積から十分多くの電子素子13を得ることができる。
引き続き、複数の電子素子13を覆うように基板S1上に接着層15を形成する。接着層15は、紫外線(UV)硬化型の一液性アクリル系樹脂であることができ、最高の耐熱温度が、例えば200℃である。接着層15は、例えばスピンコート法により形成される。接着層15の材料は、上記の紫外線(UV)硬化型のアクリル樹脂でなくても剥離層17上に基板S1を固定できるものであれば特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリイミドシリコン樹脂等の樹脂接着剤を用いることができる。剥離層17との境界を基準とした接着層15の厚みTは、間隔P及び間隔Dより小さく、例えば5〜500μm程度とすることができる。これにより、電子素子13に加わる外部応力を抑制しつつ、その後の工程において接着層15を容易に剥離することができる。
次に、図3(a)及び図3(b)に示されているように、積層体Mから基板S1を除去して電子素子13及び接着層15を露出させる。これにより、積層体Mから基板S1が除去され、積層体Nが得られる。基板S1の除去は、例えば、前段階の粗削り(図3(a)を参照)及び後段階のエッチングによって行うことができる。この場合、前段階の粗削りとしては、砥石研削(バーチカル)やコロイダルシリカ(CMP)によるポリッシングや、軟質金属定盤(スズ定盤など)を使ったダイヤスラリーによるポリッシングを用いることができる。後段階のエッチングは、基板S1としてSiの単結晶基板が用いられる場合には、フッ硝酸によるウェットエッチング、または反応性イオンエッチング法(RIE法)等によるドライエッチングを用いることができる。
次に、図4(a)に示されているように、露出された電子素子13及び接着層15がダイシングテープ11の粘着材層11b側に位置するように、積層体Nをダイシングテープ11の粘着材層11b側に貼り付ける。具体的には、リング状のフレーム19にダイシングテープ11を付着する。その後、露出された電子素子13及び接着層15がダイシングテープ11の粘着材層11b上に位置するように積層体Nをダイシングテープ11上に載せて吸着固定する。
その後、サポート基板S2を除去する。サポート基板S2を除去は、図4(b)に示されているように、レーザー、例えばYAGレーザーのレーザー光Lを照射して剥離層17を溶解し、剥離層17を剥離することで行われる。図5(a)に示されているように、レーザー光Lの照射後に剥離層17を剥離すると、剥離層17の剥離と同時にサポート基板S2も剥離される。
波長:1064nm
レーザー出力パワー:10〜20W
ビーム径:100〜500μm
走査ピッチ: 50〜450μm
走査速度:1〜3m/sec
次に、図5(b)に示されているように、ダイシングテープ11及び複数の電子素子13から接着層15を剥離する。接着層15の剥離の際、接着層15のダイシングテープ11に対する接着力は0.05〜0.2N/cm程度であり、接着層15の電子素子13に対する接着力は0.05〜0.2N/cm程度であることが好ましい。また、接着層15の剥離の際、電子素子13のダイシングテープ11に対する接着力は0.1〜0.5N/cm程度であることが好ましい。引き続き、リング状のフレーム19からダイシングテープ11を取り外す。これによって、本実施形態に係る電子素子搭載テープ1が完成される。
その後、ダイシングテープ11をホットプレート上において120℃で5分間熱処理する。これにより、ダイシングテープ11の粘着材層11bの粘着力が0.05〜0.2N/cm程度まで低下してダイシングテープ11から電子素子13が分離される。
Claims (4)
- 互いに離間する2つの薄膜電子素子部がその上に形成された第1基板を準備する工程と、
第2基板を準備し、該第2基板が前記薄膜電子素子部を介して前記第1基板と対向するように、接着層を介して前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせる工程と、
前記第1基板を除去して前記薄膜電子素子部及び前記接着層を露出させる工程と、
露出された前記薄膜電子素子部及び前記接着層と、加熱により粘着力が低下する材料を含む粘着性シートとを貼り付ける工程と、
前記粘着性シートが貼り付けられた前記薄膜電子素子部及び前記接着層から前記第2基板を除去する工程と、
前記接着層を前記粘着性シート及び前記薄膜電子素子部から剥離して前記薄膜電子素子部を露出させる工程と、
前記粘着性シートを加熱することで露出された前記薄膜電子素子部を前記粘着性シートから分離する工程と、
を備える、薄膜電子素子の個片化方法。 - 前記粘着性シートが発泡性の材料を含む、請求項1に記載の薄膜電子素子の個片化方法。
- 前記2つの薄膜電子素子部間の間隔が前記接着層の厚みより大きい、請求項1又は2に記載の薄膜電子素子の個片化方法。
- 粘着性シートと、
前記粘着性シート上に設けられた2つの薄膜電子素子部と、
を備え、
前記粘着性シートが、加熱により粘着力が低下する材料を含む、電子素子搭載粘着性シート。
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